JP2836198B2 - 投影装置およびアライメント方法 - Google Patents
投影装置およびアライメント方法Info
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- JP2836198B2 JP2836198B2 JP2154403A JP15440390A JP2836198B2 JP 2836198 B2 JP2836198 B2 JP 2836198B2 JP 2154403 A JP2154403 A JP 2154403A JP 15440390 A JP15440390 A JP 15440390A JP 2836198 B2 JP2836198 B2 JP 2836198B2
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばLSIの製造プロセスにおけるX線リ
ソグラフィ工程で使用する投影装置およびアライメント
方法に関するものである 〔従来の技術〕 従来、この種の投影装置は第8図に示すように構成さ
れている。これを同図に基づいて概略説明すると、同図
において、符号1はストレージリング、2はモノクロメ
ータ、3はサンプルチェンバー、4はスリット、5はモ
ノクロ結晶、6は放射光である。
ソグラフィ工程で使用する投影装置およびアライメント
方法に関するものである 〔従来の技術〕 従来、この種の投影装置は第8図に示すように構成さ
れている。これを同図に基づいて概略説明すると、同図
において、符号1はストレージリング、2はモノクロメ
ータ、3はサンプルチェンバー、4はスリット、5はモ
ノクロ結晶、6は放射光である。
このように構成された投影装置においては、ストレー
ジリング1で発生する放射光6がスリット4によって整
形され後、モノクロメータ2内のモノクロ結晶によって
単色化されてサンプルチェンバー3内に導入されること
によりビームラインをアライメントすることができる。
なお、このアライメントは、モノクロメータ2およびサ
ンプルチェンバー3等の各構成部品が相互に独立して動
作可能であることから、光路が妨げられずに行われる。
ジリング1で発生する放射光6がスリット4によって整
形され後、モノクロメータ2内のモノクロ結晶によって
単色化されてサンプルチェンバー3内に導入されること
によりビームラインをアライメントすることができる。
なお、このアライメントは、モノクロメータ2およびサ
ンプルチェンバー3等の各構成部品が相互に独立して動
作可能であることから、光路が妨げられずに行われる。
ところで、この種の投影装置およびアライメント方法
においては、アライメント時にモノクロメータ2および
サンプルチェンバー3等の各構成部品を単独に動作させ
る機能しか備えておらず、このためガイドラインや回動
中心が一定せず、特にビームラインの立ち上がり時にア
ライメント誤差が大きくなり、アライメント精度が低下
するという問題があった。また、アライメント時に各構
成部品が単独に動作する機能しかもたないことは、スト
レージリング1の近い側の構成部品を動作させた場合に
は遠い側の構成部品を動作させる必要が生じ、アライメ
ントに多大の時間を費やすという問題もあった。
においては、アライメント時にモノクロメータ2および
サンプルチェンバー3等の各構成部品を単独に動作させ
る機能しか備えておらず、このためガイドラインや回動
中心が一定せず、特にビームラインの立ち上がり時にア
ライメント誤差が大きくなり、アライメント精度が低下
するという問題があった。また、アライメント時に各構
成部品が単独に動作する機能しかもたないことは、スト
レージリング1の近い側の構成部品を動作させた場合に
は遠い側の構成部品を動作させる必要が生じ、アライメ
ントに多大の時間を費やすという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ア
ライメント精度を高めることができると共に、アライメ
ントに費やす時間を短縮することができる投影装置およ
びアライメント方法を提供するものである。
ライメント精度を高めることができると共に、アライメ
ントに費やす時間を短縮することができる投影装置およ
びアライメント方法を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る投影装置は、ビーム発生源を基準点に動
作する第1架台と、この第1架台上に設けられ第1スリ
ットの開口を基準部として動作する第2架台と、この第
2架台上に設けられモノクロ結晶を内蔵する動作可能な
モノクロメータを基準部として動作する第3架台と、こ
の第3架台上に設けられかつモノクロメータのビーム下
流側に設けられた第2スリットと、この第2スリットの
ビーム下流側に設けられかつ第3架台上に動作可能に設
けられ単結晶を搭載する第1駆動手段と、この第1駆動
手段のビーム下流側に設けられかつ第3架台上に動作可
能に設けられ被投影部材を搭載する第2駆動手段とを備
えたものである。
作する第1架台と、この第1架台上に設けられ第1スリ
ットの開口を基準部として動作する第2架台と、この第
2架台上に設けられモノクロ結晶を内蔵する動作可能な
モノクロメータを基準部として動作する第3架台と、こ
の第3架台上に設けられかつモノクロメータのビーム下
流側に設けられた第2スリットと、この第2スリットの
ビーム下流側に設けられかつ第3架台上に動作可能に設
けられ単結晶を搭載する第1駆動手段と、この第1駆動
手段のビーム下流側に設けられかつ第3架台上に動作可
能に設けられ被投影部材を搭載する第2駆動手段とを備
えたものである。
また、本発明の別の発明に係るアライメント方法は、
予めビーム軌道と異なる位置にモノクロ結晶を後退さ
せ、モノクロメータ内をビームが通過してビームカウン
タに到達するように第1スリットの開口を基準部として
第2架台を動作させる工程と、ビームカウンタに到達す
るビームの強度が最大となるようにビーム発生源を基準
部として第1架台を動作させる工程と、ビーム軌道上に
モノクロ結晶を前進させた後、ビームがビームカウンタ
に到達するようにモノクロメータを動作させる工程と、
第2駆動手段上に被投影部材の代わりに第3スリットを
位置付け、この第3スリットの開口をビームが通過して
ビームカウンタに到達するようにモノクロ結晶を動作さ
せる工程と、第1駆動手段上に単結晶の代わりに第4ス
リットを位置付け、この第4スリットおよび第2スリッ
トの開口を通過するようにモノクロ結晶を基準部として
第3架台を動作させる工程と、モノクロ結晶を基準部と
して第4スリットを微動させることにより第3スリット
の開口と第4スリットの開口の位置合わせをする工程
と、この第4スリットの代わりに単結晶を第1駆動手段
上に位置付け、この単結晶を回動させることにより単結
晶軸の傾きを補正した後、第4スリットの開口を通過し
てビームカウンタに到達するように単結晶を水平方向と
垂直方向に移動させる工程と、第3スリットの代わりに
半導体ウエハを位置付けると共に、第1スリットの代わ
りに2開口を有する第5スリットを位置付け、この第5
スリットの2開口を通過したビームが第1アライメント
マークに照射するようにモノクロ結晶を動作させた後、
第4スリットの代わりに被投影部材を第1駆動手段上に
位置付け、単結晶を出射したビームが第2アライメント
マークを照射するように被投影部材を動作させる工程と
を備えたものである。
予めビーム軌道と異なる位置にモノクロ結晶を後退さ
せ、モノクロメータ内をビームが通過してビームカウン
タに到達するように第1スリットの開口を基準部として
第2架台を動作させる工程と、ビームカウンタに到達す
るビームの強度が最大となるようにビーム発生源を基準
部として第1架台を動作させる工程と、ビーム軌道上に
モノクロ結晶を前進させた後、ビームがビームカウンタ
に到達するようにモノクロメータを動作させる工程と、
第2駆動手段上に被投影部材の代わりに第3スリットを
位置付け、この第3スリットの開口をビームが通過して
ビームカウンタに到達するようにモノクロ結晶を動作さ
せる工程と、第1駆動手段上に単結晶の代わりに第4ス
リットを位置付け、この第4スリットおよび第2スリッ
トの開口を通過するようにモノクロ結晶を基準部として
第3架台を動作させる工程と、モノクロ結晶を基準部と
して第4スリットを微動させることにより第3スリット
の開口と第4スリットの開口の位置合わせをする工程
と、この第4スリットの代わりに単結晶を第1駆動手段
上に位置付け、この単結晶を回動させることにより単結
晶軸の傾きを補正した後、第4スリットの開口を通過し
てビームカウンタに到達するように単結晶を水平方向と
垂直方向に移動させる工程と、第3スリットの代わりに
半導体ウエハを位置付けると共に、第1スリットの代わ
りに2開口を有する第5スリットを位置付け、この第5
スリットの2開口を通過したビームが第1アライメント
マークに照射するようにモノクロ結晶を動作させた後、
第4スリットの代わりに被投影部材を第1駆動手段上に
位置付け、単結晶を出射したビームが第2アライメント
マークを照射するように被投影部材を動作させる工程と
を備えたものである。
本発明およびこの発明の別の発明においては、アライ
メント時に第1架台の動作によって第2架台および第3
架台を動作させることができ、第2架台の動作によって
第3架台を動作させることができると共に、モノクロメ
ータ内のモノクロ結晶および第3架台上の単結晶と被投
影部材を動作させることができる。
メント時に第1架台の動作によって第2架台および第3
架台を動作させることができ、第2架台の動作によって
第3架台を動作させることができると共に、モノクロメ
ータ内のモノクロ結晶および第3架台上の単結晶と被投
影部材を動作させることができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明に係る投影装置の概略を示す斜視図、
第2図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータ
を示す斜視図である。同図において、符号11で示すもの
はビーム12の発生源としてのシンクロトロン13のベンデ
ィングマグネット14を基準部としてゴニオメータ15によ
って動作する第1架台、16はこの第1架台11上に設けら
れ第1スリット17のピンホール18を基準部としてゴニオ
メータ19によって動作する第2架台、20はこの第2架台
16上に設けられ第1モノクロ結晶21および第2モノクロ
結晶22を内蔵する動作可能なモノクロメータ23を基準部
としてゴニオメータ24によって回動する第3架台、25は
この第3架台20上に設けられかつ前記モノクロメータ23
のビーム下流側に設けられた第2スリット、26はこの第
2スリット25のビーム下流側に設けられかつ前記第3架
台20上に動作可能に設けられ単結晶27を搭載する第1駆
動手段としてゴニオメータ、28はこのゴニオメータ26の
ビーム下流側に設けられかつ前記第3架台20上に動作可
能に設けられた被投影部材としての半導体ウエハ29を搭
載する第2駆動手段としてのゴニオメータである。ま
た、30および31は前記第1モノクロ結晶21と第2モノク
ロ結晶22を駆動するゴニオメータである。なお、各ゴニ
オメータは、回動動作と進退動作の両機能を備えている
ものとする。また、図中矢印は各構成部品の動作方向を
示す。
第2図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータ
を示す斜視図である。同図において、符号11で示すもの
はビーム12の発生源としてのシンクロトロン13のベンデ
ィングマグネット14を基準部としてゴニオメータ15によ
って動作する第1架台、16はこの第1架台11上に設けら
れ第1スリット17のピンホール18を基準部としてゴニオ
メータ19によって動作する第2架台、20はこの第2架台
16上に設けられ第1モノクロ結晶21および第2モノクロ
結晶22を内蔵する動作可能なモノクロメータ23を基準部
としてゴニオメータ24によって回動する第3架台、25は
この第3架台20上に設けられかつ前記モノクロメータ23
のビーム下流側に設けられた第2スリット、26はこの第
2スリット25のビーム下流側に設けられかつ前記第3架
台20上に動作可能に設けられ単結晶27を搭載する第1駆
動手段としてゴニオメータ、28はこのゴニオメータ26の
ビーム下流側に設けられかつ前記第3架台20上に動作可
能に設けられた被投影部材としての半導体ウエハ29を搭
載する第2駆動手段としてのゴニオメータである。ま
た、30および31は前記第1モノクロ結晶21と第2モノク
ロ結晶22を駆動するゴニオメータである。なお、各ゴニ
オメータは、回動動作と進退動作の両機能を備えている
ものとする。また、図中矢印は各構成部品の動作方向を
示す。
このように構成された投影装置においては、アライメ
ント時に第1架台11の動作によって第2架台16および第
3架台20を動作させることができ、第2架台16の動作に
よって第3架台20を動作させることができると共に、モ
ノクロメータ23内の第1モノクロ結晶21と第2モノクロ
結晶22および第3架台20上の単結晶27と半導体ウエハ29
を動作させることができる。
ント時に第1架台11の動作によって第2架台16および第
3架台20を動作させることができ、第2架台16の動作に
よって第3架台20を動作させることができると共に、モ
ノクロメータ23内の第1モノクロ結晶21と第2モノクロ
結晶22および第3架台20上の単結晶27と半導体ウエハ29
を動作させることができる。
したがって、本実施例においては、ガイドラインや回
動中心(基準部)を設定して各構成部品を整列させるこ
とができる。
動中心(基準部)を設定して各構成部品を整列させるこ
とができる。
また、本実施例においては、発光源としてのシンクロ
トロン13の近い側の構成部品を動作させた場合に遠い側
の構成部品をも同時に動作させることができる。
トロン13の近い側の構成部品を動作させた場合に遠い側
の構成部品をも同時に動作させることができる。
次に、本発明の別の発明におけるアライメント方法に
つき、第3図〜第7図を用いて説明する。
つき、第3図〜第7図を用いて説明する。
第3図において、シンクロトロン51のベンディング
マグネット52から出射されるビーム53を、第1スリット
54のピンホール55を通過してモノクロメータ56内に入射
させる。ここで、モノクロメータ56内のモノクロ結晶57
を予めビーム53の軌道から異なる位置に後退させ、モノ
クロメータ56内をビーム53が通過してシンチレーション
カウンタ58に到達するようにピンホール55を基準部とし
て第2架台16(第1図に図示)を同図(a)に矢印で示
す方向に動作させる。このとき、シンチレーションカウ
ンタ58の計数が最大となるように調整する。なお、カウ
ンタ計数値が著しく大きい場合(>10000カウント/se
c)には、適宜アブソーバを挿入する。そして、同図
(b)に破線で示すようにベンディングマグネット52を
基準部として第1架台11(第1図に図示)を動作させて
ビーム強度が最大となるように調整する。
マグネット52から出射されるビーム53を、第1スリット
54のピンホール55を通過してモノクロメータ56内に入射
させる。ここで、モノクロメータ56内のモノクロ結晶57
を予めビーム53の軌道から異なる位置に後退させ、モノ
クロメータ56内をビーム53が通過してシンチレーション
カウンタ58に到達するようにピンホール55を基準部とし
て第2架台16(第1図に図示)を同図(a)に矢印で示
す方向に動作させる。このとき、シンチレーションカウ
ンタ58の計数が最大となるように調整する。なお、カウ
ンタ計数値が著しく大きい場合(>10000カウント/se
c)には、適宜アブソーバを挿入する。そして、同図
(b)に破線で示すようにベンディングマグネット52を
基準部として第1架台11(第1図に図示)を動作させて
ビーム強度が最大となるように調整する。
第4図において、モノクロメータ56内のモノクロ結
晶57をビーム軌道上に前進させる。そして、ビーム53が
シンチレーションカウンタ58に到達するようにモノクロ
メータ56を同図(a)に示す方向に微動させ、モノクロ
結晶57の結晶面の全体にビーム53が入射するように調整
すると共に、ブラッグ条件を満足するようにビーム53の
入射角を調整する。このとき、ビーム53は、同図(b)
に符号aで示すように第1モノクロ結晶57aに入射して
第2モノクロ結晶57bから出射する。なお、シンチレー
ションカウンタ58の位置は、ビーム53の高さ変化に対応
するように設定する、同図(c)において、半導体ウエ
ハ29(図示せず)の代わりに第3スリット59を位置付
け、この第3スリット59のピンホール60を通過してシン
チレーションカウンター58に到達するようにモノクロ結
晶57で矢印で示す方向に微動させる。なお、符号61は単
結晶27(第1図に図示)を駆動するゴニオメータであ
る。
晶57をビーム軌道上に前進させる。そして、ビーム53が
シンチレーションカウンタ58に到達するようにモノクロ
メータ56を同図(a)に示す方向に微動させ、モノクロ
結晶57の結晶面の全体にビーム53が入射するように調整
すると共に、ブラッグ条件を満足するようにビーム53の
入射角を調整する。このとき、ビーム53は、同図(b)
に符号aで示すように第1モノクロ結晶57aに入射して
第2モノクロ結晶57bから出射する。なお、シンチレー
ションカウンタ58の位置は、ビーム53の高さ変化に対応
するように設定する、同図(c)において、半導体ウエ
ハ29(図示せず)の代わりに第3スリット59を位置付
け、この第3スリット59のピンホール60を通過してシン
チレーションカウンター58に到達するようにモノクロ結
晶57で矢印で示す方向に微動させる。なお、符号61は単
結晶27(第1図に図示)を駆動するゴニオメータであ
る。
第5図において、同図(a)に示すように単結晶27
(第1図に図示)の代わりに第4スリット62を位置付
け、この第4スリット62のピンホール63およびビーム上
流側の第2スリット64のピンホール65を通過するように
第3架台20(第1図に図示)を動作させる。このとき、
モノクロ結晶57を中心としたゴニオメータ24(第1図に
図示)の回動動作に対応させてシンチレーションカウン
タ58の計数値を最大となるように調整する。次に、同図
(b)において、ゴニオメータ24の中心点O(ピンホー
ル63)を微動させることにより第4スリット62のピンホ
ール63と第3スリット59のピンホール60の位置合わせを
する。このとき、ゴニオメータ26,28(第1図に図示)
を角度α,βだけ同時に動作させてピンホール65の位置
が変化しないようにする。また、ビームの強度が最大に
なる点を検出する。
(第1図に図示)の代わりに第4スリット62を位置付
け、この第4スリット62のピンホール63およびビーム上
流側の第2スリット64のピンホール65を通過するように
第3架台20(第1図に図示)を動作させる。このとき、
モノクロ結晶57を中心としたゴニオメータ24(第1図に
図示)の回動動作に対応させてシンチレーションカウン
タ58の計数値を最大となるように調整する。次に、同図
(b)において、ゴニオメータ24の中心点O(ピンホー
ル63)を微動させることにより第4スリット62のピンホ
ール63と第3スリット59のピンホール60の位置合わせを
する。このとき、ゴニオメータ26,28(第1図に図示)
を角度α,βだけ同時に動作させてピンホール65の位置
が変化しないようにする。また、ビームの強度が最大に
なる点を検出する。
第6図において、同図(a)に示すように第4スリ
ット62の代わりに単結晶27をゴニオメータ26(第1図に
図示)上に位置付け、この単結晶27をゴニオメータ26に
よって回動させることにより単結晶軸の傾きを補正して
垂直にする。これは、ラウエテレビ66によってモニター
される。次に、同図(b)に符号67で示す水平方向に単
結晶27aを結晶面がビーム53に平行になるように微動さ
せ、ビーム径の半分が隠れるように調整する。そして、
同図(b)に符号68で示す垂直方向に単結晶27bを微動
させ、第3スリット59のピンホール60を通過したビーム
53が最大となるようにωスキャン,2θ−ωスキャンを行
う。
ット62の代わりに単結晶27をゴニオメータ26(第1図に
図示)上に位置付け、この単結晶27をゴニオメータ26に
よって回動させることにより単結晶軸の傾きを補正して
垂直にする。これは、ラウエテレビ66によってモニター
される。次に、同図(b)に符号67で示す水平方向に単
結晶27aを結晶面がビーム53に平行になるように微動さ
せ、ビーム径の半分が隠れるように調整する。そして、
同図(b)に符号68で示す垂直方向に単結晶27bを微動
させ、第3スリット59のピンホール60を通過したビーム
53が最大となるようにωスキャン,2θ−ωスキャンを行
う。
第7図において、同図(a)に示すように複数個の
ピンホール69,70を有する第5スリット71を第1スリッ
ト54の代わりに位置付けると共に、第3スリット59の代
わりに半導体ウエハ29を位置付ける。このとき、2つの
ピンホール69,70を通過したビーム53は、モノクロ結晶5
7と単結晶27によって回折され半導体ウエハ29に至る。
そして、モノクロ結晶57上に描画されたマスクパターン
上のアライメントマーク72を照射する。このとき、第5
スリット71のピンホール69,70を通過するビーム53がア
ライメントマーク72の中央部を照射するように同図
(a)に矢印で示すようにモノクロ結晶57の位置を微調
整する。次に、同図(b)に示すように半導体ウエハ29
上のアライメントマーク73を照射する。このとき、ピン
ホール69,70を通過するビーム53がアライメントマーク7
3の中央部を照射するように半導体ウエハ29を微調整す
る。
ピンホール69,70を有する第5スリット71を第1スリッ
ト54の代わりに位置付けると共に、第3スリット59の代
わりに半導体ウエハ29を位置付ける。このとき、2つの
ピンホール69,70を通過したビーム53は、モノクロ結晶5
7と単結晶27によって回折され半導体ウエハ29に至る。
そして、モノクロ結晶57上に描画されたマスクパターン
上のアライメントマーク72を照射する。このとき、第5
スリット71のピンホール69,70を通過するビーム53がア
ライメントマーク72の中央部を照射するように同図
(a)に矢印で示すようにモノクロ結晶57の位置を微調
整する。次に、同図(b)に示すように半導体ウエハ29
上のアライメントマーク73を照射する。このとき、ピン
ホール69,70を通過するビーム53がアライメントマーク7
3の中央部を照射するように半導体ウエハ29を微調整す
る。
このようにして、グローバルアライメントが終了する
が、さらに高精度アライメントが必要な場合にはヘテロ
ダイン法を適宜用いる。
が、さらに高精度アライメントが必要な場合にはヘテロ
ダイン法を適宜用いる。
なお、本実施例においては、1個のスリットである場
合を示したが、本発明は指向性を高めるために2個のス
リットとしてもよい。
合を示したが、本発明は指向性を高めるために2個のス
リットとしてもよい。
また、本実施例においては、シンクロトロンを用いた
もの適用する例を示したが、本発明はこれに限定され
ず、通常の回折計を用いたものに適用することができ
る。
もの適用する例を示したが、本発明はこれに限定され
ず、通常の回折計を用いたものに適用することができ
る。
以上説明したように、本発明によれば、ビーム発生源
を基準点にして動作する第1架台と、この第1架台上に
設けられ第1スリットの開口を基準部として動作する第
2架台と、この第2架台上に設けられモノクロ結晶を内
蔵する動作可能なモノクロメータを基準部として動作す
る第3架台と、この第3架台上に設けられかつモノクロ
メータのビーム下流側に設けられた第2スリットと、こ
の第2スリットのビーム下流側に設けられかつ第3架台
上に動作可能に設けられ単結晶を搭載する第1駆動手段
と、この第1駆動手段のビーム下流側に設けられかつ第
3架台上に動作可能に設けられ被投影部材を搭載する第
2駆動手段とを備えたので、また、本発明の別の発明に
係るアライメント方法は、予めビーム軌道と異なる位置
にモノクロ結晶を後退させ、モノクロメータ内をビーム
が通過してビームカウンタに到達するように第1スリッ
トの開口を基準部として第2架台を動作させる工程と、
ビームカウンタに到達するビームの強度が最大となるよ
うにビーム発生源を基準部として第1架台を動作させる
工程と、ビーム軌道上にモノクロ結晶を前進させた後、
ビームがビームカウンタに到達するようにモノクロメー
タを動作させる工程と、第2駆動手段上に被投影部材の
代わりに第3スリットを位置付け、この第3スリットの
開口をビームが通過してビームカウンタに到達するよう
にモノクロ結晶を動作させる工程と、第1駆動手段上に
単結晶の代わりに第4スリットを位置付け、この第4ス
リットおよび第2スリットの開口を通過するようにモノ
クロ結晶を基準部として第3架台を動作させる工程と、
モノクロ結晶を基準部として第4スリットを微動させる
ことにより第3スリットの開口と第4スリットの開口の
位置合わせをする工程と、この第4スリットの代わりに
単結晶を第1駆動手段上に位置付け、この単結晶を回動
させることにより単結晶軸の傾きを補正した後、第4ス
リットの開口を通過してビームカウンタに到達するよう
に単結晶を水平方向と垂直方向に移動させる工程と、第
3スリットの代わりに半導体ウエハを位置付けると共
に、第1スリットの代わりに2開口を有する第5スリッ
トを位置付け、この第5スリットの2開口を通過したビ
ームが第1アライメントマークに照射するようにモノク
ロ結晶を動作させた後、第4スリットの代わりに被投影
部材を第1駆動手段上に位置付け、単結晶を出射したビ
ームが第2アライメントマークを照射するように被投影
部材を動作させる工程とを備えたので、アライメント時
に第1架台の動作によって第2架台および第3架台を動
作させることができ、第2架台の動作によって第3架台
を動作させることができると共に、モロクロメータ内の
モノクロ結晶および第3架台上の単結晶と被投影部材を
動作させることができる。したがって、ガイドラインや
回動中心を設定して各構成部品を整列させることができ
るから、アライメント精度を高めることができる。ま
た、ビームの発生源に近い側の構成部品を動作させた場
合に遠い側の構成部品をも同時に動作させることができ
るから、アライメントに費やす時間を短縮することがで
きるといった利点もある。
を基準点にして動作する第1架台と、この第1架台上に
設けられ第1スリットの開口を基準部として動作する第
2架台と、この第2架台上に設けられモノクロ結晶を内
蔵する動作可能なモノクロメータを基準部として動作す
る第3架台と、この第3架台上に設けられかつモノクロ
メータのビーム下流側に設けられた第2スリットと、こ
の第2スリットのビーム下流側に設けられかつ第3架台
上に動作可能に設けられ単結晶を搭載する第1駆動手段
と、この第1駆動手段のビーム下流側に設けられかつ第
3架台上に動作可能に設けられ被投影部材を搭載する第
2駆動手段とを備えたので、また、本発明の別の発明に
係るアライメント方法は、予めビーム軌道と異なる位置
にモノクロ結晶を後退させ、モノクロメータ内をビーム
が通過してビームカウンタに到達するように第1スリッ
トの開口を基準部として第2架台を動作させる工程と、
ビームカウンタに到達するビームの強度が最大となるよ
うにビーム発生源を基準部として第1架台を動作させる
工程と、ビーム軌道上にモノクロ結晶を前進させた後、
ビームがビームカウンタに到達するようにモノクロメー
タを動作させる工程と、第2駆動手段上に被投影部材の
代わりに第3スリットを位置付け、この第3スリットの
開口をビームが通過してビームカウンタに到達するよう
にモノクロ結晶を動作させる工程と、第1駆動手段上に
単結晶の代わりに第4スリットを位置付け、この第4ス
リットおよび第2スリットの開口を通過するようにモノ
クロ結晶を基準部として第3架台を動作させる工程と、
モノクロ結晶を基準部として第4スリットを微動させる
ことにより第3スリットの開口と第4スリットの開口の
位置合わせをする工程と、この第4スリットの代わりに
単結晶を第1駆動手段上に位置付け、この単結晶を回動
させることにより単結晶軸の傾きを補正した後、第4ス
リットの開口を通過してビームカウンタに到達するよう
に単結晶を水平方向と垂直方向に移動させる工程と、第
3スリットの代わりに半導体ウエハを位置付けると共
に、第1スリットの代わりに2開口を有する第5スリッ
トを位置付け、この第5スリットの2開口を通過したビ
ームが第1アライメントマークに照射するようにモノク
ロ結晶を動作させた後、第4スリットの代わりに被投影
部材を第1駆動手段上に位置付け、単結晶を出射したビ
ームが第2アライメントマークを照射するように被投影
部材を動作させる工程とを備えたので、アライメント時
に第1架台の動作によって第2架台および第3架台を動
作させることができ、第2架台の動作によって第3架台
を動作させることができると共に、モロクロメータ内の
モノクロ結晶および第3架台上の単結晶と被投影部材を
動作させることができる。したがって、ガイドラインや
回動中心を設定して各構成部品を整列させることができ
るから、アライメント精度を高めることができる。ま
た、ビームの発生源に近い側の構成部品を動作させた場
合に遠い側の構成部品をも同時に動作させることができ
るから、アライメントに費やす時間を短縮することがで
きるといった利点もある。
第1図は本発明に係る投影装置の概略を示す斜視図、第
2図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータを
示す斜視図、第3図(a)および(b)は本発明におけ
るビームラインのアライメントを説明するために示す
図、第4図(a)〜(c)はモノクロメータのアライメ
ントを説明するために示す図、第5図(a)および
(b)はゴニオメータのアライメントを説明するために
示す図、第6図(a)および(b)は結晶のアライメン
トを説明するために示す図、第7図(a)および(b)
はアライメントマーク合わせを説明するために示す図、
第8図は従来の投影装置を示す正面図である。 11……第1架台、12……ビーム、13……シンクロトロ
ン、14……ベンディングマグネット、15……ゴニオメー
タ、16……第2架台、17……第1スリット、18……ピン
ホール、19……ゴニオメータ、20……第3架台、21……
第1モノクロ結晶、22……第2モノクロ結晶、23……モ
ノクロメータ、24……ゴニオメータ、25……第2スリッ
ト、26……ゴニオメータ、27……単結晶、28……ゴニオ
メータ、29……半導体ウエハ、30,31……ゴニオメー
タ。
2図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータを
示す斜視図、第3図(a)および(b)は本発明におけ
るビームラインのアライメントを説明するために示す
図、第4図(a)〜(c)はモノクロメータのアライメ
ントを説明するために示す図、第5図(a)および
(b)はゴニオメータのアライメントを説明するために
示す図、第6図(a)および(b)は結晶のアライメン
トを説明するために示す図、第7図(a)および(b)
はアライメントマーク合わせを説明するために示す図、
第8図は従来の投影装置を示す正面図である。 11……第1架台、12……ビーム、13……シンクロトロ
ン、14……ベンディングマグネット、15……ゴニオメー
タ、16……第2架台、17……第1スリット、18……ピン
ホール、19……ゴニオメータ、20……第3架台、21……
第1モノクロ結晶、22……第2モノクロ結晶、23……モ
ノクロメータ、24……ゴニオメータ、25……第2スリッ
ト、26……ゴニオメータ、27……単結晶、28……ゴニオ
メータ、29……半導体ウエハ、30,31……ゴニオメー
タ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−243518(JP,A) 特開 昭62−293634(JP,A) 特開 昭58−75835(JP,A) 特開 平1−263599(JP,A) 特開 昭52−107774(JP,A) 特開 昭63−79320(JP,A) 特開 昭60−5518(JP,A) 特公 平6−79080(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項1】ビーム発生源を基準点にして動作する第1
架台と、この第1架台上に設けられ第1スリットの開口
を基準部として動作する第2架台と、この第2架台上に
設けられモノクロ結晶を内蔵する動作可能なモノクロメ
ータを基準部として動作する第3架台と、この第3架台
上に設けられかつ前記モノクロメータのビーム下流側に
設けられた第2スリットと、この第2スリットのビーム
下流側に設けられかつ前記第3架台上に動作可能に設け
られ単結晶を搭載する第1駆動手段と、この第1駆動手
段のビーム下流側に設けられかつ前記第3架台上に動作
可能に設けられ被投影部材を搭載する第2駆動手段とを
備えたことを特徴とする投影装置。 - 【請求項2】請求項1において、予めビーム軌道と異な
る位置にモノクロ結晶を後退させ、モノクロメータ内を
ビームが通過してビームカウンタに到達するように第1
スリットの開口を基準部として第2架台を動作させる工
程と、ビームカウンタに到達するビームの強度が最大と
なるようにビーム発生源を基準部として第1架台を動作
させる工程と、ビーム軌道上にモノクロ結晶を前進させ
た後、ビームがビームカウンタに到達するようにモノク
ロメータを動作させる工程と、第2駆動手段上に被投影
部材の代わりに第3スリットを位置付け、この第3スリ
ットの開口をビームが通過してビームカウンタに到達す
るようにモノクロ結晶を動作させる工程と、第1駆動手
段上に単結晶の代わりに第4スリットを位置付け、この
第4スリットおよび第2スリットの開口を通過するよう
にモノクロ結晶を基準部として第3架台を動作させる工
程と、モノクロ結晶を基準部として第4スリットを微動
させることにより第3スリットの開口と第4スリットの
開口の位置合わせをする工程と、この第4スリットの代
わりに単結晶を第1駆動手段上に位置付け、この単結晶
を回動させることにより単結晶軸の傾きを補正した後、
第4スリットの開口を通過してビームカウンタに到達す
るように単結晶を水方向と垂直方向に移動させる工程
と、第3スリットの代わりに半導体ウエハを位置付ける
と共に、第1スリットの代わりに2開口を有する第5ス
リットを位置付け、この第5スリットの2開口を通過し
たビームが第1アライメントマークに照射するようにモ
ノクロ結晶を動作させた後、第4スリットの代わりに被
投影部材を第1駆動手段上に位置付け、単結晶を出射し
たビームが第2アライメントマークを照射するように被
投影部材を動作させる工程とを備えたことを特徴とする
アライメント方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2154403A JP2836198B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 投影装置およびアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2154403A JP2836198B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 投影装置およびアライメント方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0445513A JPH0445513A (ja) | 1992-02-14 |
JP2836198B2 true JP2836198B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=15583387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2154403A Expired - Fee Related JP2836198B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 投影装置およびアライメント方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2836198B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10236640B4 (de) * | 2002-08-09 | 2004-09-16 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung monochromatischer Röntgenstrahlung |
DE102004058701A1 (de) * | 2004-05-11 | 2005-12-01 | Munters Euroform Gmbh | Tropfenabscheideranordnung |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154403A patent/JP2836198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0445513A (ja) | 1992-02-14 |
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