JP2814814B2 - 薄膜トランジスタ基板 - Google Patents

薄膜トランジスタ基板

Info

Publication number
JP2814814B2
JP2814814B2 JP1491992A JP1491992A JP2814814B2 JP 2814814 B2 JP2814814 B2 JP 2814814B2 JP 1491992 A JP1491992 A JP 1491992A JP 1491992 A JP1491992 A JP 1491992A JP 2814814 B2 JP2814814 B2 JP 2814814B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film transistor
electrode wiring
transistor substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1491992A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05224234A (ja
Inventor
祥治 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1491992A priority Critical patent/JP2814814B2/ja
Publication of JPH05224234A publication Critical patent/JPH05224234A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2814814B2 publication Critical patent/JP2814814B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に用いる
薄膜トランジスタ基板に関し、特に製造歩留りの高い薄
膜トランジスタ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタ基板は、図３に
示すように薄膜トランジスタのゲート電極１に接続する
走査電極配線２，ドレイン電極に接続する信号電極配線
４．半導体層６，ソース電極７，表示電極８とから少な
くとも構成されている。このため走査電極配線２と信号
電極配線４との交点５が１つ存在する。この部分は、通
常絶縁膜を用いて電気的に分離される。
【０００３】また、他の従来の薄膜トランジスタ基板
は、図４に示すように走査電極配線２が信号電極配線４
付近で２本に別れ、走査電極配線２と信号電極配線４と
の交点５ａ，５ｂが２つある（例えば電子通信学会技術
研究報告，ＥＤ−８４，Ｎｏ．１５９，ｐ１７〜ｐ１
９）。この例では信号電極配線４がドレイン電極３を兼
ねていてドレイン電極３は信号電極配線４とゲート電極
１との重なり部分に相当している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の薄膜トラン
ジスタ基板では、ゲート電極１とドレイン電極３で短絡
欠陥がある場合、図３の薄膜トランジスタ基板では、ゲ
ート電極１と走査電極配線２との接続部をレーザ等で切
断することにより線欠陥となることを防ぎ、図４のもの
では走査電極配線２の２本に別れたゲート電極１側の走
査電極配線２を切断することにより線欠陥となることを
防ぐことができる。しかしながら、両者とも走査電極配
線２と信号電極配線４との交点での短絡欠陥修正および
断線欠陥修正はできないという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜トランジ
スタのゲート電極に接続する行状の走査電極配線と前記
薄膜トランジスタのドレイン電極に接続する列状の信号
電極配線とを少なくとも有する薄膜トランジスタ基板に
おいて、行状の走査電極配線と列状の信号電極配線との
交点部分を走査電極配線を２本以上に分けかつ信号電極
配線を２本以上に分けて交点を２×２以上のマトリクス
とすることを特徴とする。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の薄膜トランジスタ基
板を示す平面図である。基板に導電体を成膜し、ホトリ
ソグラフィ技術を用いてパターニングしたあと不要部分
の導電体をエッチング除去しゲート電極１と走査電極配
線２を形成する。次に、プラズマケミカルベーパーデポ
ジション（ＰＣＶＤ）法により絶縁層，半導体層を連続
成膜し、ホトリソグラフィ技術を用いてパターニングし
たあと不要部分の半導体層をエッチング除去し半導体層
６を形成する。次に導電体を成膜し、ホトリソグラフィ
技術を用いてパターニングしたあと不要部分の導電体を
エッチング除去しドレイン電極３と信号電極配線４を形
成する。さらに、透明導電体を成膜しホトリソグラフィ
技術を用いてパターニングしたあと不要部分の透明導電
体をエッチング除去し表示電極８を形成し薄膜トランジ
スタ基板を形成した。走査電極配線２と信号電極配線４
とは、それらの交点部分はともに２本に分け、交点５ａ
〜５ｄは２×２のマトリクスとした。
【０００７】対角１４インチ表示数１０２４×１０２４
×３のカラー液晶ディスプレイを製造した場合の配線欠
陥についてのみの歩留りを図３に示した従来のものと比
較すると、従来のもののストレートの歩留りは７０％，
修理を含む歩留りは７５％であるのに対し、本発明のも
のはストレートの歩留り７５％、修理を含む歩留りは９
５％であった。本発明のものでストレートの歩留りも良
くなるのは、短絡による欠陥発生の増加よりも断線によ
る欠陥発生の阻止の割合が多いためである。また、修正
できないものがあるのは、短絡が高抵抗の場合ディスプ
レイに組み立てないと発見できない欠陥があり、ディス
プレイに組み立てると交点５ａ〜５ｄのどこが欠陥なの
か判別できないことがあるためである。
【０００８】図２は、本発明の第２の実施例の薄膜トラ
ンジスタ基板を示す平面図である。製造方法は第１の実
施例と同じであるが、表示電極は８ａ〜８ｄに４分割し
てある。このものの歩留りはストレートで７５％、修理
を含む歩留りは１００％であった。これは第１の実施例
ではディスプレイに組み立ててからでは欠陥の判別がで
きなかったのに対し、第２の実施例では欠陥個所に近い
表示電極にかかる電圧が他と異なるためディスプレイを
表示させた場合に表示濃度が他と異なって見え欠陥のあ
る交点の個所の判別ができるためである。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、交点部分
で走査電極配線を２本以上に分けかつ信号電極配線を２
本以上に分けて交点を２×２以上のマトリクスとしたこ
とにより、断線欠陥が発生しても修正が可能であること
により薄膜トランジスタ基板の歩留りを向上できるとい
う効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の薄膜トランジスタ基板
の平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の薄膜トランジスタ基板
の平面図である。
【図３】従来の薄膜トランジスタ基板の平面図である。
【図４】従来の薄膜トランジスタ基板の他の例の平面図
である。
【符号の説明】
１ ゲート電極 ２ 走査電極配線 ３ ドレイン電極 ４ 信号電極配線 ５，５ａ〜５ｄ 交点 ６ 半導体層 ７ ソース電極 ８，８ａ〜８ｄ 表示電極

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジ
    スタのゲート電極およびドレイン電極にそれぞれ接続す
    る走査電極配線および信号電極配線と、前記薄膜トラン
    ジスタのソース電極に接続する表示電極とを有する薄膜
    トランジスタ基板において、前記走査電極配線と信号電
    極配線との交点部分の前記走査電極配線および信号電極
    配線をそれぞれ２本に分けて４個の交点とし、各交点に
    対応してそれぞれ薄膜トランジスタと表示電極とを設け
    たことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
JP1491992A 1992-01-30 1992-01-30 薄膜トランジスタ基板 Expired - Lifetime JP2814814B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1491992A JP2814814B2 (ja) 1992-01-30 1992-01-30 薄膜トランジスタ基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1491992A JP2814814B2 (ja) 1992-01-30 1992-01-30 薄膜トランジスタ基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05224234A JPH05224234A (ja) 1993-09-03
JP2814814B2 true JP2814814B2 (ja) 1998-10-27

Family

ID=11874376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1491992A Expired - Lifetime JP2814814B2 (ja) 1992-01-30 1992-01-30 薄膜トランジスタ基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2814814B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7585703B2 (en) 2002-11-19 2009-09-08 Ishikawa Seisakusho, Ltd. Pixel control element selection transfer method, pixel control device mounting device used for pixel control element selection transfer method, wiring formation method after pixel control element transfer, and planar display substrate
KR100776503B1 (ko) * 2002-12-02 2007-11-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 화소구조
JP2005164854A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
CN101290408B (zh) 2007-04-17 2010-04-14 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管显示器
JP5125671B2 (ja) * 2008-03-26 2013-01-23 ソニー株式会社 画像表示装置、欠陥検出方法及び短絡事故の修復方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61147285A (ja) * 1984-12-21 1986-07-04 キヤノン株式会社 表示素子の修復方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05224234A (ja) 1993-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6078365A (en) Active matrix liquid crystal panel having an active layer and an intervening layer formed of a common semiconductor film
JP2608596B2 (ja) 多重レベル回路の製造方法および多重レベル回路
EP0200138A2 (en) Thin film transistor, method of repairing the thin film transistor and displaying apparatus having the thin film transistor
US6654074B1 (en) Array substrate for liquid crystal display device with shorting bars external to a data pad and method of manufacturing the same
KR100230666B1 (ko) 액정 디스플레이 장치(Liquid crystal display apparatus)
JP2003307748A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
US5852482A (en) TFT array of liquid crystal display where dataline and source electrode projecting therefrom cross gate lines at only two points and repair method thereof
JP2000310796A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板
JP2596949B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JPH10123563A (ja) 液晶表示装置およびその欠陥修正方法
JPH095786A (ja) Ｔｆｔアレイ基板並びにこれを用いた液晶表示装置およびｔｆｔアレイ基板の製造方法
JP2814814B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板
KR100282681B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
JPH01217423A (ja) 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板
US5466620A (en) Method for fabricating a liquid crystal display device
JP3133676B2 (ja) 液晶表示装置
JP2770813B2 (ja) 液晶表示装置
JPH09101541A (ja) 表示装置用アレイ基板及びその製造方法
JP3253210B2 (ja) 液晶表示素子の製法
KR19990045079A (ko) 액티브 매트릭스형 ｔｆｔ 소자 어레이
KR100293503B1 (ko) 박막트랜지스터형 액정 디스플레이소자 및 그 장치의 리페어방법
JP2000241833A (ja) マトリックス型配線基板
JPH095785A (ja) Ｔｆｔアレイ基板並びにこれを用いた液晶表示装置およびｔｆｔアレイ基板の製造方法
JPH08179340A (ja) 配線付き基板
KR100719916B1 (ko) 라인 오픈 및 층간 쇼트 리페어용 수단이 구비된 박막트랜지스터 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980714

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070814

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100814

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110814

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110814

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 14

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 14

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 14