JP3464177B2 - 半導体製造装置および静電気除去方法 - Google Patents
半導体製造装置および静電気除去方法Info
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、静電気除去機能
を備えた半導体製造装置、特にホトリソグラフィ工程に
用いられる塗布装置または現像装置およびウェハ表面か
ら静電気を除去する方法に関する。
を備えた半導体製造装置、特にホトリソグラフィ工程に
用いられる塗布装置または現像装置およびウェハ表面か
ら静電気を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ホトリソグラフィ工程に用いる塗
布装置若しくは現像装置のようなウェハ回転処理装置と
して、図５に示すような構造の装置がある。図５は、従
来のウェハ回転処理装置１００の概略的な構造図で、断
面の切り口で示されている。図５によれば、カップと呼
ばれる筒状容器１０２内に、ウェハチャックと称され
る、ウェハ１０４を真空吸着によって支持する支持部１
０６が設けられている。また、この装置１００には、支
持部１０６に支持されたウェハ１０４の表面１０４ａに
塗布液や現像用の薬液を滴下するためのノズル（吐出
部）１０８が設けられている。そして、ノズル１０８か
らウェハ表面１０４ａに液体を滴下する際には、支持部
１０６を回転させて、ウェハ表面１０４ａが同一平面内
で回転するようにする。これにより、滴下された液体１
１０を均一にウェハ表面１０４ａに塗布することができ
る。
布装置若しくは現像装置のようなウェハ回転処理装置と
して、図５に示すような構造の装置がある。図５は、従
来のウェハ回転処理装置１００の概略的な構造図で、断
面の切り口で示されている。図５によれば、カップと呼
ばれる筒状容器１０２内に、ウェハチャックと称され
る、ウェハ１０４を真空吸着によって支持する支持部１
０６が設けられている。また、この装置１００には、支
持部１０６に支持されたウェハ１０４の表面１０４ａに
塗布液や現像用の薬液を滴下するためのノズル（吐出
部）１０８が設けられている。そして、ノズル１０８か
らウェハ表面１０４ａに液体を滴下する際には、支持部
１０６を回転させて、ウェハ表面１０４ａが同一平面内
で回転するようにする。これにより、滴下された液体１
１０を均一にウェハ表面１０４ａに塗布することができ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
１０４は高速で回転しているために、滴下された液体１
１０とウェハ表面１０４ａとの間には摩擦が生じる。こ
の摩擦によって静電気が発生して、滴下された液体１１
０と接触しているウェハ表面１０４ａはプラスの電荷を
帯びる。また、ウェハ１０４の周辺の雰囲気はマイナス
に帯電する（図５参照）。例えば、文献１（『BREAK TH
ROUGH 』東北大学大見教授、平成５年４月発行、（株）
リアライズ社、Ｐ．２６表１）によれば、上述したと同
様の装置を用いてウェハ表面にレジストを塗布した後
に、ウェハ表面は＋３０００Ｖ以上の電位を有してい
る。このように、ホトリソグラフィ工程において生じる
静電気により、デバイスのトランジスタ破壊や、浮遊パ
ーティクルの付着によるデバイスの歩留り低下および品
質低下といった問題が生じるおそれがある。そして、近
年、デバイスは微細化する傾向がある。このデバイスの
微細化傾向に伴って、静電気のデバイスに与える悪影響
はさらに大きくなるおそれがある。
１０４は高速で回転しているために、滴下された液体１
１０とウェハ表面１０４ａとの間には摩擦が生じる。こ
の摩擦によって静電気が発生して、滴下された液体１１
０と接触しているウェハ表面１０４ａはプラスの電荷を
帯びる。また、ウェハ１０４の周辺の雰囲気はマイナス
に帯電する（図５参照）。例えば、文献１（『BREAK TH
ROUGH 』東北大学大見教授、平成５年４月発行、（株）
リアライズ社、Ｐ．２６表１）によれば、上述したと同
様の装置を用いてウェハ表面にレジストを塗布した後
に、ウェハ表面は＋３０００Ｖ以上の電位を有してい
る。このように、ホトリソグラフィ工程において生じる
静電気により、デバイスのトランジスタ破壊や、浮遊パ
ーティクルの付着によるデバイスの歩留り低下および品
質低下といった問題が生じるおそれがある。そして、近
年、デバイスは微細化する傾向がある。このデバイスの
微細化傾向に伴って、静電気のデバイスに与える悪影響
はさらに大きくなるおそれがある。
【０００４】このため、ウェハ表面から静電気を除去す
ることのできる機能を備えた半導体製造装置及び、ウェ
ハ表面からの静電気除去方法の出現が望まれていた。
ることのできる機能を備えた半導体製造装置及び、ウェ
ハ表面からの静電気除去方法の出現が望まれていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の半
導体製造装置によれば、ウェハを支持するウェハ支持部
を具え、このウェハ支持部に支持されるウェハの表面に
発生する静電気を接地電位に向かって放電させるよう
に、ウエハの表面に近づけることができる自己放電形除
電部を具えていることを特徴とする。
導体製造装置によれば、ウェハを支持するウェハ支持部
を具え、このウェハ支持部に支持されるウェハの表面に
発生する静電気を接地電位に向かって放電させるよう
に、ウエハの表面に近づけることができる自己放電形除
電部を具えていることを特徴とする。
【０００６】自己放電形除電部を用いることにより、ウ
ェハの表面に発生した静電気を放電させることができ
る。よって、静電気を容易に除去することができる。
ェハの表面に発生した静電気を放電させることができ
る。よって、静電気を容易に除去することができる。
【０００７】自己放電形除電部として、好ましくは針状
導体部材を用いるのがよい。そして、この針状導体部材
の一端を接地させておく。針状導体部材の接地させてい
ない他端をウェハの表面に近づけることによって、ウェ
ハ表面に発生した静電気を導体部材を通じて放電させる
ことができる。これにより、自己放電形除電部は接地さ
せた針状導体部材のみという簡単な構造の部材によって
構成されているため、従来の半導体製造装置に自己放電
形除電部を設置することにより、容易にかつ安価に静電
気除去機能を有する半導体製造装置を得ることができ
る。また、装置の省スペース化が図れる。
導体部材を用いるのがよい。そして、この針状導体部材
の一端を接地させておく。針状導体部材の接地させてい
ない他端をウェハの表面に近づけることによって、ウェ
ハ表面に発生した静電気を導体部材を通じて放電させる
ことができる。これにより、自己放電形除電部は接地さ
せた針状導体部材のみという簡単な構造の部材によって
構成されているため、従来の半導体製造装置に自己放電
形除電部を設置することにより、容易にかつ安価に静電
気除去機能を有する半導体製造装置を得ることができ
る。また、装置の省スペース化が図れる。
【０００８】また、好ましくは、自己放電形除電部を複
数の針状導体部材で以て構成してもよい。そして、この
針状導体部材は、静電気を除去すべきウェハの表面と略
同一の大きさの領域内に、針状導体部材の端部がウェハ
表面に対して垂直となるようにする。また、針状導体部
材同士の間が互いに等間隔となるように上記領域内に配
置するのがよい。また、各々の針状導体部材を接地して
おく。
数の針状導体部材で以て構成してもよい。そして、この
針状導体部材は、静電気を除去すべきウェハの表面と略
同一の大きさの領域内に、針状導体部材の端部がウェハ
表面に対して垂直となるようにする。また、針状導体部
材同士の間が互いに等間隔となるように上記領域内に配
置するのがよい。また、各々の針状導体部材を接地して
おく。
【０００９】これにより、ウェハの表面全体にわたって
静電気を除去することができる。よって、短時間に効率
よくウェハ表面の静電気を除去できる半導体製造装置が
得られる。
静電気を除去することができる。よって、短時間に効率
よくウェハ表面の静電気を除去できる半導体製造装置が
得られる。
【００１０】また、この発明の静電気除去方法によれ
ば、ウェハの表面に発生する静電気を除去する場合にお
いて、ウェハの表面に近づけることができる位置に自己
放電形除電部を配置させ、この自己放電形除電部によっ
て、ウエハの表面に発生した静電気を接地電位に放電さ
せることを特徴とする。
ば、ウェハの表面に発生する静電気を除去する場合にお
いて、ウェハの表面に近づけることができる位置に自己
放電形除電部を配置させ、この自己放電形除電部によっ
て、ウエハの表面に発生した静電気を接地電位に放電さ
せることを特徴とする。
【００１１】また、ウェハの表面に発生する静電気を除
去するに当たり、好ましくは、ウェハの表面に、接地さ
れている針状導体部材の接地されている側とは反対側の
端部を近づけることによって静電気を放電させるのが良
い。
去するに当たり、好ましくは、ウェハの表面に、接地さ
れている針状導体部材の接地されている側とは反対側の
端部を近づけることによって静電気を放電させるのが良
い。
【００１２】静電気は針状導体部材を通って放電される
ため、簡単に静電気を除去することができる。
ため、簡単に静電気を除去することができる。
【００１３】また、針状導体部材は、複数の針状導体部
材で構成されていて、これらの部材は、ウェハ表面と略
同一の大きさの面内にそれぞれの部材の端部がウェハ表
面に対して垂直となるように配置され、かつ部材間が互
いに等間隔となるように配置されているのがよい。
材で構成されていて、これらの部材は、ウェハ表面と略
同一の大きさの面内にそれぞれの部材の端部がウェハ表
面に対して垂直となるように配置され、かつ部材間が互
いに等間隔となるように配置されているのがよい。
【００１４】このような針状導体部材を、静電気が発生
しているウェハ表面に近づけることによって、ウェハ表
面全体にわたって静電気を短時間に除去することができ
る。
しているウェハ表面に近づけることによって、ウェハ表
面全体にわたって静電気を短時間に除去することができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図を参照してこの発明の実
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概
略的に示してあるに過ぎず、したがってこの発明を図示
例に限定するものではない。また、図において、図を分
かり易くするために断面を示すハッチング（斜線）は一
部分を除き省略してある。
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概
略的に示してあるに過ぎず、したがってこの発明を図示
例に限定するものではない。また、図において、図を分
かり易くするために断面を示すハッチング（斜線）は一
部分を除き省略してある。
【００１６】また、以下の実施の形態例では、ホトリソ
グラフィ工程におけるウェハ表面にレジスト膜を形成す
るスピンコータや、ウェハ上のフォトレジストの現像、
洗浄および乾燥を行うためのスピンデベロッパといった
ウェハ回転処理装置に、この発明を適用させた例につき
記載する。しかしながら、この発明はウェハ回転処理装
置にのみ適用されるものではなく、エッチング工程若し
くは膜付け工程等に用いられる枚葉処理装置またはバッ
チ処理装置への適用も可能である。
グラフィ工程におけるウェハ表面にレジスト膜を形成す
るスピンコータや、ウェハ上のフォトレジストの現像、
洗浄および乾燥を行うためのスピンデベロッパといった
ウェハ回転処理装置に、この発明を適用させた例につき
記載する。しかしながら、この発明はウェハ回転処理装
置にのみ適用されるものではなく、エッチング工程若し
くは膜付け工程等に用いられる枚葉処理装置またはバッ
チ処理装置への適用も可能である。
【００１７】＜第１の参考例＞
第１の参考例として、図１を参照して、ウェハ回転処理
装置にこの発明を適用させた例につき説明する。
装置にこの発明を適用させた例につき説明する。
【００１８】図１は第１の参考例の半導体製造装置とし
てのウェハ回転処理装置の概略的な構成図であり、断面
の切り口で示してある。
てのウェハ回転処理装置の概略的な構成図であり、断面
の切り口で示してある。
【００１９】図１によれば、ウェハ回転処理装置１０
は、少なくとも、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐
出部（図示せず。）とを具えている。そして、筒状容器
１２内にウェハ支持部１４が設けられており、このウェ
ハ支持部１４にはウェハ１６が真空吸着によって支持さ
れている。また、吐出部はウェハ表面１６ａに薬液や純
水を滴下することができるような位置に設けられてい
る。また、この装置１０は、ウェハ支持部１４の周囲の
雰囲気が一定方向への流動性を有する雰囲気内に設けら
れている。一定方向への流動性を有する雰囲気とは例え
ば、吐出部側を上側としてウェハ支持部１４側を下側と
位置づけた場合に、図中の矢印で示すように気流を上側
から下側へ流すダウンフローの雰囲気である。
は、少なくとも、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐
出部（図示せず。）とを具えている。そして、筒状容器
１２内にウェハ支持部１４が設けられており、このウェ
ハ支持部１４にはウェハ１６が真空吸着によって支持さ
れている。また、吐出部はウェハ表面１６ａに薬液や純
水を滴下することができるような位置に設けられてい
る。また、この装置１０は、ウェハ支持部１４の周囲の
雰囲気が一定方向への流動性を有する雰囲気内に設けら
れている。一定方向への流動性を有する雰囲気とは例え
ば、吐出部側を上側としてウェハ支持部１４側を下側と
位置づけた場合に、図中の矢印で示すように気流を上側
から下側へ流すダウンフローの雰囲気である。
【００２０】また、このウェハ回転処理装置１０は、雰
囲気中にイオンを発生させるイオン発生部１８を具えて
いる。そして、このイオン発生部１８から発生するイオ
ンがウェハ支持部１４に支持されるウェハ表面１６ａに
到達するようにする。
囲気中にイオンを発生させるイオン発生部１８を具えて
いる。そして、このイオン発生部１８から発生するイオ
ンがウェハ支持部１４に支持されるウェハ表面１６ａに
到達するようにする。
【００２１】この第１の参考例では、イオン発生部１８
を針状電極とする。針状電極１８は電源部２０の一端２
０ａに接続させ、また電源部２０の他端２０ｂは接地さ
せる。針状電極１８は例えば直径１ｃｍの針状の導電体
とし、例えば銅で形成する。そして針状電極１８の電源
部２０と接続されている側とは反対の先端１８ａがウェ
ハ１６の真上に位置するように設ける。また、針状電極
１８は、ウェハ回転処理装置１０内の構成要素の側面等
にボルトなどを用いて取り付けることができる。そし
て、この針状電極１８は、ウェハ表面１６ａの静電気除
去時に針状電極１８の先端１８ａがウェハ表面１６ａの
上方に位置することができるように設置しておく。
を針状電極とする。針状電極１８は電源部２０の一端２
０ａに接続させ、また電源部２０の他端２０ｂは接地さ
せる。針状電極１８は例えば直径１ｃｍの針状の導電体
とし、例えば銅で形成する。そして針状電極１８の電源
部２０と接続されている側とは反対の先端１８ａがウェ
ハ１６の真上に位置するように設ける。また、針状電極
１８は、ウェハ回転処理装置１０内の構成要素の側面等
にボルトなどを用いて取り付けることができる。そし
て、この針状電極１８は、ウェハ表面１６ａの静電気除
去時に針状電極１８の先端１８ａがウェハ表面１６ａの
上方に位置することができるように設置しておく。
【００２２】ここで、ウェハ表面１６ａに吐出部から液
体が滴下され、ウェハ支持部１４を１０００〜６０００
ｒｐｍの回転速度で回転させると、ウェハ表面１６ａは
プラスの静電気を帯びる。このため、電源部２０により
針状電極１８にマイナスの電圧（例えば−２００〜−５
００Ｖ程度）を印加する。これにより、針状電極１８の
周囲の雰囲気が電離してコロナ放電が起きる。このコロ
ナ放電によってプラスイオン１９ａおよびマイナスイオ
ン１９ｂが発生する。発生したイオンのうち大部分のプ
ラスイオン１９ａは針状電極１８の周囲に集まる。そし
て、マイナスイオン１９ｂはダウンフローによってウェ
ハ１６の表面１６ａに運ばれる。ウェハ表面１６ａは静
電気によってプラスに帯電しているため、運ばれてきた
マイナスイオン１９ｂとウェハ表面１６ａのプラスイオ
ンとが結合することによって、電荷を消滅させることが
できる。よって、ウェハ表面１６ａに発生した静電気を
除電することができる。
体が滴下され、ウェハ支持部１４を１０００〜６０００
ｒｐｍの回転速度で回転させると、ウェハ表面１６ａは
プラスの静電気を帯びる。このため、電源部２０により
針状電極１８にマイナスの電圧（例えば−２００〜−５
００Ｖ程度）を印加する。これにより、針状電極１８の
周囲の雰囲気が電離してコロナ放電が起きる。このコロ
ナ放電によってプラスイオン１９ａおよびマイナスイオ
ン１９ｂが発生する。発生したイオンのうち大部分のプ
ラスイオン１９ａは針状電極１８の周囲に集まる。そし
て、マイナスイオン１９ｂはダウンフローによってウェ
ハ１６の表面１６ａに運ばれる。ウェハ表面１６ａは静
電気によってプラスに帯電しているため、運ばれてきた
マイナスイオン１９ｂとウェハ表面１６ａのプラスイオ
ンとが結合することによって、電荷を消滅させることが
できる。よって、ウェハ表面１６ａに発生した静電気を
除電することができる。
【００２３】このように、従来の装置に針状電極１８を
加えるだけで除電効果を得ることができるので、装置を
大型化することなくウェハ表面の静電気を除去する機能
を具えた半導体製造装置１０を得ることができる。ま
た、針状電極１８の先端１８ａをウェハ表面１６ａの真
上に設けているので、ダウンフローによって針状電極１
８の先端１８ａ周辺に発生したイオンのほとんどを、ウ
ェハ表面１６ａに到達させることができる。よって、非
常に効果的にウェハ表面１６ａの静電気を除去すること
ができる。
加えるだけで除電効果を得ることができるので、装置を
大型化することなくウェハ表面の静電気を除去する機能
を具えた半導体製造装置１０を得ることができる。ま
た、針状電極１８の先端１８ａをウェハ表面１６ａの真
上に設けているので、ダウンフローによって針状電極１
８の先端１８ａ周辺に発生したイオンのほとんどを、ウ
ェハ表面１６ａに到達させることができる。よって、非
常に効果的にウェハ表面１６ａの静電気を除去すること
ができる。
【００２４】また、ウェハ表面１６ａがマイナスの電荷
を帯びている場合には、針状電極１８がプラスの高電位
を持つように電圧を印加すればよい。
を帯びている場合には、針状電極１８がプラスの高電位
を持つように電圧を印加すればよい。
【００２５】また、ウェハ支持部１４は通常のウェハ回
転処理装置において上下に移動可能であるため、ウェハ
支持部１４を上に移動させて筒状容器１２の外側にウェ
ハ表面１６ａを露出させて針状電極１８による除電処理
を行っても良い。
転処理装置において上下に移動可能であるため、ウェハ
支持部１４を上に移動させて筒状容器１２の外側にウェ
ハ表面１６ａを露出させて針状電極１８による除電処理
を行っても良い。
【００２６】この第１の参考例では、針状電極１８周辺
にイオンを発生させて、このイオンを用いて静電気を除
去することが出来るので、ウェハが複数枚セットされた
状態で処理を行うバッチ処理装置に適用することが可能
である。
にイオンを発生させて、このイオンを用いて静電気を除
去することが出来るので、ウェハが複数枚セットされた
状態で処理を行うバッチ処理装置に適用することが可能
である。
【００２７】＜第２の参考例＞
第２の参考例として、図２を参照して、第１の参考例と
ほぼ同様のウェハ回転処理装置に、発生させたイオンの
運動速度を失速させるための対向電極が設けてある例に
つき説明する。図２は、この参考例のウェハ回転処理装
置の概略的な構成図であり、断面の切り口で示されてい
る。
ほぼ同様のウェハ回転処理装置に、発生させたイオンの
運動速度を失速させるための対向電極が設けてある例に
つき説明する。図２は、この参考例のウェハ回転処理装
置の概略的な構成図であり、断面の切り口で示されてい
る。
【００２８】以下、第１の参考例と相違する点につき説
明し、第１の参考例と同様の点についてはその詳細な説
明を省略する。
明し、第１の参考例と同様の点についてはその詳細な説
明を省略する。
【００２９】図２によれば、この第２の参考例のウェハ
回転処理装置３０は、第１の参考例のウェハ回転処理装
置１０と同様に、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐
出部（図示せず。）とを具えている。そして、この装置
３０もダウンフローの雰囲気内に設置されている。
回転処理装置３０は、第１の参考例のウェハ回転処理装
置１０と同様に、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐
出部（図示せず。）とを具えている。そして、この装置
３０もダウンフローの雰囲気内に設置されている。
【００３０】この第２の参考例では、筒状容器１２の上
側に針状電極２２と対向電極２４とを、針状電極２２の
先端２２ａと対向電極２４とが、ウェハ表面１６ａの上
側のイオン発生空間２６を挟んで互いに向き合うように
設置する。また、対向電極２４は、ここでは平板電極と
する。なお、この平板電極２４は一方を接地させてある
対向電極用電源部に接続させるか、もしくは平板電極２
４を接地しておく。図２では、平板電極２４を対向電極
用電源部２５に接続させた例を示す。
側に針状電極２２と対向電極２４とを、針状電極２２の
先端２２ａと対向電極２４とが、ウェハ表面１６ａの上
側のイオン発生空間２６を挟んで互いに向き合うように
設置する。また、対向電極２４は、ここでは平板電極と
する。なお、この平板電極２４は一方を接地させてある
対向電極用電源部に接続させるか、もしくは平板電極２
４を接地しておく。図２では、平板電極２４を対向電極
用電源部２５に接続させた例を示す。
【００３１】ここで、ウェハ表面１６ａがプラスの静電
気を帯びている場合、電源部２０により針状電極２２に
マイナスの電圧（例えば−２００〜−５００Ｖ程度）を
印加する。これにより、コロナ放電が生じて針状電極２
２の周辺の雰囲気が電離してイオンが発生する。発生し
たイオンのうち、プラスイオン１９ａは針状電極２２の
周囲に集まる。一方、マイナスのイオン１９ｂや電子
は、プラスの電圧（例えば１００Ｖ以下）が印加された
平板電極２４に集まることによって速度が失速する。こ
のとき、電子は主に酸素に付着してマイナスイオン１９
ｂを形成する。このようにして、平板電極２４を用いて
多くのマイナスイオン１９ｂを得ることができる。この
後、ダウンフローによってマイナスイオン１９ｂはウェ
ハ表面１６ａに達する。したがって、マイナスイオン１
９ｂとウェハ表面１６ａのプラスイオンとを結合させる
ことにより、ウェハ表面１６ａの静電気を効果的に除去
することができる。
気を帯びている場合、電源部２０により針状電極２２に
マイナスの電圧（例えば−２００〜−５００Ｖ程度）を
印加する。これにより、コロナ放電が生じて針状電極２
２の周辺の雰囲気が電離してイオンが発生する。発生し
たイオンのうち、プラスイオン１９ａは針状電極２２の
周囲に集まる。一方、マイナスのイオン１９ｂや電子
は、プラスの電圧（例えば１００Ｖ以下）が印加された
平板電極２４に集まることによって速度が失速する。こ
のとき、電子は主に酸素に付着してマイナスイオン１９
ｂを形成する。このようにして、平板電極２４を用いて
多くのマイナスイオン１９ｂを得ることができる。この
後、ダウンフローによってマイナスイオン１９ｂはウェ
ハ表面１６ａに達する。したがって、マイナスイオン１
９ｂとウェハ表面１６ａのプラスイオンとを結合させる
ことにより、ウェハ表面１６ａの静電気を効果的に除去
することができる。
【００３２】＜第１の実施の形態＞
第１の実施の形態として、図３を参照して、ウェハ支持
部を具えた半導体製造装置に自己放電形除電部を設けた
例につき説明する。この実施の形態では、半導体製造装
置として第１および第２の参考例で説明したと同様のウ
ェハ回転処理装置を例に挙げて説明する。図３は、ウェ
ハ回転処理装置の概略的な構成図であり、断面の切り口
で示されている。このウェハ回転処理装置４０は、筒状
容器１２とウェハ支持部１４と吐出部（図示せず。）と
を具えている。なお、この実施の形態では、ウェハ回転
処理装置４０が一定方向への流動性を有する雰囲気内に
設置されている必要はない。
部を具えた半導体製造装置に自己放電形除電部を設けた
例につき説明する。この実施の形態では、半導体製造装
置として第１および第２の参考例で説明したと同様のウ
ェハ回転処理装置を例に挙げて説明する。図３は、ウェ
ハ回転処理装置の概略的な構成図であり、断面の切り口
で示されている。このウェハ回転処理装置４０は、筒状
容器１２とウェハ支持部１４と吐出部（図示せず。）と
を具えている。なお、この実施の形態では、ウェハ回転
処理装置４０が一定方向への流動性を有する雰囲気内に
設置されている必要はない。
【００３３】この実施の形態のウェハ回転処理装置４０
には自己放電形除電部２８が設けられている。自己放電
形除電部２８として、ここでは、針状導体部材が用いら
れている。この針状導体部材２８は一端が接地されてい
る。また、針状導体部材２８の他端２８ａは導電体と
し、例えば、銅、アルミニウムまたは鉄で構成する。
には自己放電形除電部２８が設けられている。自己放電
形除電部２８として、ここでは、針状導体部材が用いら
れている。この針状導体部材２８は一端が接地されてい
る。また、針状導体部材２８の他端２８ａは導電体と
し、例えば、銅、アルミニウムまたは鉄で構成する。
【００３４】ウェハ支持部１４に支持されているウェハ
１６の表面１６ａに静電気が発生している場合に、針状
導体部材２８の他端２８ａを近づけることによって、静
電気は針状導体部材２８を通って、放電される。これに
より、静電気をウェハ表面１６ａから除電することがで
きる。
１６の表面１６ａに静電気が発生している場合に、針状
導体部材２８の他端２８ａを近づけることによって、静
電気は針状導体部材２８を通って、放電される。これに
より、静電気をウェハ表面１６ａから除電することがで
きる。
【００３５】また、この実施の形態では、針状導体部材
２８をウェハ表面１６ａから例えば約２ｍｍ離間した位
置まで近づける。これにより、デバイスに悪影響を及ぼ
さない程度の電位までウェハ表面１６ａの電位を下げる
ことができる。
２８をウェハ表面１６ａから例えば約２ｍｍ離間した位
置まで近づける。これにより、デバイスに悪影響を及ぼ
さない程度の電位までウェハ表面１６ａの電位を下げる
ことができる。
【００３６】これにより、簡単な構造の部材によって自
己放電形除電部２８を構成することができ、容易にかつ
安価に静電気除去機能を有する半導体製造装置４０が得
られる。
己放電形除電部２８を構成することができ、容易にかつ
安価に静電気除去機能を有する半導体製造装置４０が得
られる。
【００３７】＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態として、図４を参照して、ウェハの表
面に発生する静電気を除去するために、半導体製造装置
に自己放電形除電部を設ける第１の実施の形態とは自己
放電形除電部の構成が異なる例につき説明する。
面に発生する静電気を除去するために、半導体製造装置
に自己放電形除電部を設ける第１の実施の形態とは自己
放電形除電部の構成が異なる例につき説明する。
【００３８】図４は自己放電形除電部を具えたウェハ回
転処理装置の概略的な構成図であり、断面の切り口で示
してある。
転処理装置の概略的な構成図であり、断面の切り口で示
してある。
【００３９】この実施の形態では、自己放電形除電部３
２を、複数の針状導体部材３２ｘで以て構成する。図４
によれば、この針状導体部材３２ｘを、除電処理を行う
ウェハ表面１６ａと略同一の大きさの領域３４内に、針
状導体部材３２ｘの端部３２ｘａがウェハ表面１６ａに
対して垂直となるように設ける。そして、それぞれの針
状導体部材３２ｘ同士の間は互いに等間隔となるように
配置する。この針状導体部材３２ｘ同士の間隔は、各部
材３２ｘの有する電位の大きさ、除電するウェハ１６と
部材３２ｘとの間隔によって随時変化する。したがっ
て、実験により除電効果を確認しながら最適な間隔を適
宜設定する必要がある。また、第１の実施の形態と同様
に、各々の針状導体部材３２ｘを接地しておく。また、
各々の針状導体部材３２ｘは固定手段３６を用いて固定
する。
２を、複数の針状導体部材３２ｘで以て構成する。図４
によれば、この針状導体部材３２ｘを、除電処理を行う
ウェハ表面１６ａと略同一の大きさの領域３４内に、針
状導体部材３２ｘの端部３２ｘａがウェハ表面１６ａに
対して垂直となるように設ける。そして、それぞれの針
状導体部材３２ｘ同士の間は互いに等間隔となるように
配置する。この針状導体部材３２ｘ同士の間隔は、各部
材３２ｘの有する電位の大きさ、除電するウェハ１６と
部材３２ｘとの間隔によって随時変化する。したがっ
て、実験により除電効果を確認しながら最適な間隔を適
宜設定する必要がある。また、第１の実施の形態と同様
に、各々の針状導体部材３２ｘを接地しておく。また、
各々の針状導体部材３２ｘは固定手段３６を用いて固定
する。
【００４０】ウェハ回転処理装置５０は、第１の参考例
と同様に、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐出部
（図示せず。）とを具えている。ウェハ支持部１４は筒
状容器１２内に設置されている。そして、ウェハ１６を
真空吸着によって支持する。また、ウェハ１６を支持す
るウェハ支持部１４を回転することによって、ウェハ表
面１６ａに滴下された薬液や純水をウェハ表面１６ａ全
体に均一に行き渡らせることができる。また、ウェハ支
持部１４は上下に移動可能なように設置されている。よ
って、ウェハ支持部１４を図４の矢印で示すように上に
移動させることによって、筒状容器１２の外側にウェハ
１６を出すことができる。自己放電形除電部３２は筒状
容器１２の上側であって、吐出部からの液体の吐出の妨
げとならないような位置に設置する。
と同様に、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐出部
（図示せず。）とを具えている。ウェハ支持部１４は筒
状容器１２内に設置されている。そして、ウェハ１６を
真空吸着によって支持する。また、ウェハ１６を支持す
るウェハ支持部１４を回転することによって、ウェハ表
面１６ａに滴下された薬液や純水をウェハ表面１６ａ全
体に均一に行き渡らせることができる。また、ウェハ支
持部１４は上下に移動可能なように設置されている。よ
って、ウェハ支持部１４を図４の矢印で示すように上に
移動させることによって、筒状容器１２の外側にウェハ
１６を出すことができる。自己放電形除電部３２は筒状
容器１２の上側であって、吐出部からの液体の吐出の妨
げとならないような位置に設置する。
【００４１】次に、ウェハ表面１６ａからこの実施の形
態の自己放電形除電部３２を用いて除電処理を行う工程
について説明する。
態の自己放電形除電部３２を用いて除電処理を行う工程
について説明する。
【００４２】まず、ウェハ支持部１４に支持されたウェ
ハ１６の表面１６ａに吐出部から薬液若しくは純水を滴
下した後、ウェハ支持部１４を回転させることにより、
滴下された液体をウェハ表面１６ａに塗布する。これに
より、ウェハ表面１６ａには静電気が発生する。その
後、ウェハ支持部１４を上昇させて筒状容器１２の上側
にウェハ表面１６ａを露出させる。ここで、ウェハ１６
の真上であって、ウェハ表面１６ａから例えば約２ｍｍ
離間した位置に、針状導体部材３２ｘが複数配置された
自己放電形除電部３２を設置する。この状態で数秒間、
自己放電形除電部３２を静止させることによって、ウェ
ハ表面１６ａに発生した静電気を、針状導体部材３２ｘ
を通じて放電させることができる。この後自己放電形除
電部３２をウェハ１６の上方から移動させる。
ハ１６の表面１６ａに吐出部から薬液若しくは純水を滴
下した後、ウェハ支持部１４を回転させることにより、
滴下された液体をウェハ表面１６ａに塗布する。これに
より、ウェハ表面１６ａには静電気が発生する。その
後、ウェハ支持部１４を上昇させて筒状容器１２の上側
にウェハ表面１６ａを露出させる。ここで、ウェハ１６
の真上であって、ウェハ表面１６ａから例えば約２ｍｍ
離間した位置に、針状導体部材３２ｘが複数配置された
自己放電形除電部３２を設置する。この状態で数秒間、
自己放電形除電部３２を静止させることによって、ウェ
ハ表面１６ａに発生した静電気を、針状導体部材３２ｘ
を通じて放電させることができる。この後自己放電形除
電部３２をウェハ１６の上方から移動させる。
【００４３】以上のようにして、この実施の形態では、
複数の針状導体部材３２ｘで自己放電形除電部３２を構
成し、各々の針状導体部材３２ｘ同士の間隔もウェハ表
面１６ａ全体の静電気を除電できるように最適化してい
るので、短時間で非常に効果的にウェハ表面１６ａに発
生する静電気を除去することができる。
複数の針状導体部材３２ｘで自己放電形除電部３２を構
成し、各々の針状導体部材３２ｘ同士の間隔もウェハ表
面１６ａ全体の静電気を除電できるように最適化してい
るので、短時間で非常に効果的にウェハ表面１６ａに発
生する静電気を除去することができる。
【００４４】上述した第１〜第２の実施の形態におい
て、ウェハがウェハ回転処理装置に搬送されてから送り
出されるまでの間、数回に分けて除電処理してもよい
し、常時除電処理してもよい。常時除電処理を行えば、
ウェハ表面の静電気をより効果的に除去することができ
る。
て、ウェハがウェハ回転処理装置に搬送されてから送り
出されるまでの間、数回に分けて除電処理してもよい
し、常時除電処理してもよい。常時除電処理を行えば、
ウェハ表面の静電気をより効果的に除去することができ
る。
【００４５】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の半導体製造装置によれば、ウェハを支持するウェ
ハ支持部を具え、このウェハ支持部に支持されるウェハ
の表面に発生する静電気を接地電位に向かって放電させ
るように、ウエハの表面に近づけることができる自己放
電形除電部を具えていることを特徴とする。
発明の半導体製造装置によれば、ウェハを支持するウェ
ハ支持部を具え、このウェハ支持部に支持されるウェハ
の表面に発生する静電気を接地電位に向かって放電させ
るように、ウエハの表面に近づけることができる自己放
電形除電部を具えていることを特徴とする。
【００４６】自己放電形除電部を用いることにより、ウ
ェハの表面に発生した静電気を放電させることができ
る。よって、静電気を容易に除去することができる。
ェハの表面に発生した静電気を放電させることができ
る。よって、静電気を容易に除去することができる。
【図１】第１の参考例に係るウェハ回転処理装置の概略
的な構成図である。
的な構成図である。
【図２】第２の参考例に係るウェハ回転処理装置の概略
的な構成図である。
的な構成図である。
【図３】第１の実施の形態に係るウェハ回転処理装置の
概略的な構成図である。
概略的な構成図である。
【図４】第２の実施の形態に係るウェハ回転処理装置の
概略的な構成図である。
概略的な構成図である。
【図５】従来のウェハ回転処理装置の概略的な構成図で
ある。
ある。
１０，３０，４０，５０：ウェハ回転処理装置（半導体
製造装置） １２：筒状容器 １４：ウェハ支持部 １６，１０４：ウェハ １６ａ，１０４ａ：表面（ウェハ表面） １８：イオン発生部（針状電極） １８ａ，２２ａ：先端 １９ａ：プラスイオン １９ｂ：マイナスイオン ２０：電源部 ２０ａ：一端 ２０ｂ：他端 ２２：針状電極 ２４：対向電極（平板電極） ２５：対向電極用電源部 ２６：イオン発生空間（針状電極と平板電極との間） ２８：自己放電形除電部（針状導体部材） ２８ａ：他端 ３２：自己放電形除電部 ３２ｘ：針状導体部材 ３２ｘａ：端部 ３４：ウェハ表面と略同一の大きさの領域 ３６：固定手段 １００：ウェハ回転処理装置 １０２：筒状容器（カップ） １０６：支持部（ウェハチャック） １０８：ノズル（吐出部） １１０：液体
製造装置） １２：筒状容器 １４：ウェハ支持部 １６，１０４：ウェハ １６ａ，１０４ａ：表面（ウェハ表面） １８：イオン発生部（針状電極） １８ａ，２２ａ：先端 １９ａ：プラスイオン １９ｂ：マイナスイオン ２０：電源部 ２０ａ：一端 ２０ｂ：他端 ２２：針状電極 ２４：対向電極（平板電極） ２５：対向電極用電源部 ２６：イオン発生空間（針状電極と平板電極との間） ２８：自己放電形除電部（針状導体部材） ２８ａ：他端 ３２：自己放電形除電部 ３２ｘ：針状導体部材 ３２ｘａ：端部 ３４：ウェハ表面と略同一の大きさの領域 ３６：固定手段 １００：ウェハ回転処理装置 １０２：筒状容器（カップ） １０６：支持部（ウェハチャック） １０８：ノズル（吐出部） １１０：液体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/02
G03F 7/16
G03F 7/38
Claims (8)
- 【請求項１】 ウェハを支持するウェハ支持部を具える
半導体製造装置において、 前記ウェハ支持部に支持されるウェハの表面に発生する
静電気を接地電位に向かって放電させるように、該ウエ
ハの表面に近づけることができる自己放電形除電部を具
えていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体製造装置におい
て、 前記自己放電形除電部を針状導体部材とし、該針状導体
部材の一端が接地電位に接続されていることを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体製造装置におい
て、 前記自己放電形除電部を複数の針状導体部材によって構
成し、前記複数の針状導体部材は、前記ウェハの前記表
面上に配置され、かつ、それぞれ接地電位に接続されて
いることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の半導体製造装置におい
て、 前記複数の針状導体部材は、前記針状導体部材の端部が
前記ウエハの前記表面に対して垂直となるように配置さ
れていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体製造装置におい
て、 前記複数の針状導体部材は、前記ウエハの前記表面と略
同一の大きさの領域内に、前記針状導体部材の端部が該
針状導体部材同士の間が互いに等間隔となるように配置
されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 ウェハの表面に発生する静電気を除去す
る静電気除去方法において、 前記ウェハの前記表面に近づけることができる位置に自
己放電形除電部を配置させ、 前記自己放電形除電部によって、前記ウエハの前記表面
に発生した 前記静電気を接地電位に放電させることを特
徴とする静電気除去方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の静電気除去方法におい
て、 前記自己放電形除電部を複数の針状導体部材で構成し、前記複数の 針状導体部材は、それぞれ前記ウェハの前記
表面と略同一の大きさの領域内に、前記針状導体部材の
端部が前記ウェハ表面に対して垂直となるように配置
し、かつ該針状導体部材間が互いに等間隔となるように
配置されていることを特徴とする静電気除去方法。 - 【請求項８】 請求項６又は７に記載の静電気除去方法
において、前記自己放電形除電部は、前記ウエハの前記表面から約
２ｍｍ離間して配置されている ことを特徴とする静電気
除去方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25171999A JP3464177B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体製造装置および静電気除去方法 |
| US09/635,575 US6432727B1 (en) | 1999-09-06 | 2000-08-09 | Method for eliminating a static electricity on a semiconductor wafer |
| US10/147,823 US6909587B2 (en) | 1999-09-06 | 2002-05-20 | Apparatus having a static eliminator for manufacturing semiconductor devices and a method for eliminating a static electricity on a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25171999A JP3464177B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体製造装置および静電気除去方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077006A JP2001077006A (ja) | 2001-03-23 |
| JP3464177B2 true JP3464177B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=17226975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25171999A Expired - Fee Related JP3464177B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体製造装置および静電気除去方法 |
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| Country | Link |
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| JP4492044B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2010-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | フォトリソグラフィ工程におけるレジストの形成方法、圧電振動片の製造方法 |
| US7714082B2 (en) * | 2005-10-04 | 2010-05-11 | Univation Technologies, Llc | Gas-phase polymerization process to achieve a high particle density |
| JP5133863B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2013-01-30 | 株式会社オーディオテクニカ | ヘッドホン |
| JP2011060813A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 基板処理方法 |
| DE102011078603B4 (de) * | 2011-07-04 | 2013-07-25 | Illinois Tool Works Inc. | Verfahren zum Überwachen der Funktionssicherheit von mindestens einer passiven Elektrode sowie Vorrichtung zum Überwachen der Funktionssicherheit von mindestens einer passiven Elektrode |
| US9214336B2 (en) * | 2012-09-27 | 2015-12-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing a group III nitride semiconductor |
| KR102090991B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2020-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 정전기 제거 장치 및 방법 |
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| CN112397412A (zh) * | 2019-08-14 | 2021-02-23 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 | 具有静电去除装置的半导体制作工艺设备 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6018060B2 (ja) * | 1975-07-14 | 1985-05-08 | ゼロツクス、コーポレーシヨン | コロナ放電装置 |
| JPS5944797A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-13 | 増田 閃一 | 物体の静電的処理装置 |
| JP2807675B2 (ja) * | 1988-11-30 | 1998-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト処理装置 |
| EP0405855A3 (en) * | 1989-06-30 | 1991-10-16 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus and process for fabricating semiconductor integrated circuit device by using the same apparatus |
| JP2568006B2 (ja) * | 1990-08-23 | 1996-12-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | イオン化空気により対象物から電荷を放電させる方法及びそのための装置 |
| JPH06120321A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 基板ハンドリング装置 |
| US5494522A (en) * | 1993-03-17 | 1996-02-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma process system and method |
| US5516369A (en) * | 1994-05-06 | 1996-05-14 | United Microelectronics Corporation | Method and apparatus for particle reduction from semiconductor wafers |
| JPH09213781A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びそれを用いた処理装置 |
| US5790365A (en) * | 1996-07-31 | 1998-08-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck |
| US5880924A (en) * | 1997-12-01 | 1999-03-09 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate |
| US6136669A (en) * | 1998-07-21 | 2000-10-24 | International Business Machines Corporation | Mobile charge immune process |
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- 1999-09-06 JP JP25171999A patent/JP3464177B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2000
- 2000-08-09 US US09/635,575 patent/US6432727B1/en not_active Expired - Lifetime
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2002
- 2002-05-20 US US10/147,823 patent/US6909587B2/en not_active Expired - Fee Related
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