JP3520024B2 - 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置Info
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Description
ネセンス(EL)素子の製造方法及びその装置に係り、
特に有機エレクトロルミネセンス素子の製造に際し、基
板上に透明電極を形成した後の工程から保護膜形成の工
程までを、外気の酸化雰囲気から隔離して連続して真空
室中に行い、保護膜形成後、外気中に取出すようにした
ものに関する。
して注目されている。従来有機EL素子を製造するため
に、図4に示す如く、ガラス基板30上にITOの如き
透明電極31を蒸着又はスパッタリングにより形成して
これをパターニングしたあと、真空室にこの透明電極3
1の形成された基板を配置して透明電極31の上に、正
孔注入輸送層32、発光層33、電子注入輸送層34、
陰極35、Si層36、保護膜37を蒸着させたり、あ
るいはスパッタリングにより順次形成していた。
層32、発光層33、電子注入輸送層34、陰極35、
Si層36、保護膜37を形成するために、その度に真
空室を常圧に戻してそれぞれの工程に適した材料を入
れ、真空にしたあと蒸着あるいはスパッタリングさせる
ことが必要であった。
必要となり酸化雰囲気に露出されたり、製造時間が長く
なるという欠点があった。
旦常圧に戻す必要のない有機EL素子の製造方法及びそ
の装置を提供することである。
め、本発明では、図1に示す如く、中空柱状の真空槽1
に、基板挿入取出部10と、複数の作業用真空室11〜
16を円周上に配置する。そして真空槽1の中央部分に
は、ロボット2を設置する。ロボット2には、上下左右
方向に伸縮回転可能に構成された例えば3本のアーム2
−1、2−2、2−3が設けられ、そのアーム2−3の
先端には先端保持部3が形成されている。
スパッタリング室として構成される。蒸着室は、図1
(B)に断面が示されるように、支持基部6、加熱部
7、蒸着源17等が備えられ、支持基部6上に、後述す
るように載置された有機ELウェーハ4に蒸着源からの
物質が被膜される。スパッタリング室は、図1(C)に
断面が示されるように、支持基部6と電極18、ターゲ
ット19が用意され、電極18には高周波源8が接続さ
れる。
成してこれをパターニングした有機ELウェーハ4を後
述する保持板に保持させたあと、これを基板挿入取出部
10を開き、真空室11内のロボット2の先端保持部3
に保持させる。このようにして有機ELウェーハ4を保
持させたあと、これを真空槽1内に入れ、真空にする。
20を開き、有機ELウェーハ4をその支持基部6に保
持させて正孔注入輸送層を蒸着させる。次にロボット2
はこの有機ELウェーハ4を作業用真空室12の支持基
部6に保持させ、発光層を蒸着させる。このようにして
作業用真空室13にて電子注入輸送層を蒸着し、作業用
真空室14にて陰極を蒸着し、作業用真空室15にてS
i層をスパッタリングし、作業用真空室16にて保護膜
をスパッタリングで形成したあと、真空槽1を常圧に戻
し、基板挿入取出部10から有機EL素子を取出すこと
ができる。
2及び図4にもとづき説明する。図1は本発明の一実施
例構成図、図2は本発明の作業用真空室とロボット2の
先端保持部3の要部説明図、図4は有機EL素子の構成
を示す。
て説明する。
えばITO等で構成され、ガラス基板30上に蒸着又は
スパッタリングにより成膜されたあとパターニングされ
て所定の形状に整形されたもの、あるいはマスタパター
ニングされて所定の形状に成膜されたものである。
表されるテトラアリールジアミン誘導体が使用される。
4 はそれぞれアリール基、アルキル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アミノ基、又はハロゲン原子を表
す。r1、r2、r3及びr4は、それぞれ0又は1〜
5の整数である。R5 及びR6は、アルキル基、アルコ
キシ基、アミノ基、又はハロゲン原子を表し、これらは
同一でも異なるものであってもよい。r5及びr6は、
それぞれ0又は1〜4の整数である。〕 この化1に限定されず、例えば下記化2で表されるN、
N′−ジ(3−メチルフェニル)−N、N′−ジフェニ
ル−4、4′−ジアミノ−1、1′ビフェニルを蒸着す
ることにより形成したものを正孔注入輸送層32として
使用することもできる。
導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミ
ダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘
導体、ポリチオフェン等が使用できる。
ト)アルミニウム等の金属錯体色素、テトラフェニルブ
タジェン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−
フタロペリノン誘導体、キナクリドン、ルブレン、スチ
リル系色素等の有機蛍光体や、前記正孔注入輸送層32
を構成する例えば化1で表されるテトラアリールジアミ
ン誘導体と、後述する電子注入輸送層34を構成する例
えばトリス(8−キノリノラト)アルミニウムとの混合
物が使用される。この場合、異なる蒸着源より蒸発させ
る共蒸着が好ましいが、これに限定されるものではな
い。勿論蛍光性物質を含ませることもできる。
−キノリノラト)アルミニウム等の金属錯体色素、オキ
サジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導
体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン
誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオロ
レン誘導体等を蒸着することにより形成される。
Li、Na、Mg、Al、Ag、Inあるいはこれらの
1種以上を含む合金例えばMgAg(例えば重量比1
0:1)、MgIn等で構成される。陰極35は蒸着又
はスパッタリングにより成膜される。
その酸化を防止するものであり、Siをスパッタリング
することで成膜される。
ず、正孔注入輸送層32〜電子注入輸送層34の酸化を
防止し、有機EL素子が長時間発光できるようにするも
のであり、例えばSiO2 、Si3 N4 等をスパッタリ
ングすることにより形成される。
護膜37の形成を図1(A)に示す作業用真空室11〜
16で順次行うものである。
ついて説明する。図1(A)において、1は真空槽、2
はロボット、3は先端保持部、4は有機ELウェーハ、
10は基板挿入取出部、11〜16は作業用真空室、2
0はゲートバルブである。
0に透明電極31を形成したものから、正孔注入輸送層
32、発光層33、電子注入輸送層34、陰極35、S
i層36、保護膜37を形成されるまでを連続的に行う
ものであり、内部にロボット2が設置され、また真空槽
1の周壁には作業用真空室11〜16が、クラスタ状に
配置されている。また真空槽1には基板挿入取出部10
が形成されている。
作業用真空室11〜16に挿入し、取出すものであり、
例えば3本のアーム2−1、2−2、2−3を有する。
これらのアーム2−1〜2−3は、そのアーム2−3の
先端に形成された先端保持部3が上下左右の360°の
全方向に移動回転可能に構成されている。
持された保持板5を載置するものであり、その先端に
は、後述する支持基部6の穴部6−1、6−2に進入さ
れる突出部3−1、3−2が形成されている。
造されるまでの中間体であり、図1(A)に示す有機E
Lウェーハ4はガラス基板30に透明電極31がパター
ニング形成されたものであり、その後順次作業用真空室
11〜16で順次成膜されて、有機EL素子になるまで
の途中のものをいう。
層32を蒸着する、蒸着工程用の真空室であり、図1
(B)はそのA−A線断面図である。この断面図に示さ
れるように作業用真空室11には支持基部6、加熱部
7、蒸着源17が具備されている。作業用真空室11で
は正孔注入輸送層32が蒸着されるので、この室の蒸着
源17には前記化1あるいは化2で示されるものが使用
される。
された先端保持板5が載置されるものであり、図2に示
す如く、穴部6−1、6−2が形成されている。図2の
状態において、ロボット2の先端保持部3が右方向に移
動し、その突出部3−1、3−2が穴部6−1、6−2
に進入する。このとき、突出部3−1、3−2の上面が
支持基部6の上面よりもわずかに高い状態で進入するの
で、保持板5はそのまま支持基部6上を移動する。そし
て所定の位置に進入したとき、先端保持部3が下降する
ので、保持板5は支持基部6上の所定の位置に載置され
る。
熱部7に通電すれば、蒸着源17が有機ELウェーハ4
上に蒸着される。そして蒸着終了後、再びゲートバルブ
20を開き、ロボット2の先端保持部3の上面が支持基
部6の上面よりも低い状態で突出部3−1、3−2が穴
部6−1、6−2に進入させ、所定の位置に進入したと
き、先端保持部3を若干上昇させる。これにより蒸着処
理された有機ELウェーハ4が先端保持部3に再び載置
される。これを作業用真空室11の外に移動し、次の作
業用真空室12内の支持基部6上に同様に載置する。こ
のようにして順次作業用真空室における成膜処理を行う
ことができる。なお図2に示す如く、マスク9を設け、
マスク蒸着することもできる。
ものであり、作業用真空室13は電子注入輸送層34を
蒸着するものであり、作業用真空室14は陰極25を蒸
着するものであるので、これらの各室は、前記作業用真
空室11と同様に構成されている。
パッタリングにより形成するスパッタリング工程用の真
空室であり、図1(C)はそのB−B断面図である。こ
の断面図に示されるように、スパッタリング用の作業用
真空室15でも、蒸着用の作業用真空室と同様に支持基
部6が設けられている。そしてその上方に電極18が設
置され、その前面にターゲット19が配置されている。
電極18には高周波源8により高周波電圧が印加され、
室内に発生した高周波放電によりターゲットがスパッタ
リングされ、支持基部6上に載置された有機ELウェー
ハ4上にSi層36が形成される。このとき室内にAr
ガスが導入されスパッタを行う。
スパッタリングにより形成するスパッタリング工程用の
真空室であり、前記作業用真空室15と同様に構成され
ている。
業用真空室15、16は、真空槽1の周辺に設置され、
これらはいわゆるクラスター状に設置されている。
成した有機ELウェーハ4を保持板5に保持させ、これ
を基板挿入取出部10の窓部より入れてロボット2の先
端保持部3上に載置する。それから各作業用真空室11
〜16のゲートバルブ20を開き、真空槽1を図示省略
した真空ポンプにて排気する。
ット2の先端保持部3を作業用真空室11に挿入し、そ
の支持基部6上に有機ELウェーハ4を保持した保持板
5を前記の如く載置したあと、そのゲートバルブ20を
閉める。そして加熱部7を加熱し、蒸着源17から正孔
注入輸送層32を蒸着させる。
された後、作業用真空室11では、ゲートバルブ20を
開き、ロボット2の先端保持部3を駆動して、それに正
孔注入輸送層32が形成された有機ELウェーハ4が保
持されている保持板5を、次に作業用真空室12内の支
持基部6上に載置し、そのゲートバルブ20を閉める。
そして加熱部7を加熱し、蒸着源17から発光層33を
蒸着させる。
12ではゲートバルブ20を開き、ロボット2の先端保
持部3を駆動して、それに発光層33が形成された有機
ELウェーハ4が保持されている保持板5を、次の作業
用真空室13内の支持基部6上に載置し、そのゲートバ
ルブ20を閉める。そして加熱部7を加熱し、蒸着源1
7から電子注入輸送層34を蒸着させる。
た後、作業用真空室13ではゲートバルブ20を開き、
ロボット2の先端保持部3を駆動して、それに電子注入
輸送層34が形成された有機ELウェーハ4が保持され
ている保持板5を、次の作業用真空室14内の支持基部
6上に載置し、そのゲートバルブ20を閉める。そして
加熱部7を加熱し、蒸着源17から陰極35を蒸着させ
る。
4ではゲートバルブ20を開き、ロボット2の先端保持
部3を駆動して、それに陰極35が形成された有機EL
ウェーハ4が保持されている保持板5を、次の作業用真
空室15内の支持基部6上に載置し、そのゲートバルブ
20を閉める。そして電極18に高周波源8より高周波
を印加し、高周波放電を発生させ、ターゲット19をス
パッタして有機ELウェーハ4上にSi層36が形成さ
れる。
15ではゲートバルブ20を開き、ロボット2の先端保
持部3を駆動して、それにSi層36が形成された有機
ELウェーハ4が保持されている保持板5を、次の作業
用真空室16内の支持基部6上に載置し、そのゲートバ
ルブ20を閉める。そして電極18に高周波源8より高
周波を印加し、高周波放電を発生させ、ターゲット19
をスパッタして有機ELウェーハ4上に保護膜37を形
成する。
業用真空室16ではゲートバルブ20を開き、ロボット
2の先端保持部3を駆動して、それに保護膜37が形成
された有機EL素子を保持されている保持板5を基板挿
入取出部10に駆動させる。そして真空槽1内を常圧に
戻し、図示省略した窓部を開いて有機EL素子を取出
す。
用真空室の下に位置した例について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、図3(A)に蒸着用
の作業用真空室11′として代表的に示す如く、蒸着用
の加熱部7、蒸着源17を下方におき、支持基部6を上
方においてもよい。同様に図3(B)に示す如く、スパ
ッタリング用の作業用真空室15′としては、電極18
やターゲット19を下方におき支持基部6を上方におい
てもよい。
ーハ4は蒸着源17あるいはターゲット19側に面して
いる。そして支持基部6には、この有機ELウェーハ4
の載置部分の下方に穴部が形成されている。
注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の3層構成の有機
EL素子例について説明したが本発明は勿論これに限定
されるものではない。例えば正孔注入輸送層・発光層+
電子注入輸送層、正孔注入輸送層+電子注入輸送層・発
光層の如きものに対しても同様に適用できる。また1つ
の電子注入層が発光層及び正孔注入層を兼ねる場合も本
発明に含まれるものである。
従って左廻りに配置した例について説明したが、作業用
真空室の配置は作業順に限定されるものではなく、任意
に配置できる。この場合、ロボット2の有機ELウェー
ハの駆動先が作業順に従って行われることになる。勿論
作業順は右廻りでもよい。
のに限定されるものではなく、例えば層数の増加などに
より工程数が増加すればこれに応じて増加することがで
きる。
のに対してその上に保護膜を形成する場合について説明
したが本発明はこれに限定されるものではなく、他のも
のについても勿論適用できる。
真空を破らない、いわゆるクラスタツール方式で有機E
L素子を製造するので、一度真空にすれば工程が終わる
までこれを保持すればよく、工程毎に真空状態にする必
要がないので効率的である。しかも保護膜を形成したあ
とで大気中に取出すので、各層が酸化雰囲気に露出され
ることがないので、各層が酸化されないため、発光寿命
の長いものを提供することができる。
業用真空室は個別の膜を形成するので、高価な有機EL
材料を作業用真空室より回収して再利用することができ
る。
業用真空室に自動的に有機ELウェーハを搬送して成膜
し、極めて効率良く有機EL素子を製造することができ
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 有機エレクトロルミネセンス素子の少な
くとも一部の複数の層状部分を、真空槽の周辺に形成さ
れた複数の作業用真空室において順次成膜し、保護膜の
形成後に外部に取出すようにすることにより、一度真空
にして工程が終わるまで真空状態を保持して工程毎に真
空状態にする必要がないことを特徴とする有機エレクト
ロルミネセンス素子の製造方法。 - 【請求項2】 その内部に保持搬送手段を有する真空槽
と、この真空槽の周囲に、有機エレクトロルミネセンス
素子を構成する層状部分を形成する複数の作業用真空室
を設け、 前記作業用真空室において一度真空にして工程が終わる
まで真空状態を保持して、工程毎に真空状態にする必要
なく有機エレクトロルミネセンス素子の一層を形成した
ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製
造装置。 - 【請求項3】 前記真空槽内に、その先端部が各作業用
真空室内に自由に移動できる可動アームを設けたことを
特徴とする請求項2記載の有機エレクトロルミネセンス
素子の製造装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000096768A JP3520024B2 (ja) | 1994-10-07 | 2000-03-31 | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6244244A JPH08111285A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置 |
JP2000096768A JP3520024B2 (ja) | 1994-10-07 | 2000-03-31 | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP6244244A Division JPH08111285A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置 |
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Family Applications (1)
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JP2000096768A Expired - Lifetime JP3520024B2 (ja) | 1994-10-07 | 2000-03-31 | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置 |
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JP5694679B2 (ja) * | 2009-05-04 | 2015-04-01 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機物蒸着装置及び蒸着方法 |
US20100279021A1 (en) | 2009-05-04 | 2010-11-04 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing organic material and depositing method thereof |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000096768A patent/JP3520024B2/ja not_active Expired - Lifetime
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