JP4352789B2 - Electrostatic chuck - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置内にて被処理物を搭載、固定するために用いられる静電チャックに関する発明である。
【0002】
【従来の技術】
CVD成膜装置などの半導体製造装置においては、主にシリコンウェハである非処理物を吸着保持するための装置として、静電チャックが利用されている。静電チャックの構造、製法としては、セラミックス内部に電極層を設けたものなど、これまでに様々なものが提案されている。(特許文献1参照)
また、本発明者はそれらの中でも特に、導体からなるベース上にエアロゾルデポジション法により誘電体薄膜を形成した構造の静電チャックに着目し、改良を検討してきた。(特許文献2参照)
ここでエアロゾルデポジション法とは、脆性材料の微粒子をガス中に分散させたエアロゾルを基材に向けてノズルより噴射し、前記エアロゾルを前記基材に衝突させ、この衝突の衝撃によって前記微粒子を破砕・変形させて接合させ、前記微粒子の構成材料からなる薄膜を前記基材上に形成する方法である。
基材として例えばアルミニウム等の金属板を用い、脆性材料の微粒子として例えばアルミナ等の誘電体を用いれば、エアロゾルデポジション法により導電性材料上に誘電体薄膜を形成した所謂単極構造の静電チャックを製作することができる。
【0003】
【特許文献1】
特開平5−211228号公報
【特許文献2】
特開2002−190512号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
一般的にエアロゾルデポジション法により基材上に薄膜を形成すると、薄膜表面に反りが発生する。詳細な原因は現在のところ不明であるが、エアロゾルデポジション法では前述のように、脆性材料の微粒子を基材表面に衝突させながら成膜を行うため、脆性材料は絶えず圧縮された状態で薄膜を形成してゆくこととなる。これにより成膜完了後は基材と薄膜との境界面において境界面を拡げようとする方向の応力が残留しており、この残留応力が基材及び薄膜を反らしめる原因と考えられる。
【0005】
例えば、基材として直径が100mm、厚さが10mmのアルミニウムからなる円盤上に、アルミナセラミックスからなる微粒子にて厚さ20μmの成膜を行うと、誘電体薄膜表面においては高低差13μmの凸状に反り、基材裏面においては高低差13μmの凹上に反っていることが確認された。
上記の結果から、8インチウェハを吸着するための静電チャック(即ち直径が200mm)をエアロゾルデポジション法により製作した場合は、誘電体薄膜表面において高低差100μm強の凸状の反りが発生することが予想される。
【0006】
静電チャックの吸着面において上記のような大きな反りが発生すると様々な問題が生じる。
例えば、半導体製造工程におけるエッチング装置内で使用される静電チャックにおいては、主にシリコンウェハからなる被処理物を静電チャックにて吸着固定し、かつ被吸着物を静電チャックにより冷却しながら処理が行われる。このとき静電チャック吸着面に大きな反りが存在すると、静電チャックと被処理物との面接触が均一でなくなるために、静電チャックの冷却性能に吸着面内でバラツキが生じ、結果、被処理物のエッチング速度が面内でばらついてしまうという不具合を生ずる。また、静電チャックと被処理物との間には、冷却媒体として一定圧の冷却用ガスを封入することが一般的に行われるが、静電チャック吸着面に大きな反りが存在すると、静電チャック外周部付近に設けられたシールリング部において冷却用ガス封入のシールが保てず、静電チャック周囲に冷却用ガスが漏洩し、冷却用ガスによる冷却性能が著しく低下してしまう可能性が高い。
【0007】
静電チャックの吸着面を研削する等して反りによる変形を矯正することも考えられるが、現在のエアロゾルデポジション法による成膜技術、及び静電チャックの吸着性能を考慮すると、基材上に形成できる誘電体薄膜の厚さは最大で50μmが限度であるため、100μm前後の反りを研削により矯正することは不可能である。
【0008】
上記の反りを低減するために有効な対策として基材の両面に薄膜を形成する製造方法が考えられるが、静電チャックにおける基材は厚さ一様な円板ではなく、その内部に冷却水路等が形成された複雑な形状となることが一般的であるため、基材の両面に成膜を行ったとしても、両面の残留応力が均等に打ち消し合う可能性は低く、反りを矯正するのは困難である。
【0009】
本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、本発明の目的は、エアロゾルデポジション法により製作され、且つ吸着面における反りの発生を従来に比べ大幅に低減することのできる静電チャックを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項1は、脆性材料の微粒子をガス中に分散させたエアロゾルを導電性基材に向けてノズルより噴射し、前記エアロゾルを前記導電性基材表面に衝突させ、この衝突の衝撃によって前記微粒子を破砕・変形させて接合させ、前記微粒子の構成材料からなる誘電体薄膜を前記導電性基材上に形成し、前記誘電体薄膜表面を吸着面とした静電チャックであって、
前記導電性基材表面に溝が形成され、前記誘電体薄膜が前記溝によって複数の部分に分離されていることとした。
上記構成とすることにより、エアロゾルデポジション法によって形成された誘電体薄膜は複数の小面積部分に分離され、個々の誘電体薄膜に成膜後蓄積される残留応力及びその結果生じる反りを、各誘電体薄膜の面積に応じて小さくすることができる。
【0014】
本発明の好ましい態様として、前記複数の部分に分離された誘電体薄膜の境界部において、露出した前記導電性基材を絶縁性材料にて被覆することとした。
上記構成とすることにより、導電性基材表面の露出部が無くなるため、導電性基材と被吸着物との間に発生する放電現象を防止することが出来る。
【0015】
本発明の好ましい態様として、前記露出した導電性基材を被覆する前記絶縁性材料として、ポリイミドを用いることとした。
上記構成とすることにより、導電性基材の露出部の被覆を容易に形成することが可能であり、かつポリイミドは金属に比べて柔軟であるために吸着面に反りを発生させることが無く、更にポリイミドは静電チャック吸着面を構成する素材としての実績があり、被吸着物を汚染することも無い。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の好適な実施例を、図面に基づいて以下に説明する。
まず、エアロゾルデポジション法による製造装置20の概略を図18を用いて説明する。製造装置20の真空チャンバー27内は真空ポンプ23により真空環境化におかれる。エアロゾルはガス搬送管を介して窒素ガスボンベ26に接続されるエアロゾル発生器25から導出され、導出されたエアロゾルの微粒子がノズル24から噴射され、XYステージ22により移動可能に固定された静電チャック21基板に対して、衝突し、破砕・変形されて基板上に薄膜を形成する。
【0017】
図1は本発明の第一の実施例である静電チャックを示す外観図である。
エアロゾルデポジション法により製作された静電チャックの一例で、半導体製造工程におけるプラズマエッチング装置用の静電チャックを示す外観図である。静電チャックを製作するにあたり、誘電体薄膜1を形成する前の段階において、基材2の吸着面3にはシリコンウェハ6を支持する為のシールリング4及び図示しない突起16、更に基材2の外周部近くには固定用のボルト穴5等の形状加工が施され、その後基材2の吸着面3全体にエアロゾルデポジション法により誘電体薄膜1を20μmの厚さで形成している。
【0018】
基材2はアルミニウムで、誘電体薄膜1の成膜のためにエアロゾル中の微粒子の材質としてアルミナセラミックスを使用している。吸着面3を形成する誘電体薄膜1上にシリコンウェハ6を載置した状態で基材2とシリコンウェハ6との間に電圧を印可すれば、両者間にクーロン力が働き、シリコンウェハ6を吸着保持することが出来る。
【0019】
また具体的な構造を説明するため、図1に示した静電チャックでシリコンウェハ6を吸着したところの断面を示す概念図を図2に示した。図2は構造を示すために一部の寸法を誇張して描いてあり、そのスケールは正しくない。
図2において、静電チャック吸着面3とシリコンウェハ6との間には静電チャック表面に設けられた図示しない突起16により厚さ10μmのガス冷却空間7を形成しており、冷却用ガスが静電チャック中央に設けられた冷却ガス供給孔8よりガス冷却空間7へと供給され、ガス冷却空間7内はシリコンウェハ6の冷却に必要な所定の圧力に保たれる。吸着面3の最外周部においては、冷却用ガスを周囲に漏洩させないため、吸着面3に設けられた突起16と同じ高さのシールリング4を設けてある。
ここで、静電チャック表面に設けられた突起16の形状は微小であり、且つその数が多いために図示を省略したが、これら突起16の形状を拡大したものを図16に示した。誘電体薄膜1を形成する前の基材2の吸着面3上にはこれと同じ円形状の突起16を複数個設けてある。
同図に示したように突起16の外周部は斜面になっており、この斜面が静電チャック吸着面3となす角度は15度になるよう設計してある。
【0020】
ここで、本発明の静電チャックでは、誘電体薄膜1を複数に分離するための溝10が形成されている点で従来の静電チャックと異なる。以下ではこの溝10部の構造について詳細を説明する。尚、エアロゾルデポジション法に限らず他製法により製作された静電チャックにおいても、その吸着面3上に溝を設けた例は多く見られるが、これら従来の溝は静電チャックとシリコンウェハ6との間に形成されるガス冷却空間7において冷却ガスの拡散速度を高める目的で設けられるものである。それに対し本実施例で言うところの溝10は先に示したように誘電体薄膜1を複数の部分に分離するためのものであり、その構造と目的は前記従来の溝とは異なるものである。
【0021】
図3は図1に示した静電チャックの基材2において、誘電体薄膜1を形成する前の溝10部構造を示した断面図である。同図において、溝10はまず幅5mm、深さ0.2mmであり両側面が静電チャック吸着面3に対して15度傾斜している第一の溝10aと、第一の溝10a中央部に設けられ、幅1mm、深さ0.5mmであり両側面が静電チャック吸着面3に対して垂直である第二の溝10bとからなっている。
上記のような第一溝10a及び第二の溝10bを配置した基材2に対して、エアロゾルデポジション法にて吸着面3上に誘電体薄膜1を形成する。このとき、第一の溝10aの側面は静電チャック吸着面3に対して15度傾斜しているため、静電チャック吸着面3と同様に誘電体薄膜1が形成されるが、第二の溝10bの側面は静電チャック吸着面3に対して垂直であるため、エアロゾルを噴出するノズル17の角度を如何様に設定しても、第二の溝側面の少なくとも片側面に対しては微粒子の破砕、変形が起こらず、図4に示したように誘電体薄膜1が形成されない。即ち、誘電体薄膜1は静電チャックの吸着面3、第一の溝10aの両側面、及び第一の溝10aの底面までは連続に形成されるが、第二の溝10bの側面には形成されないため、第二の溝10bによって分離されることとなる。
本実施例のように被成膜面の傾斜を吸着面3に対して15度以内とし、成膜時のノズル17の角度を同じく吸着面3に対して60度にしておけば、ノズル17は被成膜面のどの部分に対しても上記の45度〜75度の角度を保ち、良好な条件にて成膜を行うことができる。
【0022】
静電チャック吸着面3における溝10の配置は図1のようであるから、誘電体薄膜1はこの場合、計17個の部分に分離されることとなり、個々の誘電体薄膜1はその面積が小さくなることにより、それぞれに生ずる凸状の反りは高低差約1μm前後まで低減することができる。
【0023】
ところで、このような溝10を有する構造の基材2に対しエアロゾルデポジション法により誘電体薄膜1を形成した直後においては、図4のように第二の溝10bの内壁においてアルミニウムである基材2が露出している。この状態でシリコンウェハ6を吸着すると、露出した基材2とシリコンウェハ6との間で放電を生じてしまうので、本実施例では上記放電を防止するため、誘電体薄膜1を形成した後、図5のように第二の溝10bをポリイミド11で被覆している。ここでポリイミド11の表面が静電チャック吸着面3よりも高い位置になってしまうと、シリコンウェハ6とポリイミド11が接触しシリコンウェハ6を変形させる恐れがあるほか、静電チャック吸着面3とシリコンウェハ6との間に供給される冷却用ガスの流路を妨げてしまうこともあるので、ポリイミド11を塗布する際はポリイミド11の表面が静電チャック吸着面3よりも低い位置となるよう注意する必要がある。図5の例では第一の溝10aの深さを0.2mmとしたが、これを更に深くすることでポリイミド11塗布の作業をより容易にすることも可能である。
【0024】
本発明の第二の実施例を図6以降に示す。この例では、誘電体薄膜1を形成する前の基材2には第一の実施例と同様の配置で第一の溝10aだけを設けておき、従来の静電チャック同様、吸着面3全体に誘電体薄膜1を形成する(図6)。本実施例ではその後、図7のように誘電体薄膜1の一部を基材2と共に除去し、第二の溝10bを形成した。この場合、第二の溝10bを形成する前の段階においては吸着面3において従来同様、高低差100μm強の大きな凸状の反りが発生しているが、第二の溝10bを形成すると同時に前記凸状の反りは高低差1μm前後まで低減される。尚、本実施例も図8に示したように、第二の溝10bにおいて露出した基材2をポリイミド11にて被覆することで放電の発生を防止している。
【0025】
更に本発明の第三の実施例を図9以降に示す。
誘電体薄膜1を形成する前の基材2には、第二の実施例と同様の配置で第一の溝10aだけを設けておく。本実施例ではその後、第一の溝10aの中央部に沿ってマスキングを行ってから誘電体薄膜1を形成することで、誘電体薄膜1を複数の部分に分離する。マスキングを行う方法は様々なものが考えられるが、容易に実施できる一例としては、上記基材2の吸着面3全体に紫外線硬化型樹脂シート12を貼り付けた後(図10)、前記第一の溝10aの中央部に沿って紫外線硬化型樹脂シート12が幅1mmで残留するようフォトリソグラフィ処理を行うのが良い(図11)。これにより第1の溝10aの底面において紫外線硬化型樹脂シート12によるマスキングが施され(図12)、その後は静電チャック吸着面3全体にエアロゾルデポジション法にて誘電体薄膜1を形成すれば(図13)、誘電体薄膜1を複数の部分に分離することが出来る(図14)。尚、本実施例においても、誘電体薄膜1の境界部13において露出した基材2を、放電防止のため第一、第二の実施例と同様にポリイミド11で被覆している(図15)。
【0026】
比較例
図20に示したのは、図1の本発明の静電チャックと比較して誘電体薄膜を分割する溝がないものである。
このような構造の従来の静電チャックにおいては、吸着面3全体を誘電体薄膜1が一枚板で覆っているため、前述のように基材2と誘電体薄膜1との境界面において大きな応力が残留している。発明者らが行った実験及び解析によれば、誘電体薄膜1の厚さが20μmに達したとき、吸着面3に平行な向きに基材2が受ける応力は、平均で760000Pa前後に達する。これにより本従来例のように8インチ静電チャックを製作した場合は、基材2内部の冷媒流路9の形状にもよるが、吸着面3は最大で100μm程度も凸状に反ってしまうこととなる。
【0027】
本発明では、静電チャックの吸着面3を構成する誘電体薄膜1を複数の小面積部分に分離し、エアロゾルデポジション法により誘電体薄膜1を形成後、基材2と誘電体薄膜1との間に生じる残留応力を低減し、この結果静電チャック吸着面3に生じる反りを低減することが肝要である。以上に示した各実施例は誘電体薄膜1を複数の小面積部分に分離するための方法の数例を紹介したものであり、溝10の配置やその断面形状はこれら実施例で紹介したものに限定されない。
【0028】
【発明の効果】
本発明によれば、エアロゾルデポジション法により製作され、且つ吸着面における反りの発生を従来に比べ大幅に低減することのできる静電チャックを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第一の実施例である静電チャックを示す外観図である。
【図2】 図1に示した静電チャックでシリコンウェハを吸着したところの断面を示す概念図である。
【図3】 図1に示した静電チャックの、誘電体薄膜を形成する前における基材の溝部構造を示す断面図である。
【図4】 図3に示した基材の溝部において、誘電体薄膜形成後の様子を示す断面図である。
【図5】 図4に示した基材の溝部において、第2の溝をポリイミドで被覆した様子を示す断面図である。
【図6】 本発明の第二の実施例である静電チャックを製作するにあたり、第二の溝を形成する前の段階における溝部構造を示す断面図である。
【図7】 図6に示した溝部において、誘電体薄膜の一部を基材と共に除去し、第二の溝を形成したところの様子を示す断面図である。
【図8】 図7に示した溝部において、第2の溝をポリイミドで被覆した様子を示す断面図である。
【図9】本発明の第三の実施例である静電チャックを製作するにあたり、誘電体薄膜を形成する前の段階における溝部構造を示す断面図である。
【図10】 図9に示した溝部において、紫外線硬化型樹脂シートを貼り付けた様子を示す断面図である。
【図11】 図10に示した溝部において、紫外線硬化型樹脂シート上にポジフィルムを置き、紫外線を照射する様子を示す断面図である。
【図12】 図11に示した溝部において、フォトリソグラフィ処理によりマスキングを施した様子を示す断面図である。
【図13】 図12に示した溝部において、エアロゾルデポジション法により誘電体薄膜を形成した様子を示す断面図である。
【図14】 図13に示した溝部において、紫外線硬化型樹脂シートを除去し、誘電体薄膜が溝部において分離されている様子を示す断面図である。
【図15】 図14に示した基材の溝部において、誘電体薄膜の境界部において露出した基材をポリイミドで被覆した様子を示す断面図である。
【図16】 本発明により製作された静電チャックの吸着面上に設けられた突起の形状を示す外観図である。
【図17】 エアロゾルデポジション法により製作された従来の静電チャックの一例を示す外観図である。
【図18】 エアロゾルデポジション法の製造装置を示す図。
【符号の説明】
1…誘電体薄膜
2…基材
3…吸着面
4…シールリング
5…ボルト穴
6…シリコンウェハ
7…ガス冷却空間
8…冷却ガス供給孔
9…冷媒流路
10…溝
10a…第一の溝
10b…第二の溝
11…ポリイミド
12…紫外線硬化型樹脂シート
13…境界部
14…紫外線
15…ポジフィルム
16…突起
17…ノズル[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrostatic chuck used for mounting and fixing an object to be processed in a semiconductor manufacturing apparatus.
[0002]
[Prior art]
In a semiconductor manufacturing apparatus such as a CVD film forming apparatus, an electrostatic chuck is used as an apparatus for attracting and holding a non-processed object that is mainly a silicon wafer. Various structures and manufacturing methods of electrostatic chucks have been proposed so far, such as those in which an electrode layer is provided inside ceramics. (See Patent Document 1)
Further, the inventor of the present invention has been studying improvements, particularly focusing on an electrostatic chuck having a structure in which a dielectric thin film is formed on a base made of a conductor by an aerosol deposition method. (See Patent Document 2)
Here, the aerosol deposition method means that an aerosol in which fine particles of a brittle material are dispersed in a gas is sprayed from a nozzle toward a base material, the aerosol is made to collide with the base material, and the fine particles are caused by the impact of the collision. In this method, a thin film made of the constituent material of the fine particles is formed on the substrate by crushing and deforming and joining.
If a metal plate such as aluminum is used as the base material and a dielectric material such as alumina is used as the fine particles of the brittle material, a so-called monopolar electrostatic structure in which a dielectric thin film is formed on the conductive material by the aerosol deposition method. A chuck can be manufactured.
[0003]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 5-21228 [Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-190512
[Problems to be solved by the invention]
Generally, when a thin film is formed on a substrate by an aerosol deposition method, warpage occurs on the surface of the thin film. Although the detailed cause is currently unknown, as described above, the aerosol deposition method forms a film while colliding the fine particles of the brittle material against the surface of the base material, so the brittle material is constantly compressed in a thin film. Will be formed. As a result, after the film formation is completed, a stress in the direction of expanding the boundary surface remains at the boundary surface between the base material and the thin film, and this residual stress is considered to cause warpage of the base material and the thin film.
[0005]
For example, when a film having a thickness of 20 μm is formed with fine particles made of alumina ceramics on a disk made of aluminum having a diameter of 100 mm and a thickness of 10 mm as a base material, a convex shape having a height difference of 13 μm is formed on the surface of the dielectric thin film. In other words, it was confirmed that the back surface of the base material warps on a concave with a height difference of 13 μm.
From the above results, when an electrostatic chuck for adsorbing an 8-inch wafer (that is, a diameter of 200 mm) is manufactured by the aerosol deposition method, a convex warp with a height difference of more than 100 μm occurs on the surface of the dielectric thin film. It is expected that.
[0006]
When the large warp as described above occurs on the attracting surface of the electrostatic chuck, various problems arise.
For example, in an electrostatic chuck used in an etching apparatus in a semiconductor manufacturing process, an object to be processed mainly composed of a silicon wafer is adsorbed and fixed by an electrostatic chuck, and the object to be adsorbed is cooled by the electrostatic chuck. Processing is performed. At this time, if there is a large warp on the chucking surface of the electrostatic chuck, the surface contact between the electrostatic chuck and the object to be processed will not be uniform, resulting in variations in the cooling performance of the electrostatic chuck within the chucking surface. There arises a problem that the etching rate of the processed object varies in the plane. In general, a cooling gas having a constant pressure is sealed as a cooling medium between the electrostatic chuck and the workpiece. However, if there is a large warp on the electrostatic chuck attracting surface, There is a possibility that the sealing with the cooling gas cannot be maintained at the seal ring provided near the outer periphery of the chuck, the cooling gas leaks around the electrostatic chuck, and the cooling performance by the cooling gas may be significantly reduced. high.
[0007]
It is conceivable to correct deformation due to warping by grinding the chucking surface of the electrostatic chuck, but considering the current deposition technology by aerosol deposition method and the chucking performance of the electrostatic chuck, Since the maximum thickness of the dielectric thin film that can be formed is 50 μm, it is impossible to correct a warp of about 100 μm by grinding.
[0008]
As an effective measure for reducing the above-mentioned warpage, a manufacturing method in which a thin film is formed on both surfaces of the base material can be considered, but the base material in the electrostatic chuck is not a disk with a uniform thickness, and a cooling water channel is formed inside the base material. In general, even if a film is formed on both sides of the substrate, the residual stress on both sides is not likely to cancel out evenly, and the warp is corrected. It is difficult.
[0009]
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to produce an electrostatic discharge that is manufactured by an aerosol deposition method and can significantly reduce the occurrence of warpage on the adsorption surface. It is to provide a chuck.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object,
A groove is formed on the surface of the conductive substrate, and the dielectric thin film is separated into a plurality of portions by the groove.
With the above configuration, the dielectric thin film formed by the aerosol deposition method is separated into a plurality of small area portions, and residual stress accumulated in each dielectric thin film and the resulting warp are each It can be reduced according to the area of the dielectric thin film.
[0014]
As a preferred aspect of the present invention, the exposed conductive base material is covered with an insulating material at a boundary portion of the dielectric thin film separated into the plurality of portions.
By setting it as the said structure, since the exposed part of the electroconductive base material surface is lose | eliminated, the discharge phenomenon generate | occur | produced between an electroconductive base material and a to-be-adsorbed object can be prevented.
[0015]
As a preferred embodiment of the present invention, polyimide is used as the insulating material for covering the exposed conductive substrate.
By adopting the above configuration, it is possible to easily form the coating of the exposed portion of the conductive base material, and since polyimide is flexible compared to metal, there is no warping of the adsorption surface, Furthermore, polyimide has a track record as a material constituting the electrostatic chuck attracting surface, and does not contaminate the object to be attracted.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
First, the outline of the
[0017]
FIG. 1 is an external view showing an electrostatic chuck according to a first embodiment of the present invention.
It is an example of the electrostatic chuck manufactured by the aerosol deposition method, and is an external view showing an electrostatic chuck for a plasma etching apparatus in a semiconductor manufacturing process. In manufacturing the electrostatic chuck, before the dielectric
[0018]
The
[0019]
In order to explain a specific structure, a conceptual diagram showing a cross section when the silicon wafer 6 is adsorbed by the electrostatic chuck shown in FIG. 1 is shown in FIG. FIG. 2 exaggerates some dimensions to show the structure, and the scale is not correct.
In FIG. 2, a gas cooling space 7 having a thickness of 10 μm is formed between the electrostatic
Here, the shape of the
As shown in the figure, the outer periphery of the
[0020]
Here, the electrostatic chuck of the present invention is different from the conventional electrostatic chuck in that a
[0021]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the
The dielectric
If the inclination of the film formation surface is within 15 degrees with respect to the
[0022]
Since the arrangement of the
[0023]
By the way, immediately after the dielectric
[0024]
A second embodiment of the present invention is shown in FIG. In this example, the
[0025]
Further, a third embodiment of the present invention is shown in FIG.
The
[0026]
Comparative Example FIG. 20 shows that there is no groove for dividing the dielectric thin film as compared with the electrostatic chuck of the present invention shown in FIG.
In the conventional electrostatic chuck having such a structure, the entire attracting
[0027]
In the present invention, the dielectric
[0028]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide an electrostatic chuck that is manufactured by an aerosol deposition method and that can significantly reduce the occurrence of warpage on the adsorption surface as compared with the conventional one.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an external view showing an electrostatic chuck according to a first embodiment of the present invention.
2 is a conceptual diagram showing a cross-section when a silicon wafer is adsorbed by the electrostatic chuck shown in FIG.
3 is a cross-sectional view showing a groove structure of a base material before forming a dielectric thin film of the electrostatic chuck shown in FIG.
4 is a cross-sectional view showing a state after forming a dielectric thin film in the groove portion of the base material shown in FIG.
5 is a cross-sectional view showing a state where a second groove is covered with polyimide in the groove portion of the base material shown in FIG. 4;
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a groove structure in a stage before forming a second groove in manufacturing an electrostatic chuck according to a second embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing a state where a part of the dielectric thin film is removed together with the base material in the groove portion shown in FIG. 6 to form a second groove.
8 is a cross-sectional view showing a state in which a second groove is covered with polyimide in the groove portion shown in FIG. 7;
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a groove structure in a stage before forming a dielectric thin film in manufacturing an electrostatic chuck according to a third embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view showing a state in which an ultraviolet curable resin sheet is attached in the groove shown in FIG.
11 is a cross-sectional view showing a state in which a positive film is placed on an ultraviolet curable resin sheet and irradiated with ultraviolet rays in the groove shown in FIG.
12 is a cross-sectional view showing a state in which masking is performed by photolithography in the groove shown in FIG. 11. FIG.
13 is a cross-sectional view showing a state in which a dielectric thin film is formed by an aerosol deposition method in the groove shown in FIG.
14 is a cross-sectional view showing a state in which the ultraviolet curable resin sheet is removed in the groove portion shown in FIG. 13 and the dielectric thin film is separated in the groove portion. FIG.
15 is a cross-sectional view showing a state in which the base material exposed at the boundary portion of the dielectric thin film is coated with polyimide in the groove portion of the base material shown in FIG.
FIG. 16 is an external view showing the shape of a protrusion provided on an attracting surface of an electrostatic chuck manufactured according to the present invention.
FIG. 17 is an external view showing an example of a conventional electrostatic chuck manufactured by an aerosol deposition method.
FIG. 18 is a view showing a manufacturing apparatus of the aerosol deposition method.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記導電性基材表面に溝が形成され、前記誘電体薄膜が前記溝によって複数の部分に分離されており、複数の部分に分離された前記誘電体薄膜の境界部において、前記誘電体薄膜間の前記導電性基材は露出しており、この露出した前記導電性基材を絶縁性材料にて、前記絶縁性材料の表面が前記誘電体薄膜の前記被吸着物を吸着する吸着面よりも低い位置となるように被覆したことを特徴とする静電チャック。An aerosol in which fine particles of a brittle material are dispersed in a gas is sprayed from a nozzle toward a conductive substrate, the aerosol collides with the surface of the conductive substrate, and the fine particles are crushed and deformed by the impact of the collision. are joined Te, a dielectric thin film made of a constituent material of the fine particles is formed on the conductive substrate, wherein the dielectric thin film surface and the suction surface, a voltage between the conductive substrate and the adsorbate An electrostatic chuck that holds the object to be adsorbed by a Coulomb force between the conductive substrate and the object to be adsorbed ,
A groove is formed on the surface of the conductive substrate, and the dielectric thin film is separated into a plurality of portions by the groove, and the dielectric thin film is separated at a boundary portion of the dielectric thin film separated into a plurality of portions. The conductive base material is exposed, and the exposed conductive base material is made of an insulating material, and the surface of the insulating material is more than the suction surface for adsorbing the object to be adsorbed of the dielectric thin film. An electrostatic chuck characterized by being coated so as to be in a low position .
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