JP3196131B2 - Semiconductor wafer transfer method - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの搬送方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for transferring a semiconductor wafer.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスは、成膜処理、エッチン
グ処理、イオン注入処理及びアッシング処理などの多く
の処理を経て製造されるが、この種の処理は大気と気密
に区画された真空雰囲気あるいは常圧雰囲気中で行われ
る。このため半導体の処理ステーションは、例えば真空
処理ステーションでは、半導体ウエハ（以下「ウエハ」
という）を２５枚収納するカセットを載置するための入
出力ポートと、真空処理室及びロードロック室と、入出
力ポートからロードロック室を介して真空処理室内へウ
エハを搬入し、また逆の経路で搬出する搬送手段と、搬
送路中に設けられた、ウエハのオリエンテーションフラ
ット（以下「オリフラ」という）やウエハの中心を合わ
せるための位置合わせ機構とを備えている。2. Description of the Related Art A semiconductor device is manufactured through many processes such as a film forming process, an etching process, an ion implantation process, and an ashing process. This type of process is performed in a vacuum atmosphere or a vacuum atmosphere which is airtightly partitioned from the atmosphere. It is performed in a pressurized atmosphere. For this reason, a semiconductor processing station is, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, “wafer”) in a vacuum processing station.
), A vacuum processing chamber and a load lock chamber, and a wafer is loaded from the input / output port into the vacuum processing chamber via the load lock chamber, and vice versa. The apparatus includes a transfer unit that unloads the wafer along a path, and a positioning mechanism that is provided in the transfer path and aligns the center of the wafer with an orientation flat (hereinafter, referred to as “orientation flat”) of the wafer.

【０００３】ところで真空処理室に何らかの異常が起き
た場合、例えばガス流量や電力などのプロセス条件が所
定値から外れた場合、アラームが発せられて処理が中止
される。このときオペレータの判断によりリセット処理
して装置を再スタートさせ、その後異常が解除されてい
る場合には中止されたウエハがカセットに戻された後、
次のウエハから通常の処理が行われる。従ってこのよう
な場合にはカセットに戻されたウエハの中には通常の処
理が行われなかったウエハも含まれることになるが、当
該ウエハについては例えば上位のコンピュータのデータ
シートにもとづいてオペレータがそのウエハを含むカセ
ットを判別し、そのカセットの中からウエハを取り除
き、廃棄されることとなる。[0003] When some abnormality occurs in the vacuum processing chamber, for example, when process conditions such as gas flow rate and electric power deviate from predetermined values, an alarm is issued and the processing is stopped. At this time, reset processing is performed by the operator's judgment, the apparatus is restarted, and if the abnormality has been resolved, the stopped wafer is returned to the cassette,
Normal processing is performed from the next wafer. Therefore, in such a case, the wafers that have not been subjected to the normal processing are included in the wafers returned to the cassette, but the wafers are not processed by the operator based on, for example, a data sheet of a higher-level computer. The cassette containing the wafer is determined, the wafer is removed from the cassette, and is discarded.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらオペレー
タがデータシートなどを頼りにカセットを探し、そのカ
セットの中からウエハを見つけるマニァアル作業は、カ
セットの形状が同型であり、また各カセットにウエハが
同配列で２５枚も収納されているため、頻雑な作業とな
り、必ずしも信頼性が絶対的なものではない。そしてオ
ペレータが別のウエハを誤って取り出してしまうと、通
常の処理をされないウエハがラインを流れてしまい、そ
の後の検査工程で原因究明の検討やそれに伴ってライン
を一時止めるなど、無用な混乱を招くおそれがある。However, a manual operation in which an operator searches for a cassette by relying on a data sheet or the like and finds a wafer from the cassette is performed in such a manner that the cassette has the same shape and the wafers are arranged in each cassette in the same arrangement. Since 25 sheets are stored, the operation becomes complicated, and the reliability is not always absolute. If the operator accidentally removes another wafer, unprocessed wafers will flow through the line, causing unnecessary confusion, such as examining the cause and temporarily stopping the line in the subsequent inspection process. May be invited.

【０００５】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、通常の処理がされなかった
容器内のウエハを容易に識別することができるウエハの
搬送方法を提供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer transfer method capable of easily identifying a wafer in a container which has not been subjected to normal processing. Is to do.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、半導
体ウエハを位置合わせ機構に搬送して半導体ウエハの向
きを合わせる工程と、この半導体ウエハを処理室内に搬
送する工程と、前記処理室内において通常の処理が行わ
れたか否かを処理条件に基づいて制御部により判断する
工程と、通常の処理が行われたと判断したときには、搬
送手段の制御モ−ドを通常モ−ドとして半導体ウエハを
搬送手段により前記処理室から位置合わせ機構を介さず
に容器内へ直接搬送すると共に、位置合わせ機構の制御
モ−ドを処理用モ−ドとする工程と、通常の処理が行わ
れなかったと判断したときには、搬送手段の制御モ−ド
を異常モ−ドに、また位置合わせ機構の制御モ−ドを収
納識別用モ−ドに夫々設定して、半導体ウエハを搬送手
段により前記処理室から位置合わせ機構に搬送し、当該
半導体ウエハの向きを、通常の処理が行われた半導体ウ
エハの向きとは異なる向きとなるように調整する工程
と、その向きが調整された半導体ウエハを搬送手段によ
り容器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴と
する。請求項２の発明は気密な搬送室に設けられた搬送
手段により半導体ウエハを位置合わせ機構に搬送して半
導体ウエハの向きを合わせる工程と、この半導体ウエハ
を前記搬送手段により、前記搬送室に接続された真空処
理室内に搬送する工程と、前記真空処理室内において処
理ガスにより通常の処理が行われたか否かを処理条件に
基づいて制御部により判断する工程と、通常の処理が行
われたと判断したときには、搬送手段の制御モ−ドを通
常モ−ドとして半導体ウエハを前記搬送手段により前記
真空処理室から位置合わせ機構を介さずに容器内へ直接
搬送すると共に、位置合わせ機構の制御モ−ドを処理用
モ−ドとする工程と、通常の処理が行われなかったと判
断したときには、搬送手段の制御モ−ドを異常モ−ド
に、また位置合わせ機構の制御モ−ドを収納識別用モ−
ドに夫々設定して、半導体ウエハを前記搬送手段により
前記真空処理室から位置合わせ機構に搬送し、当該半導
体ウエハの向きを、通常の処理が行われた半導体ウエハ
の向きとは異なる向きとなるように調整する工程と、そ
の向きが調整された半導体ウエハを前記搬送手段により
容器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴とす
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a process for transporting a semiconductor wafer to a positioning mechanism to adjust the orientation of the semiconductor wafer, transporting the semiconductor wafer into a processing chamber, A step of determining whether or not the normal processing has been performed by the control unit based on the processing conditions; and, if determining that the normal processing has been performed, setting the control mode of the transfer means to the normal mode. And the step of setting the control mode of the alignment mechanism to a processing mode and directly performing normal processing from the processing chamber by the transfer means without passing through the alignment mechanism from the processing chamber. When the judgment is made, the control mode of the transfer means is set to the abnormal mode, the control mode of the positioning mechanism is set to the storage identification mode, and the semiconductor wafer is processed by the transfer means. Transporting the semiconductor wafer to an alignment mechanism, and adjusting the orientation of the semiconductor wafer to be different from the orientation of the semiconductor wafer on which the normal processing has been performed; and transporting the semiconductor wafer having the adjusted orientation. And transporting the material into a container. According to a second aspect of the present invention, a semiconductor wafer is transferred to a positioning mechanism by a transfer means provided in an airtight transfer chamber to align the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is connected to the transfer chamber by the transfer means. Transporting the processed gas into the vacuum processing chamber, determining whether the normal processing has been performed by the processing gas in the vacuum processing chamber, based on the processing conditions, and determining that the normal processing has been performed. In this case, the control mode of the transfer means is set to the normal mode, and the semiconductor wafer is directly transferred from the vacuum processing chamber into the container without the use of the positioning mechanism by the transfer means, and the control mode of the positioning mechanism is controlled. When it is determined that normal processing has not been performed, the control mode of the transfer means is set to the abnormal mode, and the positioning mechanism is set to the abnormal mode. Gomo - de an accommodation identification mode -
The semiconductor wafer is transferred from the vacuum processing chamber to the alignment mechanism by the transfer unit, and the direction of the semiconductor wafer is set to a direction different from the direction of the semiconductor wafer on which the normal processing is performed. And a step of transporting the semiconductor wafer, the orientation of which has been adjusted, into the container by the transport means.

【０００７】[0007]

【作用】容器内のウエハは、搬送手段により取り出され
て、位置合わせ機構により例えばオリフラの向きが所定
の向きに合わせられた後、例えば真空処理室内に搬送さ
れる。そして所定の真空処理（ただし常圧処理でもよ
い。）が行われた後、例えば元の容器内あるいは別の容
器内に戻されるが、通常の処理が行われなかったウエハ
については、位置合わせ機構でウエハの向きが調整さ
れ、容器内に収納されたときには通常の処理が行われた
ウエハの向きとは区別された状態となる。The wafer in the container is taken out by the transfer means, transferred to a vacuum processing chamber, for example, after the orientation of the orientation flat is adjusted to a predetermined direction by a positioning mechanism. After performing a predetermined vacuum process (however, normal pressure process may be performed), the wafer is returned to, for example, the original container or another container. When the wafer is stored in the container, the state of the wafer is distinguished from the direction of the wafer on which normal processing has been performed.

【０００８】[0008]

【実施例】図１は本発明の実施例に用いられる装置の一
例の全体構成を示す概観斜視図である。図中２は気密構
造の直方体形状の搬送室であり、この搬送室２の周囲に
は、２５枚のウエハ１を収納するための容器であるウエ
ハカセット（以下単にカセットという）が載置される気
密構造の２個のカセット室３Ａ、３Ｂ及び３個の真空処
理室４Ａ〜４Ｃが図２にも示すように当該搬送室２に対
して夫々ゲートバルブＧを介して気密に接続されて設け
られている。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an entire configuration of an example of an apparatus used in an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 2 denotes a rectangular parallelepiped transfer chamber having an airtight structure. Around this transfer chamber 2, a wafer cassette (hereinafter, simply referred to as a cassette) for storing 25 wafers 1 is placed. As shown in FIG. 2, two cassette chambers 3A, 3B and three vacuum processing chambers 4A to 4C having an airtight structure are provided in a manner airtightly connected to the transfer chamber 2 via a gate valve G, respectively. ing.

【０００９】前記カセット室３Ａ、３Ｂは、例えば一方
（３Ａ）が搬入用、他方（３Ｂ）が搬出用として使用さ
れ、上部には蓋部３１が形成されると共に、内部にはカ
セットＣを昇降する昇降機構３２が設けられている。ま
た図２に示すようにカセット室３Ａ、３Ｂの底部には排
気管３３が接続され、この排気管３３はバルブＶ１を介
して真空ポンプ３３ａ例えばドライポンプに接続されて
いる。In the cassette chambers 3A and 3B, for example, one (3A) is used for loading and the other (3B) is used for unloading. A lid 31 is formed on the upper part, and the cassette C is moved up and down inside. The lifting mechanism 32 is provided. As shown in FIG. 2, an exhaust pipe 33 is connected to the bottom of the cassette chambers 3A and 3B, and the exhaust pipe 33 is connected to a vacuum pump 33a, for example, a dry pump via a valve V1.

【００１０】前記真空処理室４Ａ（４Ｂ、４Ｃ）は、例
えばマグネットを用いたプラズマエッチングを行うよう
に構成されており、サセプタを兼用する下部電極４１及
び上部電極４２が設けられると共に処理ガス供給管４３
及び排気管４４が接続されている。処理ガス供給管４３
の基端側には、ガス流量やガス圧力を制御する制御機器
が収納されたガスボックス５が設けられている。上部電
極４２の上方にはマグネットユニット４５が真空処理室
とは分割されて設けられており、このマグネットユニッ
ト４５は筐体４５ａの中に真空処理室４Ａ（４Ｂ、４
Ｃ）内に磁場を形成するマグネット４６及びこのマグネ
ット４６の磁極と反対の磁極が互に上下に重なるように
形成された磁場漏洩防止用のマグネット４７並びにこれ
らを回転させるモータ４８を収納して構成されている。The vacuum processing chamber 4A (4B, 4C) is configured to perform, for example, plasma etching using a magnet, and is provided with a lower electrode 41 and an upper electrode 42 which also serve as a susceptor, and a processing gas supply pipe. 43
And an exhaust pipe 44 are connected. Processing gas supply pipe 43
A gas box 5 containing a control device for controlling a gas flow rate and a gas pressure is provided at the base end of the gas box 5. Above the upper electrode 42, a magnet unit 45 is provided separately from the vacuum processing chamber, and the magnet unit 45 is provided in the vacuum processing chamber 4A (4B, 4B, 4B, 4B) in a housing 45a.
C) contains a magnet 46 for forming a magnetic field, a magnet 47 for preventing magnetic field leakage formed so that magnetic poles opposite to the magnetic poles of the magnet 46 are vertically overlapped with each other, and a motor 48 for rotating these magnets. Have been.

【００１１】前記搬送室２内には、カセット室３Ａ、３
Ｂ及び真空処理室４Ａ〜４Ｃ間でウエハを搬送するため
の例えば各々独立して水平に回動可能な３本の搬送アー
ムを備えた多関節アームよりなる搬送手段２１が配設さ
れている。搬送手段２１の駆動部２２は、搬送室２の底
壁の下方側の気密なケース部２３内に設けられており、
このケース部２３内を排気管３５を介して真空ポンプ３
４例えばターボ分子ポンプにより真空排気することによ
り軸受け部からのパーティクルの飛散を防止している。
Ｖ２はバルブである。また搬送室２には、バルブＶ３を
備えた排気管３６が接続され、この排気管３６には前記
真空ポンプ３４が接続されている。In the transfer chamber 2, the cassette chambers 3A, 3A
For example, a transfer means 21 for transferring a wafer between B and the vacuum processing chambers 4A to 4C is provided. The transfer means 21 includes, for example, an articulated arm having three independently transferable horizontally transfer arms. The drive section 22 of the transfer means 21 is provided in an airtight case section 23 below the bottom wall of the transfer chamber 2,
The inside of this case portion 23 is connected to a vacuum pump 3 through an exhaust pipe 35.
(4) The particles are prevented from being scattered from the bearing by evacuating, for example, by a turbo molecular pump.
V2 is a valve. An exhaust pipe 36 provided with a valve V3 is connected to the transfer chamber 2, and the vacuum pump 34 is connected to the exhaust pipe 36.

【００１２】また前記搬送室２内には、ウエハを一時的
に載置するための昇降自在なバッファステージ２４と、
ウエハのオリエンテーションフラット（以下「オリフ
ラ」という。）の向き及び中心位置を合わせるための位
置合わせ機構６とが配置されている。この位置合わせ機
構６は、図１及び図３に示すようにウエハ１をチャック
するチャック機能を備えた小径のステージ６１と、この
ステージ６１をＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に駆動する駆動部
６２と、ウエハ１の周縁部を光学的に検出するよう、ウ
エハ１の周縁の移動路を挟んで上下に発光部６３ａ、受
光部６３ｂを備えた発受光部６３とを備えている。In the transfer chamber 2, a buffer stage 24 which can be moved up and down for temporarily mounting a wafer is provided.
A positioning mechanism 6 for adjusting the orientation and center position of an orientation flat (hereinafter, referred to as “orientation flat”) of the wafer is provided. The positioning mechanism 6 includes a small-diameter stage 61 having a chucking function for chucking the wafer 1 as shown in FIGS. 1 and 3, and a driving unit 62 for driving the stage 61 in the X, Y, Z, and θ directions. And a light emitting and receiving unit 63 having a light emitting unit 63a and a light receiving unit 63b above and below the moving path of the peripheral edge of the wafer 1 so as to optically detect the peripheral edge of the wafer 1.

【００１３】前記受光部６３ｂは制御部７に接続されて
おり、この制御部７は、受光部６３ｂの受光信号に基づ
いてウエハ１の中心位置及びオリフラの向きを検出し、
ウエハ１の中心位置が所定位置となり、オリフラの向き
が所定の向きとなるようにステージ６１（以下「回転ス
テージ６１」という）の駆動部６２を制御する機能を有
している。この制御部７は、真空処理室４Ａ（４Ｂ、４
Ｃ）にて決められたオリフラの向きを指定する処理用モ
ードと、通常の処理が行われたウエハ１がカセットＣ内
に収納されるときのウエハ１のオリフラの向きとは異な
ったオリフラの向き、例えば１８０度異なった向きを指
定する収納識別用モードとを選択できるように構成され
ている。また前記制御部７は、前記搬送手段２１の駆動
部２２を制御し、真空処理室４Ａ（４Ｂ、４Ｃ）が正常
である場合には通常の搬送を行う通常モードを、また真
空処理室側で異常が検出されて通常の処理が行われなか
ったウエハ１を搬送する場合には異常モードを選択する
機能を備えている。The light receiving section 63b is connected to a control section 7, which detects the center position of the wafer 1 and the orientation of the orientation flat based on a light receiving signal of the light receiving section 63b.
It has a function of controlling the drive unit 62 of the stage 61 (hereinafter, referred to as the “rotary stage 61”) so that the center position of the wafer 1 is at a predetermined position and the orientation of the orientation flat is at a predetermined direction. The control unit 7 controls the vacuum processing chamber 4A (4B, 4B,
The processing mode for specifying the orientation of the orientation flat determined in C) and the orientation of the orientation flat different from the orientation of the orientation flat of the wafer 1 when the normally processed wafer 1 is stored in the cassette C. For example, a storage identification mode that specifies a direction different by 180 degrees can be selected. The control unit 7 controls the drive unit 22 of the transfer unit 21 to perform a normal mode in which normal transfer is performed when the vacuum processing chamber 4A (4B, 4C) is normal. When a wafer 1 on which an abnormality is detected and normal processing is not performed is transferred, a function of selecting an abnormality mode is provided.

【００１４】次に上述の装置を用いて行う本発明方法の
実施例について述べる。Next, an embodiment of the method of the present invention using the above-described apparatus will be described.

【００１５】先ずカセット室３Ａ、３Ｂの蓋３１を開
き、ウエハ１を２５枚収納した容器としてのカセットＣ
をウエハ１が水平になる姿勢で例えば一方のカセット室
３Ａ（搬入用カセット室３Ａ）内の昇降機構３２上に例
えばオペレータにより載置すると共に、他方のカセット
室３Ｂ（搬出用カセット室３Ｂ）内に空のカセットＣを
載置し、蓋３１を閉じてカセット室３Ａ、３Ｂ内を、既
に真空排気されている搬送室２内と同じ程度の真空度ま
で真空排気した後、カセット室３Ａ、３Ｂのゲートバル
ブＧを開く。次いで搬送手段２１の搬送アームがカセッ
ト室３ＡのカセットＣ内に進入し、ウエハ１を受け取
る。この場合昇降機構３２を間欠的に降下させてカセッ
トＣから１枚づつウエハ１が搬出され、ウエハ１は、搬
送アームの先端部により保持される。First, the lids 31 of the cassette chambers 3A and 3B are opened, and a cassette C as a container accommodating 25 wafers 1 is opened.
Is placed on the elevating mechanism 32 in, for example, one of the cassette chambers 3A (the loading cassette chamber 3A) in a posture in which the wafer 1 is horizontal, and the other cassette chamber 3B (the unloading cassette chamber 3B). , An empty cassette C is placed, the lid 31 is closed, and the inside of the cassette chambers 3A, 3B is evacuated to the same degree of vacuum as the already evacuated transfer chamber 2, and then the cassette chambers 3A, 3B are evacuated. The gate valve G is opened. Next, the transfer arm of the transfer means 21 enters the cassette C in the cassette chamber 3A and receives the wafer 1. In this case, the elevating mechanism 32 is intermittently lowered to unload the wafers 1 one by one from the cassette C, and the wafers 1 are held by the leading end of the transfer arm.

【００１６】搬送手段２１はカセットＣから受け取った
ウエハＷを位置合わせ機構６の回転ステージ６１上に載
置して、例えば発受光部６３によりウエハ１の周縁を検
出し、その結果にもとづき回転ステージ６を動かしウエ
ハ１のオリフラの向き及び中心の位置合わせを行う。続
いてこのウエハ１を搬送手段２１により例えば真空処理
室４Ａ内に搬入する。真空処理室４Ａ内では、サセプタ
４１に組み合わされた図示しない昇降ピンの昇降動作を
介してウエハがサセプタ４１上に載置され、サセプタ４
１及び上部電極４２間の高周波電力とマグネット４６の
磁場とのエネルギーにより得られたプラズマによってエ
ッチングされる。The transfer means 21 places the wafer W received from the cassette C on the rotary stage 61 of the positioning mechanism 6, detects the peripheral edge of the wafer 1 by, for example, the light emitting / receiving unit 63, and based on the result, the rotary stage 6, the orientation and center of the orientation flat of the wafer 1 are aligned. Subsequently, the wafer 1 is carried into the vacuum processing chamber 4A by the transfer means 21, for example. In the vacuum processing chamber 4A, the wafer is placed on the susceptor 41 via an elevating operation of an unillustrated elevating pin combined with the susceptor 41, and the susceptor 4
Etching is performed by the plasma obtained by the energy of the high frequency power between the first and upper electrodes 42 and the magnetic field of the magnet 46.

【００１７】カセットＣ内のウエハ１は、上述のような
搬送工程により例えば各真空処理室３Ａ〜３Ｃに分配さ
れ、並行して真空処理、例えばプラズマエッチングが行
われる。処理済みのウエハ１は搬送手段２１により例え
ば他方のカセット室３ＢのカセットＣ内に受け渡される
が、次に処理されるべきウエハＷは、真空処理室３Ａ〜
３Ｃで処理が行われている間に位置合わせを行ってバッ
ファステージ２４上で待機している。The wafers 1 in the cassette C are distributed to, for example, the vacuum processing chambers 3A to 3C by the above-described transfer process, and are subjected to vacuum processing, for example, plasma etching in parallel. The processed wafer 1 is transferred by the transfer means 21 into, for example, the cassette C of the other cassette chamber 3B.
While the processing is being performed in 3C, the positioning is performed, and the process stands by on the buffer stage 24.

【００１８】こうして真空処理室が正常に動作している
場合には、搬送手段２１の駆動部２２の制御モードを通
常モードとし、位置合わせ機構７の駆動部６２の制御モ
ードを処理用モードとし、上述のような工程が行われ
る。ここで本発明実施例では真空処理室４Ａ（４Ｂ〜４
Ｃ）内でウエハに対して通常の処理が行われたか否かに
よって搬送工程が変わってくる。この工程に関して図４
の工程図を参照しながら説明すると、ウエハ１が真空処
理室内に搬入され通常の処理が行われた場合には上述の
如くウエハ１がカセットＣ内へ搬送されるが、通常の処
理が行われなかった場合、例えば処理ガスの流量、温
度、圧力、電力などのプロセス条件が異常値となって、
上位コンピュータ（図３参照）から異常信号が制御部７
に出力された場合、制御部７は異常モードを選択して搬
送手段２１の駆動部２２を制御し、これによりウエハ１
は位置合わせ機構６の回転ステージ６１に搬送される。
また制御部７は位置合わせ機構６に対して収納識別用モ
ードを選択し、これによりウエハ１が通常のウエハ１の
オリフラとは異なる向きでカセットＣ内に収納されるよ
うに回転ステージ６１を回動させる。その後このウエハ
１は回転ステージ６１からカセット室３ＢのカセットＣ
内に搬送される。When the vacuum processing chamber is operating normally, the control mode of the drive unit 22 of the transfer means 21 is set to the normal mode, and the control mode of the drive unit 62 of the positioning mechanism 7 is set to the processing mode. The steps described above are performed. Here, in the embodiment of the present invention, the vacuum processing chamber 4A (4B to 4B) is used.
The transfer process changes depending on whether or not normal processing has been performed on the wafer in C). FIG. 4 shows this process.
When the wafer 1 is carried into the vacuum processing chamber and the normal processing is performed, the wafer 1 is transferred into the cassette C as described above, but the normal processing is performed. If not, for example, the process conditions such as the flow rate of the processing gas, the temperature, the pressure, and the power become abnormal values,
An abnormal signal is sent from the host computer (see FIG. 3) to the control unit 7.
Is output to the control unit 7, the control unit 7 selects the abnormal mode and controls the driving unit 22 of the transfer means 21.
Is transported to the rotary stage 61 of the positioning mechanism 6.
Further, the control unit 7 selects the storage identification mode for the positioning mechanism 6, and thereby rotates the rotary stage 61 so that the wafer 1 is stored in the cassette C in a different direction from the orientation flat of the normal wafer 1. Move. Thereafter, the wafer 1 is moved from the rotary stage 61 to the cassette C in the cassette chamber 3B.
Conveyed inside.

【００１９】そして真空処理室４Ａ（４Ｂ、４Ｃ）のプ
ロセスの異常が例えばリセット処理により解除された場
合にはカセット室３ＡのカセットＣ内の残りのウエハ１
が順次処理される。図５はこのような工程を終えてウエ
ハ１が受け渡されたカセット室３Ｂ内のカセットＣを示
す図であり、通常の処理が行われたウエハ１と、通常の
処理が行われなかったウエハ１とではオリフラ１０の向
きが例えば１８０度異なる。When the abnormality of the process in the vacuum processing chamber 4A (4B, 4C) is released by, for example, reset processing, the remaining wafers 1 in the cassette C in the cassette chamber 3A are removed.
Are sequentially processed. FIG. 5 is a view showing the cassette C in the cassette chamber 3B to which the wafer 1 has been transferred after the above-described processes, and shows the wafer 1 on which normal processing has been performed and the wafer 1 on which normal processing has not been performed. The orientation of the orientation flat 10 differs from that of the orientation flat 1 by 180 degrees, for example.

【００２０】従ってオペレータはこのカセットＣ内を見
れば、通常の処理が行われなかったウエハを一目で識別
でき、通常の処理が行われたウエハと誤ることなく当該
ウエハを確実に取り除くことができ、その後の工程で無
用な検討やラインの停止などを行わなくて済む。以上に
おいてオリフラの代わりに例えばノッチと呼ばれる半円
状の切り欠きが形成されているウエハについては、ノッ
チに基づいてウエハの向きが決められる。Therefore, the operator can identify at a glance the wafers on which normal processing has not been performed by looking at the inside of the cassette C, and can reliably remove the wafers without mistaken for the wafers on which normal processing has been performed. This eliminates the need for unnecessary examinations and line stoppages in subsequent steps. In the above description, for a wafer having a semicircular notch called a notch instead of the orientation flat, the orientation of the wafer is determined based on the notch.

【００２１】そして本発明は、例えば搬送手段及び位置
合わせ機構が大気中に設けられている場合にも適用でき
るし、プラズマエッチング以外にＣＶＤ、アッシング、
イオン注入、スパッタリングなどの真空処理を行う場合
に、あるいは真空処理室に限らず常圧あるいは高圧処理
を行う場合に適用することもできる。The present invention can be applied to, for example, a case where the transfer means and the positioning mechanism are provided in the atmosphere.
The present invention can be applied to a case where vacuum processing such as ion implantation or sputtering is performed, or a case where normal pressure or high pressure processing is performed without being limited to the vacuum processing chamber.

【００２２】ここで図６を参照しながら処理ガスの好ま
しい供給方法について述べる。ガスボックス５内には例
えばｎ個のガス供給系（ガスライン）Ｌ１〜Ｌｎが設け
られており、各ガス供給系Ｌ１〜Ｌｎにはバルブ、流量
計、圧力計などの制御機器が組み込まれている。図６で
はこれら制御機器を模式的に省略して示しており、Ｖａ
〜Ｖｃはバルブ、ＭＦＣはマスフローコントローラであ
る。ガス供給系Ｌ１〜Ｌ３を夫々窒素ガス、第１の処理
ガス、第２の処理ガス（第１の処理ガスとは異なるガ
ス）を供給するためのものであるとし、第１の処理ガス
が今まで用いられ、次に第２の処理ガスの処理が行われ
るとすると、先ず各ガス供給系Ｌ１〜ＬｎのバルブＶｂ
を閉じ、Ｖａ、Ｖｃを開くと共に、処理ガス供給管４３
のバルブ５０を開き、真空処理室４内を排気管４４によ
り真空排気する。次いで例えばガス供給系Ｌ１のバルブ
Ｖｂを開いて窒素ガスを所定流量で供給する。これによ
ってガス供給系Ｌ１〜Ｌｎのバルブやマスフローコント
ローラーなどの制御機器及び配管内が真空排気されその
後窒素ガスが通流することとなる。このような工程を１
回あるいは複数回繰り返して行うことにより制御機器及
び配管内の残留ガスが確実に除去される。従って第２の
処理ガスを流したときには、このガス中には他のガス成
分の混入を抑えられるのでウエハ１中に予定外の成分の
混入を防止できる。なおこの場合窒素ガスの代りに他の
不活性ガスを用いてもよい。Here, a preferred method of supplying the processing gas will be described with reference to FIG. In the gas box 5, for example, n gas supply systems (gas lines) L1 to Ln are provided, and control devices such as valves, flow meters, and pressure gauges are incorporated in each of the gas supply systems L1 to Ln. I have. In FIG. 6, these control devices are schematically omitted and shown as Va.
Vc is a valve, and MFC is a mass flow controller. It is assumed that the gas supply systems L1 to L3 are for supplying a nitrogen gas, a first processing gas, and a second processing gas (a gas different from the first processing gas), respectively. If the second processing gas is processed next, the valves Vb of the gas supply systems L1 to Ln are first used.
Is closed, Va and Vc are opened, and the processing gas supply pipe 43 is closed.
Is opened, and the inside of the vacuum processing chamber 4 is evacuated by the exhaust pipe 44. Next, for example, the valve Vb of the gas supply system L1 is opened to supply nitrogen gas at a predetermined flow rate. As a result, the control devices such as valves and mass flow controllers of the gas supply systems L1 to Ln and the piping are evacuated, and then nitrogen gas flows. Such a process
By repeating the process once or a plurality of times, the residual gas in the control device and the piping is reliably removed. Therefore, when the second processing gas flows, mixing of other gas components into this gas can be suppressed, so that mixing of unexpected components into the wafer 1 can be prevented. In this case, another inert gas may be used instead of the nitrogen gas.

【００２３】次いで上述の搬送室やカセット室などの真
空室の蓋部のヒンジ機構の好ましい一例について、図７
を参照しながら説明する。図中８は真空室の上面をなす
上壁の一部、８１は真空室の上面を開閉する蓋部であ
り、蓋部８１は左右両側のヒンジ８２により開閉できる
ように構成されている。蓋部８１と真空室の上壁８との
間には左右に夫々板バネ機構９が設けられている。この
板バネ機構９は、例えば円柱を周方向に４等分した形状
のドラム部９１を、円周面を蓋部８１側に向けて前記上
壁８の上に固定する一方、蓋部８１側にローラベース９
２を固定してこれに水平なローラシャフト９３を介して
ローラ９４を回転自在に取り付け、このローラ９４に板
バネ９５を巻装すると共に板バネ９５の先端部をローラ
９４の下方側から引き出してドラム部９１の円周面に沿
って装着し固定することにより構成されている。Next, a preferred example of a hinge mechanism for a lid of a vacuum chamber such as the above-described transfer chamber or cassette chamber will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. In the figure, reference numeral 8 denotes a part of an upper wall forming the upper surface of the vacuum chamber, 81 denotes a lid for opening and closing the upper surface of the vacuum chamber, and the lid 81 is configured to be opened and closed by hinges 82 on both right and left sides. Leaf spring mechanisms 9 are provided on the left and right between the lid 81 and the upper wall 8 of the vacuum chamber. The leaf spring mechanism 9 fixes a drum part 91 having, for example, a shape obtained by dividing a cylinder into four equal parts in the circumferential direction, on the upper wall 8 with its circumferential surface facing the lid part 81, and on the lid part 81 side Roller base 9
2 and a roller 94 is rotatably mounted on the roller 94 via a horizontal roller shaft 93. A leaf spring 95 is wound around the roller 94, and the leading end of the leaf spring 95 is pulled out from the lower side of the roller 94. It is configured by mounting and fixing along the circumferential surface of the drum section 91.

【００２４】このような構成によれば、板バネ９５の復
元力により蓋部８１に対して開く方向の力が作用するの
で、蓋部８１を開閉する場合に、蓋部８１の自重に対応
する力から板バネ９５の復元力に対応する力を差し引い
た力で開閉することができ、真空に耐えられるよう肉厚
の大きな本来なら重い蓋部８１の開閉が軽くなり、安全
性が高い。According to such a configuration, since the force in the opening direction acts on the lid 81 due to the restoring force of the leaf spring 95, when the lid 81 is opened and closed, it corresponds to the own weight of the lid 81. It can be opened and closed with a force obtained by subtracting the force corresponding to the restoring force of the leaf spring 95 from the force, and the opening and closing of the originally thick lid portion 81, which is thick enough to withstand a vacuum, becomes light, and the safety is high.

【００２５】なおこうした板バネ機構９は、図８に示す
ように蓋部８１の基端部にドラム部９１を形成し、真空
室の上壁８の側部にローラ９４を設ける構成や、図９に
示すように上壁８側にドラム部９１を、蓋部８１の側部
にローラ９４を設ける構成としてもよい。Ｐはヒンジ８
の回動中心部である。更に板バネ機構９は、図１０及び
図１１に示すように真空室の側壁８３にローラ９４を、
蓋部８１の基端部にドラム部９１を設ける構成や、図１
２に示すように真空室の上面に垂直に突片部８４を形成
し、これにドラム部９１を設けてもよい。As shown in FIG. 8, such a leaf spring mechanism 9 has a structure in which a drum portion 91 is formed at the base end of a lid portion 81 and a roller 94 is provided on the side of the upper wall 8 of the vacuum chamber. As shown in FIG. 9, a configuration may be adopted in which a drum portion 91 is provided on the upper wall 8 side and a roller 94 is provided on a side portion of the lid portion 81. P is hinge 8
Is the center of rotation. Further, as shown in FIGS. 10 and 11, the leaf spring mechanism 9 includes a roller 94 on the side wall 83 of the vacuum chamber,
The configuration in which the drum portion 91 is provided at the base end portion of the lid portion 81, and FIG.
As shown in FIG. 2, a projecting piece 84 may be formed vertically on the upper surface of the vacuum chamber, and a drum 91 may be provided on this.

【００２６】[0026]

【発明の効果】本発明によれば、容器内のウエハの中か
ら、通常の処理が行われなかったウエハを一目で識別で
きるため、通常の処理が行われたウエハと誤ることなく
当該ウエハを確実に取り除くことができる。According to the present invention, a wafer that has not been subjected to normal processing can be identified at a glance from the wafers in the container, so that the wafer can be identified without being mistaken for a wafer that has been subjected to normal processing. Can be reliably removed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明方法に用いられる真空処理装置の一例の
全体構成を示す概観斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an overall configuration of an example of a vacuum processing apparatus used in a method of the present invention.

【図２】真空処理装置を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a vacuum processing apparatus.

【図３】真空処理装置の要部を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram illustrating a main part of a vacuum processing apparatus.

【図４】本発明方法の実施例を示す工程図である。FIG. 4 is a process chart showing an embodiment of the method of the present invention.

【図５】本発明方法の実施例を説明するための説明図で
ある。FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining an embodiment of the method of the present invention.

【図６】ガスボックスを示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing a gas box.

【図７】真空室の蓋部のヒンジ機構を示す斜視図であ
る。FIG. 7 is a perspective view showing a hinge mechanism of a lid portion of the vacuum chamber.

【図８】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory view showing another example of the leaf spring mechanism.

【図９】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory view showing another example of the leaf spring mechanism.

【図１０】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory view showing another example of the leaf spring mechanism.

【図１１】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory view showing another example of the leaf spring mechanism.

【図１２】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory view showing another example of the leaf spring mechanism.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ウエハ ２ 搬送室 ２１ 搬送手段 ２２ 搬送手段の駆動部 ３Ａ、３Ｂ カセット室 Ｃ カセット ５ ガスボックス ６ 位置合わせ機構 ６１ 回転ステージ ７ 制御部 ８ 真空室の上壁 ８１ 蓋部 ９ 板バネ機構 ９５ 板バネ Reference Signs List 1 wafer 2 transfer chamber 21 transfer means 22 transfer means drive unit 3A, 3B cassette chamber C cassette 5 gas box 6 positioning mechanism 61 rotation stage 7 control unit 8 vacuum chamber upper wall 81 lid 9 leaf spring mechanism 95 leaf spring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 保正 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 梶原 真人 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−29171（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−163936（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 B65G 49/07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasumasa Ishihara 2381-1, Kitashitajo, Fujii-cho, Nirasaki, Yamanashi Prefecture Inside Tokyo Electron Yamanashi Co., Ltd. 1 Tokyo Electron Yamanashi Co., Ltd. (56) References JP-A-6-29171 (JP, A) JP-A-4-163936 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/68 B65G 49/07

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 半導体ウエハを位置合わせ機構に搬送し
て半導体ウエハの向きを合わせる工程と、 この半導体ウエハを処理室内に搬送する工程と、 前記処理室内において通常の処理が行われたか否かを処
理条件に基づいて制御部により判断する工程と、 通常の処理が行われたと判断したときには、搬送手段の
制御モ−ドを通常モ−ドとして半導体ウエハを搬送手段
により前記処理室から位置合わせ機構を介さずに容器内
へ直接搬送すると共に、位置合わせ機構の制御モ−ドを
処理用モ−ドとする工程と、 通常の処理が行われなかったと判断したときには、搬送
手段の制御モ−ドを異常モ−ドに、また位置合わせ機構
の制御モ−ドを収納識別用モ−ドに夫々設定して、半導
体ウエハを搬送手段により前記処理室から位置合わせ機
構に搬送し、当該半導体ウエハの向きを、通常の処理が
行われた半導体ウエハの向きとは異なる向きとなるよう
に調整する工程と、 その向きが調整された半導体ウエハを搬送手段により容
器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴とする
半導体ウエハの搬送方法。A step of transporting the semiconductor wafer to a positioning mechanism to align the direction of the semiconductor wafer; a step of transporting the semiconductor wafer into a processing chamber; and determining whether normal processing has been performed in the processing chamber. A step of determining by the control unit based on the processing conditions; and a step of positioning the semiconductor wafer from the processing chamber by the transporting means by setting the control mode of the transporting means to the normal mode when it is determined that the normal processing has been performed. A step of setting the control mode of the alignment mechanism to a processing mode while directly transferring the sheet into the container without going through the process, and a control mode of the transfer means when it is determined that normal processing has not been performed. Is set to the abnormal mode, and the control mode of the positioning mechanism is set to the storage identifying mode, and the semiconductor wafer is transferred from the processing chamber to the positioning mechanism by the transfer means. A step of adjusting the direction of the semiconductor wafer so as to be different from the direction of the semiconductor wafer on which the normal processing has been performed; and a step of transporting the semiconductor wafer, the direction of which has been adjusted, into the container by the transport unit. A method for transporting a semiconductor wafer, comprising: 【請求項２】 気密な搬送室に設けられた搬送手段によ
り半導体ウエハを位置合わせ機構に搬送して半導体ウエ
ハの向きを合わせる工程と、 この半導体ウエハを前記搬送手段により、前記搬送室に
接続された真空処理室内に搬送する工程と、 前記真空処理室内において処理ガスにより通常の処理が
行われたか否かを処理条件に基づいて制御部により判断
する工程と、 通常の処理が行われたと判断したときには、搬送手段の
制御モ−ドを通常モ−ドとして半導体ウエハを前記搬送
手段により前記真空処理室から位置合わせ機構を介さず
に容器内へ直接搬送すると共に、位置合わせ機構の制御
モ−ドを処理用モ−ドとする工程と、 通常の処理が行われなかったと判断したときには、搬送
手段の制御モ−ドを異常モ−ドに、また位置合わせ機構
の制御モ−ドを収納識別用モ−ドに夫々設定して、半導
体ウエハを前記搬送手段により前記真空処理室から位置
合わせ機構に搬送し、当該半導体ウエハの向きを、通常
の処理が行われた半導体ウエハの向きとは異なる向きと
なるように調整する工程と、 その向きが調整された半導体ウエハを前記搬送手段によ
り容器内へ搬送する工程と、を備えてなることを特徴と
する半導体ウエハの搬送方法。2. A step of transferring a semiconductor wafer to a positioning mechanism by a transfer means provided in an airtight transfer chamber to adjust the direction of the semiconductor wafer, and connecting the semiconductor wafer to the transfer chamber by the transfer means. Transporting into the vacuum processing chamber, determining whether or not normal processing has been performed by the processing gas in the vacuum processing chamber by the control unit based on processing conditions, and determining that the normal processing has been performed. In some cases, the control mode of the transfer means is set to the normal mode, and the semiconductor wafer is directly transferred from the vacuum processing chamber into the container without the use of the positioning mechanism by the transfer means, and the control mode of the positioning mechanism is controlled. Is set to the processing mode, and when it is determined that the normal processing has not been performed, the control mode of the transfer means is set to the abnormal mode, and the position adjusting mechanism is set to the abnormal mode. The control mode was set to the storage identification mode, and the semiconductor wafer was transferred from the vacuum processing chamber to the alignment mechanism by the transfer means, and the direction of the semiconductor wafer was subjected to normal processing. A step of adjusting the direction of the semiconductor wafer to be different from the direction of the semiconductor wafer; and a step of transporting the semiconductor wafer whose direction has been adjusted into the container by the transporting means. Transport method.