JP3357206B2 - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に位相シフター
パターンを備えた位相シフトマスクの製造方法に関す
る。特に、投影露光光の進行方向に関して遮光材パター
ンが位相シフターパターンの下流側に位置するタイプ
の、いわゆる下シフタータイプのレベンソン型位相シフ
トマスクを製造するのに好適な位相シフトマスクの製造
方法に関する。
パターンを備えた位相シフトマスクの製造方法に関す
る。特に、投影露光光の進行方向に関して遮光材パター
ンが位相シフターパターンの下流側に位置するタイプ
の、いわゆる下シフタータイプのレベンソン型位相シフ
トマスクを製造するのに好適な位相シフトマスクの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ステッパ等の投影露光装置に使用される
フォトマスクとして、そのフォトマスクを通過する投影
露光光に位相差を与えて高解像度のパターン転写を可能
にした位相シフトマスクは既に知られている。この位相
シフトマスクには、従来より、種々の形式のものが提案
されている。
フォトマスクとして、そのフォトマスクを通過する投影
露光光に位相差を与えて高解像度のパターン転写を可能
にした位相シフトマスクは既に知られている。この位相
シフトマスクには、従来より、種々の形式のものが提案
されている。
【０００３】例えば、マスク上でパターンを形成する隣
り合う一対の開口部のうちの一方に露光光の位相を反転
させるような透明膜を設けた構造のレベンソン型位相シ
フトマスクや、形成すべきパターンの周辺部に解像限界
以下の位相シフターを形成した構造の補助パターン付き
位相シフトマスクや、基板上にクロムパターンを形成し
た後にオーバーエッチングによって位相シフターのオー
バーハングを形成した構造の自己整合型位相シフトマス
ク等がある。
り合う一対の開口部のうちの一方に露光光の位相を反転
させるような透明膜を設けた構造のレベンソン型位相シ
フトマスクや、形成すべきパターンの周辺部に解像限界
以下の位相シフターを形成した構造の補助パターン付き
位相シフトマスクや、基板上にクロムパターンを形成し
た後にオーバーエッチングによって位相シフターのオー
バーハングを形成した構造の自己整合型位相シフトマス
ク等がある。
【０００４】以上の各構造の位相シフトマスクは、基板
上にＣｒ（クロム）パターンとシフターパターンを設け
たものであるが、この構造とは別に、シフターパターン
のみによって形成された位相シフトマスクとして、透過
型位相シフトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマス
ク等も知られている。透過型位相シフトマスクというの
は、透明部を透過した光と位相シフターを透過した光と
の境界部において光強度がゼロとなることを利用してパ
ターンを分離するようにした位相シフトマスクであっ
て、シフターエッジ利用型位相シフトマスクとも呼ばれ
ている。
上にＣｒ（クロム）パターンとシフターパターンを設け
たものであるが、この構造とは別に、シフターパターン
のみによって形成された位相シフトマスクとして、透過
型位相シフトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマス
ク等も知られている。透過型位相シフトマスクというの
は、透明部を透過した光と位相シフターを透過した光と
の境界部において光強度がゼロとなることを利用してパ
ターンを分離するようにした位相シフトマスクであっ
て、シフターエッジ利用型位相シフトマスクとも呼ばれ
ている。
【０００５】また、ハーフトーン型位相シフトマスクと
いうのは、投影露光光に対して部分透過性を有する、い
わゆる半透明な位相シフターパターンを基板上に形成し
て、その位相パターンの境界部に形成される光強度がゼ
ロの部分でパターンを分離するようにした位相シフトマ
スクである。
いうのは、投影露光光に対して部分透過性を有する、い
わゆる半透明な位相シフターパターンを基板上に形成し
て、その位相パターンの境界部に形成される光強度がゼ
ロの部分でパターンを分離するようにした位相シフトマ
スクである。
【０００６】上記のような各種の位相シフトマスクのう
ち、特に下シフタータイプのレベンソン型位相シフトマ
スクとして、図５に示す構造のものが知られている。こ
の位相シフトマスクでは、所望のパターン状に形成され
た位相シフターパターンを含む層である位相シフター層
２が透明基板１の表面層（図では下側表面層）に形成さ
れ、その位相シフター層２の上（図では下方位置）に遮
光材パターン３ａが所望のパターン状に形成される。こ
の位相シフトマスクを用いて露光対象物、例えばウエハ
２０に転写像を形成する際には、基板１側から露光光Ｒ
を照射して、遮光材パターン３ａによって形成される光
像をウエハ２０上に露光する。図において、遮光材パタ
ーン３ａに対応して遮光部Ｋが形成され、基板１が残さ
れた部分の透光部に対応してシフター透光部ＴS が形成
され、そして基板１がエッチングによって除去された部
分の透光部に対応して非シフター透光部ＴH が形成され
る。
ち、特に下シフタータイプのレベンソン型位相シフトマ
スクとして、図５に示す構造のものが知られている。こ
の位相シフトマスクでは、所望のパターン状に形成され
た位相シフターパターンを含む層である位相シフター層
２が透明基板１の表面層（図では下側表面層）に形成さ
れ、その位相シフター層２の上（図では下方位置）に遮
光材パターン３ａが所望のパターン状に形成される。こ
の位相シフトマスクを用いて露光対象物、例えばウエハ
２０に転写像を形成する際には、基板１側から露光光Ｒ
を照射して、遮光材パターン３ａによって形成される光
像をウエハ２０上に露光する。図において、遮光材パタ
ーン３ａに対応して遮光部Ｋが形成され、基板１が残さ
れた部分の透光部に対応してシフター透光部ＴS が形成
され、そして基板１がエッチングによって除去された部
分の透光部に対応して非シフター透光部ＴH が形成され
る。
【０００７】ウエハ２０上に形成される転写像に関して
見れば、マスク上でのシフター透光部ＴS の幅をａと
し、ウエハ２０上でのシフター透光部ＴS の幅をａ’と
するとき、ａ＝ａ’であることが望ましい。また、マス
ク上での非シフター透光部ＴHの幅をｂとし、ウエハ２
０上での非シフター透光部ＴH の幅をｂ’とするとき、
ｂ＝ｂ’であることが望ましい。しかしながら図５に示
すように、非シフター透光部ＴH を区画形成する遮光材
パターン３ａのエッジと位相シフターの凹部２ａのエッ
ジとが一致している場合には、ｂ＞ｂ’となること、す
なわち転写幅が細くなることが一般的である。これは、
主に、非シフター透光部ＴH に斜め方向から入射する露
光光Ｒ0 によって引き起こされるものと考えられてい
る。つまり、斜め方向から入射する露光光Ｒ0 は、位相
シフターパターンを透過した後に非シフター透光部ＴH
に到達するので、位相シフターパターンを透過しないで
非シフター透光部ＴH に到達する露光光との間に干渉が
発生して、ウエハ４上での光強度が低下するからであ
る。
見れば、マスク上でのシフター透光部ＴS の幅をａと
し、ウエハ２０上でのシフター透光部ＴS の幅をａ’と
するとき、ａ＝ａ’であることが望ましい。また、マス
ク上での非シフター透光部ＴHの幅をｂとし、ウエハ２
０上での非シフター透光部ＴH の幅をｂ’とするとき、
ｂ＝ｂ’であることが望ましい。しかしながら図５に示
すように、非シフター透光部ＴH を区画形成する遮光材
パターン３ａのエッジと位相シフターの凹部２ａのエッ
ジとが一致している場合には、ｂ＞ｂ’となること、す
なわち転写幅が細くなることが一般的である。これは、
主に、非シフター透光部ＴH に斜め方向から入射する露
光光Ｒ0 によって引き起こされるものと考えられてい
る。つまり、斜め方向から入射する露光光Ｒ0 は、位相
シフターパターンを透過した後に非シフター透光部ＴH
に到達するので、位相シフターパターンを透過しないで
非シフター透光部ＴH に到達する露光光との間に干渉が
発生して、ウエハ４上での光強度が低下するからであ
る。
【０００８】従来、上記のような非シフター透光部ＴH
における転写像の狭まり現象を回避するため、図６に示
すように、位相シフターパターンの凹部２ａのサイドウ
オールをエッチングによって削り取ってサイドエッチ部
Ｅを形成するという方法が知られている。このサイドエ
ッチ部Ｅを設ければ、斜め入射する露光光Ｒ0 が位相シ
フターパターンを通過することを回避できるので、転写
像の狭まりを防止できる。
における転写像の狭まり現象を回避するため、図６に示
すように、位相シフターパターンの凹部２ａのサイドウ
オールをエッチングによって削り取ってサイドエッチ部
Ｅを形成するという方法が知られている。このサイドエ
ッチ部Ｅを設ければ、斜め入射する露光光Ｒ0 が位相シ
フターパターンを通過することを回避できるので、転写
像の狭まりを防止できる。
【０００９】上記のようなサイドエッチ部Ｅは、従来、
例えば図４に示す方法によって形成される。すなわち工
程（ｊ）のように、透明基板１上に形成した遮光材パタ
ーン３ａ及びレジストパターン５ａをマスクとしてエッ
チングによって基板１を所望パターン状に掘り下げて位
相シフター層２を形成し、さらに工程（ｋ）のように、
ウエットエッチングによって位相シフターパターンの凹
部２ａのサイドウオールを横方向へエッチングしてサイ
ドエッチ部Ｅを形成する。
例えば図４に示す方法によって形成される。すなわち工
程（ｊ）のように、透明基板１上に形成した遮光材パタ
ーン３ａ及びレジストパターン５ａをマスクとしてエッ
チングによって基板１を所望パターン状に掘り下げて位
相シフター層２を形成し、さらに工程（ｋ）のように、
ウエットエッチングによって位相シフターパターンの凹
部２ａのサイドウオールを横方向へエッチングしてサイ
ドエッチ部Ｅを形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のサイドエッチング方法では、図７に示すよ
うな問題がある。すなわち、図７（ｆ）で示すように、
電子線露光による描画及びそれに引き続く現像処理によ
って透明基板１の上に所望のパターン状のレジストパタ
ーン５ａを形成したときに、基板１の上にレジスト残り
又はゴミＧ（以下、単にレジスト残りという）が載るこ
とがある。この状態のままで、基板１に位相シフター層
２を形成するためのエッチングをすると、レジスト残り
Ｇに隠れた部分の基板１がエッチングされないで残って
しまい、いわゆるシフター残りＮが発生する（工程
ｊ）。
ような従来のサイドエッチング方法では、図７に示すよ
うな問題がある。すなわち、図７（ｆ）で示すように、
電子線露光による描画及びそれに引き続く現像処理によ
って透明基板１の上に所望のパターン状のレジストパタ
ーン５ａを形成したときに、基板１の上にレジスト残り
又はゴミＧ（以下、単にレジスト残りという）が載るこ
とがある。この状態のままで、基板１に位相シフター層
２を形成するためのエッチングをすると、レジスト残り
Ｇに隠れた部分の基板１がエッチングされないで残って
しまい、いわゆるシフター残りＮが発生する（工程
ｊ）。
【００１１】この後、ウエットエッチングによってサイ
ドエッチングを行うと、シフター残りＮの無い部分のサ
イドウオールは正常にサイドエッチされるが、シフター
残りＮが存在する部分のサイドウオールは、シフター残
りＮがあった部分程度しかエッチングによりサイドエッ
チされない（工程ｋ、但し実際にはＮの部分もエッチン
グされている）。従って、シフター残りＮがあった側の
サイドウオールには希望通りのサイドエッチ部Ｅに相当
するサイドエッチ部が得られない（工程ｌ）。このよう
なサイドエッチ不良の位相シフトマスクでは、ウエハ上
に高精密な転写像を得ることができない。また、一旦形
成されたサイドエッチ不良は、ほとんど修正不可能であ
り、位相シフトマスクの製造工程における歩留まりを著
しく低下させる。
ドエッチングを行うと、シフター残りＮの無い部分のサ
イドウオールは正常にサイドエッチされるが、シフター
残りＮが存在する部分のサイドウオールは、シフター残
りＮがあった部分程度しかエッチングによりサイドエッ
チされない（工程ｋ、但し実際にはＮの部分もエッチン
グされている）。従って、シフター残りＮがあった側の
サイドウオールには希望通りのサイドエッチ部Ｅに相当
するサイドエッチ部が得られない（工程ｌ）。このよう
なサイドエッチ不良の位相シフトマスクでは、ウエハ上
に高精密な転写像を得ることができない。また、一旦形
成されたサイドエッチ不良は、ほとんど修正不可能であ
り、位相シフトマスクの製造工程における歩留まりを著
しく低下させる。
【００１２】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたものであって、位相シフターにサイドエ
ッチ部を形成する必要がある位相シフトマスクにおい
て、そのサイドエッチ部を確実に形成することができる
ようにすることを目的とする。
ためになされたものであって、位相シフターにサイドエ
ッチ部を形成する必要がある位相シフトマスクにおい
て、そのサイドエッチ部を確実に形成することができる
ようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、位相
シフター用膜の上にレジストパターンを形成し、遮光材
パターン及びレジストパターンをマスクとして位相シフ
ター用膜に対してエッチング処理を施して所望パターン
の位相シフターパターンを形成するようにした位相シフ
トマスクの製造方法において、位相シフター用膜を遮光
材パターン及びレジストパターンをマスクとしてエッチ
ングして位相シフターパターンを形成するシフターエッ
チング工程と、シフターエッチング工程の後に位相シフ
ターパターンに関して欠陥の有無を検査するシフター欠
陥検査工程と、発見された位相シフターパターン上の欠
陥を修正するシフター欠陥修正工程と、シフター欠陥修
正工程の後に位相シフターパターンのサイドウオールを
遮光材パターン及びレジストパターンをマスクとしてエ
ッチングしてサイドエッチ部を形成するサイドエッチン
グ工程とを有し、 シフター欠陥検査工程は、位相シフタ
ーパターンのサイドウオール部に発生するシフター残り
を、裏面から照明し、表面からカメラにて表面パターン
情報を読み取り、電子ビーム露光描画用のパターンデー
タと比較することにより発見することを含み、 シフター
欠陥修正工程は、ＦＩＢ処理によりイオンビームを照射
して化学反応により削り取ることによりそのシフター残
りを除去する処理であり、 シフターエッチング工程の前
の位相シフトマスク材料は、位相シフター用膜を兼ねる
基板、遮光材パターン及びレジストパターンをその順序
で積層した状態であり、そして シフター欠陥検査工程、
シフター欠陥修正工程及びサイドエッチング工程の後
に、位相シフターパターンが形成された基板の上に遮光
材パターンが積層された構造の下シフタータイプのレベ
ンソン型位相シフトマスクを製造することを特徴とす
る。
め、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、位相
シフター用膜の上にレジストパターンを形成し、遮光材
パターン及びレジストパターンをマスクとして位相シフ
ター用膜に対してエッチング処理を施して所望パターン
の位相シフターパターンを形成するようにした位相シフ
トマスクの製造方法において、位相シフター用膜を遮光
材パターン及びレジストパターンをマスクとしてエッチ
ングして位相シフターパターンを形成するシフターエッ
チング工程と、シフターエッチング工程の後に位相シフ
ターパターンに関して欠陥の有無を検査するシフター欠
陥検査工程と、発見された位相シフターパターン上の欠
陥を修正するシフター欠陥修正工程と、シフター欠陥修
正工程の後に位相シフターパターンのサイドウオールを
遮光材パターン及びレジストパターンをマスクとしてエ
ッチングしてサイドエッチ部を形成するサイドエッチン
グ工程とを有し、 シフター欠陥検査工程は、位相シフタ
ーパターンのサイドウオール部に発生するシフター残り
を、裏面から照明し、表面からカメラにて表面パターン
情報を読み取り、電子ビーム露光描画用のパターンデー
タと比較することにより発見することを含み、 シフター
欠陥修正工程は、ＦＩＢ処理によりイオンビームを照射
して化学反応により削り取ることによりそのシフター残
りを除去する処理であり、 シフターエッチング工程の前
の位相シフトマスク材料は、位相シフター用膜を兼ねる
基板、遮光材パターン及びレジストパターンをその順序
で積層した状態であり、そして シフター欠陥検査工程、
シフター欠陥修正工程及びサイドエッチング工程の後
に、位相シフターパターンが形成された基板の上に遮光
材パターンが積層された構造の下シフタータイプのレベ
ンソン型位相シフトマスクを製造することを特徴とす
る。
【００１４】位相シフター用膜は、石英等から成る透明
基板の上に、その基板とは別に成膜されることもある
し、あるいは、石英等から成る透明基板の表面の適宜の
厚さ部分を位相シフター用膜として兼用することもでき
る。
基板の上に、その基板とは別に成膜されることもある
し、あるいは、石英等から成る透明基板の表面の適宜の
厚さ部分を位相シフター用膜として兼用することもでき
る。
【００１５】シフター欠陥検査工程では、例えば、位相
シフターパターンのサイドウオール部に発生するシフタ
ー残りを発見する。また、シフター欠陥修正工程では、
例えば、そのシフター残りを除去する。シフター欠陥検
査工程を実施するための検査方法は、特定の方法に限定
されるものではないが、例えば、ＣＣＤカメラを用いた
画像処理を利用して行うことができる。また、シフター
欠陥修正工程を実施するための修正方法も、特定の方法
に限定されるものではないが、例えば、ＦＩＢ（Forcus
ed Ion Beam ）処理によって行うことができる。このＦ
ＩＢ処理というのは、所定のガス雰囲気下でイオンビー
ムをシフター欠陥例えばシフター残り部に照射して化学
反応によってそのシフター残り部を削り取るという処理
である。
シフターパターンのサイドウオール部に発生するシフタ
ー残りを発見する。また、シフター欠陥修正工程では、
例えば、そのシフター残りを除去する。シフター欠陥検
査工程を実施するための検査方法は、特定の方法に限定
されるものではないが、例えば、ＣＣＤカメラを用いた
画像処理を利用して行うことができる。また、シフター
欠陥修正工程を実施するための修正方法も、特定の方法
に限定されるものではないが、例えば、ＦＩＢ（Forcus
ed Ion Beam ）処理によって行うことができる。このＦ
ＩＢ処理というのは、所定のガス雰囲気下でイオンビー
ムをシフター欠陥例えばシフター残り部に照射して化学
反応によってそのシフター残り部を削り取るという処理
である。
【００１６】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法
を最も効果的に適用できるのは、下シフタータイプのレ
ベンソン型位相シフトマスクである。この下シフタータ
イプのレベンソン型位相シフトマスクというのは、完成
した位相シフトマスクを通して投影露光光を露光対象物
に照射してその露光対象物上に転写像を形成するとき
に、遮光材パターンが投影露光光の進行方向に関して位
相シフターパターンの下流側に位置する形式の位相シフ
トマスクである。
を最も効果的に適用できるのは、下シフタータイプのレ
ベンソン型位相シフトマスクである。この下シフタータ
イプのレベンソン型位相シフトマスクというのは、完成
した位相シフトマスクを通して投影露光光を露光対象物
に照射してその露光対象物上に転写像を形成するとき
に、遮光材パターンが投影露光光の進行方向に関して位
相シフターパターンの下流側に位置する形式の位相シフ
トマスクである。
【００１７】
【作用】シフターエッチング工程によって位相シフター
用膜に位相シフターパターンが形成される。透明基板と
は別に位相シフター用膜を成膜した場合には、その位相
シフター用膜に位相シフターパターンが形成される。他
方、透明基板の表面層を位相シフター用膜として兼用す
る場合は、その透明基板の表面層に位相シフターパター
ンが形成される。位相シフターパターンが形成された位
相シフトマスク（完成前の仕掛品）はシフター検査工程
において欠陥の有無、特にシフター残り等の有無につい
て検査される。シフター残り等があった場合は、シフタ
ー欠陥修正工程においてシフター残り等が削り取られ、
その後に、サイドエッチング処理が実施されてサイドエ
ッチ部が形成される。サイドエッチングが行われるとき
には、必ずシフター残りが除去されているので、常に確
実にサイドエッチ部が形成される。
用膜に位相シフターパターンが形成される。透明基板と
は別に位相シフター用膜を成膜した場合には、その位相
シフター用膜に位相シフターパターンが形成される。他
方、透明基板の表面層を位相シフター用膜として兼用す
る場合は、その透明基板の表面層に位相シフターパター
ンが形成される。位相シフターパターンが形成された位
相シフトマスク（完成前の仕掛品）はシフター検査工程
において欠陥の有無、特にシフター残り等の有無につい
て検査される。シフター残り等があった場合は、シフタ
ー欠陥修正工程においてシフター残り等が削り取られ、
その後に、サイドエッチング処理が実施されてサイドエ
ッチ部が形成される。サイドエッチングが行われるとき
には、必ずシフター残りが除去されているので、常に確
実にサイドエッチ部が形成される。
【００１８】
【実施例】図１から図４を参照して本発明に係る位相シ
フトマスクの製造方法の一実施例を説明する。まず、図
１（ａ）に示すように、透明基板１上に周知の成膜技術
によって遮光材膜３及び第１レジスト膜４を順次に積層
して、位相シフトマスク用ブランクを作製する。上記の
各膜は、例えば次のような材料によって形成される。 透明基板１ ：石英 遮光材膜３ ：Ｃｒ，ＣｒＯ，ＣｒＮ，ＣｒＯＮ等の
うちのいずれか又はそれらの複合膜
フトマスクの製造方法の一実施例を説明する。まず、図
１（ａ）に示すように、透明基板１上に周知の成膜技術
によって遮光材膜３及び第１レジスト膜４を順次に積層
して、位相シフトマスク用ブランクを作製する。上記の
各膜は、例えば次のような材料によって形成される。 透明基板１ ：石英 遮光材膜３ ：Ｃｒ，ＣｒＯ，ＣｒＮ，ＣｒＯＮ等の
うちのいずれか又はそれらの複合膜
【００１９】次いで、電子ビーム露光による描画によっ
て第１レジスト膜４にパターン潜像を形成した後にそれ
を現像して第１レジストパターン４ａを形成し（図１
（ｂ））、さらにエッチングによって遮光材膜３から所
定パターンの遮光材パターン３ａを形成し（図１
（ｃ））、そしてさらに第１レジストパターン４ａを除
去する（図２（ｄ））。遮光材膜３のエッチングとして
は、例えば、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸
との混合溶液を用いたウエットエッチングや、塩素系ガ
スを用いたドライエッチング等を用いる。また第１レジ
ストパターン４ａは、例えば、酸素プラズマや硫酸を用
いて剥離する。
て第１レジスト膜４にパターン潜像を形成した後にそれ
を現像して第１レジストパターン４ａを形成し（図１
（ｂ））、さらにエッチングによって遮光材膜３から所
定パターンの遮光材パターン３ａを形成し（図１
（ｃ））、そしてさらに第１レジストパターン４ａを除
去する（図２（ｄ））。遮光材膜３のエッチングとして
は、例えば、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸
との混合溶液を用いたウエットエッチングや、塩素系ガ
スを用いたドライエッチング等を用いる。また第１レジ
ストパターン４ａは、例えば、酸素プラズマや硫酸を用
いて剥離する。
【００２０】その後、シフター用の第２レジスト膜５を
塗布し（図２（ｅ））、電子ビーム露光による描画及び
現像によって所望パターンの第２レジストパターン５ａ
を形成する（図２（ｆ））。そしてその後、ＣＦ4やＣ2
Ｆ6 等の反応性ガスを用いた周知のドライエッチングに
よって基板１の表面層をエッチングして所望パターンの
位相シフターパターンを形成、すなわち位相シフター層
２を形成した（図３（ｇ））。このとき、レジスト残り
Ｇが存在する部分にシフター残りＮが発生することがあ
る。本実施例では、シフター欠陥検査工程（図３
（ｈ））において、シフター欠陥検査装置７によってそ
のシフター残りＮの有無を検査する。
塗布し（図２（ｅ））、電子ビーム露光による描画及び
現像によって所望パターンの第２レジストパターン５ａ
を形成する（図２（ｆ））。そしてその後、ＣＦ4やＣ2
Ｆ6 等の反応性ガスを用いた周知のドライエッチングに
よって基板１の表面層をエッチングして所望パターンの
位相シフターパターンを形成、すなわち位相シフター層
２を形成した（図３（ｇ））。このとき、レジスト残り
Ｇが存在する部分にシフター残りＮが発生することがあ
る。本実施例では、シフター欠陥検査工程（図３
（ｈ））において、シフター欠陥検査装置７によってそ
のシフター残りＮの有無を検査する。
【００２１】このシフター欠陥検査装置７は、特定の構
造のものに限定されないが、例えば、図８に示すような
検査システムを用いることができる。この検査システム
では、検査対象であるマスク仕掛品８を裏側からランプ
９で照明し、そのマスク仕掛品８の表側をＣＣＤカメラ
１０で読み取り走査する。符号１１は集光レンズを示し
ている。ＣＣＤカメラ１０によって読み取られたマスク
仕掛品８の表面パターン情報は電子ビーム露光描画用の
パターンデータと比較され、その比較の結果、シフター
残りＮの存在及びその座標位置が判定される。
造のものに限定されないが、例えば、図８に示すような
検査システムを用いることができる。この検査システム
では、検査対象であるマスク仕掛品８を裏側からランプ
９で照明し、そのマスク仕掛品８の表側をＣＣＤカメラ
１０で読み取り走査する。符号１１は集光レンズを示し
ている。ＣＣＤカメラ１０によって読み取られたマスク
仕掛品８の表面パターン情報は電子ビーム露光描画用の
パターンデータと比較され、その比較の結果、シフター
残りＮの存在及びその座標位置が判定される。
【００２２】シフター残りＮの存在位置が判ると、図３
（ｉ）に示すように、シフター欠陥修正装置１２によっ
てそのシフター残り部Ｎが修正、すなわち削り取られ
る。シフター欠陥修正装置１２は、例えば、ＦＩＢ（Fo
rcused Ion Beam ）処理によってシフター残り部Ｎを削
り取る。すなわち、所定のガス雰囲気下でイオンビーム
をシフター残り部Ｎに照射して化学反応によってそのシ
フター残り部Ｎを削り取る（図４（ｊ））。
（ｉ）に示すように、シフター欠陥修正装置１２によっ
てそのシフター残り部Ｎが修正、すなわち削り取られ
る。シフター欠陥修正装置１２は、例えば、ＦＩＢ（Fo
rcused Ion Beam ）処理によってシフター残り部Ｎを削
り取る。すなわち、所定のガス雰囲気下でイオンビーム
をシフター残り部Ｎに照射して化学反応によってそのシ
フター残り部Ｎを削り取る（図４（ｊ））。
【００２３】その後、等方性エッチング、例えばフッ酸
によるウエットエッチングやドライエッチングによって
位相シフターパターンの凹部２ａをサイドエッチングし
てサイドエッチ部Ｅを形成する（図４（ｋ））。このサ
イドエッチング処理時には、シフター残り部Ｎが完全に
除去されているので、シフター残り部Ｎがあった所にも
確実にサイドエッチ部Ｅが形成される。その後、酸素プ
ラズマや硫酸等を用いてレジストパターン４ａを除去
し、さらに洗浄処理を行って、下シフタータイプのレベ
ンソン型位相シフトマスクが完成する（図４（ｌ））。
によるウエットエッチングやドライエッチングによって
位相シフターパターンの凹部２ａをサイドエッチングし
てサイドエッチ部Ｅを形成する（図４（ｋ））。このサ
イドエッチング処理時には、シフター残り部Ｎが完全に
除去されているので、シフター残り部Ｎがあった所にも
確実にサイドエッチ部Ｅが形成される。その後、酸素プ
ラズマや硫酸等を用いてレジストパターン４ａを除去
し、さらに洗浄処理を行って、下シフタータイプのレベ
ンソン型位相シフトマスクが完成する（図４（ｌ））。
【００２４】以上、好ましい実施例を挙げて本発明を説
明したが、本発明はその実施例に限定されるものでな
く、請求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変で
きる。例えば、図４（ｌ）に示した下シフタータイプの
レベンソン型位相シフトマスクは、透明基板１の表面層
を位相シフター層２として用いたが、透明基板１の上に
位相シフター層を別途、成膜するようにしても良い。
明したが、本発明はその実施例に限定されるものでな
く、請求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変で
きる。例えば、図４（ｌ）に示した下シフタータイプの
レベンソン型位相シフトマスクは、透明基板１の表面層
を位相シフター層２として用いたが、透明基板１の上に
位相シフター層を別途、成膜するようにしても良い。
【００２５】
【発明の効果】本発明に係る位相シフトマスクの製造方
法によれば、位相シフトマスクの製造途中で位相シフタ
ーパターンの欠陥、例えばシフター残りを探し出してさ
らにそれを修正してしまうので、その後にサイドエッチ
ング処理を行うことにより、位相シフターパターンの凹
部に常に確実にサイドエッチ部を形成することができ
る。よって、位相シフトマスクによって露光対象物上に
転写像を形成する際、その転写像を極めて高精度に形成
できる。
法によれば、位相シフトマスクの製造途中で位相シフタ
ーパターンの欠陥、例えばシフター残りを探し出してさ
らにそれを修正してしまうので、その後にサイドエッチ
ング処理を行うことにより、位相シフターパターンの凹
部に常に確実にサイドエッチ部を形成することができ
る。よって、位相シフトマスクによって露光対象物上に
転写像を形成する際、その転写像を極めて高精度に形成
できる。
【００２６】
【図１】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の一
実施例の一部分を模式的に示す図である。
実施例の一部分を模式的に示す図である。
【図２】図１に引き続く位相シフトマスクの製造工程を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図３】図２に引き続く位相シフトマスクの製造工程を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図４】図３に引き続く位相シフトマスクの製造工程、
また、完成した下シフタータイプのレベンソン型位相シ
フトマスクを模式的に示す図である。
また、完成した下シフタータイプのレベンソン型位相シ
フトマスクを模式的に示す図である。
【図５】下シフタータイプのレベンソン型位相シフトマ
スクによる転写状態を模式的に示す図である。
スクによる転写状態を模式的に示す図である。
【図６】図５に示す位相シフトマスクの要部を拡大して
示す図である。
示す図である。
【図７】従来の位相シフトマスクの製造方法の主要工程
を模式的に示す図である。
を模式的に示す図である。
【図８】シフター欠陥検査工程を実施するための装置の
一例を示す斜視図である。
一例を示す斜視図である。
１ 透明基板 ２ 位相シフター層 ２ａ 位相シフターパターンの凹部 ３ 遮光材膜 ３ａ 遮光材パターン ４ 第１レジスト膜 ４ａ 第１レジストパターン ５ 第２レジスト膜 ５ａ 第２レジストパターン ７ シフター欠陥検査装置 ９ ランプ １０ ＣＣＤカメラ １１ 集光レンズ １２ シフター欠陥修正装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−301195（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−43626（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−136854（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】位相シフター用膜の上にレジストパターン
を形成し、遮光材パターン及びレジストパターンをマス
クとして位相シフター用膜に対してエッチング処理を施
して所望パターンの位相シフターパターンを形成するよ
うにした位相シフトマスクの製造方法において、 位相シフター用膜を遮光材パターン及びレジストパター
ンをマスクとしてエッチングして位相シフターパターン
を形成するシフターエッチング工程と、 シフターエッチング工程の後に位相シフターパターンに
関して欠陥の有無を検査するシフター欠陥検査工程と、 発見された位相シフターパターン上の欠陥を修正するシ
フター欠陥修正工程と、 シフター欠陥修正工程の後に位相シフターパターンのサ
イドウオールを遮光材パターン及びレジストパターンを
マスクとしてエッチングしてサイドエッチ部を形成する
サイドエッチング工程とを有し、 シフター欠陥検査工程は、位相シフターパターンのサイ
ドウオール部に発生するシフター残りを、裏面から照明
し、表面からカメラにて表面パターン情報を読み取り、
電子ビーム露光描画用のパターンデータと比較すること
により発見することを含み、 シフター欠陥修正工程は、ＦＩＢ処理によりイオンビー
ムを照射して化学反応により削り取ることによりそのシ
フター残りを除去する処理であり、 シフターエッチング工程の前の位相シフトマスク材料
は、位相シフター用膜を兼ねる基板、遮光材パターン及
びレジストパターンをその順序で積層した状態であり、
そして シフター欠陥検査工程、シフター欠陥修正工程及
びサイドエッチング工程の後に、位相シフターパターン
が形成された基板の上に遮光材パターンが積層された構
造の下シフタータイプのレベンソン型位相シフトマスク
を製造 することを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30036694A JP3357206B2 (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30036694A JP3357206B2 (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08137090A JPH08137090A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3357206B2 true JP3357206B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=17883917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30036694A Expired - Fee Related JP3357206B2 (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3357206B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002049143A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの欠陥検査装置 |
-
1994
- 1994-11-09 JP JP30036694A patent/JP3357206B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08137090A (ja) | 1996-05-31 |
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