JP4168988B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
日経マイクロデバイス(日経BP社:1998年4月号、164頁〜167頁) に開示されている。
2 半導体ウエハ
3 スクライブライン
4 電極パッド
5 パッシベーション膜
6 層間絶縁膜
7 開口部
8 密着金属層
9 銅
10 金属薄膜
11 レジスト
12 再配線
13 レジスト
14 バンプ電極
20 識別マーク
21 樹脂
Claims (8)
- 半導体ウエハの表面にスクライブラインにより互いに分離された複数の素子領域を形成する工程と、
前記素子領域上に突起電極を形成する工程と、
前記素子領域上に、前記突起電極とは識別可能な突起部を前記スクライブラインと平行に複数形成する工程と、
前記突起電極および前記突起部の先端が埋もれるように、前記素子領域を不透明な樹脂で封止する工程と、
前記突起部の先端を露出するように、前記樹脂の表面を削る工程と、
前記露出した突起部を目印にして、前記スクライブライン部分を切断する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記素子領域上に電極パッドを形成する工程と、
前記素子領域上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記電極パッドと電気的に接続される金属膜を形成する工程とを有し、
前記突起電極は前記金属膜上に形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記突起部は、前記突起電極とは異なる形状あるいは異なる大きさを有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記突起部は、前記突起電極と同材料にて同時に形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記素子領域上に形成された前記突起部は、前記スクライブラインに沿って一列に形成されることを特徴とする請求項1または2のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記素子領域は略矩形形状を有し、
前記突起部は、前記素子領域の角部近傍にそれぞれ設けられることを特徴とする請求項1または2のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 - それぞれの前記素子領域内には、複数の形状の異なる前記突起部が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体ウエハの表面にスクライブラインにより互いに分離された複数の素子領域を形成する工程と、
前記素子領域上に第1電極パッドを形成する工程と、
前記素子領域上に第2電極パッドを形成する工程と、
前記第1及び第2電極パッドを露出するように、前記素子領域上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記第1電極パッドと電気的に接続される第1金属膜を形成する工程と
前記絶縁膜上に前記第2電極パッドと電気的に接続される第2金属膜を形成する工程と
前記第1金属膜上に突起電極を形成する工程と、
前記第2金属膜上に、前記突起電極とは識別可能な突起部を形成する工程と、
前記突起部の先端が埋もれるように、前記素子領域を不透明な樹脂で封止する工程と、
前記突起部の先端を露出するように、前記樹脂の表面を削る工程と、
前記露出した突起部を目印にして、前記スクライブライン部分を切断する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004212759A JP4168988B2 (ja) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2004212759A JP4168988B2 (ja) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2000035373A Division JP3595232B2 (ja) | 1999-03-11 | 2000-02-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004297099A JP2004297099A (ja) | 2004-10-21 |
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JP2004212759A Expired - Lifetime JP4168988B2 (ja) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4168988B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5948034B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2016-07-06 | 株式会社ディスコ | アライメント方法 |
JP6177075B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-08-09 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6976650B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2021-12-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7083654B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2022-06-13 | 株式会社ディスコ | 分割予定ラインの検出方法 |
-
2004
- 2004-07-21 JP JP2004212759A patent/JP4168988B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004297099A (ja) | 2004-10-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20061013 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Written amendment |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080715 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 4 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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