JP4513782B2 - メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 - Google Patents

メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 Download PDF

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本発明は、フラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法に係り、特に、フラッシュメモリに対する書き込み処理において、書き込み先の物理ブロックのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する機能を有するメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法に関するものである。
メモリカードやシリコンディスク等の記憶媒体である半導体メモリとして、NAND型フラッシュメモリが多く用いられている。このフラッシュメモリは、複数のメモリセルを有し、各メモリセルが消去状態のとき論理値「1」とされ、書き込み状態のとき論理値「0」とされる。
ところで、これらのメモリセルを消去状態から書き込み状態に変化させる場合には、メモリセル単位で行うことができるが、メモリセルを書き込み状態から消去状態に変化させる場合には、メモリセル単位で行うことができず、所定数のメモリセルからなるブロック単位で一括消去することが行われる(ブロック消去)。
また、所定数のメモリセルからなるブロック(物理ブロック)は、書き込み及び読み出しのアクセス処理単位である複数のページで構成されている。すなわち、小ブロックでは32ページ、大ブロックでは64ページである。また、小ブロックでは、1個のページが1セクタ(512バイト)のユーザ領域と16バイトの冗長領域とによって構成されている。
また、大ブロックでは、1個のページが、4セクタ(2048バイト)のユーザ領域(以下、512バイト単位のユーザ領域をセクタ領域という)と、64バイトの冗長領域とで構成され、ユーザ領域と冗長領域とがそれぞれ4分割して使用される(以下、大ブロックでは、冗長領域を4分割したものを部分冗長領域という)。よって、小ブロックでは1個のページが1個のセクタ領域に対応し、大ブロックでは1個のページが4個のセクタ領域に対応している。
このようなフラッシュメモリに対する書き込み処理を制御するメモリコントローラは、ホストシステムから与えられるコマンド等に従ってって、ホストシステムから与えられるデータをフラッシュメモリに書き込む。ここで、フラッシュメモリにデータを書き込む場合は、物理ブロック内の先頭のページ(セクタ領域)から順番にデータが書き込まれる。従って、物理ブロック内の途中のページ(セクタ領域)までデータが書き込まれている物理ブロックにデータを書き込む場合には、データが書き込まれていないページ(セクタ領域)の先頭を検索し、検出されたページ(セクタ領域)からデータの書き込みが開始される。
また、一連データの書き込み処理を開始するときに、その一連データの書き込み先の物理ブロックに既にデータが存在する場合には、その物理ブロックのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理が行われ、検出されたセクタ領域が一連データの書き込みを開始するセクタ領域より前であれば、その物理ブロックに対して一連データの書き込み処理を開始する。一方、検出されたセクタ領域が一連データの書き込みを開始するセクタ領域より後であれば、別のブロック消去されている物理ブロックに一連データが書き込まれる。つまり、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理は、既にデータが存在する物理ブロックに対して、一連データを書き込むことができるかどうかを判別する。
このようなデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する方法として、例えば特許文献1に示されているようなスタートページ情報を用いた検索方法と一般的に用いられている二分木検索とがある。この二分木検索について、以下、図9を参照して説明する。なお、図9(a)は、第1のインターフェース(chA)を介してアクセスされる物理ブロックと、第2のインターフェース(chB)を介してアクセスされる物理ブロックとを示している。また、第1のインターフェース(chA)を介してアクセスされる物理ブロックと、第2のインターフェース(chB)を介してアクセスされる物理ブロックは、仮想的に結合された仮想ブロックを形成する。以下、第1のインターフェース(chA)を介してアクセスされる物理ブロックを“chAの物理ブロック”と言い、第2のインターフェース(chB)を介してアクセスされる物理ブロックを“chBの物理ブロック”と言う。
この仮想ブロックは、図9(b)に示したようにchAの物理ブロック内のセクタ領域とchBの物理ブロック内のセクタ領域が交互配列された512個のセクタ領域を含んでいる。ここで、SNa#0〜SNa#255はchAの物理ブロック内のセクタ領域に付けられた通番であり(以下、物理セクタ番号と言う)、SNb#0〜SNb#255はchBの物理ブロック内のセクタ領域に付けられた通番である(以下、物理セクタ番号と言う)。
また、SN#0〜SN#511は仮想ブロックに含まれる512個のセクタ領域に付けられた通番である(以下、セクタ番号SNという)。また、以下のデータが書き込まれていないセクタ領域の検索において、検索する範囲の先頭を示す先頭位置情報をスタートポインタXとし、その末尾を示す末尾位置情報をエンドポインタYとしている。
図9(c)は、SN#300のセクタ領域(物理セクタ番号SNa#150)までデータが書き込まれている場合の検索過程を示している。この検索では、まずスタートポインタXに最初のセクタ領域のセクタ番号SN#0に対応する0を設定し、エンドポインタYに最後のセクタ領域のセクタ番号SN#511に1を加えた512を設定する。続いて、スタートポインタXに設定されている値(0)とエンドポインタYに設定されている値(512)の中間点のセクタ番号SNがSN#256のセクタ領域に対応する部分冗長領域に書き込まれている付加情報(セクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断することができる付加情報)を参照し、セクタ番号SNがSN#256のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断する(検索回数:1)。
ここで、データが書き込まれていると判断した場合には、スタートポインタXの設定値を参照したセクタ領域のセクタ番号SNの値に変更する。一方、データが書き込まれていないと判断した場合には、エンドポインタYの設定値を参照したセクタ領域のセクタ番号SNの値に変更する。この例では、セクタ番号SNがSN#256のユーザ領域(物理セクタ番号SNa#128)にデータが書き込まれているので、スタートポインタXの設定値を256に変更する。
次に、スタートポインタXに設定した値(256)とエンドポインタYに設定した値(512)の中間点のセクタ番号SNがSN#384のセクタ領域に対応する部分冗長領域に書き込まれている付加情報(セクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断することができる付加情報)を参照し、セクタ番号SNがSN#384のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断する(検索回数:2)。この例では、セクタ番号SNがSN#384のユーザ領域(物理セクタ番号SNa#192)にデータが書き込まれていないので、エンドポインタYの設定値を384に変更する。
次に、スタートポインタXに設定した値(256)とエンドポインタYに設定した値(384)の中間点のセクタ番号SNがSN#320のセクタ領域に対応する部分冗長領域に書き込まれている付加情報(セクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断することができる付加情報)を参照し、セクタ番号SNがSN#320のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断する(検索回数:3)。この例では、セクタ番号SNがSN#320のユーザ領域(物理セクタ番号SNa#160)にデータが書き込まれていないので、エンドポインタYの設定値を320に変更する。
以下同様に、スタートポインタXに設定した値とエンドポインタYに設定した値の中間点である(X+Y)/2に対応する部分冗長領域に書き込まれている付加情報(セクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断することができる付加情報)の参照と、スタートポインタX又はエンドポインタYの更新を順次行っていき、スタートポインタXに設定した値とエンドポインタYに設定した値の差が1になったときにエンドポインタYに設定した値を、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭のセクタ番号SNであると判断する。
特開2002−196977号公報
ところが、上述した二分木検索を用いた検索処理では、検索回数がセクタ領域の数によって決まってしまい、図9のように、例えばセクタ番号SNがSN#0〜SN#511で示されるセクタ領域が512個(2の9乗個)の場合、9回の検索が必要となる。言い換えれば、セクタ領域の数が2のn乗個の場合には常にn回の検索を行わなければならないという問題があった。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決することができるメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法を提供することを目的とする。
本発明のメモリコントローラは、ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラであって、前記フラッシュメモリにアクセスするための第1のインターフェースと第2のインターフェースとを有するインターフェース手段と、前記第1のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと前記第2のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成し、該仮想ブロックの前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域と前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域とにデータを書き込む書き込み手段と、前記仮想ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持する検索範囲保持手段と、前記先頭位置情報が示す番号Nsに所定の変数Aを加算した番号Naに対応する第1のセクタ領域と前記末尾位置情報が示す番号Neから所定の変数Bを減算した番号Nbに対応する第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記末尾位置情報が示す番号Neを番号Naに変更し、第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記先頭位置情報が示す番号Nsを番号Naに変更するとともに前記末尾位置情報が示す番号Neを番号Nbに変更し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記先頭位置情報が示す番号Nsを番号Nbに変更するセクタ領域検索手段とを備え、前記番号Ns、番号Ne、番号Na及び番号Nbが、番号Neと番号Nsの差が3以上の範囲で、
Ns<Na<Nb<Ne
Na−Ns≦(Ne−Ns)/2
Nb−Na≦(Ne−Ns)/2
Ne−Nb≦(Ne−Ns)/2
を満たし
かつ、前記第1のセクタ領域と前記第2のセクタ領域の一方が前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域に、他方が前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域になるように前記変数A及び変数Bの値が設定されることを特徴とする。
また、前記先頭位置情報が示す番号Nsと前記末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、前記先頭位置情報が示す番号Nsから前記仮想ブロック内のデータが書き込まれているセクタ領域の末尾を判別する第1のセクタ領域判別手段を有するようにすることができる。
また、前記先頭位置情報が示す番号Nsと前記末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、前記末尾位置情報が示す番号Neから前記仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別する第2セクタ領域判別手段を有するようにすることができる。
また、前記変数A及び変数Bの値は、(Ne−Ns)/3又は(Ne−Ns)/4とすることができる。
本発明のフラッシュメモリシステムは、上記のメモリコントローラと、このメモリコントローラによりアクセスが制御されるフラッシュメモリとを備えることを特徴とする。
本発明のフラッシュメモリの制御方法は、ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するフラッシュメモリの制御方法であって、前記フラッシュメモリにアクセスするための第1のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと前記フラッシュメモリにアクセスするための第2のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成し、該仮想ブロックの前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域と前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域とにデータを書き込むステップと、前記仮想ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持するステップと、前記先頭位置情報が示す番号Nsに所定の変数Aを加算をした番号Naに対応する第1のセクタ領域と前記末尾位置情報が示す番号Neから所定の変数Bを減算をした番号Nbに対応する第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記末尾位置情報が示す番号Neを番号Naに変更し、第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記先頭位置情報が示す番号Nsを番号Naに変更するとともに前記末尾位置情報が示す番号Neを番号Nbに変更し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記先頭位置情報が示す番号Nsを番号Nbに変更するステップとを有し、前記番号Ns、番号Ne、番号Na及び番号Nbが、番号Neと番号Nsの差が3以上の範囲で、
Ns<Na<Nb<Ne
Na−Ns≦(Ne−Ns)/2
Nb−Na≦(Ne−Ns)/2
Ne−Nb≦(Ne−Ns)/2
を満たし
かつ、前記第1のセクタ領域と前記第2のセクタ領域の一方が前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域に、他方が前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域になるように前記変数A及び変数Bの値が設定されることを特徴とする。
また、前記先頭位置情報が示す番号Nsと前記末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、前記先頭位置情報が示す番号Nsから前記仮想ブロック内のデータが書き込まれているセクタ領域の末尾を判別するステップを有するようにすることができる。
また、前記先頭位置情報が示す番号Nsと前記末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、前記末尾位置情報が示す番号Neから前記仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別するステップを有するようにすることができる。
また、前記変数A及び変数Bの値は、(Ne−Ns)/3又は(Ne−Ns)/4とすることができる。
以上のように、本発明のメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法では、先頭位置情報が示す番号Nsに所定の変数Aを加算した番号Naに対応する第1のセクタ領域と末尾位置情報が示す番号Neから所定の変数Bを減算した番号Nbに対応する第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを並行して判断し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、末尾位置情報が示す番号Neを番号Naに変更し、第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、先頭位置情報が示す番号Nsを番号Naに変更するとともに末尾位置情報が示す番号Neを番号Nbに変更し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、先頭位置情報が示す番号Nsを番号Nbに変更する。
ここで、前記番号Ns、番号Ne、番号Na及び番号Nbが、番号Neと番号Nsの差が3以上の範囲で、
Ns<Na<Nb<Ne
Na−Ns≦(Ne−Ns)/2
Nb−Na≦(Ne−Ns)/2
Ne−Nb≦(Ne−Ns)/2
を満たすように変数A、変数Bの値を設定すれば、前記先頭位置情報が示す番号Nsと前記末尾位置情報が示す番号Neを更新した後の検索範囲は更新前の1/2以下になる。
また、前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域に偶数のセクタ番号を割り当て、前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域に奇数のセクタ番号を割り当て、番号Naと番号Nbの一方が偶数で他方が奇数になるように変数A、変数Bの値を設定すれば、前記第1のセクタ領域と前記第2のセクタ領域の一方が前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域に、他方が前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域になる。
そして、先頭位置情報が示す番号Nsと末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、先頭位置情報が示す番号Nsから仮想ブロック内のデータが書き込まれているセクタ領域の末尾を判別する。
また、先頭位置情報が示す番号Nsと末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、末尾位置情報が示す番号Neから仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別する。
本発明のメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法によれば、先頭位置情報が示す番号Nsに所定の変数Aを加算した番号Naに対応する第1のセクタ領域と末尾位置情報が示す番号Neから所定の変数Bを減算した番号Nbに対応する第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを並行して判断し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、末尾位置情報が示す番号Neを番号Naに変更し、第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、先頭位置情報が示す番号Nsを番号Naに変更するとともに末尾位置情報が示す番号Neを番号Nbに変更し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、先頭位置情報が示す番号Nsを番号Nbに変更するようにしたので、物理ブロック内でのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する平均的な検索速度を向上させることができる。例えば、仮想的な1ブロック内のセクタ領域の数が2のn乗個の場合、通常の二分木検索であれば、常にn回の検索を行わなければならないが、本発明のメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法によれば、n回以下の検索回数で、検索対象のセクタ領域を検出することができる。
本実施形態では、先頭位置情報が示す番号Nsに所定の変数Aを加算した番号Naに対応する第1のセクタ領域と末尾位置情報が示す番号Neから所定の変数Bを減算した番号Nbに対応する第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを並行して判断し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、末尾位置情報が示す番号Neを番号Naに変更し、第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、先頭位置情報が示す番号Nsを番号Naに変更するとともに末尾位置情報が示す番号Neを番号Nbに変更し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、先頭位置情報が示す番号Nsを番号Nbに変更する処理を繰り返すことで、物理ブロック内でのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索するようにした。
また、変数A、変数B、及び番号Nbと番号Naとの差(Nb−Na)が番号Neと番号Nsとの差の1/2((Ne−Ns)/2)以下であり、変数A、変数B、及び番号Nbと番号Naとの差(Nb−Na)の少なくとも1つが番号Neと番号Nsとの差の1/2((Ne−Ns)/2)より小さく、かつ番号Naと番号Nbの一方が偶数で他方が奇数になるように変数A、変数Bの値が設定される。
これにより、例えば、仮想的な1ブロック内のセクタ領域の数が2のn乗個の場合、通常の二分木検索であれば、常にn回の検索を行わなければならないが、本実施形態では、n回以下の検索回数で物理ブロックのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検出することができる。また、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の一方は前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域になり、他方は前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域になるので、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを並行して判断することができる。
以下、本発明の詳細を図面に基づいて説明する。図1は、本発明のフラッシュメモリシステムの一実施例の概略を説明するためのブロック図である。図1に示すように、フラッシュメモリシステム1は、フラッシュメモリ2と、それを制御するメモリコントローラ3で構成されている。また、フラッシュメモリシステム1は、外部バス13を介してホストシステム4と接続される。
ホストシステム4は、ホストシステム4の全体の動作を制御するためのCPU(Central Processing Unit)と、フラッシュメモリシステム1との情報の授受を担うコンパニオンチップ等とから構成される。ホストシステム4は、例えば文字、音声、あるいは画像情報等の種々の情報を処理するパーソナルコンピュータやデジタルスチルカメラをはじめとする各種情報処理装置であってもよい。
フラッシュメモリ2は、不揮発性メモリであり、レジスタとメモリセルアレイとの間でデータの複写を行って、データの書き込み又は読み出しを行う。
メモリセルアレイは、複数のメモリセル群と、ワード線とを備える。各メモリセル群は、複数のメモリセルが直列に接続されたものである。ワード線は、メモリセル群の特定のメモリセルを選択するためのものである。このワード線を介して選択されたメモリセルとレジスタとの間で、データの複写、すなわち、レジスタから選択されたメモリセルへの複写又は選択されたメモリセルからレジスタへのデータの複写が行われる。つまり、メモリコントローラ3から与えられたデータは、レジスタを介してメモリセルアレイに書き込まれ、メモリセルアレイに記憶されているデータはレジスタを介してメモリコントローラ3に供給される。
メモリセルアレイを構成するメモリセルは、上下にゲートを備えたMOSトランジスタによって構成される。ここで、上側のゲートはコントロールゲート、下側のゲートはフローティングゲートとそれぞれ呼ばれている。フローティングゲートに電荷(電子)を注入若しくはフローティングゲートから電荷(電子)を排出することによって、データの書き込み若しくはデータの消去が行われる。
このフローティングゲートは、周囲が絶縁体で囲まれているので、注入された電子は長期間にわたって保持される。なお、フローティングゲートに電子を注入するときは、コントロールゲートが高電位側となる高電圧がコントロールゲートとフローティングゲートとの間に印加される。また、フローティングゲートから電子を排出するときは、コントロールゲートが低電位側となる高電圧がコントロールゲートとフローティングゲートとの間に印加される。
ここで、フローティングゲートに電子が注入されている状態が書き込み状態であり、論理値「0」に対応する。また、フローティングゲートから電子が排出されている状態が消去状態であり、論理値「1」に対応する。
このようなフラッシュメモリ2のアドレス空間は、“ページ”及び“ブロック(物理ブロック)”で構成されている。ページは、フラッシュメモリ2にて行われるデータ読み出し動作及びデータ書き込み動作における処理単位である。物理ブロックは、フラッシュメモリ2にて行われるデータ消去動作における処理単位であり、複数個のページで構成されている。
ここで、図2は、フラッシュメモリ2のアドレス空間の構造を概略的に示すものであり、1個のページが、4セクタ(2048バイト)のユーザ領域25と、64バイトの冗長領域26とで構成され、1個の物理ブロックは64個のページで構成されている。ここでは、1バイトがビットb0〜b7からなる8ビットである場合を示している。なお、ユーザ領域25を4分割した512バイトの領域をセクタ領域といい、冗長領域26内の各セクタ領域に割り当てられる領域を部分冗長領域と言う。また、このフラッシュメモリ2の物理ブロックは、256個のセクタ領域と各セクタ領域に割り当てられた256個の部分冗長領域とで構成されているとみなすことができる。
また、物理ブロックには、図3(c)に示すように、それぞれに固有の物理ブロックアドレス(PBA)が割り当てられている。さらに、記憶領域を複数のゾーンに分割して管理する場合には、複数個の物理ブロックで物理ゾーンを構成し、各物理ゾーンに固有の物理ゾーン番号(PZN)を割り当てている。各物理ゾーンに含まれる物理ブロックの、各物理ゾーン内での通番を物理ゾーン内ブロック番号(PZIBN)と呼んでいる。
一方、ホストシステム4側のアドレス空間は、図3(a)に示すようにセクタ(512バイト)単位で分割した領域に付けた通番であるLBA(Logical Block Address)で管理されている。ここで、複数個のセクタをまとめたものを論理ブロックと言い、複数個の論理ブロックをまとめたものを論理ゾーンと言う。また、図3(b)に示すように論理ブロックに付けられた通番を論理ブロック番号(LBN)と言い、論理ゾーンに付けられた通番を論理ゾーン番号(LZN)と言う。また、各論理ゾーンに含まれる論理ブロックの、各論理ゾーン内での通番を論理ゾーン内ブロック番号(LZIBN)と言う。
また、各論理ゾーンにはそれぞれ1個の物理ゾーンが割り当てられ、論理ゾーンに含まれる各論理ブロックに対応するデータは、その論理ゾーンに割り当てられた物理ゾーンに含まれる物理ブロックに書き込まれる。従って、1個の論理ブロックに含まれるセクタ数は、1個の物理ブロックに含まれるセクタ領域の個数に応じて設定される。但し、1個の論理ブロックを複数個の物理ブロックに割り当てる場合には、その複数個の物理ブロックを1個の物理ブロックとみなして1個の論理ブロックに含まれるセクタ数を設定する。
図3に示した例では、1個の物理ブロックが256個のセクタ領域で構成されたフラッシュメモリを想定しているため、256セクタが1個の論理ブロックに対応している。従って、LBN#0〜#499の500個の論理ブロックで構成されたLZN#0の論理ゾーンは、LBA#0〜#127999の128000セクタの領域に対応している。
以下同様に、LZN#1の論理ゾーンは、LBA#128000〜#255999の128000セクタの領域に対応し、LZN#2の論理ゾーンは、LBA#256000〜#383999の128000セクタの領域に対応し、LZN#3の論理ゾーンは、LBA#384000〜#511999の128000セクタの領域に対応している。
また、LBN#0〜#499の500個の論理ブロックで構成されたLZN#0の論理ゾーンは、PBA#0〜#511の512個の物理ブロックで構成されたPZN#0の物理ゾーンに割り当てられている。以下同様に、LZN#1の論理ゾーンは、PZN#1の物理ゾーンに割り当てられ、LZN#2の論理ゾーンは、PZN#2の物理ゾーンに割り当てられ、LZN#3の論理ゾーンは、PZN#3の物理ゾーンに割り当てられている。
ここで、物理ゾーンに含まれる物理ブロックの個数を、論理ゾーンに含まれる論理ブロックの個数より多くしているのは、同一の論理ブロックに対応する新データと旧データが別々の物理ブロックに並存する場合や、データを正常に書き込むことができない不良ブロックが発生した場合等を考慮したものである。
また、各物理ブロックには、その物理ブロックに割り当てられた論理ブロックのデータがLBAの順番で書き込まれるので、物理ブロックと論理ブロックとの対応関係を管理することにより、ホストシステム4から与えられるLBAとフラッシュメモリ2内のアクセス領域の対応関係を管理することができる。
なお、物理ブロックと論理ブロックとの対応関係は、データの書き込みや消去が行われる毎に変化する。このため、個々の時点における両者の対応関係を管理するためアドレス変換テーブルが作成され、対応関係が変化する毎にアドレス変換テーブルが更新される。また、論理ゾーンと物理ゾーンとの対応関係は予め設定されており、アドレス変換テーブルは論理ゾーン毎に作成することができる。
このアドレス変換テーブルは、物理ブロックの先頭ページの冗長領域26に書き込まれる論理ブロックを示す情報(以下、論理アドレス情報という)に基づいて作成される。冗長領域26に書き込まれる論理アドレス情報としては、LBN等の論理ブロックを特定する情報が用いられる。なお、論理ゾーンと物理ゾーンとの対応関係は予め設定されている場合は、LZIBNに基づいてアドレス変換テーブルを作成することができるので、LBNよりデータ量の少ないLZIBNを用いることが好ましい。
また、物理ブロックの先頭ページの冗長領域26には、その物理ブロックが不良ブロックであるか否かを示すブロックステータス(フラグ)が書き込まれる。各セクタ領域に対応する部分冗長領域には、それぞれ対応するセクタ領域に書き込まれたユーザデータのエラーコレクションコード(ECC)と、付加情報(セクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断することができる付加情報)とが書き込まれる。
次に、フラッシュメモリ2に対してアクセス処理を行うメモリコントローラ3について説明する。メモリコントローラ3は、フラッシュメモリ2にデータ、アドレス情報、内部コマンド等を供給することにより読み出し処理、書き込み処理、ブロック消去処理等の各処理を行う。
ここで、内部コマンドとは、メモリコントローラ3がフラッシュメモリ2に処理の実行を指示するためのコマンドであり、フラッシュメモリ2はメモリコントローラ3から与えられる内部コマンドに従ってって動作する。一方、ホストシステム4からメモリコントローラ3に与えられるコマンドを外部コマンドと言う。
メモリコントローラ3は、図1に示すように、マイクロプロセッサ6と、ホストインターフェースブロック7と、ワークエリア8と、バッファ9と、フラッシュメモリインターフェースブロック10と、ECC(エラー・コレクション・コード)ブロック11と、ROM(Read Only Memory)12とを備えている。これら機能ブロックによって構成されるメモリコントローラ3は、1つの半導体チップ上に集積される。
マイクロプロセッサ6は、ROM12に記憶されているプログラムに従ってって、メモリコントローラ3の全体の動作を制御する。
また、マイクロプロセッサ6は、ROM12に記憶されているプログラムに基づいてフラッシュメモリインターフェースブロック10等の動作を制御することにより、インターフェース手段と、書き込み手段と、検索範囲保持手段と、セクタ領域検索手段と、第1のセクタ領域判別手段と、第2のセクタ領域判別手段とを実現している。
また、マイクロプロセッサ6は、各種処理等を定義したコマンドセット(以下、シーケンスコマンドという)をROM12から読み出し、このシーケンスコマンドに従ってってフラッシュメモリインターフェースブロック10に処理を実行させる。
ROM12は、不揮発性の記憶素子であり、上記のシーケンスコマンド等を記憶している。ワークエリア8は、フラッシュメモリ2の制御に必要なデータが一時的に格納される作業領域であり、複数のSRAM(Static Random Access Memory)セルによって構成される。上述のアドレス変換テーブルは、このワークエリア8上に作成される。
バッファ9は、フラッシュメモリ2から読み出されたデータ及びフラッシュメモリ2に書き込むべきデータを一時的に蓄積する。すなわち、フラッシュメモリ2から読み出されたデータは、ホストシステム4が受け取り可能な状態となるまでバッファ9に保持され、フラッシュメモリ2に書き込むべきデータは、フラッシュメモリ2が書き込み可能な状態となるまでバッファ9に保持される。
ECCブロック11は、フラッシュメモリ2に書き込むデータに付加されるエラーコレクションコードを生成するとともに、読み出しデータに付加されたエラーコレクションコードに基づいて、読み出したデータに含まれる誤りを検出・訂正する。
ホストインターフェースブロック7は、ホストシステム4との間で、外部バス13を介し、データ、アドレス情報、外部コマンド等の授受を行う。ホストシステム4よりフラッシュメモリシステム1に供給されるデータ等は、ホストインターフェースブロック7を入口としてフラッシュメモリシステム1の内部(例えば、バッファ9)に取り込まれる。また、フラッシュメモリシステム1からホストシステム4に供給されるデータ等は、ホストインターフェースブロック7を出口としてホストシステム4に供給される。
フラッシュメモリインターフェースブロック10は、内部バス14を介して、フラッシュメモリ2とデータ、アドレス情報、ステータス情報、内部コマンド等の授受を行う。
ホストインターフェースブロック7及びフラッシュメモリインターフェースブロック10は、図4に示すような各種レジスタを備える。すなわち、ホストインターフェースブロック7は、コマンドレジスタR1、セクタ数レジスタR2及びLBAレジスタR3等を備えている。また、フラッシュメモリインターフェースブロック10は、物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12、カウンタR13等を備えている。
コマンドレジスタR1、セクタ数レジスタR2及びLBAレジスタR3には、ホストシステム4から与えられる情報が書き込まれる。コマンドレジスタR1には、書き込みコマンド、読み出しコマンド等の外部コマンドが書き込まれる。セクタ数レジスタR2にはアクセス対象領域のセクタ数が書き込まれる。LBAレジスタR3には、アクセス対象領域の先頭のLBAが書き込まれる。
物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12、カウンタR13には、セクタ数レジスタR2及びLBAレジスタR3に書き込まれた情報に基づく、フラッシュメモリ2内のアクセス対象領域を指示する情報が書き込まれる。
例えば、LBAが連続する256セクタの領域を、フラッシュメモリ2(1ブロックが64ページで、1ページが4セクタの場合)の1個の物理ブロックに割り当てた場合、図3で説明したLBAの下位8ビットがセクタ番号SNに対応し、この下位8ビットを除いた上位側のビットが論理ブロック番号(LBN)に対応する。
つまり、LBAが連続する256セクタの領域を1個の論理ブロックとした場合、LBAの下位8ビットが論理ブロック内の各セクタに付けた通番であるセクタ番号SN(0〜255)を示し、このLBAの下位8ビットを除いた上位側のビットが論理ブロック番号(LBN)を示している。なお、LBA、論理ブロック番号(LBN)及びセクタ番号SNのビット数については、フラッシュメモリ2の容量や仕様等に応じて決定される。
次に、物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12、カウンタR13に設定される情報について説明する。セクタ番号レジスタR12には、LBAレジスタR3に書き込まれたLBAのセクタ番号SNに対応する部分が書き込まれる。
ここで、各物理ブロックにはLBAの順番でユーザデータが書き込まれるので、上記のセクタ番号SNは、各物理ブロックに含まれるセクタ領域に付けられた通番に対応する。一方、物理ブロックアドレスレジスタR11には、LBAレジスタR3に書き込まれたLBAの論理ブロック番号(LBN)を示す部分に基づいて特定された論理ブロックと対応する物理ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)又は空きブロックの物理ブロックアドレス(PBA)が書き込まれる。
つまり、特定された論理ブロックに対応する物理ブロックからユーザデータを読み出す場合、又は、その物理ブロックに追加書き込みをする場合には、特定された論理ブロックと対応する物理ブロックの物理ブロックアドレス(PBA)が物理ブロックアドレスレジスタR11に書き込まれる。また、特定された論理ブロックに対応するユーザデータを空きブロックに書き込む場合には、その空きブロックの物理ブロックアドレス(PBA)が物理ブロックアドレスレジスタR11に書き込まれる。カウンタR13には、セクタ数レジスタR2に設定されたセクタ数が書き込まれる。
なお、LBAレジスタR3及びセクタ数レジスタR2に設定された情報に基づいて特定されるアクセス対象領域が複数の論理ブロックに跨っている場合、アクセス対象領域の物理ブロックも複数の物理ブロックに跨っているので、物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12、カウンタR13に対する情報の設定は論理ブロック毎に行い、カウンタR13には各論理ブロックに書き込まれるユーザデータのセクタ数を設定する。
また、フラッシュメモリインターフェースブロック10は、物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12、カウンタR13に設定された値に基づいて、一連の書き込み処理(以下、シーケンス書き込み処理と言う。)や一連の読み出し処理(以下、シーケンス読み出し処理と言う。)を実行する。
シーケンス書き込み処理では、1セクタのデータがバッファ9からフラッシュメモリ2に供給される毎にセクタ番号レジスタR12に設定されている値がインクリメント(1ずつ増加)され、カウンタR13に設定されている値がデクリメント(1ずつ減少)される。カウンタR13に設定されている値が0になったときにシーケンス書き込み処理が終了する。従って、セクタ番号レジスタR12に最初に設定されたセクタ番号のセクタ領域からカウンタR13に最初に設定されたセクタ数分の領域にデータが書き込まれる。
同様に、シーケンス読み出し処理では、1セクタのデータがフラッシュメモリ2からバッファ9に読み出される毎にセクタ番号レジスタR12に設定されている値がインクリメント(1ずつ増加)され、カウンタR13に設定されている値がデクリメント(1ずつ減少)される。カウンタR13に設定されている値が0になったときにシーケンス読み出し処理が終了する。従って、セクタ番号レジスタR12に最初に設定されたセクタ番号のセクタ領域からカウンタR13に最初に設定されたセクタ数分の領域に記憶されているデータが読み出される。
例えば、セクタ番号レジスタR12に「10」を設定し、カウンタR13に「8」を設定してシーケンス書き込み処理を開始した場合、SN#10〜#17のセクタ領域にユーザデータが書き込まれる。
次に、このようなデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理を、図5から図8を用いて説明する。なお、以下に説明する検索処理は、図9(a)、(b)で説明したように、第1のインターフェースを介してアクセスされるchAの物理ブロックと、第2のインターフェースを介してアクセスされるchBの物理ブロックを仮想的に結合した仮想ブロックで行うものとする。また、それぞれの物理ブロックは、1個の物理ブロックが256個のセクタ領域で構成されているとみなすことができる大ブロックの場合とする。
なお、chAの物理ブロックとchBの物理ブロックには交互にデータが書き込まれるので、仮想ブロック内のセクタ領域に付けられたセクタ番号が偶数であれば、そのセクタ領域はchAの物理ブロックに含まれ、仮想ブロック内のセクタ領域に付けられたセクタ番号が奇数であれば、そのセクタ領域はchBの物理ブロックに含まれる。
また、仮想ブロック内の検索範囲を特定する情報として、先頭位置情報(検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す情報)が示す番号Nsと末尾位置情報(検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す情報)が示す番号Neを用いる。第1のセクタ領域は、番号Nsに変数Aを加算した番号Naに対応するセクタ領域であり、第2のセクタ領域は、番号Neから変数Bを減算した番号Nbに対応する第2のセクタ領域である。
また、番号Neと番号Nsの差が3以上の範囲(Ne−Ns≧3の範囲)では、変数Aと変数Bは、以下の条件を満たす範囲内で適宜設定できる。第1の条件は、番号Ns、番号Ne、番号Na、及び番号Nbが、下記条件式(1)〜(4)を満たすように変数A、変数Bを設定しなければならない。
Ns<Na<Nb<Ne (1)
Na−Ns≦(Ne−Ns)/2 (2)
Nb−Na≦(Ne−Ns)/2 (3)
Ne−Nb≦(Ne−Ns)/2 (4)
この条件を満たすようように変数A、変数Bを設定した場合、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理の処理時間を、通常の2分木検索より短くすることができる。つまり、通常の2分木検索の場合は、検索範囲の先頭セクタ領域から末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Ns)は、常に前回の範囲の1/2になるが、上記条件式(1)〜(4)を満たすように変数A、変数Bを設定すれば、検索範囲の先頭セクタ領域から末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Ns)が、前回の範囲の1/2よりも狭くなるときがあるので、通常の2分木検索より検索時間を短縮することができる。
詳細に説明すれば、検索範囲の先頭セクタ領域から末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Ns)は、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かに応じて、検索範囲の先頭セクタ領域から第1のセクタ領域までの範囲(Na−Ns)と、第1のセクタ領域から第2のセクタ領域までの範囲(Nb−Na)と、第2のセクタ領域から検索範囲の末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Nb)のいずれかの範囲に狭まる。
ここで、検索範囲の先頭セクタ領域から第1のセクタ領域までの範囲(Na−Ns)と、第1のセクタ領域から第2のセクタ領域までの範囲(Nb−Na)と、第2のセクタ領域から検索範囲の末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Nb)が全て検索範囲の先頭セクタ領域から末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Ns)の1/2より小さくなるようにすれば、検索範囲の先頭セクタ領域から末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Ns)は、前回の範囲の1/2よりも狭くなる。
また、検索範囲の先頭セクタ領域から第1のセクタ領域までの範囲(Na−Ns)と、第1のセクタ領域から第2のセクタ領域までの範囲(Nb−Na)と、第2のセクタ領域から検索範囲の末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Nb)のいずれか1つの範囲が検索範囲の先頭セクタ領域から末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Ns)の1/2と等しい場合、検索範囲の先頭セクタ領域から末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Ns)が、前回の範囲の1/2より狭くならないときある(前回の範囲の1/2になるときがある)。しかし、この場合、他の2つの範囲は検索範囲の先頭セクタ領域から末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Ns)の1/2より小さくなるので、検索範囲の先頭セクタ領域から末尾セクタ領域までの範囲(Ne−Ns)が、前回の範囲の1/2よりも狭くなるときもある。
第2の条件は、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域のいずれか一方が第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域で、他方が第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域になるように変数A、変数Bを設定しなければならない。
ここで、第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域に偶数のセクタ番号が割り当てられ、第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域に奇数のセクタ番号が割り当てられている場合、番号Naと番号Nbのいずれか一方が偶数で、他方が奇数になるようにすれば第3の条件を満たすことができる。従って、番号Naと番号Nbを求めた後に、番号Naと番号Nbのいずれか一方に1を加算又はいずれか一方から1を減算してこの条件を満たすようにしてもよい。なお、このように番号Naと番号Nbのいずれか一方に1を加算又はいずれか一方から1を減算するのは、実質的に変数A、変数Bの値の変更とみなすことができる。
この条件を満たすように変数A、変数Bを設定すれば、第1のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かと、第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを並行して判断することができる。
次に、図5のフローチャートを参照してデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理の処理手順を説明する。なお、以下の説明では、先頭位置情報(検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す情報)が示す番号Nsを、スタートポインタXと言い、末尾位置情報(検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す情報)が示す番号Neを、エンドポインタYと言う。また、変数Aと変数Bは(Ne−Ns)/4に相当する(Y−X)/4とする。
この検索処理を開始するときは、スタートポインタXとエンドポインタYに初期値を設定する。つまり、スタートポインタXには仮想ブロック内の先頭セクタ領域のセクタ番号である0を設定し、エンドポインタYには、仮想ブロック内の末尾セクタ領域のセクタ番号に1を加算した512を設定する(ステップS1)。
次に、エンドポインタYとスタートポインタXとの差が4より小さいか否かを判断する(ステップS2)。この条件に基づいて、番号Naと番号Nb算出方法が決定される。エンドポインタYとスタートポインタXとの差が4以上の場合(ステップS2:No)、番号Naと番号Nbは下記の式(5)、(6)で算出される(ステップS3)。
Na=X+(Y−X)/4 (5)
Nb=Y−(Y−X)/4 (6)
エンドポインタYとスタートポインタXとの差が4より小さい場合(ステップS2:Yes)、番号Naと番号Nbは下記の式(7)、(8)で算出される(ステップS4)。
Na=X+1 (7)
Nb=Y−1 (8)
つまり、エンドポインタYとスタートポインタXとの差が4より小さい場合は、変数Aと変数Bを1として番号Naと番号Nbが算出される。ここで、変数Aと変数Bを1としたのは、(Y−X)/4の値(小数点以下を切り捨てた値)が0になり、Na=X、Nb=Yとなってしまうことを回避するためである。
ステップS3又はステップS4で算出した番号Naと番号Nbの双方が偶数、又は奇数であるかを判断する(ステップS5)。
番号Naと番号Nbの一方が偶数で他方が奇数の場合(ステップS5:No)、セクタ番号SNがNaの第1のセクタ領域とセクタ番号SNがNbの第2のセクタ領域は、一方が第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域で、他方が第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域になる。従って、番号Naと番号Nbに対する調整行わずにステップS8に進む。
番号Naと番号Nbの双方が偶数、又は奇数の場合(ステップS5:Yes)、番号Naと番号Nbが同じ番号であるか否かを判断する(ステップS6)。番号Naと番号Nbが同じ番号である場合(ステップS6:Yes)、第1のインターフェースと第2のインターフェースの2つのインターフェースでアクセスする必要がないので番号Naと番号Nbに対する調整行わずにステップS8に進む。番号Naと番号Nbが同じ番号でない場合(ステップS6:No)、番号Naに1を加算する調整を行った後(ステップS7)、ステップS8に進む。
次に、第1のインターフェースと第2のインターフェースを介して、セクタ番号SNがNaの第1のセクタ領域とセクタ番号SNがNbの第2のセクタ領域が並行してアクセスされる。なお、ステップS7の番号Naの調整は、この並行処理を可能にするために行われる。従って、番号Naを変更せずに、番号Nbから1を減算する調整を行ってもよい。また、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域に対するアクセスでは、それぞれのセクタ領域に対応する部分冗長領域に書き込まれている付加情報(セクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断することができる付加情報)を参照し、その参照結果に基づいて第1のセクタ領域と第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かが判断される。
第1のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かの判断(ステップS8)と、第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かの判断(ステップS9)の結果に基づいてスタートポインタXとエンドポインタYの双方又はいずれか一方の値が変更される。
第1のセクタ領域にデータが書き込まれていない場合(ステップS8:No)、第1のセクタ領域より後のセクタ領域にはデータは書き込まれていないので、エンドポインタYの値を番号Naの値に変更する(ステップS11)。なお、各セクタ領域にはセクタ番号の順番でデータが書き込まれるため、第1のセクタ領域にデータが書き込まれていない場合、第2のセクタ領域にもデータが書き込まれていない。
第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれている場合(ステップS8:Yes、ステップS9:Yes)、第2のセクタ領域より前のセクタ領域にはデータは書き込まれているので、スタートポインタXの値を番号Nbの値に変更する(ステップS12)。
第1のセクタ領域にデータが書き込まれていて、第2のセクタ領域にデータが書き込まれていない場合(ステップS8:Yes、ステップS9:No)、第1のセクタ領域より前のセクタ領域にはデータは書き込まれているので、スタートポインタXの値を番号Naの値に変更し、第2のセクタ領域より後のセクタ領域にはデータは書き込まれていないので、エンドポインタYの値を番号Nbの値に変更する(ステップS10)。
ステップS10〜12でスタートポインタXとエンドポインタYの双方又はいずれか一方の値を変更した後に、変更後のスタートポインタXとエンドポインタYの差が1であるか否か判断する(ステップS13)。スタートポインタXとエンドポインタYの差が1の場合(ステップS13:Yes)、検索処理を終了する。スタートポインタXとエンドポインタYの差が1でない場合(ステップS13:Yes)、ステップS2に戻る。
つまり、この検索処理はスタートポインタXとエンドポインタYの差が1になるまで繰り返され、スタートポインタXとエンドポインタYの差が1になったときにスタートポインタXに設定されている値が、データが書き込まれているセクタ領域の末尾のセクタ番号SNに一致し、エンドポインタYに設定されている値が、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭のセクタ番号SNに一致する。
次に、仮想ブロック内のセクタ番号SNのSN#300のセクタ領域までデータが書き込まれている場合の検索処理について図6を参照して具体的に説明する。
<検索回数1>
スタートポインタXの初期値0とエンドポインタYの初期値512に基づいてNaの値128(=0+(512−0)/4)とNbの値384(=512−(512−0)/4)を算出し、NaとNbの双方が偶数なのでNaの値を129(=128+1)にする。セクタ番号SNが#129の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#384の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域にデータが有り第2のセクタ領域にデータが無いと判断し、スタートポインタXの値をNaの値129に変更すると共にエンドポインタYの値をNbの値384に変更する。
<検索回数2>
スタートポインタXの値129とエンドポインタYの値384に基づいてNaの値192(=129+(384−129)/4)とNbの値321(=384−(384−129)/4)を算出する。セクタ番号SNが#192の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#321の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域にデータが有り第2のセクタ領域にデータが無いと判断し、スタートポインタXの値をNaの値192に変更すると共にエンドポインタYの値をNbの値321に変更する。
<検索回数3>
スタートポインタXの値192とエンドポインタYの値321に基づいてNaの値224(=192+(321−192)/4)とNbの値289(=321−(321−192)/4)を算出する。セクタ番号SNが#224の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#289の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが有ると判断し、スタートポインタXの値をNbの値289に変更する。
<検索回数4>
スタートポインタXの値289とエンドポインタYの値321に基づいてNaの値297(=289+(321−289)/4)とNbの値313(=321−(321−289)/4)を算出し、NaとNbの双方が奇数なのでNaの値を298(=297+1)にする。セクタ番号SNが#298の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#313の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域にデータが有り第2のセクタ領域にデータが無いと判断し、スタートポインタXの値をNaの値298に変更すると共にエンドポインタYの値をNbの値313に変更する。
<検索回数5>
スタートポインタXの値298とエンドポインタYの値313に基づいてNaの値301(=298+(313−298)/4)とNbの値310(=313−(313−298)/4)を算出する。セクタ番号SNが#301の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#310の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが無いと判断し、エンドポインタYの値をNaの値301に変更する。
<検索回数6>
スタートポインタXの値298とエンドポインタYの値301の差が4より小さいので、スタートポインタXの値298に1を加算したNaの値299とエンドポインタYの値301から1を減算したNbの値300を求める。セクタ番号SNが#299の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#300の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが有ると判断し、スタートポインタXの値をNbの値300に変更する。
ここで、スタートポインタXの値300とエンドポインタYの値301の差が1になったので検索を終了し、データが書き込まれているセクタ領域の末尾のセクタ番号SNが#300であると判断し、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭のセクタ番号SNが#301であると判断する。
次に、仮想ブロック内のセクタ番号SNのSN#305のセクタ領域までデータが書き込まれている場合の検索処理について図7を参照して具体的に説明する。なお、検索回数4までは図6の場合と同じなので検索回数5以降について説明する。
<検索回数5>
スタートポインタXの値298とエンドポインタYの値313に基づいてNaの値301(=298+(313−298)/4)とNbの値310(=313−(313−298)/4)を算出する。セクタ番号SNが#301の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#310の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域にデータが有り第2のセクタ領域にデータが無いと判断し、スタートポインタXの値をNaの値301に変更すると共にエンドポインタYの値をNbの値310に変更する。
<検索回数6>
スタートポインタXの値301とエンドポインタYの値310に基づいてNaの値303(=301+(310−301)/4)とNbの値308(=310−(310−301)/4)を算出する。セクタ番号SNが#303の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#308の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域にデータが有り第2のセクタ領域にデータが無いと判断し、スタートポインタXの値をNaの値303に変更すると共にエンドポインタYの値をNbの値308に変更する。
<検索回数7>
スタートポインタXの値303とエンドポインタYの値308に基づいてNaの値304(=303+(308−303)/4)とNbの値307(=308−(308−303)/4)を算出する。セクタ番号SNが#304の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#307の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域にデータが有り第2のセクタ領域にデータが無いと判断し、スタートポインタXの値をNaの値304に変更すると共にエンドポインタYの値をNbの値307に変更する。
<検索回数8>
スタートポインタXの値304とエンドポインタYの値307の差が4より小さいので、スタートポインタXの値304に1を加算したNaの値305とエンドポインタYの値307から1を減算したNbの値306を求める。セクタ番号SNが#305の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#306の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域にデータが有り第2のセクタ領域にデータが無いと判断し、スタートポインタXの値をNaの値305に変更すると共にエンドポインタYの値をNbの値306に変更する。
ここで、スタートポインタXの値305とエンドポインタYの値306の差が1になったので検索を終了し、データが書き込まれているセクタ領域の末尾のセクタ番号SNが#305であると判断し、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭のセクタ番号SNが#306であると判断する。
次に、仮想ブロック内のセクタ番号SNのSN#309のセクタ領域までデータが書き込まれている場合の検索処理について図8を参照して具体的に説明する。なお、検索回数5までは図7の場合と同じなので検索回数6以降について説明する。
<検索回数6>
スタートポインタXの値301とエンドポインタYの値310に基づいてNaの値303(=301+(310−301)/4)とNbの値308(=310−(310−301)/4)を算出する。セクタ番号SNが#303の第1のセクタ領域に対応する部分冗長領域とセクタ番号SNが#308の第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが有ると判断し、スタートポインタXの値をNbの値308に変更する。
<検索回数7>
スタートポインタXの値308とエンドポインタYの値310の差が4より小さいので、スタートポインタXの値308に1を加算したNaの値309とエンドポインタYの値310から1を減算したNbの値309を求める。ここで、NaとNbの値は同じなので、番号Naの調整は行わずに、セクタ番号SNが#309の第1のセクタ領域及び第2のセクタ領域に対応する部分冗長領域を参照する。参照した結果、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが有ると判断し、スタートポインタXの値をNbの値309に変更する。
ここで、スタートポインタXの値309とエンドポインタYの値310の差が1になったので検索を終了し、データが書き込まれているセクタ領域の末尾のセクタ番号SNが#309であると判断し、データが書き込まれていないセクタ領域の先頭のセクタ番号SNが#310であると判断する。
以上で説明したように、第1のセクタ領域のデータの有無と第2のセクタ領域のデータの有無を並行して判断して、スタートポインタXとエンドポインタYを更新していった場合、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが有ったときはスタートポインタXとエンドポインタYの差が変数Bの値まで狭まり、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが無かったときはスタートポインタXとエンドポインタYの差が変数Aの値まで狭まり、第1のセクタ領域にデータが有り第2のセクタ領域にデータが無かったときはスタートポインタXとエンドポインタYの差が番号Nbと番号Naの差の値まで狭まる。従って、上述の例のように変数Aと変数Bを(Ne−Ns)/4に相当する(Y−X)/4とした場合、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが有ったとき、又は第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが無かったときは、スタートポインタXとエンドポインタYの差が1/4に狭まり、第1のセクタ領域にデータが有り第2のセクタ領域にデータが無かったときはスタートポインタXとエンドポインタYの差が1/2に狭まる。一方、通常の2分木検索ではスタートポインタXとエンドポインタYの差が1/2ずつ狭まっていく。
従って、上述の例では、何番目のセクタ領域までデータが書き込まれているかによって検索回数が変動するが、通常の2分木検索による検索回数以下の回数でデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検出することができる。
なお、上述の例では、変数Aと変数Bを(Ne−Ns)/4に相当する(Y−X)/4としたが、変数Aと変数Bを(Ne−Ns)/3に相当する(Y−X)/3とすれば、スタートポインタXとエンドポインタYの差が1/3ずつ狭まっていく。また、変数Aと変数Bは異なる値であっってもよい。例えば、変数Aを(Ne−Ns)/4に相当する(Y−X)/4とし、変数Bを(Ne−Ns)/2に相当する(Y−X)/2としてもよい。
本発明のフラッシュメモリシステムの一実施例の概略を説明するためのブロック図である。 図1のフラッシュメモリのアドレス空間の構造を概略的に示す図である。 アドレス変換の概要を説明するための図である。 図1のホストインターフェースブロック及びフラッシュメモリインターフェースブロックの詳細を示すブロック図である。 仮想ブロック内でのデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を検索する検索処理を説明するためのフローチャートである。 セクタ番号SNのSN#300までデータが書き込まれている場合の検索処理を説明するための図である。 セクタ番号SNのSN#305までデータが書き込まれている場合の検索処理を説明するための図である。 セクタ番号SNのSN#309までデータが書き込まれている場合の検索処理を説明するための図である。 従来の二分木検索を用いた検索処理を説明するための図である。
符号の説明
1 フラッシュメモリシステム
2 フラッシュメモリ
3 メモリコントローラ
4 ホストシステム
6 マイクロプロセッサ(インターフェース手段、書き込み手段、検索範囲保持手段 、セクタ領域検索手段、第1のセクタ領域判別手段、第2のセクタ領域判別手 段)
7 ホストインターフェースブロック
8 ワークエリア
9 バッファ
10 フラッシュメモリインターフェースブロック
11 ECCブロック
12 ROM
13 外部バス
14 内部バス
25 ユーザ領域
26 冗長領域
R1 コマンドレジスタ
R2 セクタ数レジスタ
R3 LBAレジスタ
R11 物理ブロックアドレスレジスタ
R12 セクタ番号レジスタ
R13 カウンタ

Claims (9)

  1. ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラであって、
    前記フラッシュメモリにアクセスするための第1のインターフェースと第2のインターフェースとを有するインターフェース手段と、
    前記第1のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと前記第2のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成し、該仮想ブロックの前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域と前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域とにデータを書き込む書き込み手段と、
    前記仮想ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持する検索範囲保持手段と、
    前記先頭位置情報が示す番号Nsに所定の変数Aを加算した番号Naに対応する第1のセクタ領域と前記末尾位置情報が示す番号Neから所定の変数Bを減算した番号Nbに対応する第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記末尾位置情報が示す番号Neを番号Naに変更し、第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記先頭位置情報が示す番号Nsを番号Naに変更するとともに前記末尾位置情報が示す番号Neを番号Nbに変更し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記先頭位置情報が示す番号Nsを番号Nbに変更するセクタ領域検索手段とを備え、
    前記番号Ns、番号Ne、番号Na及び番号Nbが、番号Neと番号Nsの差が3以上の範囲で、
    Ns<Na<Nb<Ne
    Na−Ns≦(Ne−Ns)/2
    Nb−Na≦(Ne−Ns)/2
    Ne−Nb≦(Ne−Ns)/2
    を満たし
    かつ、前記第1のセクタ領域と前記第2のセクタ領域の一方が前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域に、他方が前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域になるように前記変数A及び変数Bの値が設定される
    ことを特徴とするメモリコントローラ。
  2. 前記先頭位置情報が示す番号Nsと前記末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、前記先頭位置情報が示す番号Nsから前記仮想ブロック内のデータが書き込まれているセクタ領域の末尾を判別する第1のセクタ領域判別手段を有することを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。
  3. 前記先頭位置情報が示す番号Nsと前記末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、前記末尾位置情報が示す番号Neから前記仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別する第2のセクタ領域判別手段を有することを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。
  4. 前記変数A及び変数Bの値が、(Ne−Ns)/3又は(Ne−Ns)/4であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のメモリコントローラ。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメモリコントローラと、このメモリコントローラによりアクセスが制御されるフラッシュメモリとを備えることを特徴とするフラッシュメモリシステム。
  6. ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するフラッシュメモリの制御方法であって、
    前記フラッシュメモリにアクセスするための第1のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックと前記フラッシュメモリにアクセスするための第2のインターフェースに接続されたフラッシュメモリ内の物理ブロックとを仮想的に結合した仮想ブロックを形成し、該仮想ブロックの前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域と前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域とにデータを書き込むステップと、
    前記仮想ブロック内の検索範囲を特定する情報として、検索範囲の先頭セクタ領域の番号を示す先頭位置情報と検索範囲の末尾セクタ領域の番号を示す末尾位置情報とを保持するステップと、
    前記先頭位置情報が示す番号Nsに所定の変数Aを加算した番号Naに対応する第1のセクタ領域と前記末尾位置情報が示す番号Neから所定の変数Bを減算した番号Nbに対応する第2のセクタ領域にデータが書き込まれているか否かを判断し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていないと判断した場合は、前記末尾位置情報が示す番号Neを番号Naに変更し、第1のセクタ領域だけにデータが書き込まれていると判断した場合は、前記先頭位置情報が示す番号Nsを番号Naに変更するとともに前記末尾位置情報が示す番号Neを番号Nbに変更し、第1のセクタ領域と第2のセクタ領域の双方にデータが書き込まれていると判断した場合は、前記先頭位置情報が示す番号Nsを番号Nbに変更するステップとを有し、
    前記番号Ns、番号Ne、番号Na及び番号Nbが、番号Neと番号Nsの差が3以上の範囲で、
    Ns<Na<Nb<Ne
    Na−Ns≦(Ne−Ns)/2
    Nb−Na≦(Ne−Ns)/2
    Ne−Nb≦(Ne−Ns)/2
    を満たし
    かつ、前記第1のセクタ領域と前記第2のセクタ領域の一方が前記第1のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域に、他方が前記第2のインターフェース側の物理ブロック内のセクタ領域になるように前記変数A及び変数Bの値が設定される
    ことを特徴とするフラッシュメモリの制御方法。
  7. 前記先頭位置情報が示す番号Nsと前記末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、前記先頭位置情報が示す番号Nsから前記仮想ブロック内のデータが書き込まれているセクタ領域の末尾を判別するステップを有することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリの制御方法。
  8. 前記先頭位置情報が示す番号Nsと前記末尾位置情報が示す番号Neとの差が1となったときに、前記末尾位置情報が示す番号Neから前記仮想ブロック内のデータが書き込まれていないセクタ領域の先頭を判別するステップを有することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリの制御方法。
  9. 前記変数A及び変数Bの値が、(Ne−Ns)/3又は(Ne−Ns)/4であることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載のフラッシュメモリの制御方法。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003203007A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Nec Corp 携帯電話機のメモリの不揮発エリア管理方法

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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003203007A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Nec Corp 携帯電話機のメモリの不揮発エリア管理方法

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