JP3006816B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に半導体装置の電極形成方法に関する。
関し、特に半導体装置の電極形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置に電極を形成する方法
として、図3に示す方法がある。この方法は、導電領域
等の素子領域が形成されたシリコン基板301の表面
に、層間絶縁膜302を形成した後、通常のレジスト工
程を用いるフォトリソグラフィー技術により開口(コン
タクトホール)を形成する。次いで、密着層としてTi
N層303をコンタクトホール内及び層間絶縁膜302
の表面に形成する。ここで、TiN層303は、例えば
バイアスECR−CVD法で形成することができるが、
その他の方法を用いても良い。そして、ブランケットW
−CVD法により、TiN層303の表面に、高融点金
属膜としてタングステン層304を形成する。その後、
タングステン層304とTiN層303の選択比が1と
なるようなエッチングガスを用いて、エッチバックを行
ない、コンタクトホール内のタングステン層304を電
極とする。この様な方法は、例えば、特開平4−582
9号公報に開示されている。
として、図3に示す方法がある。この方法は、導電領域
等の素子領域が形成されたシリコン基板301の表面
に、層間絶縁膜302を形成した後、通常のレジスト工
程を用いるフォトリソグラフィー技術により開口(コン
タクトホール)を形成する。次いで、密着層としてTi
N層303をコンタクトホール内及び層間絶縁膜302
の表面に形成する。ここで、TiN層303は、例えば
バイアスECR−CVD法で形成することができるが、
その他の方法を用いても良い。そして、ブランケットW
−CVD法により、TiN層303の表面に、高融点金
属膜としてタングステン層304を形成する。その後、
タングステン層304とTiN層303の選択比が1と
なるようなエッチングガスを用いて、エッチバックを行
ない、コンタクトホール内のタングステン層304を電
極とする。この様な方法は、例えば、特開平4−582
9号公報に開示されている。
【0003】しかしながら、この図3に示した従来技術
の方法では、タングステンの成長前に堆積する金属膜の
段差被覆性の悪さにより、コンタクトホールの形状を著
しく劣化させてしまい、タングステンを堆積させた後も
コンタクトホール内部にボイドが残ってしまうという問
題点を有している。
の方法では、タングステンの成長前に堆積する金属膜の
段差被覆性の悪さにより、コンタクトホールの形状を著
しく劣化させてしまい、タングステンを堆積させた後も
コンタクトホール内部にボイドが残ってしまうという問
題点を有している。
【0004】これに対して、コンタクトホール内部にボ
イドを残さずに電極を形成する方法として、図4に示す
方法がある。この方法は、図4に示すように、導電領域
等が形成された半導体基板401上に積層された層間絶
縁膜402にコンタクトホール403を形成し、選択気
相化学成長法により、コンタクトホール内部にのみ金属
膜、例えば、タングステン404を堆積させて電極とす
る。
イドを残さずに電極を形成する方法として、図4に示す
方法がある。この方法は、図4に示すように、導電領域
等が形成された半導体基板401上に積層された層間絶
縁膜402にコンタクトホール403を形成し、選択気
相化学成長法により、コンタクトホール内部にのみ金属
膜、例えば、タングステン404を堆積させて電極とす
る。
【0005】しかしながら、この方法では、原料ガスで
ある六フッ化タングステンと基板であるシリコンとが反
応してタングステンが成長するため、基板表面状態によ
って、タングステンの成長が不安定となる。また、選択
気相化学成長法を用いた場合は、層間絶縁膜の表面状態
により選択性の崩れが生じる場合があり、このような場
合には層間絶縁膜とタングステンとの密着性が悪いため
に膜剥がれやごみを発生し、半導体装置の信頼性を著し
く劣化させるという問題点がある。そこで、この様な問
題点を解決する半導体装置の製造方法として、次のよう
なものがある。
ある六フッ化タングステンと基板であるシリコンとが反
応してタングステンが成長するため、基板表面状態によ
って、タングステンの成長が不安定となる。また、選択
気相化学成長法を用いた場合は、層間絶縁膜の表面状態
により選択性の崩れが生じる場合があり、このような場
合には層間絶縁膜とタングステンとの密着性が悪いため
に膜剥がれやごみを発生し、半導体装置の信頼性を著し
く劣化させるという問題点がある。そこで、この様な問
題点を解決する半導体装置の製造方法として、次のよう
なものがある。
【0006】例えば、特開平3−82021号公報に
は、シリコン基板表面(コンタクトホールの底部)に水
素を吸着させて、金属膜を密着性良く形成する方法が、
開示されている。以下に、この方法を図5を参照して詳
述する。
は、シリコン基板表面(コンタクトホールの底部)に水
素を吸着させて、金属膜を密着性良く形成する方法が、
開示されている。以下に、この方法を図5を参照して詳
述する。
【0007】まず、図5(a)に示すように、半導体装
置として必要な構成(領域)を形成したSi基板501
の表面を覆う絶縁膜502の所定部分に、開口部503
を形成する。ここで、開口部503を形成することによ
って、露出したSi基板501の表面層には、ドナーも
しくはアクセプタ不純物が大量に添加されていても、さ
れていなくても構わない。
置として必要な構成(領域)を形成したSi基板501
の表面を覆う絶縁膜502の所定部分に、開口部503
を形成する。ここで、開口部503を形成することによ
って、露出したSi基板501の表面層には、ドナーも
しくはアクセプタ不純物が大量に添加されていても、さ
れていなくても構わない。
【0008】開口部503を形成することによって露出
したSi基板501の表面には、大気に曝されることに
より、表面酸化膜504が形成される。そこで、この表
面酸化膜504を除去するために、前処理工程を行う。
この前処理工程は、例えば、フッ化水素酸化溶液でエッ
チングし、続いて純水中で水洗することによって行なわ
れる。この前処理工程によって、開口部503内のSi
基板501の表面には、図5(b)に示すように、水素
吸着層505が形成される。この水素吸着層505は、
その後、基板がCVD装置に装着されるまで、大気中に
さらされることによる表面酸化膜の形成を抑制する。な
お、表面が(100)もしくはそれに近い面を有するS
i基板501の場合、表面Si原子の持つ2本の未結合
手は、それぞれ1個の水素原子で終端される状態と、同
一の水素原子で終端された状態の両者を含んでいる。
したSi基板501の表面には、大気に曝されることに
より、表面酸化膜504が形成される。そこで、この表
面酸化膜504を除去するために、前処理工程を行う。
この前処理工程は、例えば、フッ化水素酸化溶液でエッ
チングし、続いて純水中で水洗することによって行なわ
れる。この前処理工程によって、開口部503内のSi
基板501の表面には、図5(b)に示すように、水素
吸着層505が形成される。この水素吸着層505は、
その後、基板がCVD装置に装着されるまで、大気中に
さらされることによる表面酸化膜の形成を抑制する。な
お、表面が(100)もしくはそれに近い面を有するS
i基板501の場合、表面Si原子の持つ2本の未結合
手は、それぞれ1個の水素原子で終端される状態と、同
一の水素原子で終端された状態の両者を含んでいる。
【0009】次に、前記Si基板501をロードロック
糟を通してCVD装置の反応糟内に装着する。Si基板
501表面に吸着した水分を除去するために、反応糟内
に装着する前にロードロック糟内もしくはほかに設けら
れた加熱糟内で、Si基板501を100℃以上に加熱
する。続いて、反応糟内の水蒸気分圧が10-2Pa以下
になってから、Si基板501を所定の温度、例えば2
50℃に加熱する。ただし、Si基板501の表面温度
が200℃に達したときの反応糟内の水蒸気分圧を10
-2Pa以下に保つため、例えば、10-4Pa程度の十分
に低い水蒸気圧に到達してから加熱を開始する、などの
方法をとることが望ましい。さらに、余圧もしくは水蒸
気分圧を監視し、水蒸気分圧が10-2Pa以下に保たれ
るようにSi基板501の温度上昇速度を制御すること
が望ましい。そして温度安定後に、WF6 およびSiH
4 を含む雰囲気ガスを反応糟へ供給して堆積工程を開始
する。このとき、SiH4 とWF6 との分圧比は0.3
〜1.0が適当である。
糟を通してCVD装置の反応糟内に装着する。Si基板
501表面に吸着した水分を除去するために、反応糟内
に装着する前にロードロック糟内もしくはほかに設けら
れた加熱糟内で、Si基板501を100℃以上に加熱
する。続いて、反応糟内の水蒸気分圧が10-2Pa以下
になってから、Si基板501を所定の温度、例えば2
50℃に加熱する。ただし、Si基板501の表面温度
が200℃に達したときの反応糟内の水蒸気分圧を10
-2Pa以下に保つため、例えば、10-4Pa程度の十分
に低い水蒸気圧に到達してから加熱を開始する、などの
方法をとることが望ましい。さらに、余圧もしくは水蒸
気分圧を監視し、水蒸気分圧が10-2Pa以下に保たれ
るようにSi基板501の温度上昇速度を制御すること
が望ましい。そして温度安定後に、WF6 およびSiH
4 を含む雰囲気ガスを反応糟へ供給して堆積工程を開始
する。このとき、SiH4 とWF6 との分圧比は0.3
〜1.0が適当である。
【0010】この様にして、堆積工程が開始されると、
反応雰囲気供給後遅滞なく、Si基板501表面に吸着
した水素もしくはSi基板501の表面による原料ガス
の還元反応が始まり、図5(c)に示すように開口部5
03内のSi基板501の表面にのみ選択的に、ほぼ均
一でかつ平坦なW薄膜506が形成される。
反応雰囲気供給後遅滞なく、Si基板501表面に吸着
した水素もしくはSi基板501の表面による原料ガス
の還元反応が始まり、図5(c)に示すように開口部5
03内のSi基板501の表面にのみ選択的に、ほぼ均
一でかつ平坦なW薄膜506が形成される。
【0011】その後、さらにW薄膜506の堆積を続
け、W薄膜506が所定の膜厚に達した時点で反応ガス
雰囲気の供給を停止して、図5(d)に示すように電極
が形成される。
け、W薄膜506が所定の膜厚に達した時点で反応ガス
雰囲気の供給を停止して、図5(d)に示すように電極
が形成される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体装置の高
集積化に伴い、コンタクトホールの径はますます縮小す
る傾向にある。また、複数の配線層を有する構造が採用
されることによりコンタクトホールの深さも深くなる傾
向にある。このため、タングステンを成長する前に金属
膜を形成する方法は、コンタクトホール内にボイドが残
るという問題を避けることができない。
集積化に伴い、コンタクトホールの径はますます縮小す
る傾向にある。また、複数の配線層を有する構造が採用
されることによりコンタクトホールの深さも深くなる傾
向にある。このため、タングステンを成長する前に金属
膜を形成する方法は、コンタクトホール内にボイドが残
るという問題を避けることができない。
【0013】また、コンタクトホールが深くなるとタン
グステンの膜厚も厚くしなければならないが、従来の選
択成長法で、ある程度以上の膜厚のタングステンを成長
させると、選択性が劣化することは原理上避けることが
できないという問題点がある。
グステンの膜厚も厚くしなければならないが、従来の選
択成長法で、ある程度以上の膜厚のタングステンを成長
させると、選択性が劣化することは原理上避けることが
できないという問題点がある。
【0014】さらに、コンタクトホールの形成には、リ
ソグラフィー技術を利用しなければならないが、半導体
装置が複数層の配線層を持つ構造をとる様になってきた
ため、層間絶縁膜の厚さが均一ではないという問題点が
ある。すなわち、リソグラフィーに使用される光が、複
数の異なる材質層(下地)で反射されるために、その焦
点深度を定めることが出来ず、コンタクトホールの正確
なパターニングが困難になるという問題点がある。
ソグラフィー技術を利用しなければならないが、半導体
装置が複数層の配線層を持つ構造をとる様になってきた
ため、層間絶縁膜の厚さが均一ではないという問題点が
ある。すなわち、リソグラフィーに使用される光が、複
数の異なる材質層(下地)で反射されるために、その焦
点深度を定めることが出来ず、コンタクトホールの正確
なパターニングが困難になるという問題点がある。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法では、不純物を拡散することにより導電領域
が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を堆積させる工
程と、前記層間絶縁膜上に金属膜を体積させる工程と、
前記金属膜上にリソグラフィー技術によりエッチングマ
スクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて
前記導電領域に達するコンタクトホールを開口する工程
と、前記半導体基板をヘキサメチルジシラザンに暴露す
る工程と、気相化学成長法を用いて基板全面にタングス
テンを堆積させる工程を含んでいる。
の製造方法では、不純物を拡散することにより導電領域
が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を堆積させる工
程と、前記層間絶縁膜上に金属膜を体積させる工程と、
前記金属膜上にリソグラフィー技術によりエッチングマ
スクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて
前記導電領域に達するコンタクトホールを開口する工程
と、前記半導体基板をヘキサメチルジシラザンに暴露す
る工程と、気相化学成長法を用いて基板全面にタングス
テンを堆積させる工程を含んでいる。
【0016】
【実施例】以下に、本発明について図面を参照して説明
する。図1は本発明の第1の実施例の製造工程を示す縦
断面図である。まず、図1(a)に示すごとく、半導体
基板101上に、選択酸化法により素子分離領域102
を形成する。また、素子分離領域102に囲まれた領域
を、イオン注入により導電領域103とする。
する。図1は本発明の第1の実施例の製造工程を示す縦
断面図である。まず、図1(a)に示すごとく、半導体
基板101上に、選択酸化法により素子分離領域102
を形成する。また、素子分離領域102に囲まれた領域
を、イオン注入により導電領域103とする。
【0017】次いで図1(b)に示すように、層間絶縁
膜104を気相化学成長法により堆積する。その後、層
間絶縁膜104の表面に、スパッタ法により窒化チタン
105を,例えば50nm堆積する。
膜104を気相化学成長法により堆積する。その後、層
間絶縁膜104の表面に、スパッタ法により窒化チタン
105を,例えば50nm堆積する。
【0018】次に、窒化チタン105の表面上にフォト
レジスト106を塗布し、図1(c)に示すごとく、例
えばKrFを用いたフォトリソグラフィーによりフォト
レジスト106のパターニングを行なう。この際、リソ
グラフィーの解像度は窒化チタン105の光学的な特性
により決定されるため、基板の段差による層間絶縁膜1
04の厚さの違いにより、解像度が変化することなく、
全てのコンタクトホールで寸法偏差の少ないパターニン
グが可能である。
レジスト106を塗布し、図1(c)に示すごとく、例
えばKrFを用いたフォトリソグラフィーによりフォト
レジスト106のパターニングを行なう。この際、リソ
グラフィーの解像度は窒化チタン105の光学的な特性
により決定されるため、基板の段差による層間絶縁膜1
04の厚さの違いにより、解像度が変化することなく、
全てのコンタクトホールで寸法偏差の少ないパターニン
グが可能である。
【0019】次いで、図1(d)に示すごとく、このフ
ォトレジスト106をマスクとして窒化チタン105及
び層間絶縁膜104をエッチングし、コンタクトホール
107を開口する。これにより、導電領域103の表面
が一部露出する。
ォトレジスト106をマスクとして窒化チタン105及
び層間絶縁膜104をエッチングし、コンタクトホール
107を開口する。これにより、導電領域103の表面
が一部露出する。
【0020】この後、フォトレジスト106を除去した
基板を、例えば200℃に加熱した状態で、図1(e)
に示すごとく、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)の
蒸気に10分間暴露する。
基板を、例えば200℃に加熱した状態で、図1(e)
に示すごとく、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)の
蒸気に10分間暴露する。
【0021】この後、気相化学成長装置にこの基板を導
入し、タングステンの気相成長を行なう。タングステン
の成長は、まず、基板を250〜450℃の範囲で加熱
し、成長装置内にモノシランガスを導入した後、例え
ば、WF6 流量:10sccm、SiH4 流量:8sc
cm、圧力:10mTorr、という条件で行われる。
この条件で、六フッ化タングステン(WF6 )は、コン
タクトホール底部に露出している導電領域103と選択
的に反応する。そして、図1(f)に示すように、コン
タクトホール107の底部の導電領域103上にのみタ
ングステン108が成長する。このとき成長させるタン
グステン108は、その後に行なう水素還元時に発生す
るフッ酸等の反応副生成物による基板の浸食を抑えるた
めに、50nm程度あればよい。また、本実施例では選
択成長を行なっているが、成膜条件等により非選択成長
となる場合もある。しかしながら本発明では層間絶縁膜
上に窒化チタンを堆積しているので、この上にタングス
テンが堆積してもかまわない。
入し、タングステンの気相成長を行なう。タングステン
の成長は、まず、基板を250〜450℃の範囲で加熱
し、成長装置内にモノシランガスを導入した後、例え
ば、WF6 流量:10sccm、SiH4 流量:8sc
cm、圧力:10mTorr、という条件で行われる。
この条件で、六フッ化タングステン(WF6 )は、コン
タクトホール底部に露出している導電領域103と選択
的に反応する。そして、図1(f)に示すように、コン
タクトホール107の底部の導電領域103上にのみタ
ングステン108が成長する。このとき成長させるタン
グステン108は、その後に行なう水素還元時に発生す
るフッ酸等の反応副生成物による基板の浸食を抑えるた
めに、50nm程度あればよい。また、本実施例では選
択成長を行なっているが、成膜条件等により非選択成長
となる場合もある。しかしながら本発明では層間絶縁膜
上に窒化チタンを堆積しているので、この上にタングス
テンが堆積してもかまわない。
【0022】次いでモノシランの導入を止め、同一装置
内で、今度は水素と六フッ化タングステンとの反応によ
り、タングステン109を窒化チタン105、コンタク
トホール側壁に露出している層間絶縁膜104表面及び
タングステン108表面から同時に成長させることによ
り、図1(g)に示すように、コンタクトホールを完全
に埋めこむことにより電極を形成する。
内で、今度は水素と六フッ化タングステンとの反応によ
り、タングステン109を窒化チタン105、コンタク
トホール側壁に露出している層間絶縁膜104表面及び
タングステン108表面から同時に成長させることによ
り、図1(g)に示すように、コンタクトホールを完全
に埋めこむことにより電極を形成する。
【0023】次に本発明による第2の実施例について図
2を参照して説明する。まず、半導体基板201上に形
成された層間絶縁膜202上に、スパッタ法によりアル
ミニウム203を堆積する。そして、リソグラフィーと
エッチングにより図2(a)に示すごとく加工して配線
層とする。
2を参照して説明する。まず、半導体基板201上に形
成された層間絶縁膜202上に、スパッタ法によりアル
ミニウム203を堆積する。そして、リソグラフィーと
エッチングにより図2(a)に示すごとく加工して配線
層とする。
【0024】次いで、図2(b)に示すように、層間絶
縁膜202及びアルミニウム203の表面全面に、プラ
ズマCVD法によりSiO2 膜204を堆積させる。続
いて、スパッタ法によりTiW205を、例えば30n
m堆積する。
縁膜202及びアルミニウム203の表面全面に、プラ
ズマCVD法によりSiO2 膜204を堆積させる。続
いて、スパッタ法によりTiW205を、例えば30n
m堆積する。
【0025】次に、図2(c)に示すように、TiW2
05上に、フォトレジスト206を堆積し、KrFによ
るリソグラフィーによってコンタクトホールのパターニ
ングを行なう。なお、アルミニウム203などの反射率
の高い材料上にコンタトホール開口する場合は、下地の
材料からの反射の影響を受けやすいが、本実施例では基
板全面がTiW205により覆われているために、この
ような下地材料による反射の影響を受けることなく寸法
偏差の少ないコンタクトホールのパターニングが可能で
ある。
05上に、フォトレジスト206を堆積し、KrFによ
るリソグラフィーによってコンタクトホールのパターニ
ングを行なう。なお、アルミニウム203などの反射率
の高い材料上にコンタトホール開口する場合は、下地の
材料からの反射の影響を受けやすいが、本実施例では基
板全面がTiW205により覆われているために、この
ような下地材料による反射の影響を受けることなく寸法
偏差の少ないコンタクトホールのパターニングが可能で
ある。
【0026】次に、パターニングされたフォトレジスト
206をマスクとして、図2(d)に示すごとくTiW
205とSiO2 膜204をエッチングして、コンタク
トホール207を開口する。続いて、フォトレジスト2
06を除去し、第1の実施例と同様にして、この基板を
ヘキサメチルジシラザンに晒す。
206をマスクとして、図2(d)に示すごとくTiW
205とSiO2 膜204をエッチングして、コンタク
トホール207を開口する。続いて、フォトレジスト2
06を除去し、第1の実施例と同様にして、この基板を
ヘキサメチルジシラザンに晒す。
【0027】その後、基板を気相化学成長装置内に導入
し、六フッ化タングステンと水素の反応により、タング
ステン208を200nm堆積させたのち、アルミニウ
ム209をスパッタにより500nm堆積し、リソグラ
フィーとエッチングにより図2(e)に示すごとく加工
して、タングステン208とアルミニウム209を配線
とする。
し、六フッ化タングステンと水素の反応により、タング
ステン208を200nm堆積させたのち、アルミニウ
ム209をスパッタにより500nm堆積し、リソグラ
フィーとエッチングにより図2(e)に示すごとく加工
して、タングステン208とアルミニウム209を配線
とする。
【0028】本実施例の場合、コンタクトホール底部に
露出しているのは金属層(アルミニウム203)である
ためモノシラン還元によるタングステン膜の成長は必要
ない。また、選択的な成長を必要としないため、高温で
の成長も可能となる。このため六フッ化タングステンと
アルミニウム209との反応により形成されるとされて
いるアルミニウムのフッ化物の成形も抑制可能となり、
低抵抗の電極形成がより容易になるという利点を有して
いる。
露出しているのは金属層(アルミニウム203)である
ためモノシラン還元によるタングステン膜の成長は必要
ない。また、選択的な成長を必要としないため、高温で
の成長も可能となる。このため六フッ化タングステンと
アルミニウム209との反応により形成されるとされて
いるアルミニウムのフッ化物の成形も抑制可能となり、
低抵抗の電極形成がより容易になるという利点を有して
いる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、層間絶縁
膜上に金属膜を堆積させるので、層間絶縁膜の厚さの違
いによるリソグラフィー時の寸法変化を抑制できる。
膜上に金属膜を堆積させるので、層間絶縁膜の厚さの違
いによるリソグラフィー時の寸法変化を抑制できる。
【0030】また、本発明によれば、ヘキサメチルジシ
ラザンによる表面処理を行うことにより、TiN等の密
着層無しに、段差被覆性に優れたタングステン膜をコン
タクトホール内に密着性良く形成できる。これにより、
電極と導電領域との接続をボイド無しで実現でき、高ア
スペクト比を持つコンタクトホールにおいても信頼性の
高い電極形成が行なえるという効果を有する。
ラザンによる表面処理を行うことにより、TiN等の密
着層無しに、段差被覆性に優れたタングステン膜をコン
タクトホール内に密着性良く形成できる。これにより、
電極と導電領域との接続をボイド無しで実現でき、高ア
スペクト比を持つコンタクトホールにおいても信頼性の
高い電極形成が行なえるという効果を有する。
【図1】本発明による第1の実施例の製造工程を説明す
るための縦断面図である。
るための縦断面図である。
【図2】本発明による第2の実施例の製造工程を説明す
るための縦断面図である。
るための縦断面図である。
【図3】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
縦断面図である。
縦断面図である。
【図4】従来の他の半導体装置の製造方法を説明するた
めの縦断面図である。
めの縦断面図である。
【図5】従来のその他の半導体装置の製造方法を説明す
るための縦断面図である。
るための縦断面図である。
101 半導体基板 102 素子分離領域 103 導電領域 104 層間絶縁膜 105 窒化チタン 106 フォトレジスト 107 コンタクトホール 108 タングステン 109 タングステン 201 半導体基板 202 層間絶縁膜 203 アルミニウム 204 SiO2 膜 205 TiW 206 フォトレジスト 207 コンタクトホール 208 タングステン 209 アルミニウム 301 シリコン基板 302 層間絶縁膜 303 TiN層 304 タングステン層 401 半導体基板 402 層間絶縁膜 403 コンタクトホール 404 タングステン 501 Si基板 502 絶縁膜 503 開口部 504 表面酸化膜 505 水素吸着層 506 W薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−113523(JP,A) 特開 平6−53333(JP,A) 特開 平5−3170(JP,A) 特開 平5−102022(JP,A) 特開 平3−152957(JP,A) 特開 昭61−248431(JP,A)
Claims (3)
- 【請求項1】 不純物を拡散することにより導電領域が
形成された半導体基板上に層間絶縁膜を堆積させる工程
と、前記層間絶縁膜上に金属膜を堆積させる工程と、前
記金属膜上にエッチングマスクを形成する工程と、前記
エッチングマスクを用いて前記導電領域に達するコンタ
クトホールを開口する工程と、前記半導体基板をヘキサ
メチルジシラザンに暴露する工程と、気相化学成長法を
用いて基板全面にタングステンを堆積させる工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記タングステンの堆積が、六フッ化タ
ングステンとモノシランを原料とする気相化学成長法
と、六フッ化タングステンと水素とを原料とする気相化
学成長法によって行われることを特徴とする請求項1の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記金属膜が、タングステン、チタン、
タンタル、ハフニウム、及びジルコニウムのうちのいず
れか1つ、またはその珪化物、窒化物、及び炭化物、あ
るいは、これらのうち少なくとも1つを含む合金である
ことを特徴とする請求項1または2の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6049321A JP3006816B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6049321A JP3006816B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07263546A JPH07263546A (ja) | 1995-10-13 |
JP3006816B2 true JP3006816B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=12827715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6049321A Expired - Lifetime JP3006816B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3006816B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2712401B2 (ja) * | 1988-10-22 | 1998-02-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH053170A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Sony Corp | ブランケツトタングステンプラグ形成法 |
JPH0653333A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法 |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP6049321A patent/JP3006816B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07263546A (ja) | 1995-10-13 |
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A02 | Decision of refusal |
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