JP2864707B2 - スイッチング素子 - Google Patents
スイッチング素子Info
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- JP2864707B2 JP2864707B2 JP26055990A JP26055990A JP2864707B2 JP 2864707 B2 JP2864707 B2 JP 2864707B2 JP 26055990 A JP26055990 A JP 26055990A JP 26055990 A JP26055990 A JP 26055990A JP 2864707 B2 JP2864707 B2 JP 2864707B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁基板と半導体基板に接点となる電極を
それぞれ形成し、静電気力を利用してこの機械的接点を
開閉するタイプのスイッチング素子に関する。
それぞれ形成し、静電気力を利用してこの機械的接点を
開閉するタイプのスイッチング素子に関する。
従来から、半導体製造技術を利用してシリコン基板上
に微小なスイッチング素子を製作し得ることは、例えば
IEEE Trans.Electron Devices,vol.ED−25,1978,p.12
41や、IBM J.Res.Develop.vol.23,1979,p.376等により
既に知られている。
に微小なスイッチング素子を製作し得ることは、例えば
IEEE Trans.Electron Devices,vol.ED−25,1978,p.12
41や、IBM J.Res.Develop.vol.23,1979,p.376等により
既に知られている。
第６図はかかる従来装置を説明するための説明図で、
同図（イ）は斜視図、同図（ロ）は断面図である。
同図（イ）は斜視図、同図（ロ）は断面図である。
これは、シリコン基板101上にSiO2層を形成してその
一部からカンチレバー102を作り、その上面に設けられ
た電極104を駆動電極として、これとシリコン基板101の
P+層103との間に電圧Ｅを加え、静電気力でこのカンチ
レバー102を撓ませる。カンチレバー102の先端には可動
接点105が形成されており、これとシリコン基板101の表
面のSiO2絶縁層の上に設けられた固定接点106とが、カ
ンチレバー102の変形によって接触導通する。
一部からカンチレバー102を作り、その上面に設けられ
た電極104を駆動電極として、これとシリコン基板101の
P+層103との間に電圧Ｅを加え、静電気力でこのカンチ
レバー102を撓ませる。カンチレバー102の先端には可動
接点105が形成されており、これとシリコン基板101の表
面のSiO2絶縁層の上に設けられた固定接点106とが、カ
ンチレバー102の変形によって接触導通する。
従来装置は可動素子を超小型化できるため、高い共振
周波数が得られて応答が速い反面、駆動電圧のノイズに
よる変動や瞬間的な停電（瞬停）等によって接点が誤動
作し易いという問題がある。また、静電力で駆動される
ため、従来の電磁駆動素子では全く問題にされなかった
電界の影響を受け易いという問題もある。
周波数が得られて応答が速い反面、駆動電圧のノイズに
よる変動や瞬間的な停電（瞬停）等によって接点が誤動
作し易いという問題がある。また、静電力で駆動される
ため、従来の電磁駆動素子では全く問題にされなかった
電界の影響を受け易いという問題もある。
したがって、本発明の課題は誤動作が少なく電界の影
響を受け難いスイッチング素子を提供することにある。
響を受け難いスイッチング素子を提供することにある。
このような課題を解決するため、本発明は、可動接点
を有する可動板と、枠体と前記可動板をこの枠体に結合
する保持部材とを一枚の半導体基板から形成した可動素
子と、固定接点および固定電極を有し前記可動接点およ
び可動板と対向する少なくとも片側に設けられた基板
と、前記固定電極と可動板とで形成される可変容量型コ
ンデンサの放電遅延回路とを備え、前記固定電極と可動
板とで形成される可変容量型コンデンサに電圧を印加し
て接点を駆動する。また、このようなスイッチング素子
を静電シールドケース内に収納することができる。
を有する可動板と、枠体と前記可動板をこの枠体に結合
する保持部材とを一枚の半導体基板から形成した可動素
子と、固定接点および固定電極を有し前記可動接点およ
び可動板と対向する少なくとも片側に設けられた基板
と、前記固定電極と可動板とで形成される可変容量型コ
ンデンサの放電遅延回路とを備え、前記固定電極と可動
板とで形成される可変容量型コンデンサに電圧を印加し
て接点を駆動する。また、このようなスイッチング素子
を静電シールドケース内に収納することができる。
さらに、可動接点を有する複数の可動板と、枠体と前
記複数の可動板をこの枠体にそれぞれ結合する保持部材
とを一枚の半導体基板から形成した可動素子アレイと、
複数の固定接点および固定電極を有し前記複数の可動接
点および可動板と対向する少なくとも片側に設けられた
基板とを備え、各固定電極と可動板とで形成される可変
容量型コンデンサに電圧を印加して接点を駆動するスイ
ッチング素子において、第１スイッチング素子の第1,第
２接点を並列に接続して第２スイッチング素子の駆動電
極に直列に接続するとともに、前記第１の接点は電源に
第２の接点はアースに接続し、第２スイッチング素子の
駆動コンデンサの少なくとも放電時定数が第１スイッチ
ング素子のそれよりも長くすることができる。
記複数の可動板をこの枠体にそれぞれ結合する保持部材
とを一枚の半導体基板から形成した可動素子アレイと、
複数の固定接点および固定電極を有し前記複数の可動接
点および可動板と対向する少なくとも片側に設けられた
基板とを備え、各固定電極と可動板とで形成される可変
容量型コンデンサに電圧を印加して接点を駆動するスイ
ッチング素子において、第１スイッチング素子の第1,第
２接点を並列に接続して第２スイッチング素子の駆動電
極に直列に接続するとともに、前記第１の接点は電源に
第２の接点はアースに接続し、第２スイッチング素子の
駆動コンデンサの少なくとも放電時定数が第１スイッチ
ング素子のそれよりも長くすることができる。
本発明は、第１に可動電極および固定電極からなる駆
動電極で形成される可変容量型コンデンサの放電を遅延
させる回路を設けることにより、両電極間に加わった電
圧が何らかの原因で瞬間的に零になった場合でもコンデ
ンサの電荷の放電を遅らせ、接点の動作状態を一定時間
保持させ、瞬停等で誤動作しないようにする。
動電極で形成される可変容量型コンデンサの放電を遅延
させる回路を設けることにより、両電極間に加わった電
圧が何らかの原因で瞬間的に零になった場合でもコンデ
ンサの電荷の放電を遅らせ、接点の動作状態を一定時間
保持させ、瞬停等で誤動作しないようにする。
また、第２の手段として、複数のスイッチング素子を
設け、第１スイッチング素子の第1,第２接点を並列に接
続して第２スイッチング素子の駆動電極に直列に接続す
るとともに、前記第１の接点は電源に第２の接点はアー
スにそれぞれ接続し、第２スイッチング素子の駆動コン
デンサの少なくとも放電時定数を第１スイッチング素子
のそれよりも長くし、保持動作をより確実にする。
設け、第１スイッチング素子の第1,第２接点を並列に接
続して第２スイッチング素子の駆動電極に直列に接続す
るとともに、前記第１の接点は電源に第２の接点はアー
スにそれぞれ接続し、第２スイッチング素子の駆動コン
デンサの少なくとも放電時定数を第１スイッチング素子
のそれよりも長くし、保持動作をより確実にする。
さらに、電界の影響をなくす手段としては、スイッチ
ング素子全体を静電シールドケース内に収納する。
ング素子全体を静電シールドケース内に収納する。
第１図は本発明の実施例を示す概要図、第1A図はその
詳細構成図、第1B図は第1A図の断面図である。
詳細構成図、第1B図は第1A図の断面図である。
これらの図において、１がスイッチ素子で、ガラス等
のシリコンと熱膨張係数が近くかつ絶縁体からなる基板
２の上に、シリコンの単結晶から例えばフォトエッチン
グプロセスにて形成した可動素子３の積層，固定して構
成される。可動素子３は第1A図に示すように、基板の厚
さとほぼ等しい厚さを持った枠４と、数十μｍ程度の厚
さの短形状の可動板５と、これと同程度の厚さで前記枠
４にこの可動板５を固定され、かつ捩れ変形できるよう
に構成したビーム（保持部材）6a,6bを枠体４とほぼ同
じ厚さを持ったシリンコ板から一体に形成してあり、こ
こでは２つの素子を同一基板上に形成している。
のシリコンと熱膨張係数が近くかつ絶縁体からなる基板
２の上に、シリコンの単結晶から例えばフォトエッチン
グプロセスにて形成した可動素子３の積層，固定して構
成される。可動素子３は第1A図に示すように、基板の厚
さとほぼ等しい厚さを持った枠４と、数十μｍ程度の厚
さの短形状の可動板５と、これと同程度の厚さで前記枠
４にこの可動板５を固定され、かつ捩れ変形できるよう
に構成したビーム（保持部材）6a,6bを枠体４とほぼ同
じ厚さを持ったシリンコ板から一体に形成してあり、こ
こでは２つの素子を同一基板上に形成している。
第1B図に示すように、可動板５の下面のガラス基板２
と対向する面には、熱酸化CVD（気相法）にて形成したS
iO2の絶縁膜７を積層し、さらにその上の両端に可動接
点8a,8hに設けてある。この可動接点はSiO2の絶縁膜７
上にCr,Auをスパッタリングで形成している。
と対向する面には、熱酸化CVD（気相法）にて形成したS
iO2の絶縁膜７を積層し、さらにその上の両端に可動接
点8a,8hに設けてある。この可動接点はSiO2の絶縁膜７
上にCr,Auをスパッタリングで形成している。
ガラス基板２には、可動板５が回転し得るように、深
さ50μｍ前後の深さに加工された凹部9a,9bを有してい
る。また、10はこの凹部9a,9bのほぼ中央の丁度可動板
５の回転中心に形成された凸部で、この部分の高さは周
囲と同一平面になっていて、可動体３を積層するとこの
部分で接するようになっており、可動板５が回転する際
の支点としての役割を果たしている。11a,11bは上記凸
起10に対し左右対称な位置で、かつ可動板５と対向する
位置に設けられた第１の電極で、例えばCrとAuの薄膜を
２層にスパッタリングした構造になっている。12a,12b
および13a,13bはそれぞれ前記第１電極と同様に構成さ
れた第2,第３の電極で、これもやはり凸起10に対し左右
対称な位置で、かつ可動板５と対向する位置に設けられ
た可動接点8a,8bとほぼ対向する位置に設けられてい
る。すなわち、12aと13a、12bと13bとで可動接点8a,8b
に対向する固定接点をそれぞれ形成している。
さ50μｍ前後の深さに加工された凹部9a,9bを有してい
る。また、10はこの凹部9a,9bのほぼ中央の丁度可動板
５の回転中心に形成された凸部で、この部分の高さは周
囲と同一平面になっていて、可動体３を積層するとこの
部分で接するようになっており、可動板５が回転する際
の支点としての役割を果たしている。11a,11bは上記凸
起10に対し左右対称な位置で、かつ可動板５と対向する
位置に設けられた第１の電極で、例えばCrとAuの薄膜を
２層にスパッタリングした構造になっている。12a,12b
および13a,13bはそれぞれ前記第１電極と同様に構成さ
れた第2,第３の電極で、これもやはり凸起10に対し左右
対称な位置で、かつ可動板５と対向する位置に設けられ
た可動接点8a,8bとほぼ対向する位置に設けられてい
る。すなわち、12aと13a、12bと13bとで可動接点8a,8b
に対向する固定接点をそれぞれ形成している。
また、ガラス基板に設けた各電極11a,11bおよび12a,1
2b、13a,13bはそれぞれ外部へ接続するための接続用端
子11a′,11b′および12a′,12b′、13a′,13b′を有し
ている（第1A図参照）。このように形成された可動素子
３とガラス基板２とは静電結合等の手段により結合さ
れ、金属性のプレート14の上にさらに接着固定される
が、この金属プレート14は前記ガラス基板２と熱膨張係
数の略等しいコバール,42アロイ（鉄とニッケルの合
金）等にすることが必要である。
2b、13a,13bはそれぞれ外部へ接続するための接続用端
子11a′,11b′および12a′,12b′、13a′,13b′を有し
ている（第1A図参照）。このように形成された可動素子
３とガラス基板２とは静電結合等の手段により結合さ
れ、金属性のプレート14の上にさらに接着固定される
が、この金属プレート14は前記ガラス基板２と熱膨張係
数の略等しいコバール,42アロイ（鉄とニッケルの合
金）等にすることが必要である。
第１図に示す15a,bはこの金属プレート14に設けた気
密端子で、スイッチ素子の接続端子11a′,11b′,12a′,
12b′、13a′,13b′および可動素子３に設けた端子16と
リードワイヤ17で接続されている。18はプレート14と同
一材質で作製したケースで、プレート14と気密に抵抗溶
接されるが、その際スイッチ素子１を収納する空洞19は
数Torr（1Torr＝1mmHg）程度となるように、絶縁ガスが
封入される。
密端子で、スイッチ素子の接続端子11a′,11b′,12a′,
12b′、13a′,13b′および可動素子３に設けた端子16と
リードワイヤ17で接続されている。18はプレート14と同
一材質で作製したケースで、プレート14と気密に抵抗溶
接されるが、その際スイッチ素子１を収納する空洞19は
数Torr（1Torr＝1mmHg）程度となるように、絶縁ガスが
封入される。
第２図は本発明の他の実施例を示す電気的等価回路図
である。
である。
同図において、例えば可動板５と第１電極11aとの間
に電圧を加えると、この２つの電極間に作用する静電力
によって可動板５は矢印方向に回転し、可動接点8aがガ
ラス基板２の上に設けた固定接点となる電極12aと13aと
に接触し、これを導通させる。ところで、可動板５と第
１電極11aとを駆動する駆動回路20との間に電圧を加え
る際に、順方向となるようにダイオード21を挿入してあ
るので、一旦電圧を加えた後に電圧を零に戻しても可動
板５と第１電極11aとに蓄えられた電荷は、ダイオード
の逆方向の大きな抵抗によって直ぐには放電されず、し
たがって接点の導通状態は駆動電圧が零になっても一定
時間キープ（保持）されることになり、瞬停時があって
も動作状態を保持することができる。
に電圧を加えると、この２つの電極間に作用する静電力
によって可動板５は矢印方向に回転し、可動接点8aがガ
ラス基板２の上に設けた固定接点となる電極12aと13aと
に接触し、これを導通させる。ところで、可動板５と第
１電極11aとを駆動する駆動回路20との間に電圧を加え
る際に、順方向となるようにダイオード21を挿入してあ
るので、一旦電圧を加えた後に電圧を零に戻しても可動
板５と第１電極11aとに蓄えられた電荷は、ダイオード
の逆方向の大きな抵抗によって直ぐには放電されず、し
たがって接点の導通状態は駆動電圧が零になっても一定
時間キープ（保持）されることになり、瞬停時があって
も動作状態を保持することができる。
その動作を第2A図に示す。
すなわち、時刻t0で駆動電極11aに同図（ロ）の如き
電圧vDを印加することにより、接点12a,13a間が同図
（イ）の如く導通（ON）し、たとえ時刻t1で駆動電圧が
零（瞬停）になってもOFFにはならないようになってい
る。
電圧vDを印加することにより、接点12a,13a間が同図
（イ）の如く導通（ON）し、たとえ時刻t1で駆動電圧が
零（瞬停）になってもOFFにはならないようになってい
る。
第３図は本発明のさらに他の実施例を示す等価回路図
である。
である。
これは第1A図または第1B図の如き２つのスイッチ素子
1a,1bを用いて、より一層長い時間動作状態をキープで
きるようにしたものである。すなわち、１つのスイッチ
素子1aの駆動回路にダイオード21を設けるとともに、こ
れと直列にもう１つのスイッチ素子1bの接点、例えば23
a,24aを設ける。そして、スイッチ素子1bを電源（電圧v
D1）20で駆動すると可動板25が回転し、その可動接点22
aと固定接点23a,24a間が導通し、その結果、可動板５も
回転してその接点12a,13aが閉じる。この状態で駆動電
圧を零にすると、可動板25と電極26aからなるコンデン
サの電荷はダイオード21の大きな逆方向抵抗により遅
れ、この部分に電荷が残った状態で接点23a,24aが開く
ことになるので、放電抵抗が非常に大きく、長時間に渡
って電荷が残り、動作状態を保持することができる。
1a,1bを用いて、より一層長い時間動作状態をキープで
きるようにしたものである。すなわち、１つのスイッチ
素子1aの駆動回路にダイオード21を設けるとともに、こ
れと直列にもう１つのスイッチ素子1bの接点、例えば23
a,24aを設ける。そして、スイッチ素子1bを電源（電圧v
D1）20で駆動すると可動板25が回転し、その可動接点22
aと固定接点23a,24a間が導通し、その結果、可動板５も
回転してその接点12a,13aが閉じる。この状態で駆動電
圧を零にすると、可動板25と電極26aからなるコンデン
サの電荷はダイオード21の大きな逆方向抵抗により遅
れ、この部分に電荷が残った状態で接点23a,24aが開く
ことになるので、放電抵抗が非常に大きく、長時間に渡
って電荷が残り、動作状態を保持することができる。
このようにすると、今度は接点の解放が非常に遅くな
るので、可動板25の反対側の可動接点22bに対応する固
定接点23b,24bを前記ダイオード21と接点23a,24aと並列
にして固定接点11aとアース間に設け、接点12a,13aを解
放する際には駆動回路27を介して固定電極26bに電圧を
印加し、接点23b,24bを導通させて電極11aに蓄積された
電荷を放電して接点12a,13aを開くようにする。なお、
電極11aに蓄積された電荷には若干の洩れが必ずあるの
で、無限時間動作状態を保持できるものではないが、保
持するためには電極26aおよび11aに間歇的に電圧を加え
てやれば良く、非常に少ない消費電流で動作状態を維持
することが可能である。
るので、可動板25の反対側の可動接点22bに対応する固
定接点23b,24bを前記ダイオード21と接点23a,24aと並列
にして固定接点11aとアース間に設け、接点12a,13aを解
放する際には駆動回路27を介して固定電極26bに電圧を
印加し、接点23b,24bを導通させて電極11aに蓄積された
電荷を放電して接点12a,13aを開くようにする。なお、
電極11aに蓄積された電荷には若干の洩れが必ずあるの
で、無限時間動作状態を保持できるものではないが、保
持するためには電極26aおよび11aに間歇的に電圧を加え
てやれば良く、非常に少ない消費電流で動作状態を維持
することが可能である。
第４図にその動作を示す。
これは、スイッチ素子1bに同図（ロ）の如き電圧vD1
を加えることにより、例えば接点23a,24a間を同図
（イ）の如く導通させ、ダイオード21による保持状態の
ときにスイッチ素子1aに同図（ハ）の如き電圧vD2を印
加して復旧させる場合の例を示している。
を加えることにより、例えば接点23a,24a間を同図
（イ）の如く導通させ、ダイオード21による保持状態の
ときにスイッチ素子1aに同図（ハ）の如き電圧vD2を印
加して復旧させる場合の例を示している。
第５図に本発明の別の実施例を示す。
これの第３図に示すものとの相違は、ダイオード21に
代えて、容量の比較的大きいコンデンサ28を前記電極11
aと8aに対して並列に接続した点であり、電極11a,8a間
の電荷の放電による減少をこのコンデンサ28により供給
して、第３図のものより一層長時間の動作状態の維持を
図るようにしたものである。なお、その他の点は第３図
と同様であり、その動作も第４図と同様なので、詳細は
省略する。
代えて、容量の比較的大きいコンデンサ28を前記電極11
aと8aに対して並列に接続した点であり、電極11a,8a間
の電荷の放電による減少をこのコンデンサ28により供給
して、第３図のものより一層長時間の動作状態の維持を
図るようにしたものである。なお、その他の点は第３図
と同様であり、その動作も第４図と同様なので、詳細は
省略する。
なお、以上では可動接点に対して固定接点を片側にの
み設けるようにしたが、両側に設けるようにしても良い
ことは容易に理解できる。
み設けるようにしたが、両側に設けるようにしても良い
ことは容易に理解できる。
本発明によれば、固定電極および固定接点を持つ絶縁
基板と、これに対向して配置した可動電極（可動接点）
を設けた半導体基板とからなり、前記固定電極と可動電
極間に電圧を印加し、静電力により可動電極を駆動し
て、可動接点と固定接点とを導通させるようにしたスイ
ッチ素子に対し、固定，可動電極からなる可変容量型コ
ンデンサに直列にダイオードを挿入し、このコンデンサ
の放電を遅延させるようにしたので、駆動電圧が瞬間的
に低下した場合でも一定時間、接点の導通状態を保持す
ることができ、無用な動作を防止することが可能とな
る。スイッチ素子全体を静電シールドケース内に収納す
れば、電界の影響をほぼ無くすことができる。
基板と、これに対向して配置した可動電極（可動接点）
を設けた半導体基板とからなり、前記固定電極と可動電
極間に電圧を印加し、静電力により可動電極を駆動し
て、可動接点と固定接点とを導通させるようにしたスイ
ッチ素子に対し、固定，可動電極からなる可変容量型コ
ンデンサに直列にダイオードを挿入し、このコンデンサ
の放電を遅延させるようにしたので、駆動電圧が瞬間的
に低下した場合でも一定時間、接点の導通状態を保持す
ることができ、無用な動作を防止することが可能とな
る。スイッチ素子全体を静電シールドケース内に収納す
れば、電界の影響をほぼ無くすことができる。
また、上記スイッチ素子を複数個同一基板上に形成
し、第１のスイッチ素子の接点を介して第２スイッチ素
子の駆動電極を電源およびアースに接続して電圧をON−
OFFさせるように構成するとともに、第２スイッチ素子
の駆動電極と直列にダイオードを挿入して放電時定数を
長くしたので、素子の駆動電極を電荷を維持した状態で
駆動回路をOFFするようにすれば、放電抵抗は無限に大
きくなり、長時間導通状態を維持することができる。
し、第１のスイッチ素子の接点を介して第２スイッチ素
子の駆動電極を電源およびアースに接続して電圧をON−
OFFさせるように構成するとともに、第２スイッチ素子
の駆動電極と直列にダイオードを挿入して放電時定数を
長くしたので、素子の駆動電極を電荷を維持した状態で
駆動回路をOFFするようにすれば、放電抵抗は無限に大
きくなり、長時間導通状態を維持することができる。
さらに放電時定数を長くする手段として、第２スイッ
チ素子の駆動電極に並列にコンデンサを設けることがで
き、これにより一層長時間の維持が可能となる。また、
接点の解放は第１のスイッチ素子に通電し、駆動電極の
電荷を放電することにより、速い動作が可能となる。
チ素子の駆動電極に並列にコンデンサを設けることがで
き、これにより一層長時間の維持が可能となる。また、
接点の解放は第１のスイッチ素子に通電し、駆動電極の
電荷を放電することにより、速い動作が可能となる。
なお、このように複数個の素子を一枚の半導体基板に
形成することは容易に実現可能であり、コスト上も殆ど
問題はない。
形成することは容易に実現可能であり、コスト上も殆ど
問題はない。
第１図は本発明の１実施例を示す概要図、第1A図はその
詳細を示す斜視図、第1B図は第1A図の断面図、第２図は
本発明の他の実施例を示す電気的等価回路図、第2A図は
第２図の動作を説明するための説明図、第３図は本発明
のさらに他の実施例を示す等価回路図、第４図は第３図
の動作を説明するための説明図、第５図は本発明の別の
実施例を示す等価回路図、第６図は従来例を説明するた
めの説明図である。 1,1a,1b……スイッチ素子、２……基板、３……可動素
子、４……枠、5,25……可動板、6a,6b……ビーム、７
……絶縁膜、8a,8b,22a,22b……可動接点、9a,9b……凹
部、10……凸起、11a,11b……第１電極（固定接点）、1
2a,12b……第２電極（固定接点）、13a,13b……第３電
極（固定接点）、11a′〜13b′……接続用端子、14……
金属プレート、15a,15b……気密端子、16……端子、17
……リードワイヤ、18……ケース、19……空洞、20,27
……駆動回路（電源回路）、21……ダイオード、28……
コンデンサ、101……シリコン基板、102……カンチレバ
ー、103……P+層、104,107……電極、105……可動接
点、106……固定接点。
詳細を示す斜視図、第1B図は第1A図の断面図、第２図は
本発明の他の実施例を示す電気的等価回路図、第2A図は
第２図の動作を説明するための説明図、第３図は本発明
のさらに他の実施例を示す等価回路図、第４図は第３図
の動作を説明するための説明図、第５図は本発明の別の
実施例を示す等価回路図、第６図は従来例を説明するた
めの説明図である。 1,1a,1b……スイッチ素子、２……基板、３……可動素
子、４……枠、5,25……可動板、6a,6b……ビーム、７
……絶縁膜、8a,8b,22a,22b……可動接点、9a,9b……凹
部、10……凸起、11a,11b……第１電極（固定接点）、1
2a,12b……第２電極（固定接点）、13a,13b……第３電
極（固定接点）、11a′〜13b′……接続用端子、14……
金属プレート、15a,15b……気密端子、16……端子、17
……リードワイヤ、18……ケース、19……空洞、20,27
……駆動回路（電源回路）、21……ダイオード、28……
コンデンサ、101……シリコン基板、102……カンチレバ
ー、103……P+層、104,107……電極、105……可動接
点、106……固定接点。
Claims (3)
- 【請求項１】可動接点を有する可動板と、枠体と前記可
動板をこの枠体に結合する保持部材とを一枚の半導体基
板から形成した可動素子と、固定接点および固定電極を
有し前記可動接点および可動板と対向する少なくとも片
側に設けられた基板と、前記固定電極と可動板とで形成
される可変容量型コンデンサの放電遅延回路とを備え、
前記固定電極と可動板とで形成される可変容量型コンデ
ンサに電圧を印加して接点を駆動することを特徴とする
スイッチング素子。 - 【請求項２】前記スイッチング素子を静電シールドケー
ス内に収納してなることを特徴とする請求項１）に記載
のスイッチング素子。 - 【請求項３】可動接点を有する複数の可動板と、枠体と
前記複数の可動板をこの枠体にそれぞれ結合する保持部
材とを一枚の半導体基板から形成した可動素子アレイ
と、複数の固定接点および固定電極を有し前記複数の可
動接点および可動板と対向する少なくとも片側に設けら
れた基板とを備え、各固定電極と可動板とで形成される
可変容量型コンデンサに電圧を印加して接点を駆動する
スイッチング素子において、 第１スイッチング素子の第1,第２接点を並列に接続して
第２スイッチング素子の駆動電極に直列に接続するとと
もに、前記第１の接点は電源に第２の接点はアースにそ
れぞれ接続し、第２スイッチング素子の駆動コンデンサ
の少なくとも放電時定数を第１スイッチング素子のそれ
よりも長くしたことを特徴とするスイッチング素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26055990A JP2864707B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | スイッチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26055990A JP2864707B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | スイッチング素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04141919A JPH04141919A (ja) | 1992-05-15 |
| JP2864707B2 true JP2864707B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=17349641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26055990A Expired - Lifetime JP2864707B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | スイッチング素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864707B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4730750B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2011-07-20 | 富士通コンポーネント株式会社 | マイクロリレー |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP26055990A patent/JP2864707B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04141919A (ja) | 1992-05-15 |
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