JP2814814B2 - 薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
薄膜トランジスタ基板Info
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- Japan
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- thin film
- film transistor
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Description
薄膜トランジスタ基板に関し、特に製造歩留りの高い薄
膜トランジスタ基板に関する。
示すように薄膜トランジスタのゲート電極1に接続する
走査電極配線2,ドレイン電極に接続する信号電極配線
4.半導体層6,ソース電極7,表示電極8とから少な
くとも構成されている。このため走査電極配線2と信号
電極配線4との交点5が1つ存在する。この部分は、通
常絶縁膜を用いて電気的に分離される。
は、図4に示すように走査電極配線2が信号電極配線4
付近で2本に別れ、走査電極配線2と信号電極配線4と
の交点5a,5bが2つある(例えば電子通信学会技術
研究報告,ED−84,No.159,p17〜p1
9)。この例では信号電極配線4がドレイン電極3を兼
ねていてドレイン電極3は信号電極配線4とゲート電極
1との重なり部分に相当している。
ジスタ基板では、ゲート電極1とドレイン電極3で短絡
欠陥がある場合、図3の薄膜トランジスタ基板では、ゲ
ート電極1と走査電極配線2との接続部をレーザ等で切
断することにより線欠陥となることを防ぎ、図4のもの
では走査電極配線2の2本に別れたゲート電極1側の走
査電極配線2を切断することにより線欠陥となることを
防ぐことができる。しかしながら、両者とも走査電極配
線2と信号電極配線4との交点での短絡欠陥修正および
断線欠陥修正はできないという問題点があった。
スタのゲート電極に接続する行状の走査電極配線と前記
薄膜トランジスタのドレイン電極に接続する列状の信号
電極配線とを少なくとも有する薄膜トランジスタ基板に
おいて、行状の走査電極配線と列状の信号電極配線との
交点部分を走査電極配線を2本以上に分けかつ信号電極
配線を2本以上に分けて交点を2×2以上のマトリクス
とすることを特徴とする。
る。図1は本発明の第1の実施例の薄膜トランジスタ基
板を示す平面図である。基板に導電体を成膜し、ホトリ
ソグラフィ技術を用いてパターニングしたあと不要部分
の導電体をエッチング除去しゲート電極1と走査電極配
線2を形成する。次に、プラズマケミカルベーパーデポ
ジション(PCVD)法により絶縁層,半導体層を連続
成膜し、ホトリソグラフィ技術を用いてパターニングし
たあと不要部分の半導体層をエッチング除去し半導体層
6を形成する。次に導電体を成膜し、ホトリソグラフィ
技術を用いてパターニングしたあと不要部分の導電体を
エッチング除去しドレイン電極3と信号電極配線4を形
成する。さらに、透明導電体を成膜しホトリソグラフィ
技術を用いてパターニングしたあと不要部分の透明導電
体をエッチング除去し表示電極8を形成し薄膜トランジ
スタ基板を形成した。走査電極配線2と信号電極配線4
とは、それらの交点部分はともに2本に分け、交点5a
〜5dは2×2のマトリクスとした。
×3のカラー液晶ディスプレイを製造した場合の配線欠
陥についてのみの歩留りを図3に示した従来のものと比
較すると、従来のもののストレートの歩留りは70%,
修理を含む歩留りは75%であるのに対し、本発明のも
のはストレートの歩留り75%、修理を含む歩留りは9
5%であった。本発明のものでストレートの歩留りも良
くなるのは、短絡による欠陥発生の増加よりも断線によ
る欠陥発生の阻止の割合が多いためである。また、修正
できないものがあるのは、短絡が高抵抗の場合ディスプ
レイに組み立てないと発見できない欠陥があり、ディス
プレイに組み立てると交点5a〜5dのどこが欠陥なの
か判別できないことがあるためである。
ンジスタ基板を示す平面図である。製造方法は第1の実
施例と同じであるが、表示電極は8a〜8dに4分割し
てある。このものの歩留りはストレートで75%、修理
を含む歩留りは100%であった。これは第1の実施例
ではディスプレイに組み立ててからでは欠陥の判別がで
きなかったのに対し、第2の実施例では欠陥個所に近い
表示電極にかかる電圧が他と異なるためディスプレイを
表示させた場合に表示濃度が他と異なって見え欠陥のあ
る交点の個所の判別ができるためである。
で走査電極配線を2本以上に分けかつ信号電極配線を2
本以上に分けて交点を2×2以上のマトリクスとしたこ
とにより、断線欠陥が発生しても修正が可能であること
により薄膜トランジスタ基板の歩留りを向上できるとい
う効果を有する。
の平面図である。
の平面図である。
である。
Claims (1)
- 【請求項1】 薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジ
スタのゲート電極およびドレイン電極にそれぞれ接続す
る走査電極配線および信号電極配線と、前記薄膜トラン
ジスタのソース電極に接続する表示電極とを有する薄膜
トランジスタ基板において、前記走査電極配線と信号電
極配線との交点部分の前記走査電極配線および信号電極
配線をそれぞれ2本に分けて4個の交点とし、各交点に
対応してそれぞれ薄膜トランジスタと表示電極とを設け
たことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1491992A JP2814814B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 薄膜トランジスタ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1491992A JP2814814B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 薄膜トランジスタ基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05224234A JPH05224234A (ja) | 1993-09-03 |
JP2814814B2 true JP2814814B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=11874376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1491992A Expired - Lifetime JP2814814B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 薄膜トランジスタ基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2814814B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100776503B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2007-11-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 화소구조 |
JP2005164854A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
CN101290408B (zh) | 2007-04-17 | 2010-04-14 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管显示器 |
JP5125671B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-01-23 | ソニー株式会社 | 画像表示装置、欠陥検出方法及び短絡事故の修復方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61147285A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-04 | キヤノン株式会社 | 表示素子の修復方法 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP1491992A patent/JP2814814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05224234A (ja) | 1993-09-03 |
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