JP3387630B2 - ブロック弁 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主として半導体製造設
備のシリンダーキャビネットのような高純度ガスを取扱
う設備に使用されるものであり、ブロック弁内部のデッ
ドスペースを構造上略皆無にすることにより、供給ガス
切換時等のパージ効率を大幅に高めることを可能にした
ブロック弁に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１２は半導体製造装置のシリンダーキ
ャビネットのフロー系統の一例を示すものであり、シリ
ンダーＣからのガスは、高圧ブロック弁ＶH 及び低圧ブ
ロック弁ＶB を通してプロセス側へ供給されていく。ま
た、供給ガスの切替えに際しては、Ｈ−Ｎ₂ 系統からの
パージガスによって両ブロック弁ＶH ，ＶL 系統のガス
置換及びガスパージを行うと共に、最終的には実ガスを
用いて両ブロック弁ＶH ，ＶL 内部のパージが行われ
る。尚、図１２に於いて、ＭＦＭはマスフローメータ、
ＶG は真空発生器、ＲG は圧力調整器、Ｆはフイルタ
ー、Ｃはチェツキ弁である。

【０００３】また、図１３及び図１４は、従前の前記シ
リンダーキャビネットで使用されている高圧ブロック弁
ＶH を示すものであり、図１５はそのガス流路系統図で
ある。図に於いて、ａ，ｂ，ｃは所謂ダイレクトタッチ
型のダイヤフラム弁であり、アクチエータによりメタル
ダイヤフラムが押圧され、弁座へ接当することにより流
路が閉鎖される。また、アクチエータの押圧力が無くな
ると、ダイヤフラムはその弾性力により弁座から離座
し、流体流路が開放される。尚、ｄ，ｅ，ｆ，ｇは継手
である。

【０００４】而して、当該ブロック弁ＶH 内へ供給する
ガスの種類を切換える場合には、先ずブロック弁ＶH 内
へガス置換を行い、そのあと後送ガスによる実ガスパー
ゲを行って、先にブロック弁ＶH 内へ供給していたガス
の追う出しを行う必要がある。ところが、図１３及び図
１４の如き構成のブロック弁にあっては、継手ｄから供
給したパージガスを継手ｇへ抜き出す場合に、図１５の
Ｓ₁ 及びＳ₂ の部分の通路が所謂デッドスペースとな
り、パージガスＨを継手ｄから継手ｇへ向けて長時間流
しても、前記通路Ｓ₁ ，Ｓ₂ 内の残留ガスが容易に抜け
ないという問題がある。

【０００５】また、図１６乃至図１８は、前記シリンダ
ーキャビネットで使用する従前の低圧ブロック弁ＶL の
一例を示すものである。当該低圧ブロック弁ＶL に於い
ては、継手ｄから継手ｅへ向けてガスパージを行う場
合、通路Ｓ₃ がデッドスペースとなる。その結果、内部
の残留ガスがなかなか抜けないためにパージ時間が長引
いたり、或いは残留ガスによって後送ガスの純度が悪化
するという問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従前のこの
種ブロック弁に於ける上述の如き問題、即ちブロック弁
の構造上その内部に、パージ操作に対する大きなデッド
スペースが生じ、パージ時間が長引いたり、後送ガスの
ガス純度が低下すると云う問題を解決せんとするもので
あり、パージ操作時のデッドスペースを構造上ほぼ皆無
にすることを可能としたブロック弁を提供するものであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本件請求項１に記載の発
明は、ブロック弁本体９の上方部に正面視に於いて左側
より１個の２通路型メタルダイヤフラム弁Ｖａと２個の
３通路型メタルダイヤフラム弁Ｖｂ，Ｖｃを順に隣接し
て配列し、これ等を一体的に組付けして成るブロック弁
に於いて、前記２通路型及び３通路型のメタルダイヤフ
ラム弁Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃを、ブロック弁本体９の上面に
間隔を置いて穿孔した３個の弁孔７と、各弁孔７の上方
開口部に溶接したボンネット１２と、各弁孔７の底面に
形成した弁座２及び開閉通路８と、３通路型メタルダイ
ヤフラム弁Ｖｂ，Ｖｃの弁孔７の底面に連通する二本の
流体通路６ｂ，６ｂと、２通路型メタルダイヤフラム弁
Ｖａの弁孔７の底面に連通する一本の流体通路６ａと、
前記弁座２と対向状に配設した金属ダイヤフラム１と、
金属ダイヤフラム１の上方に配設したダイヤフラム押さ
え３と、ボンネット１２及び弁孔７内へ挿入され、その
先端部でダイヤフラム１の外周縁を本体９側へ押圧する
と共に基端部にアクチェータ１０を支持固定したガイド
体５と、ボンネット１２に取付されてガイド体５をブロ
ック弁本体９側へ押圧固定するガイド体固着材１３とか
ら形成すると共に、前記ブロック弁本体９の外側面の正
面視に於いて右側の側面に第１継手１４ａを、背面側の
側面に第２継手１４ｂを、左側の側面に第３継手１４ｃ
を、及び正面側の側面に第４継手１４ｄを設け、前記一
方の３通路型メタルダイヤフラム弁Ｖｂの一方の流体通
路６ｂと第１継手１４ａ間、流体開閉通路８ｂと第２継
手１４ｂ間、他方の流体通路６ｂと他方の３通路型メタ
ルダイヤフラム弁Ｖｃの一方の流体通路６ｃ間、流体開
閉通路８ｃと第３継手１４ｃ間、他方の流体通路６ｃと
２通路型メタルダイヤフラム弁Ｖａの流体開閉通路８ａ
間及び２通路型メタルダイヤフラム弁Ｖａの流体通路６
ａと第４継手１４ｇ間を夫々通路１５により連通する構
成としたことを発明の基本構成とするものである。

【０００８】本件請求項２に記載の発明は、請求項１の
発明に於いてブロック弁本体９の上面側を、平坦面１１
ｃの両側に傾斜面１１ａ，１１ｂを対向状に設けた形態
とし、前記平坦面１１ｃに他方の３通路型メタルダイヤ
フラム弁Ｖｃ用の弁孔７を垂直状に穿設すると共に、前
記傾斜面１１ａ，１１ｂに所定の傾斜角度αをもって対
向状に一方の３通路型メタルダイヤフラム弁Ｖｂ及び、
２通路型メタルダイヤフラム弁Ｖａ用の弁孔７，７を穿
設し、更に、前記ガイド体固着材１３をボンネット１２
へ螺着するボンネットナットとしたものである。

【０００９】

【作用】低圧ブロック弁の場合、第１継手１４ａから供
給されたパージ用の実ガスは、３通路型メタルダイヤフ
ラム弁Ｖｂの弁室を通して、２通路型メタルダイヤフラ
ム弁Ｖａの開閉通路８ａ及び流体通路６ａを通して第２
継手１４ｂへ排出され、プロセス系の第３継手１４ｃへ
接続された３通路型ダイヤフラム弁Ｖｂの開閉通路８ｂ
へは一切ガスが入らない。そのため、前記パージガス通
路内は、完全にパージ用実ガスによって置換される。同
様に、高圧ブロック弁の場合には、３通路型メタルダイ
ヤフラム弁Ｖｂ，Ｖｃの開閉通路８ｂ，８ｃへ一切ガス
が入らないため、第１継手１４ａから供給されたパージ
用の実ガスは、両バルブＶｂ，Ｖｃの弁室バルブＶａの
開閉通路８ａ、弁室７ａ、流通路６ａを通して第２継手
１４ｂへ排出され、前記パージ通路内は完全にパージ用
実ガスにより置換される。

【００１０】

【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
説明する。図１は本発明のブロック弁で使用する３通路
型ダイヤフラム弁ＶB ，ＶC の要部を示す縦断面図であ
り、図に於いて１はステンレス鋼製のダイヤフラム、２
は弁座、３はダイヤフラム押さえ、４はアクチエータシ
ャフト、５はガイド体、６は流体通路、７は弁孔、７ａ
は弁室、８は開閉通路、９はブロック弁本体、１０はア
クチエータである。即ち、アクチエータシャフト４が作
動し、ダイヤフラム１が弁座２へ押しつけられると開閉
通路８が閉鎖され、一方の流体通路６から流入したガス
は、弁室７ａ及び他方の流体通路６を通して流通する。

【００１１】また、図２は、本発明のブロック弁で使用
する２通路型ダイヤフラム弁Ｖａの要部を示す縦断面図
であり、前記３通路型ダイヤフラム弁の２個の流体通路
６，６の一方を取り除いたものである。即ち、流体通路
６が一つである点を除けば、前記３通路型ダイヤフラム
弁ＶB ，ＶC と構造的には全く同一である。

【００１２】図３乃至図６は本発明の第１実施例を示す
ものであり、前記シリンダーキャビネットの低圧ブロッ
ク弁等として利用され、図６に示す如く、第１継手１４
ａから供給されたパージ用流体は、第２継手１４ｂから
外部へ取り出されて行く。又、第３継手１４ｃはプロセ
ス側へ接続されている。当該第１実施例では、断面形状
が５角形状のブロック弁本体９と、本体９を共通とする
３通路型ダイヤフラム弁Ｖｂ及び２通路型ダイヤフラム
弁Ｖａと、ブロック弁本体９の各側面１１ｄ、１１ｅ、
１１ｆに取付けた継手１４ａ、１４ｂ、１４ｃと、両ダ
イヤフラム弁Ｖｂ、Ｖａの流体通路６ａ、６ｂ及び開閉
通路８ａ、８ｂと、各継手１４ａ、１４ｂ、１４ｃ間を
連通する通路１５等から、ブロック弁Ｖが形成されてい
る。

【００１３】即ち、前記両ダイヤフラム弁Ｖｂ、Ｖａ
は、ブロック弁本体９の上部斜面１１ａ、１１ｂに６０
°の傾斜角度間隔を置いてＶ字形姿勢となるように固設
されている。また、各ダイヤフラム弁Ｖａ、Ｖｂは、ブ
ロック弁本体９に穿設した所定深さの弁孔７と、弁孔７
の底面に形成した弁座２、流体開閉通路８及び流通通路
６と、弁孔７の開口部に溶接したボンネット１２と、弁
孔７内へ弁座２と対向状に配設したダイヤフラム１と、
ダイヤフラム押え３及びガイド体５と、ガイド体５を弁
孔７内へ挿入固定すると共にガイド体５によりダイヤフ
ラム１を押圧固定するボンネットナット１３と、ガイド
体５の基端部へ固設したアクチェータ１０等から夫々形
成されている。尚、本実施例では、２個のダイヤフラム
弁Ｖａ、ＶｂをＶ字形にブロック弁本体９へ取付けてい
るが、本体９の上面を平面状にして、両弁Ｖａ、Ｖｂを
間隔を置いて垂直状に取付けしてもよい。また、本実施
例では、ガイド体固定体１３をボンネットナット型式に
しているが、フランジ型式にしてもよいことは勿論であ
る。

【００１４】前記ブロック弁本体９内には、３通路型ダ
イヤフラム弁Ｖｂの一方の流通通路６ｂと第１継手１４
ａ間、３通路型ダイヤフラム弁Ｖｂの他方の流通通路６
ｂと２通路型ダイヤフラム弁Ｖａの開閉通路８ａ間、３
通路型ダイヤフラム弁Ｖｂの開閉通路８ｂと第３継手１
４ｃ間、及び２通路型ダイヤフラム弁Ｖａの流通通路６
ａと第２継手１４ｂ間を夫々接続する流体通路１５が穿
設されている。

【００１５】図７乃至図９は本発明の第２実施例を示す
ものであり前記シリンダーキャビネットの高圧ブロック
弁ＶH 等に利用するものである。即ち、本実施例では図
９に示す如く、第１継手１４ａ又は第４継手１４ｄから
供給したパージ用流体を第２継手１４ｂを通して外部へ
排出する。尚、第３継手１４ｃはプロセス側へ接続され
る。当該第２実施例では、ブロック弁本体９を共通とす
る２個の３通路型ダイヤフラム弁Ｖｂ、Ｖｃ及び１個の
２通路型ダイヤフラム弁Ｖａと、各ダイヤフラム弁Ｖ
ｂ、Ｖｃ、Ｖａと各継手１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４
ｄ間を連通する流体通路１５等から、ブロック弁Ｖが形
成されている。尚、前記３通路型ダイヤフラム弁Ｖｂ、
Ｖｃ及び２通路型ダイヤフラム弁Ｖａの構成は第１実施
例の場合と全く同様である。

【００１６】即ち、ブロック弁本体９は断面視に於いて
６角形の台形状に形成されており、その上方部は中央の
平坦面１１ｃと両側の斜面１１ａ、１１ｂとに形成され
ている。また、当該ブロック弁本体９の平坦面１１ｃと
一方の斜面１１ａには３通路型ダイヤフラム弁Ｖｃ、Ｖ
ｂが、また他方の斜面１１ｂには２通路型ダイヤフラム
弁Ｖａが夫々４５℃の傾斜角度間隔αをもって取付され
ている。更に、ブロック弁本体９の各側面１１ｄ〜１１
ｇには第１継手１４ａ、第２継手１４ｂ、第３継手１４
ｃ、第４継手１４ｄが夫々固設されている。尚、ブロッ
ク弁本体９の上面を平坦面として、各ダイヤフラム弁Ｖ
ａ、Ｖｂ、Ｖｃを間隔を置いて垂直状に配列することも
可能であり、また、ボンネットナット式のガイド体固定
体１３をフランジ式のガイド体固定体１３としてもよい
ことは勿論である。

【００１７】前記ブロック弁本体９内には、図７に示す
如く、３通路型ダイヤフラム弁Ｖｂの一方の流体通路６
ｂと第１継手１４ａ間、他方の流体通路６ｂと３通路型
ダイヤフラム弁Ｖｃの流体通路６ｃ間、ダイヤフラム弁
Ｖｂの開閉通路８ｂと第４継手１４ｄ間、ダイヤフラム
弁Ｖｃの開閉通路８ｃと第３継手１４ｃ間、ダイヤフラ
ム弁Ｖｃの他方の流体通路６ｃと２通路型ダイヤフラム
弁Ｖａの開閉通路８ａ間及びダイヤフラム弁Ｖａの流通
通路６ａと第２継手１４ａ間を夫々連通する流体通路１
５が穿設されている。

【００１８】次に、本発明に係るブロック弁の作動につ
いて説明する。図３乃至図６を参照して、当該ブロック
弁ＶL では、弁Ｖａを閉、弁Ｖｂを開にし、第１継手１
４ａからのガスを第３継手１４ｃを通してプロセスへ供
給する。また、プロセスへの供給ガスを切換える場合に
は、先ず弁Ｖａを開、弁Ｖｂを閉にし、第１継手１４ａ
からパージガスを供給してブロック弁本体ＶL の内部通
路に残留する供給ガスを排出する。本発明に於いては、
前記第１継手１４ａから供給されたパージガスは、通路
１５−通路６ｂ−弁Ｖｂの弁室７ｂ−通路６ｂ−開閉通
路８ａ−弁Ｖａの弁室７ａ−通路６ａ−第２継手１４ｂ
を通して外部へ排出される。また、第３継手１４ｃに連
通する開閉通路８ｂは、弁座２ｂによって閉鎖されてい
るため、前記パージガスの流通経路に対するデッドスペ
ースにならない。その結果、パーシングに要する時間の
大幅な短縮が可能になると共に、デッドスペースの残留
ガスによる後送ガスの純度低下が防止できる。

【００１９】同様に、第２実施例のブロック弁Ｖに於い
ては、図７及び図９に示す如く、第１継手１４ａ（又は
第４継手１４ｄ）から供給されたパージガスは、弁ＶB
の通路６ｂ−弁室７ｂ−通路６ｂ−弁Ｖｃの通路６ｃ−
弁室７ｃ−通路６ｃ−弁Ｖａの開閉通路８ａ−弁室７ａ
−通路６ａ−第２継手１４ｂを通して外部へパージされ
る。この場合、弁Ｖｂ，Ｖｃは閉鎖されているため、開
閉通路８ｂ，８ｃは前記パージガスの流通経路と完全に
切り離され、パージガス流通経路に対するデッドスペー
スとはならない。その結果、パージ時間の短縮が可能に
なると共に、後送ガスの純度低下を完全に防止すること
ができる。

【００２０】図１０及び図１１は、本発明に係るブロッ
ク弁と従前のブロック弁の連続パージガスによる置換特
性を示すものであり、曲線Ｐは本発明のブロック弁を、
また曲線Ｑは従来のブロック弁の特性を示すものであ
る。即ち、図１０及び図１１は、図３及び図７に示し
た本発明の各ブロック弁ＶL 、ＶH 内へＨｅガスを流
し、系内にＨｅが行きわたるように適宜バルブを開閉
し、バルブＶ内を１００＜％＞Ｈｅの状態にする。次
に、第２接手１４ｂ側からでるＨｅガスの一部をサンプ
リングバルブにより四重極質量分析計に導入し、パソコ
ンによりインターバル１ｓｅｃでＨｅの分析計測を開始
する。更に、３０ｓｅｃ後、第１接手１４ａから供給
するＨｅガスをＮ₂ ガスに切換え、ブロック弁Ｖ内のガ
スの置換状態をＨｅイオン強度の減少でもって表示した
ものである。尚、パージガスＮ₂ の流量は１００ＳＣＣ
Ｍであった。図１０及び図１１の実測値からも明らかな
ように、本発明に係るブロック弁ＶL 、ＶH は何れも優
れたガス置換特性を備えており、より迅速に内部ガスの
置換が行なえる。

【００２１】

【発明の効果】本件発明に於いては、ブロック弁本体９
に１個の２通路型のメタルダイヤフラム弁Ｖａと、１個
又は２個の３通路型のメタルダイヤフラム弁Ｖｂ（又は
Ｖｂ，Ｖｃ）とを一体的に組み付けると共に、パージガ
スを閉鎖した３通路型ダイヤフラム弁Ｖｂ（又はＶｂ，
Ｖｃ）の弁室７ｂ、開放した２通路型ダイヤフラム弁Ｖ
ａの弁室７ａ及び流体通路６ａを通して外部へ排出し、
且つ３通路型ダイヤフラム弁Ｖｂ（又はＶｂ，Ｖｃ）の
開閉通路８ｂをプロセス側（又はプロセス側及び置換ガ
ス供給側）へ連通する構成としている。その結果、パー
ジ用ガス通路に対して、これに分岐状に接続されている
プロセス側（又はプロセス側と置換ガス供給側）の通路
が所謂デッドスペースを形成しなくなり、パージ操作時
にブロック弁ＶL 又はブロック弁ＶH 内の残留ガスが円
滑且つ容易に系外へ排出されることになる。本発明は上
述の通り、小型化及びガス置換特性の点で特に優れた効
用を具備するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のブロック弁で使用する３通路型ダイヤ
フラム弁の要部を示す縦断面図である。

【図２】本発明のブロック弁で使用する２通路型ダイヤ
フラム弁の要部を示す縦断面図である。

【図３】本発明の第１実施例に係るブロック弁の縦断面
図である。

【図４】図３のＡ−Ｏ−Ａ視断面図である。

【図５】図３の底面図である。

【図６】図３のブロック弁のフロー系統図である。

【図７】本発明の第２実施例に係るブロック弁の縦断面
図である。

【図８】図７の底面図である。

【図９】図７のブロック弁のフロー系統図である。

【図１０】第１実施例のブロック弁のガス置換特性の実
測図である。

【図１１】第２実施例のブロック弁のガス置換特性の実
測図である。

【図１２】半導体製造装置用のシリンダーキャビネット
のフロー系統図である。

【図１３】従前の高圧ブロック弁の縦断面図である。

【図１４】図１４のＡ−Ａ視断面図である。

【図１５】図１４のフロー系統図である。

【図１６】従前の低圧ブロック弁の縦断面図である。

【図１７】図１７のＡ−Ａ視断面図である。

【図１８】図１７のフロー系統図である。

【符号の説明】

Ｖはブロック弁、Ｖａは２通路型メタルダイヤフラム
弁、Ｖｂ，Ｖｃは３通路型メタルダイヤフラム弁、１は
ステンレス鋼製ダイヤフラム、２は弁座、３はダイヤフ
ラム押え、４はアクチエータシャフト、５はガイド体、
６ａ，６ｂ，６ｃは流通通路、７は弁孔、７ａは弁室、
８ａ，８ｂ，８ｃは開閉通路、９はブロック弁本体、１
０はアクチエータ、１１ａ，１１ｂは上部斜面、１１ｃ
は上部平坦面、１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇは側
面、１２はボンネット、１３はガイド体固定材（ボンネ
ットナット）、１４ａは第１継手、１４ｂは第２継手、
１４ｃは第３継手、１４ｄは第４継手、１５は通路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−106749（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−117559（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−281026（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−119844（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−62976（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−19746（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−179499（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−6076（ＪＰ，Ｕ) 実開 平６−71979（ＪＰ，Ｕ) 特公 平２−14090（ＪＰ，Ｂ２) 実公 平４−42913（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) F17D 1/00 - 1/20 F16K 7/00 - 7/20 F16K 11/00 - 11/24 F16K 27/00 - 27/12 H01L 21/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ブロック弁本体（９）の上方部に正面視
   に於いて左側より１個の２通路型メタルダイヤフラム弁
   （Ｖａ）と２個の３通路型メタルダイヤフラム弁（Ｖ
   ｂ），（Ｖｃ）を順に隣接して配列し、これ等を一体的
   に組付けして成るブロック弁に於いて、前記２通路型及
   び３通路型のメタルダイヤフラム弁（Ｖａ），（Ｖ
   ｂ），（Ｖｃ）を、ブロック弁本体（９）の上面に間隔
   を置いて穿孔した３個の弁孔（７）と、各弁孔（７）の
   上方開口部に溶接したボンネット（１２）と、各弁孔
   （７）の底面に形成した弁座（２）及び開閉通路（８）
   と、３通路型メタルダイヤフラム弁（Ｖｂ），（Ｖｃ）
   の弁孔（７）の底面に連通する二本の流体通路（６
   ｂ），（６ｂ）と、２通路型メタルダイヤフラム弁（Ｖ
   ａ）の弁孔（７）の底面に連通する一本の流体通路（６
   ａ）と、前記弁座（２）と対向状に配設した金属ダイヤ
   フラム（１）と、金属ダイヤフラム（１）の上方に配設
   したダイヤフラム押さえ（３）と、ボンネット（１２）
   及び弁孔（７）内へ挿入され、その先端部でダイヤフラ
   ム（１）の外周縁を本体（９）側へ押圧すると共に基端
   部にアクチェータ（１０）を支持固定したガイド体
   （５）と、ボンネット（１２）に取付されてガイド体
   （５）をブロック弁本体（９）側へ押圧固定するガイド
   体固着材（１３）とから形成すると共に、前記ブロック
   弁本体（９）の外側面の正面視に於いて右側の側面に第
   １継手（１４ａ）を、背面側の側面に第２継手（１４
   ｂ）を、左側の側面に第３継手（１４ｃ）を、及び正面
   側の側面に第４継手（１４ｄ）を設け、前記一方の３通
   路型メタルダイヤフラム弁（Ｖｂ）の一方の流体通路
   （６ｂ）と第１継手（１４ａ）間、流体開閉通路（８
   ｂ）と第２継手（１４ｂ）間、他方の流体通路（６ｂ）
   と他方の３通路型メタルダイヤフラム弁（Ｖｃ）の一方
   の流体通路（６ｃ）間、流体開閉通路（８ｃ）と第３継
   手（１４ｃ）間、他方の流体通路（６ｃ）と２通路型メ
   タルダイヤフラム弁（Ｖａ）の流体開閉通路（８ａ）間
   及び２通路型メタルダイヤフラム弁（Ｖａ）の流体通路
   （６ａ）と第４継手（１４ｇ）間を夫々通路（１５）に
   より連通する構成としたブロック弁。
2. 【請求項２】 ブロック弁本体（９）の上面側を、平坦
   面（１１ｃ）の両側に傾斜面（１１ａ），（１１ｂ）を
   対向状に設けた形態とし、前記平坦面（１１ｃ）に他方
   の３通路型メタルダイヤフラム弁（Ｖｃ）用の弁孔
   （７）を垂直状に穿設すると共に、前記傾斜面（１１
   ａ），（１１ｂ）に所定の傾斜角度（α）をもって対向
   状に一方の３通路型メタルダイヤフラム弁（Ｖｂ）及
   び、２通路型メタルダイヤフラム弁（Ｖａ）用の弁孔
   （７），（７）を穿設し、更に、前記ガイド体固着材
   （１３）をボンネット（１２）へ螺着するボンネットナ
   ットとした請求項１に記載のブロック弁。