JP4628044B2 - 積層型基板、積層型基板の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の参考例1による積層型基板1を模式的に示した断面図である。
1,101,700 積層型基板
20,200,300,600a 基板
21,201,601 コア基板
22,26,36,208,210,211,213,308,604,605,608,609,513 配線
23,35,206,209,307,606,607,512 ビア配線
25,214 ソルダーボール
30,301 光導波路
31,302,501 クラッド材
32,303,502 コア材
33,304,503 反射部
41,44,401,405 光デバイス
42,402 発光部
45,406 受光部
43,46,403,407,410,413 接続部
47,409 ドライバ
49,412 アンプ
48,50 ワイヤ
22,37,204,205,306,514,611,612 ソルダーレジスト層
34,305 接着層
400 デバイス構造
404,408,411,414 アンダーフィル
505 金属膜
506 開口部
500A 光導波路構造
507,511 ダイシングテープ
508,610 ブレード
509,602,603 絶縁層
510 接着層
500B,500C 上層基板
Claims (13)
- 第1の配線と光導波路とを備えた第1の基板と、
前記第1の配線に接続される第2の配線を備えた、接着層を介して前記第1の基板が設置される第2の基板と、を有する積層型基板であって、
前記光導波路は、クラッド材と、当該クラッド材の内部に形成されたコア材を有し、
前記光導波路の前記接着層と反対側に位置する一の面を除く周囲は、レーザ光の透過率が前記クラッド材よりも低い絶縁層で覆われ、
前記絶縁層は、前記接着層と反対側に位置する一の面が前記光導波路の前記一の面と面一であると共に、前記レーザ光を照射して形成され、内壁面が粗化されたビアホールを有し、
前記第1の配線は、前記光導波路の前記一の面及び前記絶縁層の前記一の面に形成される配線と、前記ビアホール内に前記絶縁層を貫通して形成される配線と、を含み、
前記光導波路の前記一の面及び前記絶縁層の前記一の面に形成される前記配線は、前記光導波路の前記一の面と前記絶縁層の前記一の面に連続して形成されていることを特徴とする積層型基板。 - 前記絶縁層は、接着層上に形成され、
前記第1の配線は、前記絶縁層及び前記接着層を貫通して形成されていることを特徴とする請求項1記載の積層型基板。 - 前記第1の基板は、前記接着層が前記ソルダーレジスト層と接するように、前記第2の基板に搭載され、
前記第1の配線は、前記絶縁層、前記接着層、及び前記ソルダーレジスト層を貫通して形成されていることを特徴とする請求項2記載の積層型基板。 - 前記第1の基板上に設置される光デバイスと前記第1の配線が接続されることを特徴とする請求項1乃至3のうち、いずれか1項記載の積層型基板。
- 前記第2の基板には、前記第2の基板の接続対象と前記第2の配線とを接続可能とする接続部が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のうち、いずれか1項記載の積層型基板。
- 前記第2の基板には、前記第2の配線が多層に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のうち、いずれか1項記載の積層型基板。
- 光導波路を有する上層基板が、配線を有する下層基板の前記配線を覆うソルダーレジスト層上に接着層を介して載置された構造を有する積層型基板の製造方法であって、
クラッド材と当該クラッド材の内部に形成されたコア材を有する前記光導波路の前記接着層と反対側に位置する一の面を除く周囲を、前記クラッド材よりもレーザ光の透過率が低い絶縁層で覆い、前記絶縁層上に接着層を形成することで前記上層基板を形成する上層基板形成工程と、
前記接着層が前記ソルダーレジスト層と接するように、前記上層基板を前記下層基板に載置する載置工程と、
前記絶縁層、前記接着層、及び前記ソルダーレジスト層をレーザ光により一気に貫通させ、前記配線の一部を露出するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
内壁面が粗化された前記ビアホール内に前記配線と電気的に接続される前記絶縁層を貫通する配線を形成すると共に、該貫通する配線と電気的に接続され、前記光導波路の前記一の面と前記光導波路の前記一の面と面一である前記絶縁層の一の面に連続して形成される配線を形成する貫通配線形成工程と、を有することを特徴とする積層型基板の製造方法。 - 前記上層基板形成工程は、
設置層を準備し、複数の前記光導波路を前記設置層上に設置する設置工程と、
前記設置層上に、複数の前記光導波路の周囲を覆うように前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に前記接着層を形成する接着層形成工程と、
複数の前記光導波路、前記絶縁層、及び前記接着層を前記設置層から剥離する剥離工程と、
複数の前記光導波路、前記絶縁層、及び前記接着層を個片化して複数の前記上層基板を形成する上層基板個片化工程と、を有することを特徴とする請求項7記載の積層型基板の製造方法。 - 前記貫通配線は、メッキ法により形成されることを特徴とする請求項7又は8記載の積層型基板の製造方法。
- 前記下層基板には、前記配線が多層に形成されていることを特徴とする請求項7乃至9のうち、いずれか1項記載の積層型基板の製造方法。
- 光デバイスが設置され、当該光デバイスに接続される光導波路と、当該光デバイスに接続されるデバイス配線とを備えた第1の基板と、
前記デバイス配線に接続される基板配線を備え、接着層を介して前記第1の基板が設置される第2の基板と、を有する半導体装置であって、
前記光導波路は、クラッド材と、当該クラッド材の内部に形成されたコア材を有し、
前記光導波路の前記接着層と反対側に位置する一の面を除く周囲は、レーザ光の透過率が前記クラッド材よりも低い絶縁層で覆われ、
前記絶縁層は、前記接着層と反対側に位置する一の面が前記光導波路の前記一の面と面一であると共に、前記レーザ光を照射して形成され、内壁面が粗化されたビアホールを有し、
前記デバイス配線は、前記光導波路の前記一の面及び前記絶縁層の前記一の面に形成される配線と、前記ビアホール内に前記絶縁層を貫通して形成される配線と、を含み、
前記光導波路の前記一の面及び前記絶縁層の前記一の面に形成される前記配線は、前記光導波路の前記一の面と前記絶縁層の前記一の面に連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁層は、接着層上に形成され、
前記デバイス配線は、前記絶縁層及び前記接着層を貫通して形成されていることを特徴とする請求項11記載の半導体装置。 - 前記光デバイスは、フォトダイオード、または、発光レーザのいずれかを含むことを特徴とする請求項11または12記載の半導体装置。
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