JP3522097B2 - Stacked stripline resonator - Google Patents
Stacked stripline resonatorInfo
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- JP3522097B2 JP3522097B2 JP35693497A JP35693497A JP3522097B2 JP 3522097 B2 JP3522097 B2 JP 3522097B2 JP 35693497 A JP35693497 A JP 35693497A JP 35693497 A JP35693497 A JP 35693497A JP 3522097 B2 JP3522097 B2 JP 3522097B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層型ストリップ
ライン共振器に関し、特に携帯通信用電話機等の高周波
回路無線機に利用する共振回路や高周波回路フィルタ等
に使用される積層型ストリップライン共振器に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、電圧制御発振器（ＶＣＯ）やフィル
ター用の共振器として、ストリップライン共振器が用い
られている。このようなストリップライン共振器は、ア
ース電極間に誘電体層を介してストリップライン（導体
線路）が存在し、その特性は、同軸ケーブルを平面的に
展開したものと等価であり、特性インピーダンスはスト
リップラインの幅、厚さ、誘電体層の誘電率、厚さによ
って決定される。
【０００３】このような積層型ストリップライン共振器
は、従来、例えば、ドクターブレード法等によりグリー
ンシートを作製し、アース電極用のペーストを塗布した
グリーンシートと、ストリップライン用のペーストを塗
布したグリーンシートを作製し、アース電極用のグリー
ンシート間に、ストリップライン用のグリーンシートを
介装し、焼成することにより形成されていた。
【０００４】このような積層型ストリップライン共振器
において、ストリップライン中をマイクロ波が伝搬する
場合、電流は表皮効果のため導体中心部にはあまり流れ
ず、導体の表面、特にエッジ部分に集中する。周波数が
高くなるほどその傾向は強くなり、ＧＨｚオーダーにな
ると表皮の深さは数μｍになって、ほとんどストリップ
ラインの表面部分だけを流れるようになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
グリーンシート積層法では、ストリップラインの厚みは
２０μｍ程度であり、ストリップラインの厚みが薄いた
め、上記表皮効果のためストリップラインの導体損が増
加し、結果として積層型ストリップライン共振器のＱ値
が劣化するという問題があった。
【０００６】即ち、積層型ストリップライン共振器のＱ
値はストリップラインの導体膜厚に依存し、Ｑ値向上の
ためには、ストリップラインの導体膜厚を厚くし、スト
リップラインの電流の流れる面積を増加させる必要があ
る。しかしながら、グリーンシート表面に導体ペースト
を印刷する従来の製法では、導体厚は焼成前の状態で約
３０μｍ以下に抑えなければ、グリーンシートを積層す
る段階で、導体ペースト膜の厚みにより凹凸が生じ、グ
リーンシート間の密着が不十分となり、焼成後に層間密
着不良（デラミネーション）を起こしてしまう。その
為、焼成後のストリップラインの膜厚は３０μｍ以上に
することは、製造工程上困難であった。
【０００７】また、従来のストリップラインは薄板状で
あったため、ストリップラインに流れる電流は、表皮効
果によりストリップラインの両端エッジ部分に集中し、
導体損が増加してその結果ストリップライン共振器のＱ
値が劣化するという問題があった。
【０００８】本発明は、Ｑ値を向上できる積層型ストリ
ップライン共振器を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の積層型ストリッ
プライン共振器は、一対のアース電極の間にセラミック
誘電体を介装するとともに、該セラミック誘電体を構成
する誘電体層間にストリップラインを設けてなり、フォ
トリソ方式を用いて作製され、前記セラミック誘電体と
前記ストリップラインとが同時に焼成される積層型スト
リップライン共振器において、前記ストリップラインの
厚みが１００〜１５０μｍであることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の積層型ストリップライン共振器によれ
ば、ストリップラインの膜厚が１００〜１５０μｍであ
るため、表皮効果にもかかわらず、ストリップラインの
電流の流れる面積を増加することができ、ストリップラ
インの導体損を減少でき、その結果、積層型ストリップ
ライン共振器のＱ値を向上できる。
【００１１】
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の積層型ストリップライン
共振器は、例えば、図１に示すように、３層の誘電体層
１、２、３を積層するとともに、第１誘電体層１の上面
にアース電極１１を形成し、第２誘電体層２の上面にス
トリップライン２１を形成し、第３誘電体層３の上面に
アース電極３１を形成して構成されている。
【００１３】即ち、一対のアース電極１１、３１の間に
誘電体層２、３が介装され、誘電体層２、３の間にスト
リップライン２１が形成されている。
【００１４】そして、本発明の積層型ストリップライン
共振器では、ストリップライン２１の厚みが１００〜１
５０μｍとされている。尚、本発明の積層型ストリップ
ライン共振器を基板内に内蔵しても良い。
【００１５】このような積層型ストリップライン共振器
は、ストリップラインの厚みが１００〜１５０μｍであ
るため、従来のグリーシート積層方式では作製できない
ため、セラミックからなる誘電体材料と光硬化可能な樹
脂、有機バインダーからなるスリップをフォトリソ方式
によって形成する。このような方法で作製することによ
り、ストリップラインの厚みを１００〜１５０μｍに任
意に変更でき、しかもビアホール径の大きさや、内部電
極の厚み等が容易に変更可能となる。
【００１６】本発明の積層型ストリップライン共振器の
製造方法について説明する。先ず、誘電体層１、２、３
となるスリップ材を作成する。
【００１７】スリップ材は、例えば、セラミック原料粉
末と、光硬化可能なモノマー、例えばポリオキシエチル
化トリメチロールプロパントリアクリレートと、有機バ
インダ、例えばアルキルメタクリレートと、可塑剤と
を、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセテートに
混合し、ボールミルで混練して作製される。
【００１８】セラミック原料粉末としては、例えば、金
属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｃａを含有する複
合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を
（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中
ｘは重量比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表され
る主成分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2
Ｏ3 換算で３〜３０重量部、アルカリ金属含有化合物を
アルカリ金属炭酸塩換算で１〜２５重量部添加含有して
なるものが用いられる。
【００１９】尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を
作成しているが、上述のように親水性の官能基を付加し
た光硬化可能なモノマー、例えば多官能基メタクリレー
トモノマー、有機バインダ、例えばカルボキシル変性ア
ルキルメタクリレートを用いて、イオン交換水で混練し
た水系スリップ材であっても良い。
【００２０】セラミック原料粉末としては、例えば、ガ
ラス材料であるＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｍｇ
Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 を主成分とする結晶化ガラス粉末７０重量
％とセラミック材料であるアルミナ粉末３０重量％とか
らなるものも用いられる。セラミック原料粉末は、特に
限定されるものではない。
【００２１】また、アース電極１１、３１、ストリップ
ライン２１となる導電性ペーストを作製する。導電性ペ
ーストは、低融点で且つ低抵抗の金属材料である例えば
銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラス、例えばＢ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −ＢａＯガラス、ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガ
ラス、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラス
と、有機バインダ、例えばエチルセルロースとを、有機
溶剤、例えば２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタ
ジオ−ルモノイソブチレ−トに混合し、３本ローラーに
より均質混練して作製される。
【００２２】まず、図２（ａ）に示すように、ガラスや
セラミック等の支持台板７の上に絶縁層成形体１０ｄを
形成する。この絶縁層成形体１０ｄは、上記したスリッ
プ材を乾燥後の膜厚が４０〜２００μｍとなるように塗
布し、乾燥して形成する。
【００２３】次に、絶縁層成形体１０ｄに、下記に示す
ような露光処理を施して硬化させる。スリップ材の塗布
から露光処理の工程を繰り返して図２（ｂ）に示すよう
な絶縁層形成体１０ａ〜１０ｄが積層された第１誘電体
層１の成形体１０を作製し、その表面に、上記導電性ペ
ーストを塗布してアース電極用導電部材５１を形成す
る。
【００２４】次に、アース電極用導電部材５１の表面
に、前記スリップ材の塗布から露光処理の工程を繰り返
して図２（ｃ）に示すように絶縁層成形体２０ｃ、２０
ｂを作製する。この後、図２（ｄ）に示すように絶縁層
成形体２０ｂの上にスリップ材を塗布し、絶縁層成形体
２０ａを形成し、露光、現像をおこない、ストリップラ
イン用溝を作製する。
【００２５】具体的には、露光処理は、絶縁層成形体２
０ａの上に、図２（ｅ）に示すように貫通孔が形成され
るような領域にフォトターゲット６１を載置して、超高
圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を光源として用いて露光
を行う。スリップ材に含まれる光硬化性モノマーは、ネ
ガ型である為、これにより貫通孔が形成される領域の絶
縁層成形体２０ａにおいては光重合が起こらず、貫通孔
が形成される領域以外の絶縁層成形体２０ａにおいては
光重合が起る。ここで、光重合反応が起こった部位を不
溶部ｘ、光重合反応が起こらない部分を溶化部ｙとい
う。なお、厚み１００μｍ程度の絶縁層成形体２０ａ
は、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を１０〜１５秒
程度照射すれば露光を行うことができる。
【００２６】現像処理は、絶縁層成形体２０ａの溶化部
ｙを現像液で除去するもので、具体的には、１，１，１
−トリエタノールアミンを用いてスプレー法で現像を行
う。その後、現像によって生じる不要なカスを洗浄、乾
燥工程により、完全に除去し、図２（ｆ）に示すような
絶縁層成形体２０ａに貫通孔６２を作製する。
【００２７】次に、図２（ｇ）に示すように、貫通孔６
２内に導体ペーストをスクリーン印刷方式にて充填し、
乾燥することで所望の導体膜厚のストリップライン用導
電部材５３を形成する。尚、ストリップラインの厚み
は、絶縁層成形体２０ａの厚みを変更することにより容
易に変更できる。また、ストリップラインの厚みを厚く
するために、再度絶縁層成形体の塗布、ストリップライ
ン用溝の作製、この溝への導体ペーストの充填を行うこ
ともできる。
【００２８】次に、絶縁層成形体１０、２０と同様の工
程を繰り返し、図２（ｈ）に示すように、絶縁体形成体
３０ａ、３０ｂを形成し、第３誘電体層となる成形体３
０を形成する。そして、第３誘電体３となる成形体３０
の上に導体ペーストを塗布し、乾燥してアース電極用導
電部材５４を形成する。上記のようにして第１〜第３誘
電体層の成形体が積層された積層形成体が作製できる。
【００２９】次に、支持基板７を取り外す。そして必要
応じて、積層成形体をプレスで形状を整えたり、分割溝
を形成したりする。
【００３０】次に焼成を行う。焼成は、脱バインダ工程
と本焼成工程からなる。脱バインダ工程は、積層成形体
及び導電性ペーストに含まれる有機バインダ、光硬化可
能な樹脂を飛散させる工程であり、本焼成工程は、ピー
ク温度８５０〜１０５０℃、例えば９００℃３０分キー
プの焼成課程である。
【００３１】なお、アース電極用導電部材５１、５４、
ストリップライン用導電部材５３の導電性ペーストは、
金、銀、銅もしくはその合金の少なくとも１つの金属材
料の粉末と低融点ガラス粉末と有機バインダーと有機溶
剤を均質混練したものが使用される。
【００３２】本発明の積層型ストリップライン共振器で
は、上記方法を採用し、絶縁層成形体２０ａの厚みを変
更することにより、ストリップラインの厚みを４０μｍ
以上の任意の厚みに容易に設定することができ、ストリ
ップラインの導体損を減少でき、その結果、積層型スト
リップライン共振器のＱ値を向上できる。しかも、スト
リップラインの厚みを４０μｍ以上とした場合であって
も、ストリップライン上の誘電体層に凹凸が生じること
がなく、デラミネーションが発生することがない。
【００３３】尚、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、厚
み４０μｍ以上のストリップラインの両端部を、一対の
アース電極側に向けてそれぞれ延設し、断面Ｈ状の線路
を形成しても良い。
【００３４】即ち、３層の誘電体層１、２、３を積層す
るととも、第１誘電体層１の上面にアース電極１１を形
成し、第２誘電体層２の上面にストリップライン２１を
形成し、第３誘電体層３の上面にアース電極３１を形成
して構成されている。
【００３５】そして、ストリップライン２１の両端部に
下部電極２３、上部電極３３が形成されている。
【００３６】このような積層型ストリップライン共振器
によれば、ストリップライン２１の両端部を、一対のア
ース電極１１、３１側に向けてそれぞれ延設し、Ｈ状の
ストリップラインを作製したので、両端エッジ部分にお
ける磁場の集中が緩和され、ストリップラインの導体損
をさらに減少でき、積層型ストリップライン共振器のＱ
値をさらに向上できる。Ｈ状の線路は、上記製造方法に
よれば容易に作製できる。
【００３７】
【実施例】図４に示すように、アース電極１１とストリ
ップライン２１との間隔、ストリップライン２１とアー
ス電極３１との間隔Ｈ１を０．５ｍｍ、ストリップライ
ン２１の幅Ｗ１を０．５ｍｍ、ストリップライン２１の
厚みＴ１を５〜１６０μｍに設定し、共振周波数１ＧＨ
ｚの１／４波長型共振器を構成した。誘電体層１、２、
３の比誘電率を１９、Ｑｆを１６０００とし、回路Ｑを
有限要素法を用いて解析した。この結果を図５に記載し
た。この図５より、ストリップラインの導体膜厚が厚く
なるほど回路Ｑが向上することが判る。
【００３８】また、図３に示すように、アース電極１１
とストリップライン２１との間隔、ストリップライン２
１とアース電極３１との間隔Ｈ１を０．５ｍｍ、ストリ
ップライン２１の幅Ｗ１を０．５ｍｍ、ストリップライ
ン２１の厚みＴ１を５０μｍ、下部電極２３および上部
電極３３の上下方向の長さＴ２を０．１ｍｍ、電極２
３、３３から誘電体層２、３の端面までの距離Ｗ２を５
ｍｍに設定し、共振周波数１ＧＨｚの１／４波長型共振
器を構成した。誘電体層１、２、３の比誘電率を１９、
Ｑｆを１６０００とし、回路Ｑを有限要素法を用いて解
析した。その結果、回路Ｑは１１０であり、図４の積層
型ストリップライン共振器よりも回路Ｑを向上できるこ
とが判る。
【００３９】
【発明の効果】本発明の積層型ストリップライン共振器
では、ストリップラインの導体膜厚を１００〜１５０μ
ｍと厚くすることにより、ストリップラインの導体損を
減少でき、積層型ストリップライン共振器のＱ値を向上
できる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated strip line resonator, and more particularly to a resonant circuit and a high frequency circuit filter used for a high frequency circuit radio such as a portable communication telephone. The present invention relates to a laminated strip line resonator used for the present invention. Conventionally, a stripline resonator has been used as a resonator for a voltage controlled oscillator (VCO) or a filter. In such a stripline resonator, a stripline (conductor line) exists between the earth electrodes via a dielectric layer, and its characteristics are equivalent to those of a coaxial cable developed in a plane, and the characteristic impedance is It is determined by the width and thickness of the strip line, the dielectric constant and the thickness of the dielectric layer. Conventionally, such a laminated strip line resonator is manufactured by, for example, producing a green sheet by a doctor blade method or the like and applying a green sheet coated with a paste for an earth electrode and a green sheet coated with a paste for a strip line. It was formed by preparing a sheet, interposing a green sheet for a strip line between green sheets for an earth electrode, and firing. In such a laminated strip line resonator, when microwaves propagate in the strip line, current does not flow much to the center of the conductor due to the skin effect, but concentrates on the surface of the conductor, particularly on the edge. . The higher the frequency, the stronger the tendency. When the frequency is on the order of GHz, the depth of the skin becomes several μm, and almost only flows on the surface of the strip line. However, in the conventional green sheet laminating method, the strip line has a thickness of about 20 μm, and the strip line is thin. And the Q value of the stacked stripline resonator is deteriorated as a result. That is, the Q of the laminated strip line resonator is
The value depends on the conductor thickness of the strip line, and in order to improve the Q value, it is necessary to increase the conductor thickness of the strip line and increase the area of the strip line through which current flows. However, in the conventional manufacturing method of printing a conductor paste on the surface of the green sheet, if the conductor thickness is not suppressed to about 30 μm or less before firing, unevenness occurs due to the thickness of the conductor paste film at the stage of laminating the green sheets, Adhesion between the green sheets becomes insufficient, and poor interlayer adhesion (delamination) occurs after firing. For this reason, it was difficult in the manufacturing process to make the film thickness of the strip line after baking 30 μm or more. Further, since the conventional strip line has a thin plate shape, the current flowing through the strip line is concentrated on both edge portions of the strip line due to a skin effect.
The conductor loss increases, and as a result, the Q of the stripline resonator increases.
There was a problem that the value deteriorated. An object of the present invention is to provide a laminated strip line resonator that can improve the Q value. A laminated strip line resonator according to the present invention has a ceramic dielectric interposed between a pair of ground electrodes and a dielectric layer between the ceramic dielectrics. In a laminated strip line resonator which is provided with a strip line, is manufactured using a photolithography method, and the ceramic dielectric and the strip line are simultaneously fired, the thickness of the strip line is 100 to 150 μm. Features. According to the laminated strip line resonator of the present invention, since the film thickness of the strip line is 100 to 150 μm, the area through which the current of the strip line flows can be increased despite the skin effect. Therefore, the conductor loss of the strip line can be reduced, and as a result, the Q value of the laminated strip line resonator can be improved. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A laminated strip line resonator according to the present invention has, for example, three dielectric layers 1, 2, and 3, as shown in FIG. The ground electrode 11 is formed on the upper surface of the first dielectric layer 1, the strip line 21 is formed on the upper surface of the second dielectric layer 2, and the ground electrode 31 is formed on the upper surface of the third dielectric layer 3. I have. That is, the dielectric layers 2 and 3 are interposed between the pair of ground electrodes 11 and 31, and the strip line 21 is formed between the dielectric layers 2 and 3. In the laminated strip line resonator of the present invention, the thickness of the strip line 21 is 100 to 1
It is 50 μm. Incidentally, the laminated strip line resonator of the present invention may be built in the substrate. Such a laminated strip line resonator cannot be manufactured by the conventional green sheet lamination method because the thickness of the strip line is 100 to 150 μm, and therefore, a dielectric material made of ceramic and a photo-curable resin, A slip made of an organic binder is formed by a photolithography method. By manufacturing in this manner, the thickness of the strip line can be arbitrarily changed to 100 to 150 μm, and the size of the via hole diameter, the thickness of the internal electrode, and the like can be easily changed. A method for manufacturing a laminated strip line resonator according to the present invention will be described. First, the dielectric layers 1, 2, 3
Create a slip material that becomes The slip material is prepared, for example, by mixing a ceramic raw material powder, a photocurable monomer such as polyoxyethylated trimethylolpropane triacrylate, an organic binder such as alkyl methacrylate, and a plasticizer with an organic solvent such as ethyl. It is mixed with carbitol acetate and kneaded with a ball mill. [0018] As the ceramic raw material powder, for example, at least Mg, Ti, a composite oxide containing Ca, a composition formula by a metal element oxide (1-x) MgTiO 3 -xCaTiO 3 as the metal element ( Here, x represents a weight ratio, and a boron-containing compound is added to B 2 with respect to 100 parts by weight of the main component represented by 0.01 ≦ x ≦ 0.15).
Those containing 3 to 30 parts by weight in terms of O 3 and 1 to 25 parts by weight of an alkali metal-containing compound in terms of alkali metal carbonate are used. In the above embodiment, a solvent-based slip material is prepared. However, as described above, a photocurable monomer having a hydrophilic functional group added thereto, for example, a polyfunctional methacrylate monomer, an organic binder, for example, An aqueous slip material kneaded with ion-exchanged water using a carboxyl-modified alkyl methacrylate may be used. Examples of the ceramic raw material powder include glass materials such as SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, and Mg.
A powder composed of 70% by weight of crystallized glass powder mainly containing O and B 2 O 3 and 30% by weight of alumina powder as a ceramic material is also used. The ceramic raw material powder is not particularly limited. Further, a conductive paste to be the ground electrodes 11, 31 and the strip line 21 is prepared. The conductive paste is a low melting point and low resistance metal material such as silver powder, and a borosilicate low melting point glass such as B 2 O 3 —S.
An iO 2 —BaO glass, a CaO—B 2 O 3 —SiO 2 glass, a CaO—Al 2 O 3 —B 2 O 3 —SiO 2 glass and an organic binder such as ethylcellulose are mixed with an organic solvent such as 2,2. It is mixed with 4-trimethyl-1,3-pentadiol monoisobutyrate and homogenously kneaded with three rollers. First, as shown in FIG. 2A, an insulating layer molded body 10d is formed on a support base plate 7 made of glass, ceramic, or the like. The insulating layer molded body 10d is formed by applying the above-described slip material so that the film thickness after drying is 40 to 200 μm, and then drying. Next, the insulating layer molded body 10d is subjected to the following exposure treatment and cured. The process from the application of the slip material to the exposure treatment is repeated to form a molded body 10 of the first dielectric layer 1 on which the insulating layer formed bodies 10a to 10d are laminated as shown in FIG. The conductive paste is applied to form the conductive member 51 for the ground electrode. Next, the steps from the application of the slip material to the exposure process are repeated on the surface of the ground electrode conductive member 51, and the insulating layer molded bodies 20c, 20c are formed as shown in FIG.
Prepare b. Thereafter, as shown in FIG. 2D, a slip material is applied on the insulating layer molded body 20b to form the insulating layer molded body 20a, and exposure and development are performed to produce a strip line groove. Specifically, the exposure treatment is performed on the insulating layer molded body 2
A photo target 61 is placed on a region where a through hole is formed as shown in FIG. 2 (e), and exposure is performed using an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm 2 ) as a light source. . Since the photocurable monomer contained in the slip material is a negative type, photopolymerization does not occur in the insulating layer molded body 20a in the region where the through hole is formed, and the insulating material in the region other than the region where the through hole is formed. Photopolymerization occurs in the layer molded body 20a. Here, a portion where the photopolymerization reaction has occurred is referred to as an insoluble portion x, and a portion where the photopolymerization reaction does not occur is referred to as a solubilized portion y. In addition, the insulating layer molded body 20a having a thickness of about 100 μm
The exposure can be performed by irradiating an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm 2 ) for about 10 to 15 seconds. The developing treatment is for removing the solubilized portion y of the insulating layer molded body 20a with a developing solution.
Developing with spray method using triethanolamine. Thereafter, unnecessary scum generated by the development is completely removed by a washing and drying process, and a through hole 62 is formed in the insulating layer molded body 20a as shown in FIG. Next, as shown in FIG.
2 is filled with a conductor paste by screen printing,
By drying, a strip line conductive member 53 having a desired conductor film thickness is formed. The thickness of the strip line can be easily changed by changing the thickness of the insulating layer molded body 20a. Further, in order to increase the thickness of the strip line, the application of the insulating layer molded body, the production of the groove for the strip line, and the filling of the conductor paste into the groove can be performed again. Next, the same steps as those for the insulating layer molded bodies 10 and 20 are repeated to form the insulator forming bodies 30a and 30b as shown in FIG. 3
0 is formed. Then, the molded body 30 to be the third dielectric 3
A conductive paste is applied on the substrate and dried to form the conductive member 54 for the ground electrode. As described above, a laminated body in which the molded bodies of the first to third dielectric layers are laminated can be manufactured. Next, the support substrate 7 is removed. Then, if necessary, the shape of the laminated molded body is adjusted by a press, or a division groove is formed. Next, firing is performed. The firing includes a binder removing step and a main firing step. The binder removal step is a step of scattering an organic binder and a photocurable resin contained in the laminated molded body and the conductive paste, and the main baking step is a baking step at a peak temperature of 850 to 1050 ° C., for example, at 900 ° C. for 30 minutes. It is a course. The conductive members 51, 54 for the ground electrode
The conductive paste of the strip line conductive member 53 is:
A material obtained by homogeneously kneading powder of at least one metal material of gold, silver, copper or an alloy thereof, low-melting glass powder, an organic binder and an organic solvent is used. In the laminated strip line resonator according to the present invention, the thickness of the strip line is reduced to 40 μm by adopting the above method and changing the thickness of the insulating layer molded body 20a.
The thickness can be easily set to the above-mentioned arbitrary thickness, the conductor loss of the strip line can be reduced, and as a result, the Q value of the laminated strip line resonator can be improved. In addition, even when the thickness of the strip line is set to 40 μm or more, no irregularities occur in the dielectric layer on the strip line, and no delamination occurs. As shown in FIGS. 3A and 3B, both ends of a strip line having a thickness of 40 μm or more are respectively extended toward a pair of ground electrodes to form a line having an H-shaped cross section. You may. That is, when the three dielectric layers 1, 2, and 3 are stacked, the ground electrode 11 is formed on the upper surface of the first dielectric layer 1, and the strip line 21 is formed on the upper surface of the second dielectric layer 2. And a ground electrode 31 is formed on the upper surface of the third dielectric layer 3. Then, a lower electrode 23 and an upper electrode 33 are formed at both ends of the strip line 21. According to such a laminated strip line resonator, both ends of the strip line 21 are respectively extended toward the pair of ground electrodes 11 and 31 to produce an H-shaped strip line. The concentration of the magnetic field at both end edges is reduced, and the conductor loss of the strip line can be further reduced.
The value can be further improved. The H-shaped line can be easily manufactured according to the above manufacturing method. As shown in FIG. 4, the distance between the ground electrode 11 and the strip line 21, the distance H1 between the strip line 21 and the ground electrode 31 is 0.5 mm, and the width W1 of the strip line 21 is 0.5 mm. 5 mm, the thickness T1 of the strip line 21 is set at 5 to 160 μm, and the resonance frequency is 1 GHz.
A 1/4 wavelength z resonator was constructed. Dielectric layers 1, 2,
The relative permittivity of No. 3 was set to 19, Qf was set to 16000, and the circuit Q was analyzed using the finite element method. The result is shown in FIG. It can be seen from FIG. 5 that the circuit Q improves as the conductor film thickness of the strip line increases. Further, as shown in FIG.
Distance between strip line 21 and strip line 2
The distance H1 between 1 and the ground electrode 31 is 0.5 mm, the width W1 of the strip line 21 is 0.5 mm, the thickness T1 of the strip line 21 is 50 μm, and the vertical length T2 of the lower electrode 23 and the upper electrode 33 is 0. .1 mm, electrode 2
The distance W2 from 3, 33 to the end faces of the dielectric layers 2, 3 is 5
mm, a 1/4 wavelength resonator having a resonance frequency of 1 GHz was formed. The dielectric constant of the dielectric layers 1, 2, and 3 is 19;
Qf was set to 16000, and the circuit Q was analyzed using the finite element method. As a result, the circuit Q is 110, and it can be seen that the circuit Q can be improved more than the stacked strip line resonator of FIG. According to the laminated strip line resonator of the present invention, the conductor film thickness of the strip line is set to 100 to 150 μm.
By increasing the thickness to m, the conductor loss of the strip line can be reduced, and the Q value of the stacked strip line resonator can be improved.
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層型ストリップライン共振器を示す
斜視図である。
【図２】本発明の積層型ストリップライン共振器の製造
工程を示す工程図である。
【図３】Ｈ状の線路を有する本発明の積層型ストリップ
ライン共振器を示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は
ストリップラインの斜視図である。
【図４】解析した積層型ストリップライン共振器を示す
断面図である。
【図５】ストリップラインの厚みと電場シュミレーショ
ンによる回路Ｑとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１・・・第１誘電体層
２・・・第２誘電体層
３・・・第３誘電体層
１１、３１・・・アース電極
２１・・・ストリップラインBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing a laminated strip line resonator of the present invention. FIG. 2 is a process diagram showing a manufacturing process of the laminated strip line resonator of the present invention. 3A and 3B show a stacked stripline resonator of the present invention having an H-shaped line, wherein FIG. 3A is a cross-sectional view and FIG. 3B is a perspective view of the stripline. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the analyzed laminated strip line resonator. FIG. 5 is a graph showing a relationship between a thickness of a strip line and a circuit Q by electric field simulation. [Description of Signs] 1 ... first dielectric layer 2 ... second dielectric layer 3 ... third dielectric layer 11, 31 ... earth electrode 21 ... strip line
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/20 - 1/219 H01P 3/08 H01P 7/00 - 7/10 H01P 11/00 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01P 1/20-1/219 H01P 3/08 H01P 7/00-7/10 H01P 11/00
Claims (1)
を介装するとともに、該セラミック誘電体を構成する誘
電体層間にストリップラインを設けてなり、フォトリソ
方式を用いて作製され、前記セラミック誘電体と前記ス
トリップラインとが同時に焼成される積層型ストリップ
ライン共振器において、前記ストリップラインの厚みが
１００〜１５０μｍであることを特徴とする積層型スト
リップライン共振器。(57) [Claim 1] A photolithography system comprising a ceramic dielectric interposed between a pair of ground electrodes and a strip line provided between dielectric layers constituting the ceramic dielectric. In the laminated strip line resonator in which the ceramic dielectric and the strip line are simultaneously fired, the thickness of the strip line is
A laminated strip line resonator having a thickness of 100 to 150 μm.
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