JP3528364B2 - Laser beam synthesizing apparatus, synthesizing method, laser engraving apparatus, and laser engraving method - Google Patents
Laser beam synthesizing apparatus, synthesizing method, laser engraving apparatus, and laser engraving methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、グラビア印刷時に
使用される刷版を作成するレーザ製版装置及びレーザ製
版方法に関し、更に本発明はこれらに限定されずレーザ
ビーム合成装置及び合成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser plate making apparatus and a laser plate making method for producing a printing plate used in gravure printing, and the present invention is not limited to these and relates to a laser beam combining apparatus and a combining method.
【０００２】[0002]
〔レーザ製版装置〕最初に、本発明が関係するレーザ製
版装置について一般的な事項について説明する。レーザ
製版装置は、電子グラビアシステム製版装置とも呼ば
れ、グラビア印刷時に使用される刷版（凹版）を作成す
る装置である。[Laser Plate Making Apparatus] First, general items of the laser plate making apparatus related to the present invention will be described. The laser plate making apparatus is also called an electronic gravure system plate making apparatus, and is an apparatus for making a printing plate (intaglio) used at the time of gravure printing.
【０００３】従来、グラビア印刷は、印刷に使用される
刷版（凹版）に金属製版シートを用い、この金属製版シ
ートに画像の濃淡を写真製版しエッチング技術を用いて
微小な凹部の集合からなる２次元の網点画像版を形成し
ていた。次の印刷段階では、この刷版をインキ溜に浸し
た後、余分なインキを掻き落とし、紙面に圧着して印刷
が出来上がる。グラビア印刷は、数百枚〜数千枚の印刷
が容易に出来るので多用されている。Conventionally, in gravure printing, a metal plate is used as a printing plate (intaglio plate) used for printing, and the metal plate sheet is made up of a set of minute recesses by photolithography of the image density and the etching technique. A two-dimensional halftone image plate was formed. In the next printing stage, the printing plate is dipped in an ink reservoir, and then excess ink is scraped off and pressed onto the paper surface to complete printing. Gravure printing is widely used because it can easily print hundreds to thousands of sheets.
【０００４】近年、刷版として樹脂製のシート使用する
電子グラビアの技術が実用化されている。このレーザ製
版装置は、図８に示すような装置であり、レーザビーム
を使用し、刷版の樹脂製シートに画像の濃淡に対応した
凹部を形成している。刷版の樹脂製シートは、例えば表
面層に変性ポリエステル等の熱可塑性樹脂がコーティン
グしてある。In recent years, an electronic gravure technique using a resin sheet as a printing plate has been put into practical use. This laser plate making apparatus is an apparatus as shown in FIG. 8 and uses a laser beam to form recesses corresponding to the light and shade of an image on a resin sheet of a printing plate. The resin sheet of the printing plate has a surface layer coated with a thermoplastic resin such as modified polyester.
【０００５】図８に示すようにレーザ製版装置は、概し
て、主走査部として軸４の周りに（Ａ方向又はＢ方向
に）回転駆動される版胴部１と、半導体レーザ（ＬＤ）
及び光学系からなるレーザブロック部１０，２１と、こ
のレーザブロック部１０，２１を版胴１の軸方向に（Ｃ
方向又はＤ方向に）直線駆動する副走査部とを備えてい
る。版胴部１には、被加工物である樹脂製シート２が巻
き付けられている。As shown in FIG. 8, a laser plate making apparatus generally has a plate body 1 which is driven to rotate about an axis 4 (in the direction A or B) as a main scanning unit, and a semiconductor laser (LD).
And the laser block portions 10 and 21 including the optical system, and the laser block portions 10 and 21 in the axial direction of the plate cylinder 1 (C
Direction or D direction). A resin sheet 2, which is a workpiece, is wound around the plate body 1.
【０００６】主走査部は、版胴部１，版胴回転駆動用モ
ータ７等よりなる。版胴部１は、複数本のタイミングベ
ルト５及び複数個のプーリ６を介して版胴回転駆動用モ
ータ７に駆動連結されており、Ａ方向又はＢ方向に回転
駆動される。The main scanning unit comprises a plate cylinder unit 1, a plate cylinder rotation driving motor 7, and the like. The plate cylinder 1 is drivingly connected to a plate cylinder rotation driving motor 7 via a plurality of timing belts 5 and a plurality of pulleys 6, and is rotationally driven in the A direction or the B direction.
【０００７】レーザブロック部１０，２１については後
述する。The laser block units 10 and 21 will be described later.
【０００８】副走査部は、レーザブロック移動用モータ
２４，このモータ２４の回転子（図示せず。）に連結さ
れ軸受部２３Ｒ，２３Ｌの間に版胴部１の軸方向に橋絡
されたボールネジ２６，このボールネジ２６に螺合され
た移動子２７等よりなり、レーザブロック移動用モータ
２４がボールネジ２６を回転駆動し、ボールネジ２６の
回転運動が移動子２７の直線運動に変換される。この直
線運動する移動子２７にアーム２９を介して連結された
（レーザブロック取付台２８上の）レーザブロック部１
０，２１は、２本のレール２２によって極めて精確に定
められた軌道を軸方向に平行に（Ｃ方向又はＤ方向に）
移動する。The sub-scanning portion is connected to a laser block moving motor 24 and a rotor (not shown) of the motor 24, and is bridged in the axial direction of the plate body portion 1 between bearing portions 23R and 23L. The ball screw 26, the moving element 27 screwed to the ball screw 26, etc., and the laser block moving motor 24 rotationally drives the ball screw 26, and the rotational movement of the ball screw 26 is converted into the linear movement of the moving element 27. The laser block unit 1 (on the laser block mount 28) connected to the mover 27 that moves linearly via an arm 29.
0, 21 is a track that is extremely accurately defined by two rails 22 and is parallel to the axial direction (in the C direction or D direction).
Moving.
【０００９】（レーザ製版装置の動作）上述のレーザ製
版装置の動作について説明する。図９は、図８のレーザ
製版装置の主要な機能のブロック図である。(Operation of Laser Plate Making Apparatus) The operation of the above laser plate making apparatus will be described. FIG. 9 is a block diagram of the main functions of the laser plate making apparatus of FIG.
【００１０】マイクロコンピュータ（ＣＰＵ）３２は、
レーザ製版装置全体を動作を制御する。ＣＰＵ３２に接
続されたデータＲＡＭ３８には、印刷する画像の画像デ
ータが蓄積されている。カラー印刷の場合は、例えば、
Ｃ（シアン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー），ＢＫ
（ブラック）のディジタル画像データ等である。The microcomputer (CPU) 32 is
Controls the operation of the entire laser plate making device. Image data of an image to be printed is stored in a data RAM 38 connected to the CPU 32. For color printing, for example,
C (cyan), M (magenta), Y (yellow), BK
This is (black) digital image data or the like.
【００１１】ＣＰＵ３２に接続されたガンマテーブル４
２は、例えばＲＯＭ等に蓄積された非線形の変換テーブ
ルである。ＣＰＵ３２は、データＲＡＭ３８に蓄積され
た画像データ４０をガンマテーブル４２と比較し、画像
データ４０に対応した形状をもつ凹部を樹脂製シート２
上に形成するに必要なレーザ強度及び発光時間の出力関
係の値を決定する。即ち、Ｃ（シアン），Ｍ（マゼン
タ），Ｙ（イエロー）の各刷版の各画素のデータに対応
するレーザ強度及び発光時間の出力関係の値を決定す
る。必要に応じて、Ｂ（ブラック）の刷版データをも含
める。Gamma table 4 connected to the CPU 32
Reference numeral 2 is a non-linear conversion table stored in, for example, a ROM. The CPU 32 compares the image data 40 stored in the data RAM 38 with the gamma table 42, and determines the concave portion having a shape corresponding to the image data 40 to the resin sheet 2
The value of the output relationship between the laser intensity and the emission time required for forming the above is determined. That is, the value of the output relationship of the laser intensity and the light emission time corresponding to the data of each pixel of each plate of C (cyan), M (magenta), and Y (yellow) is determined. If necessary, B (black) printing plate data is also included.
【００１２】マイクロコンピュータ（ＣＰＵ）３２によ
り、版胴回転用ドライバ（版胴回転用駆動装置）３５に
回転制御信号が送られ、この回転制御信号より版胴回転
用ドライバ３５は版胴回転用モータ７に駆動パルス信号
を送り、版胴１はこの駆動パルスに同期して歩進的に回
転する。一方、ＣＰＵ３２は、データＲＡＭ３８に蓄積
された画像データからガンマテーブル４２に従ってレー
ザ強度及び発光時間を決定し、このデータをレーザドラ
イバ（レーザ駆動装置）４３に送る。A rotation control signal is sent from a microcomputer (CPU) 32 to a plate cylinder rotation driver (plate cylinder rotation drive device) 35. From the rotation control signal, the plate cylinder rotation driver 35 drives the plate cylinder rotation motor. A driving pulse signal is sent to 7, and the plate cylinder 1 rotates stepwise in synchronization with this driving pulse. On the other hand, the CPU 32 determines the laser intensity and the light emission time according to the gamma table 42 from the image data stored in the data RAM 38, and sends this data to the laser driver (laser driving device) 43.
【００１３】レーザドライバ４３は、版胴回転用モータ
７の駆動パルスに同期して、このデータに対応したパル
ス信号を半導体レーザ１０に送って半導体レーザ１０を
発光させ、樹脂製シート２の照射スポット箇所の樹脂を
溶融飛散及び昇華させて所定の凹部を樹脂製シート２上
に形成する。半導体レーザ１０は版胴１に巻き付けられ
た樹脂製シート２の円周に沿って画像データに対応した
凹部を次々と形成する。レーザのスポット形状は、典型
的には５０〔ミクロン〕程度の角形で、画像の階調に合
わせて照射され、樹脂製シートに形成される凹部の深さ
は５〜６〔ミクロン〕程度である。The laser driver 43 sends a pulse signal corresponding to this data to the semiconductor laser 10 to cause the semiconductor laser 10 to emit light in synchronism with the drive pulse of the plate cylinder rotating motor 7, and the irradiation spot on the resin sheet 2 is irradiated. The resin is melted and scattered and sublimated to form a predetermined recess on the resin sheet 2. The semiconductor laser 10 sequentially forms recesses corresponding to image data along the circumference of the resin sheet 2 wound around the plate cylinder 1. The spot shape of the laser is typically a square shape of about 50 [micron], and the depth of the concave portion formed on the resin sheet is 5 to 6 [micron], which is irradiated according to the gradation of the image. .
【００１４】版胴１が１回転するまで画像に対応した凹
部を形成し、１回転の終了に同期してレーザブロック部
１０，２１が１画素分だけ版胴１の軸方向に移動させる
移動制御信号をレーザブロック移動用モータドライバ３
３に送り、レーザブロック移動用モータ２４を回転駆動
して、レーザブロック部１０，２１を移動させる。A movement control for forming a concave portion corresponding to an image until the plate cylinder 1 makes one rotation, and moving the laser block portions 10 and 21 by one pixel in the axial direction of the plate cylinder 1 in synchronization with the end of one rotation. Motor driver for moving the laser block 3
3, the laser block moving motor 24 is rotationally driven to move the laser block units 10 and 21.
【００１５】このように版胴１を回転しながら１周分の
凹部を形成し、その後レーザブロック１０，２１を１画
素分だけ移動する動作を繰り返して、所定の面積の樹脂
製シート２に画像に対応した凹部を形成する。In this way, while rotating the plate cylinder 1 to form a concave portion for one rotation, and thereafter, the operation of moving the laser blocks 10 and 21 by one pixel is repeated to form an image on the resin sheet 2 having a predetermined area. To form a concave portion corresponding to.
【００１６】レーザ製版装置は、上述のように、版胴回
転用モータ７による版胴１の回転及びレーザブロック移
動用モータ２４によるレーザブロック部１０，２１の直
線移動を同期させながら、半導体レーザ１０を放射し樹
脂製シート２上に画像データに対応した凹部の集合を形
成する装置である。As described above, the laser plate making apparatus synchronizes the rotation of the plate cylinder 1 by the plate cylinder rotating motor 7 and the linear movement of the laser block portions 10 and 21 by the laser block moving motor 24 while the semiconductor laser 10 is being synchronized. Is a device for forming a set of concave portions corresponding to image data on the resin sheet 2.
【００１７】（従来のレーザビーム光学系）図１０は、
このようなレーザ製版装置に用いられる従来のレーザ製
版装置のレーザブロック部１０，２１に内蔵されたレー
ザビーム光学系の要部を示す図である。レーザブロック
部は、半導体レーザ１０及び光学系２１からなる。光学
系２１は、半導体レーザ１０に隣接して配置されたコリ
メータレンズ５０，アナモルフィックプリズム５１，対
物レンズ５２及びカバーガラス（ＣＧ）５３が光軸に沿
ってきょう体に順次配置されている。(Conventional Laser Beam Optical System) FIG.
It is a figure which shows the principal part of the laser beam optical system built in the laser block parts 10 and 21 of the conventional laser plate making apparatus used for such a laser plate making apparatus. The laser block unit includes the semiconductor laser 10 and the optical system 21. In the optical system 21, a collimator lens 50, an anamorphic prism 51, an objective lens 52, and a cover glass (CG) 53, which are arranged adjacent to the semiconductor laser 10, are sequentially arranged in a hollow body along the optical axis.
【００１８】半導体レーザ１０からレーザビームが放射
され、コリメータレンズ５０によりコリメートされ、ア
ナモルフィックプリズム５１によりビーム整形され、対
物レンズ５２で集束されて、版胴部１に巻き付けられた
樹脂製シート２に所望の像を結ぶようにされる。A laser beam is emitted from the semiconductor laser 10, collimated by a collimator lens 50, beam-shaped by an anamorphic prism 51, focused by an objective lens 52, and wound on a plate cylinder portion 1. The desired image is formed.
【００１９】図１１は、このようなレーザビーム系の実
際の構成を示す図である。半導体レーザ１０はＬＤ（la
ser diode ）ホルダ６１に保持され、コリメータレンズ
５０はコリメータレンズホルダ６０に保持され、アナモ
ルフィックプリズム５１はアナ モルフィックプリズム
ホルダ６３に保持され、対物レンズ５２は対物レンズホ
ル ダ６４に保持されている。FIG. 11 is a diagram showing an actual configuration of such a laser beam system. The semiconductor laser 10 is an LD (la
ser diode) Holder 61, collimator lens 50 is held by collimator lens holder 60, anamorphic prism 51 is held by anamorphic prism holder 63, and objective lens 52 is held by objective lens holder 64. .
【００２０】[0020]
【発明が解決しようとする課題】現在、レーザ製版装置
で使用されているレーザビームは、単一のレーザビーム
源（シングルビーム）であり、例えばＡ３サイズの刷版
に凹部を形成するのに平均４０分の作業時間を必要とし
ている。このため利用者の間から、この製版時間を短縮
化することが求められている。The laser beam currently used in the laser plate making apparatus is a single laser beam source (single beam), and is an average for forming concave portions on, for example, an A3 size printing plate. It requires 40 minutes of working time. For this reason, it is required among users to shorten the plate making time.
【００２１】この製版時間の短縮化の１つのアプローチ
として、既に本願出願人は複数個のレーザ源を版胴の周
囲に円周方向又は回転軸方向に配設したマルチビーム方
式レーザ製版装置を提案した。As one approach to shortening the plate making time, the applicant has already proposed a multi-beam type laser plate making apparatus in which a plurality of laser sources are arranged around the plate cylinder in the circumferential direction or the rotation axis direction. did.
【００２２】図１２は、本願出願人により既に提案され
たマルチビーム方式レーザ製版装置の全体構成を示す図
である。図１２に示すマルチビーム方式は、４個のレー
ザブロック１０Ａ及び２１Ａ，１０Ｂ及び２１Ｂ，１０
Ｃ及び２１Ｃ，１０Ｄ及び２１Ｄを同一のレーザブロッ
ク取付台２８上に固定して、レール２２に沿って一体に
移動している。ここで、レーザブロック１０Ａ及び２１
Ａは樹脂製シート２の製版エリアの一部の領域Ａを、レ
ーザブロック１０Ｂ及び２１Ｂは領域Ｂを、レーザブロ
ック１０Ｃ及び２１Ｃは領域Ｃを、レーザブロック１０
Ｄ及び２１Ｄは領域Ｄを、夫々受け持って凹部を形成す
るように構成されている。FIG. 12 is a diagram showing the overall configuration of a multi-beam type laser plate making apparatus already proposed by the applicant of the present application. The multi-beam method shown in FIG. 12 has four laser blocks 10A and 21A, 10B and 21B, 10
C and 21C, 10D and 21D are fixed on the same laser block mount 28, and are integrally moved along the rail 22. Here, the laser blocks 10A and 21
A is a partial area A of the plate-making area of the resin sheet 2, laser blocks 10B and 21B are areas B, laser blocks 10C and 21C are areas C, and laser block 10 is
D and 21D are configured to respectively take the region D and form a recess.
【００２３】このマルチビーム方式は、１個当たりのレ
ーザビーム源の製版面積が減少し製版時間の短縮化には
有効であるものの、１つの版胴内で異なるレーザ源が照
射する領域の境界部（つなぎ目）の調整が非常に難しい
という問題点が生じている。即ち、各レーザヘッドの位
置調整は数ミクロン単位で行う必要があり、また各レー
ザヘッドの光学的調整及び出力調整も微妙なものを必要
としている。結果的に、現在では各レーザヘッドの形成
する凹部に微妙な差異が生じ、刷版全体に亘って均一な
仕上がりを期待出来ず、照射するエリアのつなぎ目を完
全に消すことは難しい状況にある。このようなつなぎ目
の残る刷版はグラビア印刷には使用できない。This multi-beam method is effective for shortening the plate-making time by reducing the plate-making area of each laser beam source, but it is a boundary part between regions irradiated by different laser sources in one plate cylinder. There is a problem that it is very difficult to adjust the (joint). That is, the position adjustment of each laser head needs to be performed in units of several microns, and the optical adjustment and output adjustment of each laser head are also required to be delicate. As a result, at present, there are subtle differences in the recesses formed by the laser heads, a uniform finish cannot be expected over the entire printing plate, and it is difficult to completely eliminate the joints in the irradiation area. Plates with such joints cannot be used for gravure printing.
【００２４】従って、本発明は、上述の問題点に鑑み
て、レーザ製版装置において製版時間を短縮することを
目的とする。Therefore, in view of the above problems, it is an object of the present invention to shorten the plate making time in a laser plate making apparatus.
【００２５】更に本発明は、レーザ製版装置において製
版時間を短縮すると共に、仕上がりの刷版全体に亘り品
質的に局部的不均一が無いレーザ製版装置を提供するこ
とを目的とする。A further object of the present invention is to provide a laser plate making apparatus which shortens the plate making time in the laser plate making apparatus and has no local unevenness in quality over the entire finished printing plate.
【００２６】更に本発明は、レーザ製版装置を離れて、
一般的にレーザビーム合成装置及び合成方法を提供する
ことをも目的とする。Further, according to the present invention, when the laser plate making apparatus is separated,
In general, it is also an object to provide a laser beam synthesizing apparatus and a synthesizing method.
【００２７】[0027]
【課題を解決するための手段】本発明は、偏光方向に加
えて波長の相違を利用して４つのレーザビームを利用す
ることを提案する。この製版装置は、波長λ1 をもつレ
ーザビームを放射する第１及び第２の半導体レーザ装置
と、上記第１及び第２の半導体レーザ装置の各々の出射
レーザビームを夫々コリメートする第１及び第２のコリ
メータレンズと、上記第１及び第２のコリメータレンズ
の各々の出射レーザビームを夫々ビーム整形する第１及
び第２のアナモリフィックプリズムと、上記第２のアナ
モリフィックプリズムからのレーザビームの偏光面を回
転させる第１の二分の一波長板と、上記第１の上記アナ
モリフィックプリズムからのレーザビームと上記第１の
二分の一波長板からのレーザビームとを合成する第１の
偏光ビームスプリッタと、更に、波長λ2 をもつレーザ
ビームを放射する第３及び第４の半導体レーザ装置と、
上記第３及び第４の半導体レーザ装置の各々の出射レー
ザビームを夫々コリメートする第３及び第４のコリメー
タレンズと、上記第３及び第４のコリメータレンズの各
々の出射レーザビームを夫々ビーム整形する第３及び第
２のアナモリフィックプリズムと、上記第４のアナモリ
フィックプリズムからのレーザビームの偏光面を回転さ
せる第２の二分の一波長板と、上記第３の上記アナモリ
フィックプリズムからのレーザビームと上記第２の二分
の一波長板からのレーザビームとを合成する第２の偏光
ビームスプリッタと、上記第１の偏光ビームスプリッタ
から出射する波長λ1 の合成レーザビームと上記第２の
偏光ビームスプリッタから出射する波長λ2 の合成レー
ザビームとを合成するダイクロイックミラーと、上記ダ
イクロイックミラーから出射する合成レーザビームを集
束する対物レンズとを備え、この集束された合成レーザ
ビームを樹脂製シートに照射し凹部を形成して刷版を形
成する。このような構成により、偏光方向及び波長の相
違により、４つのレーザビームを利用することが出来
る。The present invention proposes to utilize four laser beams by utilizing the difference in wavelength in addition to the polarization direction. This plate-making device includes first and second semiconductor laser devices that emit a laser beam having a wavelength λ1 and first and second semiconductor laser devices that collimate the respective emitted laser beams of the first and second semiconductor laser devices. Collimator lens, first and second anamorphic prisms for respectively shaping the emitted laser beams of the first and second collimator lenses, and polarization planes of the laser beams from the second anamorphic prism. A first half-wave plate that rotates the first half-wave plate, and a first polarization beam splitter that combines the laser beam from the first anamorphic prism with the laser beam from the first half-wave plate. And third and fourth semiconductor laser devices for emitting a laser beam having a wavelength λ2,
The third and fourth collimator lenses for collimating the emitted laser beams of the third and fourth semiconductor laser devices, respectively, and the emitted laser beams of the third and fourth collimator lenses are shaped, respectively. Third and second anamorphic prisms, a second half-wave plate for rotating the polarization plane of the laser beam from the fourth anamorphic prism, and a laser beam from the third anamorphic prism And a second polarization beam splitter for combining the laser beam from the second half-wave plate, a combined laser beam of wavelength λ1 emitted from the first polarization beam splitter, and the second polarization beam splitter. Dichroic mirror for synthesizing a synthetic laser beam of wavelength λ 2 emitted from And an objective lens for focusing the combined laser beam al emitted the focused combined laser beam to form a to form a recess by irradiating the resin sheet plate. With such a configuration, four laser beams can be used due to the difference in polarization direction and wavelength.
【００２８】[0028]
【００２９】[0029]
【００３０】また本発明は、同様に製版方法の発明とし
ても把握することが出来る。更に、本発明の技術思想
は、製版装置及び製版方法から離れて、レーザの合成装
置及びレーザの合成方法としても捉えることが出来る。The present invention can also be understood as an invention of a plate making method. Further, the technical idea of the present invention can be understood as a laser synthesizing apparatus and a laser synthesizing method, apart from the plate-making apparatus and the plate-making method.
【００３１】[0031]
（レーザビーム光学系の要部）
図１は、レーザ製版装置の一実施例のレーザビーム光学
系の要部を示す図である。本実施例は、レーザビームの
偏光方向に着目して、２個のレーザビーム源からのレー
ザビームを合成して樹脂製シートの同一箇所の凹部を形
成出来るようにし、実質的にレーザビームの出力を増大
して製版時間を短縮化すると共に、刷版全体に亘って均
一な品質の凹部を形成している。(Main Part of Laser Beam Optical System) FIG. 1 is a diagram showing a main part of a laser beam optical system of an embodiment of a laser plate making apparatus. In this embodiment, paying attention to the polarization direction of the laser beam, the laser beams from the two laser beam sources are combined so that the recesses at the same position of the resin sheet can be formed. Is increased to shorten the plate making time, and at the same time, a concave portion of uniform quality is formed over the entire plate.
【００３２】図に示すように、半導体レーザ１０Ａから
のレーザビームの光軸ＯＡ-Aに沿って、コリメータレン
ズ５０Ａ，アナモルフィックプリズム５１Ａ，偏光ビー
ムスプリッタ５５ＡＢ，対物レンズ５２及びカバーガラ
ス５３が、直列関係で順次配置されている。この内、偏
光ビームスプリッタ５５ＡＢを除く各光学素子は、図１
１に示した従来のレーザビーム光学系の半導体レーザ１
０，コリメータレンズ５０，アナモルフィックプリズム
５１，対物レンズ５２及びカバーガラス５３と夫々同じ
でよい。説明の都合上、これを「ルートＡ」のレーザビ
ームとし、図中の各光学素子の参照符号に「Ａ」をつけ
て識別する。As shown in the figure, along the optical axis OA-A of the laser beam from the semiconductor laser 10A, the collimator lens 50A, the anamorphic prism 51A, the polarization beam splitter 55AB, the objective lens 52 and the cover glass 53 are They are arranged one after another in a serial relationship. Of these, each optical element except the polarization beam splitter 55AB is shown in FIG.
The semiconductor laser 1 of the conventional laser beam optical system shown in FIG.
0, the collimator lens 50, the anamorphic prism 51, the objective lens 52, and the cover glass 53, respectively. For convenience of description, this will be referred to as a “route A” laser beam, and reference numerals of the optical elements in the figure will be identified by adding “A” to the reference numerals.
【００３３】ルートＡのレーザビームに対して直交関係
に、レーザビームのルートＢが形成される。即ち、図で
見て偏光ビームスプリッタ５５ＡＢの上方に、半導体レ
ーザ１０Ｂからのレーザビームの光軸ＯＡ-Bに沿って、
コリメータレンズ５０Ｂ，アナモルフィックプリズム５
１Ｂが直列関係で順次配置されている。このレーザビー
ムを「ルートＢ」とする。同様に、参照符号に「Ｂ」を
つけて識別する。A route B of the laser beam is formed so as to be orthogonal to the laser beam of the route A. That is, as shown in the figure, above the polarization beam splitter 55AB, along the optical axis OA-B of the laser beam from the semiconductor laser 10B,
Collimator lens 50B, anamorphic prism 5
1B are sequentially arranged in a serial relationship. This laser beam is referred to as "route B". Similarly, the reference numeral is identified by adding "B".
【００３４】図に示すように、各光学素子は、ルートＡ
のレーザビームの光軸ＯＡ-AがルートＢのレーザビーム
の光軸ＯＡ-Bに対して偏光ビームスプリッタ５５の箇所
で直交し一致する関係になるように配置されている。As shown in the figure, each optical element is route A
The optical axis OA-A of the laser beam is orthogonal to the optical axis OA-B of the laser beam of the route B at the position of the polarization beam splitter 55, and the optical axis OA-A and the optical axis OA-B of the route B are arranged so as to coincide with each other.
【００３５】先ず、「ルートＡ」の各光学素子について
説明する。半導体レーザ１０Ａは、例えば近赤外レーザ
ダイオードであり、現在市販レベルで最高出力の２
〔Ｗ〕でＴＡＰＳ（tapared stripe）を放射し、レーザ
ビームの波長λは７８０〜８３０ｎｍの高出力半導体レ
ーザである。半導体レーザ１０Ａから放射されるレーザ
ビームはＰ偏光であり、コリメータレンズ５０Ａに入射
する。First, each optical element of "route A" will be described. The semiconductor laser 10A is, for example, a near-infrared laser diode, and has a maximum output of 2 at the current commercial level.
It is a high-power semiconductor laser that emits TAPS (tapared stripe) in [W] and has a laser beam wavelength λ of 780 to 830 nm. The laser beam emitted from the semiconductor laser 10A is P-polarized and enters the collimator lens 50A.
【００３６】ここで、「Ｐ偏光」とは、一般に試料面に
入射する光の電気ベクトルの振動方向が入射面（試料面
の法線と波面放線（ビームの進行方向）を含む面）内に
含まれる直角偏光であり、これ対する「Ｓ偏光」とは、
一般に試料面に入射する光の電気ベクトルの振動方向が
入射面（試料面の法線と波面放線（ビームの進行方向）
を含む面）に垂直な直角偏光で有り、両者は直交する関
係にある。Here, “P-polarized light” generally means that the vibration direction of the electric vector of the light incident on the sample surface is within the incident surface (the surface including the normal to the sample surface and the wavefront radiation (the traveling direction of the beam)). The included right-angled polarized light is "S-polarized light", which is the opposite.
Generally, the vibration direction of the electric vector of the light incident on the sample surface is the incident surface (the normal to the sample surface and the wavefront radiation (the traveling direction of the beam)).
Is a right-angled polarized light that is perpendicular to the plane including the two, and the two have an orthogonal relationship.
【００３７】コリメータレンズ５０Ａは、所定の焦点距
離を有し、半導体レーザ１０Ａからのレーザビームの光
束を光軸ＯＡ-Aに対し夫々平行光にコリメート（視準。
ビームの全てを相互に平行光にすること。）するよう作
用する光学素子である。コリメータレンズ５０Ａは、適
当な移動手段（図示せず。）により光軸の方向に移動出
来るようになっている。The collimator lens 50A has a predetermined focal length, and collimates the laser beam from the semiconductor laser 10A into parallel light with respect to the optical axis OA-A (collimation).
Making all of the beams parallel to each other. ) Is an optical element that acts to The collimator lens 50A can be moved in the direction of the optical axis by an appropriate moving means (not shown).
【００３８】アナモルフィックプリズム（anamorphic p
rizm 「アナモフィックプリズム」とも表記される。）
５１Ａは、ビーム形状を整形するための光学素子であ
り、このため像面上で垂直方向と水平方向の倍率が異な
る像を生ずるように作用する光学素子である。アナモル
フィックプリズム５１Ａは、材質ＢＫ−７等の２個の３
角柱状のプリズム（以下、「三角プリズム」という。）
５１Ａ-1，５１Ａ-2の底面をアルミ製ベース板に張り付
けた構成になっていて、この３角プリズムの上面と底面
は直角３角形になっている。図１から分かるように、コ
リメータレンズ５０Ａから出射されたレーザビームは、
三角プリズム５１Ａ-1の斜辺側面に入射し、屈折して高
さ側面から出射する。そして、更に三角プリズム５１Ａ
-2の斜面側面に入射し、屈折して高さ側面から出射し
て、偏光ビームスプリッタ５５ＡＢに向かう。Anamorphic prism
rizm Also referred to as “anamorphic prism”. )
Reference numeral 51A is an optical element for shaping the beam shape, and is therefore an optical element that acts so as to produce images having different vertical and horizontal magnifications on the image plane. The anamorphic prism 51A is made up of two 3
Prismatic prism (hereinafter referred to as "triangular prism")
The bottom surfaces of 51A-1 and 51A-2 are attached to an aluminum base plate, and the top and bottom surfaces of this triangular prism are right-angled triangles. As can be seen from FIG. 1, the laser beam emitted from the collimator lens 50A is
It is incident on the hypotenuse side surface of the triangular prism 51A-1, refracted and emitted from the height side surface. And further, the triangular prism 51A
The light enters the −2 slope side surface, is refracted, and exits from the height side surface toward the polarization beam splitter 55AB.
【００３９】偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ polarizat
ion beam splitter ）５５ＡＢは、複屈折性結晶を用い
て二光線束に分離する光学素子で、入射Ｐ偏光を透過し
又は入射Ｓ偏光を９０度方向に反射するよう作用する。
このため、アナモルフィックプリズム５１ＡからのＰ偏
光レーザビームは、偏光ビームスプリッタ５５ＡＢを透
過して、対物レンズ５２に向かう。Polarizing beam splitter (PBS polarizat
The ion beam splitter) 55AB is an optical element that splits into two light fluxes using a birefringent crystal, and acts so as to transmit the incident P-polarized light or reflect the incident S-polarized light in the direction of 90 degrees.
Therefore, the P-polarized laser beam from the anamorphic prism 51A passes through the polarizing beam splitter 55AB and goes toward the objective lens 52.
【００４０】対物レンズ５２は、所定の焦点距離を有
し、偏光ビームスプリッタ５５ＡＢからのＰ偏光のレー
ザビームの光線束を版胴１に取り巻かれた樹脂製シート
２上に集束し、所定の凹部を形成する。The objective lens 52 has a predetermined focal length and focuses the light beam of the P-polarized laser beam from the polarization beam splitter 55AB onto the resin sheet 2 surrounded by the plate cylinder 1 to form a predetermined concave portion. To form.
【００４１】ルートＡのレーザビームの場合、図１０で
説明した従来のレーザビーム光学系と同様に作用し、偏
光ビームスプリッタ５５ＡＢは透過作用をしている。In the case of the laser beam of the route A, the laser beam optical system operates similarly to the conventional laser beam optical system described with reference to FIG. 10, and the polarization beam splitter 55AB acts as a transmission.
【００４２】次に、「ルートＢ」について説明する。ル
ートＢの半導体レーザ１０Ｂ，コリメータレンズ５０Ｂ
及びアナモルフィックプリズム５１Ｂは、上述したルー
トＡの半導体レーザ１０Ａ，コリメータレンズ５０Ａ及
びアナモルフィックプリズム５１Ａと、夫々同様であ
る。Next, the "route B" will be described. Route B semiconductor laser 10B, collimator lens 50B
The anamorphic prism 51B is the same as the semiconductor laser 10A of route A, the collimator lens 50A, and the anamorphic prism 51A described above, respectively.
【００４３】半導体レーザ１０Ｂから放射されるレーザ
ビームは、同様に、Ｐ偏光であり、コリメータレンズ５
０Ｂに入射する。Similarly, the laser beam emitted from the semiconductor laser 10B is P-polarized and the collimator lens 5
It is incident on OB.
【００４４】コリメータレンズ５０Ｂは、半導体レーザ
１０Ｂからのレーザビームの光束を光軸ＯＡ-Bに対し平
行光にするよう作用する。コリメータレンズ５０Ｂは、
適当な移動手段（図示せず。）により光軸ＯＡ-Bの方向
に移動出来る。The collimator lens 50B acts so that the light beam of the laser beam from the semiconductor laser 10B becomes parallel to the optical axis OA-B. The collimator lens 50B is
It can be moved in the direction of the optical axis OA-B by a suitable moving means (not shown).
【００４５】アナモルフィックプリズム５１Ｂでは、コ
リメータレンズから出射されたレーザビームは、三角プ
リズム５１Ｂ-1の斜辺側面に入射し、屈折して高さ側面
から出射する。そして、更に三角プリズム５１Ｂ-2の傾
斜面側面に入射し、屈折して高さ側面から出射して、二
分の一波長板５４に向かう。In the anamorphic prism 51B, the laser beam emitted from the collimator lens is incident on the oblique side surface of the triangular prism 51B-1, refracted and emitted from the height side surface. Then, the light further enters the inclined side surface of the triangular prism 51B-2, is refracted, exits from the height side surface, and goes toward the half-wave plate 54.
【００４６】ルートＡと異なり、ルートＢには二分の一
波長板５４が配置されている。二分の一波長板５４は、
レーザビームの偏光面を回転する電子光学的な複屈折板
からなる光学素子である。二分の一波長板５４は、アナ
モルフィックプリズム５１Ｂから入射するＰ偏光のレー
ザビームをＳ偏光に回転して、偏光ビームスプリッタ５
５ＡＢに向ける。Unlike the route A, the half wave plate 54 is arranged on the route B. The half wave plate 54
It is an optical element composed of an electron-optical birefringent plate that rotates the plane of polarization of a laser beam. The half-wave plate 54 rotates the P-polarized laser beam incident from the anamorphic prism 51B into S-polarized light, and the polarization beam splitter 5
Turn to 5AB.
【００４７】上述のように、偏光ビームスプリッタ５５
ＡＢは、Ｐ偏光を透過し又はＳ偏光を９０度方向に反射
するよう作用する光学素子である。このため、二分の一
波長板５４からのＳ偏光レーザビームは、偏光ビームス
プリッタ５５で９０度方向に反射して、対物レンズ５２
に向けられる。ここで、ルートＢの光軸ＯＡ-Bがルート
Ａの光軸ＯＡ-Aと整合し、これ以降同一の光軸ＯＡABと
なるように、ルートＡ及びルートＢの各光学素子は相対
的に位置決めされている。As described above, the polarization beam splitter 55
AB is an optical element that acts to transmit P-polarized light or reflect S-polarized light in the direction of 90 degrees. Therefore, the S-polarized laser beam from the half-wave plate 54 is reflected by the polarization beam splitter 55 in the 90 ° direction, and the objective lens 52 is reflected.
Directed to. Here, the optical elements of the route A and the route B are relatively positioned so that the optical axis OA-B of the route B is aligned with the optical axis OA-A of the route A and has the same optical axis OAAB thereafter. Has been done.
【００４８】同様に、対物レンズ５２は、偏光ビームス
プリッタ５５ＡＢからのＳ偏光レーザビームの光線束を
版胴１（図示せず。）に取り巻かれた樹脂製シート２
（図示せず。）に集束する。Similarly, in the objective lens 52, the resin sheet 2 in which the light beam of the S-polarized laser beam from the polarization beam splitter 55AB is wrapped around the plate cylinder 1 (not shown).
Focus on (not shown).
【００４９】図１のレーザビーム光学系では、ルートＡ
の半導体レーザ１０Ａ及びルートＢの半導体レーザ１０
Ｂの両方から出射されたレーザビームが樹脂製シート２
上の同一箇所に集束する。このように、ルートＡのレー
ザビームとルートＢのレーザビームとを同一箇所に集中
することにより、図１０の従来の単一レーザビーム（ル
ートＡのみと等価である。）に比較して、一層大きい強
度のレーザビームが樹脂製シート２（被加工物）に集束
され、製版速度が速くなる。また、樹脂製シート全体に
亘って１つの合成レーザビームを用いて凹部形成するた
め、マルチビーム方式のようなつなぎ目の問題は生じな
く、常に均一な品質が確保できる。In the laser beam optical system shown in FIG.
Semiconductor laser 10A and route B semiconductor laser 10
The laser beam emitted from both B is the resin sheet 2
Focus on the same spot above. By thus concentrating the laser beam of route A and the laser beam of route B at the same location, the laser beam of route A and the laser beam of route B are equivalent to the conventional single laser beam of FIG. 10 (equivalent to only route A). The laser beam of high intensity is focused on the resin sheet 2 (workpiece), and the plate making speed is increased. In addition, since the concave portion is formed over the entire resin sheet by using one synthetic laser beam, the problem of joints unlike the multi-beam method does not occur, and uniform quality can always be ensured.
【００５０】ルートＡのレーザビームとルートＢのレー
ザビームとを集中する態様には、次の方法がある。
（１）２つのルートのレーザビームを同じタイミングで
出射する。
（２）２つのルートのレーザビームを交互に出射する。
この方法では、半導体レーザ１０Ａ，１０Ｂを交互に冷
却することが可能となり、半導体レーザの寿命を伸ばす
ことが出来る。
（３）一方のルートのレーザビームを主として用い、他
方のルートのレーザビームを従として用いる。例えば、
通常サイズの凹部は主のレーザビームを用い、比較的大
きいサイズの凹部は主と従の２つのルートのレーザビー
ムを用いる。
いずれの方式を採用するかは、グラビア印刷の要求品
質，許容作業時間等によって適宜決定される。The following method is available for concentrating the route A laser beam and the route B laser beam. (1) The laser beams of two routes are emitted at the same timing. (2) The laser beams of two routes are emitted alternately.
With this method, the semiconductor lasers 10A and 10B can be cooled alternately, and the life of the semiconductor lasers can be extended. (3) The laser beam of one route is mainly used and the laser beam of the other route is used subordinately. For example,
The normal-sized concave portion uses the main laser beam, and the relatively large-sized concave portion uses the two main and sub-route laser beams. Which method is adopted is appropriately determined according to the required quality of gravure printing, the allowable work time, and the like.
【００５１】（レーザビーム光学系の構成）図２は、図
１のレーザビーム光学系の実際の構成を示す図である。
半導体レーザ１０Ａ，１０Ｂは、ＬＤブロック（laser
diode block ）６２Ａ，６２Ｂにより夫々保持されてい
る。コリメータレンズ５０Ａ，５０Ｂは、コリメータレ
ンズホ ルダ６０Ａ，６０Ｂにより夫々保持されてい
る。２個のアナモルフィックプリズ ム５１Ａ，５１Ｂ
と二分の一波長板５４と偏光ビームスプリッタ５５ＡＢ
とは、 アナモルフィックプリズムホルダ６３により一
体化され保持されている。(Structure of Laser Beam Optical System) FIG. 2 is a diagram showing an actual structure of the laser beam optical system of FIG.
The semiconductor lasers 10A and 10B are LD blocks (laser
diode blocks) 62A and 62B, respectively. The collimator lenses 50A and 50B are held by the collimator lens holders 60A and 60B, respectively. Two anamorphic prisms 51A and 51B
And half-wave plate 54 and polarization beam splitter 55AB
And are integrally held by the anamorphic prism holder 63.
【００５２】（レーザビーム光学系の概念）図３（１）
は、上述の実施例のレーザビーム光学系を概念的に表し
たものである。図１の実施例は、２つのレーザビームの
偏光面の相違に着目して合成している。即ち、ルートＡ
では、レーザビーム放出手段１０ＡからのＰ偏光を、偏
光ビームスプリッタからなるビーム合成手段５５ＡＢに
入射する。ルートＢでは、レーザビーム放出手段１０Ｂ
からのＰ偏光を、二分の一波長板からなる偏光面回転手
段５４でＳ偏光に変更した後、ビーム合成手段５５ＡＢ
に入射する。ビーム合成手段５５ＡＢでは、これら偏光
面の異なるこれらレーザビームを合成している。(Concept of Laser Beam Optical System) FIG. 3 (1)
Is a conceptual representation of the laser beam optical system of the above embodiment. In the embodiment shown in FIG. 1, the two laser beams are combined by focusing on the difference in their polarization planes. That is, route A
Then, the P-polarized light from the laser beam emitting means 10A is incident on the beam combining means 55AB including a polarization beam splitter. In the route B, the laser beam emitting means 10B
After changing the P-polarized light from the S-polarized light into S-polarized light by the polarization plane rotating means 54 composed of a half-wave plate, the beam combining means 55AB
Incident on. The beam combining means 55AB combines these laser beams having different polarization planes.
【００５３】また、レーザビーム放射手段１０Ａ，１０
Ｂから放射されるレーザビームの特性等により、ビーム
合成手段５５ＡＢの前段には、レーザビームをコリメー
トする手段５０Ａ，５０Ｂやレーザビームをビーム整形
する手段５１Ａ，５１Ｂが夫々設けられ、また、ビーム
合成手段５５ＡＢの後段には、所望に応じて合成ビーム
を集束するビーム集束手段が設けられる。The laser beam emitting means 10A, 10
Depending on the characteristics of the laser beam emitted from B, etc., means 50A, 50B for collimating the laser beam and means 51A, 51B for shaping the laser beam are provided in the preceding stage of the beam combining means 55AB, respectively. Beam converging means for converging the combined beam as required is provided after the means 55AB.
【００５４】〔この発明によるレーザ製版装置の実施
例〕
（４つのレーザビーム光学系）
図４は、この発明によるレーザ製版装置の実施例のレー
ザビーム光学系の要部を示す図である。この実施例で
は、レーザビームを偏光方向の相違及び波長の相違に着
目して、Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤの４つのルートとし、この４
つのレーザビームを合成している。[Embodiment of Laser Plate Making Apparatus According to the Present Invention] (Four Laser Beam Optical Systems) FIG. 4 is a diagram showing a main part of a laser beam optical system of an embodiment of the laser plate making apparatus according to the present invention. In this embodiment, focusing on the difference in polarization direction and the difference in wavelength, the laser beam is divided into four routes A, B, C, and D.
Combining two laser beams.
【００５５】ここで、ルートＡ及びルートＢは波長λ1
のレーザビームを使用し、ルートＣ及びルートＤは波長
λ1 とは異なる波長λ2 のレーザビームを使用すること
により、ルートＡ，ＢとルートＣ，Ｄを波長により分け
ている。例えばルートＡ，Ｂの各波長λ1 は現在使用し
ている半導体レーザ１０の最短波長７８０ｎｍでよく、
ルートＣ，Ｄの各波長λ2 は最長波長８３０ｎｍであっ
てよい。Here, the routes A and B are wavelengths λ1.
By using the laser beam of No. 2 and the laser beam of wavelength λ2 different from the wavelength λ1 for the routes C and D, the routes A and B and the routes C and D are separated according to the wavelength. For example, each wavelength λ1 of routes A and B may be the shortest wavelength 780 nm of the semiconductor laser 10 currently used,
Each wavelength λ2 of routes C and D may be the longest wavelength 830 nm.
【００５６】図４の上半分は、レーザビームのルートＡ
及びＢを示してあり、偏光ビームスプリッタ５５ＡＢの
後段にダイクロイックミラー５６が配置されている点を
除き、図１に関連して説明した実施例のレーザビーム光
学系と同じである。The upper half of FIG. 4 shows the route A of the laser beam.
And B are shown, and the laser beam optical system is the same as that of the embodiment described with reference to FIG. 1 except that the dichroic mirror 56 is arranged at the subsequent stage of the polarization beam splitter 55AB.
【００５７】ダイクロイックミラー５６は、波長に応じ
てレーザビームを反射し、振動面には関しない光学素子
である。ルートＡのアナモルフィックプリズム５１Ａか
らのＰ偏光レーザビーム（波長λ1 ）及びルートＢの二
分の一波長板５４ＢからのＳ偏光レーザビーム（波長λ
1 ）の合成レーザビームは、ダイクロイックミラー５６
を透過して対物レンズ５２に向かう。The dichroic mirror 56 is an optical element that reflects the laser beam according to the wavelength and does not relate to the vibrating surface. A P-polarized laser beam (wavelength λ 1) from the anamorphic prism 51 A of route A and an S-polarized laser beam (wavelength λ 1) from the half-wave plate 54 B of route B
The combined laser beam of 1) is the dichroic mirror 56.
To the objective lens 52.
【００５８】図４の下半分のレーザビームのルートＣ及
びＤについて説明する。レーザビームのルートＣ及びＤ
は、半導体レーザ１０Ｃ，１０Ｄの波長がλ2 である点
を除き、図の上半分のレーザビームのルートＡ及びＢを
９０度回転して配置したものと同じである。The routes C and D of the laser beam in the lower half of FIG. 4 will be described. Laser beam routes C and D
Is the same as the one in which the routes A and B of the laser beams in the upper half of the figure are rotated by 90 degrees, except that the wavelengths of the semiconductor lasers 10C and 10D are .lambda.2.
【００５９】上述のようにダイクロイックミラー５６
は、波長に応じてレーザビームを反射し、振動面には関
しない光学素子であり、ルートＣのアナモルフィックプ
リズム５１ＣからのＰ偏光レーザビーム（波長λ2 ）及
びルートＤの二分の一波長板５４ＤからのＳ偏光レーザ
ビーム（波長λ2 ）は偏光ビームスプリッタ５５ＣＤで
合成レーザビームとなりダイクロイックミラー５６に向
かい、ダイクロイックミラー５６で反射して、偏光ビー
ムスプリッタ５５ＡＢからの合成レーザビームと合成さ
れて同一の光軸に沿って対物レンズ５２に向かう。As described above, the dichroic mirror 56
Is an optical element that reflects the laser beam according to the wavelength and does not relate to the vibrating surface. The P-polarized laser beam (wavelength λ 2) from the anamorphic prism 51C of the route C and the half-wave plate of the route D The S-polarized laser beam (wavelength λ2) from 54D becomes a combined laser beam by the polarizing beam splitter 55CD, goes to the dichroic mirror 56, is reflected by the dichroic mirror 56, and is combined with the combined laser beam from the polarizing beam splitter 55AB to be the same. It goes toward the objective lens 52 along the optical axis.
【００６０】このように、半導体レーザ１０Ａ，１０
Ｂ，１０Ｃ及び１０Ｄから出射されたレーザビームが樹
脂製シート２に集束する。ルートＡからルートＤのレー
ザビームを集束することにより、図１０の従来の単一レ
ーザビーム（ルートＡのみに相当する。）に比較して、
樹脂製シート２（被加工物）で一層大きいレーザ強度が
得られる。また、４つのレーザビーム源が樹脂製シート
２（図示せず。）上では１つの合成レーザビームとなる
ので、刷版全体に亘り均一な品質の凹部が形成され、つ
なぎ目等の問題は生じない。As described above, the semiconductor lasers 10A, 10
The laser beams emitted from B, 10C and 10D are focused on the resin sheet 2. By focusing the laser beams of route A to route D, as compared with the conventional single laser beam of FIG. 10 (corresponding to route A only),
A larger laser intensity can be obtained with the resin sheet 2 (workpiece). Further, since the four laser beam sources form one combined laser beam on the resin sheet 2 (not shown), concave portions of uniform quality are formed over the entire printing plate, and problems such as joints do not occur. .
【００６１】ルートＡ〜Ｄのレーザビームを集中する態
様は、次の方法がある。
（１）４つのルートのレーザビームを同じタイミングで
出射する。
（２）４つのルートのレーザビームを順次交互に又は二
つのグループに分け交互に出射する。この方法では、半
導体レーザ１０Ａ〜Ｄを冷却する時間を確保することが
可能となり、寿命を伸ばすことが出来る。
（３）いずれか１又は２以上のルートのレーザビームを
主として用い、残りのルートのレーザビームを従として
用いる。例えば、通常サイズの凹部は主のレーザビーム
を用い、比較的大きいサイズの凹部は主と従の２つのル
ートのレーザビームを用いる。
同様に、刷版の要求仕様等により、いずれかが適宜選択
される。There are the following methods for concentrating the laser beams of routes A to D. (1) The laser beams of four routes are emitted at the same timing. (2) Laser beams of four routes are sequentially emitted alternately or divided into two groups and emitted alternately. With this method, it is possible to secure a time for cooling the semiconductor lasers 10A to 10D, and it is possible to extend the life. (3) A laser beam of any one or two or more routes is mainly used, and a laser beam of the remaining route is used as a slave. For example, a normal-sized recess uses a main laser beam, and a relatively large-size recess uses two main and sub-route laser beams. Similarly, any one is appropriately selected according to the required specifications of the printing plate.
【００６２】（樹脂製シートの結像サイズを変える方
法）上述した実施例では、各ルートの対応する光学素子
を夫々同一のものとしている。しかしルート間の対応す
る光学素子を相違させ、例えば図１のルートＡのコリメ
ータレンズ５０Ａの焦点距離をルートＢのコリメータレ
ンズ５０Ｂに比較して相対的に長くすることにより、結
像する像の大きさをルートＡでは通常のサイズに、ルー
トＢでは比較的小さいサイズにして、図３（２）に示す
ような樹脂製シート２上に二重の像を結像させることが
出来る。これにより、ルート間の光軸調整を容易にし、
また調整の精度を下げることが出来る。同様に、図４に
示したルートＡ〜Ｄをもつ実施例の場合にも、所望によ
り各コリメータレンズ５０Ａ〜５０Ｄの焦点距離を相違
させて、像のサイズを相互に相違させることが出来る。(Method of Changing Image Forming Size of Resin Sheet) In the above-described embodiment, the corresponding optical elements of each route are the same. However, by making the corresponding optical elements different between the routes, for example, by making the focal length of the collimator lens 50A of route A in FIG. 1 relatively longer than that of the collimator lens 50B of route B, the size of the image to be formed is increased. By setting the size to a normal size for the route A and a relatively small size for the route B, a double image can be formed on the resin sheet 2 as shown in FIG. 3B. This makes it easier to adjust the optical axis between routes,
In addition, the accuracy of adjustment can be reduced. Similarly, also in the case of the embodiments having the routes A to D shown in FIG. 4, the focal lengths of the collimator lenses 50A to 50D can be made different so that the image sizes can be made different from each other, if desired.
【００６３】（レーザビーム光学系の概念）図５は、図
４の実施例のレーザビーム光学系を概念的に表したもの
である。図４の実施例は、レーザビームの波長の相違に
着目し、更に同じ波長の中で２つのレーザビームの偏光
面の相違に着目して合成している。即ち、ルートＡ，Ｂ
では波長λ1 を使用し、ルートＣ，Ｄでは波長λ2 を使
用している。同一波長内では、図３（１）で説明したよ
うに偏光面に着目している。(Concept of Laser Beam Optical System) FIG. 5 conceptually shows the laser beam optical system of the embodiment of FIG. In the embodiment of FIG. 4, attention is paid to the difference in the wavelengths of the laser beams, and further attention is paid to the difference in the polarization planes of the two laser beams within the same wavelength, and they are combined. That is, routes A and B
The wavelength λ1 is used in the above, and the wavelength λ2 is used in the routes C and D. Within the same wavelength, attention is paid to the plane of polarization as described with reference to FIG.
【００６４】ルートＡでは、レーザビーム放出手段１０
Ａからの波長λ1 のＰ偏光を、偏光ビームスプリッタか
らなるビーム合成手段５５ＡＢに入射する。ルートＢで
は、レーザビーム放出手段１０Ｂからの波長λ1 のＰ偏
光を、二分の一波長板からなる偏光面回転手段５４Ｂで
Ｓ偏光に変更した後、ビーム合成手段５５ＡＢに入射す
る。ビーム合成手段５５ＡＢでは、これら偏光面の異な
るこれらレーザビームを合成している。In route A, the laser beam emitting means 10
The P-polarized light of wavelength λ1 from A is made incident on the beam combining means 55AB composed of a polarization beam splitter. In the route B, the P-polarized light having the wavelength λ1 from the laser beam emitting means 10B is changed to the S-polarized light by the polarization plane rotating means 54B composed of a half-wave plate, and then is incident on the beam combining means 55AB. The beam combining means 55AB combines these laser beams having different polarization planes.
【００６５】また、ルートＣでは、レーザビーム放出手
段１０Ｃからの波長λ2 のＰ偏光を、偏光ビームスプリ
ッタからなるビーム合成手段５５ＣＤに入射する。ルー
トＤでは、レーザビーム放出手段１０Ｄからの波長λ2
のＰ偏光を、二分の一波長板からなる偏光面回転手段５
４ＤでＳ偏光に変更した後、ビーム合成手段５５ＣＤに
入射する。ビーム合成手段５５ＣＤでは、これら偏光面
の異なるこれらレーザビームを合成している。In route C, the P-polarized light of wavelength λ2 from the laser beam emitting means 10C is made incident on the beam combining means 55CD which is a polarization beam splitter. In the route D, the wavelength λ2 from the laser beam emitting means 10D
The polarization plane rotating means 5 composed of a half-wave plate for the P-polarized light
After being changed to S-polarized light in 4D, it is incident on the beam combining means 55CD. The beam combining means 55CD combines these laser beams having different polarization planes.
【００６６】ビーム合成手段５５ＡＢ及びビーム合成手
段５５ＣＤからの出力は、例えばダイクロイックミラー
からなるビーム合成手段５６により合成される。The outputs from the beam synthesizing means 55AB and the beam synthesizing means 55CD are synthesized by the beam synthesizing means 56 including, for example, a dichroic mirror.
【００６７】また、各レーザビーム放射手段から放射さ
れるレーザビームの特性等により、各ビーム合成手段５
５ＡＢ，５５ＣＤの前段には、レーザビームをコリメー
トする手段やレーザビームをビーム整形する手段が夫々
設けられ、また、ビーム合成手段５６の後段には、所望
に応じて合成ビームを集束するビーム集束手段５２が設
けられる。Further, each beam combining means 5 is selected depending on the characteristics of the laser beam emitted from each laser beam emitting means.
A means for collimating the laser beam and a means for beam-shaping the laser beam are respectively provided in the preceding stages of 5AB and 55CD, and a beam focusing means for focusing the synthesized beam as desired is provided in the subsequent stage of the beam combining means 56. 52 is provided.
【００６８】〔実施例の動作等〕レーザ製版装置の動作
について説明する。図６は、図１又は図４のレーザ製版
装置の主要な機能のブロック図である。このブロック図
は、レーザドライバ４３Ａ〜Ｄ及び半導体レーザ１０Ａ
〜Ｄの組が複数組設けられている点を除き、図９の従来
のブロックと同様である。[Operation of the Embodiment] The operation of the laser plate making apparatus will be described. FIG. 6 is a block diagram of the main functions of the laser plate making apparatus of FIG. 1 or 4. This block diagram shows the laser drivers 43A to 43D and the semiconductor laser 10A.
It is the same as the conventional block in FIG. 9 except that a plurality of sets of D to D are provided.
【００６９】図６は、図４のレーザビームルートＡ，
Ｂ，Ｃ，Ｄをもつレーザ製版装置を示し、半導体レーザ
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ及びレーザドライバ４
３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄが設けられる。FIG. 6 shows the laser beam route A,
A laser plate making apparatus having B, C and D is shown, and semiconductor lasers 10A, 10B, 10C and 10D and a laser driver 4 are shown.
3A, 43B, 43C, 43D are provided.
【００７０】図４に関連して、複数のレーザビームを同
時に用いたり、交互に用いたりするような種々のレーザ
ビームを集中する態様を説明したが、これらの制御はＣ
ＰＵ３２によって行われる。The mode of concentrating various laser beams such as the simultaneous use of a plurality of laser beams or the alternate use thereof has been described with reference to FIG.
It is performed by the PU 32.
【００７１】〔実施例の効果〕上述した本実施例によ
り、従来のシングルビームのレーザ製版装置に比較し
て、２つ，４つ又はそれ以上のレーザビームを集中する
ことにより、ビーム強度を上げることが出来る。また、
複数のレーザビームを交互又は順番に使用することによ
り、レーザビームに冷却時間を設けることが出来、半導
体レーザの寿命を伸ばすことが出来る。複数のレーザビ
ーム源を使用しているが、被加工物（樹脂製シート）を
照射するときは集中して１つの合成ビームとしているの
で、従来のマルチビーム方式で問題となったつなぎ目等
の問題は生じない。各光学素子は、夫々のホルダに収容
して所定方向に移動可能な構成を採用しているので、相
互の位置調整が容易なものになっている。[Effects of the Embodiment] According to the above-described embodiment, the beam intensity is increased by concentrating two, four or more laser beams as compared with the conventional single beam laser plate making apparatus. You can Also,
By using a plurality of laser beams alternately or in sequence, a cooling time can be provided for the laser beams and the life of the semiconductor laser can be extended. Although multiple laser beam sources are used, when irradiating a work piece (resin sheet), they are concentrated into one combined beam, so problems such as joints that have become problems with the conventional multi-beam method Does not occur. Since each optical element is housed in each holder and movable in a predetermined direction, mutual positional adjustment is easy.
【００７２】〔他への応用等〕上述したように、本実施
例をレーザ製版装置に関連して説明した。しかし、図１
及び図４で説明したレーザビーム光学系はレーザ製版装
置に特有な又は限定的な光学素子は存在しなく、このレ
ーザビーム系は他の用途、例えばレーザビームを利用す
るあらゆる測定装置，加工装置等において、レーザビー
ム強度を増加する手段として採用し得る。[Application to Others, etc.] As described above, this embodiment has been described with reference to the laser plate making apparatus. However,
Also, the laser beam optical system described in FIG. 4 does not have an optical element that is peculiar or limited to the laser plate making device, and this laser beam system has other uses, for example, any measuring device or processing device that uses a laser beam. In the above, it can be adopted as a means for increasing the laser beam intensity.
【００７３】このため、本発明の技術的範囲は、レーザ
製版装置に限られず、レーザビームの合成装置又はレー
ザビーム合成方法として把握し得る。Therefore, the technical scope of the present invention is not limited to the laser plate making apparatus but can be understood as a laser beam synthesizing apparatus or a laser beam synthesizing method.
【００７４】[0074]
【発明の効果】本発明によれば、レーザ製版装置におい
て製版時間を短縮できる利益がある。更に本発明によれ
ば、刷版全体に亘り仕上がりが品質的に均一なレーザ製
版装置を提供することが出来る。更に本発明によれば、
一般的にレーザビーム合成装置及び合成方法を提供出来
る。According to the present invention, there is an advantage that the plate making time can be shortened in the laser plate making apparatus. Further, according to the present invention, it is possible to provide a laser plate making apparatus having a uniform quality finish over the entire printing plate. Further according to the invention,
Generally, a laser beam synthesizing apparatus and a synthesizing method can be provided.
【図１】レーザ製版装置の一実施例のレーザビーム光学
系の要部を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a main part of a laser beam optical system of an embodiment of a laser plate making apparatus.
【図２】図１に示すレーザビーム光学系の構成を示す図
である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a laser beam optical system shown in FIG.
【図３】図３（１）は、図１に示すレーザビーム光学系
の概念を説明するブロック図である。図３（２）は、樹
脂製シート上のサイズの異なる結像を示す図である。FIG. 3A is a block diagram illustrating the concept of the laser beam optical system shown in FIG. FIG. 3 (2) is a diagram showing image formation with different sizes on the resin sheet.
【図４】この発明によるレーザ製版装置の実施例のレー
ザビーム光学系の要部を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a main part of a laser beam optical system of an embodiment of a laser plate making apparatus according to the present invention.
【図５】図４に示すレーザビーム光学系の概念を説明す
るブロック図である。5 is a block diagram illustrating the concept of the laser beam optical system shown in FIG.
【図６】この発明による実施例のレーザビーム光学系を
採用したレーザ製版装置の動作を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the laser plate making apparatus that employs the laser beam optical system according to the embodiment of the present invention.
【図７】図１のレーザビーム光学系を採用したレーザ製
版装置の要部を示す図である。7 is a diagram showing a main part of a laser plate making apparatus adopting the laser beam optical system of FIG.
【図８】レーザ製版装置の全体構成を説明する図であ
る。FIG. 8 is a diagram illustrating an overall configuration of a laser plate making apparatus.
【図９】図８に示すレーザ製版装置の動作を説明するブ
ロック図である。9 is a block diagram illustrating an operation of the laser plate making apparatus shown in FIG.
【図１０】従来のレーザ製版装置のレーザビーム光学系
の要部を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a main part of a laser beam optical system of a conventional laser plate making apparatus.
【図１１】図１０に示すレーザビーム光学系の構成を示
す図である。11 is a diagram showing a configuration of a laser beam optical system shown in FIG.
【図１２】既に提案されたマルチビーム化されたレーザ
製版装置の全体構成を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an overall configuration of a laser beam engraving apparatus that has been proposed as a multi-beam type.
【符号の説明】
１ 版胴部
２ 樹脂製シート
４ 版胴の軸
５ タイミングベルト
６ プーリ
７ 版胴回転用モータ
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ 半導体レーザ
２１ 光学系
２２ レール
２３Ｒ，２３Ｌ 軸受
２４ レーザブロック移動用モータ
２６ ボールネジ
２７ 移動子
２８ レーザブロック取付台
２９ アーム
３２ マイクロコンピュータ（ＣＰＵ）
３３ レーザブロック移動用モータドライバ
３５ 版胴回転用モータドライバ
３８ データＲＡＭ
４２ ガンマテーブル
４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ レーザドライバ
５１，５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ アナモルフィ
ックプリズム
５２ 対物レンズ
５３ カバーガラス
５４，５４Ｂ，５４Ｄ 二分の一波長板
５５ＡＢ，５５ＣＤ 偏光ビームスプリッタ
５６ ダイクロイックミラー
６０ コリメータレンズホルダ
６１ ＬＤ（半導体レーザ）ホルダ
６２ ＬＤ（半導体レーザ）ブロック
６３ アナモルフィックプリズムホルダ
６４ 対物レンズホルダ
ＯＡ-A，ＯＡ-B，ＯＡAB 光軸[Explanation of reference numerals] 1 plate body 2 resin sheet 4 plate cylinder shaft 5 timing belt 6 pulley 7 plate cylinder rotation motors 10, 10A, 10B, 10C, 10D semiconductor laser 21 optical system 22 rails 23R, 23L bearing 24 Motor for moving laser block 26 Ball screw 27 Mover 28 Laser block mounting base 29 Arm 32 Microcomputer (CPU) 33 Motor driver for moving laser block 35 Motor driver for rotating plate cylinder 38 Data RAM 42 Gamma tables 43A, 43B, 43C, 43D Laser driver 51, 51A, 51B, 51C, 51D Anamorphic prism 52 Objective lens 53 Cover glass 54, 54B, 54D Half-wave plate 55AB, 55CD Polarizing beam splitter 56 Dichroic mirror 60 Collimator lens Holder 61 LD (semiconductor laser) holder 62 LD (semiconductor laser) block 63 Anamorphic prism holder 64 Objective lens holder OA-A, OA-B, OAAB Optical axis
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41C 1/05 B23K 26/06 G03F 7/20 505 H01S 3/10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) B41C 1/05 B23K 26/06 G03F 7/20 505 H01S 3/10
Claims (9)
ーム放射手段と、 上記第２のレーザビーム放射手段からのレーザビームの
偏光面を回転させる第１の複屈折手段と、 第１の上記レーザビーム放射手段からのレーザビームと
上記複屈折手段からのレーザビームとを合成する第１の
合成手段と、更に波長λ1 とは異なる波長λ2 をもつ第
３及び第４のレーザビーム放射手段と、 上記第４のレーザビーム放射手段からのレーザビームの
偏光面を回転させる第２の複屈折手段と、 第３の上記レーザビーム放射手段からのレーザビームと
上記第２の複屈折手段からのレーザビームとを合成する
第２の合成手段と、 上記第１の合成手段から出射するレーザビームと第２の
合成手段出射するレーザビームとを合成する第３の合成
手段とを備えたレーザビーム合成装置。1. First and second laser beam emitting means having a wavelength λ1, first birefringent means for rotating the plane of polarization of the laser beam from the second laser beam emitting means, and first First combining means for combining the laser beam from the laser beam emitting means and the laser beam from the birefringent means, and further third and fourth laser beam emitting means having a wavelength λ2 different from the wavelength λ1. Second birefringent means for rotating the plane of polarization of the laser beam from the fourth laser beam emitting means, laser beam from the third laser beam emitting means and laser from the second birefringent means A laser beam provided with a second combining means for combining the beam and a third combining means for combining the laser beam emitted from the first combining means with the laser beam emitted from the second combining means. Beam synthesis device.
ーム放射手段と、 上記第１及び第２のレーザビーム放射手段からのレーザ
ビームを夫々コリメートする第１及び第２のコリメータ
手段と、 上記第１及び第２のコリメータ手段からのレーザビーム
を夫々整形する第１及び第２のビーム整形手段と、 上記第２のレーザビーム放射手段からのレーザビームの
偏光面を回転させる第１の複屈折手段と、 上記第１のビーム整形手段からのレーザビームと上記第
１の複屈折手段からのレーザビームとを合成する第１の
合成手段と、更に波長λ1 とは異なる波長λ2 をもつ第
３及び第４のレーザビーム放射手段と、 上記第１及び第２のレーザビーム放射手段からのレーザ
ビームを夫々コリメートする第３及び第４のコリメータ
手段と、 上記第３及び第４のコリメータ手段からのレーザビーム
を夫々整形する第３及び第４のビーム整形手段と、 上記第４のレーザビーム放射手段からのレーザビームの
偏光面を回転させる第２の複屈折手段と、 第３の上記ビーム整形手段からのレーザビームと上記第
２の複屈折手段からのレーザビームとを合成する第２の
合成手段と、 上記第１の合成手段から出射するレーザビームと第２の
合成手段から出射するレーザビームとを合成する第３の
合成手段と、 上記第３の合成手段からのレーザビームを集束するレン
ズ手段とを備えたレーザビーム合成装置。2. First and second laser beam emitting means having a wavelength λ1, first and second collimator means for collimating the laser beams from the first and second laser beam emitting means, respectively. First and second beam shaping means for shaping the laser beams from the first and second collimator means, respectively, and a first compound for rotating the polarization plane of the laser beam from the second laser beam emitting means. A refracting means, a first combining means for combining the laser beam from the first beam shaping means and the laser beam from the first birefringent means, and a third wavelength having a wavelength λ2 different from the wavelength λ1. And fourth laser beam emitting means, third and fourth collimator means for collimating the laser beams from the first and second laser beam emitting means, respectively, and the third and fourth Third and fourth beam shaping means for respectively shaping the laser beams from the collimator means, second birefringence means for rotating the polarization plane of the laser beam from the fourth laser beam emitting means, and third Second combining means for combining the laser beam from the beam shaping means and the laser beam from the second birefringence means, and the laser beam emitted from the first combining means and the second combining means. A laser beam synthesizing apparatus comprising: a third synthesizing means for synthesizing emitted laser beams; and a lens means for focusing the laser beam from the third synthesizing means.
において、 上記第１，第２，第３及び第４のレーザビーム放射手段
の各々は、半導体装置からなり、 上記第１，第２，第３及び第４のコリメータ手段の各々
は、コリメータレンズからなり、 上記第１，第２，第３及び第４のビーム整形手段の各々
は、アナモルフィックプリズムからなり、 上記第１及び第２の複屈折手段の各々は、二分の一波長
板からなり、 上記第１及び第２の合成手段の各々は、偏光ビームスプ
リッタからなり、 上記第３の合成手段は、ダイクロイックミラーからな
り、 上記レンズ手段は、対物レンズからなるレーザビーム合
成装置。3. The laser beam synthesizing apparatus according to claim 2, wherein each of the first, second, third and fourth laser beam radiating means is a semiconductor device. Each of the third and fourth collimator means comprises a collimator lens, each of the first, second, third and fourth beam shaping means comprises an anamorphic prism, and the first and second Each of the birefringent means is a half-wave plate, each of the first and second combining means is a polarization beam splitter, the third combining means is a dichroic mirror, and the lens is The means is a laser beam synthesizing device including an objective lens.
レーザビームを放射し、 一方のレーザビームの偏光面を回転させ、 他方のレーザビームとこの偏光面を回転させたレーザビ
ームとを合成するレーザビーム合成し、更に２つのレー
ザ源から夫々波長λ1 と異なる波長λ2 をもつレーザビ
ームを放射し、 一方のレーザビームの偏光面を回転させ、 他方のレーザビームとこの偏光面を回転させたレーザビ
ームとを合成し、 波長λ1 の合成レーザビームと波長λ2 の合成レーザビ
ームとを更に合成する各段階を含むレーザビーム合成方
法。4. A laser beam having a wavelength λ1 is emitted from each of two laser sources, the polarization plane of one laser beam is rotated, and the other laser beam and the laser beam whose polarization plane is rotated are combined. A laser that combines laser beams, emits laser beams with wavelengths λ2 different from each other from two laser sources, rotates the polarization plane of one laser beam, and rotates the polarization plane of the other laser beam. A laser beam synthesizing method including the steps of synthesizing a beam and a synthetic laser beam having a wavelength λ1 and a synthetic laser beam having a wavelength λ2.
レーザビームを放射し、 レーザビームの各々を夫々コリメートし、 レーザビームの各々を夫々ビーム整形し、 一方のレーザビームの偏光面を回転させ、 他方のレーザビームとこの偏光面を回転させたレーザビ
ームとを合成し、更に２つのレーザ源から夫々波長λ1
と異なる波長λ2 をもつレーザビームを放射し、 レーザビームの各々を夫々コリメートし、 レーザビームの各々を夫々ビーム整形し、 一方のレーザビームの偏光面を回転させ、 他方のレーザビームとこの偏光面を回転させたレーザビ
ームとを合成し、 波長λ1 の合成レーザビームと波長λ2 の合成レーザビ
ームとを更に合成し、 この合成レーザビームを集束する各段階を含むレーザビ
ーム合成方法。5. A laser beam having a wavelength λ1 is emitted from each of two laser sources, each of the laser beams is collimated, each of the laser beams is beam-shaped, and the polarization plane of one of the laser beams is rotated. , The other laser beam and the laser beam whose polarization plane is rotated are combined, and the wavelengths λ1 from the two laser sources are combined.
A laser beam with a different wavelength λ2, collimate each laser beam, shape each laser beam, rotate the polarization plane of one laser beam, and rotate the polarization plane of the other laser beam and this polarization plane. A laser beam synthesizing method including the steps of synthesizing a rotated laser beam, further synthesizing a synthetic laser beam having a wavelength λ1 and a synthetic laser beam having a wavelength λ2, and focusing the synthetic laser beam.
２の半導体レーザ装置と、 上記第２の半導体レーザ装置からのレーザビームの偏光
面を回転させる第１の二分の一波長板と、 上記第１の半導体レーザ装置からのレーザビームと上記
第１の二分の一波長板からのレーザビームとを合成する
第１の偏光ビームスプリッタと、更に各々波長λ1 と異
なる波長λ2 をもつレーザビームを放射する第３及び第
４の半導体レーザ装置と、 上記第４の半導体レーザ装置からのレーザビームの偏光
面を回転させる第２の二分の一波長板と、 上記第３の半導体レーザ装置からのレーザビームと上記
第２の二分の一波長板からのレーザビームとを合成する
第２の偏光ビームスプリッタとを備え、合成されたレー
ザビームを樹脂製シートに照射し凹部を形成して刷版を
形成するレーザ製版装置。6. A laser plate making apparatus comprising: first and second semiconductor laser devices for emitting laser beams each having a wavelength λ1; and first for rotating a polarization plane of a laser beam from the second semiconductor laser device. A half-wave plate, a first polarization beam splitter that combines the laser beam from the first semiconductor laser device and the laser beam from the first half-wave plate, and each has a wavelength λ1. Third and fourth semiconductor laser devices that emit laser beams having different wavelengths λ2, a second half-wave plate that rotates the plane of polarization of the laser beams from the fourth semiconductor laser device, and And a second polarization beam splitter for combining the laser beam from the semiconductor laser device of No. 3 and the laser beam from the second half-wave plate, and the combined laser beam Laser plate making apparatus for forming a forming a recessed portion by irradiating the resin sheet plate a.
半導体レーザ装置と、 上記第１及び第２の半導体レーザ装置の各々の出射レー
ザビームを夫々コリメートする第１及び第２のコリメー
タレンズと、 上記第１及び第２のコリメータレンズの各々の出射レー
ザビームを夫々ビーム整形する第１及び第２のアナモリ
フィックプリズムと、 上記第２のアナモリフィックプリズムからのレーザビー
ムの偏光面を回転させる第１の二分の一波長板と、 上記第１の上記アナモリフィックプリズムからのレーザ
ビームと上記第１の二分の一波長板からのレーザビーム
とを合成する第１の偏光ビームスプリッタと、更に波長
λ2 をもつレーザビームを放射する第３及び第４の半導
体レーザ装置と、 上記第３及び第４の半導体レーザ装置の各々の出射レー
ザビームを夫々コリメートする第３及び第４のコリメー
タレンズと、 上記第３及び第４のコリメータレンズの各々の出射レー
ザビームを夫々ビーム整形する第３及び第２のアナモリ
フィックプリズムと、 上記第４のアナモリフィックプリズムからのレーザビー
ムの偏光面を回転させる第２の二分の一波長板と、 上記第３の上記アナモリフィックプリズムからのレーザ
ビームと上記第２の二分の一波長板からのレーザビーム
とを合成する第２の偏光ビームスプリッタと、 第１の偏光ビームスプリッタから出射する波長λ1 の合
成レーザビームと第２の偏光ビームスプリッタから出射
する波長λ2 の合成レーザビームとを合成するダイクロ
イックミラーと、 上記ダイクロイックミラーから出射する合成レーザビー
ムを集束する対物レンズとを備え、この集束された合成
レーザビームを樹脂製シートに照射し凹部を形成して刷
版を形成するレーザ製版装置。7. A laser plate making apparatus, wherein first and second semiconductor laser devices emitting a laser beam having a wavelength λ1 and respective emitted laser beams of the first and second semiconductor laser devices are collimated. The first and second collimator lenses, the first and second anamorphic prisms for beam-shaping the respective output laser beams of the first and second collimator lenses, and the second anamorphic prism A first half-wave plate that rotates a plane of polarization of a laser beam, a first laser beam from the first anamorphic prism, and a laser beam from the first half-wave plate. Polarization beam splitter, and third and fourth semiconductor laser devices for emitting a laser beam having a wavelength λ2, and the third and fourth semiconductor laser devices. Third and fourth collimator lenses for collimating the respective emitted laser beams of the semiconductor laser device, and third and second collimator lenses for shaping the respective emitted laser beams of the third and fourth collimator lenses, respectively. An anamorphic prism, a second half-wave plate that rotates the plane of polarization of the laser beam from the fourth anamorphic prism, a laser beam from the third anamorphic prism, and the second half Second polarizing beam splitter for synthesizing a laser beam from one wavelength plate, a synthetic laser beam of wavelength λ1 emitted from the first polarizing beam splitter, and a synthetic laser of wavelength λ2 emitted from the second polarizing beam splitter A dichroic mirror that synthesizes the beam and a synthetic laser that emits from the dichroic mirror. And an objective lens for focusing the beam, the laser plate making apparatus for forming a printing plate by forming a concave portion irradiated with the focused combined laser beam to the resin sheet.
とを合成し、更に波長λ1 と異なる波長λ2 をもつ第３
及び第４のレーザビームを放射し、 第４のレーザビームの偏光面を回転させ、 第３のレーザビームと上記偏光面を回転させたレーザビ
ームとを合成し、 波長λ1 の合成レーザビームと波長λ2 の合成レーザビ
ームとを更に合成し、 樹脂製シートに照射し凹部を形成して刷版を形成する各
段階を含むレーザ製版方法。8. In the laser plate making method, first and second laser beams having a wavelength λ1 are emitted, the plane of polarization of the second laser beam is rotated, and the plane of polarization of the first laser beam is rotated. A third beam having a wavelength λ2 different from the wavelength λ1 combined with the laser beam
And radiating a fourth laser beam, rotating the plane of polarization of the fourth laser beam, synthesizing the third laser beam and the laser beam having the plane of polarization rotated, and synthesizing the synthesized laser beam of wavelength λ1 and the wavelength A laser plate making method comprising the steps of synthesizing a synthetic laser beam of λ 2 and irradiating the resin sheet to form recesses to form a printing plate.
とを合成し、更に波長λ1 と異なる波長λ2 をもつ第３
及び第４のレーザビームを放射し、 上記第３及び第４の放射レーザビームを夫々コリメート
し、 第４のレーザビームの偏光面を回転させ、 第３のレーザビームと上記偏光面を回転させたレーザビ
ームとを合成し、 波長λ1 の合成レーザビームと波長λ2 の合成レーザビ
ームとを更に合成し、 この合成レーザビームを集束し、 樹脂製シートに照射し凹部を形成して刷版を形成する各
段階を含むレーザ製版方法。9. A laser plate making method, wherein first and second laser beams having a wavelength λ1 are radiated, said first and second laser beams are collimated, and said first and second laser beams are produced. Beam shaping is performed respectively, the polarization plane of the second laser beam is rotated, the first laser beam and the laser beam whose polarization plane is rotated are combined, and the third laser beam having a wavelength λ2 different from the wavelength λ1 is further synthesized.
And a fourth laser beam is emitted, the third and fourth emitted laser beams are collimated, the polarization plane of the fourth laser beam is rotated, and the third laser beam and the polarization plane are rotated. The laser beam is combined, the combined laser beam of wavelength λ1 and the combined laser beam of wavelength λ2 are further combined, and the combined laser beam is focused and irradiated onto the resin sheet to form a recess to form a printing plate. A laser plate making method including steps.
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