JP4834545B2 - 光学活性なエポキシ化合物の製造方法、並びに該方法に用いる錯体及びその製造方法 - Google Patents

光学活性なエポキシ化合物の製造方法、並びに該方法に用いる錯体及びその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、光学活性なエポキシ化合物の製造方法、並びに該方法に用いる錯体及び該錯体の製造方法に関し、より詳しくは、特定構造のＴｉ錯体を触媒として、分子中に炭素−炭素二重結合を有するプロキラルな化合物を不斉エポキシ化反応して、光学活性なエポキシ化合物を製造する方法に関するものである。
光学活性なエポキシ化合物は、高血圧症、喘息症等の治療に有効な光学活性ベンゾピラン化合物を始めとした各種医薬の中間体として広く用いられており、該光学活性なエポキシ化合物の種々の合成方法が広く検討されてきた。かかる合成方法の中でも、不斉エポキシ化反応が最も実用的な方法であり、また、触媒として酒石酸チタンを用いた不斉エポキシ化反応の発見以来（T. Katsuki, K. B. Sharpless, J. Am. Chem. Soc. 1980, 102, 5974-5796.参照）、種々の不斉エポキシ化による合成方法が開発されてきた（E. N. Jacobsen, M. H. Wu, In "Comprehensive Asymmetric Catalysis" Ed by Jacobsen, E. N.; Pfaltz, A.; Yamamoto, H. Springer (1999), Vol. II, Chap. 21, pp.649-677.及びT. Katsuki, In "Comprehensive Coordination Chemistry II" Ed. by McCleverty, J., Elsevier Science Ltd., Oxford, 2003, Vol.9, Chapter 9.4, pp.207-264.参照）。
しかしながら、これらの合成方法の多くは、ｔ-ブチルヒドロペルオキシド、次亜塩素酸塩、ヨードソベンゼン等の原子効率の低い酸化剤を用いた方法であり、より原子効率が高く、環境に優しい酸化剤を用いた合成方法の開発が切望されている。種々の酸化剤の中でも、過酸化水素は、原子効率が高いだけでなく、酸素原子の移行後に水のみを生成するため、環境に優しい酸化剤である。そのため、酸化剤として過酸化水素を用いた不斉エポキシか反応が精力的に研究されてきたが、高エナンチオ選択的にエポキシ化を達成できた例は極僅かであり（L. Shu, Y. Shi, Tetrahedron, 2001, 57, 5213-5218.及びS. Colonna, H. Molinari, S. Banfi, S. Julia, J. Masana, A. Alvalez, Tetrahedron, 1983, 39, 1635-1641.参照）、また、多くの場合、触媒の回転数が不十分であるという問題があった。
一方、本発明者らは、(aＲＲΔ,aＲＲΔ)-ジ-μ-オキソＴｉ(サレン)錯体が、尿素-過酸化水素付加物（ＵＨＰ）を酸化剤として用いた不斉スルホ酸化反応の触媒として優れていることを見出している（B. Saito, T. Katsuki, Tetrahedron Lett., 2001, 42, 3873-3876.参照）。しかしながら、上記(aＲＲΔ,aＲＲΔ)-ジ-μ-オキソＴｉ(サレン)錯体は、種々のスルフィド化合物を高エナンチオ選択性に酸化するのに有用であるものの、オレフィンのエポキシ化反応を進行させることができない。
このような状況下、本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決し、光学活性なエポキシ化合物の工業的に有用な製造方法及び該方法に触媒として用いる錯体を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記錯体の新規製造方法を提供することにある。
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、サレン配位子の２個のイミノ結合の内の少なくとも一つを反応系中で還元した後、自己組織化して得られるジ-μ-オキソチタン錯体を触媒として用いることで、過酸化水素を酸化剤とするオレフィンのエポキシ化反応を高エナンチオ選択的に進行させることが可能であり、更に、触媒の回転数も非常に高いことを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法は、下記式(I)、式(I')、式(II)、式(II')、式(III)、式(III')、式(IV)及び式(IV')：
Figure 0004834545


［式中、Ｒ1は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ2は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ3は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基で、２つのＲ3は、互いに結合して環を形成してもよく；Ｒ4は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基であり；Ｍは、ＴｉＹ2（ここで、Ｙは、Ｃｌ又はアルコキシド、或いはμ-ｏｘｏ配位子である）である］のいずれかで表される錯体（上記式で示された単体及びそれより導かれるｄｉ-μ-ｏｘｏ-二量体）を触媒として使用し、
下記式(V)：
Ｒ5−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ6 ・・・ (V)
［式中、Ｒ5及びＲ6は、互いに異なる一価の基又は水素原子である］で表される不飽和化合物を酸化剤で不斉エポキシ化して、
下記式(VI)：
Figure 0004834545

［式中、Ｒ5及びＲ6は、上記と同義である］で表される光学活性なエポキシ化合物を製造することを特徴とする。
本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法の好適例においては、前記式中の２つのＲ3が互いに結合してテトラメチレン基を形成している。
本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法の他の好適例においては、前記錯体が上記式(II)、式(II')、式(III)又は式(III')で表される。
本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法の他の好適例においては、前記式中のＲ1が２-アリール-１-ナフチル基又はフェニル基である。
本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法の他の好適例においては、前記Ｙがμ-ｏｘｏ配位子である。この場合、上記式(I)、式(I')、式(II)、式(II')、式(III)、式(III')、式(IV)及び式(IV')のいずれかで表される錯体は、チタン二核錯体となる。
本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法の他の好適例においては、前記式(V)で表される不飽和化合物が、下記式(VII)、式(VIII)及び式(IX)：
Figure 0004834545

［式中、Ｒ7は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲノアルキル基、カルボキシ基、ホルミル基、アルカノイル基、アロイル基、ハロゲノアルカノイル基、カルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノスルホニル基、或いはモノ又はジアルキルアミノスルホニル基であり；Ｒ8は、水素原子、アルキル基、又はアルコキシ基であり；Ｒ9は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、或いはハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基で置換された置換フェニル基であり、但し、式(IX)中のＲ9は、互いに異なり；式(VII)中のＲ8とＲ9とは、互いに結合して下記式(X)、式(XI)、式(XII)及び式(XIII)：
Figure 0004834545

（式中、Ｒ10は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基である）のいずれかで表される二価の基を形成してもよい］のいずれかで表され、得られる光学活性なエポキシ化合物が、下記式(XIV)、式(XV)及び式(XVI)：
Figure 0004834545

［式中、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は、上記と同義であり、但し、式(XVI)中のＲ9は、互いに異なり、式(XIV)中のＲ8とＲ9とは、互いに結合して上記式(X)、式(XI)、式(XII)及び式(XIII)のいずれかで表される二価の基を形成してもよい］のいずれかで表される。
本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法の他の好適例においては、前記酸化剤が過酸化水素水又は尿素-過酸化水素付加物（ＵＨＰ）であり、より好ましくは、前記酸化剤が過酸化水素水である。この場合、酸化剤の原子効率が高い上、エポキシ化反応後の副生物が無害であり、環境に優しいプロセスを実現することができる。
また、本発明の錯体は、上記式(I)、式(I')、式(II)、式(II')、式(III)、式(III')、式(IV)及び式(IV')のいずれかで表されることを特徴とする。
本発明の錯体においては、前記式中の２つのＲ3が互いに結合してテトラメチレン基を形成していることが好ましく、前記式中のＲ1が２-アリール-１-ナフチル基又はフェニル基であることが好ましく、前記Ｙがμ-ｏｘｏ配位子であることが好ましい。また、本発明の錯体としては、上記式(II)、式(II')、式(III)又は式(III')で表される錯体が好ましい。
更に、本発明の第１の錯体の製造方法は、下記式(XVII)、式(XVII')、式(XVIII)及び式(XVIII')：
Figure 0004834545


［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、上記と同義である］のいずれかで表されるサレン配位子とチタンアルコキシドとを反応させた後、水で処理して、上記式(I)、式(I')、式(III)及び式(III')のいずれかで表され、ＭがＴｉＹ2（ここで、Ｙは、μ-ｏｘｏ配位子である）である錯体を生成させることを特徴とする。なお、式(XVII)で表されるサレン配位子を用いることで式(I)で表される錯体を製造することができ、式(XVII')で表されるサレン配位子を用いることで式(I')で表される錯体を製造することができ、式(XVIII)で表されるサレン配位子を用いることで式(III)で表される錯体を製造することができ、式(XVIII')で表されるサレン配位子を用いることで式(III')で表される錯体を製造することができる。
本発明の第１の錯体の製造方法においては、前記式中の２つのＲ3が互いに結合してテトラメチレン基を形成していることが好ましく、前記式中のＲ1が２-アリール-１-ナフチル基であることが好ましい。
本発明の第１の錯体の製造方法の好適例においては、前記サレン配位子が上記式(XVIII)又は式(XVIII')で表され、前記錯体が式(III)又は式(III')で表される。
また更に、本発明の第２の錯体の製造方法は、上記式(XVII)、式(XVII')、式(XVIII)及び式(XVIII')のいずれかで表されるサレン配位子を還元して、下記式(XIX)、式(XIX')、式(XX)及び式(XX')：
Figure 0004834545

［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、上記と同義である］のいずれかで表されるサラン配位子を生成させ、該サラン配位子とチタンアルコキシドとを反応させた後、水で処理して、上記式(II)、式(II')、式(IV)及び式(IV')のいずれかで表され、ＭがＴｉＹ2（ここで、Ｙは、μ-ｏｘｏ配位子である）である錯体を生成させることを特徴とする。なお、式(XVII)で表されるサレン配位子を用いることで、式(XIX)で表されるサラン配位子を経て、式(II)で表される錯体を製造することができ、式(XVII')で表されるサレン配位子を用いることで、式(XIX')で表されるサラン配位子を経て、式(II')で表される錯体を製造することができ、式(XVIII)で表されるサレン配位子を用いることで 、式(XX)で表されるサラン配位子を経て、式(IV)で表される錯体を製造することができ、式(XVIII')で表されるサレン配位子を用いることで、式(XX')で表されるサラン配位子を経て、式(IV')で表される錯体を製造することができる。
本発明の第２の錯体の製造方法においては、前記式中の２つのＲ3が互いに結合してテトラメチレン基を形成していることが好ましく、前記式中のＲ1がフェニル基であることが好ましい。
本発明の第２の錯体の製造方法の好適例においては、前記サレン配位子が上記式(XVII)又は式(XVII')で表され、前記サラン配位子が式(XIX)又は式(XIX')で表され、前記錯体が式(II)又は式(II')で表される。
本発明によれば、特定の構造式で表されるＴｉ錯体を触媒として用いて、分子中に炭素−炭素二重結合を有するプロキラルな不飽和化合物を高エナンチオ選択的に不斉エポキシ化して、光学活性なエポキシ化合物を製造することができる。
以下に、本発明を詳細に説明する。本発明で触媒として用いるチタン錯体は、上記式(I)、式(I')、式(II)、式(II')、式(III)、式(III')、式(IV)及び式(IV')のいずれかで表される。これらの錯体の配位子は、サレン配位子の２個のイミノ結合の内の少なくとも一つが還元された構造を有しており、サレン配位子よりも柔軟性に優れている。また、上記錯体の配位子中の窒素原子に結合した水素は、チタンのペルオキソ化学種の活性化に寄与できるものと考えられる。そして、これらの配位子の特性に起因して、触媒として上記錯体を用いることで、不飽和化合物の不斉エポキシ化反応を進行させることができたものと考えられる。ここで、式(I')の錯体は、式(I)の錯体の鏡像異性体であり、式(II')の錯体は、式(II)の錯体の鏡像異性体であり、式(III')の錯体は、式(III)の錯体の鏡像異性体であり、式(IV')の錯体は、式(IV)の錯体の鏡像異性体であり、出発物質の立体配置を選択することで、同様にして合成することができる。これらの中でも、式(III)又は式(III')で表される錯体が好ましい。上記錯体の使用量は、後述する基質の不飽和化合物のモル量に対し、0.01〜100mol％の範囲が好ましく、0.1〜5mol％の範囲が更に好ましい。
上記式中のＲ1は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり、該アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｉ-プロピル基、ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、一方、アリール基としては、フェニル基、３,５-ジメチルフェニル基、４-メチルフェニル基、１-ナフチル基、２-ビフェニル基、２-フェニル-１-ナフチル基、２-メチル-１-ナフチル基、２-[３,５-ジメチルフェニル]-１-ナフチル基、２-[４-メチルフェニル]-１-ナフチル基、２-メトキシ-１-ナフチル基、２-[ｐ-(ｔ-ブチルジメチルシリル)フェニル]-１-ナフチル基、２-ビフェニリル-１-ナフチル基等の炭素数６〜２２のアリール基が挙げられる。なお、上記アリール基は、光学活性であっても、光学不活性であってもよい。ここで、Ｒ1としては、フェニル基及び２-アリール-１-ナフチル基が好ましく、２-アリール-１-ナフチル基中のアリール基としては、フェニル基、ｐ-(ｔ-ブチルジメチルシリル)フェニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
また、上記式中のＲ2は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり、該アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｉ-プロピル基、ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、一方、アリール基としては、フェニル基、３,５-ジメチルフェニル基、４-メチルフェニル基、１-ナフチル基、２-ビフェニル基、２-フェニル-１-ナフチル基、２-メチル-１-ナフチル基、２-[３,５-ジメチルフェニル]-１-ナフチル基、２-[４-メチルフェニル]-１-ナフチル基、２-メトキシ-１-ナフチル基等の炭素数６〜１８のアリール基が挙げられる。
更に、上記式中のＲ3は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基で、２つのＲ3は、互いに結合して環を形成してもよい。該アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｉ-プロピル基、ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、一方、アリール基としては、フェニル基、３,５-ジメチルフェニル基、４-メチルフェニル基、１-ナフチル基、２-ビフェニル基、２-フェニル-１-ナフチル基、２-メチル-１-ナフチル基、２-[３,５-ジメチルフェニル]-１-ナフチル基、２-[４-メチルフェニル]-１-ナフチル基、２-メトキシ-１-ナフチル基等の炭素数６〜１８のアリール基が挙げられる。また、２つのＲ3が互いに結合して環を形成する場合に、形成される二価の基としては、テトラメチレン基等が挙げられる。これらの中でも、２つのＲ3が互いに結合してテトラメチレン基を形成していることが好ましい。
また更に、上記式中のＲ4は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基である。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｉ-プロピル基、ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、sec-ブチル基、ｔ-ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、ｉ-プロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、ｉ-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、ｔ-ブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましい。これらの中でも、Ｒ4としては、水素原子が特に好ましい。
更にまた、上記式中のＭは、ＴｉＹ2であり、該Ｙは、Ｃｌ又はアルコキシド、或いはμ-ｏｘｏ配位子である。ここで、アルコキシドとしては、メトキシド、エトキシド、ｎ-プロポキシド、ｉ-プロポキシド、ｎ-ブトキシド、ｉ-ブトキシド、ｓ-ブトキシド、ｔ-ブトキシド等が挙げられる。なお、Ｙがμ-ｏｘｏ配位子である場合、上記錯体は、チタン二核錯体となるが、かかるチタン二核錯体の中でも、サレン配位子の２個のイミノ結合の内の一つが還元され、下記式(XXI)：
Figure 0004834545

［式中、Ｏ−ＮＨ−Ｎ−Ｏは、下記式(XXII)、式(XXII')、式(XXIII)及び式(XXIII')：
Figure 0004834545

（ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、上記と同義である）のいずれかである］で表される(Δ,Δ)-ジ-μ-ｏｘｏチタン二核錯体が好ましい。
更に、上記錯体の中でも、上記式(XXI)で表され、式中のＯ−ＮＨ−Ｎ−Ｏが下記式(XXIV)又は式(XXIV')：
Figure 0004834545

であるチタン二核錯体｛即ち、(ａＲＳΔ,ａＲＳΔ)-ジ-μ-ｏｘｏチタン二核錯体、(ａＳＲΛ,ａＳＲΛ)-ジ-μ-ｏｘｏチタン二核錯体｝が特に好ましい。該錯体は、安定性が特に高く、酸化剤として後述する過酸化水素を用いた反応条件にも、十分に耐えることができる。
上記式(I)、式(I')、式(III)及び式(III')のいずれかで表され、ＭがＴｉＹ2（ここで、Ｙは、μ-ｏｘｏ配位子である）であるチタン二核錯体は、上記式(XVII)、式(XVII')、式(XVIII)及び式(XVIII')のいずれかで表されるサレン配位子とチタンアルコキシドとを反応させた後、水で処理することで製造することができる。ここで、サレン配位子とチタンアルコキシドとの反応においては、Meerwein-Ponndrof-Verley（ＭＰＶ）還元によりサレン配位子の２つのイミノ結合の一方が還元され、引き続き、水で処理することで自己組織化して、チタン二核錯体が生成する。なお、使用するチタンアルコキシドとしては、チタンテトラメトキシド、チタンテトラエトキシド、チタンテトラプロポキシド、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラブトキシド等が挙げられ、これらの中でも、チタンテトライソプロポキシド［Ｔｉ(ＯiＰｒ)4］が好ましい。また、使用するサレン配位子としては、上記式(XVIII)又は式(XVIII')で表される配位子が好ましい。また、チタンアルコキシドの使用量は、上記サレン配位子のモル量に対し、100〜200mol％の範囲が好ましい。また、水の使用量は、上記サレン配位子のモル量に対し、100〜1000mol％の範囲が好ましい。本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法においては、反応系中で上記チタン二核錯体を生成させ、不飽和化合物の酸化剤による不斉エポキシ化反応に用いてもよい。
また、上記式(II)、式(II')、式(IV)及び式(IV')のいずれかで表され、ＭがＴｉＹ2（ここで、Ｙは、μ-ｏｘｏ配位子である）であるチタン二核錯体は、上記式(XVII)、式(XVII')、式(XVIII)及び式(XVIII')のいずれかで表されるサレン配位子を還元して、上記式(XIX)、式(XIX')、式(XX)及び式(XX')のいずれかで表されるサラン配位子を生成させ、該サラン配位子とチタンアルコキシドとを反応させた後、水で処理することで製造することができる。ここで、サレン配位子の還元は、例えば、ＮａＢＨ4等の還元剤を用いて実施することができる。また、使用するチタンアルコキシドとしては、チタンテトラメトキシド、チタンテトラエトキシド、チタンテトラプロポキシド、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラブトキシド等が挙げられ、これらの中でも、チタンテトライソプロポキシド［Ｔｉ(ＯiＰｒ)4］が好ましい。また、使用するサレン配位子としては、上記式(XVII)又は式(XVII')で表される配位子が好ましい。更に、チタンアルコキシドの使用量は、上記サラン配位子のモル量に対し、100〜200mol％の範囲が好ましく、水の使用量は、上記サラン配位子のモル量に対し、100〜1000mol％の範囲が好ましい。本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法においては、反応系中で上記チタン二核錯体を生成させ、不飽和化合物の酸化剤による不斉エポキシ化反応に用いてもよい。
本発明の光学活性なエポキシ化合物の製造方法の原料としては、分子中に炭素−炭素二重結合を有するプロキラルな化合物、即ち、上記式(V)で表される不飽和化合物を用いる。なお、本発明の方法で製造したエポキシ化合物は、原料化合物の炭素−炭素二重結合がエポキシ結合に変換された構造、即ち、上記式(VI)で表される構造を有し、例えば、原料として、上記式(VII)で表される化合物を用いた場合、得られる光学活性なエポキシ化合物は、上記式(XIV)で表され、原料として、上記式(VIII)で表される化合物を用いた場合、得られる光学活性なエポキシ化合物は、上記式(XV)で表され、原料として、上記式(IX)で表される化合物を用いた場合、得られる光学活性なエポキシ化合物は、上記式(XVI)で表される。
上記式(V)及び式(VI)中、Ｒ5及びＲ6は、互いに異なる一価の基又は水素原子である限り特に制限されず、この場合、生成するエポキシ化合物には一対の鏡像異性体が存在するが、本発明の製造方法では、鏡像異性体の一方のみを高い選択率で製造することができる。また、本発明の製造方法では、式(I)の錯体と式(I')の錯体、式(II)の錯体と式(II')の錯体、式(III)の錯体と式(III')の錯体、式(IV)の錯体と式(IV')の錯体との使い分けによって、光学活性なエポキシ化合物の両鏡像異性体を選択的に製造することができる。
上記式(VII)及び式(XIV)中のＲ7は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲノアルキル基、カルボキシ基、ホルミル基、アルカノイル基、アロイル基、ハロゲノアルカノイル基、カルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノスルホニル基、或いはモノ又はジアルキルアミノスルホニル基である。
ここで、上記Ｒ7において、上記保護基で保護されていてもよいアミノ基としては、トシルアミノ基、ベンジルアミノ基、アシルアミノ基、アルコキシアミノ基等が挙げられ、より具体的に、アシルアミノ基としては、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられ、アルコキシアミノ基としては、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ-プロポキシカルボニルアミノ基、ｉ-プロポキシカルボニルアミノ基、ｎ-ブトキシカルボニルアミノ基、ｉ-ブトキシカルボニルアミノ基、sec-ブトキシカルボニルアミノ基、ｔ-ブトキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。また、上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｉ-プロピル基、ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、sec-ブチル基、ｔ-ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。上記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、ｉ-プロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、ｉ-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、ｔ-ブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましい。上記ハロゲノアルキル基としては、トリフルオロメチル基、モノクロロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の炭素数１〜４のハロゲノアルキル基が好ましい。上記アルカノイル基としては、アセチル基、プロピオニル基等の炭素数１〜４のアルカノイル基が好ましい。上記アロイル基としては、ベンゾイル基、ｏ-トルオイル基、ｍ-トルオイル基、ｐ-トルオイル基、ナフトイル基等が挙げられる。上記ハロゲノアルカノイル基としては、トリフルオロアセチル基、モノクロロアセチル基、ペンタフルオロプロピオニル基等の炭素数１〜４のハロゲノアルカノイル基が好ましい。上記アルキルスルフィニル基としては、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｎ-プロピルスルフィニル基、ｉ-プロピルスルフィニル基、ｎ-ブチルスルフィニル基、ｉ-ブチルスルフィニル基、sec-ブチルスルフィニル基、ｔ-ブチルスルフィニル基等の炭素数１〜４のアルキルスルフィニル基が好ましい。上記アリールスルフィニル基としては、ベンゼンスルフィニル基、ｏ-トルエンスルフィニル基、ｍ-トルエンスルフィニル基、ｐ-トルエンスルフィニル基等が挙げられる。上記アルキルスルホニル基としては、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ-プロピルスルホニル基、ｉ-プロピルスルホニル基、ｎ-ブチルスルホニル基、ｉ-ブチルスルホニル基、sec-ブチルスルホニル基、ｔ-ブチルスルホニル基等の炭素数１〜４のアルキルスルホニル基が好ましい。上記アリールスルホニル基としては、ベンゼンスルホニル基、ｏ-トルエンスルホニル基、ｍ-トルエンスルホニル基、ｐ-トルエンスルホニル基等が挙げられる。上記モノ又はジアルキルアミノスルホニル基としては、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、エチルアミノスルホニル基、ジエチルアミノスルホニル基、ｎ-プロピルアミノスルホニル基、ジ-ｎ-プロピルアミノスルホニル基等の炭素数１〜４のモノ又はジアルキルアミノスルホニル基が好ましい。
また、上記式(VII)及び式(XIV)中のＲ8は、水素原子、アルキル基又はアルコキシ基であり、上記式(VII)、式(VIII)、式(IX)、式(XIV)、式(XV)及び式(XVI)中のＲ9は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、或いはハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基で置換された置換フェニル基であり、但し、式(IX)及び式(XVI)中のＲ9は、互いに異なり、式(VII)及び式(XIV)中のＲ8とＲ9とは、互いに結合して上記式(X)、式(XI)、式(XII)及び式(XIII)のいずれかで表される二価の基を形成してもよい。ここで、式(X)、式(XI)、式(XII)及び式(XIII)中、Ｒ10は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基であり、該アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｉ-プロピル基、ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、sec-ブチル基、ｔ-ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
上記Ｒ8において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｉ-プロピル基、ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、sec-ブチル基、ｔ-ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、ｉ-プロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、ｉ-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、ｔ-ブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましい。また、上記Ｒ9において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、ｉ-プロピル基、ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、sec-ブチル基、ｔ-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、ミリスチル基、パルミチル基、ステアリル基、イコシル基、ドコシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、ｉ-プロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、ｉ-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、ｔ-ブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましい。更に、Ｒ9において、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基で置換された置換フェニル基としては、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、トリル基、エチルフェニル基、ｔ-ブチルフェニル基、３,５-ジメチルフェニル基、ｏ-メトキシフェニル基、ｍ-メトキシフェニル基、ｐ-メトキシフェニル基等のハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のアルコキシ基で置換された置換フェニル基が好ましい。
また、上記Ｒ8とＲ9とは、互いに結合して二価の基を形成してもよく、Ｒ8とＲ9とが互いに結合して上記式(X)で表される基を形成した場合、６員環が形成され、かかる化合物としては、ベンゾピラン及びその誘導体等が挙げられる。また、Ｒ8とＲ9とが互いに結合して上記式(XI)で表される基を形成した場合、５員環が形成され、かかる化合物としては、インデン及びその誘導体等が挙げられる。更に、Ｒ8とＲ9とが互いに結合して上記(XII)で表される基を形成した場合、６員環が形成され、かかる化合物としては、１,２-ジヒドロナフタレン及びその誘導体等が挙げられる。また更に、Ｒ8とＲ9とが互いに結合して上記式(XIII)で表される基を形成した場合、７員環が形成され、かかる化合物としては、６,７-ジヒドロ-５Ｈ-ベンゾ-シクロヘプテン及びその誘導体等が挙げられる。
本発明の方法で用いる酸化剤としては、過酸化水素水及び尿素-過酸化水素付加物（ＵＨＰ）が好ましく、過酸化水素水が特に好ましい。ここで、過酸化水素水の濃度は、特に制限されるものではないが、安全性、工業的観点及び入手容易性の点から、市販の約30％濃度のものを用いることが好ましい。また、過酸化水素水は少量づつ滴下してもよく、この場合、触媒の使用量を低減することができる。なお、酸化剤の使用量は、基質の不飽和化合物に対し1〜10当量（eq）の範囲が好ましく、1〜1.2当量（eq）の範囲が更に好ましい。
本発明の製造方法は、一般に有機溶媒中で行う。該有機溶媒としては、非プロトン性の有機溶媒が好ましく、具体的には、ジクロロメタン（ＣＨ2Ｃｌ2）等のハロゲン化炭化水素、トルエン等の芳香族炭化水素、酢酸エチル等のエステル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエーテルが挙げられる。
本発明の製造方法は、特に限定されるものではないが、0〜50℃で実施することが好ましく、室温で実施することが更に好ましい。反応温度が高過ぎても低過ぎても、生成物の鏡像体過剰率が低下してしまう。また、反応時間は特に限定されず、上記反応温度に合わせて適宜選択される。
＜実施例＞
以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
（錯体１の合成例）
下記式(XXV)：
Figure 0004834545

で表される化合物（826.8mg, 1.0mmol）とＴｉ(ＯiＰｒ)4（568.2mg, 2.0mmol）とをジクロロメタン（4.0ml）に溶解させ、該溶液を室温にて3日撹拌した後、水（36mg, 2.0mmol）を加え、更に室温にて2時間撹拌する。生じた黄色沈澱をグラスフィルターでろ取する。ろ取した粗生成物をジクロロメタン／ジエチルエーテルから再結晶することによって、上記式(XXI)で表され、式中のＯ−ＮＨ−Ｎ−Ｏが上記式(XXIV)である(ａＲＳΔ,ａＲＳΔ)-ジ-μ-ｏｘｏチタン二核錯体（錯体１）（343.2mg, 収率39％）を得る。得られた化合物の元素分析結果は、Ｃ：79.65、Ｈ：5.20、Ｎ：3.11であり、Ｃ120Ｈ92Ｎ4Ｏ6Ｔｉ2・１.５Ｈ2Ｏの計算値（Ｃ：79.68、Ｈ：5.29、Ｎ：3.10）とよく一致していた。また、得られた錯体をＸ線構造分析した結果、面内のＣ−Ｎ結合の長さが、1.276Å及び1.265Åであり、面外のＣ−Ｎ結合の長さが、1.492Å及び1.496Åであった。
（錯体２の合成例）
下記式(XXVI)：
Figure 0004834545

で表される化合物（827.0mg, 1.0mmol）とＴｉ(ＯiＰｒ)4（568.2mg, 2.0mmol）とをジクロロメタン（4.0ml）に溶解させ、該溶液を室温にて3日撹拌した後、水（100mg, 5.5mmol）を加え、更に室温にて2時間撹拌する。溶媒を減圧下留去した後、ジクロロメタン／ヘプタンから再結晶することによって、下記式(XXVII)で表され、式中のＯ−ＮＨ−Ｎ−Ｏが下記式(XXVIII)である(ａＲＲΔ,ａＲＲΛ)-ジ-μ-ｏｘｏチタン二核錯体（錯体２）（180.5mg, 収率20％）を得る。得られた化合物の元素分析結果は、Ｃ：79.37、Ｈ：5.35、Ｎ：3.07であり、Ｃ120Ｈ92Ｎ4Ｏ6Ｔｉ2・２Ｈ2Ｏの計算値（Ｃ：79.29、Ｈ：5.32、Ｎ：3.08）とよく一致していた。また、得られた錯体をＸ線構造分析した結果、面内のＣ−Ｎ結合の長さが、1.271Å及び1.266Åであり、面外のＣ−Ｎ結合の長さが、1.490Å及び1.497Åであった。また、ＪＥＯＬ製ＪＭＸ-ＳＸ／ＳＸ １０２Ａスペクトロメーター及びｍ-ニトロベンジルアルコールを用いた高分解能ＦＡＢマススペクトル分析の結果は、ｍ／Ｚ＝1780.6であり、[Ｃ120Ｈ92Ｎ4Ｏ6Ｔｉ2]+の理論値とよく整合していた。
Figure 0004834545
（錯体３の合成例）
下記式(XXIX)で表されるサレン配位子をＮａＢＨ4で還元して、下記式(XXX)で表されるサラン配位子を生成させ、該式(XXX)で表されるサラン配位子（0.86mmol）のジクロロメタン溶液（2.0mL）にＴｉ(ＯiＰｒ)4（1.02mmol）を加え、室温で一晩撹拌した。水を数滴加え、混合液を更に一晩撹拌した。その後、溶媒を減圧下留去した後、ジクロロメタンから再結晶することによって、下記式(XXXI)で表されるジ-μ-ｏｘｏチタン(サラン)錯体（錯体３）（収率65％）を得た。得られた化合物の元素分析結果は、Ｃ：70.21、Ｈ：9.43、Ｎ：4.31であり、Ｃ72Ｈ112Ｎ4Ｏ6Ｔｉ2・０.５Ｈ2Ｏの計算値（Ｃ：70.05、Ｈ：9.23、Ｎ：4.54）とよく一致していた。
Figure 0004834545
（錯体４の合成例）
下記式(XXXII)で表されるサレン配位子をＮａＢＨ4で還元して、下記式(XXXIII)で表されるサラン配位子を生成させ、該式(XXXIII)で表されるサラン配位子（1.20mmol）のジクロロメタン溶液（3.5mL）にＴｉ(ＯiＰｒ)4（1.33mmol）を加え、室温で5時間撹拌した。水を数滴加え、混合液を更に一晩撹拌した。その後、溶媒を減圧下留去した後、ジクロロメタンから再結晶することによって、下記式(XXXIV)で表されるジ-μ-ｏｘｏチタン(サラン)錯体（錯体４）（収率46％）を得た。得られた化合物の赤外スペクトルは、ＩＲ（ＫＢｒ）：3427, 3225, 3055, 2932, 2856, 1587, 1454, 1425cm-1であった。
Figure 0004834545
（実施例１）
上記式(XXI)で表され、式中のＯ−ＮＨ−Ｎ−Ｏが上記式(XXIV)である錯体１（3.6mg, 0.002mmol）をジクロロメタン（2.0ml）に溶解させる。該溶液に基質１（26.0mg, 0.20mmol）と30％過酸化水素水（22.7mg, 0.20mmol）とを連続的に加え、室温（25℃）で12時間撹拌して反応させた。その後、該混合液を減圧下濃縮した後、ペンタン：ジエチルエーテル（40：1）混合液を用いシリカゲルでクロマトグラフ分離して、生成物１を得た。
（実施例２）
上記式(XXI)で表され、式中のＯ−ＮＨ−Ｎ−Ｏが上記式(XXIV)である錯体１（1.2mg, 0.00067mmol）をジクロロメタン（2.0ml）に溶解させる。該溶液に基質１（86.7mg, 0.67mmol）と30％過酸化水素水（76.0mg, 0.67mmol）とを連続的に加え、室温（25℃）で72時間撹拌して反応させた。その後、該混合液を減圧下濃縮した後、ペンタン：ジエチルエーテル（40：1）混合液を用いシリカゲルでクロマトグラフ分離して、生成物１を得た。
（実施例３〜４）
溶媒としてジクロロメタンに代えて、トルエン、酢酸エチルを用いて、実施例１と同様に反応を行った。但し、反応時間を18時間とした。
（実施例５）
溶媒としてジクロロメタンに代えて、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いて、実施例１と同様に反応を行った。但し、反応時間を85時間とした。
（実施例６〜９）
基質１に代えて、基質２、基質３、基質４、基質５を用いて、実施例４と同様に反応を行った。但し、反応時間を24時間とした。
（実施例１０）
上記式(XXVII)で表され、式中のＯ−ＮＨ−Ｎ−Ｏが上記式(XXVIII)である錯体２（5.3mg, 0.003mmol）をジクロロメタン（3.0ml）に溶解させる。該溶液に基質１（39.1mg, 0.30mmol）と尿素-過酸化水素付加物（33.9mg, 0.36mmol）とを連続的に加え、室温（25℃）で24時間撹拌して反応させた。その後、該混合液を減圧下濃縮した後、ペンタン：ジエチルエーテル（40：1）混合液を用いシリカゲルでクロマトグラフ分離して、生成物１（6.1mg, 0.042mmol）を得た。
（実施例１１）
基質１に代えて、基質２を用いて、実施例１０と同様に反応を行った。
以上の結果を表１に示す。なお、生成物の収率は、実施例１〜８については1Ｈ-ＮＭＲ（400MHz）で分析した。その結果、エポキシ化合物以外の生成物は確認されなかった。また、表１中、生成物１の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルセルＯＢ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（99／1）混合液を用い、生成物２の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルパックＡＳ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（99.9／0.1）混合液を用い、生成物３の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルセルＯＤ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（99／1）混合液を用い、生成物４の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルセルＯＤ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（99.9／0.1）混合液を用い、それぞれ高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析した。
Figure 0004834545
Figure 0004834545

表１から明らかなように、サレン配位子の２個のイミノ結合の内の一方を還元して生成したサラレン配位子を有する錯体を触媒として用いることで、種々の不飽和化合物を不斉エポキシ化して、光学活性なエポキシ化合物を製造できることが分る。
（実施例１２）
上記式(XXXI)で表される錯体３（5μmol）及び上記基質１（0.1mmol）をジクロロメタン（1.0ml）に溶解させる。該溶液に30％過酸化水素水（0.12mmol）を加え、室温（25℃）で24時間撹拌して反応させた。その後、溶媒を減圧留去し、残留物をペンタン：ジエチルエーテル（40：1）混合液を用いシリカゲルでクロマトグラフ分離して、生成物１を得た。
（実施例１３）
式(XXXI)で表される錯体３（5μmol）に代えて式(XXXIV)で表される錯体４（5μmol）を用い、反応時間を8時間とする以外は、実施例１２と同様に反応を行った。
（実施例１４）
反応温度を0℃として、反応時間を24時間とする以外は、実施例１３と同様に反応を行った。
（実施例１５）
30％過酸化水素水の使用量を0.15mmolとする以外は、実施例１４と同様に反応を行った。
（実施例１６）
Ｔｉ(ＯiＰｒ)4のジクロロメタン溶液（1.0mL, 10mM）に上記式(XXXIII)で表されるサラン配位子（10μmol）を加え、室温で撹拌した。30分後、水を一滴加え、更に30分間撹拌した。次に、上記基質１（0.1mmol）及び30％過酸化水素水（0.12mmol）を加え、室温（25℃）で6時間撹拌して反応させた。その後、溶媒を減圧留去し、残留物をペンタン：ジエチルエーテル（40：1）混合液を用いシリカゲルでクロマトグラフ分離して、生成物１を得た。
（実施例１７〜２２）
基質１に代えて、基質６、基質２、基質４、基質７、基質８、基質５を用い、反応温度を25℃とする以外は、実施例１５と同様に反応を行った。
以上の結果を表２に示す。なお、生成物の収率は、1Ｈ-ＮＭＲ（400MHz）で分析した。その結果、エポキシ化合物以外の生成物は確認されなかった。また、表２中、生成物１の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルセルＯＢ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（99／1）混合液を用い、生成物６の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルセルＯＢ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（90／10）混合液を用い、生成物２の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルパックＡＳ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（99.9／0.1）混合液を用い、生成物４の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルセルＯＤ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（99.9／0.1）混合液を用い、生成物７の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルセルＯＪ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（99.9／0.1）混合液を用い、生成物８の鏡像体過剰率は、ダイセル・キラルセルＯＢ-Ｈ及びヘキサン／イソプロパノール（99／1）混合液を用い、それぞれ高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析した。また、生成物５の鏡像体過剰率は、キラルシフト試薬Ｅｕ(ｈｆｃ)3を用いて1Ｈ-ＮＭＲで分析した。
Figure 0004834545
Figure 0004834545
表２から明らかなように、サレン配位子の２個のイミノ結合の内の両方を還元して得られるサラン配位子を有する錯体を触媒として用いることで、種々の不飽和化合物を不斉エポキシ化して、光学活性なエポキシ化合物を製造できることが分る。
本発明の製造方法は、分子中に炭素−炭素二重結合を有するプロキラルな不飽和化合物を高エナンチオ選択的にエポキシ化して、光学活性なエポキシ化合物を製造するのに非常に有用である。また、本発明の錯体は、該製造方法の触媒として非常に有用である。更に、本発明の製造方法で得られる光学活性なエポキシ化合物は、高血圧症、喘息症等の治療に有効な光学活性ベンゾピラン化合物を始めとした各種医薬の中間体として有用である。

Claims (21)

  1. 下記式(I)、式(I')、式(II)、式(II')、式(III)、式(III')、式(IV)及び式(IV')：
    Figure 0004834545
    ［式中、Ｒ1は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ2は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ3は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基で、２つのＲ3は、互いに結合して環を形成してもよく；Ｒ4は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基であり；Ｍは、ＴｉＹ2（ここで、Ｙは、Ｃｌ又はアルコキシド、或いはμ-ｏｘｏ配位子である）である］のいずれかで表される錯体（上記式で示された単体及びそれより導かれるｄｉ-μ-ｏｘｏ-二量体）を触媒として使用し、
    下記式(V)：
    Ｒ5−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ6 ・・・ (V)
    ［式中、Ｒ5及びＲ6は、互いに異なる一価の基又は水素原子である］で表される不飽和化合物を酸化剤で不斉エポキシ化することを特徴とする、
    下記式(VI)：
    Figure 0004834545
    ［式中、Ｒ5及びＲ6は、上記と同義である］で表される光学活性なエポキシ化合物の製造方法。
  2. 前記式中の２つのＲ3が互いに結合してテトラメチレン基を形成していることを特徴とする請求項１に記載の光学活性なエポキシ化合物の製造方法。
  3. 前記錯体が上記式(II)、式(II')、式(III)又は式(III')で表されることを特徴とする請求項１に記載の光学活性なエポキシ化合物の製造方法。
  4. 前記式中のＲ1が２-アリール-１-ナフチル基又はフェニル基であることを特徴とする請求項１に記載の光学活性なエポキシ化合物の製造方法。
  5. 前記Ｙがμ-ｏｘｏ配位子であることを特徴とする請求項１に記載の光学活性なエポキシ化合物の製造方法。
  6. 前記式(V)で表される不飽和化合物が、下記式(VII)、式(VIII)及び式(IX)：
    Figure 0004834545
    ［式中、Ｒ7は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ニトロ基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲノアルキル基、カルボキシ基、ホルミル基、アルカノイル基、アロイル基、ハロゲノアルカノイル基、カルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノスルホニル基、或いはモノ又はジアルキルアミノスルホニル基であり；Ｒ8は、水素原子、アルキル基、又はアルコキシ基であり；Ｒ9は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、或いはハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基で置換された置換フェニル基であり、但し、式(IX)中のＲ9は、互いに異なり；式(VII)中のＲ8とＲ9とは、互いに結合して下記式(X)、式(XI)、式(XII)及び式(XIII)：
    Figure 0004834545
    （式中、Ｒ10は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基である）のいずれかで表される二価の基を形成してもよい］のいずれかで表されることを特徴とする請求項１に記載の光学活性なエポキシ化合物の製造方法。
  7. 前記光学活性なエポキシ化合物が、下記式(XIV)、式(XV)及び式(XVI)：
    Figure 0004834545
    ［式中、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は、上記と同義であり、但し、式(XVI)中のＲ9は、互いに異なり、式(XIV)中のＲ8とＲ9とは、互いに結合して上記式(X)、式(XI)、式(XII)及び式(XIII)のいずれかで表される二価の基を形成してもよい］のいずれかで表されることを特徴とする請求項６に記載の光学活性なエポキシ化合物の製造方法。
  8. 前記酸化剤が過酸化水素水又は尿素-過酸化水素付加物（ＵＨＰ）であることを特徴とする請求項１に記載の光学活性なエポキシ化合物の製造方法。
  9. 下記式(I)、式(I')、式(II)、式(II')、式(III)、式(III')、式(IV)及び式(IV')：
    Figure 0004834545
     ［式中、Ｒ 1 は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ 2 は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ 3 は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基で、２つのＲ 3 は、互いに結合して環を形成してもよく；Ｒ 4 は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基であり；Ｍは、ＴｉＹ 2 （ここで、Ｙは、Ｃｌ又はアルコキシド、或いはμ-ｏｘｏ配位子である）である］のいずれかで表される錯体。
  10. 前記式中の２つのＲ3が互いに結合してテトラメチレン基を形成していることを特徴とする請求項９に記載の錯体。
  11. 上記式(II)、式(II')、式(III)又は式(III')で表されることを特徴とする請求項９に記載の錯体。
  12. 前記式中のＲ1が２-アリール-１-ナフチル基又はフェニル基であることを特徴とする請求項９に記載の錯体。
  13. 前記Ｙがμ-ｏｘｏ配位子であることを特徴とする請求項９に記載の錯体。
  14. 下記式(XVII)、式(XVII')、式(XVIII)及び式(XVIII')：
    Figure 0004834545
    ［式中、Ｒ1 は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ2 は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ3 は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基で、２つのＲ 3 は、互いに結合して環を形成してもよく；Ｒ4は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基である］のいずれかで表されるサレン配位子とチタンアルコキシドとを反応させた後、水で処理して、下記式(I)、式(I')、式(III)及び式(III')：
    Figure 0004834545
    のいずれかで表され、Ｒ 1 、Ｒ 2 、Ｒ 3 及びＲ 4 が上記と同義であり、ＭがＴｉＹ2（ここで、Ｙは、μ-ｏｘｏ配位子である）である錯体を生成させることを特徴とする錯体の製造方法。
  15. 前記式中の２つのＲ3が互いに結合してテトラメチレン基を形成していることを特徴とする請求項１４に記載の錯体の製造方法。
  16. 前記サレン配位子が上記式(XVIII)又は式(XVIII')で表され、前記錯体が式(III)又は式(III')で表されることを特徴とする請求項１４に記載の錯体の製造方法。
  17. 前記式中のＲ1が２-アリール-１-ナフチル基であることを特徴とする請求項１４に記載の錯体の製造方法。
  18. 下記式(XVII)、式(XVII')、式(XVIII)及び式(XVIII')：
    Figure 0004834545
     ［式中、Ｒ 1 は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ 2 は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基であり；Ｒ 3 は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基で、２つのＲ 3 は、互いに結合して環を形成してもよく；Ｒ 4 は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基である］のいずれかで表されるサレン配位子を還元して、下記式(XIX)、式(XIX')、式(XX)及び式(XX')：
    Figure 0004834545
    ［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、上記と同義である］のいずれかで表されるサラン配位子を生成させ、該サラン配位子とチタンアルコキシドとを反応させた後、水で処理して、下記式(II)、式(II')、式(IV)及び式(IV')：
    Figure 0004834545
    のいずれかで表され、Ｒ 1 、Ｒ 2 、Ｒ 3 及びＲ 4 が上記と同義であり、ＭがＴｉＹ2（ここで、Ｙは、μ-ｏｘｏ配位子である）である錯体を生成させることを特徴とする錯体の製造方法。
  19. 前記式中の２つのＲ3が互いに結合してテトラメチレン基を形成していることを特徴とする請求項１８に記載の錯体の製造方法。
  20. 前記サレン配位子が上記式(XVII)又は式(XVII')で表され、前記サラン配位子が式(XIX)又は式(XIX')で表され、前記錯体が式(II)又は式(II')で表されることを特徴とする請求項１８に記載の錯体の製造方法。
  21. 前記式中のＲ1がフェニル基であることを特徴とする請求項１８に記載の錯体の製造方法。
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