JP4775092B2 - Heat treatment method for resist coated substrate - Google Patents
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Description
本発明は、レジスト塗布基板の熱処理方法に関する。
The present invention relates to a resist coating heat treatment how the substrate.
フォトレジストを露光する処理後に、現像する処理を行うレジストパターンを形成するフォトプロセス法の技術は、様々な分野で用いられている。 A technique of a photo process method for forming a resist pattern for performing a developing process after a process of exposing a photoresist is used in various fields.
特に電子産業界においては、半導体装置の集積回路を形成したり、液晶パネル装置のパネル画素を形成する際に使用されている。 Particularly in the electronic industry, it is used when forming an integrated circuit of a semiconductor device or forming a panel pixel of a liquid crystal panel device.
近年では、半導体装置産業においては、その集積度が進むにつれ、回路線幅が微細となり、配線密度が増加となり、現像処理での品質管理もいっそう厳しい品質精度を要求されている。 In recent years, in the semiconductor device industry, as the degree of integration has progressed, the circuit line width has become finer, the wiring density has increased, and stricter quality control is required for quality control in development processing.
一方、露光処理後、現像処理の前処理として、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ
Ｂａｋｅ、露光後焼きしめ）と呼ばれる熱処理があり、その処理を経て，現像処理が行われる。
On the other hand, after exposure processing, as pre-processing for development processing, PEB (Post Exposure)
There is a heat treatment called “Bake, post-exposure baking”, and after that processing, development processing is performed.
従来の現像処理においては、露光処理後のレジストの表面に直接に親水性の現像液を噴射する場合、現像液のレジストに対する濡れ性が低いことに起因して、レジスト溶解性の不具合による現像不良を引き起こす恐れがあり、親水性の現像液を付与する量の制御及び方法に問題がある（特許文献１、２参照）。 In conventional development processing, when a hydrophilic developer is sprayed directly onto the resist surface after exposure processing, poor development due to poor resist solubility due to low wettability of the developer to the resist. There is a problem in the control and method of the amount of hydrophilic developer applied (see Patent Documents 1 and 2).
その対策として、界面活性剤を添加した現像液を用いており、その場合には、レジストの断面形状、微小な点欠陥の現像制御が困難となる問題がある（特許文献３参照）。 As a countermeasure, a developer added with a surfactant is used. In this case, there is a problem that it becomes difficult to control the development of the resist cross-sectional shape and minute point defects (see Patent Document 3).
以下に公知文献を記す。
本発明の目的は、現像不良を低減することができる現像処理するためのレジスト塗布基板の熱処理方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a heat treatment how the resist coating a substrate for developing can be reduced development defect.
本発明の請求項１に係る発明は、露光処理後のレジスト塗布基板の加熱処理方法において、レジストを塗布した基板を露光処理した後に、該基板に対し、界面活性剤を含有する雰囲気ガスに曝しながら熱処理を施すことを特徴とするレジスト塗布基板の熱処理方法である。 According to the first aspect of the present invention, in the heat treatment method for a resist-coated substrate after exposure processing, the substrate coated with a resist is exposed to exposure, and then the substrate is exposed to an atmosphere gas containing a surfactant. In this method, the resist-coated substrate is heat-treated.
本発明の請求項２に係る発明は、前記界面活性剤が、アセチレンアルコール系の化合物
であることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布基板の熱処理方法である。
The invention according to claim 2 of the present invention is the method for heat-treating a resist-coated substrate according to claim 1, wherein the surfactant is an acetylene alcohol-based compound.
本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法によれば、簡便にレジスト表面の現像液に対する濡れ性を改善することができ、前記濡れ性の制御は、界面活性剤の濃度の変更で行い、現像処理後のレジストパターンの品質評価結果による濡れ性の最適化も現像工程内で処置することができる。 According to the heat treatment method for a resist-coated substrate of the present invention, the wettability of the resist surface with respect to the developer can be easily improved, and the wettability is controlled by changing the concentration of the surfactant. Optimization of the wettability by the quality evaluation result of the resist pattern can also be dealt with in the development process.
本発明の熱処理方法によれば、加熱冷却部により、チャンバ内で基板の熱処理ができる方法であって、導入及び排気を制御するチャンバ内に界面活性剤の濃度、又は湿度及び圧力を制御した雰囲気ガスを導入し、該界面活性剤を含む雰囲気ガスにレジスト表面を曝すことで、その結果レジスト表面と界面活性剤が接することにより、現像処理時に現像液とレジスト表面との接触角が小さくなり、現像液のレジストに対する濡れ性が向上する効果がある。
Atmosphere According to the heat treatment method of the present invention, the heating and cooling unit, a method capable of heat treatment of the substrate in the chamber, the concentration of the surfactant in the chamber for controlling the introduction and exhaust, or with controlled humidity and pressure By introducing a gas and exposing the resist surface to an atmospheric gas containing the surfactant, as a result, the contact surface between the resist surface and the surfactant reduces the contact angle between the developer and the resist surface during development processing, There is an effect of improving the wettability of the developer to the resist.
本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法を用いることにより、現像処理においての不良のレジストパターンを発生する問題を解消できる効果がある。
By using the resist heat treatment how the coating substrate of the present invention, there is an effect that can solve the problem of generating a failure of a resist pattern in the development process.
本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法を一実施形態に基づいて以下説明する。
The resist heat treatment how the coating substrate of the present invention will be described below with reference to an embodiment.
図１は、本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法で用いる装置の一実施例を説明する部分拡大の概念図である。図１は、外気と遮断されたチャンバと、該チャンバ内で被処理基板を加熱、又は冷却する加熱冷却部と、不活性ガスをバブリングすることにより、気化した界面活性剤を含む気化ガスを発生させる界面活性剤バブリング槽と、気化ガスへ不活性ガスを混合して雰囲気ガスを生成し、その圧力及び界面活性剤の濃度、又は界面活性剤を含む雰囲気ガスの湿度を調整する圧力濃度制御部と、雰囲気ガスを前記チャンバ内へ導入する雰囲気導入管と、チャンバ内から雰囲気ガスを排気する雰囲気排気管とを装備したレジスト塗布基板の熱処理装置１００である。
FIG. 1 is a partially enlarged conceptual diagram for explaining an embodiment of an apparatus used in a heat treatment method for a resist-coated substrate according to the present invention. FIG. 1 shows a chamber that is blocked from outside air, a heating / cooling unit that heats or cools the substrate to be processed in the chamber, and a vaporized gas containing a vaporized surfactant by bubbling an inert gas. A surfactant bubbling tank to be generated, and a pressure concentration control unit for adjusting the pressure and the concentration of the surfactant or the humidity of the atmosphere gas containing the surfactant by generating an atmosphere gas by mixing the inert gas with the vaporized gas And a heat treatment apparatus 100 for a resist-coated substrate equipped with an atmosphere introduction pipe for introducing an atmosphere gas into the chamber and an atmosphere exhaust pipe for exhausting the atmosphere gas from the chamber.
図１に示す熱処理装置１００は、装置中央部に被処理基板を載置して熱処理を施すためのチャンバ１０が配置されている。前記チャンバ１０は、外気と遮断された密閉室である。前記チャンバ１０では、上流側の圧力濃度制御部５０から雰囲気導入管６０が配管されている。前記雰囲気導入管６０を経由して所定の流量の雰囲気ガス６１が供給されている。前記チャンバ１０では、下流側の雰囲気排気管７０が配管されている。前記雰囲気排気管７０を経由して所定の流量の排気ガス７１が排気されている。 A heat treatment apparatus 100 shown in FIG. 1 has a chamber 10 for placing a substrate to be processed and performing a heat treatment at the center of the apparatus. The chamber 10 is a sealed chamber that is blocked from outside air. In the chamber 10, an atmosphere introduction pipe 60 is piped from the upstream pressure concentration control unit 50. An atmospheric gas 61 having a predetermined flow rate is supplied through the atmospheric introduction pipe 60. In the chamber 10, a downstream atmosphere exhaust pipe 70 is provided. A predetermined flow rate of exhaust gas 71 is exhausted through the atmosphere exhaust pipe 70.
次に、以下にチャンバ１０に付設した装置部位を説明する。 Next, the apparatus part attached to the chamber 10 will be described below.
前記加熱冷却部２０は、前記チャンバ内に載置した被処理基板１を加熱、又は冷却する機能を備えている。加熱、又は冷却する目的は、前記ＰＥＢ（露光後焼きしめ）の加熱であり、被処理基板を所定の温度範囲内に保持し、該処理後、被処理基板をプロセス管理温度まで冷却する。加熱冷却部２０は、ＥＢＲ用ホットプレートを備え、被処理基板をホットプレート上に載置して、ホットプレート自体を加熱、又は冷却する方法である。 The heating / cooling unit 20 has a function of heating or cooling the substrate 1 to be processed placed in the chamber. The purpose of heating or cooling is to heat the PEB (post-exposure baking), holding the substrate to be processed within a predetermined temperature range, and cooling the substrate to be processed to the process control temperature after the processing. The heating / cooling unit 20 includes an EBR hot plate, and places the substrate to be processed on the hot plate to heat or cool the hot plate itself.
前記界面活性剤バブリング槽３０は、液体状の界面活性剤に不活性ガスをバブリングすることにより、気化した界面活性剤を発生させる機能を備えている。界面活性剤バブリング槽３０へ装置外の窒素ガス供給装置８０より窒素ガス８１を吹き込み、界面活性剤、又はその水溶液をバブリングさせて、気化した界面活性剤を含む気化ガス４１を気化ガス導入管４０を経由して供給する。装置上では、界面活性剤バブリング槽３０は、上流側に装置外の窒素ガス供給装置８０と配管され、窒素ガスを受給、下流側に装置内の気化ガス導入管４０が配管され、気化した界面活性剤を含む気化ガス４１をチャンバへ供給する。前記界面活性剤を含む気化ガスは、アセチレンアルコール系の化合物の気化ガスと窒素ガスの混合ガスであり、その濃度は、１００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲で、且つ安定した濃度域で供給するように工夫されている。 The surfactant bubbling tank 30 has a function of generating a vaporized surfactant by bubbling an inert gas through a liquid surfactant. Nitrogen gas 81 is blown into the surfactant bubbling tank 30 from a nitrogen gas supply device 80 outside the apparatus to bubble the surfactant or an aqueous solution thereof, and the vaporized gas 41 containing the vaporized surfactant is vaporized gas introduction pipe 40. To supply via. On the apparatus, the surfactant bubbling tank 30 is connected to the nitrogen gas supply device 80 outside the apparatus on the upstream side, receives nitrogen gas, and the vaporized gas introduction pipe 40 in the apparatus is connected to the downstream side to vaporize the interface. A vaporized gas 41 containing an activator is supplied to the chamber. The vaporized gas containing the surfactant is a mixed gas of a vaporized gas of acetylene alcohol-based compound and nitrogen gas, and its concentration ranges from 100 ppm to 1000 ppm and is devised to supply in a stable concentration range. ing.
前記気化ガス導入管４０は、気化した界面活性剤を含む気化ガスを前記チャンバ内へ導入する機能を備えている。気化ガス導入管４０は、界面活性剤を含む気化ガス４１を界面活性剤バブリング槽３０からチャンバへ供給する際、その界面活性剤を含む気化ガスの供給量を制御する、流量計、電磁弁等を具備し、指示された流量を供給する。装置上では、上流側の界面活性剤バブリング槽３０と、下流側の装置内の圧力濃度制御部５０に配管されている。 The vaporized gas introduction pipe 40 has a function of introducing a vaporized gas containing a vaporized surfactant into the chamber. The vaporized gas introduction pipe 40 controls the supply amount of the vaporized gas containing the surfactant when supplying the vaporized gas 41 containing the surfactant from the surfactant bubbling tank 30 to the chamber. And supply the indicated flow rate. On the apparatus, piping is provided to the upstream surfactant bubbling tank 30 and the pressure concentration control unit 50 in the downstream apparatus.
前記圧力濃度制御部５０は、その部内の密閉室内は装置内の気化ガス導入管４０より供給された界面活性剤を含む気化ガス４１に、配管された装置外の窒素ガス供給装置８０からの窒素ガス８１を導入、混合することにより、雰囲気ガスを生成し、該界面活性剤を含む雰囲気ガスの圧力及び界面活性剤の濃度、又はその湿度を調整する機能を備えている。なお、雰囲気ガスを加熱することもある。 The pressure concentration control unit 50 includes a nitrogen gas from a nitrogen gas supply device 80 outside the piped device to a vaporized gas 41 containing a surfactant supplied from a vaporized gas introduction pipe 40 in the device in the sealed chamber in the unit. By introducing and mixing the gas 81, an atmospheric gas is generated, and the pressure of the atmospheric gas containing the surfactant and the concentration of the surfactant or the humidity thereof are provided. Note that the atmospheric gas may be heated.
その結果、圧力濃度制御部５０で所定の雰囲気ガス６１が生成される。装置上では、上流側の気化ガス導入管４０と、装置外の窒素ガス供給装置８０に配管され、下流側の装置内の雰囲気導入管６０に配管されている。雰囲気ガス６１を雰囲気導入管６０へ供給する。前記雰囲気ガス６１は、界面活性剤を含む気化ガスと窒素ガスの混合ガスであり、界面活性剤の濃度は、５０ｐｐｍ〜９００ｐｐｍの範囲で、且つ安定した濃度域で供給するように工夫されている。 As a result, a predetermined atmospheric gas 61 is generated in the pressure concentration control unit 50. On the apparatus, it is connected to the upstream gas supply pipe 40 and the nitrogen gas supply apparatus 80 outside the apparatus, and is connected to the atmosphere introduction pipe 60 inside the apparatus on the downstream side. An atmosphere gas 61 is supplied to the atmosphere introduction pipe 60. The atmosphere gas 61 is a mixed gas of a vaporized gas containing a surfactant and nitrogen gas, and the concentration of the surfactant is designed to be supplied in a stable concentration range in the range of 50 ppm to 900 ppm. .
前記雰囲気導入管６０は、雰囲気ガス６１を前記チャンバ内へ導入する機能を備えている。雰囲気導入管６０は、雰囲気ガス６１を圧力濃度制御部５０からチャンバへ供給する際、その雰囲気ガスの供給量を制御する、流量計、電磁弁等を具備し、指示された流量を
供給する。装置上では、上流側の圧力濃度制御部５０と、下流側の装置内のチャンバ１０に配管されている。
The atmosphere introduction pipe 60 has a function of introducing the atmosphere gas 61 into the chamber. The atmosphere introduction pipe 60 includes a flow meter, a solenoid valve, and the like for controlling the supply amount of the atmospheric gas when supplying the atmospheric gas 61 from the pressure concentration control unit 50 to the chamber, and supplies an instructed flow rate. On the apparatus, it is connected to the upstream pressure concentration control unit 50 and the chamber 10 in the downstream apparatus.
前記雰囲気排気管７０は、チャンバ内から雰囲気ガスを排気する機能を備えている。雰囲気排気管７０は、チャンバ内の界面活性剤を含む雰囲気ガスの排気量を制御する、流量計、電磁弁等を具備し、指示された流量を排気する。装置上では、上流側の装置内のチャンバ１０と、下流側の装置外の排気ガス処理装置９０に配管されている。 The atmosphere exhaust pipe 70 has a function of exhausting the atmosphere gas from the chamber. The atmosphere exhaust pipe 70 includes a flow meter, a solenoid valve, and the like that control the exhaust amount of the atmosphere gas containing the surfactant in the chamber, and exhausts the instructed flow rate. On the apparatus, piping is connected to the chamber 10 in the upstream apparatus and the exhaust gas processing apparatus 90 outside the downstream apparatus.
前記熱処理装置１００は、露光処理後のレジスト塗布基板を熱処理するための熱処理装置であって、該熱処理装置を用いて、本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法に従って、その処理手段のフロー順に熱処理を逐次実行するレジスト塗布基板の熱処理装置である。 The heat treatment apparatus 100 is a heat treatment apparatus for heat-treating the resist coated substrate after the exposure processing, and the heat treatment apparatus is used to perform the heat treatment in the order of the flow of the treatment means in accordance with the heat treatment method for the resist coated substrate of the present invention. This is a heat treatment apparatus for a resist-coated substrate that is sequentially executed.
以下に、本発明のレジスト塗布基板の熱処方法について説明する。 Below, the heat processing method of the resist coating board | substrate of this invention is demonstrated.
通常、フォトプロセス法を用いたレジストパターンを形成する場合、被処理基板のレジスト上に、パターンの描画又は転写による露光処理を実行した後、現像処理してレジストパターンを形成した後、該レジストパターンをマスクにしてエッチング処理する。 Usually, when forming a resist pattern using a photo process method, after performing an exposure process by drawing or transferring a pattern on a resist of a substrate to be processed, a resist pattern is formed by developing, and then the resist pattern Etching is performed using as a mask.
本発明のレジスト塗布基板の熱処方法は、現像処理の前処理とする熱処理であり、露光処理後のレジスト塗布基板に加熱処理する方法である。本発明のレジスト塗布基板の熱処方法では、レジストを塗布した基板を露光処理した後に、該基板に対し、界面活性剤を含有する雰囲気ガスに曝しながら、レジスト表面に界面活性剤を吸着させる処理工程である。 The heat treatment method for the resist-coated substrate of the present invention is a heat treatment as a pretreatment for the development treatment, and is a method for heat-treating the resist-coated substrate after the exposure treatment. In the heat treatment method for a resist-coated substrate according to the present invention, after the resist-coated substrate is subjected to an exposure treatment, the substrate is exposed to an atmospheric gas containing a surfactant and the surfactant is adsorbed on the resist surface. It is a process.
前記界面活性剤は、アセチレンアルコール系の化合物であり、アルコール液、又は水溶液の溶液に窒素ガスをバブリング、又は加熱し、規定の濃度からなる界面活性剤を含むガスを生成し、乾燥した所定の圧力の界面活性剤を含む雰囲気ガスを被処理基板へ噴射し、該雰囲気ガスに曝しながら、レジスト表面に界面活性剤を吸着させる。 The surfactant is an acetylene alcohol-based compound, and nitrogen gas is bubbled or heated in an alcohol solution or an aqueous solution to generate a gas containing a surfactant having a specified concentration, and then dried. An atmosphere gas containing a pressure surfactant is sprayed onto the substrate to be processed, and the surfactant is adsorbed on the resist surface while being exposed to the atmosphere gas.
図２は、レジスト塗布基板の熱処理装置の処理手段のフロー図である。 FIG. 2 is a flowchart of the processing means of the heat treatment apparatus for the resist-coated substrate.
最初に、フローａは、チャンバ１０内の加熱冷却部２０上に、レジスト塗布基板（被処理基板）１を載置する。 First, in flow a, a resist-coated substrate (substrate to be processed) 1 is placed on the heating / cooling unit 20 in the chamber 10.
前記加熱冷却部２０は、被処理基板１を加熱の処理する手順のプログラムを装備し、そのための個別条件、昇温時間を含む加熱温度の設定を行い、その規定の手順に従って加熱を逐次処理し、被処理基板１を加熱する（ａ１参照）。 The heating / cooling unit 20 is equipped with a program for the procedure for heating the substrate 1 to be processed, sets the individual conditions for that, and the heating temperature including the temperature raising time, and sequentially processes the heating according to the prescribed procedure. Then, the substrate 1 to be processed is heated (see a1).
前記加熱冷却部２０は、被処理基板１を冷却の処理する手順のプログラムを装備し、そのための個別条件、冷却温度及びその時間の設定を行い、その規定の手順に従って冷却を逐次処理し、被処理基板１を冷却する（ａ２参照）。 The heating / cooling unit 20 is equipped with a program for the procedure for cooling the substrate 1 to be processed, sets the individual conditions, the cooling temperature and the time for that, and sequentially processes the cooling according to the prescribed procedure, The processing substrate 1 is cooled (see a2).
次いで、フローｂは、界面活性剤バブリング槽３０へ窒素ガス供給装置８０から窒素ガスを吹き込み、アセチレンアルコール系の化合物の溶液をバブリングし、規定の濃度からなる界面活性剤を含む気化ガス４１を生成し、該気化ガス４１が気化ガス導入管４０を経由し、圧力濃度制御部５０へ供給される。 Next, in the flow b, nitrogen gas is blown into the surfactant bubbling tank 30 from the nitrogen gas supply device 80, and a solution of an acetylene alcohol-based compound is bubbled to generate a vaporized gas 41 containing a surfactant having a specified concentration. Then, the vaporized gas 41 is supplied to the pressure concentration control unit 50 via the vaporized gas introduction pipe 40.
界面活性剤バブリング槽３０は、アセチレンアルコール系の化合物の溶液から界面活性剤のガスを生成する役割であり、その溶液の温度の設定、バブリングする窒素ガスの流量の設定を行い、規定の濃度の界面活性剤を含む気化ガス４１を生成する（ｂ１、ｂ２参照
）。
The surfactant bubbling tank 30 has a role of generating a surfactant gas from a solution of an acetylene alcohol-based compound, and sets the temperature of the solution and the flow rate of the nitrogen gas to be bubbled. A vaporized gas 41 containing a surfactant is generated (see b1 and b2).
次いで、フローｃは、前記規定の濃度の界面活性剤を含む気化ガス４１を圧力濃度制御部５０へ供給し、前記気化ガス４１と窒素ガス８１とを混合し、該界面活性剤の濃度を調整した後、圧力及び湿度等を調整して、雰囲気ガスを生成し、該雰囲気ガス６１をチャンバ１０内に供給する。 Next, the flow c supplies the vaporized gas 41 containing the surfactant having the specified concentration to the pressure concentration control unit 50, mixes the vaporized gas 41 and the nitrogen gas 81, and adjusts the concentration of the surfactant. After that, the atmospheric gas is generated by adjusting the pressure and humidity, and the atmospheric gas 61 is supplied into the chamber 10.
圧力濃度制御部５０は、チャンバ１０内に供給する雰囲気ガスを生成する役割であり、雰囲気ガスの界面活性剤の濃度の設定と、該雰囲気ガス６１の圧力及び湿度の設定を行い、所定の雰囲気ガス６１を生成する（ｃ１、ｃ２参照）。 The pressure concentration control unit 50 has a role of generating an atmospheric gas to be supplied into the chamber 10, and sets the concentration of the surfactant in the atmospheric gas and the pressure and humidity of the atmospheric gas 61. Gas 61 is generated (see c1 and c2).
次いで、フローｄは、チャンバ１０へ、雰囲気導入管６０を経由し前記雰囲気ガス６１が十分に供給され、レジスト塗布基板（被処理基板）１の表面が界面活性剤を含有する雰囲気に曝されながら、同時に加熱冷却部２０により、加熱処理後、冷却処理される。チャンバ１０内では、被処理基板に対し、界面活性剤を含有する雰囲気ガスに曝しながら、レジスト表面に界面活性剤を吸着させる処理工程が実行される。 Next, in the flow d, the atmosphere gas 61 is sufficiently supplied to the chamber 10 via the atmosphere introduction tube 60, and the surface of the resist coated substrate (substrate to be processed) 1 is exposed to the atmosphere containing the surfactant. At the same time, the heating and cooling unit 20 performs the cooling process after the heating process. In the chamber 10, a processing step is performed for adsorbing the surfactant on the resist surface while exposing the substrate to be processed to an atmospheric gas containing the surfactant.
チャンバ１０は、被処理基板のレジスト表面に界面活性剤を吸着させる処理工程が実行される役割であり、チャンバ１０内への雰囲気ガス６１の流量の設定、チャンバ１０外への排気ガス７１の流量の設定、及び界面活性剤の雰囲気ガスに曝す時間の設定を行い、レジスト表面に界面活性剤を吸着させる（ｄ１、ｄ２、ｄ３、参照）。 The chamber 10 has a role of executing a processing step of adsorbing a surfactant on the resist surface of the substrate to be processed. And the exposure time to the atmosphere gas of the surfactant are set, and the surfactant is adsorbed on the resist surface (see d1, d2, and d3).
前記界面活性剤を含有する雰囲気ガスに曝されながら、同時に加熱処理後、冷却処理時、並行して、雰囲気排気管７０を経由し排気され、チャンバ１０内は、常時、新鮮な雰囲気ガスを充填するように工夫されている。 While being exposed to the atmosphere gas containing the surfactant, simultaneously after the heat treatment and during the cooling treatment, the chamber 10 is exhausted through the atmosphere exhaust pipe 70 in parallel, and the inside of the chamber 10 is always filled with fresh atmosphere gas. It is devised to do.
次いで、フローｅは、前記雰囲気排気管７０を経由しガスが排気され、排気ガス処理装置９０へ送られて、必要な方法で処理する、例えば、処理水内にバブリングされ、安全に処理されている。 Next, in the flow e, the gas is exhausted through the atmosphere exhaust pipe 70, sent to the exhaust gas treatment device 90, and processed by a necessary method, for example, bubbling in treated water and safely processed. Yes.
１…レジスト塗布基板（被処理基板）
１０…チャンバ
２０…加熱冷却部
３０…界面活性剤バブリング槽
４０…気化ガス導入管
４１…気化ガス
５０…圧力濃度制御部
６０…雰囲気導入管
６１…雰囲気ガス
７０…雰囲気排気管
７１…排気ガス
８０…窒素ガス供給装置
８１…窒素ガス（、不活性ガス）
９０…排気ガス処理装置
１００…レジスト塗布基板の熱処理装置
1 ... Resist coated substrate (substrate to be processed)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Chamber 20 ... Heating / cooling part 30 ... Surfactant bubbling tank 40 ... Vaporized gas introduction pipe 41 ... Vaporized gas 50 ... Pressure concentration control part 60 ... Atmosphere introduction pipe 61 ... Atmosphere gas 70 ... Atmosphere exhaust pipe 71 ... Exhaust gas 80 ... Nitrogen gas supply device 81 ... Nitrogen gas (and inert gas)
90 ... exhaust gas treatment apparatus 100 ... heat treatment apparatus for resist-coated substrate
Claims (2)
The method for heat treatment of a resist-coated substrate according to claim 1, wherein the surfactant is an acetylene alcohol compound.
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