JP3245864U - 無線伝送モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気導電板を一体化した無線伝送モジュールを提供する。【解決手段】無線伝送モジュール100Aは、コイルCTLに接続されるように構成された回路アセンブリ101、およびその少なくとも一部が前記回路アセンブリの内部に配置される第1の磁気素子104を含み、前記回路アセンブリは、前記第1の磁気素子に対応する第1の基板102を含む。【選択図】図3
Description
本考案は、無線伝送モジュールに関するものであり、特に、磁気導電板を一体化した無線伝送モジュールに関するものである。
技術の発展に伴い、多くの電子機器(例えば、タブレットまたはスマートフォン)がワイヤレス充電の機能を有するようになった。ユーザーは、電子装置をワイヤレス充電トランスミッター上に置いて、電子装置内のワイヤレス充電レシーバーが、電磁誘導または電磁共鳴を用いて電流を生成し、バッテリーに充電を行うことができる。ワイヤレス充電の利便性により、ワイヤレス充電モジュールを有する電子機器も普及が進んでいる。
一般的に言えば、ワイヤレス充電モジュールは、コイルを支持する1つの磁気伝導性基板を含む。コイルに通電し、ワイヤレス充電モードまたはワイヤレス通信モードを動作したとき、磁気伝導性基板は、コイルからの磁力線をより集中させ、より優れた性能を得ることができる。しかしながら、既存のワイヤレス充電(または通信)モジュールの構造およびコイルの巻き方では、充電、通信性能の向上、サイズの小型化など、無線伝送モジュールのさまざまな要件を満たすことができない。
従って、ユーザーのさまざまなニーズを満たすことができる無線伝送モジュールをどのように設計するかが、目下、探求し、解決すべき課題である。
磁気導電板を一体化した無線伝送モジュールを提供する。
本考案のいくつかの実施形態によれば、本考案は、回路アセンブリおよび第1の磁気素子を含む無線伝送モジュールを提供する。回路アセンブリは、コイルに接続されるように構成される。第1の磁気素子の少なくとも一部は、回路アセンブリの内部に配置される。回路アセンブリは、第1の磁気素子に対応する第1の基板を含む。
本考案のいくつかの実施形態によれば、回路アセンブリは、電子部品を電気的に接続するように構成される。第1の基板は、ガラス繊維、プラスチック、または樹脂などのポリマー材料のうちの少なくとも1つを含む。第1の磁気素子は第1の基板に接続される。第1の磁気素子は強磁性材料を含む。第1の磁気素子はコイルに対応する。
本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは、回路アセンブリ上に配置された導通構造をさらに含む。導通構造は、第1の方向に沿って回路アセンブリを貫通する。導通構造は、回路アセンブリを貫通する貫通孔を含む。第2の方向に沿って見たとき、導通構造は第1の磁気素子の少なくとも一部と重なる。第2の方向は、第1の方向と平行でない。第2の方向は、第1の方向に対して垂直である。導通構造は導電材料からなる。導通構造は第1の磁気素子と接触しない。無線伝送モジュールは、第1の接続要素をさらに含む。第1の磁気素子は、第1の接続要素を介して回路アセンブリに接続される。第1の接続要素の少なくとも一部は、回路アセンブリの内部に位置する。
本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは、第1の接続要素に接続するように構成された第2の接続要素をさらに含む。第1の磁気素子は、第1の接続要素と第2の接続要素との間に位置する。第1の接続要素と第2の接続要素は同じ材料を有する。第2の接続要素の少なくとも一部は、回路アセンブリの内部に位置する。回路アセンブリは、第1の基板に配置された第1の配線をさらに含む。第2の方向に沿って見たとき、第1の配線は第1の接続要素の少なくとも一部と重なる。
本考案のいくつかの実施形態によれば、回路アセンブリは、第2の基板および第2の配線をさらに有する。第2の基板は、第2の接続要素および第1の接続要素を介して第1の基板に接続される。第2の配線は第2の基板に配置される。第2の方向に沿って見たとき、第1の配線は第2の配線と重ならない。第3の方向に沿って見たとき、第1の配線は第2の配線と重ならない。第3の方向は、第1の方向および第2の方向に対して垂直である。第2の方向に沿って見たとき、第1の配線は第2の接続要素と重ならない。第2の方向に沿って見たとき、第2の配線は第2の接続要素の少なくとも一部と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第2の配線は第1の接続要素と重ならない。
本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは第2の磁気素子をさらに含み、第2の磁気素子の少なくとも一部は回路アセンブリの内部に配置される。第2の方向に沿って見たとき、導通構造は第2の磁気素子の少なくとも一部と重なる。導通構造は第2の磁気素子と接触しない。第2の磁気素子は、第2の接続要素を介して回路アセンブリに接続される。第2の方向に沿って見たとき、第2の磁気素子は第2の接続要素と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第2の磁気素子は第1の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第2の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は、第1の接続要素と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は、第2の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第1の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は第2の配線の少なくとも一部と重なる。第1の方向に沿って見たとき、第2の磁気素子は第1の配線の少なくとも一部と重なる。第1の接続要素は、第1の基板と第2の基板との間に位置する。第2の接続要素は、第1の基板と第2の基板との間に位置する。第1の磁気素子は、第1の基板と第2の基板との間に位置する。第2の磁気素子は、第1の基板と第2の基板との間に位置する。第1の磁気素子は複数の分割部を有し、第1の接続要素の一部は隣接する2つの分割部の間に位置する。
本考案のいくつかの実施形態によれば、第2の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は第2の磁気素子と重ならない。第1の磁気素子と第2の磁気素子は異なる特性を有する。第1の磁気素子と第2の磁気素子は異なる透磁率を有する。第2の磁気素子は、基板要素と複数のナノユニットを含む。これらのナノユニットは基板要素内に配置される。基板要素の材料は、第2の接続要素の材料と異なる。第2の方向に沿って見たとき、第1の配線は第1の磁気素子の一部と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第2の配線は第2の磁気素子の一部と重なる。
本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは第2の磁気素子をさらに含み、第2の磁気素子の少なくとも一部は回路アセンブリの内部に配置される。第2の磁気素子は、第2の接続要素を介して回路アセンブリに接続される。第1の磁気素子は、第1の基板の第1の内側面に直接接触する第1の底面を有する。第2の磁気素子は、第2の基板の第2の内側面に直接接触する第2の底面を有する。第1の配線は、第1の基板の第1の内側面上に形成される。第2の配線は、第2の基板の第2の内側面上に形成される。第2の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は第1の接続要素と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は第2の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第2の方向に沿って見たとき、第2の磁気素子は第2の接続要素と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第2の磁気素子は第1の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第2の方向に沿って見たとき、第1の配線は第1の磁気素子の一部と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第2の配線は第2の磁気素子の一部と重なる。第1の磁気素子は、基板要素および複数のナノユニットを含む。これらのナノユニットは基板要素内に配置される。基板要素の材料は、第1の接続要素の材料と異なる。
本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは、第1の接続要素と第2の接続要素との間に配置された第3の接続要素をさらに含む。回路アセンブリは、第3の接続要素を介して第1の磁気素子に接続された第3の配線をさらに含む。第3の配線は、第1の磁気素子と第1の基板との間に位置する。第3の配線は、第1の磁気素子と第1の配線との間に位置する。第3の接続要素と第1の接続要素は同じ材料からなる。第2の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は、第3の接続要素と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第3の配線は第1の接続要素と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第3の配線は第3の接続要素と重ならない。第1の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は第3の配線の少なくとも一部と重なる。無線伝送モジュールが外部電子機器上に配置されたとき、無線伝送モジュールは外部電子機器とデータまたは電力を伝送するように構成される。第1の基板は、外部電子機器上に配置される。第3の配線は、第1の磁気素子と外部電子機器との間に配置される。
本考案のいくつかの実施形態によれば、回路アセンブリは、第2の基板および第2の配線をさらに有する。第2の基板は、第2の接続要素および第1の接続要素を介して第1の基板に接続される。第2の配線は第1の基板に配置される。第2の方向に沿って見たとき、第1の配線は第2の配線の少なくとも一部と重なる。第3の方向に沿って見たとき、第1の配線は第2の配線と重ならない。第3の方向は、第1の方向および第2の方向に対して垂直である。第2の方向に沿って見たとき、第2の配線は第1の接続要素の少なくとも一部と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第1の配線は第2の接続要素と重ならない。第2の方向に沿って見たとき、第2の配線は第2の接続要素と重ならない。無線伝送モジュールは第2の磁気素子をさらに含み、第2の磁気素子は回路アセンブリの内部に配置される。第2の磁気素子は、第2の接続要素を介して回路アセンブリに接続される。第2の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は、第1の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第2の方向に沿って見たとき、第2の磁気素子は、第1の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第2の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は、第2の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第2の方向に沿って見たとき、第2の磁気素子は、第2の接続要素の少なくとも一部と重ならない。無線伝送モジュールは、第1の接続要素と第2の接続要素との間に接続された第3の接続要素をさらに含む。第2の方向に沿って見たとき、第3の接続要素は、第1の磁気素子および第2の磁気素子と重なる。第2の方向に沿って見たとき、第3の接続要素は、第1の配線および第2の配線と重ならない。第2の方向に沿って見たとき、第1の磁気素子は、第2の磁気素子の一部と重なる。第1の磁気素子と第2の磁気素子は異なる特性を有する。第1の磁気素子と第2の磁気素子は異なる透磁率を有する。第1の磁気素子は第1の配線に対応する。第2の磁気素子は第2の配線に対応する。
本考案は、少なくとも1つの基板、少なくとも1つの磁気素子、少なくとも1つの接続要素、および少なくとも1つの配線を含む、エネルギーまたは信号を伝送するための無線伝送モジュールを提案している。少なくとも1つの磁気素子は、接続要素を介して少なくとも1つの基板に固定して接続されることができる。少なくとも1つの配線は少なくとも1つのコイルを構成することができ、コイルは基板上に配置、または接続要素内に配置されることができる。少なくとも1つの磁気素子は少なくとも1つのコイルに対応し、コイルの磁場を集中させ、その伝送効率を向上させる。
本考案の無線伝送モジュールの設計に基づいて、コイルを構成する配線、およびコイルの効率を向上させ、信号歪みを低減する磁気素子は、少なくとも1つの接続要素を介して回路アセンブリ内部のその中の1つのセクションまたは複数のセクション内に配置することができる。従って、無線伝送モジュール全体の厚さを減らすことができる。
また、コイルと磁気素子はプリント回路板の製造工程において回路アセンブリ(プリント回路板)内に直接形成されるため、従来の無線伝送モジュールのように、プリント回路板の製造工程後にさらに人手を介して、磁気素子およびコイルをプリント回路板上に組み立てる必要がなく、これにより、無線伝送モジュールの製造工程のステップをさらに簡素化し、製造時の時間とコストを大幅に削減する。さらに、本考案は、機械的強度の向上、使用効率の向上、充電効率の向上、放熱効率の向上、全体の小型化、全体の軽量化の達成、および電磁干渉の低減などもできる。
以下、提供される主題の異なる特徴を実施するため、具体的な構成要素とその配置の実施形態によって本考案を説明する。当然のことながら、これらの実施形態は単に説明のためのものであり、本考案の範囲を限定するものではない。例えば、本明細書では、第1の特徴構成要素が第2の特徴構成要素の上に形成されると述べられており、これは、第1の特徴構成要素が第2の特徴構成要素と直接接触する実施形態が含まれることができ、第1の特徴要素と第2の特徴要素との間に他の特徴を有する実施形態も含まれることができ、換言すれば、第1の特徴構成要素と第2の特徴構成要素が直接接触していない実施形態を含めることもできる。
また、異なる実施形態の図面では、本開示を明瞭に説明するために、類似の番号および/または対応の番号を用いて、類似の構成要素および/または対応の構成要素を示すことができる。しかしながら、異なる実施形態の図面では、類似の番号および/または対応の番号の使用は、異なる実施形態間の特定の関係を示唆するものではない。さらに、本開示における別の特徴構成要素の上に、別の特徴構成要素を形成、接続、および/または結合することは、特徴構成要素が直接接触して形成される実施形態を含むことができ、且つ上述の特徴構成要素が直接接触しないように上述の特徴構成要素に挿入される追加の特徴構成要素が形成される実施形態も含むことができる。また、「垂直」、「上方」、「上」、「下」、「底」などの空間関連用語、および同様の用語(例えば、「下向き」、「上向き」など)を用いる場合がある。これらの空間関連用語は、図中の1つ(複数の)の構成要素または特徴と別の1つ(複数の)の構成要素または特徴との関係の説明を容易にするために用いられ、これらの空間関連用語は、その特徴を含む装置の異なる向きをカバーすることを意図している。
別の定義がない限り、本明細書で用いられる全ての用語(技術用語および科学用語を含む)は、本考案が属する当業者に一般に理解されるのと同じ意味を有するものとする。一般に用いられる辞書に定義されているようなこれらの用語は、関連技術および本考案の背景または文脈と一致する意味を有するように解釈されるべきであり、本明細書で特に定義されていない限り、理想化されたまたは過度に形式的な方法で解釈されるべきではないと理解されたい。
さらに、明細書および特許請求の範囲で用いられる序数、例えば「第1」、「第2」などの用語は、請求項の構成要素を修飾するためのものであり、それら自体は、請求項の構成要素に任意の先の序数を有することを暗示または意味するものではなく、ある請求項の構成要素と別の請求項の構成要素の順序、または製造方法上の順序を意味するものではなく、このような序数の使用は、ある特定の名前を有する請求項の構成要素を、別の同じ名前を有する請求項の構成要素と明確に区別できるようにすることを意図しているにすぎない。
接合、結合に関する用語、例えば、「接続」および「互いに接続」などは、特に定義されない限り、互いの構造が直接接触することを指すか、または互いの構造が直接接触しないことを指すことができ、且つ接合、結合に関する用語は、2つの構造が移動可能な、または固定した接合、または関係を含むことができる。
図1および図2に示すように、図1は、本考案の一実施形態による無線伝送モジュール100の分解図であり、図2は、図1の線A-Aに沿った、本考案の一実施形態による無線伝送モジュール100の断面図である。無線伝送モジュール100は、エネルギーまたは信号を伝送するために用いることができる無線伝送モジュールであり、回路アセンブリ101および第1の磁気素子104を含むことができる。
例えば、回路アセンブリ101は、プリント回路基板の一部または全部であるが、これに限定されない。回路アセンブリ101はコイルCTLに接続されるように構成され、第1の磁気素子104の少なくとも一部は回路アセンブリ101の内部に配置される。この実施形態では、回路アセンブリ101は、第1の磁気素子104に対応する第1の基板102を含む。
第1の基板102は、例えば、プリント回路基板の基材であり、例えば、ガラス繊維およびプラスチックのうちの少なくとも1つを含むことができる。コイルCTLは、例えば、第1の基板102上に形成された金属配線である。また、第1の基板102上は、1つ以上の金属溶接点を形成して、1つ以上の電子部品(例えば、抵抗器またはコンデンサなど、図示せず)を配置することもでき、回路アセンブリ101を1つの以上の前述の電子部品に電気的接続させることもできる。
さらに、第1の磁気素子104は第1の基板102に接続されるように構成され、第1の磁気素子104は強磁性材料を含む。例えば、第1の磁気素子104は、フェライト(軟磁性、硬磁性、または粉末などを含む)またはナノ結晶などの材料を有することができる。第1の磁気素子104は、対応するコイル(例えばコイルCTL)の磁場をより集中させ、伝送効率を向上させ、信号の歪みを低減させることができる。
また、無線伝送モジュール100は、第1の接続要素106をさらに含み、第1の磁気素子104は、第1の接続要素106を介して回路アセンブリ101の第1の基板102に接続される。第1の接続要素106は、エポキシ樹脂などの高分子材料で形成されることができるが、これに限定されない。
図1および図2に示されるように、第1の接続要素106は、高温または高圧プロセスによって第1の基板102に接着されることができ、第1の磁気素子104は第1の接続要素106によってその中に覆われることができる。この実施形態では、第1の接続要素106の厚さは15μm~300μmの間であるが、これに限定されない。第1の磁気素子104の厚さは、例えば0.1mmであるが、これに限定されない。
さらに、回路アセンブリ101は、第1の保護素子120および第2の保護素子130をさらに含むことができる。第1の保護素子120は、第1の接続要素106上に固定して配置され、第1の接続要素106および第1の磁気素子104を保護することができる。
第2の保護素子130は、第1の基板102の底部に固定して配置され、一部の第2の保護素子130はコイルCTLを覆ってコイルCTLを保護することができる。第1の保護素子120および第2の保護素子130は、例えば、樹脂または高分子材料からなる保護層であるが、これに限定されない。このような構造構成に基づいて、第1の接続要素106の少なくとも一部は回路アセンブリ101の内部に位置する。
図2に示すように、無線伝送モジュール100は、回路アセンブリ101上に配置された導通構造VA1をさらに含むことができる。導通構造VA1は、第1の方向D1に沿って回路アセンブリ101を貫通する。具体的には、導通構造VA1は、例えば、回路アセンブリ101を貫通するスルーホール(VIA)であってもよい。このうち、一部の第1の保護素子120および第2の保護素子130は、一部の導通構造VA1を覆って保護効果を得ることができる。
さらに、第2の方向D2に沿って見たとき、導通構造VA1は、第1の磁気素子104の少なくとも一部と重なる。第2の方向D2は、第1の方向D1に対して平行ではなく、例えば、第2の方向D2は第1の方向D1に対して垂直である。さらに、導通構造VA1は、例えば、銅などの導電性材料で形成されることができるが、これに限定されない。導通構造VA1は第1の磁気素子104に接触しないことに留意されたい。
上述の構成に基づいて、本実施形態では、コイルCTLは充電コイルとなり、外部装置にワイヤレス充電を行うように用いられることができる。例えば、コイルCTLは、A4WP(Alliance for Wireless Power)規格に基づく共鳴充電コイルとなることができるが、これに限定されない。さらに、コイルCTLは、例えばQi規格などのワイヤレスパワーコンソーシアム(WPC)規格に基づいて、誘導充電コイルとなることができる。
従って、この実施方法は、コイルCTLが異なる形式の充電方法に同時に対応して、適用可能な範囲を増加させるようにすることができる。例えば、近距離(例えば1cm以下)では誘導動作を用い、長距離では共振動作を用いる。この実施形態では、コイルCTLは、例えば、近距離無線通信(Near Field Communication; NFC)モードで動作し、外部電子機器と通信を行う通信コイルとなることもできる。例えば、コイルCTLの動作周波数帯域は、例えば、100MHz~13.6GHzの間とすることができるが、これに限定されない。
図3および図4に示すように、図3は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール100Aの分解図であり、図4は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール100Aの部分構造の立体断面図である。前述の実施形態の無線伝送モジュール100と比較して、本実施形態の無線伝送モジュール100Aは、第2のベース103および第2の接続要素110をさらに含むことができる。
第2の接続要素110は、第1の接続要素106に接続するように構成され、第1の磁気素子104は、第1の接続要素106と第2の接続要素110との間に位置する。第1の接続要素106と第2の接続要素110は同じ材料を有するが、これに限定されない。第1の接続要素106と同様に、第2の接続要素110の少なくとも一部は回路アセンブリ101の内部に位置する。
回路アセンブリ101は、第1の基板102に配置された第1の配線CT1および第2の配線CT2をさらに含む。具体的には、第1の配線CT1および第2の配線CT2は、第1の基板102の対向する面に形成される。ここでの第1の配線CT1および第2の配線CT2の厚さは、例えば、9μm~70μmであるが、これに限定されない。
ここでの第1の接続要素106は第1の配線CT1上に配置される。
即ち、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の配線CT1は、第1の接続要素106の少なくとも一部と重なる。
即ち、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の配線CT1は、第1の接続要素106の少なくとも一部と重なる。
同様に、第1の磁気素子104は、第2の接続要素110を介して第2の基板103に接続される。第2の方向D2に沿って見たとき、第2の接続要素110は第1の磁気素子104の少なくとも一部と重なる。
図4に示すように、無線伝送モジュール100は、別の導通構造VA2をさらに含むことができ、コイルCTLは、導通構造VA1および導通構造VA2を介して第2の配線CT2に電気的に接続されることができる。同様に、第2の配線CT2も他の導通構造(図示せず)を介して第1の配線CT1に電気的に接続することができる。
前述の実施形態と同様に、第2の方向D2に沿って見たとき、導通構造VA1および導通構造VA2は、第1の磁気素子104の少なくとも一部と重なるが、導通構造VA1および導通構造VA2は第1の磁気素子104に接触しない。
また、図4に示すように、本実施形態の回路アセンブリ101も第1の基板102および第2の基板103上にそれぞれ固定して配置された第1の保護素子120および第2の保護素子130を含むこともでき、ここでの一部の第1の保護素子120および第2の保護素子130は、第1の配線CT1およびコイルCTLの一部を覆い、第1の配線CT1およびコイルCTLを保護することができる。第1の保護素子120および第2の保護素子130の構成は本実施形態に限定されるものではなく、後述する実施形態において、保護素子に加えられて配線またはコイルに対して保護を行うこともできる。
次いで、図5に示すように、図5は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール100Bの部分構造の断面図である。この実施形態では、無線伝送モジュール100Bは、第2の基板103、第2の接続要素110、および第3の接続要素112も含む。第2の接続要素110は第3の接続要素112に接続されるように構成され、第3の接続要素112は第1の接続要素106に接続されるように構成され、第1の磁気素子104は、第1の接続要素106の一部(第1の基板102に近い部分)と第2の接続要素110との間に位置する。
回路アセンブリ101は、第1の基板102上に配置された第1の配線CT1も含む。ここでの第1の接続要素106は、第1の配線CT1上に配置される。即ち、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の配線CT1は、第1の接続要素106の少なくとも一部と重なる。
この実施形態では、第1の磁気素子104は、第1の接続要素106を介して第1の基板102に接続される。第2の方向D2に沿って見たとき、第1の接続要素106は、第1の磁気素子104の少なくとも一部と重なる。
また、第2の基板103は、第2の接続要素110および第1の接続要素106を介して第1の基板102に接続され、回路アセンブリ101はさらに第2の配線CT2をさらに有する。ここでの第2の配線CT2は、第2の基板103上に配置される。
第2の方向D2に沿って見たとき、第1の配線CT1は第2の配線CT2と重ならないことに留意されたい。即ち、第1の配線CT1と第2の配線CT2は、異なるセクションに位置している。例えば、第1の配線CT1は第1のセクションSC1に位置し、第2の配線CT2は第2のセクションSC2に位置する。
また、第3の方向D3(Y軸)に沿って見たとき、第1の配線CT1も第2の配線CT2と重ならない。ここでの第3の方向D3は、図面に垂直な方向であり、第3の方向D3も第1の方向D1および第2の方向D2に垂直である。
また、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の配線CT1は、第2の接続要素110と重ならない。第2の方向D2に沿って見たとき、第2の配線CT2は第2の接続要素110の少なくとも一部と重なり、第2の方向D2に沿って見たとき、第2の配線CT2は第1の接続要素106と重ならない。
本実施形態では、無線伝送モジュール100Bは、第2の磁気素子105をさらに含み、第2の磁気素子105の少なくとも一部は、回路アセンブリ101の内部に配置される。前述の実施形態と同様に、無線伝送モジュール100Bも回路アセンブリ101を貫通する導通構造VA1を含むことができる。
図5に示すように、第2の方向D2に沿って見たとき、導通構造VA1は、第1の磁気素子104および第2の磁気素子105の少なくとも一部と重なり、導通構造VA1は、第1の磁気素子104および第2の磁気素子105に接触しない。
本実施形態では、第2の磁気素子105は、第2の接続要素110を介して回路アセンブリ101の第2の基板103に接続されている。第2の方向D2に沿って見たとき、第2の磁気素子105は第2の接続要素110と重なる。第2の方向D2に沿って見たとき、第2の磁気素子105は、第1の接続要素106の少なくとも一部と重ならない。
即ち、第2の磁気素子105と第1の接続要素106は、異なるセクションに配置されている。ここでの第1の接続要素106は第1のセクションSC1に位置し、第2の磁気素子105は第2のセクションSC2に位置する。
さらに、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の磁気素子104は第1の接続要素106と重なる。第2の方向D2に沿って見たとき、第1の磁気素子104は、第2の接続要素110の少なくとも一部と重ならない。即ち、第1の磁気素子104と第2の接続要素110は、異なるセクションに配置されている。
また、図5に示すように、第1の方向D1に沿って見たとき、第1の磁気素子104は、第2の配線CT2の少なくとも一部と重なり、いくつかの実施形態では、第1の磁気素子104は、第2の配線CT2の少なくとも一部と重ならないこともできる。同様に、第1の方向D1に沿って見たとき、第2の磁気素子105は第1の配線CT1の少なくとも一部と重なるが、いくつかの実施形態では、第2の磁気素子105は第1の配線CT1の少なくとも一部と重ならないこともできる。
この実施形態では、第1の接続要素106は、第1の基板102と第2の基板103との間に位置し、第2の接続要素110は、第1の基板102と第2の基板103との間に位置する。同様に、第1の磁気素子104は第1の基板102と第2の基板103との間に位置し、第2の磁気素子105は第1の基板102と第2の基板103との間に位置する。
この実施形態では、第1の磁気素子104はフェライトからなり、複数の分割部104PPから構成されることができ、第1の接続要素106の一部は隣接する2つの分割部104PPの間に位置することに留意されたい。即ち、第1の接続要素106は、これらの分割部104PPを互いに接着することができる。
第2の方向D2に沿って見たとき、第1の磁気素子104は第2の磁気素子105と重ならない。即ち、第1の磁気素子104と第2の磁気素子105は、異なるセクションに位置する。
第1の磁気素子104と第2の磁気素子105は異なる特性を有する。具体的には、第1の磁気素子104と第2の磁気素子105は、第1の配線CT1および第2の配線CT2にそれぞれ対応する異なる透磁率を有することができる。
ここでの第1の配線CT1は第1のコイルを形成することができ、第2の配線CT2は第2のコイルを形成することができる。異なる透磁率の第1の磁気素子104と第2の磁気素子105により、第1のコイルと第2のコイルの効率を効果的に高めることができ、第1のコイルと第2のコイルは異なる機能を実行することができる。
この実施形態では、第2の磁気素子105と第1の磁気素子104は異なる材料からなることができる。例えば、第2の磁気素子105は、基板要素1051および複数のナノユニット1052を含むナノ結晶材料からなることができる。これらのナノユニット1052は、例えば、基板要素1051内に配置されたナノ結晶であり、基板要素1051の材料は、第2の接続要素110の材料とは異なり、例えば、樹脂などの異なるポリマー材料からなる。
第2の方向D2に沿って見たとき、第1の配線CT1は、第1の磁気素子104の一部と重なる。第2の方向D2に沿って見たとき、第2の配線CT2は、第2の磁気素子105の一部と重なる。このような構成により、無線伝送モジュール100Bの全体の厚さを減らすことができ、それにより薄型化の利点を達成することができる。
この実施形態では、第3の接続要素112は、第1の接続要素106と第2の接続要素110との間に配置される。第2の方向D2に沿って見たとき、第3の接続要素112は、第1の磁性要素104および第2の磁性要素105と重ならない。
さらに、第2の方向D2に沿って見たとき、第3の接続要素112は、第1の配線CT1および第2の配線CT2と重ならない。即ち、第3の接続要素112と上述の素子とは異なるセクションに配置されている。具体的には、第3の接続要素112は第3のセクションSC3に位置する。
さらに、いくつかの実施形態では、第3の接続要素112も省略することができるため、無線伝送モジュール100Bの全体の厚さをさらに減らすことができ、それにより薄型化の利点を達成することができることに留意されたい。
次いで、図6に示すように、図6は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール100Cの部分構造の断面図である。本実施形態では、無線伝送モジュール100Cは、無線伝送モジュール100Bと同様であるが、異なる点は、第1の磁気素子104が第1の基板102の第1の内側面102S1に直接接触する第1の底面104S1を有し、第2の磁気素子105が第2の基板103の第2の内側面103S1に直接接触する第2の底面105S1を有することである。
また、第1の配線CT1は、第1の基板102の第1の内側面102S1上に形成され、第2の配線CT2は、第2の基板103の第2の内側面103S1上に形成される。
第2の方向D2に沿って見たとき、第1の磁気素子104は第1の接続要素106に重なり、第2の磁気素子105は第2の接続要素110に重なる。第2の方向D2に沿って見たとき、第1の磁気素子104は第2の接続要素110の少なくとも一部と重ならず、第2の方向D2に沿って見たとき、第2の磁気素子105は第1の接続要素106の少なくとも一部と重ならない。
さらに、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の配線CT1は第1の磁気素子104の一部と重なり、第2の方向D2に沿って見たとき、第2の配線CT2は第2の磁気素子105の一部と重なる。
無線伝送モジュール100Cは第1の接続要素106および第2の接続要素110のみを含み、即ち前述の実施形態の第3の接続要素112が省略されていることに留意されたい。このような構成および上述の配線および磁気素子の構成に基づいて、無線伝送モジュール100Cは、全体の厚さをさらに減らすことができ、それにより薄型化の利点を達成する。
さらに、前述の実施形態と同様に、この実施形態の第1の磁気素子104は、例えばナノ結晶材料からなり、第2の磁気素子105は、例えばフェライトからなる。第1の磁気素子104は、基板要素1041および複数のナノユニット1042を含むことができ、これらのナノユニット1042は基板要素1041内に配置される。基板要素1041の材料は、第1の接続要素106の材料とは異なる。即ち、第1の接続要素106は、隣接するナノユニット1042の間に位置しない。
次いで、図7に示すように、図7は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール100Dの部分構造の断面図である。この実施形態では、無線伝送モジュール100Dは、第1の接続要素106、第2の接続要素110、および第3の接続要素112を含み、第3の接続要素112は、第1の接続要素106および第2の接続要素110との間に配置される。
さらに、回路アセンブリ101は、第1の基板102および第2の基板103上にそれぞれ形成された第1の配線CT1および第2の配線CT2を含む。また、回路アセンブリ101は、一部の第1の接続要素106を介して第3の接続要素112に接続された第3の配線CT3をさらに含み、第3の接続要素112は第1の磁気素子104に接続される。
第3の配線CT3は、第1の磁気素子104と第1の基板102との間に位置し、第3の配線CT3は、第1の磁気素子104と第1の配線CT1との間に位置する。第3の接続要素112は、第1の接続要素106および第2の接続要素110と同じ材料を有する。
ここでの第1の磁気素子104は、第3の接続要素112内に配置される。即ち、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の磁気素子104は第3の接続要素112と重なる。
第2の方向D2に沿って見たとき、第3の配線CT3は第1の接続要素106と重なる。第2の方向D2に沿って見たとき、第3の配線CT3は第3の接続要素112と重ならない。また、第1の方向D1に沿って見たとき、第1の磁気素子104は、第3の配線CT3の少なくとも一部と重なる。
この実施形態では、第3の配線CT3は、外部電子機器50と通信またはそれに対して充電を行うコイル(例えばコイルCTL)となることができる。従って、図7に示すように、無線伝送モジュール100Dが外部電子機器50上に配置されるとき、無線伝送モジュール100Dは、外部電子機器50とデータまたは電力を伝送するように構成される。
外部電子機器50は、通信または通電に用いられる任意の電子機器であることができる。例えば、外部電子機器50は、スマートフォン、スマートウォッチ、またはタブレットコンピュータなどであることができるが、これらに限定されない。
図7に示されるように、第1の基板102は、外部電子機器50上に配置される。第3の配線CT3は、第1の磁気素子104と外部電子機器50との間に配置され、第1の磁気素子104、第3の配線CT3および外部電子機器50は、第1の方向D1に沿って順次に配置される。
このような構造構成により、コイル(第3の配線CT3)を回路アセンブリ101の内部に形成することができ、従来の無線伝送モジュールと比較して、本実施形態の無線伝送モジュール100Dは、コイルを保護するという利点を達成することができるだけでなく、薄型化という目的も達成することができる。
次いで、図8に示すように、図8は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール100Eの部分構造の断面図である。前述の実施形態と同様に、この実施形態では、回路アセンブリ101は第1の基板102および第2の基板103を有し、回路アセンブリ101は第1の配線CT1および第2の配線CT2も有する。
ここでの第2の基板103は第2の接続要素110、第3の接続要素112、および第1の接続要素106に接続され、第1の接続要素106は第1の基板102に接続され、第2の配線CT2は第1の基板102上に配置される。同様に、第1の配線CT1も第1の基板102上に配置される。即ち、第1の配線CT1および第2の配線CT2は、第1の基板102の第1の内側面102S1上に形成される。
図8に示すように、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の配線CT1は、第2の配線CT2の少なくとも一部と重なる。また、第3の方向D3に沿って見たとき、第1の配線CT1は第2の配線CT2と重ならない。ここでの第3の方向D3は、第1の方向D1および第2の方向D2に対して垂直である。
第2の方向D2に沿って見たとき、第2の配線CT2は第1の接続要素106の少なくとも一部と重なり、第1の配線CT1も第1の接続要素106の少なくとも一部と重なる。即ち、第1の配線CT1と第2の配線CT2は、同一のセクション(第1のセクションSC1)に位置する。
従って、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の配線CT1は、第2の接続要素110と重ならない。第2の方向D2に沿って見たとき、第2の配線CT2は、第2の接続要素110と重ならない。即ち、第1の配線CT1と第2の配線CT2は、第2のセクションSC2に位置しない。
本実施形態では、無線伝送モジュール100Eは、第1の磁気素子104および第2の磁気素子105を含み、第1の磁気素子104と第2の磁気素子105は回路アセンブリ101の内部に配置される。
第2の磁気素子105は第2の接続要素110に接続され、第2の接続要素110は回路アセンブリ101の第2の基板103に接続される。第1の磁気素子104は第2の接続要素110に接続され、第2の接続要素110は回路アセンブリ101の第2の基板103に接続される。
第2の方向D2に沿って見たとき、第1の磁気素子104は、第1の接続要素106の少なくとも一部と重ならず、第2の方向D2に沿って見たとき、第2の磁気素子105も第1の接続要素106の少なくとも一部と重ならない。同様に、第2の方向D2に沿って見たとき、第1の磁気素子104は、第2の接続要素110の少なくとも一部と重ならず、第2の方向D2に沿って見たとき、第2の磁気素子105は、第2の接続要素110の少なくとも一部と重ならない。
具体的には、この実施形態では、無線伝送モジュール100Eは、第1の接続要素106と第2の接続要素110との間に接続された第3の接続要素112も含む。第2の方向D2に沿って見たとき、第3の接続要素112は、第1の磁気素子104および第2の磁気素子105と重なる。
第2の方向D2に沿って見たとき、第3の接続要素112は、第1の配線CT1および第2の配線CT2と重ならない。第2の方向D2に沿って見たとき、第1の磁気素子104は第2の磁気素子105の一部と重なる。即ち、第1の磁気素子104と第2の磁気素子105は同一のセクション(第3のセクションSC3)に位置する。
本実施形態では、第1の磁気素子104と第2の磁気素子105は異なる特性を有する。具体的には、第1の磁気素子104と第2の磁気素子105は異なる透磁率を有する。
ここでの第1の配線CT1は第1のコイルを構成することができ、第2の配線CT2は第2のコイルを構成することができ、第1の磁気素子104は第1の配線CT1に対応し、第2の磁気素子105は第2の配線CT2に対応する。即ち、第1の磁気素子104および第2の磁気素子105は、それぞれ第1のコイルおよび第2のコイルの磁場をより集中させ、伝送効率をさらに向上させることができる。
なお、図7および図8は導電構造を図示していないが、無線伝送モジュール100Dおよび無線伝送モジュール100Eが前述の導電構造を有しないことを意味するものではないことに留意されたい。即ち、これらの2つの実施形態は、前述の実施形態の導通構造(例えば、導通構造VA1)および関連する構造構成も含むことができる。
本考案は、少なくとも1つの基板、少なくとも1つの磁気素子、少なくとも1つの接続要素、および少なくとも1つの配線を含む、エネルギーまたは信号を伝送するために用いる無線伝送モジュールを提案する。少なくとも1つの磁気素子は、接続要素を介して少なくとも1つの基板に固定して接続することができる少なくとも1つの配線は少なくとも1つのコイルを構成することができ、コイルは基板上または接続要素内に配置されることができる。少なくとも1つの磁気素子は少なくとも1つのコイルに対応し、コイルの磁場を集中させ、その伝送効率を向上させる。
本考案の無線伝送モジュールの設計に基づいて、コイルを構成する配線、およびコイルの効率を向上させ、信号歪みを低減する磁気素子は、少なくとも1つの接続要素を介して回路アセンブリ内部のその中の1つのセクションまたは複数のセクション内に配置することができる。従って、無線伝送モジュール全体の厚さを減らすことができる。
また、コイルと磁気素子はプリント回路板の製造工程において回路アセンブリ(プリント回路板)内に直接形成されるため、従来の無線伝送モジュールのように、プリント回路板の製造工程後にさらに人手を介して、磁気素子およびコイルをプリント回路板上に組み立てる必要がなく、これにより、無線伝送モジュールの製造工程のステップをさらに簡素化し、製造時の時間とコストを大幅に削減する。さらに、本考案は、機械的強度の向上、使用効率の向上、充電効率の向上、放熱効率の向上、全体の小型化、全体の軽量化の達成、および電磁干渉の低減などもできる。
「第1の」、「第2の」、「第3の」などの本明細書の記述および請求項の序数は、それ自体が順序を示唆するものではなく、同じの名前を有する2つの異なる要素を区別するためだけに用いられていることは理解されるべきである。
本考案のいくつかの実施形態およびそれらの利点が詳細に記載されているが、添付の請求の範囲によって定義されるように、本考案の趣旨および範囲を逸脱せずに、本明細書において種々の変更、置換、および代替をすることができることを理解されたい。例えば、本明細書で述べられる特徴、機能、プロセス、および材料の多くが本開示の範囲を逸脱することなく変更できることが当業者にとっては容易に理解されるだろう。また、本開示の保護範囲は、本明細書に記載された特定の実施形態におけるプロセス、機械、製造、物質の組成、装置、方法、およびステップに限定されない。当該技術分野の通常の知識を有する者なら誰でも、本明細書に記載の実施形態とそれらが実質的に同じ機能を実施するか、または実質的に同じ結果を達成することができる限り、本開示の内容より、現在または将来開発されるプロセス、機械、製造、物質の組成、装置、方法、およびステップを理解することができる。従って、本発明の保護範囲は、上述のプロセス、機械、製造、物質の組成、装置、方法、およびステップを含む。また、各請求の範囲は、個別の実施形態を構成し、各請求の範囲及び実施形態の組み合わせは、本考案の保護範囲である。
100、100A~100E 無線伝送モジュール
101 回路アセンブリ
102 第1の基板
102S1 第1の内側面
103 第2の基板
103S1 第2の内側面
104 第1の磁気素子
1041 基板要素
1042 ナノユニット
104PP 分割部
104S1 第1の底面
105 第2の磁気素子
1051 基板要素
1052 ナノユニット
105S1 第2の底面
106 第1の接続要素
110 第2の接続要素
112 第3の接続要素
120 第1の保護素子
130 第2の保護素子
50 外部電子機器
A-A 線
CT1 第1の配線
CT2 第2の配線
CT3 第3の配線
CTL コイル
D1 第1の方向
D2 第2の方向
D3 第3の方向
SC1 第1のセクション
SC2 第2のセクション
SC3 第3のセクション
VA1 導通構造
VA2 導通構造
X X軸
Y Y軸
Z Z軸
101 回路アセンブリ
102 第1の基板
102S1 第1の内側面
103 第2の基板
103S1 第2の内側面
104 第1の磁気素子
1041 基板要素
1042 ナノユニット
104PP 分割部
104S1 第1の底面
105 第2の磁気素子
1051 基板要素
1052 ナノユニット
105S1 第2の底面
106 第1の接続要素
110 第2の接続要素
112 第3の接続要素
120 第1の保護素子
130 第2の保護素子
50 外部電子機器
A-A 線
CT1 第1の配線
CT2 第2の配線
CT3 第3の配線
CTL コイル
D1 第1の方向
D2 第2の方向
D3 第3の方向
SC1 第1のセクション
SC2 第2のセクション
SC3 第3のセクション
VA1 導通構造
VA2 導通構造
X X軸
Y Y軸
Z Z軸
Claims (10)
- コイルに接続されるように構成された回路アセンブリ、および
その少なくとも一部が前記回路アセンブリの内部に配置される第1の磁気素子を含み、
前記回路アセンブリは、前記第1の磁気素子に対応する第1の基板を含む無線伝送モジュール。 - 前記回路アセンブリは、電子部品を電気的に接続するように構成され、
前記第1の基板は、ガラス繊維、プラスチック、または樹脂などのポリマー材料のうちの少なくとも1つを含み、
前記第1の磁気素子は前記第1の基板に接続され、
前記第1の磁気素子は強磁性材料を含み、
前記第1の磁気素子は前記コイルに対応する請求項1に記載の無線伝送モジュール。 - 前記無線伝送モジュールは、前記回路アセンブリ上に配置された導通構造をさらに含み、
前記導通構造は、第1の方向に沿って前記回路アセンブリを貫通し、
前記導通構造は、前記回路アセンブリを貫通する貫通孔を含み、
第2の方向に沿って見たとき、前記導通構造は前記第1の磁気素子の少なくとも一部と重なり、
前記第2の方向は、前記第1の方向と平行でなく、
前記第2の方向は、前記第1の方向に対して垂直であり、
前記導通構造は導電材料からなり、
前記導通構造は前記第1の磁気素子と接触せず、
前記無線伝送モジュールは、第1の接続要素をさらに含み、
前記第1の磁気素子は、前記第1の接続要素を介して前記回路アセンブリに接続され、
前記第1の接続要素の少なくとも一部は、前記回路アセンブリの内部に位置する請求項1に記載の無線伝送モジュール。 - 前記無線伝送モジュールは、前記第1の接続要素に接続するように構成された第2の接続要素をさらに含み、
前記第1の磁気素子は、前記第1の接続要素と前記第2の接続要素との間に位置し、
前記第1の接続要素と前記第2の接続要素は同じ材料を有し、
前記第2の接続要素の少なくとも一部は、前記回路アセンブリの内部に位置し、
前記回路アセンブリは、前記第1の基板に配置された第1の配線をさらに含み、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の配線は前記第1の接続要素の少なくとも一部と重なる請求項3に記載の無線伝送モジュール。 - 前記回路アセンブリは、第2の基板および第2の配線をさらに有し、
前記第2の基板は、前記第2の接続要素および前記第1の接続要素を介して前記第1の基板に接続され、
前記第2の配線は前記第2の基板に配置され、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の配線は前記第2の配線と重ならず、
第3の方向に沿って見たとき、前記第1の配線は前記第2の配線と重ならず、
前記第3の方向は、前記第1の方向および前記第2の方向に対して垂直であり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の配線は前記第2の接続要素と重ならず、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の配線は前記第2の接続要素の少なくとも一部と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の配線は前記第1の接続要素と重ならない請求項4に記載の無線伝送モジュール。 - 前記無線伝送モジュールは第2の磁気素子をさらに含み、
前記第2の磁気素子の少なくとも一部は前記回路アセンブリの内部に配置され、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記導通構造は前記第2の磁気素子の少なくとも一部と重なり、
前記導通構造は前記第2の磁気素子と接触せず、
前記第2の磁気素子は、前記第2の接続要素を介して前記回路アセンブリに接続され、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の磁気素子は前記第2の接続要素と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の磁気素子は前記第1の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は、前記第1の接続要素と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は、前記第2の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
前記第1の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は前記第2の配線の少なくとも一部と重なり、
前記第1の方向に沿って見たとき、前記第2の磁気素子は前記第1の配線の少なくとも一部と重なり、
前記第1の接続要素は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に位置し、
前記第2の接続要素は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に位置し、
前記第1の磁気素子は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に位置し、
前記第2の磁気素子は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に位置し、
前記第1の磁気素子は複数の分割部を有し、前記第1の接続要素の一部は隣接する2つの分割部の間に位置する請求項5に記載の無線伝送モジュール。 - 前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は前記第2の磁気素子と重ならず、
前記第1の磁気素子と前記第2の磁気素子は異なる特性を有し、
前記第1の磁気素子と前記第2の磁気素子は異なる透磁率を有し、
前記第2の磁気素子は、基板要素と複数のナノユニットを含み、
前記ナノユニットは前記基板要素内に配置され、
前記基板要素の材料は、前記第2の接続要素の材料と異なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の配線は前記第1の磁気素子の一部と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の配線は前記第2の磁気素子の一部と重なる請求項6に記載の無線伝送モジュール。 - 前記無線伝送モジュールは第2の磁気素子をさらに含み、前記第2の磁気素子の少なくとも一部は前記回路アセンブリの内部に配置され、
前記第2の磁気素子は、前記第2の接続要素を介して前記回路アセンブリに接続され、
前記第1の磁気素子は、前記第1の基板の第1の内側面に直接接触する第1の底面を有し、
前記第2の磁気素子は、前記第2の基板の第2の内側面に直接接触する第2の底面を有し、
前記第1の配線は、前記第1の基板の前記第1の内側面上に形成され、
前記第2の配線は、前記第2の基板の前記第2の内側面上に形成され、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は前記第1の接続要素と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は前記第2の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の磁気素子は前記第2の接続要素と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の磁気素子は前記第1の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の配線は前記第1の磁気素子の一部と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の配線は前記第2の磁気素子の一部と重なり、
前記第1の磁気素子は、基板要素および複数のナノユニットを含み、 前記ナノユニットは前記基板要素内に配置され、
前記基板要素の材料は、前記第1の接続要素の材料と異なる請求項5に記載の無線伝送モジュール。 - 前記無線伝送モジュールは、前記第1の接続要素と前記第2の接続要素との間に配置された第3の接続要素をさらに含み、
前記回路アセンブリは、前記第3の接続要素を介して前記第1の磁気素子に接続された第3の配線をさらに含み、
前記第3の配線は、前記第1の磁気素子と前記第1の基板との間に位置し、
前記第3の配線は、前記第1の磁気素子と前記第1の配線との間に位置し、
前記第3の接続要素と前記第1の接続要素は同じ材料からなり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は、前記第3の接続要素と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第3の配線は前記第1の接続要素と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第3の配線は前記第3の接続要素と重ならず、
前記第1の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は前記第3の配線の少なくとも一部と重なり、
前記無線伝送モジュールが外部電子機器上に配置されたとき、前記無線伝送モジュールは前記外部電子機器とデータまたは電力を伝送するように構成され、
前記第1の基板は、前記外部電子機器上に配置され、
前記第3の配線は、前記第1の磁気素子と前記外部電子機器との間に配置される請求項5に記載の無線伝送モジュール。 - 前記回路アセンブリは、第2の基板および第2の配線をさらに有し、
前記第2の基板は、前記第2の接続要素および前記第1の接続要素を介して前記第1の基板に接続され、
前記第2の配線は前記第1の基板に配置され、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の配線は前記第2の配線の少なくとも一部と重なり、
第3の方向に沿って見たとき、前記第1の配線は前記第2の配線と重ならず、
前記第3の方向は、前記第1の方向および前記第2の方向に対して垂直であり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の配線は前記第1の接続要素の少なくとも一部と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の配線は前記第2の接続要素と重ならず、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の配線は前記第2の接続要素と重ならず、
前記無線伝送モジュールは第2の磁気素子をさらに含み、前記第2の磁気素子は前記回路アセンブリの内部に配置され、
前記第2の磁気素子は、前記第2の接続要素を介して前記回路アセンブリに接続され、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は、前記第1の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の磁気素子は、前記第1の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は、前記第2の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第2の磁気素子は、前記第2の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
前記無線伝送モジュールは、前記第1の接続要素と前記第2の接続要素との間に接続された第3の接続要素をさらに含み、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第3の接続要素は、前記第1の磁気素子および前記第2の磁気素子と重なり、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第3の接続要素は、前記第1の配線および前記第2の配線と重ならず、
前記第2の方向に沿って見たとき、前記第1の磁気素子は、前記第2の磁気素子の一部と重なり、
前記第1の磁気素子と前記第2の磁気素子は異なる特性を有し、
前記第1の磁気素子と前記第2の磁気素子は異なる透磁率を有し、
前記第1の磁気素子は前記第1の配線に対応し、
前記第2の磁気素子は前記第2の配線に対応する請求項4に記載の無線伝送モジュール。
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