JP3056206B1 - Dummy pattern forming method and semiconductor manufacturing method - Google Patents
Dummy pattern forming method and semiconductor manufacturing methodInfo
- Publication number
- JP3056206B1 JP3056206B1 JP11074504A JP7450499A JP3056206B1 JP 3056206 B1 JP3056206 B1 JP 3056206B1 JP 11074504 A JP11074504 A JP 11074504A JP 7450499 A JP7450499 A JP 7450499A JP 3056206 B1 JP3056206 B1 JP 3056206B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- wafer
- dummy pattern
- light shielding
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【要約】
【課題】 本発明は、露光フィールドを種々の形に変形
することができる露光装置を提供し、ウェハ端部に収ま
る適当な形状のダミーパターンの形成を可能とし、ウェ
ハ面のエッチング量を均一に保ち、また、ウェハ端部の
レジスト剥がれを防止する。
【解決手段】 ブラインド駆動部は、遮光板37と、ブ
ラインド駆動ステージ38、ブラインド駆動ステージ3
9で構成される部材で構成される。遮光板37はそれぞ
れ、エッジに平行な方向と垂直な方向に移動可能であ
り、また、回転可能に設けられる。4枚の遮光板がそれ
ぞれ対向して設けられ、各遮光板は、ブラインド駆動装
置を介して、主制御系から駆動制御される。4枚の遮光
板エッジに平行な方向と垂直な方向に移動し、また回転
することにより、照明領域を決定し、種々の形の露光フ
ィールドや、ダミーパターンを形成する。The present invention provides an exposure apparatus capable of transforming an exposure field into various shapes, enables formation of a dummy pattern having an appropriate shape that fits in an edge of a wafer, and an etching amount of a wafer surface. Is kept uniform, and resist peeling at the edge of the wafer is prevented. SOLUTION: The blind driving unit includes a light shielding plate 37, a blind driving stage 38, and a blind driving stage 3.
9. Each of the light shielding plates 37 is movable in a direction parallel to the edge and in a direction perpendicular to the edge, and is provided rotatably. Four light shielding plates are provided to face each other, and each of the light shielding plates is driven and controlled by a main control system via a blind driving device. By moving and rotating in a direction parallel to the directions parallel to the four light-shielding plate edges and in a direction perpendicular thereto, an illumination area is determined, and various types of exposure fields and dummy patterns are formed.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハにチップを
パターニングするダミーパターン形成方法及び半導体製
造方法に関する。特にレチクルと基板を同期して走査露
光し、露光フィールドを種々の形に変形することができ
る露光方法に関して、ウェハ端部に収まる適当な形状の
ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法に属する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a dummy pattern for patterning a chip on a wafer, and a method of manufacturing a semiconductor device.
Construction method . In particular, with regard to an exposure method in which a reticle and a substrate are scanned and exposed in synchronization with each other and an exposure field can be deformed into various shapes, an appropriate shape that fits into the edge of the wafer is used.
It belongs to a dummy pattern forming method and a semiconductor manufacturing method .
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、Siウェハ上のLSIチップのプ
ロセシングでは、フォトレジストパターンを形成する工
程にフォトリソグラフィー技術が用いられる。ウェハを
移動させて順次パターンを露光していくステップアンド
リピート方式、スリット状の照明領域に対して、レチク
ルとSiウェハを同期して走査するスリットスキャン方
式、さらにウェハを走査方向と直交する方向に移動させ
るステップアンドスキャン、さらにレチクルを走査方向
と直交する方向に移動させて像を重畳してパターンを形
成するスキャンアンドステッチなどがある。2. Description of the Related Art Conventionally, in processing an LSI chip on a Si wafer, a photolithography technique is used in a process of forming a photoresist pattern. A step-and-repeat method in which a wafer is moved and a pattern is sequentially exposed, a slit scan method in which a reticle and a Si wafer are scanned synchronously with respect to a slit-shaped illumination area, and the wafer is moved in a direction orthogonal to the scanning direction. There are step-and-scan to move, and scan-and-stitch to move the reticle in a direction perpendicular to the scanning direction to form a pattern by superimposing an image.
【0003】特許2691319号には、走査方向に移
動可能な2つの遮光板と、走査方向と直交する方向に移
動可能な2つの遮光板を組み合わせた可変視野絞りを制
御して、長方形、平行四辺形等のスリット状の照明領域
を変形することにより、ステップアンドスキャンを行う
際のレチクル移動ストロークを抑え、スループットを向
上させ、さらに、ステップアンドリピート方式又はスキ
ャンアンドステッチにも対応する投影露光装置及び走査
露光方法が記載されている。[0003] Japanese Patent No. 2691319 discloses a rectangular field, a parallelogram, and a variable field stop which combines two light shielding plates movable in a scanning direction and two light shielding plates movable in a direction perpendicular to the scanning direction. By deforming the slit-shaped illumination area such as a shape, the reticle movement stroke when performing step and scan is suppressed, the throughput is improved, and further, a projection exposure apparatus which also supports a step and repeat method or scan and stitch and A scanning exposure method is described.
【0004】特開平8−330220号公報には、照明
領域の走査方向に直交するエッジを有し、走査方向に移
動可能な2つの遮光板と、走査方向と直交する方向に移
動可能で光軸に直交する面で回転可能な2つの遮光板と
を組み合わせた視野絞りを制御して矩形のスリット状の
照明領域を変形することにより、スキャンアンドステッ
チの重畳部分と他の部分との露光量を均一にする走査露
光装置が記載されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-330220 discloses two light shielding plates having edges perpendicular to the scanning direction of an illumination area and movable in the scanning direction, and an optical axis movable in a direction perpendicular to the scanning direction. By controlling the field stop in combination with two light-shielding plates rotatable in a plane perpendicular to the plane, the rectangular slit-shaped illumination area is deformed, so that the exposure amount of the scan-and-stitch overlapped portion and other portions can be reduced. A scanning exposure apparatus for making uniform is described.
【0005】また特開平9−82633号公報には、照
明領域の走査方向の幅を決定する固定の遮光板1対と、
走査方向と直交する方向の幅を決定する可動の遮光板1
対を有し、露光フィールドの形状に基づいて可動の遮光
板を駆動して走査露光することにより、1回の露光動作
で変形パターン領域の露光を可能とする投影露光装置が
記載されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-82633 discloses a pair of fixed light shielding plates for determining the width of an illumination area in the scanning direction.
A movable light shielding plate 1 for determining a width in a direction orthogonal to the scanning direction
There is described a projection exposure apparatus which has a pair and drives a movable light shielding plate based on the shape of an exposure field to perform scanning exposure, thereby enabling exposure of a deformed pattern area in one exposure operation.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
露光装置には以下に掲げる問題点があった。However, the conventional exposure apparatus has the following problems.
【0007】従来の露光装置は、スリット状の照明領域
の形を円弧状、六角形、矩形等その他の多角形とし、光
量の調整を行う、いわゆる絞りとして遮光板を駆動する
ものである。露光フィールドの変形は、特開平7−14
2313号公報で代表されるように、主として、製造す
るLSIチップの大きさに合わせるための、縦横方向の
伸縮のみである。特開平9−82633号公報の投影露
光装置は、長方形の露光フィールドに矩形の変形を加え
るもので、より複雑な形状の露光フィールドには対応出
来ない。例えば、図8は、従来の露光装置による露光フ
ィールドの説明図であるが、従来の露光装置では正方形
または長方形の露光フィールド14を形成するものであ
るため、フィールド15を除いてウェハ端部に収まるよ
うな変形ができない。In a conventional exposure apparatus, a slit-shaped illumination area is formed in an arc shape, hexagonal shape, rectangular shape, or other polygonal shape, and a light shielding plate is driven as a so-called stop for adjusting the amount of light. The deformation of the exposure field is described in JP-A-7-14.
As represented by JP-A No. 2313, only expansion and contraction in the vertical and horizontal directions is mainly performed to match the size of an LSI chip to be manufactured. The projection exposure apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-82633 applies a rectangular deformation to a rectangular exposure field, and cannot handle an exposure field having a more complicated shape. For example, FIG. 8 is an explanatory view of an exposure field by a conventional exposure apparatus. Since the conventional exposure apparatus forms a square or rectangular exposure field 14, the exposure field fits at the edge of the wafer except for the field 15. Such deformation is not possible.
【0008】図9は、従来の露光装置によるレジストパ
ターン形成方法の一例の説明図であってウェハ1上にL
SIチップ2を61個形成した例を示し、図10は、従
来のLSIパターンエッチングを説明する断面図であ
る。図10のように、パターン形成のための膜4を蒸着
し、その上にレジスト5を塗布し、フォトリソグラフィ
ー技術にてレジストをパターンニングしたウェハ3をエ
ッチングすると、エッチング材料のラジカル6、9が、
露出した膜4と反応する。ウェハ周縁部では使用されな
いラジカル6が近傍のパターンに回り込むため、ウェハ
中央部のラジカル9とラジカルの量が異なり、反応速度
に差が生じる。その結果、図中、被エッチング部7と被
エッチング部8のようにエッチング量が不均一となり、
不良品となる原因を作る。FIG. 9 is an explanatory view of an example of a method of forming a resist pattern by a conventional exposure apparatus, wherein an L
An example in which 61 SI chips 2 are formed is shown, and FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining conventional LSI pattern etching. As shown in FIG. 10, a film 4 for pattern formation is deposited, a resist 5 is applied thereon, and the wafer 3 on which the resist is patterned by the photolithography technique is etched to form radicals 6 and 9 of the etching material. ,
Reacts with the exposed film 4. At the wafer peripheral portion, unused radicals 6 wrap around the nearby pattern, so that radicals 9 at the central portion of the wafer have different amounts of radicals, resulting in a difference in reaction speed. As a result, in the figure, the etching amount becomes non-uniform like the etched part 7 and the etched part 8,
Make the cause of defective products.
【0009】図11は、従来の露光装置によるレジスト
パターン形成方法の他の一例の説明図、図12は、従来
のLSIパターンエッチングを説明する断面図である。
図11のようにウェハ周縁部にもLSIチップと同様の
ダミーパターン10を形成すれば、ウェハ面で均一なエ
ッチングが可能である。しかし、ウェハ端部近傍までパ
ターンを形成すると、ウェハ内部と比較してウェハ端部
のレジストは下地の膜との密着性が弱く、図のように剥
がれてゴミ11となりやすい。ゴミ11がウェハ内のパ
ターンに付着するとその部分がエッチングされなくな
り、不良品となる。FIG. 11 is a view for explaining another example of a method for forming a resist pattern by a conventional exposure apparatus, and FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining conventional LSI pattern etching.
As shown in FIG. 11, if a dummy pattern 10 similar to the LSI chip is formed also on the periphery of the wafer, uniform etching can be performed on the wafer surface. However, when a pattern is formed up to the vicinity of the wafer edge, the resist at the wafer edge has weak adhesion to the underlying film as compared with the inside of the wafer, and tends to peel off as dust 11 as shown in the figure. If the dust 11 adheres to the pattern in the wafer, the part is not etched, resulting in a defective product.
【0010】図13は、従来の露光装置によるレジスト
パターン形成方法のさらに他の一例の説明図、図14
は、従来のLSIパターンエッチングを説明する断面図
である。図13のように、ウェハ周縁部のレジストを除
去するための露光パターン12を形成し、ウェハ端部の
下地の密着性が弱い部分のレジストを予め除去すれば、
ウェハ端部13のレジスト剥がれは生じない。しかし、
ウェハ周縁露光という製造工程が1つ増えることにな
り、製造工期が長くなってしまう。FIG. 13 is a view for explaining still another example of a method of forming a resist pattern by a conventional exposure apparatus, and FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating conventional LSI pattern etching. As shown in FIG. 13, if an exposure pattern 12 for removing the resist at the peripheral portion of the wafer is formed, and the resist at a portion where the adhesion of the base under the wafer edge is weak is removed in advance,
The resist does not peel off at the wafer edge 13. But,
This increases the number of manufacturing steps of wafer edge exposure by one, which increases the manufacturing period.
【0011】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、露光フィールドを
種々の形に変形することができる露光装置を提供し、製
造工程を増やすことなく、ウェハ端部に収まる適当な形
状のダミーパターンの形成を可能とし、ウェハ面のエッ
チング量を均一に保ち、また、ウェハ端部のレジスト剥
がれを防止するダミーパターン形成方法及び半導体製造
方法を提供する点にある。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an exposure apparatus capable of transforming an exposure field into various shapes without increasing the number of manufacturing steps. A method of forming a dummy pattern and a semiconductor manufacturing method capable of forming a dummy pattern having an appropriate shape that fits in an edge of a wafer, maintaining a uniform etching amount on a wafer surface, and preventing resist peeling at an edge of the wafer.
The point is to provide a method .
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明の要
旨は、レチクルを照射する照明光学系と、前記レチクル
上の照明領域を決定する遮光板を設けたブラインドと、
前記レチクルと基板とを同期して走査露光するための制
御部とを有する露光装置におけるダミーパターン形成方
法であって、多角形の露光フィールド形状を走査露光す
るように、前記遮光板の移動・回転の駆動設定を行い、
多角形の露光フィールド形状を走査露光するように、前
記遮光板の移動・回転の駆動設定を行い、前記遮光板を
駆動しながら、ブラインド領域を変形し、照明領域を決
定して、前記露光フィールドを走査露光する露光方法を
用いて、前記レチクルのチップパターンを投影し、前記
基板の余剰エリア内にダミーパターンを形成することを
特徴とするダミーパターン形成方法に存する。請求項2
記載の発明の要旨は、請求項1記載のダミーパターン形
成方法を用いたことを特徴とする半導体製造方法に存す
る。 請求項3記載の発明の要旨は、請求項2記載の半導
体製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装
置に存する。 Means for Solving the Problems The gist of the invention according to claim 1
The illuminating optical system for irradiating the reticle and the reticle
A blind with a light blocking plate that determines the upper illumination area,
A control for synchronously scanning and exposing the reticle and the substrate.
Method of Dummy Pattern Formation in Exposure Apparatus Having Control Section
Scan exposure of a polygonal exposure field shape.
As described above, the drive setting of the movement and rotation of the light shielding plate is performed,
Expose the polygon exposure field shape like scanning exposure
The drive setting of the movement and rotation of the light shielding plate is performed, and the light shielding plate is
While driving, deform the blind area and determine the lighting area
And an exposure method for scanning and exposing the exposure field.
Using, projecting the chip pattern of the reticle,
Forming a dummy pattern in the surplus area of the board
The present invention is characterized by a method of forming a dummy pattern. Claim 2
The gist of the invention described is the dummy pattern type according to claim 1.
A semiconductor manufacturing method characterized by using a synthesis method.
You. The gist of the invention described in claim 3 is the same as the semiconductor device described in claim 2
Semiconductor device manufactured by a body manufacturing method
Exist.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
る構成及び動作を図面に基づいて詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0014】まず本実施の形態の構成の概略を説明す
る。図5は、本発明のダミーパターン形成方法及び半導
体製造方法の一実施の形態を示す概略構成図である。図
5に示すように、本発明の実施の形態に係るダミーパタ
ーン形成方法及び半導体製造方法を実施する露光装置
は、照明光を発生する光源17と、その照明光でレチク
ル31上の照明領域を照射する照明光学系(ミラー1
8、レンズ系21、フライアイレンズ系22、レンズ系
23、レンズ系25、反射鏡26、レンズ系27)と、
照明光を完全に遮断するシャッター19及びシャッター
駆動装置20と、照明領域の形と大きさを変化させるブ
ラインド駆動部24及びブラインド駆動装置36と、レ
チクルを走査するステージ28、ステージ29、ステー
ジ30及びステージ駆動装置34と、レチクルの位置を
計測するための干渉計33及びその移動鏡32と、各駆
動装置の制御及び干渉計の測定値を読み込むための主制
御系35を備える。First, an outline of the configuration of the present embodiment will be described. FIG. 5 shows a method of forming a dummy pattern and a semiconductor device according to the present invention.
It is a schematic structure figure showing one embodiment of a body manufacturing method . As shown in FIG. 5, the dummy pattern according to the embodiment of the present invention
The exposure apparatus that performs the laser beam forming method and the semiconductor manufacturing method includes a light source 17 that generates illumination light and an illumination optical system (mirror 1) that irradiates an illumination area on a reticle 31 with the illumination light.
8, lens system 21, fly-eye lens system 22, lens system 23, lens system 25, reflecting mirror 26, lens system 27);
A shutter 19 and a shutter driving device 20 for completely blocking the illumination light, a blind driving unit 24 and a blind driving device 36 for changing the shape and size of the illumination area, a stage 28, a stage 29, a stage 30 for scanning a reticle; A stage drive unit 34, an interferometer 33 for measuring the position of the reticle and its movable mirror 32, and a main control system 35 for controlling each drive unit and reading the measured values of the interferometer are provided.
【0015】図1は、本発明のダミーパターン形成方法
及び半導体製造方法の一実施の形態に用いるブラインド
駆動部の動作を説明する平面図、図2及び図3は、本発
明のダミーパターン形成方法及び半導体製造方法に用い
るブラインド駆動部を説明する平面図及び側面図であ
る。また、図4は、本発明のダミーパターン形成方法及
び半導体製造方法の一実施の形態においてブラインド駆
動部により決定される照明領域を示す平面図である。FIG. 1 shows a method of forming a dummy pattern according to the present invention.
FIGS. 2 and 3 are plan views illustrating the operation of a blind drive unit used in an embodiment of the semiconductor manufacturing method , and FIGS. 2 and 3 are plan views illustrating the blind drive unit used in the dummy pattern forming method and the semiconductor manufacturing method according to the present invention. And a side view. FIG. 4 shows a method of forming a dummy pattern according to the present invention.
FIG. 4 is a plan view showing an illumination area determined by a blind drive unit in one embodiment of the semiconductor manufacturing method .
【0016】ブラインド駆動部は、図2に示すような、
エッジにテーパーのついた遮光板37と、ブラインド駆
動ステージ38、ブラインド駆動ステージ39で構成さ
れる部材と、図3に示すように、エッジに図2の遮光板
とは逆のテーパーのついた遮光板37aだけが異なる部
材とで構成される。これらの部材の遮光板37、遮光板
37aはそれぞれ、図1に示すように、エッジに平行な
方向と垂直な方向に移動可能であり、また、回転可能に
設けられる。[0016] The blind drive unit is as shown in FIG.
A light shielding plate 37 having a tapered edge, a blind drive stage 38, and a member formed of a blind drive stage 39, and a light shield having a tapered edge opposite to that of FIG. 2 as shown in FIG. Only the plate 37a is composed of different members. As shown in FIG. 1, the light-shielding plate 37 and the light-shielding plate 37a of these members are respectively movable in a direction parallel to the edge and in a direction perpendicular to the edge, and are provided rotatably.
【0017】ブラインド駆動部は、図4にあるように、
図3の部材40aと図4の部材40bを組み合わせたも
のである。4枚の遮光板がそれぞれ、エッジに平行な方
向と垂直な方向に移動し、また回転することにより、ブ
ラインド領域41を変形し、照明領域を決定する。各遮
光板は、ブラインド駆動装置を介して、主制御系から駆
動制御される。As shown in FIG.
This is a combination of the member 40a of FIG. 3 and the member 40b of FIG. Each of the four light-shielding plates moves and rotates in a direction parallel to the edge and in a direction perpendicular to the edge, thereby deforming the blind area 41 and determining an illumination area. Each light shielding plate is driven and controlled by a main control system via a blind driving device.
【0018】次に、本実施の形態に係るダミーパターン
形成方法の一例を説明する。図6は、本発明のダミーパ
ターン形成方法及び半導体製造方法の一実施の形態にお
ける動作の説明図である。図7は、本発明の露光装置の
一実施の形態における露光フィールドの説明図である。Next, the dummy pattern according to the present embodiment
An example of a forming method will be described. FIG. 6 shows a dummy pattern according to the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram of an operation in an embodiment of a turn forming method and a semiconductor manufacturing method . FIG. 7 is an explanatory view of an exposure field in an embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
【0019】レチクル31上の照明領域は、前述の図4
に示す4枚の遮光板のエッジで区切られたブラインド領
域41によって決定される。遮光板は、図1に示すよう
に各エッジに平行な方向と垂直な方向に移動し、また回
転するように駆動され、これによりブラインド領域41
は種々の大きさと形状の矩形、変四角形、三角形とな
る。The illumination area on the reticle 31 is as shown in FIG.
Are determined by the blind areas 41 divided by the edges of the four light shielding plates shown in FIG. The light shielding plate is moved so as to move in a direction parallel to each edge and a direction perpendicular to each edge as shown in FIG.
Can be rectangles, deformed squares, and triangles of various sizes and shapes.
【0020】図7のような正方形の角が欠けた形状の露
光フィールド16は、例えば、レチクル31a上の正方
形、長方形のチップパターンを用い、レチクル31aを
走査させながら、図6に示すように照明領域41aを変
形させていくことにより得られる。この時に、図5の主
制御系35により、露光フィールドの形状とレチクルの
走査速度等から、遮光板の配置、移動量・回転量を求
め、ブラインド駆動装置を介して遮光板の駆動を制御
し、照明領域の41aの変形を行うとよい。As shown in FIG. 6, the exposure field 16 having the shape of a square with a corner lacking as shown in FIG. 7 is illuminated while scanning the reticle 31a using a square or rectangular chip pattern on the reticle 31a. It is obtained by deforming the area 41a. At this time, the main control system 35 in FIG. 5 obtains the arrangement, the movement amount and the rotation amount of the light shielding plate from the shape of the exposure field and the scanning speed of the reticle, and controls the driving of the light shielding plate via the blind driving device. , The deformation of the illumination area 41a may be performed.
【0021】本実施の形態ではレチクルを走査させなが
ら照明領域を変形させて種々の多角形状の露光フィール
ドを得るものであるが、他に、スキャンアンドステッチ
やステップアンドリピート方式に利用して、同様にパタ
ーンを形成することもできる。In this embodiment, the illumination area is deformed while scanning the reticle to obtain various polygonal exposure fields. In addition, the present invention is also applicable to scan-and-stitch and step-and-repeat methods. A pattern can also be formed on the substrate.
【0022】実施の形態に係るダミーパターン形成方法
及び半導体製造方法は上記の如く構成されているので、
以下に掲げる効果を奏する。A method for forming a dummy pattern according to an embodiment
And since the semiconductor manufacturing method is configured as described above,
The following effects are achieved.
【0023】照明領域を変形し、種々の形の露光フィー
ルドを形成することが出来る。このような種々の形の露
光フィールドによりダミーパターンを形成することが出
来る。ダミーパターンにより、ウェハ面内でエッチング
量を均一に保ち、且つウェハ端部のレジスト剥がれを防
止し、ウェハ周縁部の不良品の発生を防止できる。The illumination area can be modified to form various forms of exposure fields. Dummy patterns can be formed by such various types of exposure fields. The dummy pattern can keep the etching amount uniform in the wafer surface, prevent the resist from peeling off at the edge of the wafer, and prevent the occurrence of defective products at the peripheral portion of the wafer.
【0024】なお、本実施の形態においては、正方形の
露光パターンを基準とし、角の1点が欠けた形状の露光
フィールドによりダミーパターンを形成する場合を示し
たが、本発明はそれに限定されず、三角形やその他の多
角形状の露光フィールドを形成するなど、本発明を適用
する上で好適な露光装置及び露光方法に適用することが
できる。例えば、正方形または長方形であったLSIチ
ップを六角形等の多角形にすることにより、円形のウェ
ハから最大数のチップを取ることも可能となる。In the present embodiment, the case where a dummy pattern is formed by an exposure field having a shape in which one corner is missing based on a square exposure pattern has been described, but the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method suitable for applying the present invention, such as forming an exposure field having a triangular or other polygonal shape. For example, by converting a square or rectangular LSI chip into a polygon such as a hexagon, a maximum number of chips can be obtained from a circular wafer.
【0025】また、レンズ系その他の上記構成部材の
数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発
明を実施する上で好適な数、位置、形状等にすることが
できる。Further, the number, position, shape, and the like of the lens system and other constituent members are not limited to the above-described embodiment, but can be set to suitable numbers, positions, shapes, and the like in practicing the present invention.
【0026】[0026]
【発明の効果】本発明は、レチクルを照射する照明光学
系と、レチクル上の照明領域を決定する遮光板を設けた
ブラインドと、レチクルと基板を同期して走査露光する
ための制御部とを有する露光装置に、走査方向と走査方
向に直交する方向とに対向して設けられ、照明領域を設
定する4枚の遮光板と、遮光板をそれぞれ、照明光学系
光軸に垂直な面上で、移動・回転させる駆動部とを備
え、照明領域が露光フィールド形状を走査露光するよう
に、駆動部を制御し、前記遮光板の移動・回転の駆動設
定を行い、遮光板を駆動しながら露光フィールドを走査
露光するものである。そのため、種々の形の露光フィー
ルドが形成可能である。そのため、ウェハ端部のレジス
ト剥がれを防止するために、ウェハ周縁露光をわざわざ
行う必要もなく、露光フィールドを変形してダミーパタ
ーンを形成し、ウェハ面内でエッチング量を均一に保
ち、且つウェハ端部のレジスト剥がれを防止することが
出来る。According to the present invention, an illumination optical system for irradiating a reticle, a blind provided with a light-shielding plate for determining an illumination area on the reticle, and a control unit for synchronously scanning and exposing the reticle and the substrate are provided. And a light-shielding plate, which is provided to face the scanning direction and a direction orthogonal to the scanning direction, and sets four light-shielding plates for setting an illumination area, and the light-shielding plates on a surface perpendicular to the optical axis of the illumination optical system. A driving unit for moving and rotating, controlling the driving unit so that the illumination area scans and exposes the shape of the exposure field, performs drive setting for movement and rotation of the light shielding plate, and performs exposure while driving the light shielding plate. The field is subjected to scanning exposure. Therefore, various types of exposure fields can be formed. Therefore, in order to prevent the resist from peeling off at the edge of the wafer, it is not necessary to perform the wafer edge exposure, the exposure field is deformed to form a dummy pattern, the etching amount is kept uniform in the wafer surface, and the wafer edge is exposed. The resist can be prevented from being peeled off at the portions.
【図1】本発明のダミーパターン形成方法及び半導体製
造方法の一実施の形態に用いるブラインド駆動部の動作
を説明する平面図である。FIG. 1 shows a method of forming a dummy pattern and a semiconductor device according to the present invention.
It is a top view explaining operation of a blind drive part used for one embodiment of a manufacturing method .
【図2】本発明のダミーパターン形成方法及び半導体製
造方法の一実施の形態に用いるブラインド駆動部を説明
する平面図及び側面図である。FIG. 2 shows a method of forming a dummy pattern according to the present invention and a semiconductor device.
It is the top view and side view explaining the blind drive part used for one Embodiment of the manufacturing method .
【図3】本発明のダミーパターン形成方法及び半導体製
造方法の一実施の形態に用いるブラインド駆動部を説明
する平面図及び側面図である。FIG. 3 shows a method of forming a dummy pattern according to the present invention and a semiconductor device.
It is the top view and side view explaining the blind drive part used for one Embodiment of the manufacturing method .
【図4】本発明のダミーパターン形成方法及び半導体製
造方法の一実施の形態においてブラインド駆動部により
決定される照明領域を示す平面図である。FIG. 4 is a diagram showing a dummy pattern forming method and a semiconductor device according to the present invention.
It is a top view showing an illumination field determined by a blind drive part in one embodiment of a manufacturing method .
【図5】本発明のダミーパターン形成方法及び半導体製
造方法一実施の形態を示す概略構成図である。FIG. 5 shows a method of forming a dummy pattern according to the present invention and a semiconductor device.
It is a schematic structure figure showing one embodiment of a manufacturing method .
【図6】本発明のダミーパターン形成方法及び半導体製
造方法の一実施の形態における動作の説明図である。FIG. 6 shows a method of forming a dummy pattern and a semiconductor device according to the present invention.
It is an explanatory view of an operation in one embodiment of a fabrication method .
【図7】本発明のダミーパターン形成方法及び半導体製
造方法の一実施の形態における露光フィールドの説明図
である。FIG. 7 shows a method of forming a dummy pattern and a semiconductor device according to the present invention.
FIG. 4 is an explanatory view of an exposure field in one embodiment of the fabrication method .
【図8】従来の露光装置による露光フィールドの説明図
である。FIG. 8 is an explanatory view of an exposure field by a conventional exposure apparatus.
【図9】従来の露光装置によるレジストパターン形成方
法の一例の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of an example of a resist pattern forming method using a conventional exposure apparatus.
【図10】従来のLSIパターンエッチングを説明する
断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating conventional LSI pattern etching.
【図11】従来の露光装置によるレジストパターン形成
方法の他の一例の説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of another example of a resist pattern forming method using a conventional exposure apparatus.
【図12】従来のLSIパターンエッチングを説明する
断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating conventional LSI pattern etching.
【図13】従来の露光装置によるレジストパターン形成
方法のさらに他の一例の説明図である。FIG. 13 is an explanatory view of still another example of a method of forming a resist pattern by a conventional exposure apparatus.
【図14】従来のLSIパターンエッチングを説明する
断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a conventional LSI pattern etching.
1 ウェハ 2 LSIチップ 3 ウェハ 4 膜 5 レジスト 6 ラジカル 7 被エッチング部 8 被エッチング部 9 ラジカル 10 ダミーパターン 11 ゴミ 12 露光パターン 13 ウェハ端部 14 露光フィールド 15 フィールド 16 露光フィールド 17 光源 18 ミラー 19 シャッター 20 シャッター駆動装置 21 レンズ系 22 フライアイレンズ系 23 レンズ系 24 ブラインド駆動部 25 レンズ系 26 反射鏡 27 レンズ系 28 ステージ 29 ステージ 30 ステージ 31 レチクル 31a レチクル 32 移動鏡 33 干渉計 34 ステージ駆動装置 35 主制御系 36 ブラインド駆動装置 37 遮光板 37a 遮光板 38 ブラインド駆動ステージ 39 ブラインド駆動ステージ 40a 部材 40b 部材 41 ブラインド領域 41a 照明領域 Reference Signs List 1 wafer 2 LSI chip 3 wafer 4 film 5 resist 6 radical 7 etched portion 8 etched portion 9 radical 10 dummy pattern 11 dust 12 exposure pattern 13 wafer edge 14 exposure field 15 field 16 exposure field 17 light source 18 mirror 19 shutter 20 Shutter drive device 21 Lens system 22 Fly eye lens system 23 Lens system 24 Blind drive unit 25 Lens system 26 Reflector 27 Lens system 28 Stage 29 Stage 30 Stage 31 Reticle 31a Reticle 32 Moving mirror 33 Interferometer 34 Stage drive 35 Main control System 36 Blind drive device 37 Light shield plate 37a Light shield plate 38 Blind drive stage 39 Blind drive stage 40a Member 40b Member 41 Blind area 41 a Lighting area
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (3)
レチクル上の照明領域を決定する遮光板を設けたブライ
ンドと、前記レチクルと基板とを同期して走査露光する
ための制御部とを有する露光装置におけるダミーパター
ン形成方法であって、 多角形の露光フィールド形状を走査露光するように、前
記遮光板の移動・回転の駆動設定を行い、多角形の露光
フィールド形状を走査露光するように、前記遮光板の移
動・回転の駆動設定を行い、前記遮光板を駆動しなが
ら、ブラインド領域を変形し、照明領域を決定して、前
記露光フィールドを走査露光する露光方法を用いて、前
記レチクルのチップパターンを投影し、前記基板の余剰
エリア内にダミーパターンを形成することを特徴とする
ダミーパターン形成方法。 An illumination optical system for irradiating a reticle;
A blind with a light blocking plate that determines the illumination area on the reticle
Scanning exposure in synchronism with the reticle and the substrate.
Pattern in an exposure apparatus having a control unit for
Forming a polygonal exposure field shape by scanning exposure.
Set the drive for the movement and rotation of the shading plate, and expose the polygon.
The light shielding plate is moved so as to scan and expose the field shape.
Set the drive for rotation and rotation, and while driving the light shielding plate,
Deform the blind area, determine the lighting area,
Using an exposure method that scans and exposes the exposure field,
The chip pattern of the reticle is projected, and the excess
Forming a dummy pattern in the area
Dummy pattern formation method.
を用いたことを特徴とする半導体製造方法。 2. A method for forming a dummy pattern according to claim 1.
A semiconductor manufacturing method characterized by using:
造されたことを特徴とする半導体装置。 3. A semiconductor manufacturing method according to claim 2.
A semiconductor device characterized by being manufactured.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11074504A JP3056206B1 (en) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | Dummy pattern forming method and semiconductor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11074504A JP3056206B1 (en) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | Dummy pattern forming method and semiconductor manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3056206B1 true JP3056206B1 (en) | 2000-06-26 |
JP2000269122A JP2000269122A (en) | 2000-09-29 |
Family
ID=13549228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11074504A Expired - Fee Related JP3056206B1 (en) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | Dummy pattern forming method and semiconductor manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3056206B1 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI251116B (en) | 2002-12-19 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Device manufacturing method, computer-readable medium and lithographic apparatus |
JP4481698B2 (en) | 2004-03-29 | 2010-06-16 | キヤノン株式会社 | Processing equipment |
JP4493442B2 (en) * | 2004-08-24 | 2010-06-30 | Okiセミコンダクタ株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device and manufacturing apparatus used in the manufacturing method |
JP4838698B2 (en) * | 2006-12-19 | 2011-12-14 | キヤノン株式会社 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2009141263A (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Toshiba Corp | Exposure method, photo mask and reticle stage |
JP5127875B2 (en) | 2010-04-28 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | Lithographic apparatus and article manufacturing method |
JP5868094B2 (en) * | 2011-09-26 | 2016-02-24 | キヤノン株式会社 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
CN102520590B (en) * | 2011-11-29 | 2015-05-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Production method of light shield |
US8802359B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-08-12 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | UV glass production method |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP11074504A patent/JP3056206B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000269122A (en) | 2000-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3339149B2 (en) | Scanning exposure apparatus and exposure method | |
JP2691319B2 (en) | Projection exposure apparatus and scanning exposure method | |
JP3711586B2 (en) | Scanning exposure equipment | |
EP1039511A1 (en) | Projection exposure method and projection aligner | |
JP3451604B2 (en) | Scanning exposure equipment | |
JP2002252171A (en) | Photolithographic system and reticle stage | |
JPH0616476B2 (en) | Pattern exposure method | |
JPH11111601A (en) | Method and device for exposure | |
KR20020022117A (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
JP3056206B1 (en) | Dummy pattern forming method and semiconductor manufacturing method | |
JP2006186369A (en) | Semiconductor wafer and lithography process using the same | |
JP2506616B2 (en) | Exposure apparatus and circuit manufacturing method using the same | |
JP2002043214A (en) | Method for scanning exposure | |
JPH08153661A (en) | Projection exposure method | |
US5459003A (en) | Exposure method for forming sloping sidewalls in photoresists | |
JPH11121328A (en) | Scanning reduction projection exposure system | |
US6610460B2 (en) | Exposure method | |
JP3209294B2 (en) | Exposure equipment | |
JP3372086B2 (en) | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method | |
JP4801931B2 (en) | Drawing device | |
JPH01175730A (en) | Aligner | |
JPH09306829A (en) | Scanning aligner and its method | |
JPH1092729A (en) | Illumination device and scanning projection aligner using the same | |
JP2003059804A (en) | Pattern-forming apparatus and method for manufacturing pattern | |
JPH10233360A (en) | Aligner, manufacturer of device and mask |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |