JP4459981B2 - 電気器具 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 207
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 66
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 61
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 26
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 9
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 5
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 55
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 52
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 40
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- 230000006870 function Effects 0.000 description 32
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 29
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 12
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 aromatic diamine compound Chemical class 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 3
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 2
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZYKBLSPMPIYKD-UHFFFAOYSA-N 5-(4-phenylphenyl)-1h-1,2,4-triazole Chemical compound C1=NNC(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=N1 FZYKBLSPMPIYKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RXIOWEOEQRQRIX-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)N1N=NC=C1C1=CC=C(C=C1)CC Chemical class C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)N1N=NC=C1C1=CC=C(C=C1)CC RXIOWEOEQRQRIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLDPMRXEXTVNL-UHFFFAOYSA-N [Pt].C12C=CC(=N1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N1)=C2 Chemical compound [Pt].C12C=CC(=N1)C=C1C=CC(=N1)C=C1C=CC(N1)=CC=1C=CC(N1)=C2 DZLDPMRXEXTVNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- GWDUZCIBPDVBJM-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzothiazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)SC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)SC2=CC=CC=C2N1 GWDUZCIBPDVBJM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1 QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
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Description
含む膜(以下、「有機化合物膜」と記す)と、を有する有機発光素子を用いた発
光装置に関する。本発明では特に、従来よりも駆動電圧が低く、なおかつ素子の
寿命が長い有機発光素子を用いた発光装置に関する。なお、本明細書中における
発光装置とは、発光素子として有機発光素子を用いた画像表示デバイスもしくは
発光デバイスを指す。また、有機発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィ
ルム(FPC:Flexible printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding
)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、T
ABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または有機発光
素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュ
ールも全て発光装置に含むものとする。
は、電極間に有機化合物膜を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入さ
れた電子および陽極から注入された正孔が有機化合物膜中で再結合して、励起状
態の分子(以下、「分子励起子」と記す)を形成し、その分子励起子が基底状態
に戻る際にエネルギーを放出して発光すると言われている。
重項励起状態が可能であると考えられるが、本明細書中ではどちらの励起状態が
発光に寄与する場合も含むこととする。
薄膜で形成される。また、有機発光素子は、有機化合物膜そのものが光を放出す
る自発光型の素子であるため、従来の液晶ディスプレイに用いられているような
バックライトも必要ない。したがって、有機発光素子は極めて薄型軽量に作製で
きることが大きな利点である。
ら再結合に至るまでの時間は、有機化合物膜のキャリア移動度を考えると数十ナ
ノ秒程度であり、キャリアの再結合から発光までの過程を含めてもマイクロ秒以
内のオーダーで発光に至る。したがって、非常に応答速度が速いことも特長の一
つである。
駆動が可能であり、ノイズが生じにくい。駆動電圧に関しては、まず有機化合物
膜の厚みを100nm程度の均一な超薄膜とし、また、有機化合物膜に対するキャリ
ア注入障壁を小さくするような電極材料を選択し、さらにはヘテロ構造(二層構
造)を導入することによって、5.5Vで100cd/m2の十分な輝度が達成された(文献
1:C. W. Tang and S. A. VanSlyke, "Organic electroluminescent diodes",
Applied Physics Letters, vol. 51, No.12, 913-915 (1987))。
素子は次世代のフラットパネルディスプレイ素子として注目されている。また、
自発光型であり視野角が広いことから、視認性も比較的良好であり、携帯機器の
表示画面に用いる素子として有効と考えられている。
化合物膜に対するキャリア注入障壁を小さくする方法として、仕事関数が低い上
に比較的安定なMg:Ag合金を陰極に用い、電子の注入性を高めている。このこと
により、有機化合物膜に大量のキャリアを注入することを可能としている。
ス(8−キノリノラト)−アルミニウム(以下、「Alq3」と記す)からなる電子
輸送性発光層とを積層するという、シングルヘテロ構造を適用することにより、
キャリアの再結合効率を飛躍的に向上させている。このことは、以下のように説
明される。
あるため、陰極から注入された電子のほとんどは正孔と再結合せずに陽極に達し
てしまい、発光の効率は極めて悪い。すなわち、単層の有機発光素子を効率よく
発光させる(あるいは低電圧で駆動する)ためには、電子および正孔の両方をバ
ランスよく輸送できる材料(以下、「バイポーラー材料」と記す)を用いる必要
があり、Alq3はその条件を満たしていない。
た電子は正孔輸送層と電子輸送性発光層との界面でブロックされ、電子輸送性発
光層中へ閉じこめられる。したがって、キャリアの再結合が効率よく電子輸送性
発光層で行われ、効率のよい発光に至るのである。
結合領域を制御することも容易となる。その例として、正孔をブロックできる層
(正孔ブロッキング層)を正孔輸送層と電子輸送層との間に挿入することにより
、正孔を正孔輸送層内に閉じこめ、正孔輸送層の方を発光させることに成功した
報告がある。(文献2:Yasunori KIJIMA, Nobutoshi ASAI and Shin-ichiro TA
MURA, "A Blue Organic Light Emitting Diode", Japanese Journal of Applied
Physics, Vol. 38, 5274-5277(1999))。
、電子の輸送および発光は電子輸送性発光層が行うという、機能分離が行われて
いると言える。この機能分離の概念はさらに、正孔輸送層と電子輸送層の間に発
光層を挟むというダブルへテロ構造(三層構造)の構想へと発展した(文献3:
Chihaya ADACHI, Shizuo TOKITO, Tetsuo TSUTSUI and Shogo SAITO, "Electrol
uminescence in Organic Films with Three-Layered Structure", Japanese Jou
rnal of Applied Physics, Vol. 27, No. 2, L269-L271(1988))。
材料に様々な機能(発光性、キャリア輸送性、電極からのキャリア注入性など)
を同時に持たせる必要がなくなり、分子設計等に幅広い自由度を持たせることが
できる点にある(例えば、無理にバイポーラー材料を探索する必要がなくなる)
。つまり、発光特性のいい材料、キャリア輸送性が優れる材料などを、各々組み
合わせることで、容易に高発光効率が達成できるということである。
ング機能あるいは機能分離)自体は、現在に至るまで広く利用されている。
各層間に界面(以下、「有機界面」と記す)を生じることになる。有機界面を形
成することに起因する問題点として、以下に述べるような二つの問題点が提起さ
れる。
実際、現在の有機発光素子において、駆動電圧に関しては共役ポリマーを用いた
単層構造の素子の方が優れており、パワー効率(単位:[lm/W])でのトップデー
タを保持していると報告されている(文献4:筒井哲夫、「応用物理学会有機分
子・バイオエレクトロニクス分科会会誌」、Vol. 11、No. 1、P.8(2000))(
ただし文献4では、一重項励起状態からの発光を比較しており、三重項励起状態
からの発光は除いている)。
リアの再結合効率に関しては積層構造と同等なレベルが達成できる。したがって
、バイポーラー材料を用いるなどの方法で、積層構造を用いることなくキャリア
の再結合効率さえ同等にできるのであれば、有機界面の少ない単層構造の方が実
際は駆動電圧が低くなるのである。このことは、有機界面においてキャリアの移
動が妨げられていることを、結果的に示唆している。
命(素子劣化)に対する影響が考えられる。すなわち、有機界面においてキャリ
アの移動が妨げられ、チャージが蓄積することによる輝度の低下である。
輸送層との間に正孔注入層を挿入し、さらにdc駆動ではなく矩形波のac駆動にす
ることによって、輝度の低下を抑えることができるという報告がある(文献5:
S. A. VanSlyke, C. H. Chen, and C. W. Tang, "Organic electroluminescent
devices with improved stability", Applied Physics Letters, Vol. 69, No.
15, 2160-2162(1996))。このことは、正孔注入層の挿入およびac駆動によって
、チャージの蓄積を排除することにより、輝度の低下を抑えることができたとい
う実験的な裏付けと言える。
(キャリアのブロッキング機能)、なおかつ材料の選択幅を広くできる(機能分
離)というメリットを持つ一方で、有機界面、特にキャリアをブロッキングする
界面を作り出すことによって、キャリアの移動を妨げ、駆動電圧や輝度の低下に
影響を及ぼしていると言える。
することにより、有機化合物膜中に存在する有機界面を排除してキャリアの移動
性を高めると同時に、積層構造の機能分離と同様に各種複数の材料の機能は発現
させる(以下、「機能発現」と記す)ことを課題とする。それにより、従来より
も駆動電圧が低い上に素子の寿命が長い有機発光素子を提供することを課題とす
る。
く、なおかつ寿命の長い発光装置を提供することを課題とする。さらに、前記発
光装置を用いて電気器具を作製することにより、従来よりも低消費電力で、なお
かつ長保ちする電気器具を提供することを課題とする。
以下に述べるような二つの機構を考えた。
る。有機発光素子における有機化合物膜は通常、アモルファス状態の膜であり、
これは有機化合物の分子同士が、双極子相互作用を主とした分子間力で凝集する
ことにより形成されている。ところが、このような分子の凝集体を用いてヘテロ
構造を形成すると、分子のサイズや形状の違いがヘテロ構造の界面(すなわち有
機界面)に大きな影響を及ぼす可能性がある。
その有機界面における接合の整合性が悪くなると考えられる。その概念図を図1
に示す。図1では、小さい分子101からなる第一の層111と、大きい分子102から
なる第二の層112を積層している。この場合、形成される有機界面113において、
整合性の悪い領域114が発生してしまう。
いはエネルギー障壁)となる可能性があるため、駆動電圧のさらなる低減へ向け
ての障害になることが示唆される。また、エネルギー障壁を越えられないキャリ
アはチャージとして蓄積してしまい、先に述べたような輝度の低下を誘起してし
まう可能性がある。
工程から生じるものが考えられる。積層構造の有機発光素子は、各層を形成する
際のコンタミネーションを避けるため、通常、図2に示すようなマルチチャンバ
ー方式(インライン方式)の蒸着装置を用いて作製する。
ロ構造)を形成するための蒸着装置の概念図である。まず、搬入室に陽極(イン
ジウム錫酸化物(以下、「ITO」と記す)など)を有する基板を搬入し、まず紫
外線照射室において真空雰囲気中で紫外線を照射することにより、陽極表面をク
リーニングする。特に陽極がITOのような酸化物である場合、前処理室にて酸化
処理を行う。さらに、積層構造の各層を形成するため、蒸着室201で正孔輸送層
を、蒸着室202〜204で発光層(図2では、赤、緑、青の三色)を、蒸着室205で
電子輸送層を成膜し、蒸着室206で陰極を蒸着する。最後に、封止室にて封止を
行い、搬出室から取り出して有機発光素子を得る。
れ異なる蒸着室201〜205において蒸着していることである。つまり、各層の材料
がほとんど互いに混入しないような装置構成となっている。
るものの、極微量の気体成分(酸素や水など)は存在している。そして、この程
度の真空度の場合、それら極微量の気体成分でも、数秒もあれば容易に単分子レ
イヤー程度の吸着層を形成してしまうと言われている。
合、各層を形成する間に大きなインターバルが生じてしまうことが問題なのであ
る。つまり、各層を形成する間のインターバル、特に第二搬送室を経由して搬送
する際などに、極微量の気体成分による吸着層(以下、「不純物層」と記す)を
形成してしまう懸念がある。
と、第二の有機化合物302からなる第二の層312とを積層する際に、その層間に微
量の不純物303(水や酸素など)からなる不純物層313が形成されている様子であ
る。
有機発光素子の完成後、キャリアをトラップする不純物領域となってキャリアの
移動を妨げるため、やはり駆動電圧を上昇させてしまう。さらに、キャリアをト
ラップする不純物領域が存在すると、そこにはチャージが蓄積することになるた
め、先に述べたような輝度の低下を誘起してしまう可能性がある。
有機界面のモルフォロジー悪化および不純物層の形成)を克服するためには、素
子構造・作製工程共に、従来の積層構造素子から脱する必要がある。例えば、有
機界面を完全に排除した有機発光素子の例として、正孔輸送材料と電子輸送材料
とを混合しただけの単層(以下、「混合単層」と記す)のみを、両電極間に設け
た有機発光素子の報告がある(文献6:Shigeki NAKA, Kazuhisa SHINNO, Hiroy
uki OKADA, Hiroshi ONNAGAWA and Kazuo MIYASHITA, "Organic Electrolumines
cent Devices Using a Mixed Single Layer", Japanese Journal of Applied Ph
ysics, Vol. 33, No. 12B, L1772-L1774(1994))。
−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(以下、「TPD」と記す)と、電子輸送性
であるAlq3とを、1:4の割合で混合することによって単層構造を形成している
。しかしながら、積層構造(すなわち、TPDおよびAlq3からなる有機界面を形成
するヘテロ構造)との比較をすると、発光効率の点では積層構造に比べて劣って
いることが示されている。発光材料をドープすることにより大幅に改善されるも
のの、それでもやはり、発光材料をドープした積層構造に比べると多少劣ってい
る。
入された電子が、再結合することなくそのまま対極へ抜けてしまうことが多くな
るためと考えられる。積層構造はキャリアのブロッキング機能があるため、その
ような問題は生じていない。
原因と言い換えることができる。すなわち、有機化合物膜内において、陽極に近
い領域は正孔輸送という機能を示し、陰極に近い領域は電子輸送という機能を示
し、両電極から離れた部分に発光領域(すなわちキャリアが再結合する領域)を
設けるという、各機能を発現できる領域を設けなければ、たとえ有機界面をなく
したとしても効率のよい発光には至らないのである。
異なり機能発現が可能な有機発光素子を実現する手法を考案した。その概念図を
図4に示す。なお、ここでは基板401上に陽極402を設けてあるが、陰極404の方
を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。
おいて、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域405、電子輸送材料からなる電子輸
送領域409、および正孔輸送材料と電子輸送材料とが一定の比率(以下、「x:
y」と記す)にて混合された混合領域407、を設けており、混合領域407には、発
光を呈する発光材料410を添加することにより発光領域を形成してある。
送領域409との間には、第一の濃度変化領域406および第二の濃度変化領域408を
形成している。これらの濃度変化領域においては、混合領域におけるx:yの比
率に徐々に近づけるために、濃度勾配が形成されている。その濃度プロファイル
の概略図を図5に示す。
送し、一方陰極側では電子輸送材料が電子を受け取り輸送することができる。ま
た、濃度変化領域406および408においては、急激な濃度変化(最も極端な例は従
来のヘテロ構造であり、濃度は0%から100%、あるいは100%から0%に
変化すると言える)を避けるように、なだらかな濃度勾配が形成されているため
、キャリアに対するエネルギー障壁をほぼ解消することができる。
壁に遮られることなく、混合領域407まで潤滑に輸送される。このことが、濃度
変化領域406および408の重要な役割である。さらに、混合領域407はバイポーラ
ー性であるため、正孔および電子は双方とも混合領域407を移動することが可能
となる。
されていることである。つまり、発光材料410を混合領域407に添加することで、
混合領域内をキャリアが再結合せずに素通りしてしまうことを防ぐと同時に、発
光領域を電極から遠ざけ、電極による消光(以下、「クエンチ」と記す)をも防
止しているのである。いわば、文献6の混合単層とは異なり、各機能(キャリア
輸送および発光)を発現できるそれぞれの領域が、有機化合物膜403内に存在し
ているのである。
ない。したがって、上述の有機界面で生じる問題点(有機界面のモルフォロジー
悪化および不純物層の形成)を解決することができる。
。図6は、小さい分子601からなる領域611と、大きい分子602からなる領域612と
、小さい分子601および大きい分子602の両方を含む混合領域613と、からなる有
機化合物膜の断面である。ただしここでは、図の便宜上、濃度変化領域は省略し
た。図6から明らかなように、図1で存在していたような有機界面113は存在せ
ず、整合性の悪い領域114も存在しない。
有機発光素子を作製する場合、陽極上に正孔輸送材料を蒸着し、途中からそれに
加えて電子輸送材料を共蒸着の形で蒸着することで混合領域を形成し、混合領域
を形成後は正孔輸送材料の蒸着を止めることで電子輸送材料を蒸着すればよい。
したがって、図2のような蒸着装置を用いて有機発光素子を作製する際に生じる
、インターバルが存在しない。つまり、不純物層を形成する隙を与えることがな
いのである。
ャリアの移動が潤滑であり、駆動電圧および素子の寿命に悪影響を及ぼすことが
なくなる。さらに、積層構造と同様に機能分離されているため、発光効率の点で
も問題はない。
のに対し、本発明の構造はいわば混合接合(mixed-junction)であり、新しい概
念に基づく有機発光素子であると言える。
含む有機化合物膜と、からなる有機発光素子を有する発光装置において、前記有
機化合物膜は、前記陽極から前記陰極への方向に関して順次、前記正孔輸送材料
からなる正孔輸送領域と、前記正孔輸送材料と前記電子輸送材料との比率がx:
y(ただし、xおよびyは正の定数)になるまで前記電子輸送材料の割合が徐々
に増加する第一の濃度変化領域と、前記x:yの比率にて前記正孔輸送材料およ
び前記電子輸送材料を含む混合領域と、前記x:yの比率よりもさらに前記電子
輸送材料の割合が徐々に増加する第二の濃度変化領域と、前記電子輸送材料から
なる電子輸送領域と、が接続された構造であり、かつ、前記混合領域内に、発光
を呈する発光材料が添加された発光領域を設けたことを特徴とする(請求項1)
。
軌道(HOMO)と最低空分子軌道(LUMO)とのエネルギー差(以下、「励起エネル
ギーレベル」と記す)が小さいことが好ましい。これは、発光材料の分子励起子
のエネルギー移動を防ぐためである。
料(以下、「正孔注入材料」と記す)からなる正孔注入領域を挿入してもよい(
請求項2)。また、陰極と有機化合物膜との間に、電子の注入性を高める材料(
以下、「電子注入材料」と記す)からなる電子注入領域を挿入してもよい(請求
項3)。さらに、正孔注入領域と電子注入領域の両方を組み込んでもよい(請求
項4)。
ャリア注入障壁を小さくするための材料であるため、電極から有機化合物膜への
キャリアの移動を潤滑にし、チャージの蓄積を排除できる効果がある。ただし、
先に述べたような不純物層の形成を避ける観点から、各注入材料と有機化合物膜
との間は、インターバルをおかずに成膜することが好ましい。
まってくる(バイポーラー性になればなるほど、ほぼ中央になる)。したがって
、発光材料を混合領域内の全域に添加してもよい(図7(a))が、一部に添加し
てもよい(図7(b))(請求項5)。
添加する構造も本発明に含むこととする(請求項6)。なお、ここでは基板401
上に陽極402を設けてあるが、陰極404の方を基板上に設ける逆の構造をとっても
よい。また、正孔注入領域や電子注入領域を、電極と有機化合物膜との間に設け
ていてもよい。
領域407に含まれる材料の中で最も大きく、キャリアをブロックする機能ないし
は分子励起子の拡散を防ぐ機能を有する材料のことである。ブロッキング材料41
1を混合領域407に添加すると、混合領域407におけるキャリアの再結合率が向上
し、分子励起子の拡散も防げるため、高い発光効率が期待できる。ただし、ブロ
ッキング材料は、正孔ないしは電子の片方をブロックする機能を有する場合が多
いため、混合領域内全域に添加してしまうと、混合領域内のキャリアバランスを
崩すこともある。したがって、ブロッキング材料を添加する領域は、混合領域内
の全域ではなく、一部とする。
グできる材料が有効である。したがって図8(b)に示すように、発光材料410を添
加している領域よりも陰極側にブロッキング材料411を添加する手法が有用であ
る(請求項7)。
放出されるエネルギー(以下、「三重項励起エネルギー」と記す)を発光に変換
できる有機発光素子が、その高い発光効率ゆえに注目されている(文献7:D. F
. O'Brien, M. A. Baldo, M. E. Thompson and S. R. Forrest, "Improved ener
gy transfer in electrophosphorescent devices", Applied Physics Letters,
vol. 74, No. 3, 442-444 (1999))(文献8:Tetsuo TSUTSUI, Moon-Jae YANG,
Masayuki YAHIRO, Kenji NAKAMURA, Teruichi WATANABE, Taishi TSUJI, Yoshi
nori FUKUDA, Takeo WAKIMOTO and Satoshi MIYAGUCHI, "High Quantum Efficie
ncy in Organic Light-Emitting Devices with Iridium-Complex as a Triplet
Emissive Center", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 38, L1502-L1
504 (1999))。
属とする金属錯体を用いている。これらの三重項励起エネルギーを発光に変換で
きる有機発光素子(以下、「三重項発光素子」と記す)は、従来よりも高輝度発
光・高発光効率を達成することができる。
の輝度の半減期は170時間程度であり、素子寿命に問題がある。三重項発光素子
は、発光材料に対する適切なホスト材料を用いた発光層、および分子励起子の拡
散を防ぐブロッキング材料を単独で用いるブロッキング層が必要であるため、多
層構造になっており、有機界面が多数生じてしまうことが素子寿命の短い原因と
考えられる。
の発光による高輝度発光・高発光効率に加え、素子の寿命も長いという非常に高
機能な発光素子が可能となる(請求項8)。なお、三重項の分子励起子は、拡散
長が一重項の分子励起子に比べて大きいため、ブロッキング材料が混合領域に含
まれていることが好ましい。
て、正孔輸送材料と電子輸送材料との合計質量に対する正孔輸送材料の質量の百
分率は、10パーセント以上90パーセント以下であることが好ましい(請求項
9)。ただし、この比率は材料の組み合わせによって大きく変動すると考えられ
る。
を含んでいるため、キャリアが素通りしないようある程度の厚みが必要となる。
したがって混合領域は、10nm以上の厚みがあることが望ましい(請求項10)。
ることができる。さらに、そのような発光装置を光源もしくは表示部に用いるこ
とで、明るく消費電力が少ない上に、長保ちする電気器具を得ることができる。
、発光を取り出すために少なくとも陽極または陰極の一方が透明であればよいが
、本実施の形態では、基板上に透明な陽極を形成し、陽極から光を取り出す素子
構造で記述する。実際は、陰極から光を取り出す構造や、基板とは逆側から光を
取り出す構造も本発明に適用可能である。
する製造工程が重要になる。そこでまず、本発明で開示する有機発光素子の製造
方法について述べる。
し、その真空槽内に複数の蒸着源を設けてある、シングルチャンバー方式である
。そして、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、ブロッ
キング材料、発光材料、陰極の構成材料など、各種機能の異なる材料が、それぞ
れ前記複数の蒸着源に別々に収納されている。
ど)を有する基板を搬入し、陽極がITOのような酸化物である場合、前処理室に
て酸化処理を行う(なお、図9(a)では図示していないが、陽極表面をクリーニ
ングするために紫外線照射室を設置することも可能である)。さらに、有機発光
素子を形成する全ての材料は、真空槽910内において蒸着される。ただし陰極は
、この真空槽910内で形成してもよいし、別に蒸着室を設けてそこで陰極を形成
してもよい。要は、陰極を形成するまでの間を、一つの真空槽910内で蒸着すれ
ばよい。最後に、封止室にて封止を行い、搬出室から取り出して有機発光素子を
得る。
を作製する手順を、図9(b)(真空槽910の断面図)を用いて説明する。図9(b)
では、最も簡単な例として、三つの蒸着源(有機化合物蒸着源a916、有機化合物
蒸着源b917および有機化合物蒸着源c918)を有する真空槽910を用い、正孔輸送
材料921、電子輸送材料922および発光材料923を含む有機化合物膜を形成する過
程を示す。
する(蒸着時には通常、基板は回転させる)。次に、真空槽910内を減圧(10-
4パスカル以下が好ましい)した後、容器a912を加熱し、正孔輸送材料921を蒸発
させ、所定の蒸着レート(単位:[Å/s])に達してからシャッターa914を開け、
蒸着を開始する。この時、シャッターb915を閉じたまま、容器b913も加熱してお
く。
いき、電子輸送材料922の蒸着レートを上げていく。シャッターa914はそのまま
でもよいし、徐々に閉じて正孔輸送材料の蒸着レートを減らしていってもよい。
この時の開閉速度により、第一の濃度変化領域904の濃度勾配を形成する。
たところで、シャッターの開閉動作を中止し、一定の蒸着レートにて混合領域90
5を形成する。ここで、この混合領域905形成の際、微量の発光材料923も添加し
ておく(図9(b)で示した状態)。
、正孔輸送材料921の蒸着レートを減らしていく。シャッターb915はそのままで
もよいし、徐々に開いて電子輸送材料922の蒸着レートを上げていってもよい。
この時の開閉速度により、第二の濃度変化領域の濃度勾配を形成する。さらに電
子輸送領域を形成するため、シャッターa914を完全に閉じ、容器a912の加熱を終
了する。
18の具体的な形状を図22に示す。蒸着源の形状としては、セルを用いるタイプ
や導電性の発熱体を用いるタイプなどがあるが、図22では導電性の発熱体を用
いるタイプを示す。すなわち、容器a912、容器b913、および容器c2211を導電性
の発熱体とし、正孔輸送材料921が入った容器a912を電極a2201に、電子輸送材料
922が入った容器b913を電極b2202に、発光材料923が入った容器c2211を電極c220
3に、それぞれ挟み込み、通電することにより容器a912、容器b913、および容器c
2211を加熱して蒸着する。ここでは、有機化合物蒸着源c918に対するシャッター
c2212も図示した。
おいても不純物層が混入しない。
全て作製可能である。例えば、混合領域905にブロッキング材料を添加する場合
は、図9(b)にそのブロッキング材料を蒸着するための蒸着源を設置し、混合領
域の形成中に蒸発させればよい。
着源を同一の真空槽910内に設置すればよい。例えば図9(b)において、陽極902
と正孔輸送領域903との間に正孔注入領域を蒸着にて設ける場合は、陽極902上に
正孔注入材料を蒸着した後、インターバルをおかずにすぐ正孔輸送材料921を蒸
発させることで、不純物層の形成を避けることができる。
ング材料、発光材料などに好適な材料を以下に列挙する。ただし、本発明の有機
発光素子に用いる材料は、これらに限定されない。
あり、フタロシアニン(以下、「H2Pc」と記す)、銅フタロシアニン(以下、「
CuPc」と記す)などがある。導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料
もあり、ポリスチレンスルホン酸(以下、「PSS」と記す)をドープしたポリエ
チレンジオキシチオフェン(以下、「PEDOT」と記す)や、ポリアニリンなどが
挙げられる。また、絶縁体の高分子化合物も陽極の平坦化の点で有効であり、ポ
リイミド(以下、「PI」と記す)がよく用いられる。さらに、無機化合物も用い
られ、金や白金などの金属薄膜の他、酸化アルミニウム(以下、「アルミナ」と
記す)の超薄膜などがある。
、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの)の化合物である。広く用いられている
材料として、先に述べたTPDの他、その誘導体である4,4'−ビス[N−(1−
ナフチル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(以下、「α−NPD」と記す
)や、4,4',4''−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)−トリフェニル
アミン(以下、「TDATA」と記す)、4,4',4''−トリス[N−(3−メチル
フェニル)−N−フェニル−アミノ]−トリフェニルアミン(以下、「MTDATA」
と記す)などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(以下、「Almq3」と記す)、ビ
ス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(以下、「BeBq2」
と記す)などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混
合配位子錯体であるビス(2−メチル−8−キノリノラト)−(4−ヒドロキシ
−ビフェニリル)−アルミニウム(以下、「BAlq」と記す)などがある。また、
ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(以下、「
Zn(BOX)2」と記す)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラ
ト]亜鉛(以下、「Zn(BTZ)2」と記す)などのオキサゾール系、チアゾール系配
位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニ
リル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(
以下、「PBD」と記す)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1
,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(以下、「OXD−7」と記す)
などのオキサジアゾール誘導体、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェ
ニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(以下、「TAZ」
と記す)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−
5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(以下、「p-EtTAZ」と
記す)などのトリアゾール誘導体、バソフェナントロリン(以下、「BPhen」と
記す)・バソキュプロイン(以下、「BCP」と記す)などのフェナントロリン誘
導体が電子輸送性を有する。
他に、フッ化リチウムなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、酸化リチウムなどの
アルカリ金属酸化物のような絶縁体の、超薄膜がよく用いられる。また、リチウ
ムアセチルアセトネート(以下、「Li(acac)」と記す)や8−キノリノラト−リ
チウム(以下、「Liq」と記す)などのアルカリ金属錯体も有効である。
、BCPなどが、励起エネルギーレベルが大きいため有効である。
)2などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。また、三重項発光材料も可
能であり、白金ないしはイリジウムを中心金属とする錯体が主体である。三重項
発光材料としては、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(以下、「Ir(p
py)3」と記す)、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−2
1H,23H−ポルフィリン−白金(以下、「PtOEP」と記す)などが知られて
いる。
光素子に適用することにより、従来よりも駆動電圧が低い上に素子の寿命が長い
有機発光素子を作製することができる。
膜403との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を挿入した有機発光素子を、
具体的に例示する。
ラス基板401を用意する。この陽極402を有するガラス基板401を、図9において
示したような真空槽内に搬入する。本実施例では、5種類の材料(4種類は有機
化合物であり、1種類は陰極となる金属)を蒸着するため、5つの蒸着源が必要
となる。
終えると同時に、インターバルをおかずに、正孔輸送材料であるα−NPDの蒸着
を3Å/sの蒸着レートで開始する。インターバルをおかない理由は、先に述べた
ように、不純物層の形成を防ぐためである。
トは3Å/sに固定したまま、電子輸送材料であるAlq3の蒸着源のシャッターを徐
々に開けていくことにより、濃度勾配を有する第一の濃度変化領域406を10nm程
度形成する。第一の濃度変化領域406が10nmに達したときのAlq3の蒸着レートは
、3Å/sになるように調節する。
が1:1となるような混合領域407を共蒸着にて形成する。同時に、蛍光色素で
あるN,N'−ジメチルキナクリドン(以下、「MQd」と記す)を、発光材料410
として添加しておく。割合は、 MQdが全体の1wt%程度となるように蒸着レートを
制御する。
Å/sに固定したままα−NPDの蒸着源のシャッターを徐々に閉じていくことによ
り、濃度勾配を有する第二の濃度変化領域408を10nm程度形成する。第二の濃度
変化領域408が10nmに達したときに、α−NPDの蒸着が終了するように調節する。
。厚さは40nmとする。最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着することに
より、MQdに由来する緑色発光の有機発光素子を得る。
ラス基板401を用意する。この陽極402を有するガラス基板401を、図9において
示したような真空槽内に搬入する。本実施例では、5種類の材料(4種類は有機
化合物であり、1種類は陰極となる金属)を蒸着するため、5つの蒸着源が必要
となる。
蒸着レートは3Å/s)した後、MTDATAの蒸着源のシャッターを徐々に閉じていく
と同時に、電子輸送材料であるPBDの蒸着源のシャッターを徐々に開けていくこ
とにより、濃度勾配を有する第一の濃度変化領域406を10nm程度形成する。第一
の濃度変化領域406が10nmに達したときの、MTDATAの蒸着レートは1Å/s 、PBD
の蒸着レートは4Å/sになるように調節する。
、MTDATAとPBDの蒸着レート比率が1:4となるような混合領域407を、共蒸着に
て30nm形成する。この時、混合領域407における中間の10nm(つまり、混合領域3
0nmのうち、10nm〜20nmの間)は、蛍光色素であるペリレンを発光材料410として
添加するが、その割合は、ペリレンが全体の5wt%程度となるように実施する。ま
た、混合領域407における最後の10nm(つまり、混合領域30nmのうち、20nm〜30n
mの間)は、ブロッキング材料411としてBCPを添加するが、その割合は、蒸着レ
ート比にしてMTDATA:PBD:BCP=1:4:5とする(すなわち、BCPを5Å/sの
割合で蒸着する)。
sに固定したまま、MTDATAの蒸着源のシャッターを徐々に閉じていくことにより
、濃度勾配を有する第二の濃度変化領域408を10nm程度形成する。第二の濃度変
化領域408が10nmに達したときに、MTDATAの蒸着が終了するように調節する。
厚さは30nmとする。最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着することによ
り、ペリレンに由来する青色発光の有機発光素子を得る。
膜403との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を、陰極404と有機化合物膜と
の間に電子注入材料からなる電子注入領域を、それぞれ挿入し、かつ、発光材料
として三重項発光材料を適用した有機発光素子の例を、具体的に例示する。その
素子構造を図10に示す。
たガラス基板を用意する。このITOを有するガラス基板を、図9において示した
ような真空槽内に搬入する。本実施例では、7種類の材料(5種類は有機化合物
であり、2種類は陰極となる無機材料)を蒸着するため、7つの蒸着源が必要と
なる。
終えると同時に、インターバルをおかずに、正孔輸送材料であるα−NPDの蒸着
を3Å/sの蒸着レートで開始する。インターバルをおかない理由は、先に述べた
ように、不純物層の形成を防ぐためである。
3Å/sに固定したまま、電子輸送材料であるBAlqの蒸着源のシャッターを徐々に
開けていくことにより、濃度勾配を有する第一の濃度変化領域を10nm程度形成す
る。第一の濃度変化領域が10nmに達したときのBAlqの蒸着レートは、3Å/sにな
るように調節する。
が1:1となるような混合領域を共蒸着にて20nm形成する。この時、混合領域に
おける中間の10nm(つまり、混合領域20nmのうち、5nm〜15nmの間)は、三重項
発光材料であるPtOEPを、発光材料として添加しておく。その割合は、PtOEPが全
体の6wt%程度となるようにする。
NPDの蒸着源のシャッターを徐々に閉じていくことにより、濃度勾配を有する第
二の濃度変化領域を10nm程度形成する。第二の濃度変化領域が10nmに達したとき
に、α−NPDの蒸着が終了するように調節する。
さは10nmとする。BAlqの蒸着を終了すると同時に、インターバルをおかずに、電
子注入材料であるAlq3の蒸着を開始して30nm程度蒸着する。インターバルをおか
ない理由は、先に述べたように、不純物層の形成を防ぐためである。
を形成し、PtOEPに由来する赤色発光の三重項発光素子を得る。
る。図11は、本発明の有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型発光装置
の断面図である。
用いているが、MOSトランジスタを用いてもよい。また、TFTとしてトップゲート
型TFT(具体的にはプレーナ型TFT)を例示するが、ボトムゲート型TFT(典型的
には逆スタガ型TFT)を用いることもできる。
め、可視光を透過する基板を用いる。具体的には、ガラス基板、石英基板、結晶
化ガラス基板もしくはプラスチック基板(プラスチックフィルムを含む)を用い
ればよい。なお、基板1101とは、表面に設けた絶縁膜も含めるものとする。
素部1111について説明する。
画素には有機発光素子に流れる電流を制御するためのTFT(以下、「電流制御TFT
」と記す)1102、画素電極(陽極)1103、有機化合物膜1104および陰極1105が設
けられている。なお、図11(a)では電流制御TFTしか図示していないが、電流制
御TFTのゲートに加わる電圧を制御するためのTFT(以下、「スイッチングTFT」
と記す)を設けている。
ネル型TFTとすることも可能であるが、図11のように有機発光素子の陽極に電
流制御TFTを接続する場合は、pチャネル型TFTの方が消費電力を押さえることが
できる。ただし、スイッチングTFTはnチャネル型TFTでもpチャネル型TFTでもよ
い。
る。本実施例では、画素電極1103の材料として仕事関数が4.5〜5.5eVの導電性材
料を用いるため、画素電極1103は有機発光素子の陽極として機能する。画素電極
1103として代表的には、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化
合物(ITOなど)のような、光透過性の材料を用いればよい。画素電極1103の上
には有機化合物膜1104が設けられている。
料としては、仕事関数が2.5〜3.5eVの導電性材料を用いることが望ましい。陰極
1105として代表的には、アルカリ金属元素もしくはアルカリ度類金属元素を含む
導電膜、アルミニウムを含む導電膜、あるいはその導電膜にアルミニウムや銀な
どを積層したもの、を用いればよい。
膜1106で覆われている。保護膜1106は、有機発光素子を酸素および水から保護す
るために設けられている。保護膜1106の材料としては、窒化珪素、窒化酸化珪素
、酸化アルミニウム、酸化タンタル、もしくは炭素(具体的にはダイヤモンドラ
イクカーボン)を用いる。
る信号(ゲート信号およびデータ信号)のタイミングを制御する領域であり、シ
フトレジスタ、バッファ、ラッチ、アナログスイッチ(トランスファゲート)も
しくはレベルシフタが設けられている。図11(a)では、これらの回路の基本単
位としてnチャネル型TFT1107およびpチャネル型TFT1108からなるCMOS回路を示し
ている。
ゲート)もしくはレベルシフタの回路構成は、公知のものでよい。また図11で
は、同一の基板上に画素部1111および駆動回路1112を設けているが、駆動回路11
12を設けずにICやLSIを電気的に接続することもできる。
れているが、陰極が電流制御TFTに接続された構造をとることもできる。その場
合、画素電極を陰極1105と同様の材料で形成し、陰極を画素電極(陽極)1103と
同様の材料で形成すればよい。その場合、電流制御TFTはnチャネル型TFTとする
ことが好ましい。
109を形成する工程で作製されたものを示してあるが、この場合、画素電極1103
が表面荒れを起こす可能性がある。有機発光素子は電流駆動型の素子であるため
、画素電極1103の表面荒れにより、特性が悪くなることも考えられる。
成する発光装置も考えられる。この場合、図11(a)の構造に比べて、画素電極1
103からの電流の注入性が向上すると考えられる。
11に設置されている各画素を分離している。この土手状構造を、例えば逆テーパ
ー型のような構造にすることにより、土手状構造が画素電極に接しない構造をと
ることもできる。その一例を図12に示す。
。図12で示されるような配線および分離部1210の形状(ひさしのある構造)は
、配線を構成する金属と、前記金属よりもエッチレートの低い材料(例えば金属
窒化物)とを積層し、エッチングすることにより形成することができる。この形
状により、画素電極1203や配線と、陰極1205とが、ショートすることを防ぐこと
ができる。なお、図12においては、通常のアクティブマトリクス型の発光装置
と異なり、画素上の陰極1205をストライプ状(パッシブマトリクスの陰極と同様
)にする構造になる。
に示す。なお、図13(a)には上面図を示し、図13(b)には図13(a)をP−P'で
切断した時の断面図を示す。また、図11の符号を引用する。
ータ信号側駆動回路である。また、ゲート信号側駆動回路1302およびデータ信号
側駆動回路1303に伝送される信号は、入力配線1304を介してTAB(Tape Automate
d Bonding)テープ1305から入力される。なお、図示しないが、TABテープ1305の
代わりに、TABテープにIC(集積回路)を設けたTCP(Tape Carrier Package)を
接続してもよい。
あり、樹脂からなるシール材1307により接着されている。カバー材1306は酸素お
よび水を透過しない材質であれば、いかなるものを用いてもよい。本実施例では
、カバー材1306は図13(b)に示すように、プラスチック材1306aと、前記プラス
チック材1306aの表面および裏面に設けられた炭素膜(具体的にはダイヤモンド
ライクカーボン膜)1306b、1306cからなる。
覆われ、有機発光素子を完全に密閉空間1309に封入するようになっている。密閉
空間1309は不活性ガス(代表的には窒素ガスや希ガス)、樹脂または不活性液体
(例えばパーフルオロアルカンに代表される液状のフッ素化炭素)を充填してお
けばよい。さらに、吸湿剤や脱酸素剤を設けることも有効である。
うけてもよい。この偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者が表
示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的には、円偏光板が用いられている
。ただし、有機化合物膜から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ること
を防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが好ましい。
機発光素子のいずれを用いてもよい。
クティブマトリクス型発光装置を例示するが、実施例4とは異なり、能動素子が
形成されている基板とは反対側から光を取り出す構造(以下、「上方出射」と記
す)の発光装置を示す。図14にその断面図を示す。
用いているが、MOSトランジスタを用いてもよい。また、TFTとしてトップゲート
型TFT(具体的にはプレーナ型TFT)を例示するが、ボトムゲート型TFT(典型的
には逆スタガ型TFT)を用いることもできる。
駆動回路1412に関しては、実施例4と同様の構成でよい。
例では陽極として用いるため、仕事関数がより大きい導電性材料を用いることが
好ましい。その代表例として、ニッケル、パラジウム、タングステン、金、銀な
どの金属が挙げられる。本実施例では、第一電極1403は光を透過しないことが好
ましいが、それに加えて、光の反射性の高い材料を用いることがさらに好ましい
。
物膜1404の上には第二電極1405が設けられており、本実施例では陰極とする。そ
の場合、第二電極1405の材料としては、仕事関数が2.5〜3.5eVの導電性材料を用
いることが望ましい。代表的には、アルカリ金属元素もしくはアルカリ度類金属
元素を含む導電膜、アルミニウムを含む導電膜、あるいはその導電膜にアルミニ
ウムや銀などを積層したもの、を用いればよい。ただし、本実施例は上方出射で
あるため、第二電極1405が光透過性であることが大前提である。したがって、こ
れらの金属を用いる場合は、20nm程度の超薄膜であることが好ましい。
保護膜1406で覆われている。保護膜1406は、有機発光素子を酸素および水から保
護するために設けられている。本実施例では、光を透過するものであればいかな
るものを用いてもよい。
れているが、陰極が電流制御TFTに接続された構造をとることもできる。その場
合、第一電極を陰極の材料で形成し、第二電極を陽極の材料で形成すればよい。
このとき、電流制御TFTはnチャネル型TFTとすることが好ましい。
いる。カバー材1407は酸素および水を透過しない材質で、かつ、光を透過する材
質であればいかなるものを用いてもよい。本実施例ではガラスを用いる。密閉空
間1409は不活性ガス(代表的には窒素ガスや希ガス)、樹脂または不活性液体(
例えばパーフルオロアルカンに代表される液状のフッ素化炭素)を充填しておけ
ばよい。さらに、吸湿剤や脱酸素剤を設けることも有効である。
、入力配線1413を介してTAB(Tape Automated Bonding)テープ1414から入力さ
れる。なお、図示しないが、TABテープ1414の代わりに、TABテープにIC(集積回
路)を設けたTCP(Tape Carrier Package)を接続してもよい。
うけてもよい。この偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者が表
示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的には、円偏光板が用いられている
。ただし、有機化合物膜から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ること
を防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが好ましい。
機発光素子のいずれを用いてもよい。
ッシブマトリクス型発光装置を例示する。図15(a)にはその上面図を示し、図
15(b)には図15(a)をP−P'で切断した時の断面図を示す。
プラスチック材としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、PES(ポリエチレンサルファイル)、PC(ポリカーボネート)、PET(ポリエ
チレンテレフタレート)もしくはPEN(ポリエチレンナフタレート)を板状、も
しくはフィルム上にしたものが使用できる。
化ガリウムを添加した酸化物導電膜を用いる。また、1503は金属膜からなるデー
タ線(陰極)であり、本実施例ではビスマス膜を用いる。また、1504はアクリル
樹脂からなるバンクであり、データ線1503を分断するための隔壁として機能する
。走査線1502とデータ線1503は両方とも、ストライプ状に複数形成されており、
互いに直交するように設けられている。なお、図15(a)では図示していないが
、走査線1502とデータ線1503の間には有機化合物膜が挟まれており、交差部1505
が画素となる。
回路に接続される。なお、1508は走査線1502が集合してなる配線群を表しており
、1509はデータ線1503に接続された接続配線1506の集合からなる配線群を表す。
また、図示していないが、TABテープ1507の代わりに、TABテープにICを設けたTC
Pを接続してもよい。
スチック材1501に貼り合わされたカバー材である。シール材1510としては光硬化
樹脂を用いていればよく、脱ガスが少なく、吸湿性の低い材料が望ましい。カバ
ー材としては基板1501と同一の材料が好ましく、ガラス(石英ガラスを含む)も
しくはプラスチックを用いることができる。ここではプラスチック材を用いる。
る。なお、図15(c)に示すように、バンク1504は下層の幅が上層の幅よりも狭
い形状になっており、データ線1503を物理的に分断できる。また、シール材1510
で囲まれた画素部1514は、樹脂からなる封止材1515により外気から遮断され、有
機化合物膜の劣化を防ぐ構造となっている。
ータ線1503、バンク1504および有機化合物膜1513で形成されるため、非常に簡単
なプロセスで作製することができる。
うけてもよい。この偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者が表
示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的には、円偏光板が用いられている
。ただし、有機化合物膜から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ること
を防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが好ましい。
機発光素子のいずれを用いてもよい。
ル化した例を示す。
、 1603bを含む)にTABテープ1604が取り付けられ、前記TABテープ1604を介して
プリント配線板1605が取り付けられている。
配線板1605の内部には少なくともI/Oポート(入力もしくは出力部)1606、 1609
、データ信号側駆動回路1607およびゲート信号側回路1608として機能するICが設
けられている。
そのTABテープを介して駆動回路としての機能を有するプリント配線版が取り付
けられた構成のモジュールを、本明細書では特に駆動回路外付け型モジュールと
呼ぶことにする。
機発光素子のいずれを用いてもよい。
リント配線板を設けてモジュール化した例を示す。
号側駆動回路1703、ゲート信号側駆動回路1704、配線1703a、 1704aを含む)にT
ABテープ1705が取り付けられ、そのTABテープ1705を介してプリント配線板1706
が取り付けられている。プリント配線板1706の機能ブロック図を図17(b)に示
す。
1707、 1710、コントロール部1708として機能するICが設けられている。なお、
ここではメモリ部1709を設けてあるが、必ずしも必要ではない。またコントロー
ル部1708は、駆動回路の制御、映像データの補正などをコントロールするための
機能を有した部位である。
有するプリント配線板が取り付けられた構成のモジュールを、本明細書では特に
コントローラー外付け型モジュールと呼ぶことにする。
機発光素子のいずれを用いてもよい。
表示により駆動する発光装置の例を示す。本実施例の発光装置は、三重項励起状
態からの発光を利用することによって高い発光効率を達成できると同時に、デジ
タル時間階調表示により均一な像を得ることができ、非常に有用である。
タ、Csはストレージキャパシタを表す。図18(a)中の回路構成では、ソース線
はトランジスタTr1のソース側に、ゲート線はトランジスタTr1のゲートに接続さ
れている。また、電源供給線はストレージキャパシタCs、およびトランジスタTr
2のソース側に接続されている。トランジスタTr2のドレイン側には本発明の有機
発光素子の陽極が接続されているため、有機発光素子を挟んでトランジスタTr2
の反対側は、陰極となっている。
れ、その信号に対応する電圧がCsに蓄積される。そして、Tr2のゲートおよびソ
ース間の電圧(Vgs)により制御される電流が、Tr2および有機発光素子に流れる
ことになる。
る。したがって、Vgsに依存するだけの電流を流し続けることができる。
)に示す。すなわち、1フレームを複数のサブフレームに分割するわけだが、図
18(b)では、1フレームを6つのサブフレーム(SF1〜SF6)に分割する6ビッ
ト階調とした。TAは書き込み時間である。この場合、それぞれのサブフレーム発
光期間の割合は、図に示したように32:16:8:4:2:1となる。
の基板構成では、本発明の有機発光素子を各画素とした画素部に対し、図18(a
)で示したような電源供給線および陰極が接続されている。また、シフトレジス
タは、シフトレジスタ→ラッチ1→ラッチ2→画素部の順で、画素部に接続され
ている。ラッチ1にはデジタル信号が入力され、ラッチ2に入力されるラッチパ
ルスによって画像データを画素部に送り込むことができる。
例では、画素回路およびドライバは、デジタル駆動するように設計されているた
め、TFT特性のばらつきの影響を受けることなく、均一な像を得ることができる
。
駆動する、アクティブマトリクス型の定電流駆動回路の例を示す。その回路構成
を図21に示す。
及び電源線Viを有している。また画素2110は、Tr1、Tr2、Tr3、
Tr4、混合接合型の有機発光素子2111及び保持容量2112を有している
。
ソースとドレインは、一方は信号線Siに、もう一方はTr2のソースに接続さ
れている。またTr4のソースとドレインは、一方はTr2のソースに、もう一
方はTr1のゲートに接続されている。つまり、Tr3のソースとドレインのい
ずれか一方と、Tr4のソースとドレインのいずれか一方とは、接続されている
。
。Tr2のゲートは第2走査線Pjに接続されている。そしてTr2のドレイン
は有機発光素子2111が有する画素電極に接続されている。有機発光素子21
11は、画素電極と、対向電極と、画素電極と対向電極の間に設けられた有機発
光層とを有している。有機発光素子2111の対向電極は発光パネルの外部に設
けられた電源によって一定の電圧が与えられている。
でも良い。ただし、Tr3とTr4の極性は同じである。また、Tr1はnチャ
ネル型TFTとpチャネル型TFTのどちらでも良い。Tr2は、nチャネル型
TFTとpチャネル型TFTのどちらでも良い。発光素子の画素電極と対向電極
は、一方が陽極であり、他方が陰極である。Tr2がpチャネル型TFTの場合
、陽極を画素電極として用い、陰極を対向電極として用いるのが望ましい。逆に
、Tr2がnチャネル型TFTの場合、陰極を画素電極として用い、陽極を対向
電極として用いるのが望ましい。
量2112はTr1のゲートとソースの間の電圧(VGS)をより確実に維持する
ために設けられているが、必ずしも設ける必要はない。
する電流源において制御されている。
して輝度を一定に保とうとする定電流駆動が可能となる。本発明で開示した混合
領域を有する有機発光素子は従来の有機発光素子に比べて寿命が長いが、上記の
ような定電流駆動を実施することでさらに長寿命化を図ることができるため、有
効である。
を有する。したがって、前記発光装置が表示部等として含まれる電気器具は、従
来よりも低い消費電力で動作可能であり、なおかつ長保ちする電気器具となる。
特に電源としてバッテリーを使用する携帯機器のような電気器具に関しては、低
消費電力化が便利さに直結する(電池切れが起こりにくい)ため、極めて有用で
ある。
ライトは必要なく、有機化合物膜の厚みも1μmに満たないため、薄型軽量化が
可能である。したがって、前記発光装置が表示部等として含まれる電気器具は、
従来よりも薄型軽量な電気器具となる。このことも、特に携帯機器のような電気
器具に関して、便利さ(持ち運びの際の軽さやコンパクトさ)に直結するため、
極めて有用である。さらに、電気器具全般においても、薄型である(かさばらな
い)ことは運送面(大量輸送が可能)、設置面(部屋などのスペース確保)から
みても有用であることは疑いない。
所での視認性に優れ、しかも視野角が広いという特徴を持つ。したがって、前記
発光装置を表示部として有する電気器具は、表示の見やすさの点でも大きなメリ
ットがある。
た従来の有機発光素子の長所に加え、低消費電力・長寿命という特長も保有して
おり、極めて有用である。
の具体例を図19および図20に示す。なお、本実施例の電気器具に含まれる有
機発光素子には、本発明で開示した素子のいずれを用いてもよい。また、本実施
例の電気器具に含まれる発光装置の形態は、図11〜図18のいずれの形態を用
いても良い。
02a、表示部1903aを含む。本発明の発光装置を表示部1903aとして用いたディス
プレイを作製することにより、薄く軽量で、長保ちするディスプレイを実現でき
る。よって、輸送が簡便になり、設置の際の省スペースが可能となる上に、寿命
も長い。
、操作スイッチ1904b、バッテリー1905b、受像部1906bを含む。本発明の発光装
置を表示部1902bとして用いたビデオカメラを作製することにより、消費電力が
少なく、軽量なビデオカメラを実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり
、持ち運びも簡便になる。
操作スイッチ1904cを含む。本発明の発光装置を表示部1902cとして用いたデジタ
ルカメラを作製することにより、消費電力が少なく、軽量なデジタルカメラを実
現できる。よって、電池の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。
、LD、またはDVDなど)1902d、操作スイッチ1903d、表示部(A)1904d、表示部(B)
1905dを含む。表示部(A)1904dは主として画像情報を表示し、表示部(B)1905dは
主として文字情報を表示する。本発明の発光装置をこれら表示部(A)1904dや表示
部(B)1905dとして用いた前記画像再生装置を作製することにより、消費電力が少
なく軽量な上に、長保ちする前記画像再生装置を実現できる。なお、この記録媒
体を備えた画像再生装置には、CD再生装置、ゲーム機器なども含む。
e、受像部1903e、操作スイッチ1904e、メモリスロット1905eを含む。本発明の発
光装置を表示部1902eとして用いた携帯型コンピュータを作製することにより、
消費電力が少なく、薄型軽量な携帯型コンピュータを実現できる。よって、電池
の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。なお、この携帯型コンピュータ
はフラッシュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり
、それを再生したりすることができる。
903f、キーボード1904fを含む。本発明の発光装置を表示部1903fとして用いたパ
ーソナルコンピュータを作製することにより、消費電力が少なく、薄型軽量なパ
ーソナルコンピュータを実現できる。特に、ノートパソコンのように持ち歩く用
途が必要な場合、電池の消費量や軽さの点で大きなメリットとなる。
信を通じて配信される情報を表示することが多くなってきており、特に動画情報
を表示する機会が増えている。有機発光素子の応答速度は非常に速く、そのよう
な動画表示に好適である。
部2003a、表示部2004a、操作スイッチ2005a、アンテナ2006aを含む。本発明の発
光装置を表示部2004aとして用いた携帯電話を作製することにより、消費電力が
少なく、薄型軽量な携帯電話を実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり
、持ち運びも楽になる上にコンパクトな本体にできる。
示部2002b、操作スイッチ2003b、2004bを含む。本発明の発光装置を表示部2002b
として用いた音響機器を作製することにより、消費電力が少なく、軽量な音響機
器を実現できる。また、本実施例では車載用オーディオを例として示すが、家庭
用オーディオに用いても良い。
蔵させ、使用環境の明るさを検知する手段を設けることで、使用環境の明るさに
応じて発光輝度を変調させるような機能を持たせることは有効である。使用者は
、使用環境の明るさに比べてコントラスト比で100〜150の明るさを確保できれば
、問題なく画像もしくは文字情報を認識できる。すなわち、使用環境が明るい場
合は画像の輝度を上げて見やすくし、使用環境が暗い場合は画像の輝度を抑えて
消費電力を抑えるといったことが可能となる。
の動作や薄型軽量化が可能であるため、非常に有用と言える。代表的には、液晶
表示装置のバックライトもしくはフロントライトといった光源、または照明機器
の光源として本発明の発光装置を含む電気器具は、低消費電力の実現や薄型軽量
化が可能である。
晶ディスプレイにする場合においても、その液晶ディスプレイのバックライトも
しくはフロントライトとして本発明の発光装置を用いた電気器具を作製すること
により、消費電力が少なく、薄くて軽量な電気器具が達成できる。
Claims (5)
- 表示部と、使用環境の明るさを検知する光センサとを有する電気器具であって、
前記表示部は発光装置を含み、
前記発光装置は、陽極と陰極との間に有機化合物膜を有する発光素子を含み、
前記有機化合物膜は、
正孔輸送材料を含む正孔輸送領域と、
電子輸送材料を含む電子輸送領域と、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域とに挟まれ、前記正孔輸送材料と前記電子輸送材料とをx:y(xおよびyは正の定数)の比率で含む混合領域と、
前記正孔輸送領域と前記混合領域との間に設けられ、前記電子輸送材料と前記正孔輸送材料との比率がx:yになるまで、前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第1の濃度変化領域と、
前記電子輸送領域と前記混合領域との間に設けられ、前記電子輸送材料と前記正孔輸送材料との比率がx:yから、前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第2の濃度変化領域とを有し、
前記混合領域は、発光材料が添加されている第1の領域と、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料よりも最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が添加されている第2の領域とを有し、前記第1の領域は前記第2の領域よりも陽極側に位置し、
前記発光素子の発光輝度は、前記検知した明るさに応じて変調されることを特徴とする電気器具。 - 光源を有する電気器具であって、
前記光源は、発光装置を含み、
前記発光装置は、陽極と陰極との間に有機化合物膜を有する発光素子を含み、
前記有機化合物膜は、
正孔輸送材料を含む正孔輸送領域と、
電子輸送材料を含む電子輸送領域と、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域とに挟まれ、前記正孔輸送材料と前記電子輸送材料とをx:y(xおよびyは正の定数)の比率で含む混合領域と、
前記正孔輸送領域と前記混合領域との間に設けられ、前記電子輸送材料と前記正孔輸送材料との比率がx:yになるまで、前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第1の濃度変化領域と、
前記電子輸送領域と前記混合領域との間に設けられ、前記電子輸送材料と前記正孔輸送材料との比率がx:yから、前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第2の濃度変化領域とを有し、
前記混合領域は、発光材料が添加されている第1の領域と、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料よりも最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が添加されている第2の領域とを有し、前記第1の領域は前記第2の領域よりも陽極側に位置することを特徴とする電気器具。 - 請求項1または2において、前記発光材料は、三重項励起状態からの発光を呈することを特徴とする電気器具。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記混合領域において前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の合計質量に対する前記正孔輸送材料の質量の百分率は、10%以上90%以下であることを特徴とする電気器具。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記混合領域は、10nm以上、100nm以下の厚さであることを特徴とする電気器具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007146815A JP4459981B2 (ja) | 2001-02-08 | 2007-06-01 | 電気器具 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001032995 | 2001-02-08 | ||
JP2007146815A JP4459981B2 (ja) | 2001-02-08 | 2007-06-01 | 電気器具 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002032375A Division JP3977095B2 (ja) | 2001-02-08 | 2002-02-08 | 発光装置および電気器具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007258745A JP2007258745A (ja) | 2007-10-04 |
JP4459981B2 true JP4459981B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=18896825
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002032375A Expired - Fee Related JP3977095B2 (ja) | 2001-02-08 | 2002-02-08 | 発光装置および電気器具 |
JP2007146815A Expired - Fee Related JP4459981B2 (ja) | 2001-02-08 | 2007-06-01 | 電気器具 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002032375A Expired - Fee Related JP3977095B2 (ja) | 2001-02-08 | 2002-02-08 | 発光装置および電気器具 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7196360B2 (ja) |
JP (2) | JP3977095B2 (ja) |
KR (1) | KR100813817B1 (ja) |
CN (1) | CN1316642C (ja) |
MY (1) | MY134082A (ja) |
SG (1) | SG114527A1 (ja) |
TW (2) | TWI225312B (ja) |
Families Citing this family (89)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010104215A (ko) * | 2000-05-12 | 2001-11-24 | 야마자끼 순페이 | 발광장치 제작방법 |
TW545080B (en) | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
SG138466A1 (en) * | 2000-12-28 | 2008-01-28 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device |
TW518909B (en) * | 2001-01-17 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device and method of manufacturing same |
US20020139303A1 (en) | 2001-02-01 | 2002-10-03 | Shunpei Yamazaki | Deposition apparatus and deposition method |
SG118110A1 (en) | 2001-02-01 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting element and display device using the element |
JP2004529911A (ja) * | 2001-02-02 | 2004-09-30 | シェーリング コーポレイション | Cxcケモカインレセプターアンタゴニストとしての3,4−二置換シクロブテン−1,2−ジオン |
US20030010288A1 (en) * | 2001-02-08 | 2003-01-16 | Shunpei Yamazaki | Film formation apparatus and film formation method |
TWI225312B (en) | 2001-02-08 | 2004-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
TW550672B (en) | 2001-02-21 | 2003-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Method and apparatus for film deposition |
SG118118A1 (en) * | 2001-02-22 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting device and display using the same |
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US20020139303A1 (en) | 2001-02-01 | 2002-10-03 | Shunpei Yamazaki | Deposition apparatus and deposition method |
SG118110A1 (en) | 2001-02-01 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting element and display device using the element |
TWI225312B (en) | 2001-02-08 | 2004-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
US20030010288A1 (en) | 2001-02-08 | 2003-01-16 | Shunpei Yamazaki | Film formation apparatus and film formation method |
TW550672B (en) | 2001-02-21 | 2003-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Method and apparatus for film deposition |
SG118118A1 (en) | 2001-02-22 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting device and display using the same |
-
2002
- 2002-02-01 TW TW092118393A patent/TWI225312B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-01 TW TW091101804A patent/TW582121B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-04 SG SG200200660A patent/SG114527A1/en unknown
- 2002-02-05 US US10/072,507 patent/US7196360B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-07 MY MYPI20020416A patent/MY134082A/en unknown
- 2002-02-07 KR KR1020020006976A patent/KR100813817B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-02-08 CN CNB021045658A patent/CN1316642C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-08 JP JP2002032375A patent/JP3977095B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-12 US US11/456,892 patent/US7456425B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-01 JP JP2007146815A patent/JP4459981B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-20 US US12/274,475 patent/US8513648B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060243970A1 (en) | 2006-11-02 |
US20090206331A1 (en) | 2009-08-20 |
JP2002313584A (ja) | 2002-10-25 |
MY134082A (en) | 2007-11-30 |
CN1370034A (zh) | 2002-09-18 |
US20020105005A1 (en) | 2002-08-08 |
TW200306763A (en) | 2003-11-16 |
TW582121B (en) | 2004-04-01 |
US7196360B2 (en) | 2007-03-27 |
KR100813817B1 (ko) | 2008-03-17 |
US7456425B2 (en) | 2008-11-25 |
JP2007258745A (ja) | 2007-10-04 |
JP3977095B2 (ja) | 2007-09-19 |
KR20020066384A (ko) | 2002-08-16 |
CN1316642C (zh) | 2007-05-16 |
US8513648B2 (en) | 2013-08-20 |
SG114527A1 (en) | 2005-09-28 |
TWI225312B (en) | 2004-12-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |
|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
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