JP3165707B2 - 光走査型画像形成装置 - Google Patents

光走査型画像形成装置

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  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、副走査方向の解像力可
変な光走査型画像形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光走査型画像形成装置としては、特にL
BP(レーザビームプリンタ)が良く知られ、利用され
ている。
【0003】これは、高速に回転するポリゴンミラー
(多面鏡)によってレーザスポツトを走査し、画像信号
に応じてレーザスポツトを明滅させて、画像を形成する
ものである。
【0004】画像信号はLBPに接続された外部機器
(以下ホスト)から送信される多値、または2値のデジ
タル信号であり、LBPは、この信号をレーザの明滅、
或は発光強度に変換して、走査線の露光を行う。
【0005】LBPでは走査線上に光スポツトの通過を
検知する光センサを有し、これを元に水平同期信号(H
sync)を発生し、これにホスト側が画像信号送信の
タイミングを合わせることによって、各走査における書
き出し位置の制御が行われる。
【0006】ある領域内に印字可能なドツト数を画素密
度と称するが、近年1台のLBPにおいて複数の画素密
度を要求される場合が増えている。
【0007】主走査方向における画素密度はホスト側が
送信する画像信号の速度、すなわち画像クロツクの周波
数で決まるため、ホスト側で、比較的自由な設定が可能
である。
【0008】副走査方向においては、レーザスポツトの
走査周期の間に感光体が移動する距離によって決まるた
め、画素密度を変更する場合には、通常LBP側で、ポ
リゴン回転数を変えることによって対応している。
【0009】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながらポリ
ゴン回転数を変化させるとレーザスポツトの走査速度も
変化するために、主走査の画素密度にも影響を及ぼす。
【0010】すなわち、副走査のみの画素密度を変更す
る場合においても、画像クロツクの偏向を行わねばなら
ず、ホスト側の負担が増すこととなる。
【0011】又、LBP側においてもポリゴン回転を広
い範囲の回転数において安定に保つ必要が生じ、ポリゴ
ン駆動部のコストが大きくなる等の問題があった。
【0012】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、複雑に制御様態を変更することなく所望の画
素密度で画像を形成することが可能な光走査型画像形成
装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】本発明の光走査型画像形
成装置は、画像信号により変調された光ビームを発生す
る光源と、前記光ビームを周期的に偏向する偏向手段
と、前記偏向手段によって偏向された光ビームを所定の
位置で検知して光検知信号を発生する検知手段と、クロ
ック信号をカウントするクロックカウント手段と、前記
偏向手段が前記光ビームを複数回偏向する度に光検知信
号が1回発生される様に、前記光源を強制点灯させるタ
イミングを前記クロックカウント手段のカウント値に基
づいて制御する制御手段と、前記検知手段より発生され
る光検知信号を整形して水平同期信号を発生する水平同
期信号発生手段を有することを特徴とする。
【0013】
【実施例】1、 図1〜図4は本発明の第1の実施例を
示したものである。
【0014】図1はレーザビームプリンタの走査光学系
と制御部を示したものであり、1は光源であるところの
半導体レーザ素子、2は半導体レーザ素子からの発散光
を略平行な光束にするコリメータレンズ、3は偏向器で
あるところのポリゴンミラーであり、矢印Aに回転して
いる。4、5は結像レンズ系であり、ポリゴンミラーで
偏向されたレーザビームを後述する感光体上に結像し、
等速走査させる機能を有している。
【0015】ポリゴンミラー3、結像レンズ系4、5に
よって半導体レーザ1からの光ビームは矢印Bの方向に
一定周期で走査されることとなる。
【0016】6は感光体ドラムであり、円筒状の感光体
を側面から観察した形になっている。感光体ドラムはそ
の中心軸Lを回転軸として一定回転数で回転している。
このためレーザビームの走査周期の間に感光体表面は一
定量移動し、走査線の相対的な位置は走査方向とは垂直
(副走査方向)に移動し、これが副走査方向の画素間隔
となる。
【0017】7は光検知素子であり、レーザビーム走査
開始位置に置かれ、レーザビームの通過を検知し、光検
知信号(BD信号)を発生する。
【0018】10は制御回路であり、構成は後述する。
制御回路は、光検知素子7からのBD信号を受けるとと
もに、外部ホストと信号線を介して接続されている。
【0019】入力Resは副走査の画素密度指示信号で
あり、例えばHレベルで600DPI、Lレベルで30
0DPIとなる様に設定されているとする。出力Hsy
ncは走査方向の書き出し位置を合わせるための水平同
期信号であり、入力Videoはホストからの画像信号
である。
【0020】図2に制御回路のブロツク図を示す。
【0021】21は水平同期信号発生回路、22はダウ
ンカウンタであり、Hsync信号でリセツトされ、バ
ツフア23から副走査画素密度指示信号Resに応じた
初期値をロードする。
【0022】25はアンブランキング信号発生回路であ
り、カウンタ22のボロー信号に同期して一定期間アン
ブランキング信号UnbをHレベルとする。ここでアン
ブランキング信号UnbとはBD信号を得るために強制
的にレーザを点灯させるための信号である。
【0023】26はORゲートであり、アンブランキン
グ信号UnbとVideo信号のORをとりレーザドラ
イバ27に出力する。
【0024】レーザドライバ27は入力がHレベルのと
きにレーザを点灯させLレベルのときには消灯させる。
【0025】印字動作に際してHsync発生回路は光
検知素子7からのBD信号を整形してHsync信号を
発生させる。Hsync信号はホストに送信されホスト
はこの信号で同期をとって画像信号Vieoの送信を開
始する。Video信号はORゲート26を通りレーザ
ドライバ27に入力しレーザドライバはVideo信号
のレベルに応じて半導体レーザ素子1を明滅させる。H
sync信号はまたカウンタ22のリセツト信号とな
り、Hsyncと同時にバツフア23からプリセツト値
がカウンタ22に読み込まれクロツク発生回路24から
のクロツクによってダウンカウントされる。
【0026】ダウンカウントが終了すると、ボロー信号
がアンブランキング発生回路25に送られる。アンブラ
ンキング発生回路はこのボロー信号を受けてアンブラン
キング信号Unbを発生し、この信号はORゲートを通
してレーザドライバに送られ半導体レーザ素子は強制的
に点灯する。このとき光検知素子上をレーザスポツトが
通過することで次のHsync信号が得られる。
【0027】バツフア23にはあらかじめ副走査画素密
度に応じた数値が格納されており、ホスト側から送信さ
れる副走査画素密度指示信号Resによって選択され、
カウンタ22のプリセツト値として用いられる。
【0028】プリセツト数値の設定は次の様にして行
う。
【0029】画素密度がもっとも高いとき、すなわち走
査系の光軸の偏向周期と、光走査周期が等しい場合に
は、偏向周期よりも若干短い時間でカウント22のダウ
ンカウントが終了する様なカウント値に設定する。この
とき、毎回の光軸の偏向の度にHsync信号が発生す
ることになる。
【0030】図3はこのときのタイミングチヤートを示
したものである。
【0031】Hsync信号の発生の後、ホストからV
ideo信号が送信されこれによってレーザが明滅し1
走査の露光が行われる、レーザは、偏向される光軸が再
び光検知素子上を通過する直前に今度はアンブランキン
グ信号Unbによって点灯し、光検知信号BDによって
再びHsync信号が発生する。
【0032】画素密度が低い場合、例えば前述最高密度
の1/n(本実施例ではn=2)で良い場合には偏向周
期のn倍の時間より若干短い時間でダウンカウントが終
了する様に設定する。
【0033】このとき、偏向n回に1回のHsync信
号が発生する。2のときのタイミングチヤートを図4に
示す。
【0034】Hsync信号の発生の後、ホストからV
ideo信号が送信されこれによってレーザが明滅し1
走査の露光が行われる、レーザは変更される光軸が2回
目に光検知素子上を通過する直前に今度はアンブランキ
ング信号Unbによって点灯し、光検知信号BDによっ
て再びHsync信号が発生する。図4から解るよう
に、図3に比して水平同期信号Hsyncの周期が2倍
になっており、この間、感光体ドラムは図3の場合の2
倍移動するために副走査方向の画素間隔が延び、結局画
素密度を半分にすることができる。このとき、水平同期
信号Hsync間の期間であっても後半の期間には光ビ
ームは記録信号によって変調されることはない。
【0035】図3、図4の間で、ポリゴン回転数は変更
されないので、画像クロツクと主走査画素密度の関係は
変化せず、主走査画素密度が同じであれば、ホスト側で
Video信号を変更する必要はない。
【0036】2、 図5は本発明の第2の実施例におけ
る制御部を示すものであり、図2と同じ構成部分は同一
番号で表わしてある。
【0037】51は光検知(BD)信号を整形した信号
BD2を発生するための波形整形回路でありダウンカウ
ンタ22は、BD2信号でリセツトされ、バツフア53
からプリセツト値をロードし、所定タイミングでアンブ
ランキング信号発生回路を動作させるが、このプリセツ
ト値は1種類のみであり毎回の光軸偏向毎にアンブラン
キング信号が発生する様に設定してある。
【0038】52はBD2信号を分周してHsync信
号とする分周回路である。
【0039】分周回路52は副走査画素密度制御信号R
esに応じて分周比が変更可能で構成されている。
【0040】この構成においてはBD2信号は光軸偏向
ごとに発生するが分周回路52の設定を変えることによ
り第1の実施例同様にHsync周期を変更することが
できる。
【0041】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、画
像信号により変調された光ビームを発生する光源と、前
記光ビームを周期的に偏向する偏向手段と、前記偏向手
段によって偏向された光ビームを所定の位置で検知して
光検知信号を発生する検知手段と、クロック信号をカウ
ントするクロックカウント手段と、前記偏向手段が前記
光ビームを複数回偏向する度に光検知信号が1回発生さ
れる様に、前記光源を強制点灯させるタイミングを前記
クロックカウント手段のカウント値に基づいて制御する
制御手段と、前記検知手段より発生される光検知信号を
整形して水平同期信号を発生する水平同期信号発生手段
を有することにより、複雑に制御様態を変更することな
く所望の画素密度で画像を形成することができる。
【0042】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における走査光学系と制
御回路である。
【図2】本発明の第1の実施例における制御回路のブロ
ツク図である。
【図3】本発明の第1の実施例における副走査画像密度
最大時のタイミングチヤートである。
【図4】本発明の第1の実施例における副走査画像密度
半分時のタイミングチヤートである。
【図5】本発明の第2の実施例における制御回路のブロ
ツク図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ素子 3 ポリゴンミラー 7 光検知素子 10 制御部 21 水平同期信号発生回路 22 ダウンカウンタ 25 アンブランキング信号発生回路 27 レーザドライバ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41J 2/44 G02B 26/10 G03G 15/04 H04N 1/113

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 画像信号により変調された光ビームを発
    生する光源と、 前記光ビームを周期的に偏向する偏向手段と、前記偏向手段によって偏向された光ビームを所定の位置
    で検知して光検知信号を発生する検知手段と、 クロック信号をカウントするクロックカウント手段と、 前記偏向手段が前記光ビームを複数回偏向する度に光検
    知信号が1回発生される様に、前記光源を強制点灯させ
    るタイミングを前記クロックカウント手段のカウント値
    に基づいて制御する制御手段と、 前記検知手段より発生される光検知信号を整形して水平
    同期信号を発生する水平同期信号発生手段を有する こと
    を特徴とする光走査型画像形成装置。
  2. 【請求項2】前記制御手段は、形成すべき画像の画素密
    度に応じて、前記光源を強制点灯するタイミングを変化
    させることを特徴とする請求項1記載の光走査型画像形
    成装置。
  3. 【請求項3】前記制御手段は、前記光源を強制点灯させ
    るための強制点灯信号を発生することを特徴とする請求
    項1記載の光走査型画像形成装置。
  4. 【請求項4】前記光源は半導体レーザ素子であることを
    特徴とする請求項1記載の光走査型画像形成装置。
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