JP3758580B2 - 液晶駆動回路 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶パネルを駆動する液晶駆動回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶パネルは携帯電話等の携帯端末用途が急増し、電池による長時間駆動が必要不可欠となってきている。そのため、液晶パネルを駆動するための液晶駆動回路においても低消費電力化が重要となる。
【0003】
以下に、従来の液晶駆動回路について、液晶パネルの表示階調として64階調で、液晶駆動出力数がn出力の場合を説明する。
【0004】
図6は従来の液晶駆動回路の回路図であり、階調電位V1〜V64を発生させる階調電位発生回路50と、階調電位発生回路50を構成する抵抗51〜53と、階調電位V1〜V64のうちの1つを階調選択信号CTL1〜CTLnにより選択する階調選択回路30〜32と、階調選択回路30〜32により選択された階調電位VS1〜VSnを低インピーダンス変換後、液晶駆動出力OUT1〜OUTnとして出力するバッファ33〜35とにより構成される。図7は液晶パネルに印加する階調電位と液晶パネルの透過率との関係を示す図であり、階調表示を滑らかに行うために、階調電位V1〜V64を発生するための抵抗51〜53間の比率が決められている。
【0005】
次に、以上のように構成された液晶駆動回路について、液晶駆動出力OUT1〜OUTnの出力動作について説明する。
【0006】
まず、階調電位発生回路50により、液晶パネルを階調表示するための階調電位V1〜V64を発生させ、階調選択回路30で階調電位V1〜V64のうちの1つの階調電位を階調選択信号CTL1により選択し、階調電位VS1としてバッファ33に入力する。バッファ33では、入力された階調電位VS1を低インピーダンス変換後、液晶駆動出力OUT1として液晶パネルへ出力する。同様にして、OUT2〜OUTnも出力する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の液晶駆動回路では、階調選択回路30〜32が切換わる時に、階調選択回路30〜32内の寄生容量及びバッファ33〜35の入力容量を充放電するのに十分な階調電位V1〜V64の電流能力を確保するためには、抵抗51〜53の抵抗値をある程度小さくしておく必要があった。このため、抵抗51〜53を介して階調基準電位入力VHから階調基準電位入力VLへ流れる貫通電流I10が大きく、消費電力を小さく出来ないという第一の課題があった。
【0008】
また、液晶パネルに印加する階調電位と液晶パネルの透過率との関係が、液晶パネルの種類毎(透過型パネル、反射型パネル、半透過型パネル、パネルメーカ毎等)に異なるために、同一回路構成で各種液晶パネルに対応することが出来ないという第二の課題と、液晶パネル表示の途中で、階調表示の変更が出来ないために液晶パネル表示の見栄えを途中で変更することができないという第三の課題があった。
【0009】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、消費電力が小さく、各種液晶パネルの透過率特性に対応でき、途中での階調表示の変更により液晶パネル表示の見栄えを変えることができる液晶駆動回路を提供することを目的とする。
0010
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶駆動回路では、複数の階調基準電位入力から複数の階調電位を第一の抵抗分割回路により生成し、前記複数の階調電位の中の1つを複数の階調選択回路により選択後、複数の低インピーダンス化回路を介して複数の液晶駆動出力として液晶パネルに供給する液晶駆動回路において、前記第一の抵抗分割回路内の所定電位と同じ電位を発生する第二の抵抗分割回路と、前記第二の抵抗分割回路により発生した前記所定電位を入力とし、低インピーダンス化して出力するバッファと、前記バッファの出力と前記第一の抵抗分割回路内の前記所定電位部分とを接続する第一のトランスファゲートと、前記第二の抵抗分割回路と前記複数の階調基準電位入力とを接続する複数の第二のトランスファゲートとを有し、前記第一の抵抗分割回路のインピーダンスを下げたい時のみ、前記第一のトランスファゲートと前記複数の第二のトランスファゲートとをオンし、前記バッファの出力と前記第一の抵抗分割回路内の前記所定電位部分とを接続し、前記第二の抵抗分割回路と前記複数の階調基準電位入力とを接続し、前記第一のトランスファゲートをオフしている時は、前記バッファもオフすることを特徴とした構成としたものである。
0011
この発明によれば、前記第一の抵抗分割回路の低消費電力化と、前記バッファの消費電力削減と、前記バッファとして、出力電位と入力電位との差であるオフセット電圧が大きいバッファを使用することが出来るとともに、第二の抵抗分割回路の消費電力削減も出来る。
0012
また、他の本発明に係る液晶駆動回路では、複数の階調基準電位入力から複数の階調電位を第一の抵抗分割回路により生成し、前記複数の階調電位の中の1つを複数の階調選択回路により選択後、複数の低インピーダンス化回路を介して複数の液晶駆動出力として液晶パネルに供給する液晶駆動回路において、前記第一の抵抗分割回路内の所定電位部分にソースとドレインのどちらか一方を接続し、他方に第一の電源を接続したNチャネル型MOSトランジスタと、前記第一の抵抗分割回路内の前記所定電位部分にソースとドレインのどちらか一方を接続し、他方に第二の電源を接続したPチャネル型MOSトランジスタと、前記Nチャネル型MOSトランジスタの閾値電圧と前記所定電位との和よりも低電位の第一の電位を発生し、前記Pチャネル型MOSトランジスタの閾値電圧の絶対値と前記所定電位との和よりも高電位の第二の電位を発生する第二の抵抗分割回路を有し、前記Nチャネル型MOSトランジスタのゲートに前記第一の電位を接続し、前記Pチャネル型MOSトランジスタのゲートに前記第二の電位を接続することを特徴とした構成としたものである。
0013
この発明によれば、前記第一の抵抗分割回路の低消費電力化が出来るとともに、制御無しの小回路規模で実現することが出来る。
0014
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
図1に発明の第1の施形態の液晶駆動回路の回路図を示す。本実施の形態では、液晶駆動出力数がn出力で、液晶パネルの表示階調として64階調で、この64階調電位を基本電位の各8電位から選択する場合を説明する。
0015
1は抵抗分割回路であり、抵抗2〜7により階調基本電位V1、V2(1)〜V2(8)、V3(1)〜V63(8)、V64を発生する機能を有する。10は抵抗分割回路であり、抵抗分割回路1内の所定の電位VMと等しい電位VM0を抵抗11、12により発生する機能を有し、13はトランスファゲートであり、階調基準電位入力VHと抵抗11とを接続する機能を有し、14はトランスファゲートであり、階調基準電位入力VLと抵抗12とを接続する機能を有する。15はバッファであり、電位VM0を入力として低インピーダンス化して出力する機能を有し、16はトランスファゲートであり、バッファ15の出力を抵抗分割回路1内の電位VMへ接続する機能を有する。20〜22は電位選択回路であり、階調基本電位V2(1)〜V2(8)、V3(1)〜V63(8)のうちの各8つの電位を入力として、各1つの電位を選択し階調電位V2〜V63として出力する機能を有する。30〜32は階調選択回路であり、階調電位V1〜V64のうちの1つの電位を選択し階調電位VS1〜VSnとして出力する機能を有し、33〜35はバッファであり、階調電位VS1〜VSnを入力として低インピーダンス変換後、液晶駆動出力OUT1〜OUTnとして出力する機能を有する。
0016
次に、この構成による液晶駆動回路の階調電位選択動作について説明する。
0017
液晶パネルに印加する階調電位と液晶パネルの透過率との関係は、液晶パネルの種類毎(透過型パネル、反射型パネル、半透過型パネル、パネルメーカ毎等)に異なり、例えば、各種パネルの透過率特性が図3の透過率特性1〜8の間に入っている場合に、まず、階調電位V2を生成するために、透過率特性1に対応する階調基本電位V2(1)から透過率特性8に対応する階調基本電位V2(8)までの8つの階調基本電位V2(1)〜V2(8)を抵抗分割回路1で発生させ、この階調基本電位V2(1)〜V2(8)のうち、液晶パネルの透過率特性に対応した1つの電位を電位選択回路20で階調基本電位選択信号SEL2により選択し、階調電位V2として出力する。この場合、透過率特性1に対応する階調基本電位V2(1)と透過率特性8に対応する階調基本電位V2(8)との透過率は等しい関係にある。同様にして、階調電位V3〜V63も生成する。
0018
以上のようにすることにより、各種液晶パネルの透過率特性に対応することができ、また、途中で、電位選択回路20〜22で階調基本電位選択信号SEL2〜SEL63により、階調基本電位V2(1)〜V63(8)の選択電位を変更すれば、階調表示を変更することができ、液晶パネル表示の見栄えを変えることが出来る。
0019
次に、液晶駆動出力OUT1〜OUTnの出力動作について、タイミングチャートの図2を用いて説明する。
0020
まず、液晶パネルの透過率特性に合わせて、階調基本電位選択信号SEL2〜SEL63により、各電位選択回路20〜22が各階調基本電位V2(1)〜V63(8)の各8つの電位のうちの各1つの電位を選択し階調電位V2〜V63として出力している状態である。
0021
最初の期間T1では、制御信号SWON、RON1、RON2により、トランスファゲート13、14、16がオフしており、制御信号BUFONにより、バッファ15はオフしている。また、階調選択信号CTL1〜CTLnにより、階調選択回路30〜32は、階調電位V1〜V64のうちの1つの電位を選択し(選択状態1a〜na)、階調電位VS1〜VSnとしてバッファ33〜35に入力する。バッファ33〜35では、入力された階調電位VS1〜VSnを低インピーダンス変換後、液晶駆動出力OUT1〜OUTnとして液晶パネルへ出力している状態である。
0022
期間T2では、制御信号RON1、RON2により、トランスファゲート13、14がオンし、制御信号BUFONによりバッファ15がオンする。
0023
次に、期間T3では、制御信号SWONにより、トランスファゲート16がオンし、抵抗分割回路1内の電位VM部分にバッファ15の出力が供給される。
0024
続く期間T4では、階調選択信号CTL1〜CTLnの変化により、階調選択回路30〜32は、階調電位V1〜V64のうちの1つの電位を選択し直し(選択状態1b〜nb)、階調電位VS1〜VSnとしてバッファ33〜35に入力する。バッファ33〜35では、入力された階調電位VS1〜VSnを低インピーダンス変換後、液晶駆動出力OUT1〜OUTnとして液晶パネルへ出力する。この階調選択回路30〜32が切換わる時に、階調選択回路30〜32内の寄生容量及びバッファ33〜35の入力容量を充放電するための電流が電位選択回路20〜22を介して抵抗分割回路1から供給される。
0025
期間T5では、制御信号SWONにより、トランスファゲート16がオフし、抵抗分割回路1内の電位VM部分へのバッファ15の出力供給が無くなる。
0026
次の期間T1では、制御信号RON1、RON2により、トランスファゲート13、14がオフし、制御信号BUFONによりバッファ15がオフする。
0027
上記のように期間T1〜T5を繰り返すことにより、液晶駆動出力OUT1〜OUTnの出力動作を行う。
0028
以上の動作の通り、階調選択回路30〜32が切換わる時には、バッファ15により電位VMが抵抗分割回路1内へ低インピーダンスで供給されるので、従来に比べて抵抗分割回路1内の直列抵抗値を大きくすることが出来る。例えば、電位VMが階調基準電位入力VHとVLとの間の1/2電位の場合は、抵抗分割回路1内の直列抵抗値を従来に比べて2倍にすることができ、抵抗分割回路1内を流れる貫通電流I2を従来に比べて1/2にすることができ、低消費電力化が可能となる。また、階調選択回路30〜32の切換り後の階調電位V1〜V64の安定時には、バッファ15からの電位VMの供給を停止し、抵抗分割回路1内の電位VM部分が抵抗分割比でのみ決まる電位になるので、回路構成(オペアンプによるボルテージフォロア回路等)に起因する出力オフセット電圧(バッファ15の出力電位と入力電位との差)が大きいバッファでもバッファ15として使用することが可能となる。また、バッファ15を使用しない時に停止(制御信号BUFONで停止)させるとともに、抵抗分割回路10への階調基準電位入力VHとVLの供給を停止(トランスファゲート13、14をオフする)することにより抵抗分割回路10内の貫通電流I1が無くなるので、より低消費電力化が図れる。
0029
なお、本実施の形態では、液晶パネルの表示階調として64階調で、この64階調電位を基本電位の各8電位から選択する場合を説明したが、64階調以外の多階調表示の場合でも同様の動作で説明ができる。また、基本電位の各m個の電位から階調電位を選択する場合でも同様の動作で説明が出来る。この場合は、電位選択回路をm個の電位から1つの電位を選択する構成にすればよい。
0030
(第2の実施形態)
図4に発明の第2の施形態の液晶駆動回路の回路図を示す。本実施の形態では、液晶駆動出力数がn出力で、液晶パネルの表示階調として64階調で、この64階調電位を基本電位の各8電位から選択する場合を説明する。
0031
抵抗分割回路1、抵抗2〜7、電位選択回路20〜22、階調選択回路30〜32、バッファ33〜35の機能は第1の実施形態と同じである。
0032
40は抵抗分割回路であり、抵抗41〜43で構成され、階調基準電位入力VH、VLを入力として、電位VGNと電位VGPを発生する機能を有する。45はNチャネル型MOSトランジスタであり、ゲート入力に電位VGNが接続され、ソース又はドレイン入力の一方に電源VH0が接続され、他方に抵抗分割回路1内の電位VM部分が接続されている。46はPチャネル型MOSトランジスタであり、ゲート入力に電位VGPが接続され、ソース又はドレイン入力の一方に電源VL0が接続され、他方に抵抗分割回路1内の電位VM部分が接続されている。電位の大小関係は、Nチャネル型MOSトランジスタ45の閾値電圧をVTNとした場合に、電位VGNは、(VGN<VM+VTN)の関係にあり、電源VH0は、(VH0≧VM)の関係にある。また、Pチャネル型MOSトランジスタ46の閾値電圧の絶対値を|VTP|とした場合に、電位VGPは、(VGP>VM−|VTP|)の関係にあり、電源VL0は、(VL0≦VM)の関係にある。
0033
次に、この構成による液晶駆動回路の階調電位選択動作について説明する。
0034
液晶パネルに印加する階調電位と液晶パネルの透過率との関係は、液晶パネルの種類毎(透過型パネル、反射型パネル、半透過型パネル、パネルメーカ毎等)に異なり、例えば、各種パネルの透過率特性が図3の透過率特性1〜8の間に入っている場合に、まず、階調電位V2を生成するために、透過率特性1に対応する階調基本電位V2(1)から透過率特性8に対応する階調基本電位V2(8)までの8つの階調基本電位V2(1)〜V2(8)を抵抗分割回路1で発生させ、この階調基本電位V2(1)〜V2(8)のうち、液晶パネルの透過率特性に対応した1つの電位を電位選択回路20で階調基本電位選択信号SEL2により選択し、階調電位V2として出力する。この場合、透過率特性1に対応する階調基本電位V2(1)と透過率特性8に対応する階調基本電位V2(8)との透過率は等しい関係にある。同様にして、階調電位V3〜V63も生成する。
0035
以上のようにすることにより、各種液晶パネルの透過率特性に対応することができ、また、途中で、電位選択回路20〜22で階調基本電位選択信号SEL2〜SEL63により、階調基本電位V2(1)〜V63(8)の選択電位を変更すれば、階調表示を変更することができ、液晶パネル表示の見栄えを変えることが出来る。
0036
次に、液晶駆動出力OUT1〜OUTnの出力動作について、タイミングチャートの図5を用いて説明する。
0037
まず、液晶パネルの透過率特性に合わせて、階調基本電位選択信号SEL2〜SEL63により、各電位選択回路20〜22が各階調基本電位V2(1)〜V63(8)の各8つの電位のうちの各1つの電位を選択し階調電位V2〜V63として出力している状態である。
0038
最初の期間T1では、階調選択信号CTL1〜CTLnにより、階調選択回路30〜32は、階調電位V1〜V64のうちの1つの電位を選択し(選択状態1a〜na)、階調電位VS1〜VSnとしてバッファ33〜35に入力する。バッファ33〜35では、入力された階調電位VS1〜VSnを低インピーダンス変換後、液晶駆動出力OUT1〜OUTnとして液晶パネルへ出力している状態である。
0039
期間T2では、階調選択信号CTL1〜CTLnの変化により、階調選択回路30〜32は、階調電位V1〜V64のうちの1つの電位を選択し直し(選択状態1b〜nb)、階調電位VS1〜VSnとしてバッファ33〜35に入力する。バッファ33〜35では、入力された階調電位VS1〜VSnを低インピーダンス変換後、液晶駆動出力OUT1〜OUTnとして液晶パネルへ出力する。この階調選択回路30〜32が切換わる時に、階調選択回路30〜32内の寄生容量及びバッファ33〜35の入力容量を充放電するための電流が電位選択回路20〜22を介して抵抗分割回路1から供給され、この電流により、電位VM部分の電位が一時的に上下に振られるが、この時に、Nチャネル型MOSトランジスタ45またはPチャネル型MOSトランジスタ46がオンし、電位VM部分を抵抗2〜7による抵抗比で決まる本来の電位に戻す。例えば、電位VM部分が低電位側に振られた場合は、(電位VGN−電位VM)がNチャネル型MOSトランジスタ45の閾値電圧VTNより大きくなるため、Nチャネル型MOSトランジスタ45がオンし、(VM>VGN−VTN)になるまで電位VMを高電位側に持ち上げた後、Nチャネル型MOSトランジスタ45がオフする。この時、Pチャネル型MOSトランジスタ46はオフした状態である。また、電位VM部分が高電位側に振られた場合は、(電位VM−電位VGP)がPチャネル型MOSトランジスタ46の閾値電圧の絶対値|VTP|より大きくなるため、Pチャネル型MOSトランジスタ46がオンし、(VM<VGP+|VTP|)になるまで電位VMを低電位側に引き下げた後、Pチャネル型MOSトランジスタ46がオフする。この時、Nチャネル型MOSトランジスタ45はオフした状態である。
0040
以上の動作の通り、階調選択回路30〜32が切換わる時には、Nチャネル型MOSトランジスタ45またはPチャネル型MOSトランジスタ46がオンし、電位VM部分を低インピーダンスで本来の電位へ戻すため、従来に比べて新たな追加制御無しで抵抗分割回路1内の直列抵抗値を大きくすることが出来る。例えば、電位VMが階調基準電位入力VHとVLとの間の1/2電位の場合は、抵抗分割回路1内の直列抵抗値を従来に比べて2倍にすることができ、抵抗分割回路1内を流れる貫通電流I2を従来に比べて1/2にすることができ、低消費電力化が可能となる。また、第1の実施形態に比べて小規模の回路構成で実現できる。
0041
なお、本実施の形態では、液晶パネルの表示階調として64階調で、この64階調電位を基本電位の各8電位から選択する場合を説明したが、64階調以外の多階調表示の場合でも同様の動作で説明ができる。また、基本電位の各m個の電位から階調電位を選択する場合でも同様の動作で説明が出来る。この場合は、電位選択回路をm個の電位から1つの電位を選択する構成にすればよい。
0042
【発明の効果】
本発明に係る液晶駆動回路によれば、従来に比べて第一の抵抗分割回路の低消費電力化と、バッファの消費電力削減と、バッファとして、出力電位と入力電位との差であるオフセット電圧が大きいバッファを使用することが出来るとともに、第二の抵抗分割回路の消費電力削減も出来る。
0043
本発明に係る液晶駆動回路によれば、従来に比べて第一の抵抗分割回路の低消費電力化が出来るとともに、制御無しの小回路規模で実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 請求項1〜4、6記載の本発明の一実施形態における構成を示す回路図
【図2】 請求項1〜4、6記載の本発明の一実施形態におけるタイミングチャート
【図3】 請求項1〜4、6記載の本発明の一実施形態における階調電位と液晶パネルの透過率との関係を示すグラフ
【図4】 請求項5、6記載の本発明の一実施形態における構成を示す回路図
【図5】 請求項5、6記載の本発明の一実施形態におけるタイミングチャート
【図6】 従来の液晶駆動回路の回路図
【図7】 従来の液晶駆動回路の階調電位と液晶パネルの透過率との関係を示すグラフ
【符号の説明】
1、10、40、50 抵抗分割回路
2〜7、11、12、41〜43、51〜53 抵抗
13、14、16 トランスファゲート 15、33〜35 バッファ
20〜22 電位選択回路
30〜32 階調選択回路
45 Nチャネル型MOSトランジスタ
46 Pチャネル型MOSトランジスタ
VH、VL 階調基準電位入力
RON1、RON2、SWON、BUFON 制御信号
SEL1〜SEL63 階調基本電位選択信号
CTL1〜CTLn 階調選択信号
V1〜V63、VS1〜VSn 階調電位
V2(2)〜V63(8) 階調基本電位
VM0、VM 電位
VGN、VGP ゲート電位
VH0、VL0 電源
I1、I2、I10 貫通電流

Claims (2)

  1. 複数の階調基準電位から第一の抵抗分割回路により生成した複数の階調電位を複数の液晶駆動出力として液晶パネルに供給する液晶駆動回路において、前記第一の抵抗分割回路内の所定電位と同じ電位を発生する第二の抵抗分割回路と、前記第二の抵抗分割回路により発生した前記所定電位を入力とし、低インピーダンス化して出力するバッファと、前記バッファの出力と前記第一の抵抗分割回路内の前記所定電位部分とを接続する第一のトランスファゲートと、前記第二の抵抗分割回路と前記複数の階調基準電位入力とを接続する複数の第二のトランスファゲートとを有し、前記液晶駆動出力となる前記階調電位が切り替わる際、前記複数の第二のトランスファゲートをオンすることにより前記第二の抵抗分割回路と前記複数の階調基準電位入力とを接続した後に、前記第一のトランスファゲートをオンすることにより前記バッファの出力と前記第一の抵抗分割回路内の前記所定電位部分とを接続し、前記第一のトランスファゲートをオフした後に、前記第二のトランスファゲートをオフすることを特徴とする液晶駆動回路。
  2. 複数の階調基準電位から第一の抵抗分割回路により生成した複数の階調電位を複数の液晶駆動出力として液晶パネルに供給する液晶駆動回路において、前記第一の抵抗分割回路内の所定電位部分にソースとドレインのどちらか一方を接続し、他方に第一の電源を接続したNチャネル型MOSトランジスタと、前記第一の抵抗分割回路内の前記所定電位部分にソースとドレインのどちらか一方を接続し、他方に第二の電源を接続したPチャネル型MOSトランジスタとを有し、前記Nチャネル型MOSトランジスタの閾値電圧と前記所定電位との和よりも低電位の第一の電位を発生し、前記Pチャネル型MOSトランジスタの閾値電圧の絶対値と前記所定電位との和よりも高電位の第二の電位を発生する第二の抵抗分割回路を有し、前記Nチャネル型MOSトランジスタのゲートに前記第一の電位を接続し、前記Pチャネル型MOSトランジスタのゲートに前記第二の電位を接続することを特徴とする液晶駆動回路。
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