JP3522097B2 - Stacked stripline resonator - Google Patents
Stacked stripline resonatorInfo
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- JP3522097B2 JP3522097B2 JP35693497A JP35693497A JP3522097B2 JP 3522097 B2 JP3522097 B2 JP 3522097B2 JP 35693497 A JP35693497 A JP 35693497A JP 35693497 A JP35693497 A JP 35693497A JP 3522097 B2 JP3522097 B2 JP 3522097B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層型ストリップ
ライン共振器に関し、特に携帯通信用電話機等の高周波
回路無線機に利用する共振回路や高周波回路フィルタ等
に使用される積層型ストリップライン共振器に関する。
【0002】
【従来技術】従来、電圧制御発振器(VCO)やフィル
ター用の共振器として、ストリップライン共振器が用い
られている。このようなストリップライン共振器は、ア
ース電極間に誘電体層を介してストリップライン(導体
線路)が存在し、その特性は、同軸ケーブルを平面的に
展開したものと等価であり、特性インピーダンスはスト
リップラインの幅、厚さ、誘電体層の誘電率、厚さによ
って決定される。
【0003】このような積層型ストリップライン共振器
は、従来、例えば、ドクターブレード法等によりグリー
ンシートを作製し、アース電極用のペーストを塗布した
グリーンシートと、ストリップライン用のペーストを塗
布したグリーンシートを作製し、アース電極用のグリー
ンシート間に、ストリップライン用のグリーンシートを
介装し、焼成することにより形成されていた。
【0004】このような積層型ストリップライン共振器
において、ストリップライン中をマイクロ波が伝搬する
場合、電流は表皮効果のため導体中心部にはあまり流れ
ず、導体の表面、特にエッジ部分に集中する。周波数が
高くなるほどその傾向は強くなり、GHzオーダーにな
ると表皮の深さは数μmになって、ほとんどストリップ
ラインの表面部分だけを流れるようになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
グリーンシート積層法では、ストリップラインの厚みは
20μm程度であり、ストリップラインの厚みが薄いた
め、上記表皮効果のためストリップラインの導体損が増
加し、結果として積層型ストリップライン共振器のQ値
が劣化するという問題があった。
【0006】即ち、積層型ストリップライン共振器のQ
値はストリップラインの導体膜厚に依存し、Q値向上の
ためには、ストリップラインの導体膜厚を厚くし、スト
リップラインの電流の流れる面積を増加させる必要があ
る。しかしながら、グリーンシート表面に導体ペースト
を印刷する従来の製法では、導体厚は焼成前の状態で約
30μm以下に抑えなければ、グリーンシートを積層す
る段階で、導体ペースト膜の厚みにより凹凸が生じ、グ
リーンシート間の密着が不十分となり、焼成後に層間密
着不良(デラミネーション)を起こしてしまう。その
為、焼成後のストリップラインの膜厚は30μm以上に
することは、製造工程上困難であった。
【0007】また、従来のストリップラインは薄板状で
あったため、ストリップラインに流れる電流は、表皮効
果によりストリップラインの両端エッジ部分に集中し、
導体損が増加してその結果ストリップライン共振器のQ
値が劣化するという問題があった。
【0008】本発明は、Q値を向上できる積層型ストリ
ップライン共振器を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の積層型ストリッ
プライン共振器は、一対のアース電極の間にセラミック
誘電体を介装するとともに、該セラミック誘電体を構成
する誘電体層間にストリップラインを設けてなり、フォ
トリソ方式を用いて作製され、前記セラミック誘電体と
前記ストリップラインとが同時に焼成される積層型スト
リップライン共振器において、前記ストリップラインの
厚みが100〜150μmであることを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明の積層型ストリップライン共振器によれ
ば、ストリップラインの膜厚が100〜150μmであ
るため、表皮効果にもかかわらず、ストリップラインの
電流の流れる面積を増加することができ、ストリップラ
インの導体損を減少でき、その結果、積層型ストリップ
ライン共振器のQ値を向上できる。
【0011】
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の積層型ストリップライン
共振器は、例えば、図1に示すように、3層の誘電体層
1、2、3を積層するとともに、第1誘電体層1の上面
にアース電極11を形成し、第2誘電体層2の上面にス
トリップライン21を形成し、第3誘電体層3の上面に
アース電極31を形成して構成されている。
【0013】即ち、一対のアース電極11、31の間に
誘電体層2、3が介装され、誘電体層2、3の間にスト
リップライン21が形成されている。
【0014】そして、本発明の積層型ストリップライン
共振器では、ストリップライン21の厚みが100〜1
50μmとされている。尚、本発明の積層型ストリップ
ライン共振器を基板内に内蔵しても良い。
【0015】このような積層型ストリップライン共振器
は、ストリップラインの厚みが100〜150μmであ
るため、従来のグリーシート積層方式では作製できない
ため、セラミックからなる誘電体材料と光硬化可能な樹
脂、有機バインダーからなるスリップをフォトリソ方式
によって形成する。このような方法で作製することによ
り、ストリップラインの厚みを100〜150μmに任
意に変更でき、しかもビアホール径の大きさや、内部電
極の厚み等が容易に変更可能となる。
【0016】本発明の積層型ストリップライン共振器の
製造方法について説明する。先ず、誘電体層1、2、3
となるスリップ材を作成する。
【0017】スリップ材は、例えば、セラミック原料粉
末と、光硬化可能なモノマー、例えばポリオキシエチル
化トリメチロールプロパントリアクリレートと、有機バ
インダ、例えばアルキルメタクリレートと、可塑剤と
を、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセテートに
混合し、ボールミルで混練して作製される。
【0018】セラミック原料粉末としては、例えば、金
属元素として少なくともMg、Ti、Caを含有する複
合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を
(1−x)MgTiO3 −xCaTiO3 (但し、式中
xは重量比を表し、0.01≦x≦0.15)で表され
る主成分100重量部に対して、硼素含有化合物をB2
O3 換算で3〜30重量部、アルカリ金属含有化合物を
アルカリ金属炭酸塩換算で1〜25重量部添加含有して
なるものが用いられる。
【0019】尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を
作成しているが、上述のように親水性の官能基を付加し
た光硬化可能なモノマー、例えば多官能基メタクリレー
トモノマー、有機バインダ、例えばカルボキシル変性ア
ルキルメタクリレートを用いて、イオン交換水で混練し
た水系スリップ材であっても良い。
【0020】セラミック原料粉末としては、例えば、ガ
ラス材料であるSiO2 、Al2 O3 、ZnO、Mg
O、B2 O3 を主成分とする結晶化ガラス粉末70重量
%とセラミック材料であるアルミナ粉末30重量%とか
らなるものも用いられる。セラミック原料粉末は、特に
限定されるものではない。
【0021】また、アース電極11、31、ストリップ
ライン21となる導電性ペーストを作製する。導電性ペ
ーストは、低融点で且つ低抵抗の金属材料である例えば
銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラス、例えばB2 O3 −S
iO2 −BaOガラス、CaO−B2 O3 −SiO2 ガ
ラス、CaO−Al2 O3 −B2 O3 −SiO2 ガラス
と、有機バインダ、例えばエチルセルロースとを、有機
溶剤、例えば2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタ
ジオ−ルモノイソブチレ−トに混合し、3本ローラーに
より均質混練して作製される。
【0022】まず、図2(a)に示すように、ガラスや
セラミック等の支持台板7の上に絶縁層成形体10dを
形成する。この絶縁層成形体10dは、上記したスリッ
プ材を乾燥後の膜厚が40〜200μmとなるように塗
布し、乾燥して形成する。
【0023】次に、絶縁層成形体10dに、下記に示す
ような露光処理を施して硬化させる。スリップ材の塗布
から露光処理の工程を繰り返して図2(b)に示すよう
な絶縁層形成体10a〜10dが積層された第1誘電体
層1の成形体10を作製し、その表面に、上記導電性ペ
ーストを塗布してアース電極用導電部材51を形成す
る。
【0024】次に、アース電極用導電部材51の表面
に、前記スリップ材の塗布から露光処理の工程を繰り返
して図2(c)に示すように絶縁層成形体20c、20
bを作製する。この後、図2(d)に示すように絶縁層
成形体20bの上にスリップ材を塗布し、絶縁層成形体
20aを形成し、露光、現像をおこない、ストリップラ
イン用溝を作製する。
【0025】具体的には、露光処理は、絶縁層成形体2
0aの上に、図2(e)に示すように貫通孔が形成され
るような領域にフォトターゲット61を載置して、超高
圧水銀灯(10mW/cm2 )を光源として用いて露光
を行う。スリップ材に含まれる光硬化性モノマーは、ネ
ガ型である為、これにより貫通孔が形成される領域の絶
縁層成形体20aにおいては光重合が起こらず、貫通孔
が形成される領域以外の絶縁層成形体20aにおいては
光重合が起る。ここで、光重合反応が起こった部位を不
溶部x、光重合反応が起こらない部分を溶化部yとい
う。なお、厚み100μm程度の絶縁層成形体20a
は、超高圧水銀灯(10mW/cm2 )を10〜15秒
程度照射すれば露光を行うことができる。
【0026】現像処理は、絶縁層成形体20aの溶化部
yを現像液で除去するもので、具体的には、1,1,1
−トリエタノールアミンを用いてスプレー法で現像を行
う。その後、現像によって生じる不要なカスを洗浄、乾
燥工程により、完全に除去し、図2(f)に示すような
絶縁層成形体20aに貫通孔62を作製する。
【0027】次に、図2(g)に示すように、貫通孔6
2内に導体ペーストをスクリーン印刷方式にて充填し、
乾燥することで所望の導体膜厚のストリップライン用導
電部材53を形成する。尚、ストリップラインの厚み
は、絶縁層成形体20aの厚みを変更することにより容
易に変更できる。また、ストリップラインの厚みを厚く
するために、再度絶縁層成形体の塗布、ストリップライ
ン用溝の作製、この溝への導体ペーストの充填を行うこ
ともできる。
【0028】次に、絶縁層成形体10、20と同様の工
程を繰り返し、図2(h)に示すように、絶縁体形成体
30a、30bを形成し、第3誘電体層となる成形体3
0を形成する。そして、第3誘電体3となる成形体30
の上に導体ペーストを塗布し、乾燥してアース電極用導
電部材54を形成する。上記のようにして第1〜第3誘
電体層の成形体が積層された積層形成体が作製できる。
【0029】次に、支持基板7を取り外す。そして必要
応じて、積層成形体をプレスで形状を整えたり、分割溝
を形成したりする。
【0030】次に焼成を行う。焼成は、脱バインダ工程
と本焼成工程からなる。脱バインダ工程は、積層成形体
及び導電性ペーストに含まれる有機バインダ、光硬化可
能な樹脂を飛散させる工程であり、本焼成工程は、ピー
ク温度850〜1050℃、例えば900℃30分キー
プの焼成課程である。
【0031】なお、アース電極用導電部材51、54、
ストリップライン用導電部材53の導電性ペーストは、
金、銀、銅もしくはその合金の少なくとも1つの金属材
料の粉末と低融点ガラス粉末と有機バインダーと有機溶
剤を均質混練したものが使用される。
【0032】本発明の積層型ストリップライン共振器で
は、上記方法を採用し、絶縁層成形体20aの厚みを変
更することにより、ストリップラインの厚みを40μm
以上の任意の厚みに容易に設定することができ、ストリ
ップラインの導体損を減少でき、その結果、積層型スト
リップライン共振器のQ値を向上できる。しかも、スト
リップラインの厚みを40μm以上とした場合であって
も、ストリップライン上の誘電体層に凹凸が生じること
がなく、デラミネーションが発生することがない。
【0033】尚、図3(a)、(b)に示すように、厚
み40μm以上のストリップラインの両端部を、一対の
アース電極側に向けてそれぞれ延設し、断面H状の線路
を形成しても良い。
【0034】即ち、3層の誘電体層1、2、3を積層す
るととも、第1誘電体層1の上面にアース電極11を形
成し、第2誘電体層2の上面にストリップライン21を
形成し、第3誘電体層3の上面にアース電極31を形成
して構成されている。
【0035】そして、ストリップライン21の両端部に
下部電極23、上部電極33が形成されている。
【0036】このような積層型ストリップライン共振器
によれば、ストリップライン21の両端部を、一対のア
ース電極11、31側に向けてそれぞれ延設し、H状の
ストリップラインを作製したので、両端エッジ部分にお
ける磁場の集中が緩和され、ストリップラインの導体損
をさらに減少でき、積層型ストリップライン共振器のQ
値をさらに向上できる。H状の線路は、上記製造方法に
よれば容易に作製できる。
【0037】
【実施例】図4に示すように、アース電極11とストリ
ップライン21との間隔、ストリップライン21とアー
ス電極31との間隔H1を0.5mm、ストリップライ
ン21の幅W1を0.5mm、ストリップライン21の
厚みT1を5〜160μmに設定し、共振周波数1GH
zの1/4波長型共振器を構成した。誘電体層1、2、
3の比誘電率を19、Qfを16000とし、回路Qを
有限要素法を用いて解析した。この結果を図5に記載し
た。この図5より、ストリップラインの導体膜厚が厚く
なるほど回路Qが向上することが判る。
【0038】また、図3に示すように、アース電極11
とストリップライン21との間隔、ストリップライン2
1とアース電極31との間隔H1を0.5mm、ストリ
ップライン21の幅W1を0.5mm、ストリップライ
ン21の厚みT1を50μm、下部電極23および上部
電極33の上下方向の長さT2を0.1mm、電極2
3、33から誘電体層2、3の端面までの距離W2を5
mmに設定し、共振周波数1GHzの1/4波長型共振
器を構成した。誘電体層1、2、3の比誘電率を19、
Qfを16000とし、回路Qを有限要素法を用いて解
析した。その結果、回路Qは110であり、図4の積層
型ストリップライン共振器よりも回路Qを向上できるこ
とが判る。
【0039】
【発明の効果】本発明の積層型ストリップライン共振器
では、ストリップラインの導体膜厚を100〜150μ
mと厚くすることにより、ストリップラインの導体損を
減少でき、積層型ストリップライン共振器のQ値を向上
できる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated strip line resonator, and more particularly to a resonant circuit and a high frequency circuit filter used for a high frequency circuit radio such as a portable communication telephone. The present invention relates to a laminated strip line resonator used for the present invention. Conventionally, a stripline resonator has been used as a resonator for a voltage controlled oscillator (VCO) or a filter. In such a stripline resonator, a stripline (conductor line) exists between the earth electrodes via a dielectric layer, and its characteristics are equivalent to those of a coaxial cable developed in a plane, and the characteristic impedance is It is determined by the width and thickness of the strip line, the dielectric constant and the thickness of the dielectric layer. Conventionally, such a laminated strip line resonator is manufactured by, for example, producing a green sheet by a doctor blade method or the like and applying a green sheet coated with a paste for an earth electrode and a green sheet coated with a paste for a strip line. It was formed by preparing a sheet, interposing a green sheet for a strip line between green sheets for an earth electrode, and firing. In such a laminated strip line resonator, when microwaves propagate in the strip line, current does not flow much to the center of the conductor due to the skin effect, but concentrates on the surface of the conductor, particularly on the edge. . The higher the frequency, the stronger the tendency. When the frequency is on the order of GHz, the depth of the skin becomes several μm, and almost only flows on the surface of the strip line. However, in the conventional green sheet laminating method, the strip line has a thickness of about 20 μm, and the strip line is thin. And the Q value of the stacked stripline resonator is deteriorated as a result. That is, the Q of the laminated strip line resonator is
The value depends on the conductor thickness of the strip line, and in order to improve the Q value, it is necessary to increase the conductor thickness of the strip line and increase the area of the strip line through which current flows. However, in the conventional manufacturing method of printing a conductor paste on the surface of the green sheet, if the conductor thickness is not suppressed to about 30 μm or less before firing, unevenness occurs due to the thickness of the conductor paste film at the stage of laminating the green sheets, Adhesion between the green sheets becomes insufficient, and poor interlayer adhesion (delamination) occurs after firing. For this reason, it was difficult in the manufacturing process to make the film thickness of the strip line after baking 30 μm or more. Further, since the conventional strip line has a thin plate shape, the current flowing through the strip line is concentrated on both edge portions of the strip line due to a skin effect.
The conductor loss increases, and as a result, the Q of the stripline resonator increases.
There was a problem that the value deteriorated. An object of the present invention is to provide a laminated strip line resonator that can improve the Q value. A laminated strip line resonator according to the present invention has a ceramic dielectric interposed between a pair of ground electrodes and a dielectric layer between the ceramic dielectrics. In a laminated strip line resonator which is provided with a strip line, is manufactured using a photolithography method, and the ceramic dielectric and the strip line are simultaneously fired, the thickness of the strip line is 100 to 150 μm. Features. According to the laminated strip line resonator of the present invention, since the film thickness of the strip line is 100 to 150 μm, the area through which the current of the strip line flows can be increased despite the skin effect. Therefore, the conductor loss of the strip line can be reduced, and as a result, the Q value of the laminated strip line resonator can be improved. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A laminated strip line resonator according to the present invention has, for example, three dielectric layers 1, 2, and 3, as shown in FIG. The ground electrode 11 is formed on the upper surface of the first dielectric layer 1, the strip line 21 is formed on the upper surface of the second dielectric layer 2, and the ground electrode 31 is formed on the upper surface of the third dielectric layer 3. I have. That is, the dielectric layers 2 and 3 are interposed between the pair of ground electrodes 11 and 31, and the strip line 21 is formed between the dielectric layers 2 and 3. In the laminated strip line resonator of the present invention, the thickness of the strip line 21 is 100 to 1
It is 50 μm. Incidentally, the laminated strip line resonator of the present invention may be built in the substrate. Such a laminated strip line resonator cannot be manufactured by the conventional green sheet lamination method because the thickness of the strip line is 100 to 150 μm, and therefore, a dielectric material made of ceramic and a photo-curable resin, A slip made of an organic binder is formed by a photolithography method. By manufacturing in this manner, the thickness of the strip line can be arbitrarily changed to 100 to 150 μm, and the size of the via hole diameter, the thickness of the internal electrode, and the like can be easily changed. A method for manufacturing a laminated strip line resonator according to the present invention will be described. First, the dielectric layers 1, 2, 3
Create a slip material that becomes The slip material is prepared, for example, by mixing a ceramic raw material powder, a photocurable monomer such as polyoxyethylated trimethylolpropane triacrylate, an organic binder such as alkyl methacrylate, and a plasticizer with an organic solvent such as ethyl. It is mixed with carbitol acetate and kneaded with a ball mill. [0018] As the ceramic raw material powder, for example, at least Mg, Ti, a composite oxide containing Ca, a composition formula by a metal element oxide (1-x) MgTiO 3 -xCaTiO 3 as the metal element ( Here, x represents a weight ratio, and a boron-containing compound is added to B 2 with respect to 100 parts by weight of the main component represented by 0.01 ≦ x ≦ 0.15).
Those containing 3 to 30 parts by weight in terms of O 3 and 1 to 25 parts by weight of an alkali metal-containing compound in terms of alkali metal carbonate are used. In the above embodiment, a solvent-based slip material is prepared. However, as described above, a photocurable monomer having a hydrophilic functional group added thereto, for example, a polyfunctional methacrylate monomer, an organic binder, for example, An aqueous slip material kneaded with ion-exchanged water using a carboxyl-modified alkyl methacrylate may be used. Examples of the ceramic raw material powder include glass materials such as SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, and Mg.
A powder composed of 70% by weight of crystallized glass powder mainly containing O and B 2 O 3 and 30% by weight of alumina powder as a ceramic material is also used. The ceramic raw material powder is not particularly limited. Further, a conductive paste to be the ground electrodes 11, 31 and the strip line 21 is prepared. The conductive paste is a low melting point and low resistance metal material such as silver powder, and a borosilicate low melting point glass such as B 2 O 3 —S.
An iO 2 —BaO glass, a CaO—B 2 O 3 —SiO 2 glass, a CaO—Al 2 O 3 —B 2 O 3 —SiO 2 glass and an organic binder such as ethylcellulose are mixed with an organic solvent such as 2,2. It is mixed with 4-trimethyl-1,3-pentadiol monoisobutyrate and homogenously kneaded with three rollers. First, as shown in FIG. 2A, an insulating layer molded body 10d is formed on a support base plate 7 made of glass, ceramic, or the like. The insulating layer molded body 10d is formed by applying the above-described slip material so that the film thickness after drying is 40 to 200 μm, and then drying. Next, the insulating layer molded body 10d is subjected to the following exposure treatment and cured. The process from the application of the slip material to the exposure treatment is repeated to form a molded body 10 of the first dielectric layer 1 on which the insulating layer formed bodies 10a to 10d are laminated as shown in FIG. The conductive paste is applied to form the conductive member 51 for the ground electrode. Next, the steps from the application of the slip material to the exposure process are repeated on the surface of the ground electrode conductive member 51, and the insulating layer molded bodies 20c, 20c are formed as shown in FIG.
Prepare b. Thereafter, as shown in FIG. 2D, a slip material is applied on the insulating layer molded body 20b to form the insulating layer molded body 20a, and exposure and development are performed to produce a strip line groove. Specifically, the exposure treatment is performed on the insulating layer molded body 2
A photo target 61 is placed on a region where a through hole is formed as shown in FIG. 2 (e), and exposure is performed using an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm 2 ) as a light source. . Since the photocurable monomer contained in the slip material is a negative type, photopolymerization does not occur in the insulating layer molded body 20a in the region where the through hole is formed, and the insulating material in the region other than the region where the through hole is formed. Photopolymerization occurs in the layer molded body 20a. Here, a portion where the photopolymerization reaction has occurred is referred to as an insoluble portion x, and a portion where the photopolymerization reaction does not occur is referred to as a solubilized portion y. In addition, the insulating layer molded body 20a having a thickness of about 100 μm
The exposure can be performed by irradiating an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm 2 ) for about 10 to 15 seconds. The developing treatment is for removing the solubilized portion y of the insulating layer molded body 20a with a developing solution.
Developing with spray method using triethanolamine. Thereafter, unnecessary scum generated by the development is completely removed by a washing and drying process, and a through hole 62 is formed in the insulating layer molded body 20a as shown in FIG. Next, as shown in FIG.
2 is filled with a conductor paste by screen printing,
By drying, a strip line conductive member 53 having a desired conductor film thickness is formed. The thickness of the strip line can be easily changed by changing the thickness of the insulating layer molded body 20a. Further, in order to increase the thickness of the strip line, the application of the insulating layer molded body, the production of the groove for the strip line, and the filling of the conductor paste into the groove can be performed again. Next, the same steps as those for the insulating layer molded bodies 10 and 20 are repeated to form the insulator forming bodies 30a and 30b as shown in FIG. 3
0 is formed. Then, the molded body 30 to be the third dielectric 3
A conductive paste is applied on the substrate and dried to form the conductive member 54 for the ground electrode. As described above, a laminated body in which the molded bodies of the first to third dielectric layers are laminated can be manufactured. Next, the support substrate 7 is removed. Then, if necessary, the shape of the laminated molded body is adjusted by a press, or a division groove is formed. Next, firing is performed. The firing includes a binder removing step and a main firing step. The binder removal step is a step of scattering an organic binder and a photocurable resin contained in the laminated molded body and the conductive paste, and the main baking step is a baking step at a peak temperature of 850 to 1050 ° C., for example, at 900 ° C. for 30 minutes. It is a course. The conductive members 51, 54 for the ground electrode
The conductive paste of the strip line conductive member 53 is:
A material obtained by homogeneously kneading powder of at least one metal material of gold, silver, copper or an alloy thereof, low-melting glass powder, an organic binder and an organic solvent is used. In the laminated strip line resonator according to the present invention, the thickness of the strip line is reduced to 40 μm by adopting the above method and changing the thickness of the insulating layer molded body 20a.
The thickness can be easily set to the above-mentioned arbitrary thickness, the conductor loss of the strip line can be reduced, and as a result, the Q value of the laminated strip line resonator can be improved. In addition, even when the thickness of the strip line is set to 40 μm or more, no irregularities occur in the dielectric layer on the strip line, and no delamination occurs. As shown in FIGS. 3A and 3B, both ends of a strip line having a thickness of 40 μm or more are respectively extended toward a pair of ground electrodes to form a line having an H-shaped cross section. You may. That is, when the three dielectric layers 1, 2, and 3 are stacked, the ground electrode 11 is formed on the upper surface of the first dielectric layer 1, and the strip line 21 is formed on the upper surface of the second dielectric layer 2. And a ground electrode 31 is formed on the upper surface of the third dielectric layer 3. Then, a lower electrode 23 and an upper electrode 33 are formed at both ends of the strip line 21. According to such a laminated strip line resonator, both ends of the strip line 21 are respectively extended toward the pair of ground electrodes 11 and 31 to produce an H-shaped strip line. The concentration of the magnetic field at both end edges is reduced, and the conductor loss of the strip line can be further reduced.
The value can be further improved. The H-shaped line can be easily manufactured according to the above manufacturing method. As shown in FIG. 4, the distance between the ground electrode 11 and the strip line 21, the distance H1 between the strip line 21 and the ground electrode 31 is 0.5 mm, and the width W1 of the strip line 21 is 0.5 mm. 5 mm, the thickness T1 of the strip line 21 is set at 5 to 160 μm, and the resonance frequency is 1 GHz.
A 1/4 wavelength z resonator was constructed. Dielectric layers 1, 2,
The relative permittivity of No. 3 was set to 19, Qf was set to 16000, and the circuit Q was analyzed using the finite element method. The result is shown in FIG. It can be seen from FIG. 5 that the circuit Q improves as the conductor film thickness of the strip line increases. Further, as shown in FIG.
Distance between strip line 21 and strip line 2
The distance H1 between 1 and the ground electrode 31 is 0.5 mm, the width W1 of the strip line 21 is 0.5 mm, the thickness T1 of the strip line 21 is 50 μm, and the vertical length T2 of the lower electrode 23 and the upper electrode 33 is 0. .1 mm, electrode 2
The distance W2 from 3, 33 to the end faces of the dielectric layers 2, 3 is 5
mm, a 1/4 wavelength resonator having a resonance frequency of 1 GHz was formed. The dielectric constant of the dielectric layers 1, 2, and 3 is 19;
Qf was set to 16000, and the circuit Q was analyzed using the finite element method. As a result, the circuit Q is 110, and it can be seen that the circuit Q can be improved more than the stacked strip line resonator of FIG. According to the laminated strip line resonator of the present invention, the conductor film thickness of the strip line is set to 100 to 150 μm.
By increasing the thickness to m, the conductor loss of the strip line can be reduced, and the Q value of the stacked strip line resonator can be improved.
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の積層型ストリップライン共振器を示す
斜視図である。
【図2】本発明の積層型ストリップライン共振器の製造
工程を示す工程図である。
【図3】H状の線路を有する本発明の積層型ストリップ
ライン共振器を示すもので、(a)は断面図、(b)は
ストリップラインの斜視図である。
【図4】解析した積層型ストリップライン共振器を示す
断面図である。
【図5】ストリップラインの厚みと電場シュミレーショ
ンによる回路Qとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1・・・第1誘電体層
2・・・第2誘電体層
3・・・第3誘電体層
11、31・・・アース電極
21・・・ストリップラインBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing a laminated strip line resonator of the present invention. FIG. 2 is a process diagram showing a manufacturing process of the laminated strip line resonator of the present invention. 3A and 3B show a stacked stripline resonator of the present invention having an H-shaped line, wherein FIG. 3A is a cross-sectional view and FIG. 3B is a perspective view of the stripline. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the analyzed laminated strip line resonator. FIG. 5 is a graph showing a relationship between a thickness of a strip line and a circuit Q by electric field simulation. [Description of Signs] 1 ... first dielectric layer 2 ... second dielectric layer 3 ... third dielectric layer 11, 31 ... earth electrode 21 ... strip line
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/20 - 1/219 H01P 3/08 H01P 7/00 - 7/10 H01P 11/00 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01P 1/20-1/219 H01P 3/08 H01P 7/00-7/10 H01P 11/00
Claims (1)
を介装するとともに、該セラミック誘電体を構成する誘
電体層間にストリップラインを設けてなり、フォトリソ
方式を用いて作製され、前記セラミック誘電体と前記ス
トリップラインとが同時に焼成される積層型ストリップ
ライン共振器において、前記ストリップラインの厚みが
100〜150μmであることを特徴とする積層型スト
リップライン共振器。(57) [Claim 1] A photolithography system comprising a ceramic dielectric interposed between a pair of ground electrodes and a strip line provided between dielectric layers constituting the ceramic dielectric. In the laminated strip line resonator in which the ceramic dielectric and the strip line are simultaneously fired, the thickness of the strip line is
A laminated strip line resonator having a thickness of 100 to 150 μm.
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