JP3280618B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
Heat treatment equipmentInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば写真製版技
術を用いて半導体素子を製造する半導体製造システム内
に組み込まれる加熱装置や冷却装置などの熱処理装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus such as a heating apparatus or a cooling apparatus incorporated in a semiconductor manufacturing system for manufacturing a semiconductor device by using, for example, photoengraving technology.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、写真製版技術を用いた半導体
製造システムでは、一つのシステム内にレジスト塗布ユ
ニットや、乾燥ユニット、加熱ユニットなどの各種処理
ユニットを組み込み、これら各種処理ユニット間を順次
移動させながら一連の処理を施すようになっている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing system using photoengraving technology, various processing units such as a resist coating unit, a drying unit, and a heating unit are incorporated in one system, and the various processing units are sequentially moved. A series of processing is performed while performing this.
【0003】図13は典型的な熱処理ユニット200の
垂直断面図である。FIG. 13 is a vertical sectional view of a typical heat treatment unit 200.
【0004】この熱処理ユニット200では、半導体ウ
エハ(以下、単に「ウエハ」という)Wは熱処理盤20
1の上面上に載置され、このウエハWは熱処理盤201
から放出される熱により熱処理される。この熱処理盤2
01には図示しないヒータが組み込まれており、このヒ
ータから供給される熱により熱処理盤201が加熱され
る。そしてウエハWは熱処理時の熱処理温度の変動によ
る影響を受けやすいため、熱処理盤201の温度管理は
正確に行わなければならない。そのため、熱処理盤20
1には温度を検出するためのセンサ(図示省略)が取り
付けられており、このセンサを介して制御装置が前記ヒ
ータのオン・オフを切り換えることにより熱処理盤20
1の温度を制御するようになっている。In this heat treatment unit 200, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W is placed on heat treatment board 20.
1, the wafer W is placed on the heat treatment board 201
Heat treatment by the heat released from the This heat treatment board 2
In FIG. 1, a heater (not shown) is incorporated, and the heat treatment board 201 is heated by heat supplied from the heater. Since the wafer W is easily affected by fluctuations in the heat treatment temperature during the heat treatment, the temperature of the heat treatment board 201 must be accurately controlled. Therefore, the heat treatment board 20
1 is provided with a sensor (not shown) for detecting a temperature, and a control device switches on / off of the heater via this sensor to thereby control the heat treatment board 20.
1 is controlled.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な構造の熱処理盤201では熱処理盤201上にウエハ
Wが載置されているか否かとは無関係に温度を常に一定
に保つような構造になっているため、多数のウエハWに
ついて連続的に熱処理を行うと、熱処理盤201の温度
制御に支障を来す場合がある。By the way, the heat treatment board 201 having the above-mentioned structure has a structure in which the temperature is always kept constant irrespective of whether the wafer W is mounted on the heat treatment board 201 or not. Therefore, if heat treatment is continuously performed on a large number of wafers W, the temperature control of the heat treatment board 201 may be hindered.
【0006】即ち、電源投入後温度が安定した熱処理盤
201上にウエハWを載置すると、このウエハWにより
熱処理盤201表面から熱量が奪われて温度が低下する
ため、センサで温度低下を認識した制御装置がヒータへ
の電力量を増加させて加熱を開始する。このとき、この
加熱により温度が上昇途中にある熱処理盤201上か
ら、既に熱処理を完了したウエハWが離間されると、熱
処理盤201への加熱量が過剰になり、熱処理盤201
の温度が上がり過ぎるという問題がある。That is, when the wafer W is mounted on the heat-treating board 201 whose temperature is stable after the power is turned on, the amount of heat is taken from the surface of the heat-treating board 201 by the wafer W to lower the temperature. The controlled device increases the amount of power to the heater and starts heating. At this time, when the wafer W that has already been subjected to the heat treatment is separated from the heat treatment plate 201 whose temperature is rising due to the heating, the amount of heat applied to the heat treatment plate 201 becomes excessive, and the heat treatment plate 201 is heated.
However, there is a problem that the temperature is too high.
【0007】図14は従来の熱処理ユニット200の熱
処理盤201の温度が変化する様子を示したタイミング
チャートである。この図10に示したように、電源投入
後温度が安定した時間t0 〜t4 の状態では、温度セン
サで検出した熱処理盤201の温度がT1 以下になると
ヒータの電源がオンになり(時間t0 〜t1 、t2 〜t
3 )、一方、温度がT1 より高くなるとヒータの電源が
オフになり、熱処理盤201の温度はほぼ一定に維持さ
れる。時間t4 になって熱処理盤201上にウエハWが
載置されると、このウエハWにより熱量が奪われるた
め、熱処理盤201の温度は急激に低下する(t4 〜t
5 )。FIG. 14 is a timing chart showing how the temperature of the heat treatment board 201 of the conventional heat treatment unit 200 changes. This, as shown in FIG. 10, in the state of time temperature after power has stabilized t 0 ~t 4, when the temperature of the heat processing table 201 detected by the temperature sensor becomes T 1 following the power of the heater is turned on ( Time t 0 to t 1 , t 2 to t
3) On the other hand, when the temperature is higher than T 1 power of the heater is turned off, the temperature of the heat processing table 201 is maintained substantially constant. When the wafer W on the heat processing table 201 becomes the time t 4 is placed, the amount of heat is taken away by the wafer W, the temperature of the heat processing table 201 decreases rapidly (t 4 ~t
5 ).
【0008】ここで、熱処理盤201の温度がT1 を下
回る時間t5 〜t7 の間ヒータの電源はオンのまま維持
されて加熱されるが、時間t6 になると熱処理盤201
上からウエハWが取り除かれる。そのため、熱量を吸収
するウエハWがなくなった分熱容量が小さくなり、熱処
理盤201は昇温されやすくなるが、時間t6 以降も時
間t5 〜t6 と同じ割合で加熱され、時間t7 になるま
で加熱が継続される。熱処理盤201の温度がT1 にな
る時間t7 になるとヒータの電源がオフになり、加熱が
停止するが、時間t6 〜t7 で多量の熱量がウエハWを
載置していない状態の熱処理盤201に供給されるた
め、この間に与えられた熱量が時間t7以降に熱処理盤
201の表面に現れ、熱処理盤201の温度が非常に高
い温度になるまで昇温してしまう。そのため時間t8 で
後続のウエハWを熱処理盤201に載置する際には非常
に高温となっており、後続のウエハWに対して高温熱処
理による悪影響が生じる。そして同様に更に後続のウエ
ハWについても時間t10〜t11で供給され、蓄積された
熱量が時間t11以降の熱処理盤201の温度を非常に高
温にするので、時間t12〜t14に熱処理されるウエハW
も高温に晒される。そして、一旦温度が上がり過ぎた熱
処理盤201を所定温度にまで冷却するには多大な時間
がかかるため、処理効率が低下して製造コストが上昇す
るという問題がある。[0008] Here, the temperature of the heat processing table 201 power between the heater time t 5 ~t 7 below T 1 is heated is kept ON, and it is time t 6 the heat processing table 201
The wafer W is removed from above. Therefore, the partial heat capacity wafer W is exhausted to absorb heat is reduced, heat processing 201 is likely to be heated, is heated the time t 6 after the same rate as the time t 5 ~t 6, the time t 7 Heating is continued until it becomes. Power of the heater when the temperature of the heat processing table 201 becomes the time t 7 to be T 1 is turned off, the heating is to stop, the time a large amount of heat at t 6 ~t 7 is a state that does not place the wafer W to be supplied to the heat processing table 201, the amount of heat given during this period appears on the surface of the heat processing table 201 since the time t 7, resulting in heating to a temperature of the heat processing table 201 is a very high temperature. Therefore it has a very high temperature when mounting the subsequent wafer W in the heat processing table 201 at time t 8, occurs adverse effect of the high temperature and the heat treatment for subsequent wafer W. And likewise further provided with the subsequent wafer W and time t 10 ~t 11, since the accumulated amount of heat is very a high temperature the temperature of the time t 11 after the heat processing table 201, the time t 12 ~t 14 Wafer W to be heat treated
Are also exposed to high temperatures. Since it takes a lot of time to cool the heat-treated board 201 once heated to a predetermined temperature, there is a problem that the processing efficiency is reduced and the manufacturing cost is increased.
【0009】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものである。The present invention has been made to solve such a problem.
【0010】即ち、本発明の目的は、熱処理盤を効率良
く温度制御できる熱処理装置を提供することにある。That is, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of efficiently controlling the temperature of a heat treatment board.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項1記載の本発明の熱処理装置は、被処理基板
が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤上に被処理基板
を順次搬送する手段と、前記熱処理盤が目標温度になる
ように第1伝達関数に従って制御する第1温度制御手段
と、先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達
関数の内部変数の値を記憶する手段と、先行する被処理
基板が離間してから後続の被処理基板が載置されるまで
の間、第2伝達関数に従って前記熱処理盤を過加熱しな
いように前記目標温度に制御する第2温度制御手段と、
後続の被処理基板が載置される時に、前記記憶した内部
変数の値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を具
備する。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus in which a substrate to be processed is placed and a substrate to be processed is sequentially placed on the heat treatment panel. Conveying means, first temperature control means for controlling the heat treatment panel to a target temperature according to a first transfer function, and values of internal variables of the first transfer function when a preceding substrate to be processed is separated. Means for controlling the target temperature so as not to overheat the heat-treating board in accordance with the second transfer function from the time when the preceding substrate is separated to the time when the succeeding substrate is placed. Second temperature control means;
When a subsequent substrate to be processed is placed, and means for initializing said first transfer function with the value of the internal variables the storage.
【0012】請求項2記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤上に被
処理基板を順次搬送する手段と、前記熱処理盤が目標温
度になるように第1伝達関数に従って制御する第1温度
制御手段であって、前記被処理基板が前記熱処理盤から
離間される直前の温度と前記目標温度との偏差を求め、
前記偏差が小さくなるように前記第1伝達関数の係数値
を修正する第1温度制御手段と、先行する被処理基板が
離間されるときの前記第1伝達関数の内部変数の値を記
憶する手段と、先行する被処理基板が離間してから後続
の被処理基板が載置されるまでの間、第2伝達関数に従
って前記熱処理盤を過加熱しないように前記目標温度に
制御する第2温度制御手段と、後続の被処理基板が載置
されるときに、前記記憶した内部変数の値で前記第1伝
達関数を初期化する手段と、を具備する。According to a second aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus wherein a substrate to be processed is placed, means for sequentially transporting the substrate to be processed on the heat treatment panel, and the temperature of the heat treatment panel is set to a target temperature. Temperature control means for controlling according to a first transfer function as described above, wherein the substrate to be processed is
Determine the deviation between the temperature immediately before being separated and the target temperature,
Coefficient value of the first transfer function so that the deviation is reduced
First temperature control means for correcting the following, a means for storing the value of the internal variable of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated, and Until the processing substrate is mounted, second temperature control means for controlling the heat treatment board to the target temperature according to the second transfer function so as not to overheat, and when the subsequent substrate to be processed is mounted, Means for initializing the first transfer function with the value of the stored internal variable.
【0013】請求項3記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤上に被
処理基板を順次搬送する手段と、前記熱処理盤が目標温
度になるように第1伝達関数に従って制御する第1温度
制御手段と、先行する被処理基板が離間されるときの前
記第1伝達関数の内部変数の値を記憶する手段と、先行
する被処理基板が離間してから後続の被処理基板が載置
されるまでの間、第2伝達関数に従って前記熱処理盤を
過加熱しないように前記目標温度に制御する第2温度制
御手段であって、前記後続の被処理基板が前記熱処理盤
に載置される直前の温度と前記目標温度との偏差を求
め、前記偏差が小さくなるように前記第2伝達関数の係
数値を修正する第2温度制御手段と、後続の被処理基板
が載置されるときに、前記記憶した内部変数の値で前記
第1伝達関数を初期化する手段と、を具備する。According to a third aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus wherein a substrate to be processed is placed, means for sequentially transporting the substrate to be processed onto the heat treatment panel, and the temperature of the heat treatment panel is set to a target temperature. Temperature control means for controlling according to the first transfer function, means for storing the value of an internal variable of the first transfer function when the preceding substrate is separated, and A second temperature control means for controlling the heat treatment panel to the target temperature according to a second transfer function so as not to overheat the substrate after the subsequent substrate is mounted, and The deviation between the temperature immediately before the processing substrate is placed on the heat treatment board and the target temperature is calculated.
Because, a second temperature control means for modifying the coefficient values of the second transfer function so that the deviation becomes small, when the subsequent target substrate is placed, said the value of the internal variable the stored second Means for initializing one transfer function.
【0014】請求項4記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤上に被
処理基板を順次搬送する手段と、前記熱処理盤が目標温
度になるように第1伝達関数に従って制御する第1温度
制御手段であって、前記被処理基板が前記熱処理盤から
離間される直前の温度と前記目標温度との偏差を求め、
前記偏差が小さくなるように前記第1伝達関数の係数値
を修正する第1温度制御手段と、先行する被処理基板が
離間されるときの前記第1伝達関数の内部変数の値を記
憶する手段と、先行する被処理基板が離間してから後続
の被処理基板が載置されるまでの間、第2伝達関数に従
って前記熱処理盤を過加熱しないように前記目標値に制
御する第2温度制御手段であって、前記後続の被処理基
板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前記目標温
度との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前記第
2伝達関数の係数値を修正する第2温度制御手段と、後
続の被処理基板が載置されるときに、前記記憶した内部
変数の値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を具
備する。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus wherein a substrate to be processed is mounted, means for sequentially transporting the substrate to be processed on the heat treatment panel, and the temperature of the heat treatment panel is set to a target temperature. Temperature control means for controlling according to a first transfer function as described above, wherein the substrate to be processed is
Determine the deviation between the temperature immediately before being separated and the target temperature,
Coefficient value of the first transfer function so that the deviation is reduced
First temperature control means for correcting the following, a means for storing the value of the internal variable of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated, and A second temperature control means for controlling the heat treatment board to the target value so as not to overheat the heat treatment board according to a second transfer function until the processing substrate is placed, wherein the subsequent substrate to be processed is the heat treatment board. deviation calculated Me between the temperature and the target temperature just before it is placed on, a second temperature control means for modifying the coefficient values of the second transfer function so that the deviation becomes small, the subsequent target substrate Means for initializing the first transfer function with the value of the stored internal variable when the device is mounted.
【0015】請求項5記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤上に被
処理基板を順次搬送する手段と、前記熱処理盤が目標温
度になるように次の関係式(1)According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus according to the present invention, wherein a heat treatment board on which a substrate to be treated is mounted, means for sequentially transporting the substrate to be treated onto the heat treatment board, and wherein the heat treatment board reaches a target temperature. As shown in the following relational expression (1)
【数13】 {式中、Yは操作量、zは制御動作信号、KP は比例動
作係数(比例ゲイン)、TI は積分時間、TD は微分時
間をそれぞれ表す。}で表される第1伝達関数に従って
制御する第1温度制御手段と、先行する被処理基板が離
間される時の前記第1伝達関数の比例要素(KP ・z)
の値を記憶する第1記憶部と、先行する被処理基板が離
間される時の前記第1伝達関数の積分要素(Equation 13) In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI represents an integration time, and TD represents a differentiation time. A first temperature control means for controlling according to a first transfer function represented by 、, and a proportional element (Kp · z) of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated
A first storage unit for storing the value of the first transfer function, and an integral element of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated.
【数14】 の値を記憶する第2記憶部と、先行する被処理基板が離
間される時の前記第1伝達関数の微分要素{KP ・TD
・dz/dt}の値を記憶する第3記憶部と、先行する
被処理基板が離間してから後続の被処理基板が載置され
るまでの間、第2伝達関数に従って前記熱処理盤を過加
熱しないように前記目標温度に制御する第2温度制御手
段と、後続の被処理基板が載置される時に、前記記憶部
に記憶した各内部変数(比例要素、積分要素及び微分要
素)の値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を具
備する。[Equation 14] And a differential element {KP · TD of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated.
A third storage unit for storing a value of dz / dt}, and a step of moving the heat treatment board in accordance with the second transfer function from the time when the preceding substrate is separated to the time when the succeeding substrate is mounted. Second temperature control means for controlling the target temperature so as not to be heated, and values of respective internal variables (proportional element, integral element and differential element) stored in the storage section when a subsequent substrate to be processed is mounted. Means for initializing the first transfer function.
【0016】[0016]
【0017】請求項6記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤上に被
処理基板を順次搬送する手段と、前記熱処理盤が目標温
度になるように次の関係式(1)According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus wherein a substrate to be processed is mounted, means for sequentially transporting the substrate to be processed onto the heat treatment panel, and the temperature of the heat treatment panel is set to a target temperature. As shown in the following relational expression (1)
【数17】 {式中、Yは操作量、zは制御動作信号、KP は比例動
作係数(比例ゲイン)、TI は積分時間、TD は微分時
間をそれぞれ表す。}で表される第1伝達関数に従って
制御する第1温度制御手段であって、前記被処理基板が
前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記目標温度
との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前記第1
伝達関数の各係数値(比例動作係数、積分時間、及び微
分時間)を修正する第1温度制御手段と、先行する被処
理基板が離間される時の前記第1伝達関数の比例要素
(KP ・z)の値を記憶する第1記憶部と、先行する被
処理基板が離間される時の前記第1伝達関数の積分要素[Equation 17] In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI represents an integration time, and TD represents a differentiation time. A first temperature control means for controlling according to a first transfer function represented by 表, wherein the substrate to be processed is
The temperature just before being separated from the heat treatment board and the target temperature
And the first is determined so that the deviation is reduced.
Each coefficient value of the transfer function (proportional operation coefficient, integration time, and fine
A first temperature control means for correcting the minute time), a first storage unit for storing a value of a proportional element (KP · z) of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated, and Integral element of the first transfer function when the substrate to be processed is separated
【数18】 の値を記憶する第2記憶部と、先行する被処理基板が離
間される時の前記第1伝達関数の微分要素{KP ・TD
・dz/dt}の値を記憶する第3記憶部と、先行する
被処理基板が離間してから後続の被処理基板が載置され
るまでの間、第2伝達関数に従って前記熱処理盤を過加
熱しないように前記目標温度に制御する第2温度制御手
段と、後続の被処理基板が載置されるときに、前記記憶
した内部変数の値で前記第1伝達関数を初期化する手段
と、を具備する。(Equation 18) And a differential element {KP · TD of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated.
A third storage unit for storing the value of · dz / dt}, until subsequent target substrate from the target substrate is separated to previous row is placed, the heat processing table in accordance with a second transfer function Second temperature control means for controlling the target temperature so as not to be overheated, and means for initializing the first transfer function with the stored values of the internal variables when a subsequent substrate is mounted. Is provided.
【0018】請求項7記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤上に被
処理基板を順次搬送する手段と、前記熱処理盤が目標温
度になるように次の関係式(1)According to a seventh aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus of the present invention, a heat treatment board on which a substrate to be treated is placed, means for sequentially transporting the substrate to be treated on the heat treatment board, and the temperature of the heat treatment board reaches a target temperature. As shown in the following relational expression (1)
【数19】 {式中、Yは操作量、zは制御動作信号、KP は比例動
作係数(比例ゲイン)、TI は積分時間、TD は微分時
間をそれぞれ表す。}で表される第1伝達関数に従って
制御する第1温度制御手段と、先行する被処理基板が離
間される時の前記第1伝達関数の比例要素(KP ・z)
の値を記憶する第1記憶部と、先行する被処理基板が離
間される時の前記第1伝達関数の積分要素[Equation 19] In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI represents an integration time, and TD represents a differentiation time. A first temperature control means for controlling according to a first transfer function represented by 、, and a proportional element (Kp · z) of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated
A first storage unit for storing the value of the first transfer function, and an integral element of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated.
【数20】 の値を記憶する第2記憶部と、先行する被処理基板が離
間される時の前記第1伝達関数の微分要素{KP ・TD
・dz/dt}の値を記憶する第3記憶部と、先行する
被処理基板が離間してから後続の被処理基板が載置され
るまでの間、次の関係式(2)(Equation 20) And a differential element {KP · TD of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated.
A third storage unit that stores the value of dz / dt}, and the following relational expression (2) between the time when the preceding substrate is separated and the time when the succeeding substrate is mounted:
【数21】 {式中、Yは操作量、zは制御動作信号、KP ´は比例
動作係数(比例ゲイン)、TI ´は積分時間、TD ´は
微分時間をそれぞれ表す。}で表される第2伝達関数に
従って前記熱処理盤を過加熱しないように前記目標温度
に制御する第2温度制御手段であって、前記後続の被処
理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前記目
標温度との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前
記第2伝達関数の係数値(比例動作係数、積分時間、及
び微分時間)を修正する第2温度制御手段と、後続の被
処理基板が載置されるときに、前記記憶した内部変数
(比例要素、積分要素及び微分要素)の値で前記第1伝
達関数を初期化する手段と、を具備する。請求項8記載
の本発明の熱処理装置は、被処理基板が載置される熱処
理盤と、前記熱処理盤上に被処理基板を順次搬送する手
段と、前記熱処理盤が目標温度になるように次の関係式
(1)(Equation 21) In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP 'represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI' represents an integration time, and TD 'represents a differentiation time. A second temperature control means for controlling the temperature of the heat-treating board to the target temperature so as not to overheat the heat-treating board according to a second transfer function represented by}, wherein the second substrate is disposed just before the subsequent substrate is placed on the heat-treating board. deviation calculated Me temperature and said target temperature, a second temperature control means for modifying the coefficient values of the second transfer function so that the deviation becomes small (proportional action factor, an integral time, and derivative time), Means for initializing the first transfer function with the values of the stored internal variables (proportional element, integral element, and differential element) when a subsequent substrate is placed. The heat treatment apparatus of the present invention according to claim 8 , further comprising: a heat treatment board on which the substrate to be treated is placed; a means for sequentially transporting the substrate to be treated on the heat treatment board; Relational expression (1)
【数22】 {式中、Yは操作量、zは制御動作信号、KP は比例動
作係数(比例ゲイン)、TI は積分時間、TD は微分時
間をそれぞれ表す。}で表される第1伝達関数に従って
制御する第1温度制御手段であって、前記被処理基板が
前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記目標温度
との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前記第1
伝達関数の各係数値(比例動作係数、積分時間、及び微
分時間)を修正する第1温度制御手段と、先行する被処
理基板が離間される時の前記第1伝達関数の比例要素
(KP ・z)の値を記憶する第1記憶部と、先行する被
処理基板が離間される時の前記第1伝達関数の積分要素(Equation 22) In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI represents an integration time, and TD represents a differentiation time. A first temperature control means for controlling according to a first transfer function represented by 表, wherein the substrate to be processed is
The temperature just before being separated from the heat treatment board and the target temperature
And the first is determined so that the deviation is reduced.
Each coefficient value of the transfer function (proportional operation coefficient, integration time, and fine
A first temperature control means for correcting the minute time), a first storage unit for storing a value of a proportional element (KP · z) of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated, and Integral element of the first transfer function when the substrate to be processed is separated
【数23】 の値を記憶する第2記憶部と、先行する被処理基板が離
間される時の前記第1伝達関数の微分要素{KP ・TD
・dz/dt}の値を記憶する第3記憶部と、先行する
被処理基板が離間してから後続の被処理基板が載置され
るまでの間、次の関係式(2)(Equation 23) And a differential element {KP · TD of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated.
A third storage unit that stores the value of dz / dt}, and the following relational expression (2) between the time when the preceding substrate is separated and the time when the succeeding substrate is mounted:
【数24】 {式中、Yは操作量、zは制御動作信号、KP ´は比例
動作係数(比例ゲイン)、TI ´は積分時間、TD ´は
微分時間をそれぞれ表す。}で表される第2伝達関数に
従って前記熱処理盤を過加熱しないように前記目標温度
に制御する第2温度制御手段であって、前記後続の被処
理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前記目
標温度との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前
記第2伝達関数の係数値(比例動作係数、積分時間、及
び微分時間)を修正する第2温度制御手段と、後続の被
処理基板が載置されるときに、前記記憶した内部変数の
値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を具備す
る。(Equation 24) In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP 'represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI' represents an integration time, and TD 'represents a differentiation time. A second temperature control means for controlling the temperature of the heat-treating board to the target temperature so as not to overheat the heat-treating board according to a second transfer function represented by}, wherein the second substrate is disposed just before the subsequent substrate is placed on the heat-treating board deviation calculated Me temperature and said target temperature, a second temperature control means for modifying the coefficient values of the second transfer function so that the deviation becomes small (proportional action factor, an integral time, and derivative time), Means for initializing the first transfer function with the stored values of the internal variables when a subsequent substrate to be processed is mounted.
【0019】請求項1の熱処理装置では、複数の被処理
基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板が載
置されている期間と、載置されていない期間の2つの期
間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段で温
度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度制御
する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数が被
処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状態に
対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理盤の
過加熱が防止される。In the heat treatment apparatus of the first aspect, the step of performing heat treatment on the plurality of substrates is divided into two periods, that is, a period in which the substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and a period in which the substrate is not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0020】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。The state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before the substrate is placed on the heat treatment board is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0021】請求項2の熱処理装置では、複数の被処理
基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板が載
置されている期間と、載置されていない期間の2つの期
間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段で温
度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度制御
する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数が被
処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状態に
対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理盤の
過加熱が防止される。In the heat treatment apparatus of the present invention, the step of performing heat treatment on a plurality of substrates to be processed is divided into two periods: a period in which the substrates to be processed are mounted on the heat treatment board, and a period in which the substrates are not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0022】[0022]
【0023】[0023]
【0024】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。The state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before being placed on the heat treatment board is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0025】更に、第1温度制御手段が、熱処理後の被
処理基板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前
記目標温度との偏差に基づいて前記第1伝達関数の係数
値を順次修正する学習機能を備えているので、第1温度
制御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the first temperature control means sequentially corrects the coefficient value of the first transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the substrate after the heat treatment is separated from the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function is provided, the control accuracy of the first temperature control means can be improved.
【0026】請求項3の熱処理装置では、複数の被処理
基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板が載
置されている期間と、載置されていない期間の2つの期
間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段で温
度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度制御
する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数が被
処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状態に
対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理盤の
過加熱が防止される。In the heat treatment apparatus of the third aspect, the step of performing the heat treatment on the plurality of substrates to be processed is divided into two periods: a period in which the substrates to be processed are mounted on the heat treatment board, and a period in which the substrates are not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0027】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。The state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before the substrate is placed on the heat treatment board is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0028】更に、第2温度制御手段が、前記後続の被
処理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前記
目標温度との偏差に基づいて前記第2伝達関数の係数値
を順次修正する学習機能を備えているので、第2温度制
御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the second temperature control means sequentially calculates a coefficient value of the second transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the subsequent substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function for correcting is provided, the control accuracy of the second temperature control means can be improved.
【0029】請求項4の熱処理装置では、複数の被処理
基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板が載
置されている期間と、載置されていない期間の2つの期
間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段で温
度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度制御
する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数が被
処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状態に
対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理盤の
過加熱が防止される。In the heat treatment apparatus according to the fourth aspect, the step of performing the heat treatment on the plurality of substrates is divided into two periods, that is, a period in which the substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and a period in which the substrate is not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0030】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。Also, the state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before being placed on the heat treatment board is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0031】更に、第1温度制御手段が熱処理後の被処
理基板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記
目標温度との偏差に基づいて前記第1伝達関数の係数値
を順次修正する学習機能を備えているので、第1温度制
御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the first temperature control means sequentially corrects the coefficient value of the first transfer function based on the deviation between the temperature immediately before the substrate after the heat treatment is separated from the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function is provided, the control accuracy of the first temperature control means can be improved.
【0032】また更に、第2温度制御手段が前記後続の
被処理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前
記目標温度との偏差に基づいて前記第2伝達関数の係数
値を順次修正する学習機能を備えているので、第2温度
制御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the second temperature control means sequentially calculates a coefficient value of the second transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the subsequent substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function for correcting is provided, the control accuracy of the second temperature control means can be improved.
【0033】請求項5の熱処理装置では、複数の被処理
基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板が載
置されている期間と、載置されていない期間の2つの期
間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段で温
度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度制御
する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数が被
処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状態に
対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理盤の
過加熱が防止される。In the heat treatment apparatus of the fifth aspect, the step of performing heat treatment on the plurality of substrates is divided into two periods, that is, a period in which the substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and a period in which the substrate is not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0034】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。The state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the subsequent substrate to be processed is stored immediately before being placed on the heat treatment board. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0035】更に、第1温度制御手段として積分要素や
微分要素まで加味したPID制御を採用しているので、
目標温度との間の定常偏差(オフセット)や熱的振動が
抑えられて、より高精度の温度制御を行うことができ
る。Further, since the PID control taking into account the integral element and the differential element is adopted as the first temperature control means,
The steady-state deviation (offset) from the target temperature and the thermal vibration are suppressed, and more accurate temperature control can be performed.
【0036】請求項7の熱処理装置では、複数の被処理
基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板が載
置されている期間と、載置されていない期間の2つの期
間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段で温
度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度制御
する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数が被
処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状態に
対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理盤の
過加熱が防止される。In the heat treatment apparatus of the present invention, the step of subjecting a plurality of substrates to heat treatment is divided into two periods: a period in which the substrates are mounted on the heat treatment board and a period in which the substrates are not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0037】[0037]
【0038】[0038]
【0039】[0039]
【0040】[0040]
【0041】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。Further, the state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before being placed on the heat treatment panel is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0042】更に、第1温度制御手段が、熱処理後の被
処理基板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前
記目標温度との偏差に基づいて前記第1伝達関数の係数
値を順次修正する学習機能を備えているので、第1温度
制御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the first temperature control means sequentially corrects the coefficient value of the first transfer function based on the deviation between the temperature immediately before the substrate after the heat treatment is separated from the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function is provided, the control accuracy of the first temperature control means can be improved.
【0043】また更に、第1温度制御手段として積分要
素や微分要素まで加味したPID制御を採用しているの
で、目標温度との間の定常偏差(オフセット)や熱的振
動が抑えられて、より高精度の温度制御を行うことがで
きる。Further, since the first temperature control means adopts the PID control taking into account the integral element and the differential element, the steady-state deviation (offset) from the target temperature and the thermal vibration can be suppressed. Highly accurate temperature control can be performed.
【0044】請求項7の熱処理装置では、複数の被処理
基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板が載
置されている期間と、載置されていない期間の2つの期
間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段で温
度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度制御
する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数が被
処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状態に
対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理盤の
過加熱が防止される。[0044] In the heat treatment apparatus according to claim 7, divided into two periods of the plurality of the periods in which the processing substrate is placed a step of performing heat treatment on a substrate to be processed in the thermal processing platen, a period that has not been placed The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0045】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。The state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before the substrate is placed on the heat treatment board is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0046】更に、第2温度制御手段が、前記後続の被
処理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前記
目標温度との偏差に基づいて前記第2伝達関数の係数値
を順次修正する学習機能を備えているので、第2温度制
御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the second temperature control means sequentially calculates a coefficient value of the second transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the subsequent substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function for correcting is provided, the control accuracy of the second temperature control means can be improved.
【0047】また更に、第1温度制御手段及び第2温度
制御手段として積分要素や微分要素まで加味したPID
制御を採用しているので、目標温度との間の定常偏差
(オフセット)や熱的振動が抑えられて、より高精度の
温度制御を行うことができる。請求項8の熱処理装置で
は、複数の被処理基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上
に被処理基板が載置されている期間と、載置されていな
い期間の2つの期間に分け、載置されている期間は第1
温度制御手段で温度制御し、非載置の期間は第2温度制
御手段で温度制御する。この第2温度制御手段では伝達
関数の各係数が被処理基板が非載置の、熱容量の小さい
熱処理盤の状態に対応しているので、昇温が緩やかに行
われ、熱処理盤の過加熱が防止される。Further, the first temperature control means and the second temperature control means include a PID including an integral element and a differential element.
Since the control is employed, a steady-state deviation (offset) from the target temperature and thermal vibration are suppressed, and more accurate temperature control can be performed. In the heat treatment apparatus according to the eighth aspect, the step of performing the heat treatment on the plurality of substrates to be processed is divided into two periods: a period in which the substrates to be processed are mounted on the heat treatment board, and a period in which the substrates are not mounted. Period is the first
The temperature is controlled by the temperature control means, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0048】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。The state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before the substrate is placed on the heat treatment board is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0049】更に、第1温度制御手段が熱処理後の被処
理基板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記
目標温度との偏差に基づいて前記第1伝達関数の係数値
を順次修正する学習機能を備えているので、第1温度制
御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the first temperature control means sequentially corrects the coefficient value of the first transfer function based on a deviation between the temperature immediately before the substrate after the heat treatment is separated from the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function is provided, the control accuracy of the first temperature control means can be improved.
【0050】また更に、第2温度制御手段が前記後続の
被処理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前
記目標温度との偏差に基づいて前記第2伝達関数の係数
値を順次修正する学習機能を備えているので、第2温度
制御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the second temperature control means sequentially calculates a coefficient value of the second transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the subsequent substrate to be processed is placed on the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function for correcting is provided, the control accuracy of the second temperature control means can be improved.
【0051】加えて、第1温度制御手段及び第2温度制
御手段として積分要素や微分要素まで加味したPID制
御を採用しているので、目標温度との間の定常偏差(オ
フセット)や熱的振動が抑えられて、より高精度の温度
制御を行うことができる。In addition, since the first temperature control means and the second temperature control means employ PID control taking into account the integral element and the differential element, a steady-state deviation (offset) from the target temperature and thermal vibration And temperature control with higher accuracy can be performed.
【0052】[0052]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0053】図1は本発明の一実施形態に係るレジスト
塗布ユニット(COT)を備えた半導体ウエハ(以下、
「ウエハ」という)の塗布現像処理システム1全体を示
した平面図である。FIG. 1 shows a semiconductor wafer provided with a resist coating unit (COT) according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as a “COT”).
FIG. 1 is a plan view showing the entire coating and developing processing system 1 of “wafer”).
【0054】この塗布現像処理システム1では、被処理
体としてのウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例
えば25枚単位で外部からシステムに搬入・搬出した
り、ウエハカセットCRに対してウエハWを搬入・搬出
したりするためのカセットステーション10と、塗布現
像工程の中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉
式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置した処理ス
テーション11と、この処理ステーション11に隣接し
て設けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを
受け渡しするためのインタフェース部12とが一体的に
接続されている。このカセットステーション10では、
カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に、
複数個例えば4個までのウエハカセットCRが、夫々の
ウエハ出入口を処理ステーション11側に向けてX方向
(図1中の上下方向)一列に載置され、このカセット配
列方向(X方向)およびウエハカセッ卜CR内に収納さ
れたウエハWのウエハ配列方向(Z方向;垂直方向)に
移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに
選択的にアクセスする。In the coating and developing processing system 1, a plurality of wafers W as objects to be processed are loaded into and unloaded from the system in units of, for example, 25 wafers in the wafer cassette CR. A cassette station 10 for loading and unloading, a processing station 11 in which various single-wafer processing units for performing predetermined processing on the wafers W one by one in a coating and developing process are arranged at predetermined positions in multiple stages, and An interface unit 12 for transferring a wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11 is integrally connected. In this cassette station 10,
At the position of the positioning projection 20a on the cassette mounting table 20,
A plurality of, for example, up to four wafer cassettes CR are placed in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1) with their respective wafer entrances facing the processing station 11 side. The wafer carrier 21 that can move in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W stored in the wafer CR selectively accesses each wafer cassette CR.
【0055】このウエハ搬送体21はθ方向に回転自在
であり、後述するように処理ステーション11側の第3
の処理ユニット群G3 の多段ユニット部に配設されたア
ライメントユニット(ALIM)やイクステンションユ
ニット(EXT)にもアクセスできる。The wafer transfer body 21 is rotatable in the θ direction, and is moved to the third position on the processing station 11 side as described later.
Access to the processing unit group G 3 of the multi-stage unit section disposed in the alignment unit (ALIM) and an extension unit (EXT).
【0056】処理ステーション11には、ウエハ搬送装
置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構22が設けら
れ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の
組に亙って多段に配置されている。The processing station 11 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 22 having a wafer transfer device, around which all the processing units are arranged in one or more sets in multiple stages. ing.
【0057】図2は上記塗布現像処理システム1の正面
図である。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system 1.
【0058】第1の処理ユニット群G1 では、カップC
P内でウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を
行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗
布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が
下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット
群G2 では、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(D
EV)が下から順に2段に重ねられている。これらレジ
スト塗布ユニット(COT)は、レジスト液の排液が機
構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、こ
のように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に
応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。In the first processing unit group G 1 , the cup C
Two spinner type processing units, for example, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV), which perform a predetermined process by placing the wafer W on the spin chuck in the P, are stacked in two stages from the bottom. In the second processing unit group G 2, two spinner-type processing units, for example, the resist coating unit (COT) and a developing unit (D
EV) are stacked in two stages in order from the bottom. These resist coating units (COT) are preferably arranged in the lower stage as described above because drainage of the resist solution is troublesome both mechanically and in terms of maintenance. However, it is of course possible to appropriately arrange the upper stage as needed.
【0059】図3は上記塗布現像処理システム1の背面
図である。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing system 1.
【0060】主ウエハ搬送機構22では、筒状支持体4
9の内側に、ウエハ搬送装置46が上下方向(Z方向)
に昇降自在に装備されている。筒状支持体49はモータ
(図示せず)の回転軸に接続されており、このモータの
回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬
送装置46と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送
装置46はθ方向に回転自在となっている。なお筒状支
持体49は前記モータによって回転される別の回転軸
(図示せず)に接続するように構成してもよい。ウエハ
搬送装置46には、搬送基台47の前後方向に移動自在
な複数本の保持部材48が配設されており、これらの保
持部材48は各処理ユニット間でのウエハWの受け渡し
を可能にしている。In the main wafer transfer mechanism 22, the cylindrical support 4
9, the wafer transfer device 46 is moved vertically (in the Z direction).
It can be moved up and down freely. The cylindrical support 49 is connected to a rotation shaft of a motor (not shown), and is rotated integrally with the wafer transfer device 46 about the rotation shaft by the rotation driving force of the motor, whereby the wafer transfer is performed. The device 46 is rotatable in the θ direction. Note that the cylindrical support 49 may be configured to be connected to another rotating shaft (not shown) rotated by the motor. The wafer transfer device 46 is provided with a plurality of holding members 48 movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and these holding members 48 enable the transfer of the wafer W between the processing units. ing.
【0061】また、図1に示すようにこの塗布現像処理
システム1では、5つの処理ユニット群G1 、G2 、G
3 、G4 、G5 が配置可能であり、第1および第2の処
理ユニット群G1 、G2 の多段ユニットは、システム正
面(図1において手前)側に配置され、第3の処理ユニ
ット群G3 の多段ユニットはカセットステーション10
に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4 の多段
ユニットはインタフェース部12に隣接して配置され、
第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットは背面側に配
置されることが可能である。Further, as shown in FIG. 1, in this coating and developing processing system 1, five processing unit groups G 1 , G 2 , G
3 , G 4 , G 5 can be arranged, and the multi-stage units of the first and second processing unit groups G 1 , G 2 are arranged on the system front (front side in FIG. 1) side, and the third processing unit multistage unit group G 3 are cassette station 10
, And the multi-stage unit of the fourth processing unit group G 4 is disposed adjacent to the interface unit 12,
Multistage unit of the fifth processing unit group G 5 is capable of being disposed on the rear side.
【0062】図3に示すように、第3の処理ユニット群
G3 では、ウエハWを保持台(図示せず)に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行うクーリングユニット(COL)、レジストの定
着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒー
ジョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメン
トユニット(ALIM)、イクステンションユニット
(EXT)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グユニット(PREBAKE)および露光処理後の加熱
処理を行うポストベーキングユニット(Post Exposure
Bake 以下「PEB」と記す)が、下から順に例えば8
段に重ねられている。第4の処理ユニット群G4 でも、
オーブン型の処理ユニット、例えばクーリングユニット
(COL)、イクステンション・クーリングユニット
(EXTCOL)、イクステンションユニット(EX
T)、クーリングユニッ卜(COL)、プリベーキング
ユニット(PREBAKE)およびポストベーキングユ
ニット(PEB)が下から順に、例えば8段に重ねられ
ている。As shown in FIG. 3, in the third processing unit group G 3 , an oven-type processing unit for performing a predetermined process by placing the wafer W on a holding table (not shown), for example, a cooling process for performing a cooling process Unit (COL), adhesion unit (AD) for performing so-called hydrophobic treatment for improving the fixability of resist, alignment unit (ALIM) for positioning, extension unit (EXT), heat treatment before exposure processing Prebaking unit (PREBAKE) for performing the heating process and post baking unit (Post Exposure) for performing the heating process after the exposure process
Bake, hereinafter referred to as “PEB”).
It is piled up on the steps. Even the fourth processing unit group G 4,
Oven-type processing units such as a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXTCOL), and an extension unit (EX
T), a cooling unit (COL), a pre-baking unit (PREBAKE), and a post-baking unit (PEB) are stacked, for example, in eight stages from the bottom.
【0063】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いプ
リベーキングユニット(PREBAKE)、ポストベー
キングユニット(PEB)およびアドヒージョンユニッ
ト(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱的
な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラン
ダムな多段配置としてもよい。As described above, the cooling unit (COL) and the extension cooling unit (EXTCOL) each having a low processing temperature are arranged at the lower stage, and the prebaking unit (PREBAKE), the post-baking unit (PEB), and the heating unit each having a high processing temperature. By arranging the John units (AD) in the upper stage, thermal mutual interference between the units can be reduced. Of course, a random multi-stage arrangement may be used.
【0064】図1に示すように、インタフェース部12
では、奥行方向(X方向)は前記処理ステーション11
と同じ寸法を有するが、幅方向(Y方向)はより小さな
サイズである。このインタフェース部12の正面部に
は、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバ
ッファカセットBRとが2段に配置され、他方背面部に
は周辺露光装置23が配設され、さらに中央部にはウエ
ハ搬送体24が設けられている。このウエハ搬送体24
は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR、BRお
よび周辺露光装置23にアクセスする。As shown in FIG. 1, the interface unit 12
In the depth direction (X direction), the processing station 11
But has a smaller size in the width direction (Y direction). A portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages at the front of the interface unit 12, while a peripheral exposure device 23 is arranged at the rear, and a central exposure unit is further arranged at the center. Is provided with a wafer carrier 24. This wafer carrier 24
Moves in the X and Z directions to access both cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 23.
【0065】ウエハ搬送体24は、θ方向にも回転自在
であり、処理ステーション11側の第4の処理ユニット
群G4 の多段ユニットに配設されたイクステンションユ
ニット(EXT)や、隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台(図示せず)にもアクセスできる。The wafer transfer body 24 is also rotatable in the θ direction, and includes an extension unit (EXT) disposed in the multi-stage unit of the fourth processing unit group G 4 on the processing station 11 side and an adjacent exposure unit. The wafer delivery table (not shown) on the apparatus side can also be accessed.
【0066】また塗布現像処理システム1では、既述の
如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも図1中破線で示
した第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットを配置で
きるが、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
は、案内レール25に沿ってY方向へ移動可能である。
従って、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール25に沿
って移動することにより、空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業
が容易に行える。In the coating and developing system 1, the multi-stage unit of the fifth processing unit group G5 shown by the broken line in FIG. 1 can be arranged on the back side of the main wafer transfer mechanism 22 as described above. The multi-stage unit of the fifth processing unit group G 5 is movable in the Y direction along the guide rail 25.
Therefore, even when provided as a multi-stage unit of the fifth processing unit group G 5 shown, by moving along the guide rail 25, the space portion can be secured, to the main wafer transfer mechanism 22 Maintenance work can be easily performed from behind.
【0067】次に、図4及び図5につき処理ステーショ
ン11において第3および第4の組G3 ,G4 の多段ユ
ニットに含まれているベーキングユニット(PREBA
KE)、(PEB)、クーリングユニット(COL)、
(EXTCOL)のような熱処理ユニットの構成および
作用を説明する。Next, the baking unit (PREBA) included in the multistage units of the third and fourth sets G 3 and G 4 at the processing station 11 in FIGS. 4 and 5 will be described.
KE), (PEB), cooling unit (COL),
The configuration and operation of a heat treatment unit such as (EXTCOL) will be described.
【0068】図4および図5は、本実施形態に係る熱処
理ユニットの構成を示す平面図および断面図である。な
お、図5では、図解のために水平遮蔽板55を省略して
ある。FIGS. 4 and 5 are a plan view and a sectional view, respectively, showing the structure of the heat treatment unit according to this embodiment. In FIG. 5, the horizontal shielding plate 55 is omitted for illustration.
【0069】この熱処理ユニットの処理室50は両側壁
53と水平遮蔽板55とで形成され、処理室50の正面
側(主ウエハ搬送機構24側)および背面側はそれぞれ
開口部50A,50Bとなっている。遮蔽板55の中心
部には円形の開口56が形成され、この開口56内には
円盤状の熱処理盤58が載置台として設けられる。The processing chamber 50 of this heat treatment unit is formed by both side walls 53 and a horizontal shielding plate 55, and the front side (main wafer transfer mechanism 24 side) and the rear side of the processing chamber 50 are openings 50A and 50B, respectively. ing. A circular opening 56 is formed at the center of the shielding plate 55, and a disk-shaped heat treatment plate 58 is provided in the opening 56 as a mounting table.
【0070】熱処理盤58には例えば3つの孔60が設
けられ、各孔60内には支持ピン62が遊嵌状態で挿通
されており、半導体ウエハWのローディング・アンロー
ディング時には各指示ピン62が熱処理盤58の表面よ
り上に突出または上昇して主ウエハ搬送機構22の保持
部材48との間でウエハWの受け渡しを行うようになっ
ている。The heat treatment board 58 is provided with, for example, three holes 60, and a support pin 62 is inserted in each hole 60 in a loosely fitted state. Each of the instruction pins 62 is loaded and unloaded when the semiconductor wafer W is loaded. The wafer W is projected or raised above the surface of the heat treatment board 58 to transfer the wafer W to and from the holding member 48 of the main wafer transfer mechanism 22.
【0071】熱処理盤58の外周囲には、円周方向にた
とえば2゜間隔で多数の通気孔64を形成したリング状
の帯板からなるシャッタ66が設けられている。このシ
ャッタ66は、通常は熱処理盤58より下の位置に退避
しているが、加熱処理時には図5に示すように熱処理盤
58の上面よりも高い位置まで上昇して、熱処理盤58
とカバー体68との間にリング状の側壁を形成し、図示
しない気体供給系より送り込まれるダウンフローの空気
や窒素ガス等の不活性ガスを通気孔64より周方向で均
等に流入させるようになっている。On the outer periphery of the heat treatment panel 58, there is provided a shutter 66 made of a ring-shaped band plate having a large number of ventilation holes 64 formed at intervals of 2 ° in the circumferential direction. The shutter 66 is normally retracted to a position below the heat treatment plate 58, but rises to a position higher than the upper surface of the heat treatment plate 58 during the heat treatment as shown in FIG.
A ring-shaped side wall is formed between the gas supply system and the cover body 68 so that an inert gas such as a downflow air or a nitrogen gas sent from a gas supply system (not shown) is caused to uniformly flow in the circumferential direction from the ventilation hole 64. Has become.
【0072】カバー体68の中心部には加熱処理時にウ
エハW表面から発生するガスを排出するための排気口6
8aが設けられ、この排気口68aに排気管70が接続
されている。この排気管70は、装置正面側(主ウエハ
搬送機構22側)のダクト53(もしくは54)または
図示しないダクトに通じている。An exhaust port 6 for exhausting gas generated from the surface of the wafer W during the heating process is provided at the center of the cover body 68.
8a is provided, and an exhaust pipe 70 is connected to the exhaust port 68a. The exhaust pipe 70 communicates with a duct 53 (or 54) on the front side of the apparatus (on the main wafer transfer mechanism 22 side) or a duct (not shown).
【0073】遮蔽板55の下には、遮蔽板55、両側壁
53および底板72によって機械室74が形成されてお
り、室内には熱処理盤支持板76、シャッタアーム7
8、支持ピンアーム80、シャッタアーム昇降駆動用シ
リンダ82、支持ピンアーム昇降駆動用シリンダ84が
設けられている。Under the shielding plate 55, a machine room 74 is formed by the shielding plate 55, both side walls 53 and the bottom plate 72, and a heat treatment board support plate 76, a shutter arm 7
8, a support pin arm 80, a shutter arm vertical drive cylinder 82, and a support pin arm vertical drive cylinder 84 are provided.
【0074】図4に示すように、ウエハWの外周縁部が
載るべき熱処理盤58の表面位置に複数個たとえば4個
のウエハW案内支持突起部86が設けられている。As shown in FIG. 4, a plurality of, for example, four wafer W guide support projections 86 are provided at the surface position of the heat treatment board 58 on which the outer peripheral edge of the wafer W is to be mounted.
【0075】また、熱処理盤58上面のウエハW載置部
分には図示しない小突起が複数設けられており、ウエハ
Wの下面がこれら小突起の頂部に載置される。そのため
ウエハW下面と熱処理盤58上面との間に微小な隙間が
形成され、ウエハW下面が熱処理盤58上面と直接接触
するのが避けられ、この間に塵などがある場合でもウエ
ハW下面が汚れたり、傷ついたりすることがないように
なっている。A plurality of small projections (not shown) are provided on the wafer W mounting portion on the upper surface of the heat treatment board 58, and the lower surface of the wafer W is mounted on the top of these small projections. Therefore, a minute gap is formed between the lower surface of the wafer W and the upper surface of the heat treatment plate 58, and the lower surface of the wafer W is prevented from directly contacting the upper surface of the heat treatment plate 58. It is not damaged or damaged.
【0076】また後述するように、熱処理盤58内部に
はニクロム線などで形成されたヒータHが内蔵されてお
り、このヒータHに電流を流すことにより発生する熱で
熱処理盤58を所定温度に維持するようになっている。As will be described later, a heater H made of a nichrome wire or the like is built in the inside of the heat treatment panel 58, and the heat generated by applying a current to the heater H causes the heat treatment panel 58 to reach a predetermined temperature. It is supposed to be maintained.
【0077】図6は本実施形態に係る熱処理ユニットの
制御系を図示したブロック図である。図6に示したよう
に、熱処理盤58内に設けられたヒータH、熱処理盤5
8の温度を検出する温度センサSt、熱処理ユニットに
ウエハWを搬送する主ウエハ搬送機構22の駆動系11
0、及び、熱処理盤58上にウエハWが載置されている
か否かを検知するウエハセンサSwが制御部120と接
続されており、この制御部120により統括的に制御さ
れている。FIG. 6 is a block diagram illustrating a control system of the heat treatment unit according to the present embodiment. As shown in FIG. 6, the heater H provided in the heat treatment board 58 and the heat treatment board 5
A temperature sensor St for detecting the temperature of the wafer 8 and a drive system 11 of the main wafer transfer mechanism 22 for transferring the wafer W to the heat treatment unit
0, and a wafer sensor Sw for detecting whether or not the wafer W is placed on the heat treatment board 58 is connected to the control unit 120, and is controlled by the control unit 120 as a whole.
【0078】図7は本実施形態に係る熱処理ユニットの
制御部120内部の基本的な構成を示したブロック線図
である。FIG. 7 is a block diagram showing a basic configuration inside the control unit 120 of the heat treatment unit according to the present embodiment.
【0079】図7に示すように、この制御部120には
第1温度制御機構121及び第2温度制御機構122の
二種類の温度制御機構が内蔵されている。このうち第1
温度制御機構121は、熱処理ユニットに電源を投入し
てから熱処理盤58の温度が安定するまでの装置立ち上
げ時と、複数のウエハWについて連続的に熱処理を行う
場合のウエハWが熱処理盤58上に載置されている間の
熱処理盤58について温度制御を行う。一方、第2温度
制御機構は122は、複数のウエハWについて連続的に
熱処理を行う場合に、先行するウエハWが熱処理盤58
上から離間されたあと後続のウエハWが熱処理盤58上
に載置されるまでの、ウエハW非載置間の熱処理盤58
について温度制御を行う。As shown in FIG. 7, the control section 120 has two kinds of temperature control mechanisms, a first temperature control mechanism 121 and a second temperature control mechanism 122, built therein. The first of these
The temperature control mechanism 121 is used when the apparatus is started from the time when the power of the heat treatment unit is turned on until the temperature of the heat treatment panel 58 is stabilized, and when the wafers W are continuously subjected to the heat treatment for the plurality of wafers W. Temperature control is performed on the heat treatment board 58 while it is placed on the heat treatment board 58. On the other hand, the second temperature control mechanism 122 determines that the preceding wafer W
After the wafer W is separated from above, the heat treatment plate 58 between the non-mounting of the wafer W until the subsequent wafer W is placed on the heat treatment plate 58.
Temperature control.
【0080】これらの第1温度制御機構121と第2温
度制御機構122とはドライバ126に接続された切換
え装置123〜125を介して並列的に接続されてお
り、ドライバ126からの信号により、入力側ライン1
27、出力側ライン128及びフィードバックライン1
29の各々と、第1温度制御機構121及び第2温度制
御機構122との間の接続関係を切り換えるようになっ
ている。The first temperature control mechanism 121 and the second temperature control mechanism 122 are connected in parallel via switching devices 123 to 125 connected to a driver 126. Side line 1
27, output line 128 and feedback line 1
29, and the connection relationship between the first temperature control mechanism 121 and the second temperature control mechanism 122 is switched.
【0081】図7に示すように、第1温度制御機構12
1の内部は、目標温度と観測温度との間の偏差を比例要
素、積分要素及び微分要素の3つの要素に分けて取り扱
う、いわゆるPID制御を行う機構になっている。As shown in FIG. 7, the first temperature control mechanism 12
The inside of 1 is a mechanism for performing a so-called PID control in which a deviation between a target temperature and an observed temperature is handled by dividing the deviation into three elements of a proportional element, an integral element, and a differential element.
【0082】即ち、入力信号は比例要素演算子130、
積分要素演算子131及び微分要素演算子132の3つ
の演算子に分けられ、それぞれの演算子により各要素の
演算処理が行われる。演算に用いられる比例動作係数
(比例ゲイン)KP 、積分時間TI 、微分時間TD など
の各係数はこれらの演算子130〜133に設定されて
おり、これらの各係数値を用いて演算処理が行われる。That is, the input signal is proportional element operator 130,
The operation is divided into three operators, an integral element operator 131 and a differential element operator 132, and each element performs the operation processing of each element. Coefficients such as a proportional operation coefficient (proportional gain) K P , an integration time T I , and a differentiation time T D used in the calculation are set in these operators 130 to 133, and calculation is performed using these coefficient values. Processing is performed.
【0083】なお、これらの演算子130〜133で
は、これらの各計数値は書き換え可能になっており、い
わゆる学習機能を備えた装置では、目標温度と実際に熱
処理盤58を測定して得た観測温度との偏差eに基づい
て、より正確な値に書き替えていくようにすることも可
能である。In these operators 130 to 133, each of these count values can be rewritten. In an apparatus having a so-called learning function, the target temperature and the heat treatment board 58 are actually measured. It is also possible to rewrite a more accurate value based on the deviation e from the observed temperature.
【0084】また、これらの演算子130〜133には
データを記憶するメモリM1 〜M4がそれぞれ接続され
ており、演算子130〜133で演算処理の結果得た、
比例要素、積分要素及び微分要素といった内部変数の値
を時間データと対応させた状態で記憶するようになって
いる。これらメモリM1 〜M4 のそれぞれは上記ドライ
バ126と接続されており、このドライバ126にはウ
エハセンサSwが接続されている。Further, memories M 1 to M 4 for storing data are connected to these operators 130 to 133, respectively.
The values of internal variables such as a proportional element, an integral element and a differential element are stored in a state of being associated with time data. Each of these memories M 1 ~M 4 is connected with the driver 126, is connected with a wafer sensor Sw for this driver 126.
【0085】ウエハセンサSwは熱処理盤58上にウエ
ハWが載置されているか否かを検出するものであり、こ
のウエハセンサSwを介してドライバ126が熱処理盤
58上にウエハWが載置されているか否かを認識できる
ようになっている。このウエハセンサSwとしては機械
式、光電式などさまざまな既知のものを使用できるが、
主ウエハW搬送機構22への動作信号により代用させる
ことも可能である。The wafer sensor Sw detects whether or not the wafer W is mounted on the heat treatment board 58. The driver 126 determines whether the driver W is mounted on the heat treatment board 58 via the wafer sensor Sw. It can recognize whether or not. Various known sensors such as a mechanical sensor and a photoelectric sensor can be used as the wafer sensor Sw.
It is also possible to substitute an operation signal to the main wafer W transfer mechanism 22.
【0086】ウエハセンサSwにより熱処理盤58上の
状態を認識したドライバ126からメモリM1 〜M4 に
信号が送られると、このメモリM1 〜M4 内に記憶され
た内部変数のうち、任意の時間の内部変数が演算子13
0〜133側に入力され、この内部変数に基づいて熱処
理盤58の制御状態が再現される。即ち、過去の任意の
状態を熱処理盤58上に再現できるようになっている。When a signal is sent to the memories M 1 to M 4 from the driver 126 that has recognized the state on the heat treatment board 58 by the wafer sensor Sw, any of the internal variables stored in the memories M 1 to M 4 is selected. The internal variable of time is operator 13
The control state of the heat treatment panel 58 is reproduced on the basis of the internal variables. That is, an arbitrary state in the past can be reproduced on the heat treatment panel 58.
【0087】第2温度制御機構122もいわゆるPID
制御を行う機構になっており、比例動作係数(比例ゲイ
ン)KP ´、積分時間TI ´及び微分時間TD ´の各係
数は演算子134〜136に設定されており、これらの
各係数値を用いて演算処理が行われる。The second temperature control mechanism 122 is also called a PID
Each of the proportional operation coefficient (proportional gain) K P ′, the integral time T I ′, and the derivative time T D ′ is set in the operators 134 to 136. Arithmetic processing is performed using numerical values.
【0088】なお、図7では第1温度制御機構121と
第1温度制御機構122とをそれぞれ全く別個の制御機
構として描いたが、各係数値を比例動作係数(比例ゲイ
ン)KP 、積分時間TI 及び微分時間TD から、比例動
作係数(比例ゲイン)KP ´、積分時間TI ´及び微分
時間TD ´へと変更することにより一つの制御機構で二
通りに用いることも可能である。Although FIG. 7 illustrates the first temperature control mechanism 121 and the first temperature control mechanism 122 as completely separate control mechanisms, each coefficient value is represented by a proportional operation coefficient (proportional gain) K P , an integration time from T I and the derivative time T D, proportional action factor (proportional gain) K P ', integral time T I' is also possible to use in two ways by a single control mechanism by changing into and derivative time T D ' is there.
【0089】次に、この制御部120による熱処理盤5
8の温度制御の方法について説明する。まず、熱処理ユ
ニットの装置立ち上げ時や熱処理盤58上にウエハWが
載置されている状態の、第1温度制御機構121が作動
する場合について説明する。図7に示すように、熱処理
盤58の目標温度(r)はライン127により入力され
る。入力された目標温度(r)は切換装置123に入
る。本実施形態に係る熱処理ユニットでは、立ち上げ時
や熱処理盤58上にウエハWが載置されている状態で、
ドライバ126の指示に基づいて切換装置123〜12
5がライン127〜129と第1温度制御機構121と
を接続する状態になる。そのため、切換装置123に入
った目標温度(r)はライン137側に送られ、交点1
38まで送られる。Next, the heat treatment board 5 by the control unit 120
8 will be described. First, the case where the first temperature control mechanism 121 operates when the apparatus of the heat treatment unit is started or when the wafer W is placed on the heat treatment board 58 will be described. As shown in FIG. 7, the target temperature (r) of the heat treatment board 58 is input through a line 127. The input target temperature (r) enters the switching device 123. In the heat treatment unit according to the present embodiment, at the time of startup or in a state where the wafer W is mounted on the heat treatment plate 58,
Switching devices 123 to 12 based on the instruction of driver 126
5 connects the lines 127 to 129 and the first temperature control mechanism 121. Therefore, the target temperature (r) entering the switching device 123 is sent to the line 137 side, and the intersection 1
It is sent to 38.
【0090】一方、熱処理盤58の温度は温度センサS
tにより検出され、ライン129を通って観測量Yが検
出信号として送られる。上記したように、切換装置12
4に入った検出信号(観測量y)はライン137側に送
られ、交点138まで送られる。この交点138では上
記した目標温度(r)と検出信号(観測量y)との間で
引き算が行われ、目標温度(r)と検出信号(観測量
y)との間の差が偏差(e)として算出される。こうし
て得た偏差(e)はライン140を経由して交点141
に送られ、この交点141で比例成分(p)、積分成分
(i)及び微分成分(d)の3つの成分に分けられ、各
ライン142〜144を通って各演算子130〜132
に送られる。各演算子130〜132では積分時間
TI 、微分時間TD などの各係数を用いて演算処理が行
われ、交点145に送られる。この交点145では上記
各演算子130〜132で演算処理した結果が合算さ
れ、更に演算素子133で係数KP が乗じられて下記の
式(3)で表される操作量uが算出される。On the other hand, the temperature of the heat treatment panel 58 is
The observation amount Y is sent as a detection signal through a line 129. As described above, the switching device 12
The detection signal (observed amount y) entering 4 is sent to the line 137 side and sent to the intersection 138. At the intersection 138, a subtraction is performed between the target temperature (r) and the detection signal (observed amount y), and the difference between the target temperature (r) and the detected signal (observed amount y) is a deviation (e). ). The deviation (e) thus obtained is obtained via the line 140 at the intersection 141
Is divided into three components of a proportional component (p), an integral component (i) and a differential component (d) at the intersection 141, and each of the operators 130-132 is passed through each line 142-144.
Sent to In each of the operators 130 to 132, arithmetic processing is performed using coefficients such as the integration time T I and the differentiation time T D, and the result is sent to the intersection 145. At the intersection 145, the results of the arithmetic processing by the operators 130 to 132 are summed up, and further multiplied by the coefficient K P by the arithmetic element 133 to calculate the manipulated variable u represented by the following equation (3).
【0091】[0091]
【数25】 但し、式中(Equation 25) Where
【数26】 は偏差eの積分成分を示し、「de/dt」は偏差eの
微分成分を示す。(Equation 26) Indicates an integral component of the deviation e, and “de / dt” indicates a differential component of the deviation e.
【0092】この操作量uを時間の関数として捉え、時
間に対する関数u(t)として表すと次の式(4)のよ
うになる。When this operation amount u is taken as a function of time and expressed as a function u (t) with respect to time, the following equation (4) is obtained.
【0093】[0093]
【数27】 但し、式中「e(t)」は時間tにおける偏差を、[Equation 27] Where “e (t)” is the deviation at time t,
【数28】 は偏差eの積分成分を、「de(t)/dt」は時間t
における偏差e(t)の微分成分をそれぞれ示す。[Equation 28] Is the integral component of the deviation e, and “de (t) / dt” is the time t
Shows the differential components of the deviation e (t) at
【0094】このようにして得た操作量u(t)は切換
装置125に送られ、ライン128を介して熱処理盤5
8内に取り付けられたヒータHへと送られる。ヒータH
ではこの操作量u(t)に基づいて、対応する熱量を熱
処理盤58に供給する。The manipulated variable u (t) obtained in this way is sent to the switching device 125, and the heat
It is sent to the heater H installed in the inside 8. Heater H
Then, a corresponding amount of heat is supplied to the heat treatment panel 58 based on the operation amount u (t).
【0095】以上のような制御は装置の立上時とウエハ
Wが熱処理盤58上に載置されている間常に行われてお
り、t0 、t1 、t2 、t3 、…と時間が経過する毎に
操作量u(t0 )、u(t1 )、u(t2 )、u
(t3 )…をヒータHに送る。ヒータHではこれらの操
作量に基づいて熱処理盤58を加熱し、その温度は温度
センサStにより検出され、常に目標温度とのずれであ
る偏差に基づいて熱処理盤の温度が目標温度になるよう
にフィードバック制御が行われる。The above-described control is always performed when the apparatus is started up and while the wafer W is placed on the heat treatment board 58, and the time t 0 , t 1 , t 2 , t 3 ,. , The manipulated variables u (t 0 ), u (t 1 ), u (t 2 ), u
(T 3 ) is sent to the heater H. The heater H heats the heat treatment panel 58 based on these manipulated variables, the temperature of which is detected by the temperature sensor St, and the temperature of the heat treatment panel is always set to the target temperature based on a deviation that is a deviation from the target temperature. Feedback control is performed.
【0096】このようなPID制御型のフィードバック
制御の様子は第2温度制御機構122においても全く同
様であるが、PID制御の各係数(KP 、TI 、TD )
の値が上記第1温度制御機構121とは異なる。その点
を表すため、第2温度制御機構122では各係数を(K
P ´、TI ´、TD ´)のように示してある。これらの
各係数(KP ´、TI ´、TD ´)の値は、熱処理盤5
8上にウエハWが載置されていない状態に合わせて設定
されており、ウエハWが載置された状態の熱処理盤58
に合わせて設定された上記第1温度制御機構121に比
べ、熱容量の小さい熱処理盤58に合わせて設定されて
いる。The state of the feedback control of the PID control type is exactly the same in the second temperature control mechanism 122, but the respective coefficients (K P , T I , T D ) of the PID control.
Is different from that of the first temperature control mechanism 121 described above. To represent that point, the second temperature control mechanism 122 sets each coefficient to (K
P ', T I', is shown as T D '). The values of these coefficients (K P ′, T I ′, T D ′) are
The heat treatment panel 58 is set in accordance with the state where the wafer W is not mounted on the wafer 8 and the wafer W is mounted thereon.
It is set in accordance with the heat treatment board 58 having a smaller heat capacity than the first temperature control mechanism 121 set in accordance with the above.
【0097】次に、上記第1温度制御機構121と上記
第2温度制御機構122との間で温度制御機構を切り換
える際の動作について説明する。Next, the operation of switching the temperature control mechanism between the first temperature control mechanism 121 and the second temperature control mechanism 122 will be described.
【0098】熱処理ユニットに電源投入後熱処理盤58
の温度が安定するまでの間と、熱処理盤58上にウエハ
Wが載置されて熱処理が施されている間は、上記の第1
温度制御機構121により温度制御がなされる。After power is supplied to the heat treatment unit, the heat treatment plate 58
Above until the temperature of the wafer W becomes stable and while the wafer W is placed on the heat treatment board 58 and subjected to the heat treatment.
Temperature control is performed by the temperature control mechanism 121.
【0099】一方、熱処理が完了した1枚目のウエハW
が主ウエハ搬送機構22により熱処理盤58から取り外
され、2枚目のウエハWが熱処理盤58上に載置される
までの間のように、熱処理盤58上にウエハWが載置さ
れていない状態の間は上記第2温度制御機構122によ
り、比較的緩やかな加熱により熱処理盤58の温度制御
がなされる。On the other hand, the first wafer W after the heat treatment is completed
Is not placed on the heat treatment board 58 until the second wafer W is removed from the heat treatment board 58 by the main wafer transfer mechanism 22 and the second wafer W is placed on the heat treatment board 58. During the state, the temperature of the heat treatment panel 58 is controlled by the second temperature control mechanism 122 by relatively gentle heating.
【0100】先行するウエハWが熱処理されて離間さ
れ、後続のウエハWが載置されるまでの制御は次のよう
に行われる。The control from the heat treatment of the preceding wafer W to the separation of the subsequent wafer W until the subsequent wafer W is mounted is performed as follows.
【0101】先行するウエハWが熱処理盤58から離間
される時の時間をt10とし、後続のウエハWが熱処理盤
58に載置される時の時間をt20とすると、時間t10で
のヒータHへの制御量は上式(4)で与えられるu(t
10)で表される。Assuming that the time when the preceding wafer W is separated from the heat treatment board 58 is t 10 and the time when the subsequent wafer W is placed on the heat treatment board 58 is t 20 , the time t 10 The control amount for the heater H is given by u (t) given by the above equation (4).
10 ).
【0102】[0102]
【数29】 式(5)中のe(t10)、(Equation 29) E (t 10 ) in equation (5),
【数30】 及びde(t10)/dtは、それぞれ時間t10における
偏差の比例成分、積分成分、及び微分成分であり、これ
らの値は、それぞれ対応するメモリM1 、M2 、及びM
3 に、対応する時間t10とともに記憶される。[Equation 30] And de (t 10 ) / dt are the proportional, integral, and derivative components of the deviation at time t 10 , respectively, and these values are stored in the corresponding memories M 1 , M 2 , and M, respectively.
3, is stored along with the corresponding time t 10.
【0103】次いで時間t20までの間は第2温度制御機
構122により熱処理盤58の大幅な過加熱が起きない
ように温度制御される。そして時間t20になり、後続の
ウエハWが載置されたことをウエハセンサSwが検知す
ると、ウエハセンサSwからドライバ126に検知信号
が送られる。ドライバ126はメモリM1 、M2 、及び
M3 に信号を送り、時間t10における各成分e
(t10)、[0103] Then until time t 20 is significantly over-heating of the heat processing table 58 is temperature controlled so as not to cause the second temperature control mechanism 122. Then it is the time t 20, the wafer sensor Sw that subsequent wafer W is placed is detected, the detection signal from the wafer sensor Sw to the driver 126 is sent. Driver 126 sends signals to memories M 1 , M 2 , and M 3 , each component e at time t 10 .
(T 10),
【数31】 及びde(t10)/dtを各演算素子130〜132に
入力させる。これらの各成分が与えられた第1温度制御
機構121は時間t10における制御量u(t10)を算出
し、ヒータHに送る。この制御量u(t10)を受けたヒ
ータHは制御量u(t10)に基づいて熱量を供給するた
め、時間t20では、時間t10の状態が再現される。(Equation 31) And de (t 10 ) / dt are input to each of the arithmetic elements 130 to 132. The first temperature control mechanism 121 to which these components are given calculates a control amount u (t 10 ) at time t 10 and sends it to the heater H. In the control quantity u for (t 10) the received heater H is to supply heat on the basis of the control quantity u (t 10), the time t 20, the reproduced state of the time t 10.
【0104】次に、この熱処理ユニットをベーキングユ
ニット(PREBAKE)や乾燥ユニットなどの熱処理
ユニットとして用いる場合の操作について以下に説明す
る。まず、載置台20上にセットされたウエハカセット
CR内からウエハ搬送体21によりウエハWが取り出さ
れ、次いでウエハ搬送体21から主ウエハ搬送機構22
にウエハWが引き渡される。主ウエハ搬送機構22は受
け取ったウエハWをレジスト塗布ユニット(COT)内
に搬送、セットし、ここでウエハWにレジスト塗布を行
なう。次いで、このウエハWをレジスト塗布ユニット
(COT)内から主ウエハ搬送機構22がウエハWを取
り出し、上記熱処理ユニット内まで搬送し、熱処理盤5
8の上にウエハWをセットする。Next, the operation when this heat treatment unit is used as a heat treatment unit such as a baking unit (PREBAKE) or a drying unit will be described below. First, the wafer W is taken out from the wafer cassette CR set on the mounting table 20 by the wafer carrier 21, and then the wafer W is transferred from the wafer carrier 21 to the main wafer transport mechanism 22.
Is transferred to the wafer W. The main wafer transfer mechanism 22 transfers and sets the received wafer W into a resist coating unit (COT), where the wafer W is coated with a resist. Next, the main wafer transfer mechanism 22 takes out the wafer W from the inside of the resist coating unit (COT) and transfers it to the inside of the heat treatment unit.
The wafer W is set on 8.
【0105】一方、熱処理ユニットへの電源投入と同時
に熱処理盤58内のヒータHへの電力供給が開始され、
所定時間の後に熱処理盤58は所定の温度に維持され
る。On the other hand, the power supply to the heater H in the heat treatment panel 58 is started at the same time as the power supply to the heat treatment unit is turned on.
After a predetermined time, the heat treatment board 58 is maintained at a predetermined temperature.
【0106】次にこの熱処理ユニットの熱処理盤58の
温度制御の仕方について説明する。図8は本実施形態に
係る熱処理盤58の制御の様子を示したタイミングチャ
ートである。Next, how to control the temperature of the heat treatment board 58 of this heat treatment unit will be described. FIG. 8 is a timing chart showing a state of control of the heat treatment board 58 according to the present embodiment.
【0107】ヒータHの電源を投入するとヒータHによ
る加熱が開始され、熱処理盤58の温度が上昇する。こ
の電源投入時から熱処理盤58の上に一枚目のウエハW
が載置され、熱処理が完了して取り外されるまでの間
は、前記制御部120では切換装置123〜125が第
1温度制御機構121と各ライン127〜129とを接
続する状態となっており、この第1温度制御機構121
が熱処理盤58の温度制御を行う。When the power of the heater H is turned on, the heating by the heater H is started, and the temperature of the heat treatment panel 58 rises. From the time of turning on the power, the first wafer W
Are placed, and before the heat treatment is completed and removed, the control unit 120 is in a state where the switching devices 123 to 125 connect the first temperature control mechanism 121 to the respective lines 127 to 129, This first temperature control mechanism 121
Controls the temperature of the heat treatment panel 58.
【0108】ヒータHの電源を投入した後暫くすると熱
処理盤58の温度が安定する(時間t0 〜t4 )。この
状態では、温度センサStで検出した熱処理盤58の温
度がT1 以下になるとヒータHの電源がオンになり(時
間t0 〜t1 、t2 〜t3 )、一方、温度がT1 より高
くなるとヒータHの電源がオフになり、熱処理盤58の
温度がほぼ一定に維持されるように制御される。A short time after the power of the heater H is turned on, the temperature of the heat treatment plate 58 is stabilized (time t 0 to t 4 ). In this state, when the temperature of the heat processing table 58 detected by the temperature sensor St is T 1 or less will be powered on the heater H (time t 0 ~t 1, t 2 ~t 3), whereas the temperature T 1 When the temperature becomes higher, the power of the heater H is turned off, and the temperature of the heat treatment panel 58 is controlled to be kept substantially constant.
【0109】時間t4 になって熱処理盤58上に一枚目
のウエハWが載置されると、このウエハWにより熱量が
奪われるため、熱処理盤58の温度は急激に低下する
(t4〜t5 )。When the first wafer W is placed on the heat treatment board 58 at the time t 4 , the amount of heat is taken off by the wafer W, so that the temperature of the heat treatment board 58 rapidly decreases (t 4). ~t 5).
【0110】熱処理盤58の温度が低下してT1 を下回
ると、ヒータHの電源がオンになる。このとき、熱処理
盤58の表面からはウエハWが熱量を吸収するので熱処
理盤58の温度はT1 を相当下回る状態になるので、暫
くはヒータHの電源がオンになったままの状態が維持さ
れる。この間加熱が継続して行われるため熱処理盤58
の温度は上昇し、適正な温度であるT2 付近に到達す
る。When the temperature of the heat treatment panel 58 drops below T 1 , the power supply of the heater H is turned on. At this time, the temperature of the heat processing table 58 so wafer W from the surface of the heat processing table 58 absorbs heat is in a state below corresponding to T 1, while the maintained remains power of the heater H is turned on Is done. During this time, since the heating is continuously performed, the heat treatment plate 58
Rises and reaches near the proper temperature T 2 .
【0111】一方、時間t6 になると、制御部120は
主ウエハ搬送機構22の駆動系110に信号を発して熱
処理盤58上から熱処理の終わったウエハWを運び出さ
せる。すると、ウエハセンサSwにより熱処理盤58上
からウエハWが離間されたことが検出され、信号を制御
部120に送る。制御部120では、ウエハセンサSw
からの信号はドライバ126に送られる。On the other hand, at time t 6 , control section 120 issues a signal to drive system 110 of main wafer transfer mechanism 22 to carry out heat-treated wafer W from heat treatment board 58. Then, the wafer sensor Sw detects that the wafer W has been separated from the heat treatment board 58, and sends a signal to the control unit 120. In the control unit 120, the wafer sensor Sw
Is sent to the driver 126.
【0112】ドライバ126は受け取った信号からウエ
ハWが離間されるときの時間t6 を認識し、この時間t
6 での比例成分e(t6 )、積分成分The driver 126 recognizes the time t 6 when the wafer W is separated from the received signal, and recognizes this time t 6.
6 proportional component e (t 6 ), integral component
【数32】 及び微分成分de(t6 )/dtをそれぞれ対応するメ
モリM1 、M2 及びM3からピックアップする。(Equation 32) And a differential component de (t 6 ) / dt are picked up from the corresponding memories M 1 , M 2 and M 3 , respectively.
【0113】熱処理盤58上にウエハWが載置されてい
ない時間t6 〜t7 の間は上記第2熱処理機構122に
より熱処理盤58の温度制御がなされ、大幅な過加熱が
起きないように制御される。During the period from time t 6 to time t 7 when the wafer W is not placed on the heat treatment board 58, the temperature of the heat treatment board 58 is controlled by the second heat treatment mechanism 122 so that significant overheating does not occur. Controlled.
【0114】時間t7 になって後続のウエハWが熱処理
盤58上に載置されると、ウエハセンサSwが作動して
ウエハWの載置を制御部120のドライバ126に知ら
せる。ドライバは先程ピックアップしておいた時間t6
における比例成分e(t6 )、積分成分When the subsequent wafer W is placed on the heat treatment board 58 at time t 7 , the wafer sensor Sw operates to notify the driver 126 of the control unit 120 of the placement of the wafer W. The driver picked up time t 6
Proportional component e (t 6 ), integral component at
【数33】 及び微分成分de(t6 )/dtをそれぞれ対応する演
算素子130〜132に入力する。すると、第1温度制
御機構121から時間t6 における制御量u(t6 )が
ヒータHに送られる。ヒータHはこの制御量u(t6 )
に基づいて発熱し、熱処理盤58に熱量を供給するた
め、時間t7 において時間t6 と同じ制御状態が再現さ
れる。[Equation 33] And the differential component de (t 6 ) / dt are input to the corresponding arithmetic elements 130 to 132. Then, the control amount u (t 6 ) at time t 6 is sent from the first temperature control mechanism 121 to the heater H. The heater H is controlled by the control amount u (t 6 ).
Fever based on, for supplying heat to the heat processing table 58, the same control state as time t 6 at time t 7 is reproduced.
【0115】このように、本実施形態に係る熱処理ユニ
ットでは、装置の立ち上げから複数のウエハWについて
連続的に熱処理を施す一連の工程を、装置の立ち上げ時
及び熱処理盤58上にウエハWが載置されている期間
と、先行するウエハWが熱処理盤58から離間されたあ
と後続のウエハWが熱処理盤58上に載置されるまでの
熱処理盤58上にウエハWが載置されていない期間との
2つの期間に分け、前者の期間では第1温度制御機構1
21を用いて温度制御するとともに、後者の期間では第
2温度制御機構122を用いて温度制御するようにし
た。As described above, in the heat treatment unit according to the present embodiment, a series of steps for continuously performing heat treatment on a plurality of wafers W from the start of the apparatus are performed at the start of the apparatus and on the heat treatment board 58. The wafer W is placed on the heat treatment board 58 during the period during which the wafer W is placed and after the preceding wafer W is separated from the heat treatment board 58 until the subsequent wafer W is placed on the heat treatment board 58. And the first temperature control mechanism 1 in the former period.
In addition, the temperature is controlled by using the second temperature control mechanism 122 in the latter period.
【0116】このうち、第1温度制御機構121は熱処
理盤58上にウエハWが載置された、いわば熱容量が大
きくなった熱処理盤58を想定して比例動作係数(比例
ゲイン)KP 、積分時間TI 、及び微分時間TD の各係
数を設定してあるので、短い載置時間に効率よく温度制
御することができる。Of these, the first temperature control mechanism 121 is based on the assumption that the wafer W is mounted on the heat treatment board 58, that is, the heat treatment board 58 having a large heat capacity, that is, the proportional operation coefficient (proportional gain) K P and the integral Since the coefficients of the time T I and the differentiation time T D are set, the temperature can be controlled efficiently in a short mounting time.
【0117】一方、第2温度制御機構122は熱処理盤
58上にウエハWが載置されてない、熱容量が比較的小
さい熱処理盤58を想定して比例動作係数(比例ゲイ
ン)KP ´、積分時間TI ´、及び微分時間TD ´の各
係数を設定してある。そのため、ウエハW離間後にオー
バーシュートが発生して熱処理盤58が大幅に過加熱さ
れるという事態が未然に防止できるので、効率よく温度
制御することができる。また、この熱処理ユニットで
は、先行するウエハWが熱処理盤58から離間される時
の制御状態を比例成分、積分成分、及び微分成分という
内部変数の形で記憶させておき、後続のウエハWを熱処
理盤58に載置する際に上記記憶しておいた内部変数を
用いて上記第1温度制御機構121を初期化することに
より、先行するウエハWが熱処理盤58から離間される
時の制御状態を再現できるようにした。On the other hand, the second temperature control mechanism 122 assumes a proportional operation coefficient (proportional gain) K P ′ and an integral function on the assumption that the wafer W is not mounted on the heat treatment board 58 and the heat capacity is relatively small. Each coefficient of the time T I ′ and the derivative time T D ′ is set. Therefore, it is possible to prevent a situation in which overshooting occurs after the separation of the wafer W and the heat treatment panel 58 is significantly overheated, so that the temperature can be efficiently controlled. Further, in this heat treatment unit, the control state when the preceding wafer W is separated from the heat treatment board 58 is stored in the form of internal variables of a proportional component, an integral component, and a differential component, and the subsequent wafer W is subjected to the heat treatment. By initializing the first temperature control mechanism 121 using the stored internal variables when the wafer W is placed on the board 58, the control state when the preceding wafer W is separated from the heat treatment board 58 can be changed. Can be reproduced.
【0118】そのため、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行するウエハWについて行った熱処理の履歴を
反映させることができ、より円滑な熱処理をすることが
できる。Therefore, it is possible to reflect the history of the heat treatment performed on the wafer W prior to the step of heat-treating the subsequent processing target substrate, and to perform a smoother heat treatment.
【0119】(第2の実施形態)以下、図面を用いて本
発明に係る第2の実施形態について詳細に鋭明する。(Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0120】なお、上記第1の実施形態と重複する内容
については説明を省略する。The description of the same contents as in the first embodiment is omitted.
【0121】図9は、本発明の第2の実施形態を示すブ
ロック線図である。図9において、151は比例
(P)、積分(I)及び微分(D)の演算を行うPID
調節手段、152はPID演算パラメータ設定手段で、
PID調節手段121に既知の比例(P)、積分(I)
及び微分(D)の演算パラメータPB、TI 、及びTD
を設定する。153はプロセスで、PID調節手段15
1からの操作信号MVが印加される。このプロセス15
3からの出力信号(プロセス値)PVは、PID調節手
段151の入力側に帰還されている。FIG. 9 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. In FIG. 9, reference numeral 151 denotes a PID for calculating the proportional (P), integral (I), and derivative (D).
Adjusting means 152 is a PID calculation parameter setting means;
Proportional (P) and integral (I) known to the PID adjusting means 121
And differential (D) operation parameters PB, T I , and T D
Set. Reference numeral 153 denotes a process,
1 is applied. This process 15
The output signal (process value) PV from No. 3 is fed back to the input side of the PID adjusting means 151.
【0122】154はニューラルネットワークで、人間
の脳のニューロンに対応した多数のユニットU11〜Umn
が複雑に接続し合って構成されており、各ユニットの動
作、及びユニット間の接続をうまく決めることで、入力
された信号を一定の規則で変換し、出力させ、パターン
認識機能を持つようにしたものである。Reference numeral 154 denotes a neural network which includes a number of units U 11 to U mn corresponding to neurons in the human brain.
It is composed of a complex connection, and by properly determining the operation of each unit and the connection between the units, it converts the input signal according to a certain rule, outputs it, and has a pattern recognition function It was done.
【0123】155はPID調節手段151によって制
御されている制御系(ここではプロセス153)からの
閉ループ応答波形を、ニューラルネットワーク154に
何度も人力させ、このニューラルネットワークに学習を
させる応答波形入力手段である。Reference numeral 155 is a response waveform input means for causing the neural network 154 to manually input the closed loop response waveform from the control system (here, the process 153) controlled by the PID adjusting means 151, and for learning the neural network. It is.
【0124】156はPID調節計151に設定した既
知のPID演算パラメータ信号PB、TI 及びTD を入
力し、これらの設定した定数が適切か否かを示す教師信
号Tp1〜Tp6を出力する教師信号発生手段、157はニ
ューラルネットワーク154からの出力信号O1 〜O9
と、教師信号発生手段156からの教師信号Tp1〜Tp6
との比較結果を入力し、ニューラルネットワークを修正
する信号を出力するバックブロパゲーション手段であ
る。Reference numeral 156 inputs the known PID operation parameter signals PB, T I and T D set to the PID controller 151, and outputs teacher signals T p1 to T p6 indicating whether or not these set constants are appropriate. The teacher signal generating means 157 generates output signals O 1 to O 9 from the neural network 154.
And the teacher signals T p1 to T p6 from the teacher signal generator 156.
Is a backpropagation means for inputting a result of comparison with the above and outputting a signal for correcting the neural network.
【0125】158はニューラルネットワーク154か
らの信号と、教師信号発生手段156からの信号とを比
較する比較手段で、ここでの比較結果が、バックプロパ
ゲーション手段157に印加される。Reference numeral 158 denotes comparison means for comparing the signal from the neural network 154 with the signal from the teacher signal generation means 156. The comparison result is applied to the back propagation means 157.
【0126】159はニューラルネットワーク154か
らの信号に基づき、PID調節手段121に設定されて
いるPID演算パラメータを自動的に修正するパラメー
タ修正手段である。160はPID調節手段1の入力側
にステップ入力を与えるためのステップ入力手段で、ニ
ューラルネットワーク154を学習させるときに用いら
れる。Reference numeral 159 denotes a parameter correcting means for automatically correcting the PID operation parameters set in the PID adjusting means 121 based on the signal from the neural network 154. Reference numeral 160 denotes a step input means for giving a step input to the input side of the PID adjustment means 1 and is used when learning the neural network 154.
【0127】ニューラルネットワーク154、比較手段
158、バックブロパゲーション手段157からなるル
ープは、既知のパラメータの様々な値をPID調節手段
151に設定し、その時の応答波形を何回も繰り返して
二ュ一ラルネットワーク154に与えて学習させること
より、演算パラメータと応答波形との関係を学習させる
手段を構成している。The loop composed of the neural network 154, the comparing means 158, and the backpropagation means 157 sets various values of known parameters in the PID adjusting means 151, and repeats the response waveform at that time many times to perform the repetition. By giving the learning to the neural network 154, a means for learning the relationship between the calculation parameter and the response waveform is configured.
【0128】図10は、ニューラルネットワーク154
を構成しているニューロン(ユニット)の構成を示す図
である。他のユニットからの入力を受ける部分、この入
力を一定の規則で変換する部分、結果を出力する部分で
構成されている。FIG. 10 shows a neural network 154.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a neuron (unit) constituting. It consists of a part that receives an input from another unit, a part that converts this input according to a certain rule, and a part that outputs the result.
【0129】他のユニットとの結合部には、それぞれ可
変の重みWjmが付けられる。この重みは、結合の強さを
表している。この値を変えることによりネットワークの
構造を変えることができる。そしてネットワークの学習
とは、この値を変えることを意味している。ここで、重
みWは、正、ゼロ、負の値をとり、ゼロは結合の無いこ
とを意味している。A variable weight W jm is assigned to each connection portion with another unit. This weight indicates the strength of the connection. By changing this value, the structure of the network can be changed. Learning the network means changing this value. Here, the weight W takes positive, zero, and negative values, and zero means that there is no connection.
【0130】ニューラルネットワーク154において、
あるユ二ットが複数ユニットから入力を受けた場合、そ
の総和netj がユニットへの入力値となる。In the neural network 154,
When a certain unit receives input from a plurality of units, the sum net j thereof becomes an input value to the unit.
【0131】この総和net,は、(6)式で表され
る。This sum net, is expressed by the following equation (6).
【0132】 netj =ΣWjm・Om …(6) ユニットは、この人力の総和netを関数fに変換し、
(7)式に示される出力0j を送出する。Net j = ΣW jm · O m (6) The unit converts the sum net of human power into a function f,
The output 0 j shown in the equation (7) is transmitted.
【0133】 0j =f(netj ) …(7) ここで、関数f(x)は、各ユニット毎に違っていても
よく、例えば、図11に示されるsigmoid関数が
使用される。0 j = f (net j ) (7) Here, the function f (x) may be different for each unit. For example, a sigmoid function shown in FIG. 11 is used.
【0134】この関数は、微分可能な疑似線形関数で、
(8)式で表される。This function is a differentiable pseudo-linear function.
It is expressed by equation (8).
【0135】 f(x)=1/{I+expK(−x+θ)}…(8) ただし、Kはゲイン、θはしきい値図9の装置におい
て、はじめにニューラルネットワーク154に演算パラ
メータと応答波形の関係を学習させるための動作を説明
する。F (x) = 1 / {I + expK (−x + θ)} (8) where K is a gain and θ is a threshold value. In the apparatus shown in FIG. The operation for causing the learning of will be described.
【0136】ここに示す制御系は、例えばプロセス特性
を無駄時間2秒、時定数10秒、ゲイン1の特性を持つ
ものとし、PID調節手段121のPID演算パラメー
タは、PB(比例帯)=50%、TI (積分時問)=1
0秒、TD (微分時問)=10秒が適切であることが経
験的に知られているものとする。The control system shown here has, for example, process characteristics of a dead time of 2 seconds, a time constant of 10 seconds, and a gain of 1. The PID calculation parameter of the PID adjusting means 121 is PB (proportional band) = 50. %, T I (integration time) = 1
It is empirically known that 0 seconds and T D (differential time) = 10 seconds are appropriate.
【0137】いま、PIDパラメータ設定手段152
は、PID調節手段151に対して、例えば、PB=3
0%、50%、200%、TI =6秒、10秒、40
秒、TD=6秒、10秒、40秒の中からランダムに、
PB、TI 、及びTD の組み合わせを選び、それらを設
定する。その後、PID調節手段151の人力側に設け
られているステップ入力手段160からステップ状に変
化するステップ信号を印加させる。Now, the PID parameter setting means 152
Is, for example, PB = 3 to the PID adjusting means 151.
0%, 50%, 200%, T I = 6 seconds, 10 seconds, 40
Seconds, T D = 6 seconds, 10 seconds, 40 seconds randomly,
Select a combination of PB, T I , and T D and set them. After that, a step signal that changes in a step shape is applied from the step input means 160 provided on the human power side of the PID adjusting means 151.
【0138】このステップ信号を受けたPID調節手段
151は、そこに設定されているPID演算パラメータ
に応じた操作信号MVをプロセス153に印加する。The PID adjusting means 151 having received the step signal applies an operation signal MV corresponding to the PID calculation parameter set therein to the process 153.
【0139】この操作信号を受けたブロセス153から
は、例えば、図12のPVに示すような応答波形が得ら
れる。From the process 153 which has received the operation signal, a response waveform as shown by PV in FIG. 12, for example, is obtained.
【0140】応答波形入力手段155は、時間的に変化
するプロセス153からの応答波形を図12のX1 ,X
2 ,X3 のようにサンプリングし、破線で示すような希
望の応答波形と比較し、その差S1 ,S2 ,S3 を順次
ニューラルネットワーク154に入力する。The response waveform input means 155 converts the response waveform from the time-varying process 153 from X 1 , X
2 and X 3 , sampled and compared with a desired response waveform shown by a broken line, and the differences S 1 , S 2 and S 3 are sequentially input to the neural network 154.
【0141】ニューラルネットワーク154は、これら
の入力信号を前記した(6)式〜(8)式に従って演算
し、例えば9個の出力O1 〜O9 を送出する。The neural network 154 calculates these input signals in accordance with the above equations (6) to (8), and sends out, for example, nine outputs O 1 to O 9 .
【0142】この9個の出力は、O1 がPB良好、O2
がPB過小、O3 がPB過大、O4がTI 良好、O5 が
TI 過小、O6 がTI 過大、O7 がTD 良好、O8 がT
D 過小、O9 がTD 過大に対応しているものとする。The nine outputs are as follows: O 1 has good PB, O 2
There PB under-, O 3 is PB excessive, O 4 is T I good, O 5 is T I excessively small, O 6 is T I excessive, O 7 is T D good, O 8 is T
It is assumed that D too small and O 9 correspond to T D too large.
【0143】ー方、教師信号発生手段156は、PID
パラメータ設定手段152からパラメータが与えられた
とき、それらの値が、当該システムの場合、前記O1 〜
O9のいずれに該当するか分かっているので、正解を教
師信号Tp1〜Tp9として出力する。すなわち、Tp1〜T
p3のいずれかを「1」、他は「0」とし、Tp4〜Tp6 の
いずれかを「1」、他は「0」とし、Tp7〜Tp9のいず
れかを「1」、他は「0」とする。On the other hand, the teacher signal generating means 156
When the parameters are given from the parameter setting means 152, their values are, in the case of the system concerned, the above O 1 to O 1 .
Since it is known which one of O 9 corresponds, the correct answer is output as teacher signals T p1 to T p9 . That is, T p1 to T
p3 any of the "1" and the others are set to "0", the T p4 ~T p6
One is “1”, the other is “0”, one of T p7 to T p9 is “1”, and the other is “0”.
【0144】比較手段158は、ニューラルネットワー
ク154からの出力O1 〜O9 と、教師信号Tp1〜Tp6
とを比較し、その比較結果をバックブロパゲーション手
段157に印加する。バックプロパゲーション手段15
7は、比較結果、即ち、教師信号Tpjとニューラルネッ
トワークの出力Oj との2乗偏差Ep(9)式が最小に
なるように、ユニットに人る信号の結合の重みWjiを修
正する為の信号を、ニューラルネットワーク4に与え
る。The comparing means 158 outputs the outputs O 1 to O 9 from the neural network 154 and the teacher signals T p1 to T p6.
And the result of the comparison is applied to the backpropagation means 157. Back propagation means 15
7 corrects the comparison result, that is, the weight W ji of the combination of the signals in the unit so that the square deviation Ep (9) between the teacher signal T pj and the output O j of the neural network is minimized. To the neural network 4.
【0145】 Ep=(1/2)・(Tpj−Oj )2 …(9) 結合の重みWjiは、(10)式に従って次第に修正され
る。Ep = (1 /) · (T pj −O j ) 2 (9) The weight W ji of the connection is gradually corrected according to the equation (10).
【0146】 ΔWji(n+1)=ηδj Oi +αΔWji(n)…(10) ただし、 η:学習定数(例えばη=0.25) α:安定化定数(例えばα=0.9) n:学習回数 Oi :ユニットiから出る出力 δj :ユニットjへの入力の総和netj がEpに及ぼ
す影響に負の符号を付けたもので、 δj =−(dEp/dnetj ) なお、δj は中間層と最終層で異なっており、最終層の
場合(11)式で、また、中間層の場合は、(12)式
でそれぞれ表される。ΔW ji (n + 1) = ηδ j O i + αΔW ji (n) (10) where η: learning constant (for example, η = 0.25) α: stabilization constant (for example, α = 0.9) n : The number of learning O i : the output from the unit i δ j : the sum of the inputs to the unit j, net j, which is given a negative sign on the effect on Ep, δ j = − (dEp / dnet j ) δ j is different between the intermediate layer and the final layer, and is expressed by equation (11) for the final layer and by equation (12) for the intermediate layer.
【0147】 δj =(Tpj−Oj )f´j (netj )…(11) δj =f´(netj )ΣWkjδk …(12) ただし、 Wkj:次の層のユニットkへの結合 δk :次の層のユニットkのδ f´(x)=KOj (1−Oj ) …(13) なお、(13)式は、(8)式を用いて得られる。Δ j = (T pj −O j ) f ′ j (net j ) (11) δ j = f ′ (net j ) ΣW kj δ k (12) where W kj is the next layer Bonding to unit k δ k : δ f ′ (x) of next layer unit k = KO j (1-O j ) (13) Equation (13) is obtained using equation (8). Can be
【0148】次に、δj の誘導について説明する。Next, the induction of δ j will be described.
【0149】(14)式は、最終層の場合のδj の誘導
を示す式である。Expression (14) is an expression showing the induction of δ j in the case of the final layer.
【0150】 δj =−(dEp/dnetj ) =−(dEp/dOj )(dOj /dnetj ) =−(d/dOj ){1/2(TpjOj )2 }dOj /dnetj =(Tpj−Oj )f´(netj )…(14) よって、 (dOj d/dnetj )=f´(netj ) また、(15)式は、中間層の場合のδj の誘導を示す
式である。[0150] δ j = - (dEp / dnet j) = - (dEp / dO j) (dO j / dnet j) = - (d / dO j) {1/2 (T pj O j) 2} dO j / Dnet j = (T pj −O j ) f ′ (net j ) (14) Therefore, (dO j d / dnet j ) = f ′ (net j ) Further, the expression (15) is for the case of the intermediate layer. Is an expression showing the induction of δ j of.
【0151】 δj =−(dEp/dnetj ) =−(dEp/dOj )(dOj /dnetj ) =−{Σ(dEp/dnetj )(dnetk /dOj )}…(15) この式のカッコの中は、(dEP/dOj )をOj に接
続されている次の層のユニットのnetk へ与える影響
と、Epに与える影響に分割したことを表している。[0151] δ j = - (dEp / dnet j) = - (dEp / dO j) (dO j / dnet j) = - {Σ (dEp / dnet j) (dnet k / dO j)} ... (15) The parentheses in this expression indicate that (dEP / dO j ) is divided into the effect on the net k of the next layer unit connected to O j and the effect on the Ep.
【0152】ここで、 である。そして、 δk =−(dEp/dnetk )(dOj /dnetj ) =f´(netj ) であるから、 δj =f´(netj )Σδk Wkj 次の層のδk 及び次の層への結合Wkjが求まれば、δj
が演算できる。Here, It is. Then, δ k = - (dEp / dnet k) (dO j / dnet j) = from a f'(net j), δ j = f'(net j) Σδ k W kj and [delta] k of the following layers Once the coupling W kj to the next layer is found, δ j
Can be calculated.
【0153】すなわち、最終層から前の層に順次さかの
ぼって行けば、順次δk 、ΔWkjが計算できる。That is, by sequentially going back from the last layer to the previous layer, δ k and ΔW kj can be sequentially calculated.
【0154】このようにして、バックプロパゲーション
手段を含むループは、ニューラルネットワーク154を
構成してぃる各ュニットの結合の強さを順次修正する動
作を例えば、10.000回繰り返すことにより、ニュ
ーラルネットワーク154からの出力が正解を示すよう
に学習させる。In this way, the loop including the back-propagation means repeats, for example, 10.000 times the operation of sequentially modifying the connection strength of each unit constituting the neural network 154, thereby obtaining the neural network. Learning is performed so that the output from the network 154 indicates the correct answer.
【0155】このようにして学習させた後では、ニュー
ラルネットワーク154に様々な応答波形が与えられた
場合、その応答波形を認識し、演算パラメータPB、T
I 及びTD をどの様に修正すべきかの出力が、ニューラ
ルネットワークから得られるようになる。After learning in this way, if various response waveforms are given to the neural network 154, the response waveforms are recognized and the calculation parameters PB, T
The output of the should be what kind modify the I and T D becomes to be obtained from the neural network.
【0156】パラメータ修正手段159は、学習が完了
した後のニューラルネットワーク154からの信号を入
力する。The parameter correcting means 159 receives the signal from the neural network 154 after the learning is completed.
【0157】いま、一例として出力O1 (PB良好)=
0.221、出力O2 (PB過小)=0.983、出力
O3 (PB過大)=0.025のような値がそれぞれ出
力されたものとする。この場合は、出力O2 の値が最も
大きいから、PBが過小であり、PBの値をもっと大き
くする必要があることを示している。Now, as an example, output O 1 (PB good) =
It is assumed that values such as 0.221, output O 2 (PB excessive) = 0.983, and output O 3 (PB excessive) = 0.025 are output. In this case, the value of the output O 2 is largest, PB is too small, indicating that it is necessary to more increase the value of PB.
【0158】従って、パラメータ修正手段159は、こ
の信号を受け、PBを例えば、 PB=PB+kp (O2 −O1 ) のように修正する。ただし、kp は定数とする。Accordingly, the parameter correcting means 159 receives this signal and corrects PB, for example, PB = PB + k p (O 2 −O 1 ). Here, k p is a constant.
【0159】同様な修正は、TI 及びTD についても行
う。Similar corrections are made for T I and T D.
【0160】なお、本発明は上記の実施形態の内容に限
定されるものではない。The present invention is not limited to the contents of the above embodiment.
【0161】例えば、上記実施形態では熱処理盤58上
にウエハWが載置されているか否かを認識するのにウエ
ハセンサSwを用いて検出する構成としたが、主ウエハ
搬送機構22の駆動信号から認識するようにすることも
可能である。For example, in the above-described embodiment, the configuration is such that the wafer sensor Sw is used to detect whether the wafer W is mounted on the heat treatment board 58 or not. It is also possible to make them recognize.
【0162】また、第1温度制御機構121や第2温度
制御機構122として基本的な構成のPID制御を用い
たが、より高度な構成のPID制御機構を用いることも
もちろん可能である。Further, although the PID control having a basic configuration is used as the first temperature control mechanism 121 and the second temperature control mechanism 122, it is of course possible to use a PID control mechanism having a more advanced configuration.
【0163】更に、上記実施の形態ではウエハWについ
ての塗布現像処理システム1を例にして説明したが、本
発明はこれ以外の処理装置、例えば、LCD基板用処理
装置などにも適用できることは言うまでもない。Further, in the above embodiment, the coating and developing system 1 for the wafer W has been described as an example. However, it goes without saying that the present invention can be applied to other processing apparatuses, for example, an LCD substrate processing apparatus. No.
【0164】[0164]
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1記載の本
発明によれば、複数の被処理基板に熱処理を施す工程を
熱処理盤上に被処理基板が載置されている期間と、載置
されていない期間の2つの期間に分け、載置されている
期間は第1温度制御手段で温度制御し、非載置の期間は
第2温度制御手段で温度制御する。この第2温度制御手
段では伝達関数の各係数が被処理基板が非載置の、熱容
量の小さい熱処理盤の状態に対応しているので、昇温が
緩やかに行われ、熱処理盤の過加熱が防止される。As described above in detail, according to the first aspect of the present invention, the step of performing heat treatment on a plurality of substrates to be processed is performed during a period in which the substrates to be processed are mounted on the heat treatment board, The temperature is controlled by the first temperature control means during the period in which it is placed, and the temperature is controlled by the second temperature control means in the period when it is not placed. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0165】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。The state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before being placed on the heat treatment board is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0166】請求項2記載の本発明によれば、複数の被
処理基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板
が載置されている期間と、載置されていない期間の2つ
の期間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段
で温度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度
制御する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数
が被処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状
態に対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理
盤の過加熱が防止される。According to the second aspect of the present invention, the step of performing a heat treatment on a plurality of substrates to be processed includes two steps: a period in which the substrate to be processed is mounted on the heat treatment board, and a period in which the substrate is not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0167】[0167]
【0168】[0168]
【0169】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。Also, the state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the subsequent substrate to be processed is stored immediately before being placed on the heat treatment panel. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0170】更に、第1温度制御手段が、熱処理後の被
処理基板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前
記目標温度との偏差に基づいて前記第1伝達関数の係数
値を順次修正する学習機能を備えているので、第1温度
制御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the first temperature control means sequentially corrects the coefficient value of the first transfer function based on the deviation between the temperature immediately before the substrate after the heat treatment is separated from the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function is provided, the control accuracy of the first temperature control means can be improved.
【0171】請求項3記載の本発明によれば、複数の被
処理基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板
が載置されている期間と、載置されていない期間の2つ
の期間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段
で温度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度
制御する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数
が被処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状
態に対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理
盤の過加熱が防止される。According to the third aspect of the present invention, the step of performing a heat treatment on a plurality of substrates to be processed includes two steps: a period in which the substrate to be processed is mounted on the heat treatment board, and a period in which the substrate is not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0172】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。Further, the state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the subsequent substrate to be processed is stored immediately before being placed on the heat treatment board. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0173】更に、第2温度制御手段が、前記後続の被
処理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前記
目標温度との偏差に基づいて前記第2伝達関数の係数値
を順次修正する学習機能を備えているので、第2温度制
御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the second temperature control means sequentially calculates a coefficient value of the second transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the subsequent substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function for correcting is provided, the control accuracy of the second temperature control means can be improved.
【0174】請求項4記載の本発明によれば、複数の被
処理基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板
が載置されている期間と、載置されていない期間の2つ
の期間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段
で温度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度
制御する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数
が被処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状
態に対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理
盤の過加熱が防止される。According to the fourth aspect of the present invention, the step of performing a heat treatment on a plurality of substrates to be processed includes two steps: a period in which the substrate to be processed is mounted on the heat treatment board, and a period in which the substrate is not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0175】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。The state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before being placed on the heat treatment board is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0176】更に、第1温度制御手段が熱処理後の被処
理基板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記
目標温度との偏差に基づいて前記第1伝達関数の係数値
を順次修正する学習機能を備えているので、第1温度制
御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the first temperature control means sequentially corrects the coefficient value of the first transfer function based on the deviation between the temperature immediately before the substrate after the heat treatment is separated from the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function is provided, the control accuracy of the first temperature control means can be improved.
【0177】また更に、第2温度制御手段が前記後続の
被処理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前
記目標温度との偏差に基づいて前記第2伝達関数の係数
値を順次修正する学習機能を備えているので、第2温度
制御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the second temperature control means sequentially calculates a coefficient value of the second transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the subsequent substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function for correcting is provided, the control accuracy of the second temperature control means can be improved.
【0178】請求項5記載の本発明によれば、複数の被
処理基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板
が載置されている期間と、載置されていない期間の2つ
の期間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段
で温度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度
制御する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数
が被処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状
態に対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理
盤の過加熱が防止される。According to the fifth aspect of the present invention, the step of performing a heat treatment on a plurality of substrates to be processed includes two steps, a period during which the substrate is mounted on the heat treatment board and a period during which the substrate is not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0179】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。Also, the state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the subsequent substrate to be processed is stored immediately before being placed on the heat treatment panel. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0180】更に、第1温度制御手段として積分要素や
微分要素まで加味したPID制御を採用しているので、
目標温度との間の定常偏差(オフセット)や熱的振動が
抑えられて、より高精度の温度制御を行うことができ
る。Further, since the PID control considering the integral element and the differential element is adopted as the first temperature control means,
The steady-state deviation (offset) from the target temperature and the thermal vibration are suppressed, and more accurate temperature control can be performed.
【0181】請求項7記載の本発明によれば、複数の被
処理基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板
が載置されている期間と、載置されていない期間の2つ
の期間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段
で温度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度
制御する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数
が被処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状
態に対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理
盤の過加熱が防止される。According to the seventh aspect of the present invention, the step of performing a heat treatment on a plurality of substrates to be processed includes two steps, a period during which the substrate is mounted on the heat treatment board and a period during which the substrate is not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0182】[0182]
【0183】[0183]
【0184】[0184]
【0185】[0185]
【0186】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。The state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the subsequent substrate to be processed is stored immediately before being placed on the heat treatment panel. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0187】更に、第1温度制御手段が、熱処理後の被
処理基板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前
記目標温度との偏差に基づいて前記第1伝達関数の係数
値を順次修正する学習機能を備えているので、第1温度
制御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the first temperature control means sequentially corrects the coefficient value of the first transfer function based on a deviation between the temperature immediately before the substrate after the heat treatment is separated from the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function is provided, the control accuracy of the first temperature control means can be improved.
【0188】また更に、第1温度制御手段として積分要
素や微分要素まで加味したPID制御を採用しているの
で、目標温度との間の定常偏差(オフセット)や熱的振
動が抑えられて、より高精度の温度制御を行うことがで
きる。Further, since the first temperature control means employs PID control taking into account the integral element and the differential element, a steady-state deviation (offset) from the target temperature and thermal vibration are suppressed, and Highly accurate temperature control can be performed.
【0189】請求項7記載の本発明によれば、複数の被
処理基板に熱処理を施す工程を熱処理盤上に被処理基板
が載置されている期間と、載置されていない期間の2つ
の期間に分け、載置されている期間は第1温度制御手段
で温度制御し、非載置の期間は第2温度制御手段で温度
制御する。この第2温度制御手段では伝達関数の各係数
が被処理基板が非載置の、熱容量の小さい熱処理盤の状
態に対応しているので、昇温が緩やかに行われ、熱処理
盤の過加熱が防止される。According to the seventh aspect of the present invention, the step of performing a heat treatment on a plurality of substrates to be processed includes two steps: a period in which the substrate to be processed is mounted on the heat treatment board, and a period in which the substrate is not mounted. The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0190】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。Further, the state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the state of the subsequent substrate to be processed immediately before being placed on the heat treatment panel is stored. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0191】更に、第2温度制御手段が、前記後続の被
処理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前記
目標温度との偏差に基づいて前記第2伝達関数の係数値
を順次修正する学習機能を備えているので、第2温度制
御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the second temperature control means sequentially calculates a coefficient value of the second transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the subsequent substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function for correcting is provided, the control accuracy of the second temperature control means can be improved.
【0192】また更に、第1温度制御手段及び第2温度
制御手段として積分要素や微分要素まで加味したPID
制御を採用しているので、目標温度との間の定常偏差
(オフセット)や熱的振動が抑えられて、より高精度の
温度制御を行うことができる。請求項8記載の本発明に
よれば、複数の被処理基板に熱処理を施す工程を熱処理
盤上に被処理基板が載置されている期間と、載置されて
いない期間の2つの期間に分け、載置されている期間は
第1温度制御手段で温度制御し、非載置の期間は第2温
度制御手段で温度制御する。この第2温度制御手段では
伝達関数の各係数が被処理基板が非載置の、熱容量の小
さい熱処理盤の状態に対応しているので、昇温が緩やか
に行われ、熱処理盤の過加熱が防止される。Further, as the first temperature control means and the second temperature control means, the PID taking into account the integral element and the differential element
Since the control is employed, a steady-state deviation (offset) from the target temperature and thermal vibration are suppressed, and more accurate temperature control can be performed. According to the present invention of claim 8, divided into two periods of the plurality of the periods in which the processing substrate is placed a step of performing heat treatment on a substrate to be processed in the thermal processing platen, a period that has not been placed The temperature is controlled by the first temperature control means during the mounting period, and the temperature is controlled by the second temperature control means during the non-mounting period. In the second temperature control means, since each coefficient of the transfer function corresponds to the state of the heat treatment board having a small heat capacity in which the substrate to be processed is not mounted, the temperature is gradually increased, and the heat treatment board is overheated. Is prevented.
【0193】また、先行する被処理基板が離間される直
前の熱処理盤の状態を内部変数というパラメーターを介
して記憶しておき、後続の被処理基板を熱処理盤上に載
置される直前に第1伝達関数を前記記憶した内部変数を
用いて初期化するので、後続の被処理基板を熱処理する
工程に先行する被処理基板の熱処理工程での履歴を反映
させることができ、より円滑な熱処理をすることができ
る。Also, the state of the heat treatment board immediately before the preceding substrate to be processed is separated is stored via a parameter called an internal variable, and the subsequent substrate to be processed is stored immediately before being placed on the heat treatment panel. (1) Since the transfer function is initialized using the stored internal variables, it is possible to reflect the history of the heat treatment process of the substrate to be processed prior to the process of heat treating the subsequent substrate to be processed. can do.
【0194】更に、第1温度制御手段が熱処理後の被処
理基板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記
目標温度との偏差に基づいて前記第1伝達関数の係数値
を順次修正する学習機能を備えているので、第1温度制
御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the first temperature control means sequentially corrects the coefficient value of the first transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the substrate after the heat treatment is separated from the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function is provided, the control accuracy of the first temperature control means can be improved.
【0195】また更に、第2温度制御手段が前記後続の
被処理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前
記目標温度との偏差に基づいて前記第2伝達関数の係数
値を順次修正する学習機能を備えているので、第2温度
制御手段の制御精度を向上させることができる。Further, the second temperature control means sequentially calculates a coefficient value of the second transfer function based on a deviation between a temperature immediately before the subsequent substrate to be processed is mounted on the heat treatment board and the target temperature. Since the learning function for correcting is provided, the control accuracy of the second temperature control means can be improved.
【0196】加えて、第1温度制御手段及び第2温度制
御手段として積分要素や微分要素まで加味したPID制
御を採用しているので、目標温度との間の定常偏差(オ
フセット)や熱的振動が抑えられて、より高精度の温度
制御を行うことができる。In addition, since the first temperature control means and the second temperature control means employ PID control taking into account the integral element and the differential element, a steady-state deviation (offset) from the target temperature and thermal vibration And temperature control with higher accuracy can be performed.
【図1】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の全体構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a coating and developing processing system according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の正面図である。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system according to the embodiment of the present invention.
【図3】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の背面図である。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing processing system according to the embodiment of the present invention.
【図4】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの構成
を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.
【図5】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの断面
図である。FIG. 5 is a sectional view of a heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.
【図6】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの制御
系を示したブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a control system of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.
【図7】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの制御
系を示したブロック線図である。FIG. 7 is a block diagram showing a control system of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.
【図8】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの作動
状態を示したタイミングチャートである。FIG. 8 is a timing chart showing an operation state of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第2の実施形態に係る熱処理ユニット
の制御系を示したブロック線図である。FIG. 9 is a block diagram showing a control system of a heat treatment unit according to a second embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第2の実施形態に係るニューラルネ
ットワークのニューロンの構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a neuron of a neural network according to a second embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第2の実施形態に係るsigmoi
d関数を示す図である。FIG. 11 is a sigmoi according to a second embodiment of the present invention.
It is a figure showing a d function.
【図12】本発明の第2の実施形態に係る応答波形を示
す図である。FIG. 12 is a diagram showing a response waveform according to the second embodiment of the present invention.
【図13】従来の熱処理ユニットの垂直断面図である。FIG. 13 is a vertical sectional view of a conventional heat treatment unit.
【図14】従来の熱処理ユニットの作動状態を示したタ
イミングチャートである。FIG. 14 is a timing chart showing an operation state of a conventional heat treatment unit.
W ウエハ 58 熱処理盤 22 主ウエハ搬送機構 H ヒータ St 温度センサ Sw ウエハセンサ M1 〜M4 メモリ 110 駆動系 120 制御部 121 第1温度制御機構 122 第2温度制御機構W wafer 58 heat processing 22 main wafer transfer mechanism H heater St temperature sensor Sw wafer sensor M 1 ~M 4 memory 110 drive system 120 controller 121 first temperature control mechanism 122 second temperature control mechanism
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G05D 23/19 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G05D 23/19
Claims (8)
って制御する第1温度制御手段と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の内部変数の値を記憶する手段と、 先行する被処理基板が離間してから後続の被処理基板が
載置されるまでの間、第2伝達関数に従って前記熱処理
盤を過加熱しないように前記目標温度に制御する第2温
度制御手段と、 後続の被処理基板が載置される時に、前記記憶した内部
変数の値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を具
備することを特徴とする熱処理装置。1. A heat treatment board on which a substrate to be treated is mounted, means for sequentially transporting the substrate to be treated onto the heat treatment board, and a means for controlling the heat treatment board according to a first transfer function so as to reach a target temperature. 1 temperature control means, means for storing a value of an internal variable of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated, and subsequent substrate to be mounted after the preceding substrate to be separated. A second temperature control means for controlling the heat treatment panel to the target temperature according to a second transfer function so as not to overheat until the substrate is placed; and Means for initializing the first transfer function with a value of a variable.
って制御する第1温度制御手段であって、前記被処理基
板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記目標
温度との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前記
第1伝達関数の係数値を修正する第1温度制御手段と、 先行する被処理基板が離間されるときの前記第1伝達関
数の内部変数の値を記憶する手段と、 先行する被処理基板が離間してから後続の被処理基板が
載置されるまでの間、第2伝達関数に従って前記熱処理
盤を過加熱しないように前記目標温度に制御する第2温
度制御手段と、 後続の被処理基板が載置されるときに、前記記憶した内
部変数の値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を
具備することを特徴とする熱処理装置。2. A heat treatment board on which a substrate to be treated is placed, means for sequentially transporting the substrate to be treated onto the heat treatment board, and a means for controlling the heat treatment board according to a first transfer function so as to reach a target temperature. 1 temperature control means , wherein the substrate to be treated is
The temperature just before the plate is separated from the heat treatment plate and the target
Determine the deviation from the temperature, the above-mentioned so that the deviation is small
First temperature control means for correcting a coefficient value of the first transfer function; means for storing a value of an internal variable of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated; A second temperature control means for controlling the temperature of the heat-treating board to the target temperature according to a second transfer function so as not to overheat the substrate after the separation and subsequent substrate mounting; Means for initializing the first transfer function with the stored values of the internal variables when the device is mounted.
って制御する第1温度制御手段と、 先行する被処理基板が離間されるときの前記第1伝達関
数の内部変数の値を記憶する手段と、 先行する被処理基板が離間してから後続の被処理基板が
載置されるまでの間、第2伝達関数に従って前記熱処理
盤を過加熱しないように前記目標温度に制御する第2温
度制御手段であって、前記後続の被処理基板が前記熱処
理盤に載置される直前の温度と前記目標温度との偏差を
求め、前記偏差が小さくなるように前記第2伝達関数の
係数値を修正する第2温度制御手段と、 後続の被処理基板が載置されるときに、前記記憶した内
部変数の値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を
具備することを特徴とする熱処理装置。3. A heat treatment board on which a substrate to be treated is placed, means for sequentially transporting the substrate to be treated onto the heat treatment board, and a control means for controlling the heat treatment board to a target temperature in accordance with a first transfer function. 1 temperature control means, means for storing a value of an internal variable of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated, and subsequent substrates to be mounted after the preceding substrate to be separated. until the location, a second temperature control means for controlling the heat processing table to the target temperature so as not to over-heated according to a second transfer function, the subsequent target substrate is placed on the heat processing table deviation <br/> determined Me immediately before the temperature and the target temperature that, a second temperature control means for modifying the coefficient values of the second transfer function so that the deviation becomes small, the subsequent target substrate When mounted, the value of the stored internal variable Thermal processing apparatus characterized by comprising: means for initializing the serial first transfer function, the.
って制御する第1温度制御手段であって、前記被処理基
板が前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記目標
温度との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前記
第1伝達関数の係数値を修正する第1温度制御手段と、 先行する被処理基板が離間されるときの前記第1伝達関
数の内部変数の値を記憶する手段と、 先行する被処理基板が離間してから後続の被処理基板が
載置されるまでの間、第2伝達関数に従って前記熱処理
盤を過加熱しないように前記目標値に制御する第2温度
制御手段であって、前記後続の被処理基板が前記熱処理
盤に載置される直前の温度と前記目標温度との偏差を求
め、前記偏差が小さくなるように前記第2伝達関数の係
数値を修正する第2温度制御手段と、 後続の被処理基板が載置されるときに、前記記憶した内
部変数の値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を
具備することを特徴とする熱処理装置。4. A heat treatment board on which a substrate to be treated is mounted, means for sequentially transporting the substrate to be treated on the heat treatment board, and a control means for controlling the heat treatment board to a target temperature in accordance with a first transfer function. 1 temperature control means , wherein the substrate to be treated is
The temperature just before the plate is separated from the heat treatment plate and the target
Determine the deviation from the temperature, the above-mentioned so that the deviation is small
First temperature control means for correcting a coefficient value of the first transfer function; means for storing a value of an internal variable of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated; A second temperature control unit that controls the heat treatment panel to the target value according to a second transfer function so as not to overheat the substrate after the separation and before the subsequent substrate is mounted; The deviation between the temperature immediately before the substrate to be processed is placed on the heat treatment board and the target temperature is calculated.
A second temperature control means for correcting the coefficient value of the second transfer function so as to reduce the deviation , and when the subsequent substrate to be processed is mounted, the second temperature control means uses the stored internal variable value to store (1) means for initializing a transfer function.
作係数(比例ゲイン)、TI は積分時間、TD は微分時
間をそれぞれ表す。}で表される第1伝達関数に従って
制御する第1温度制御手段と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の比例要素(KP ・z)の値を記憶する第1記憶部と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の積分要素 【数2】 の値を記憶する第2記憶部と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の微分要素{KP ・TD ・dz/dt}の値を記憶する
第3記憶部と、 先行する被処理基板が離間してから後続の被処理基板が
載置されるまでの間、第2伝達関数に従って前記熱処理
盤を過加熱しないように前記目標温度に制御する第2温
度制御手段と、 後続の被処理基板が載置される時に、前記記憶部に記憶
した各内部変数(比例要素、積分要素及び微分要素)の
値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を具備する
ことを特徴とする熱処理装置。5. A heat treatment board on which a substrate to be treated is mounted, means for sequentially transporting the substrate to be treated onto the heat treatment board, and the following relational expression (1) so that the heat treatment board reaches a target temperature: Equation 1 In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI represents an integration time, and TD represents a differentiation time. A first temperature control means for controlling according to a first transfer function represented by}, and a first temperature control means for storing a value of a proportional element (Kp · z) of the first transfer function when a preceding substrate to be processed is separated. A storage unit, and an integral element of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated. A second storage unit for storing a value of a differential element {KP · TD · dz / dt} of the first transfer function when a preceding substrate to be processed is separated; A second temperature control unit for controlling the target temperature so as not to overheat the heat-treating board in accordance with a second transfer function during a period from a time when the preceding substrate to be separated is separated to a time when a subsequent substrate to be mounted is placed; Means for initializing the first transfer function with the values of the respective internal variables (proportional element, integral element, and differential element) stored in the storage unit when a subsequent substrate to be processed is mounted. A heat treatment apparatus characterized by the above-mentioned.
作係数(比例ゲイン)、TI は積分時間、TD は微分時
間をそれぞれ表す。}で表される第1伝達関数に従って
制御する第1温度制御手段であって、前記被処理基板が
前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記目標温度
との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前記第1
伝達関数の各係数値(比例動作係数、積分時間、及び微
分時間)を修正する第1温度制御手段と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の比例要素(KP ・z)の値を記憶する第1記憶部と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の積分要素 【数6】 の値を記憶する第2記憶部と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の微分要素{KP ・TD ・dz/dt}の値を記憶する
第3記憶部と、 先 行する被処理基板が離間してから後続の被処理基板が
載置されるまでの間、第2伝達関数に従って前記熱処理
盤を過加熱しないように前記目標温度に制御する第2温
度制御手段と、 後続の被処理基板が載置されるときに、前記記憶した内
部変数の値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を
具備することを特徴とする熱処理装置。6. A heat treatment board on which a substrate to be treated is placed, means for sequentially transporting the substrate to be treated onto the heat treatment board, and the following relational expression (1) so that the heat treatment board reaches a target temperature: Equation 5 In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI represents an integration time, and TD represents a differentiation time. A first temperature control means for controlling according to a first transfer function represented by 表, wherein the substrate to be processed is
The temperature just before being separated from the heat treatment board and the target temperature
And the first is determined so that the deviation is reduced.
Each coefficient value of the transfer function (proportional operation coefficient, integration time, and fine
First temperature control means for correcting the time (minute time), a first storage unit for storing the value of the proportional element (KP · z) of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated, Integral element of the first transfer function when the substrate to be processed is separated A second storage unit for storing a value of a differential element {KP · TD · dz / dt} of the first transfer function when a preceding substrate to be processed is separated ; until subsequent target substrate from the target substrate is separated to previous row is placed, the second temperature control means for controlling the heat processing table to the target temperature so as not to over-heated according to a second transfer function And a means for initializing the first transfer function with the stored value of the internal variable when a subsequent substrate to be processed is mounted.
作係数(比例ゲイン)、TI は積分時間、TD は微分時
間をそれぞれ表す。}で表される第1伝達関数に従って
制御する第1温度制御手段と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の比例要素(KP ・z)の値を記憶する第1記憶部と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の積分要素 【数8】 の値を記憶する第2記憶部と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の微分要素{KP ・TD ・dz/dt}の値を記憶する
第3記憶部と、 先行する被処理基板が離間してから後続の被処理基板が
載置されるまでの間、次の関係式(2) 【数9】 {式中、Yは操作量、zは制御動作信号、KP ´は比例
動作係数(比例ゲイン)、TI ´は積分時間、TD ´は
微分時間をそれぞれ表す。}で表される第2伝達関数に
従って前記熱処理盤を過加熱しないように前記目標温度
に制御する第2温度制御手段であって、前記後続の被処
理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前記目
標温度との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前
記第2伝達関数の係数値(比例動作係数、積分時間、及
び微分時間)を修正する第2温度制 御手段と、 後続の被処理基板が載置されるときに、前記記憶した内
部変数(比例要素、積分要素及び微分要素)の値で前記
第1伝達関数を初期化する手段と、を具備することを特
徴とする熱処理装置。7. A heat treatment board on which a substrate to be treated is mounted, means for sequentially transporting the substrate to be treated onto the heat treatment board, and the following relational expression (1) so that the heat treatment board reaches a target temperature: Equation 7 In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI represents an integration time, and TD represents a differentiation time. A first temperature control means for controlling according to a first transfer function represented by}, and a first temperature control means for storing a value of a proportional element (Kp · z) of the first transfer function when a preceding substrate to be processed is separated. A storage unit, and an integral element of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated A second storage unit for storing a value of a differential element {KP.TD.dz/dt} of the first transfer function when a preceding substrate to be processed is separated; The following relational expression (2) is provided between the time when the preceding substrate is separated and the time when the succeeding substrate is mounted: In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP 'represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI' represents an integration time, and TD 'represents a differentiation time. A second temperature control means for controlling the temperature of the heat-treating board to the target temperature so as not to overheat the heat-treating board according to a second transfer function represented by}, wherein the second substrate is disposed just before the subsequent substrate is placed on the heat-treating board. Me a deviation between the temperature and the target temperature determined, the coefficient value of the second transfer function so that the deviation becomes small (proportional action factor, an integral time, and derivative time) and the second temperature control means for modifying Means for initializing the first transfer function with the values of the stored internal variables (proportional element, integral element and differential element) when a subsequent substrate to be processed is mounted. Heat treatment equipment.
記熱処理盤が目標温度になるように次の関係式(1) 【数10】 {式中、Yは操作量、zは制御動作信号、KP は比例動
作係数(比例ゲイン)、TI は積分時間、TD は微分時
間をそれぞれ表す。}で表される第1伝達関数に従って
制御する第1温度制御手段であって、前記被処理基板が
前記熱処理盤から離間される直前の温度と前記目標温度
との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前記第1
伝達関数の各係数値(比例動作係数、積分時間、及び微
分時間)を修正する第1温度制御手段と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の比例要素(KP ・z)の値を記憶する第1記憶部と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の積分要素 【数11】 の値を記憶する第2記憶部と、 先行する被処理基板が離間される時の前記第1伝達関数
の微分要素{KP ・TD ・dz/dt}の値を記憶する
第3記憶部と、 先行する被処理基板が離間してから後続の被処理基板が
載置されるまでの間、次の関係式(2) 【数12】 {式中、Yは操作量、zは制御動作信号、KP ´は比例
動作係数(比例ゲイン)、TI ´は積分時間、TD ´は
微分時間をそれぞれ表す。}で表される第2伝達関数に
従って前記熱処理盤を過加熱しないように前記目標温度
に制御する第2温度制御手段であって、前記後続の被処
理基板が前記熱処理盤に載置される直前の温度と前記目
標温度との偏差を求め、前記偏差が小さくなるように前
記第2伝達関数の係数値(比例動作係数、積分時間、及
び微分時間)を修正する第2温度制御手段と、 後続の被処理基板が載置されるときに、前記記憶した内
部変数の値で前記第1伝達関数を初期化する手段と、を
具備することを特徴とする熱処理装置。8. A heat treatment board on which a substrate to be treated is mounted, means for sequentially transporting the substrate to be treated on the heat treatment board, and the following relational expression (1) so that the heat treatment board reaches a target temperature: Equation 10 In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI represents an integration time, and TD represents a differentiation time. A first temperature control means for controlling according to a first transfer function represented by 表, wherein the substrate to be processed is
The temperature just before being separated from the heat treatment board and the target temperature
And the first is determined so that the deviation is reduced.
Each coefficient value of the transfer function (proportional operation coefficient, integration time, and fine
First temperature control means for correcting the time (minute time), a first storage unit for storing the value of the proportional element (KP · z) of the first transfer function when the preceding substrate to be processed is separated, Integral element of the first transfer function when the substrate to be processed is separated A second storage unit for storing a value of a differential element {KP · TD · dz / dt} of the first transfer function when a preceding substrate to be processed is separated ; From the separation of the preceding substrate to be mounted until the subsequent substrate is placed, the following relational expression (2) is obtained. In the formula, Y represents an operation amount, z represents a control operation signal, KP 'represents a proportional operation coefficient (proportional gain), TI' represents an integration time, and TD 'represents a differentiation time. A second temperature control means for controlling the temperature of the heat-treating board to the target temperature so as not to overheat the heat-treating board according to a second transfer function represented by}, wherein the second substrate is disposed just before the subsequent substrate is placed on the heat-treating board. deviation calculated Me temperature and said target temperature, a second temperature control means for modifying the coefficient values of the second transfer function so that the deviation becomes small (proportional action factor, an integral time, and derivative time), Means for initializing the first transfer function with the stored values of the internal variables when a subsequent substrate to be processed is mounted.
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