JP3017973B2 - 化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するためのアダプター - Google Patents
化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するためのアダプターInfo
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- JP3017973B2 JP3017973B2 JP10235782A JP23578298A JP3017973B2 JP 3017973 B2 JP3017973 B2 JP 3017973B2 JP 10235782 A JP10235782 A JP 10235782A JP 23578298 A JP23578298 A JP 23578298A JP 3017973 B2 JP3017973 B2 JP 3017973B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハを研
磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）機に関し、さらに
詳述すればウェーハを前記研磨機に適応させるウェーハ
アダプターに関するものである。
磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）機に関し、さらに
詳述すればウェーハを前記研磨機に適応させるウェーハ
アダプターに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＭＰはＶＬＳＩ（超大規模集積回路）
もしくはＵＬＳＩ（超々大規模集積回路）用半導体ウェ
ーハの世界的に知られた平坦化処理の技術である。それ
はウェーハの表面研磨用の化学試薬を用い外面に平坦度
を与える機械的研磨法を利用するものである。
もしくはＵＬＳＩ（超々大規模集積回路）用半導体ウェ
ーハの世界的に知られた平坦化処理の技術である。それ
はウェーハの表面研磨用の化学試薬を用い外面に平坦度
を与える機械的研磨法を利用するものである。
【０００３】図１および図２を参照すると、従来のＣＭ
Ｐ機の平面図と断面図がそれぞれ示されている。それは
研磨テーブル１２と、このテーブル上に配置され研磨さ
れることになるウェーハ１０の保持用の少くとも１つの
キャリヤ１４を備える。このキャリヤ１４はウェーハ１
０の裏面を把持し、また前記研磨テーブル１２上に固定
された研磨パッド１８の上でウェーハの露出面を押圧す
るためのホルダ１６とアダプター２４をさらに備える。
この研磨工程中、前記テーブル１２と前記キャリヤ１４
とは相対する方向に回転する。そこにはさらにチューブ
２２を介し前記テーブル１２上に研磨スラリーが供給さ
れる。したがって前記ウェーハ１０の露出面は研磨工程
を経て平坦化されることになる。
Ｐ機の平面図と断面図がそれぞれ示されている。それは
研磨テーブル１２と、このテーブル上に配置され研磨さ
れることになるウェーハ１０の保持用の少くとも１つの
キャリヤ１４を備える。このキャリヤ１４はウェーハ１
０の裏面を把持し、また前記研磨テーブル１２上に固定
された研磨パッド１８の上でウェーハの露出面を押圧す
るためのホルダ１６とアダプター２４をさらに備える。
この研磨工程中、前記テーブル１２と前記キャリヤ１４
とは相対する方向に回転する。そこにはさらにチューブ
２２を介し前記テーブル１２上に研磨スラリーが供給さ
れる。したがって前記ウェーハ１０の露出面は研磨工程
を経て平坦化されることになる。
【０００４】さらに図３、図４、図５および図６を参照
すると、従来技術の２つのウェーハアダプターの形状が
示されている。図３ならびに図４（図３のＢ−Ｂ線上の
断面図）では、前記アダプター２４はウェーハ保持用の
内側円周を有するる保持リング３２と、この保持リング
３２をホルダに締結するねじのようなファスナー（図示
せず）と、および前記リング３２と前記ホルダ１６の間
に置かれ前記ウェーハをクッションで支えるキャリヤフ
ィルム３４とを備える。一般に、ＣＭＰ機はウェーハの
特定の寸法に対して設計されている。８インチ径のウェ
ーハの例を取り上げると、ホルダ用のアダプター２４
は、保持リング３２の内径が前述のウェーハの把持に正
しく適し、またリング３２の幅Ｔが数ｍｍになるよう本
来設計されている。この幅Ｔは研磨パットからウェーハ
へのスラリーの輪送を遮らないように設計されている。
８インチのＣＭＰ機が６インチ径のウェーハを研磨する
ために必要とされた時、図５ならびに図６（図５のＣ−
Ｃ線上の断面図）に示されたような従来のアダプター２
４を用いる。前記保持リング３２の外径はホルダの輪郭
に制限されるので、このリング３２の内径だけが修正で
きる。前記リング３２の内径が６インチ径に縮径される
と、前記スラリー輪送に対して２インチ幅のバリヤーと
なってしまう。スラリーのより容易な輪送のため切取ら
れた数条の直線溝３６が設けられているが、従来型のア
ダプターには次のいくつかの欠点がある。 ａ）この直線溝３６はスラリーの流れをウェーハと研磨
パッドの間で容易にするが、研磨工程中、スラリーを有
効に保持できないのでさらなる量のスラリーを必要と
し、スラリーの有効利用度を低下させることとなる。 ｂ）前記直線溝３６はスラリーの分配には非効率的であ
り、またテーブルの回転速度ならびにキャリヤの回転速
度のようなプロセスパラメーターに対しては過敏である
こととなる。 ｃ）この直線溝３６のため前記リングの内側円周の壁部
にウェーハと接触する鋭いコーナーができる。ウェーハ
が研磨工程中にリングの内側を回転する場合、ウェーハ
とこれらの鋭いコーナーの間で衝突が起こることもあ
り、結果としてウェーハの損失を招くこととなる。 ｄ）この直線溝３６は前記保特リング３２の内側円周面
を突抜けているので、ウェーハに対するリングの接触面
を減少させ、結果としてより小さい接触面積とより高い
接触圧のためリングの耐用年数を短縮させることとな
る。
すると、従来技術の２つのウェーハアダプターの形状が
示されている。図３ならびに図４（図３のＢ−Ｂ線上の
断面図）では、前記アダプター２４はウェーハ保持用の
内側円周を有するる保持リング３２と、この保持リング
３２をホルダに締結するねじのようなファスナー（図示
せず）と、および前記リング３２と前記ホルダ１６の間
に置かれ前記ウェーハをクッションで支えるキャリヤフ
ィルム３４とを備える。一般に、ＣＭＰ機はウェーハの
特定の寸法に対して設計されている。８インチ径のウェ
ーハの例を取り上げると、ホルダ用のアダプター２４
は、保持リング３２の内径が前述のウェーハの把持に正
しく適し、またリング３２の幅Ｔが数ｍｍになるよう本
来設計されている。この幅Ｔは研磨パットからウェーハ
へのスラリーの輪送を遮らないように設計されている。
８インチのＣＭＰ機が６インチ径のウェーハを研磨する
ために必要とされた時、図５ならびに図６（図５のＣ−
Ｃ線上の断面図）に示されたような従来のアダプター２
４を用いる。前記保持リング３２の外径はホルダの輪郭
に制限されるので、このリング３２の内径だけが修正で
きる。前記リング３２の内径が６インチ径に縮径される
と、前記スラリー輪送に対して２インチ幅のバリヤーと
なってしまう。スラリーのより容易な輪送のため切取ら
れた数条の直線溝３６が設けられているが、従来型のア
ダプターには次のいくつかの欠点がある。 ａ）この直線溝３６はスラリーの流れをウェーハと研磨
パッドの間で容易にするが、研磨工程中、スラリーを有
効に保持できないのでさらなる量のスラリーを必要と
し、スラリーの有効利用度を低下させることとなる。 ｂ）前記直線溝３６はスラリーの分配には非効率的であ
り、またテーブルの回転速度ならびにキャリヤの回転速
度のようなプロセスパラメーターに対しては過敏である
こととなる。 ｃ）この直線溝３６のため前記リングの内側円周の壁部
にウェーハと接触する鋭いコーナーができる。ウェーハ
が研磨工程中にリングの内側を回転する場合、ウェーハ
とこれらの鋭いコーナーの間で衝突が起こることもあ
り、結果としてウェーハの損失を招くこととなる。 ｄ）この直線溝３６は前記保特リング３２の内側円周面
を突抜けているので、ウェーハに対するリングの接触面
を減少させ、結果としてより小さい接触面積とより高い
接触圧のためリングの耐用年数を短縮させることとな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明は従
来の小さい寸法のウェーハアダプターの前記の諸欠点を
克服した化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持する
ためのアダプターを提供することを目的とするものであ
る。
来の小さい寸法のウェーハアダプターの前記の諸欠点を
克服した化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持する
ためのアダプターを提供することを目的とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持す
るためのアダプターであって、その片方の表面に形成さ
れた複数の溝を備える保持リングと、前記保持リングを
前記ホルダに締結するためのファスナーとからなり、前
記リングの内側円周が、前記ウェーハの輪郭を把持し、
前記リングの外側円周が前記ホルダの輪郭に対応して位
置し、前記溝が前記内側円周から間隔をおいていること
を特徴とし、また前記溝が前記保持リングの前記外側円
周側において、内側円周側よりも狭い開口部を備えて形
成され、さらに前記溝が前記外側円周側において、内側
円周側よりも狭い開口部と、前記リングの内側円周に比
較的広い底部を備え、またさらに前記溝が楔形であり、
そして前記溝と前記内側円周の間に形成された壁部が
０．５ｃｍ以下の厚さをもち、さらにまた前記リングな
らびに前記ホルダの間に置かれ前記ウェーハのクッショ
ンとなるキャリヤ−フィルムをさらに有し、また前記フ
ァスナーが前記リングを前記ホルダに締結するねじであ
る化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するための
アダプターを特徴とするものである。
本発明は、化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持す
るためのアダプターであって、その片方の表面に形成さ
れた複数の溝を備える保持リングと、前記保持リングを
前記ホルダに締結するためのファスナーとからなり、前
記リングの内側円周が、前記ウェーハの輪郭を把持し、
前記リングの外側円周が前記ホルダの輪郭に対応して位
置し、前記溝が前記内側円周から間隔をおいていること
を特徴とし、また前記溝が前記保持リングの前記外側円
周側において、内側円周側よりも狭い開口部を備えて形
成され、さらに前記溝が前記外側円周側において、内側
円周側よりも狭い開口部と、前記リングの内側円周に比
較的広い底部を備え、またさらに前記溝が楔形であり、
そして前記溝と前記内側円周の間に形成された壁部が
０．５ｃｍ以下の厚さをもち、さらにまた前記リングな
らびに前記ホルダの間に置かれ前記ウェーハのクッショ
ンとなるキャリヤ−フィルムをさらに有し、また前記フ
ァスナーが前記リングを前記ホルダに締結するねじであ
る化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するための
アダプターを特徴とするものである。
【０００７】本発明はＣＭＰ機用のウェーハアダプター
を開示しており、このアダプターは保持リングを備え、
その保持リングの片方の表面上に形成された多数の溝を
有するものである。このリングの内側円周ならびに外側
円周がそれぞれウェーハとホルダの輪郭を正しく把持す
るよう適応させてある。この溝は比較的狭い開口部をリ
ングの外側円周に、また比較的広い底部をリングの内側
円周に備え、かつその底部は前記内側円周と壁部によっ
て隔てられている。
を開示しており、このアダプターは保持リングを備え、
その保持リングの片方の表面上に形成された多数の溝を
有するものである。このリングの内側円周ならびに外側
円周がそれぞれウェーハとホルダの輪郭を正しく把持す
るよう適応させてある。この溝は比較的狭い開口部をリ
ングの外側円周に、また比較的広い底部をリングの内側
円周に備え、かつその底部は前記内側円周と壁部によっ
て隔てられている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に基づいて説明
するが、図１乃至図６には前述した通り先行技術に係る
ＣＭＰ機とウェーハアダプターが示されている。
するが、図１乃至図６には前述した通り先行技術に係る
ＣＭＰ機とウェーハアダプターが示されている。
【０００９】図７ならび図８はそれぞれ本発明の一実施
例に係るウェーハアダプターの底面図と断面図である。
このアダプターは小型（たとえば６インチ径）のウェー
ハの把持用の保持リング３２と、本来比較的大型（たと
えば８インチ径）ウェーハを研磨するために設計された
ＣＭＰ機のホルダ１６（図２参照）に前記リングを締結
するねじのようなファスナー（図示せず）とを備える。
前記リング３２の片方の表面には多数の溝３９が形成さ
れ、そのリングの内側円周はウェーハを正しく把持する
ためのものである。前記溝３９はリング３２の外側円周
に比較的狭い開口部３６１と、内側円周に比較幅広い底
部３６２を備え、かつその底部３６２は厚さが０．５ｃ
ｍ以下の壁部３６３により前記内側円周と隔てられてい
る。さらに前記リング３２とホルダ１６の間にキャリヤ
フィルム３４があってウェーハのクッションとなってい
る。
例に係るウェーハアダプターの底面図と断面図である。
このアダプターは小型（たとえば６インチ径）のウェー
ハの把持用の保持リング３２と、本来比較的大型（たと
えば８インチ径）ウェーハを研磨するために設計された
ＣＭＰ機のホルダ１６（図２参照）に前記リングを締結
するねじのようなファスナー（図示せず）とを備える。
前記リング３２の片方の表面には多数の溝３９が形成さ
れ、そのリングの内側円周はウェーハを正しく把持する
ためのものである。前記溝３９はリング３２の外側円周
に比較的狭い開口部３６１と、内側円周に比較幅広い底
部３６２を備え、かつその底部３６２は厚さが０．５ｃ
ｍ以下の壁部３６３により前記内側円周と隔てられてい
る。さらに前記リング３２とホルダ１６の間にキャリヤ
フィルム３４があってウェーハのクッションとなってい
る。
【００１０】本発明に係るウェーハアダプターの利点は
次のように説明できる。
次のように説明できる。
【００１１】第１に、前記溝に楔形状（開口部が比較的
狭く底部が比較的広い）をもたせたことによって、 ａ）より高い研磨効率が、この楔状溝に到来するスラリ
ーが比較的長い期間保持され、研磨工程に十分利用され
るので達成されることになり、 ｂ）前記楔形溝がウェーハと研磨パッドの間のスラリー
の流れを維持することになるスラリーのプールとして形
成されるので、当初のＣＭＰ工程パラメータ、たとえば
テーブルならびにキャリヤの回転速度などが維持される
ことになる。第２に、図５にあるような壁部を切取って
形成された直線溝の代りに、図７にあるようにウェーハ
を保持するため示されたように全円周壁部を維持するこ
とによって、 ａ）ウェーハは鋭いエッジがウェーハと接触して形成さ
れないため損傷を受けることがなく、 ｂ）アダプターの耐用年数がウェーハとアダプターの間
の接触圧が全円周壁部により減圧されるので延長される
ことになる。
狭く底部が比較的広い）をもたせたことによって、 ａ）より高い研磨効率が、この楔状溝に到来するスラリ
ーが比較的長い期間保持され、研磨工程に十分利用され
るので達成されることになり、 ｂ）前記楔形溝がウェーハと研磨パッドの間のスラリー
の流れを維持することになるスラリーのプールとして形
成されるので、当初のＣＭＰ工程パラメータ、たとえば
テーブルならびにキャリヤの回転速度などが維持される
ことになる。第２に、図５にあるような壁部を切取って
形成された直線溝の代りに、図７にあるようにウェーハ
を保持するため示されたように全円周壁部を維持するこ
とによって、 ａ）ウェーハは鋭いエッジがウェーハと接触して形成さ
れないため損傷を受けることがなく、 ｂ）アダプターの耐用年数がウェーハとアダプターの間
の接触圧が全円周壁部により減圧されるので延長される
ことになる。
【００１２】実験により、本発明によるアダプターが顕
著な性能を有し、スラリーの所望流量が同一結果の研磨
工程に対し、従来のアダプターでは５００〜１０００ｃ
ｃ／分であったが本発明では僅か１５０〜５００ｃｃ／
分に減少する。
著な性能を有し、スラリーの所望流量が同一結果の研磨
工程に対し、従来のアダプターでは５００〜１０００ｃ
ｃ／分であったが本発明では僅か１５０〜５００ｃｃ／
分に減少する。
【００１３】
【発明の効果】以上述べた通り本発明によれば、より高
い研磨効率を有し、鋭いエッジが壁部に衝突して生ずる
ウェーハの損失がなく、またウェーハとアダプターの間
の接触圧が少くアダプターの耐用年数を延ばすことが可
能な化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するため
のアダプターを提供することができる。
い研磨効率を有し、鋭いエッジが壁部に衝突して生ずる
ウェーハの損失がなく、またウェーハとアダプターの間
の接触圧が少くアダプターの耐用年数を延ばすことが可
能な化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するため
のアダプターを提供することができる。
【図１】従来のＣＭＰ機の部分平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線上の断面図である。
【図３】本来大型ウェーハに使用されるＣＭＰ機の従来
のウェーハアダプターの底面図である。
のウェーハアダプターの底面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線上の断面図である。
【図５】小型ウェーハに用いられるＣＭＰ機用の従来の
アダプターの底面図である。
アダプターの底面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ線上の断面図である。
【図７】本発明の一実施例に係る小型ウェーハ用のＣＭ
Ｐ機のウェーハアダプターの底面図である。
Ｐ機のウェーハアダプターの底面図である。
【図８】図７のＤ−Ｄ線上の断面図である。
１６ ホルダ ２４ アダプター ３２ 保持リング ３４ キャリヤフィルム ３９ 溝 ３６１ 開口部 ３６２ 底部 ３６３ 壁部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 591209109 シーメンス・アクチェンゲゼルシャフト ＳＩＥＭＥＮＳ ＡＫＴＩＥＮＧＥＳＥ ＬＬＳＣＨＡＦＴ ドイツ連邦共和国、80333 ミュンヘン、 ヴィッテルズバッハ・プラッツ ２ (72)発明者 チャンピオン．イ タイワン．シンチュ．チュ−タン．チン −フ．ストリート．レーン．６．ナンバ ー．19 (56)参考文献 特開 昭64−34661（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−11055（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−295263（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 37/04 H01L 21/304 622
Claims (8)
- 【請求項１】 化学機械研磨機のホルダにウェーハを保
持するためのアダプターであって、その片方の表面に形
成された複数の溝を備える保持リングと、前記保持リン
グを前記ホルダに締結するためのファスナーとからな
り、前記リングの内側円周が、前記ウェーハの輪郭を把
持し、前記リングの外側円周が前記ホルダの輪郭に対応
して位置し、前記溝が前記内側円周から間隔をおいてい
ることを特徴とする化学機械研磨機のホルダにウェーハ
を保持するためのアダプター。 - 【請求項２】 前記溝が前記保持リングの前記外側円周
側において、内側円周側よりも狭い開口部を備えて形成
されることを特徴とする請求項１記載の化学機械研磨機
のホルダにウェーハを保持するためのアダプター。 - 【請求項３】 前記溝が前記外側円周側において、内側
円周側よりも狭い開口部と、前記リングの内側円周に比
較的広い底部を備えていることを特徴とする請求項１記
載の化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するため
のアダプター。 - 【請求項４】 前記溝が楔形であることを特徴とする請
求項２もしくは３記載の化学機械研磨機のホルダにウェ
ーハを保持するためのアダプター。 - 【請求項５】 前記溝と前記内側円周の間に形成された
壁部が０．５ｃｍ以下の厚さをもつことを特徴とする請
求項４記載の化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持
するためのアダプター。 - 【請求項６】 前記溝と前記内側円周の間に形成された
壁部が０．５ｃｍ以内の厚さをもつことを特徴とする請
求項２もしくは３記載の化学機械研磨機のホルダにウェ
ーハを保持するためのアダプター。 - 【請求項７】 前記リングならびに前記ホルダの間に置
かれ前記ウェーハのクッションとなるキャリヤ−フィル
ムをさらに有することを特徴とする請求項１記載の化学
機械研磨機のホルダにウェーハを保持するためのアダプ
ター。 - 【請求項８】 前記ファスナーが前記リングを前記ホル
ダに締結するねじであることを特徴とする請求項１記載
の化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するための
アダプター。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/128,983 US6146260A (en) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | Polishing machine |
| JP10235782A JP3017973B2 (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-21 | 化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するためのアダプター |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/128,983 US6146260A (en) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | Polishing machine |
| JP10235782A JP3017973B2 (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-21 | 化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するためのアダプター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000061826A JP2000061826A (ja) | 2000-02-29 |
| JP3017973B2 true JP3017973B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=26532326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10235782A Expired - Fee Related JP3017973B2 (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-21 | 化学機械研磨機のホルダにウェーハを保持するためのアダプター |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6146260A (ja) |
| JP (1) | JP3017973B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000055130A (ko) * | 1999-02-03 | 2000-09-05 | 유현식 | 균일한 입자분포를 갖는 반도체소자 ｃｍｐ용 금속산화물 슬러리의 제조방법 |
| US6447380B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-09-10 | Lam Research Corporation | Polishing apparatus and substrate retainer ring providing continuous slurry distribution |
| EP1177859B1 (en) * | 2000-07-31 | 2009-04-15 | Ebara Corporation | Substrate holding apparatus and substrate polishing apparatus |
| US6949158B2 (en) * | 2001-05-14 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Using backgrind wafer tape to enable wafer mounting of bumped wafers |
| US6821192B1 (en) | 2003-09-19 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring for use in chemical mechanical polishing |
| US7029375B2 (en) * | 2004-08-31 | 2006-04-18 | Tech Semiconductor Pte. Ltd. | Retaining ring structure for edge control during chemical-mechanical polishing |
| US7597609B2 (en) * | 2006-10-12 | 2009-10-06 | Iv Technologies Co., Ltd. | Substrate retaining ring for CMP |
| JP5795920B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2015-10-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6434661A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-06 | Hitachi Ltd | Wafer polishing device |
| JP2933488B2 (ja) * | 1994-08-10 | 1999-08-16 | 日本電気株式会社 | 研磨方法および研磨装置 |
| US5643061A (en) * | 1995-07-20 | 1997-07-01 | Integrated Process Equipment Corporation | Pneumatic polishing head for CMP apparatus |
| US5695392A (en) * | 1995-08-09 | 1997-12-09 | Speedfam Corporation | Polishing device with improved handling of fluid polishing media |
| US5679065A (en) * | 1996-02-23 | 1997-10-21 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier having carrier ring adapted for uniform chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
-
1998
- 1998-08-03 US US09/128,983 patent/US6146260A/en not_active Expired - Lifetime
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