JP4401389B2 - 白色光レーザ - Google Patents

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Description

本発明は、レーザに関し、より特定的には、白色光レーザに関する。
レーザは、投写型ディスプレイおよび遠隔通信などの広範囲にわたる領域において多くの用途を有する周知の技術である。典型的なレーザは、コヒーレント平行光線の単色、単一波長ビームを発生させる。レーザ偏光を発生させるのにも有益であり、そのような光線ビームは光学用途において広く使用されている。合わせると白色を形成するいくつかの個々の波長の光を含む白色レーザ光ビームに対する用途も存在する。
白色光レーザを生成する手段は当技術分野では周知である。例えば、1995年5月23日にチングリンスキー(Zhinglinsky)らに対して発行された「白色光レーザ技術(White Light Laser Technology)」と題する米国特許第5,418,803号および1995年6月27日にチングリンスキーらに対して発行された「多波長チューナブルレーザ(Multi−Wavelength Tunable Laser」と題する米国特許第5,428,635号では、単純なレーザ共振空洞の端部として回折格子および反射要素を使用することにより、多色または白色光線を発生させることができるレーザが記述されている。分散要素はそれだけで、または空洞内レンズと組み合わされて、白色光線の各波長成分が、活性媒質の異なる部分により増幅されるように配置される。各波長成分に対する強制振動または正のフィードバックは、オートコリメーション構成で回折格子を作動させることにより達成される。この技術では、特別な回折格子または空洞内レンズ要素の使用が必要であり、製造が複雑で、共振空洞内に活性媒質の複数の層が含まれる。さらに、薄い、低体積レーザ装置が提供されておらず、装置の効率は、単一の空洞からの複数の波長発光を支持するためよくない。この技術は白色偏光の生成も支持しない。
1997年3月25日にギビョウ(Gibeau)らに対して発行された「画像投影のための方法および装置」と題する米国特許第5,614,961号において記述されているように、3つの線形レーザアレイを使用することにより、個々のレーザビームを組み合わせることによっても、白色レーザ光を形成することができる。各線形アレイは3原色(レッド、グリーン、ブルー)の1つの複数の(N>1)平行出力ビームレットを発生させる。対応するビームレットを空間的に組み合わせると、単色の白色光線形アレイ源が形成される。投影/スキャナ光学システムを介して、白色光源のビームレットは同時に、遠く離れた観察スクリーンに誘導され、そのスクリーンを横切って水平に掃引される(swept)。そのような設計では、複雑なビーム結合光学機器、別個のレーザ光発生装置が必要であり、偏光が生成されない。
さらに別の場合、白色光ビームは、フィルタホイールのように、レーザ光源を回転させることにより、連続して着色光を出力させることにより生成される。例えば、1998年6月9日に大内(Ouchi)らに対して発行された「レーザ装置」と題する米国特許第5,764,663号では、予め決められた少なくとも3つの基本波長を有する光ビームを発生させるための固体レーザ媒質と、それぞれ、光ビームをブルー、グリーンおよびレッドの3原色に対応する調波に変換する、周辺に配列されている、少なくとも3つの波長変換器と、波長変換器を保持するための波長変換器ホルダと、波長変換器間に配置された遮光部分と、波長変換器ホルダを回転させ、これにより、波長変換器の各々および遮光部分の各々を固体レーザ媒質の光軸上に繰り返し配置させる回転ユニットと、固体レーザ媒質により発生された光ビームを共振させ、波長変換器により変換された調波を出力するレーザ共振光学システムと、を含む予め決められた波長のレーザビームを発生させるためのレーザ装置が記述されている。この方法では、煩雑で、失敗しがちな機械的回転が必要であり、偏光を発生させることができない。
1977年5月3日にワング(Wang)に対して発行された「白色光を発生させるためのレーザ」と題する米国特許第4,021,845号では、dc電圧電源によりエネルギー供給されると白色レーザ光が発生するレーザ構造が記述されている。レーザ管構造は、縦軸を有するガス充填エンベロープと、エンベロープの一部を形成するアノード電極を備える。中空陰極がエンベロープ内に配置され、エンベロープのアノード電極部分に対し同軸上に配置されている。部材がエンベロープの端部と同軸に整合され、そのため、中のガス状媒質を閉じ込めるための構造が提供され、カソードとアノード電極の間にdc電圧が印加され、その間で放電が生じ、放電によりカソードの縦軸に沿って連続波レーザ発光が刺激される。レーザ発光は白色光形態の同時多重線発光を含む。この技術では、ガス充填管の使用が必要であり、製造が困難であり、薄い低体積レーザ装置が提供されず、偏光が生成されない。
米国特許第5,418,803号明細書 米国特許第5,428,635号明細書 米国特許第5,614,961号明細書 米国特許第5,764,663号明細書 米国特許第4,021,845号明細書
そのため、これらの制限を避ける別の白色光レーザが必要である。
上記要求は、本発明により、基板と、基板に対し垂直な白色レーザ光ビームを放射するために基板上に形成された1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素とを含む白色光レーザ一体化構造(intgratedstructure)を提供することにより満たされる。1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素の各々は、1または複数の有機発光ダイオード(OLED)および1または複数のOLEDにより光学的にポンピングされるように配列された複数の有機垂直空洞式レーザを含む。複数の有機垂直空洞式レーザはそれぞれ相異なる色の光を放射し、1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素は、異なる色の光が結合されると、実質的に白色光を放射する。
本発明の別の観点では、基板と、基板に垂直なレーザ光白色ビームを放射するために基板上に形成された1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素とを含む白色偏光レーザが提供される。1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素の各々は、1または複数の有機発光ダイオード(OLED)と、1辺の長さが前記1辺と直交する辺の長さと異なる形状を有し偏光を生成する複数の有機垂直空洞式レーザとを含む。1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素は、1または複数のOLEDにより光学的にポンピングされるように配列される。複数の有機垂直空洞式レーザはそれぞれ相異なる色の光を放射し、1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素は、異なる色の光が結合されると、実質的に白色光を放射する。
本発明の第3の観点では、制御装置およびコネクションと、共通の基板上に形成され、制御装置に応答して画像要素のアレイを生成する複数の個々に制御可能なレーザ光画素と、を含むパターン白色光平行ビームを形成する画像要素のアレイを生成するためのシステムが提供される。複数の個々に制御可能なレーザ光画素の各々は、1または複数の有機発光ダイオード(OLED)と、1または複数のOLEDにより光学的にポンピングされるように配列された複数の有機垂直空洞式レーザとを含み、複数の有機垂直空洞式レーザは基板に垂直でそれぞれ相異なる色の光を放射し、複数の個々に制御可能なレーザ光画素は、異なる色の光が結合されると、実質的に白色光を放射する。
本発明の第4の観点では、基板を提供する工程と、基板上に1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素を形成する工程と、を含み、1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素の各々が1または複数の有機発光ダイオード(OLED)および複数の空間的に分配された有機垂直空洞式レーザとを含み、該複数の空間的に分配された有機垂直空洞式レーザから放射される複数のそれぞれ相異なる色の光から基板に垂直なレーザ光白色ビームが放射される、白色光レーザを作製するための方法が提供される。
本発明は、簡単な一体化構造を使用して偏光を有する白色レーザを生成することができるという利点がある。
図1A〜1Cについて説明すると、本発明による白色光レーザは基板10を含み、基板10上には個々にアドレス可能なレーザ画素11が形成されており、各画素は、複数の有機垂直空洞式レーザ12を含み、有機垂直空洞式レーザ12は、同じ基板10上に形成され、回路16を介して電気的に制御される、電気的に制御された有機発光ダイオード(OLED)14により光学的にポンピングされる。OLED14はインコヒーレント光15を放射し、有機垂直空洞式レーザ12が光学的にポンピングされ、次に、該レーザは基板10に垂直なレーザ光ビーム13を放射する。複数の有機垂直空洞式レーザ12は2またはそれ以上の異なる色の光を放射し、それらの光は結合され1つのビームになると、白色レーザ光が形成される。
図1Aでは、個々にアドレス可能なレーザ画素11は、白色レーザビーム9を形成する複数の異なる色のレーザ光ビーム13を放射し、それぞれ、レッド、グリーンおよびブルーレーザエミッタを示す異なる色の有機垂直空洞式レーザ12R、12Gおよび12Bを光学的にポンピングするように選択された唯一の型の発光材料を使用した単一OLED14を含む。図1Bでは、個々にアドレス可能なレーザ画素11は、白色レーザビーム9を形成する複数の異なる色のレーザ光ビーム13を放射し、複数の材料14R、14Gおよび14Bを有するOLED14を含む。それらの材料は、それぞれ、レッド、グリーンおよびブルーインコヒーレント光を放射し、それぞれ、光学的に、対応する複数のレッド、グリーンおよびブルー有機垂直空洞式レーザ12R、12Gおよび12Bをポンピングする。図1Cでは、個々にアドレス可能なレーザ画素11は、白色光レーザビーム9を形成する複数の異なる色のレーザ光ビーム13を放射し、複数の材料14R、14Gおよび14Bを有するOLED14を含む。複数の材料14R、14Gおよび14Bは、それぞれ、レッド、グリーンおよびブルーインコヒーレント光を放射し、それぞれ、対応する空間的に関連するレッド、グリーンおよびブルー有機垂直空洞式レーザ12R、12Gおよび12Bの群を光学的にポンピングする。OLED14に対し必要なことは、スペクトルのいくらかの部分が活性層114中のホスト材料(host material)に吸収される光を生成するということのみである(例えば、図3を参照)。これらのスキームのバリエーションは、異なる数の色、例えば、たった2色の異なる色(例え、実質的に白色光を形成するブルーおよびイエロ)または4色の異なる色(例えば、レッド、グリーン、ブルー、およびイエロ)を有する他の垂直空洞式レーザを使用することができる。
図2について説明すると、個々にアドレス可能なレーザ画素11は従来、コネクション18を介して、バスインプット21を有する制御装置19を用いて、当技術分野で周知のパッシブ・マトリクスまたはアクティブ・マトリクス制御スキームのいずれかにより、制御される。そのようなシステムを使用して、パターン白色光の平行ビームを形成する画像要素のアレイを生成させることができる。個々のアドレス可能なレーザ画素11は、隣接する電極、例えば単一の隣接カソードおよび単一の隣接アノードを使用することにより、関連するOLED材料すべてを制御することができる。個々に制御されるレーザ画素11内のOLED材料はすべて一緒にエネルギー供給されるので、インコヒーレント光放射15に関係なく、別個の電極は必要ない。そのような構成ではレイアウトが簡単であり、本発明の白色レーザ内の層が最小に抑えられる。本発明の個々に制御されたレーザ画素11は着色レーザ画素(図示せず)と結合させることもできる。着色レーザ画素は単色のみのエミッタを有する。この様式では、白色エミッタには着色レーザエミッタが組み入れられている。
図3について説明すると、本発明により有益な電気的にポンピングされた有機固体レーザ光エミッタ20の概略断面はOLED14と、有機垂直空洞式レーザ12と、OLED14と有機垂直式空洞レーザ12との間に配置された透明な平坦化層110を含む。有機垂直空洞式レーザ12は、一対のミラー112および116、例えば分散型ブラッグ(Bragg)反射(DBR)ミラーと、下記のようにホスト−ドーパント材料系を使用する有機材料から形成された活性層114とを含む、垂直空洞式レーザである。透明な平坦化層110は、OLED14と適合する光学的に透明な絶縁平坦化層、例えば二酸化ケイ素であるが、OLED14と適合する任意の光学的平面層とすることができ、その上に、DBRミラーを成長させることができる。DBRミラー112は透明平坦化層110上に堆積される。従来のスパッタリングまたは電子ビーム(e−ビーム)堆積により成長させることが好ましい。正確な厚さを得ることが重要であるからである。底部DBRミラー112は交互の高屈折率および低屈折率誘電体層から構成され、そのため、レーザ光ビーム13に対する波長では、その反射率は99.9%を超え、90%を超えるインコヒーレント光15が伝送される。DBRミラー112はλ/4の厚さの交互の高屈折率および低屈折率誘電体層から構成され、レーザ発振波長λで高い反射率が得られる。OLED14により放射されるインコヒーレント光15に対しブロードな透過極大が得られるように、別の交互の高屈折率および低屈折率誘電体層もまた堆積される。DBRミラー112上に有機活性層114が堆積され、該活性層は、従来の高真空(10−7Torr)熱蒸着によりまたは溶液からの回転成形により形成することができる。低いしきい値を得るためには、活性層114の厚さはλ/2の整数倍とすることが好ましく、ここでλはレーザ発振波長である。最も低いしきい値は、整数倍数が1または2のいずれかで得られる。
活性層114はホストおよびドーパント有機分子を含む。有機分子は低分子量であることが好ましい。現在のところ、低分子量有機分子はより均一に堆積させることができるからである。本明細書で使用されるホスト材料は、インコヒーレント光15を十分吸収し、それらの励起エネルギーの大部分をフォースター(Forster)エネルギー移動を介し、ドーパント材料に移動することができる任意の材料から選択される。当業者であれば、フォースターエネルギー移動の概念に精通している。この移動では、ホスト分子とドーパント分子との間のエネルギーの無放射移動が関係する。
レッド発光レーザに対し有益なホスト−ドーパントの組み合わせの例は、ホストとしてのアルミニウムトリス(8−ヒドロキシキノリン)(Alq)およびレッド−発光ドーパントとしての4−(ジシアノメチレン)−2−t−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン(DCJTB)である。DBRミラー116は活性層114上に堆積される。従来のe−ビーム堆積により堆積されるが、この時、堆積プロセス中、有機材料の温度は75℃未満であることが好ましい。上部DBRミラー116は交互の高屈折率および低屈折率誘電体層から構成され、そのため、レーザ光ビーム13の波長では、その反射率は典型的には98%を超え、90%を超えるインコヒーレント光15が反射される。上部DBRミラーに対する反射率はレーザ光ビーム13では90%またはそれ以上の範囲である。当技術分野では高効率LED(いわゆる共振空洞発光ダイオード、またはRCLED)は、この範囲の低い端の反射率、約90%により実現される。例えば、E.F.シューベルト(Schubert)らによる「微小空洞を有する高効率発光ダイオード(“Highly Efficient Light−Emitting Diodes With Microcavities”」サイエンス(Science)、Vol.265、1994年8月12日、943−945ページを参照のこと。そのような装置では、レーザ光ビーム13のスペクトルおよび角度幅を変更する、ならびに出力波長反射率を調節することにより、コヒーレンスの程度を制御する機会が存在する。結果的に、λ/4の厚さの交互の高屈折率および低屈折率誘電体層(ここで、λは所望のレーザ発振波長付近で選択する)を堆積させることに加えて、追加の交互の高屈折率および低屈折率誘電体層を堆積させると、インコヒーレント光15に対しブロードな反射極大が得られる。特に、活性層114ホスト材料に吸収されるインコヒーレント光15の部分を反射させることのみが必要である。
有機固体レーザエミッタ20のOLED14は、予め決められたスペクトル部分内のインコヒーレント光を生成する1または複数の電気的に駆動される有機発光ダイオード装置である。OLED装置の例としては、ハング(Hung)らに対し2001年1月9日に発行された「有機発光構造とカソードバッファ層との間に改良された界面を提供する電子注入層」と題する同一出願による米国特許第6,172,459号を参照のこと。この特許は本明細書内で引用され、その開示内容は参照により組み込まれる。
OLED14は、図3に示されるように、基板10に隣接して、好ましくは基板上に形成され、その上に、電極層100、例えば正孔注入アノードが形成される。基板10は当技術分野で説明されているようなOLED装置を構築するのに適した任意の材料とすることができ、例えば、ガラス、石英、またはプラスチックであり、電極層100は、基板10上の酸化スズインジウム(ITO)の薄層または導電性金属の薄層とすることができる。電極層100は蒸着、スパッタリング、および化学気相成長法により堆積させることができる。
また、電極層100は、図4に示されるように、平坦化層110上に形成することができ、平坦化層は典型的には電気絶縁性で、光学的に光透過性である。有機正孔輸送層102は電極層100上に形成され、有機発光層104は正孔輸送層102上に形成され、有機電子輸送層106は発光層104上に形成される。これらの3つの層の例として、有益名構造は、正孔輸送層102に対しジアミン層、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)、発光層104としてアンドープ9,10−ビス(2−ナフタレニル)アントラセン(ADN)、および電子輸送層106としてAlqを含む。これらの有機層は典型的には、高真空熱蒸着により調製される。それらの好ましい厚さはNPBで40〜250nm、ADNで10〜50nm、およびAlqで10〜200nmである。
さらに図4について説明すると、第2の電極層108(例えばカソード)が電子輸送層106上に形成され、その材料は、4.0eV未満の仕事関数を有するように選択される。適した電極層108は酸化スズインジウムまたはMgAgであり、ここでMg−Ag体積比は10:1である。従来の熱蒸着により形成することができる。平坦化層110は第2の電極層108上に形成され、有機垂直空洞式レーザ12は平坦化層110上に形成される。当技術分野では公知の追加の層を、OLED14構造に含めることができ、例えば正孔注入層および電子注入層である。当技術分野ではよく理解されるように、電圧Vは電極間に印加することができ、発光層104にインコヒーレント光15を発生させるのに必要な電場が提供され、インコヒーレント光はOLED14装置から伝送される。電圧Vは連続としてもパルス形態としてもよい。制御装置19は電圧を提供し、OLED14構造を駆動する。
図3および4について説明すると、典型的なバイアス条件下では、電子(負電荷キャリヤ)は電極層108から有機電子輸送層106中に注入され、正孔(正電荷キャリヤ)は電極層100から有機正孔輸送層102に注入される。電子および正孔は対応する有機輸送層106および102を通して有機発光層104中に輸送される。有機発光層104では、電子と正孔が主に、正孔輸送層102と発光層104との間の接合部付近で再結合する。再結合の結果、有機発光層104から光が発光する。発光層で発生した光のうち、約50%が直接基板10の方向に放射され、残りの50%が直接電極層108に向かって放射される。電極層108は透明であり、光は透明な平坦化層110を通過することができ、有機垂直空洞式レーザ12が光学的にポンピングされる。
図3では、電極層100および下にある基板10のうち少なくとも1つは反射するように形成することができ、そのため、電極層100に向かって発光された光の一部は反射され装置から出て行き、平坦化層110をうまく通過することができる。アノードおよびカソード、ならびに正孔および電子注入および/または輸送層の位置は逆転させることができ、そのため、電極層100はカソードとなり、電極層108はアノードとなることは当技術分野では周知である。この場合、反射型カソードは基板10上に堆積させることができ、アノードは透明である。
図3および4について説明すると、OLED14を出た後、インコヒーレント光15は底部DBRミラー112を介して有機垂直空洞式レーザ12に入る。底部DBRミラー設計のために、その光の大部分が活性層114中に入る。構成により、活性層ホストはインコヒーレント光15のいくらかのフラクションを吸収する。吸収されなかった光フラクションのうち(活性層の吸収長が小さすぎる場合)、インコヒーレント光15の残りのフラクションは上部DBRミラー116に入り、それにより、大部分の光が、第2パスのために、活性層114に逆反射される。第2パス中、インコヒーレント光15の追加のフラクションが活性層ホストにより吸収される。フォースターエネルギー移動機構を介し、ホストにより吸収された光エネルギーはドーパント分子に非放射的に移動する。ドーパント分子は発光に対し高い量子効率を有し、このため、非放射的に移動したエネルギーの大部分がより長い波長の光として再発光される。例えば、OLED14光エミッタ材料としてADN、活性層ホストとしてAlq、活性層ドーパントとしてDCJTBを使用する場合、発光OLED14光はブルーであり、Alqは主にブルーを吸収し、DCJTBはレッドを発光する。
有機垂直空洞式レーザ12は、レッド光に対しては、特に上部および底部DBRミラーが最も高い反射率を有する波長に対しては高Q空洞となるように設計される。当業者であれば、レーザ発振は最も高い純益を有する特別な波長で起きるという概念を熟知している。その波長では、レーザ光ビーム13は何度も、上部DBRミラーと底部DBRミラーの間で反射し、その後、主に上部DBRミラー116を介して放射される(設計により、底部DBRミラーのミラー損失は上部DBRミラーのミラー損失よりもずっと低いからである)。
図3に示した実施態様では、有機垂直空洞式レーザ12と電気的に駆動されるOLED14は、基板10上に形成された一体化装置において結合される。電気的に駆動されるOLED14は基板10上に位置し、有機垂直空洞式レーザ12はOLED14上に位置し、平坦化層110により分離される。その結果、底部DBRミラー112は交互の高屈折率および低屈折率誘電体層から構成され、そのため、レーザ光ビーム13に対する波長では、その屈折率は99.9%を超え、90%を超えるインコヒーレント光15が伝送される。したがって、上部DBRミラー116は交互の高屈折率および低屈折率誘電体層から構成され、そのため、レーザ光ビーム13に対する波長では、その屈折率は98%を超え、90%を超えるインコヒーレント光15が反射される。そのような上部DBRミラー116の設計は、図3および図4で示される実施態様では異なることに注意すべきである。レーザ光ビーム13が前者では空気中に、後者では基板10中に放射されるという事実によるためである。同様に、底部DBRミラー112もまた、2つの実施態様で幾分異なっている。
図4について説明すると、本発明の別の態様では、基板10は透明であり、有機垂直空洞式レーザ12に隣接して配置され、好ましくは有機垂直空洞式レーザ12が該基板上に形成され、そのため、光は基板10を通して放射される。
レーザの効率は、垂直空洞式有機レーザ構造に対し別の活性層114を使用することで改善することができる。図5について説明すると、周期利得(periodic gain)層305が、装置の定在波電磁場の波腹と整合されている。この図では、レーザ要素200中のレーザの定在波電場パターン320の概略が示されている。誘導放出は波腹で最も高く、電磁場のノードではごくわずかであるので、有機スペーサ層310により分離して、図5に示すように周期利得層305を形成すると本質的に好都合である。有機スペーサ層310は誘導放出または自然放出を受けず、大体レーザ光ビーム13またはインコヒーレント光15波長のいずれも吸収しない。有機スペーサ層310を形成するのに適した材料の一例は、有機材料1,1−ビス(4−ビス(4−メチル−フェニル)−アミノ−フェニル)−シクロヘキサン(TAPC)である。
TAPCはスペーサ層310としてうまく働く。というのは、TAPCは、大体、レーザ出力およびポンプ−ビームエネルギーのいずれも吸収せず、さらに、その屈折率がほとんどの有機ホスト材料の屈折率よりわずかに低いからである。この屈折率差が有益である。これにより、電磁場波腹と周期利得層305との間のオーバーラップが最大となるように支援されるからである。本発明について下記で検討するように、バルク利得領域の代わりに周期利得領域を使用すると、電力変換効率がより高くなり、望ましくない自然放出が著しく減少する。利得領域の配置は、標準光学マトリクス法を用いて決定する(スコット(scott)W.コルジン(Corzine)ら、IEEE量子エレクトロニクスジャーナル(Journal of Quantum Electronics)、Vol.25、No.6、1989年6月、1415−1524ページ)。良好な結果を得るために、周期利得層305の厚さは、望ましくない自然放出を避けるように50nmまたはそれ以下とする必要がある。
図6に示されるように、位相固定有機レーザアレイ220を使用することにより空間コヒーレンス度を維持しながら、レーザ画素11の面積を増大させることができる。二次元位相固定レーザアレイ220を形成するためには、要素間間隔210により分離されたレーザ要素200が、有機垂直空洞式レーザ12の表面上で規定される必要がある。位相固定を得るためには、強度および位相情報をレーザ要素200間で交換しなければならない。これは、少量の埋め込みインデックスまたは利得導波路(guiding)のいずれかにより、例えば、ミラーのうちの1つの反射率を調節することにより、レーザ発光をレーザ発振領域に弱く閉じ込めることにより最もよく得られる。
図6で示した態様では、反射率調節は、標準フォトリソグラフィーおよびエッチング技術を用いて、底部誘電体スタック内でエッチ領域をパターニングおよび形成することにより影響され、このように、等角で示されている底部誘電体スタックの表面上に円柱形態でレーザ要素200の二次元アレイを形成する。有機レーザ微小空洞構造の残りは、上記で説明したようにパターン底部誘電体スタック上に堆積される。この態様では、レーザ要素200の形状は円形であるが、他の形状、例えば長方形も可能である。要素間の間隔210は0.25〜4μmの範囲である。
位相固定アレイ動作は、より大きな要素間間隔210に対しても生じるが、より大きな間隔では、光学ポンピングエネルギーの利用が低効率なものとなる。エッチ深さは好ましくは200〜1000nmである。奇数層を超えて底部誘電体スタック中にエッチングすることにより、利得媒質のピークから離れたエッチ領域では縦軸モード波長の著しいシフトが達成される。このように、レーザ要素200間の領域では、レーザ発振作用が防止され、自然放出が著しく減少する。エッチ領域を形成すると、最終的に、レーザ放射がレーザ要素200に弱く閉じ込められ、エッチ領域間の領域からはレーザ発振は起きず、コヒーレント位相固定レーザ光はレーザアレイ220により放射される。
個々にアドレス可能なレーザ画素11の各レーザ光エミッタ20は、インコヒーレントOLED14により放射される周波数および有機垂直空洞式レーザ12の構成により決定される特定の色の光を放射する。レーザ光エミッタ20は典型的には非常に小さく、約数平方μmである。白色光レーザ8(図7に示す)は、各個々にアドレス可能なレーザ画素11に対応する基板10上に異なる色の光を放射するレーザ光エミッタ20を空間的に交互にすることにより得られる。画素の光は、結合されると、実質的に白色光を形成する。個々にアドレス可能なレーザ画素11は少なくとも10またはそれ以上の平方μmサイズを有し、複数のレーザ光エミッタ20を含む。これらのレーザ光エミッタ20は、個々にアドレス可能なレーザ画素11の範囲にわたり様々な様式で配列してもよい。
図7について説明すると、個々にアドレス可能なレーザ画素11は異なる色、例えばレッド20R、グリーン20G、およびブルー20Bの光を放射する複数のレーザ光エミッタ20を含む。図1で示した、レーザ光エミッタ20と関連するOLED14光エミッタは、相応して、異なる光出力を有してもよく、レーザ光エミッタの各々のレーザ光出力が最適化される。異なる有機垂直空洞式レーザ12は相応して、異なる構造を有してもよく、光出力の色が提供される。全体の光出力の色は、特異的な比率の異なる着色レーザ発振エミッタ20R、20Gおよび20Bを含ませることにより制御することができる(図7において同じ数字で示す)。要素タイプの各々の特定の比率は、それらの色および所望の光の白色点に依存する。
個々にアドレス可能なレーザ画素11内の別個のレーザ要素は発光の色によりグループ分けしてもよく、群のメンバー間でのモードロッキングが促進される。図8について説明すると、個々にアドレス可能な発光レーザ画素11は異なる色の光を放射するためのレーザ要素200の3つのレーザアレイ220を含む。各レーザアレイ220は1または複数のレーザ要素200を含み、ここで、1つのレーザアレイ220内のレーザ要素200はすべて同じ色の光を放射する。その群内のレーザ要素200は、空間的に互いに近くてもよく、そのため、群の要素間でのモードロッキングおよびコヒーレンスが促進される。これに反して、レーザアレイ220間の間隔はより大きくしてもよい。レーザアレイ220を空間的にさらに離すと、モードロッキングが阻害される。別の態様では、レーザ画素11の形状は円形であるが、他の画素形状、例えば長方形も可能である。レーザ要素200間の間隔は0.25〜4μmの範囲である。画素間の間隔がより大きくなると、位相固定アレイ動作もまた起こるが、光学ポンピングエネルギーの非効率的な使用につながる。利得媒質のピークから離れたレーザ要素200間の空間で縦軸モード波長の著しいシフトを達成することができる。このように、この領域では、レーザ発振作用は阻止され、自然放出が著しく減少する。最終的には、レーザ発光はレーザアレイ220に弱く閉じ込められ、レーザ要素200間の空間からのレーザ発振はなく、コヒーレント位相固定レーザ光が位相固定レーザアレイ220により放射される。
上記のように、レーザアレイ220は異なる数の要素を有してもよく、各群から特定の強度の発光が提供される。レーザ画素11から放射される光の全体としての色は、各群からの発光強度を調節することにより、例えば、白色発光レーザ画素11の白色点を調節することにより、調節することができる。また、白色発光画素11はモードロックされていないが、レーザ要素200からの色の混合を促進するように配列されている、異なる色のレーザ要素200の混合群を含んでもよい。
異なるOLED材料を、所望のように各群に関連させて使用することができ、単一の個々にアドレスされる発光レーザ画素11内の各群からの異なる色の光の発光を支援することができる。また、個々にアドレス可能なレーザ画素11内のすべてのOLED14に対し、ブロードバンドの白色OLED材料を使用してもよい。OLED14が、活性層114内のホスト材料によりインコヒーレント光15が吸収されるスペクトル範囲とオーバーラップするスペクトル範囲の光出力を有することが必要である。前に記述した実施態様では、アルミニウムトリス(8−ヒドロキシキノリン)(Alq)層はブルースペクトル領域、大体400〜450nmの光を吸収し、他のホスト材料は異なるスペクトル領域の光を吸収する。活性層114に吸収されない光は、異なる色の光の発光を支援するのに有益である。
動作中、基板10上の回路を介して個々にアドレス可能なレーザ画素11に電力が印加される。1または複数の個々に制御されるレーザ画素の各々は、単一の隣接カソードおよび単一の隣接アノードを使用し、電力をOLEDに提供する(図3および4において電極層100および電極層108として図示)。その後、電力により、個々にアドレス可能なレーザ画素11に対応する1または複数のOLEDが、関連するレーザエミッタ20R、20Gおよび20Bをポンピングする光を放射する。レーザエミッタ20は共に、基板10に直交する白色レーザ光を放射する。OLED14パターニング要求は、レーザ要素200に対するパターニング要求よりもかなり簡単であることに注意すべきである。白色点が固定され、白色点調節が必要でない場合、1つのOLED14が、レーザ画素11のレーザ要素200を同時に励起する。白色点の調節が必要な場合、OLED14とレーザ要素200との数と位置の間では1対1の対応が存在する。このように、白色点は、個々のレッド、グリーン、およびブルー要素を励起するOLED14光レベルを調節することにより変化させることができる。
様々な異なる色のレーザ要素200を個々にアドレス可能なレーザ画素11と関連させてもよい。例えば、4つの要素を使用して、白色光源を使用する任意の用途の全範囲を増大させてもよい。また、2つの要素、例えばブルーとイエロまたはレッドとシアンまたはグリーンとマゼンタを使用してもよい。
図9では、偏光白色光レーザ570の端面図が示されている。偏光白色光レーザは、放射される光の偏光方向に対し単一の配向を有する実質的に白色のレーザ光を生成する装置である。偏光方向は放射光の電場の方向を示す。図9について説明すると、偏光有機垂直空洞式レーザ構造560は、偏光放射レーザ光を生成することができる偏光有機垂直空洞式装置550の二次元アレイである。VCSELが偏光モード制御に対する機会を提供することは垂直空洞式レーザの技術分野では周知である。レーザ偏光制御のための多くの方法が存在する。カール(Carl)W.ウイルムセン(Wilmsen)による「垂直空洞式表面発光レーザ」、ケンブリッジ大学出版(Cambridge University Press)1999では、例えば、非対称垂直空洞式レーザアレイ要素の使用による偏光モードの制御が記述されている。安定な単偏光を有するレーザ出力を生成する1つのメカニズムは、一次元で垂直空洞式レーザ装置のサイズを減少させるものである。例えば、6×3.5μmの寸法の長方形垂直空洞式レーザ装置は、完全に対称な装置形状(6×6μm)からサイズを減少させることにより、基本モード発光の回折損失が増大する。これにより、偏光発光方向のピニングに至る。偏光レーザ光(図示せず)は偏光有機垂直空洞式装置550の表面に垂直に発光される。個々の偏光有機垂直空洞式装置550は、異なる色の偏光が放射されるように作製され、そのため、偏光白色光レーザ570からは偏光白色光出力が得られる。
本発明の別の態様では、光学システム、例えば、拡散レンズ(spreading lens)システムを使用し、より広い領域にわたりレーザ光ビームを拡散させ、画像を拡大してもよい。また、ビームのサイズを減少させるために光学システムを使用することができる。図10について説明すると、従来技術において周知のガリレイビームエキスパンダー(Galilean Beam Expander)は、平行レーザ光ビーム13の入射光を変換し、よりブロードなビーム17に拡大する少なくとも2つの光学要素30および32を有する。光学システムの倍率は、2つの要素30および32の焦点距離の比率であり、要素30と32との間の距離は焦点距離の和である。
本発明について、特に一定の好ましい態様を参照して詳細に記述してきたが、本発明の精神および範囲内で、変更および改変が可能であることは理解されるであろう。
(A〜C)本発明による白色レーザ光のための構造のブロック図である。 本発明による個々にアドレス可能なレーザ画素と相互作用する制御装置の概略図である。 本発明による、共同して動作するOLEDと垂直空洞式レーザの概略図である。 本発明による、共同して動作するOLEDと垂直空洞式レーザの別の態様の概略図である。 本発明で使用される例示的な有機垂直空洞式レーザの概略図である。 図5の有機垂直空洞式レーザにより形成されるレーザ画素の例示的な概略図である。 本発明による白色光レーザの例示的な概略図である。 本発明で使用される個々にアドレス可能なレーザ画素の概略図である。 本発明による白色偏光レーザの端面図である。 従来のビーム拡大器である。
符号の説明
8 白色光レーザ、9 白色光レーザビーム、10 基板、11 レーザ画素、12 有機垂直空洞式レーザ、12R レッド有機垂直空洞式レーザ、12B ブルー有機垂直空洞式レーザ、12G グリーン有機垂直空洞式レーザ、13 レーザ光ビーム、14 OLED、14R レッドOLED、14B ブルーOLED、14G グリーンOLED、15 レーザ光、16 回路、17 ビーム、18 コネクション、19 制御装置、20 レーザ光エミッタ、20R レッドエミッタ、20B ブルーエミッタ、20G グリーンエミッタ、21 バスインプット、30 要素、32 要素、100 電極層、102 輸送層、104 発光層、106 輸送層、108 電極層、110 平坦化層、112 ミラー、114 活性層、116 ミラー、120 OLED光、200 レーザ要素、210 要素間間隔、220 レーザアレイ、305 周期利得層、310 スペーサ層、320 場パターン、550 偏光有機垂直空洞式装置、560 有機垂直空洞式レーザ構造、570 偏光白色光レーザ。

Claims (3)

  1. a)基板と、
    b)前記基板上に形成され、該基板に垂直なレーザ光白色ビームを放射するための1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素と、
    を備え、
    前記1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素の各々は1または複数の有機発光ダイオード(OLED)と、前記1または複数のOLEDにより光学的にポンピングされるように配列された複数の有機垂直空洞式レーザとを含み、
    前記複数の有機垂直空洞式レーザはそれぞれ相異なる色の光を放射し、前記1または複数の個々に制御可能な発光画素は、前記異なる色の光が結合されると、白色光を放射する、白色光レーザ一体化構造。
  2. a)基板と、
    b)前記基板上に形成され、該基板に垂直なレーザ光白色ビームを放射するための1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素と、
    を備え、
    前記1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素の各々は1または複数の有機発光ダイオード(OLED)と、1辺の長さが前記1辺と直交する辺の長さと異なる形状を有し、偏光を生成する、前記1または複数のOLEDにより光学的にポンピングされるように配列された複数の有機垂直空洞式レーザとを含み、
    前記複数の有機垂直空洞式レーザはそれぞれ相異なる色の光を放射し、前記1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素は、前記異なる色の光が結合されると、白色光を放射する、偏光白色光レーザ。
  3. a)基板を提供する工程と、
    b)前記基板上に、1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素を形成する工程と、
    を含み、
    前記1または複数の個々に制御可能なレーザ光画素の各々は1または複数の有機発光ダイオード(OLED)と、複数の空間的に分配された有機垂直空洞式レーザとを含み、前記複数の空間的に分配された有機垂直空洞式レーザから放射された複数のそれぞれ相異なる色の光から前記基板に垂直なレーザ光の白色ビームが放射される、白色光レーザを作製するための方法。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6939012B2 (en) * 2003-06-02 2005-09-06 Eastman Kodak Company Laser image projector
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7848379B2 (en) * 2006-01-25 2010-12-07 Sensor Electronic Technology, Inc. LED-based optical pumping for laser light generation
JP5000914B2 (ja) * 2006-03-30 2012-08-15 日東光学株式会社 映像プロジェクション装置
DE102006039083A1 (de) * 2006-08-17 2008-02-21 Carl Zeiss Microimaging Gmbh Durchstimmbare Beleuchtungsquelle
DE102007025092A1 (de) 2007-05-30 2008-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
JP6129160B2 (ja) * 2011-05-16 2017-05-17 バーレイス テクノロジーズ エルエルシー 改良された共振器光電子工学装置及びその製作方法
US9535273B2 (en) * 2011-07-21 2017-01-03 Photon Dynamics, Inc. Apparatus for viewing through optical thin film color filters and their overlaps
JP6681694B2 (ja) * 2015-10-30 2020-04-15 スタンレー電気株式会社 面発光レーザ素子
TWI793080B (zh) * 2016-09-02 2023-02-21 國立大學法人九州大學 連續波有機薄膜分散式回饋雷射及電驅動有機半導體雷射二極體
WO2018043763A1 (en) 2016-09-02 2018-03-08 Kyushu University, National University Corporation Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode
US20200006924A1 (en) * 2016-12-05 2020-01-02 Goertek, Inc. Micro Laser Diode Display Device and Electronics Apparatus
CN109906518B (zh) * 2016-12-05 2022-07-01 歌尔股份有限公司 微激光二极管转移方法和微激光二极管显示装置制造方法
KR102567101B1 (ko) 2017-02-07 2023-08-16 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 전류주입형 유기 반도체 레이저 다이오드, 그 제조 방법 및 프로그램
JP7383485B2 (ja) * 2017-05-19 2023-11-20 中国科学院化学研究所 レーザー光源製造用のインク
EP4402404A1 (en) 2021-09-14 2024-07-24 Signify Holding B.V. Color control using a high frequency wavelength sweeping light source and a phosphor
WO2023083708A1 (en) 2021-11-09 2023-05-19 Signify Holding B.V. High frequency wavelength sweeping laser for imitating continuous emission with tunable intensity profile

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4021845A (en) 1975-10-16 1977-05-03 Xerox Corporation Laser for generating white light
KR960701560A (ko) 1993-02-03 1996-02-24 프랑크 씨. 지뷰 이미지 투사 방법 및 장치(methods and apparatus for image projection)
US5418803A (en) 1994-01-11 1995-05-23 American Biogenetic Sciences, Inc. White light laser technology
US5428635A (en) 1994-01-11 1995-06-27 American Biogenetic Sciences, Inc. Multi-wavelength tunable laser
JP2596709B2 (ja) * 1994-04-06 1997-04-02 都築 省吾 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
JPH09152640A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Nidek Co Ltd レ−ザ装置
US5708280A (en) * 1996-06-21 1998-01-13 Motorola Integrated electro-optical package and method of fabrication
US6160828A (en) * 1997-07-18 2000-12-12 The Trustees Of Princeton University Organic vertical-cavity surface-emitting laser
US6172459B1 (en) * 1998-07-28 2001-01-09 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer
GB2353400B (en) * 1999-08-20 2004-01-14 Cambridge Display Tech Ltd Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus
US7202506B1 (en) * 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
US6512249B2 (en) * 2001-02-26 2003-01-28 Seiko Epson Corporation Light emitting device, display device, and electronic appliance
US7061584B2 (en) * 2001-03-19 2006-06-13 Dmetrix, Inc. Multi-axis projection imaging system
US6658037B2 (en) * 2001-04-11 2003-12-02 Eastman Kodak Company Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity
US6724511B2 (en) * 2001-11-16 2004-04-20 Thin Film Electronics Asa Matrix-addressable optoelectronic apparatus and electrode means in the same
US6947459B2 (en) * 2002-11-25 2005-09-20 Eastman Kodak Company Organic vertical cavity laser and imaging system

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