JP2805027B2 - 導波路型光変調器 - Google Patents
導波路型光変調器Info
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- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
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- G02F1/065—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material in an optical waveguide structure
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学効果を応用する
導波路型光変調器に関し、特に動作速度が速い光変調器
に関するものである。
導波路型光変調器に関し、特に動作速度が速い光変調器
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電気光学効果は、光学媒体に電界を印加
した場合に、この媒体の屈折率が変化する現象であり、
二次の光非線形性に起因する線形電気光学効果(ポッケ
ルス効果)と、三次の光非線形性に起因する二次電気光
学効果(カー効果)とがある。実用的には、二次の非線
形定数の方が三次の非線形定数に比べて数桁も大きいた
め、二次の非線形性を利用した電気光学効果が多く用い
られている。この効果を利用した導波路型光変調器は光
集積回路に組み入れられ、半導体レーザなどの高速外部
変調に応用できるため、動作速度の速い(変調帯域の広
い)光変調器が強く求められている。この種の外部変調
器としては、光強度変調器、光位相変調器等がある。
した場合に、この媒体の屈折率が変化する現象であり、
二次の光非線形性に起因する線形電気光学効果(ポッケ
ルス効果)と、三次の光非線形性に起因する二次電気光
学効果(カー効果)とがある。実用的には、二次の非線
形定数の方が三次の非線形定数に比べて数桁も大きいた
め、二次の非線形性を利用した電気光学効果が多く用い
られている。この効果を利用した導波路型光変調器は光
集積回路に組み入れられ、半導体レーザなどの高速外部
変調に応用できるため、動作速度の速い(変調帯域の広
い)光変調器が強く求められている。この種の外部変調
器としては、光強度変調器、光位相変調器等がある。
【0003】従来の外部変調器の例として、図11にそ
の斜視図を示す無機強誘電性結晶LiNbO3(LN)
を用いた光強度変調器(文献:井筒ら、電子通信学会論
文誌、J64-C巻、4号、264頁、1981年)がある。ここ
で、変調用電極1はAuもしくはCuなどの金属層から
なる進行波電極であり、対称もしくは非対称平面ストリ
ップ線路が使用されている。光導波路部分2は、適当な
方位で切り出されたLN結晶3に、Tiイオンなどを内
部拡散させて屈折率を増加させた部分である。入射光は
入口付近のY分岐で2つのポートに分岐され、片方のポ
ートを伝搬する光は電極1により印加されるマイクロ波
と相互作用して位相変化を起こす。この位相変化を生じ
た光波は他のポートを伝搬してきた(位相変化のない)
光波と出口付近のY分岐で合流し、重ね合わせられた光
波は位相変化に起因する強度変化を引き起こす。
の斜視図を示す無機強誘電性結晶LiNbO3(LN)
を用いた光強度変調器(文献:井筒ら、電子通信学会論
文誌、J64-C巻、4号、264頁、1981年)がある。ここ
で、変調用電極1はAuもしくはCuなどの金属層から
なる進行波電極であり、対称もしくは非対称平面ストリ
ップ線路が使用されている。光導波路部分2は、適当な
方位で切り出されたLN結晶3に、Tiイオンなどを内
部拡散させて屈折率を増加させた部分である。入射光は
入口付近のY分岐で2つのポートに分岐され、片方のポ
ートを伝搬する光は電極1により印加されるマイクロ波
と相互作用して位相変化を起こす。この位相変化を生じ
た光波は他のポートを伝搬してきた(位相変化のない)
光波と出口付近のY分岐で合流し、重ね合わせられた光
波は位相変化に起因する強度変化を引き起こす。
【0004】この光変調器の場合、電極1は進行波電極
として構成されているため、理想的には電気回路的な帯
域幅の制限はない。また、電極1を伝搬するマイクロ波
と光波の伝搬速度が一致する限りは、入射光が光導波路
2を走行する時間の影響による帯域幅の制限もないの
で、一般に高速動作の光変調器に使用される。
として構成されているため、理想的には電気回路的な帯
域幅の制限はない。また、電極1を伝搬するマイクロ波
と光波の伝搬速度が一致する限りは、入射光が光導波路
2を走行する時間の影響による帯域幅の制限もないの
で、一般に高速動作の光変調器に使用される。
【0005】しかし、実際にはマイクロ波と光の速度差
があり、これによって帯域幅が制限される。マイクロ波
と光に対するLN結晶の等価屈折率をそれぞれnm、
no、導波路上の電極の長さをlと表すと、この速度差
によって生じる帯域幅BWは、
があり、これによって帯域幅が制限される。マイクロ波
と光に対するLN結晶の等価屈折率をそれぞれnm、
no、導波路上の電極の長さをlと表すと、この速度差
によって生じる帯域幅BWは、
【0006】 BW=1.4c/(πl|nm−no|) (1) ただし、cは光速
【0007】となる。ここでnoは1.3μm帯で約
2.3であり、nmは近似的に次式で見積ることができ
約4.2である。
2.3であり、nmは近似的に次式で見積ることができ
約4.2である。
【0008】 nm=[(1+εg)/2]1/2 (2) ただし、εgは導波路を構成する結晶の誘電率
【0009】このように従来の光変調器では導波路を構
成する結晶自体の誘電率(約34)が大きいために、マ
イクロ波の等価屈折率が結晶の屈折率を大きく上回り、
マイクロ波と光波の位相速度差による帯域制限を受け
る。また、この速度不整合を改善するには、(1)式か
らわかるように、マイクロ波と光波の相互作用長(電極
長)lを短くする必要がある。しかし、電極長lを短く
すると、駆動電圧が大きくなるため変調効率が低下する
という欠点を有していた。
成する結晶自体の誘電率(約34)が大きいために、マ
イクロ波の等価屈折率が結晶の屈折率を大きく上回り、
マイクロ波と光波の位相速度差による帯域制限を受け
る。また、この速度不整合を改善するには、(1)式か
らわかるように、マイクロ波と光波の相互作用長(電極
長)lを短くする必要がある。しかし、電極長lを短く
すると、駆動電圧が大きくなるため変調効率が低下する
という欠点を有していた。
【0010】これに対し、有機高分子材料からなる非線
形光学材料は、誘電率が無機材料に比べて小さく、上記
の速度不整合の問題を大幅に改善できる見込みがある上
に、薄膜化などの加工性に富み、しかも広い波長域で二
次の非線形光学系数χ(2)が大きいなど、高性能な光変
調器用材料として期待されている。
形光学材料は、誘電率が無機材料に比べて小さく、上記
の速度不整合の問題を大幅に改善できる見込みがある上
に、薄膜化などの加工性に富み、しかも広い波長域で二
次の非線形光学系数χ(2)が大きいなど、高性能な光変
調器用材料として期待されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、光変調
器用材料として有機高分子材料は種々の利点を有する
が、現実には変調効率の向上に有効な単一モード導波路
構造を有し、マイクロ波と光の速度整合が達成されるよ
うに電極構造を最適化した光変調器について、有機高分
子材料を用いた低損失で100GHz以上の広い動作帯
域を示す導波路型光変調器は報告されていない。
器用材料として有機高分子材料は種々の利点を有する
が、現実には変調効率の向上に有効な単一モード導波路
構造を有し、マイクロ波と光の速度整合が達成されるよ
うに電極構造を最適化した光変調器について、有機高分
子材料を用いた低損失で100GHz以上の広い動作帯
域を示す導波路型光変調器は報告されていない。
【0012】本発明はこのような背景の下になされたも
のであり、その目的は現状の光変調器が抱える上記の問
題点を解決し、低損失で高速の光変調器を提供すること
にある。
のであり、その目的は現状の光変調器が抱える上記の問
題点を解決し、低損失で高速の光変調器を提供すること
にある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明による導波路型光変調器は、酸化シリコン膜
を上部に形成したシリコン基板上に、金属からなる下部
接地電極を配し、この上に二次光非線形感受率の大きな
物質が溶解している、もしくは結合している高分子を分
極処理した材料からなるチャネル導波路層と、この導波
路層の左右および上下に、導波路層よりも低屈折率なク
ラッド層を配し、該上部クラッド層の上に金属からなる
マイクロストリップ電極を配した構造をとる光変調器に
おいて、該導波路層の膜厚を4〜6μm、該導波路と上
下のクラッド層を併せた膜厚を10〜25μmとし、該
導波路層とそれに接するクラッド層の比屈折率差を0.
4%〜1.0%とし、下部クラッド層の下部接地電極に
接する部分および上部クラッド層のマイクロストリップ
電極に接する部分に、下部クラッド層および上部クラッ
ド層よりも屈折率が小さく、該クラッド層との比屈折率
差が2%以上である境界層を有し、上部のマイクロスト
リップ電極の幅を該導波路層と上下のクラッド層を併せ
た膜厚の約2倍にすることを特徴とする。
め、本発明による導波路型光変調器は、酸化シリコン膜
を上部に形成したシリコン基板上に、金属からなる下部
接地電極を配し、この上に二次光非線形感受率の大きな
物質が溶解している、もしくは結合している高分子を分
極処理した材料からなるチャネル導波路層と、この導波
路層の左右および上下に、導波路層よりも低屈折率なク
ラッド層を配し、該上部クラッド層の上に金属からなる
マイクロストリップ電極を配した構造をとる光変調器に
おいて、該導波路層の膜厚を4〜6μm、該導波路と上
下のクラッド層を併せた膜厚を10〜25μmとし、該
導波路層とそれに接するクラッド層の比屈折率差を0.
4%〜1.0%とし、下部クラッド層の下部接地電極に
接する部分および上部クラッド層のマイクロストリップ
電極に接する部分に、下部クラッド層および上部クラッ
ド層よりも屈折率が小さく、該クラッド層との比屈折率
差が2%以上である境界層を有し、上部のマイクロスト
リップ電極の幅を該導波路層と上下のクラッド層を併せ
た膜厚の約2倍にすることを特徴とする。
【0014】さらに、本発明は酸化シリコン膜を上部に
形成したシリコン基板上に、金属からなる下部接地電極
を配し、この上に二次光非線形感受率の大きな物質が溶
解している、もしくは結合している高分子を分極処理し
た材料からなるチャネル導波路層と、この導波路層の左
右および上下に、導波路層よりも低屈折率なクラッド層
を配し、該上部クラッド層の上に金属からなるマイクロ
ストリップ電極を配した構造をとる導波路型光変調器に
おいて、該導波路の膜厚を2μm以下、該導波路層と上
下のクラッド層を併せた膜厚を10μm以下とし、該導
波路層と左右のクラッド層の比屈折率差を0.2%〜
0.5%、該導波路層と上下のクラッド層の比屈折率差
を2%以上とし、上部のマイクロストリップ電極の幅を
該導波路層と上下のクラッド層を併せた膜厚の約2倍に
することを特徴とする。
形成したシリコン基板上に、金属からなる下部接地電極
を配し、この上に二次光非線形感受率の大きな物質が溶
解している、もしくは結合している高分子を分極処理し
た材料からなるチャネル導波路層と、この導波路層の左
右および上下に、導波路層よりも低屈折率なクラッド層
を配し、該上部クラッド層の上に金属からなるマイクロ
ストリップ電極を配した構造をとる導波路型光変調器に
おいて、該導波路の膜厚を2μm以下、該導波路層と上
下のクラッド層を併せた膜厚を10μm以下とし、該導
波路層と左右のクラッド層の比屈折率差を0.2%〜
0.5%、該導波路層と上下のクラッド層の比屈折率差
を2%以上とし、上部のマイクロストリップ電極の幅を
該導波路層と上下のクラッド層を併せた膜厚の約2倍に
することを特徴とする。
【0015】本発明においては、最上部に金属からなる
マイクロストリップ電極を配した構造をとる光変調器に
おいて、一次電気光学効果を示す有機高分子材料をコア
層材料に用い、周囲のクラッド層材料との比屈折率差を
最適化して単一モード導波路とし、かつ、上下の電極間
隔を狭くして低電圧で駆動させることを特徴とする。さ
らに、最上部のマイクロストリップ電極の幅と、同軸ケ
ーブルからマイクロストリップ電極への接続部(フィー
ルドスルー部)の構成を最適化して広帯域で変調動作を
行なうことを特徴とする。
マイクロストリップ電極を配した構造をとる光変調器に
おいて、一次電気光学効果を示す有機高分子材料をコア
層材料に用い、周囲のクラッド層材料との比屈折率差を
最適化して単一モード導波路とし、かつ、上下の電極間
隔を狭くして低電圧で駆動させることを特徴とする。さ
らに、最上部のマイクロストリップ電極の幅と、同軸ケ
ーブルからマイクロストリップ電極への接続部(フィー
ルドスルー部)の構成を最適化して広帯域で変調動作を
行なうことを特徴とする。
【0016】従来の技術とは、大きな一次電気光学効果
を示す有機高分子材料からなり、変調効率の向上に有効
な単一モード導波路構造を有している点と、マイクロ波
と光の速度整合が達成されるようにマイクロストリップ
電極構造を最適化した点が異なる。
を示す有機高分子材料からなり、変調効率の向上に有効
な単一モード導波路構造を有している点と、マイクロ波
と光の速度整合が達成されるようにマイクロストリップ
電極構造を最適化した点が異なる。
【0017】
【作用】本発明のマイクロストリップ電極を配した構造
をとる光変調器では、図11に記載したような従来の対
称もしくは非対称のコブラナー電極を有する光変調器に
比べて、変調用電気信号の電界と導波光との重なりが大
きいため、駆動電圧の低減化が容易である。また、本発
明の光変調器では、一次電気光学効果を示す有機高分子
材料をコア層材料に用い、周囲のクラッド層材料との比
屈折率差を最適化して単一モード導波路としている。こ
のため上下の電極間隔を狭くしても、電極を構成する金
属による光損失を実用上問題にならない範囲に抑えるこ
とが可能となり、本発明の目的である低電圧駆動を行な
うことができるようになる。
をとる光変調器では、図11に記載したような従来の対
称もしくは非対称のコブラナー電極を有する光変調器に
比べて、変調用電気信号の電界と導波光との重なりが大
きいため、駆動電圧の低減化が容易である。また、本発
明の光変調器では、一次電気光学効果を示す有機高分子
材料をコア層材料に用い、周囲のクラッド層材料との比
屈折率差を最適化して単一モード導波路としている。こ
のため上下の電極間隔を狭くしても、電極を構成する金
属による光損失を実用上問題にならない範囲に抑えるこ
とが可能となり、本発明の目的である低電圧駆動を行な
うことができるようになる。
【0018】本発明の一つの光変調器では、該有機高分
子からなる導波路の膜厚を、細径(5μm径)偏波保持
ファイバとのモードマッチングが最適となる4〜6μm
とし、該導波路と上下のクラッド層を併せた膜厚を、駆
動電圧を低減するために10〜25μmに抑えている。
図1は単一モード条件を満たす方形光導波路の寸法d
と、導波路とそれに接するクラッド層の比屈折率差Δn
との関係を、等価屈折率法で計算した結果である。図1
からわかるように、導波路の膜厚が4〜6μmの場合に
は、Δnを0.4%〜1.0%とすれば1.3μmおよ
び1.55μmにおいて単一モード導波路となる。一
方、電極による光損失増加を防ぐには、下部クラッド層
の下部接地電極に接する部分および上部クラッド層のマ
イクロストリップ電極に接する部分に、下部クラッド層
および上部クラッド層よりも屈折率が小さく、該クラッ
ド層との比屈折率差が大きな境界層を設ければよい。詳
細な電磁界解析の結果、この比屈折率差を2%以上にす
れば金属電極による伝搬損失を0.1dB/cm以下に
抑えることができることがわかった。
子からなる導波路の膜厚を、細径(5μm径)偏波保持
ファイバとのモードマッチングが最適となる4〜6μm
とし、該導波路と上下のクラッド層を併せた膜厚を、駆
動電圧を低減するために10〜25μmに抑えている。
図1は単一モード条件を満たす方形光導波路の寸法d
と、導波路とそれに接するクラッド層の比屈折率差Δn
との関係を、等価屈折率法で計算した結果である。図1
からわかるように、導波路の膜厚が4〜6μmの場合に
は、Δnを0.4%〜1.0%とすれば1.3μmおよ
び1.55μmにおいて単一モード導波路となる。一
方、電極による光損失増加を防ぐには、下部クラッド層
の下部接地電極に接する部分および上部クラッド層のマ
イクロストリップ電極に接する部分に、下部クラッド層
および上部クラッド層よりも屈折率が小さく、該クラッ
ド層との比屈折率差が大きな境界層を設ければよい。詳
細な電磁界解析の結果、この比屈折率差を2%以上にす
れば金属電極による伝搬損失を0.1dB/cm以下に
抑えることができることがわかった。
【0019】また、本発明のもう一つの光変調器では、
該有機高分子からなる導波路の膜厚を2μm以下、該導
波路と上下のクラッド層を併せた膜厚を10μm以下と
する。図2は単一モード条件を満たす方形光導波路の寸
法wおよびdと、導波路とそれに接する上下クラッド層
の比屈折率差Δn2との関係を、等価屈折率法で計算し
た結果である。ここで、Δn3は該導波路とそれに接す
る左右クラッド層の比屈折率差である。図からわかるよ
うに、導波路の膜厚を2μm以下、該導波路と上下のク
ラッド層を併せた膜厚を10μm以下とする場合には、
該導波路と左右のクラッド層の比屈折率Δn3を0.5
%以下、該導波路と上下のクラッド層の比屈折率差Δn
2を2%以上とすれば、導波路幅wが細径(5μm径)
偏波保持ファイバとのモードマッチングが最適となる4
〜6μmで、単一モード導波路となる。
該有機高分子からなる導波路の膜厚を2μm以下、該導
波路と上下のクラッド層を併せた膜厚を10μm以下と
する。図2は単一モード条件を満たす方形光導波路の寸
法wおよびdと、導波路とそれに接する上下クラッド層
の比屈折率差Δn2との関係を、等価屈折率法で計算し
た結果である。ここで、Δn3は該導波路とそれに接す
る左右クラッド層の比屈折率差である。図からわかるよ
うに、導波路の膜厚を2μm以下、該導波路と上下のク
ラッド層を併せた膜厚を10μm以下とする場合には、
該導波路と左右のクラッド層の比屈折率Δn3を0.5
%以下、該導波路と上下のクラッド層の比屈折率差Δn
2を2%以上とすれば、導波路幅wが細径(5μm径)
偏波保持ファイバとのモードマッチングが最適となる4
〜6μmで、単一モード導波路となる。
【0020】本発明の光変調器では導波路を構成する有
機高分子自体の誘電率(約3.6)が小さいために、マ
イクロ波の等価屈折率が有機高分子の屈折率とほぼ等し
くなり、マイクロ波と光波の位相速度差による帯域制限
を受けない。このため、マイクロ波と光波の相互作用長
(電極長)lを短くする必要がない。
機高分子自体の誘電率(約3.6)が小さいために、マ
イクロ波の等価屈折率が有機高分子の屈折率とほぼ等し
くなり、マイクロ波と光波の位相速度差による帯域制限
を受けない。このため、マイクロ波と光波の相互作用長
(電極長)lを短くする必要がない。
【0021】さらに、本発明の光変調器では最上部のマ
イクロストリップ電極の幅と、同軸ケーブルからマイク
ロストリップ電極への接続部(フィールドスルー部)の
構成を最適化して、同軸ケーブルのインピーダンス整合
がとれているために、広い周波数帯域のマイクロ波を変
調用電気信号として使用可能となり、本発明の目的であ
る広帯域での変調動作を行なうことができるようにな
る。図3はマイクロストリップ電極の特性インピーダン
スZ0と、マイクロストリップ電極幅と電極間距離(導
波路とクラッド層を併せた膜厚)の比の関係を計算した
結果である。図よりわかるように、マイクロストリップ
電極の幅を該導波路とクラッド層を併せた膜厚の約2倍
にとれば、同軸ケーブル(特性インピーダンス50Ω)
とのインピーダンス整合がとれる。図4はフィールドス
ルー部の特性インピーダンスZ0と、下部接地電極のギ
ャップと上部電極幅の比との関係を計算した結果であ
る。図よりわかるように、上部電極の真下の下部接地電
極に、上部電極幅の約1.65〜1.70倍の大きさの
ギャップをあければ、特性インピーダンスが50Ωとな
り、同軸ケーブルやマイクロストリップ電極とのインピ
ーダンス整合がとれる。
イクロストリップ電極の幅と、同軸ケーブルからマイク
ロストリップ電極への接続部(フィールドスルー部)の
構成を最適化して、同軸ケーブルのインピーダンス整合
がとれているために、広い周波数帯域のマイクロ波を変
調用電気信号として使用可能となり、本発明の目的であ
る広帯域での変調動作を行なうことができるようにな
る。図3はマイクロストリップ電極の特性インピーダン
スZ0と、マイクロストリップ電極幅と電極間距離(導
波路とクラッド層を併せた膜厚)の比の関係を計算した
結果である。図よりわかるように、マイクロストリップ
電極の幅を該導波路とクラッド層を併せた膜厚の約2倍
にとれば、同軸ケーブル(特性インピーダンス50Ω)
とのインピーダンス整合がとれる。図4はフィールドス
ルー部の特性インピーダンスZ0と、下部接地電極のギ
ャップと上部電極幅の比との関係を計算した結果であ
る。図よりわかるように、上部電極の真下の下部接地電
極に、上部電極幅の約1.65〜1.70倍の大きさの
ギャップをあければ、特性インピーダンスが50Ωとな
り、同軸ケーブルやマイクロストリップ電極とのインピ
ーダンス整合がとれる。
【0022】本発明に用いる二次光非線形感受率の大き
な物質が溶解している、もしくは結合している高分子材
料としては、低損失化が容易で加工の自由度が大きいと
いう理由から、ポリメチルメタクリレート(PMMA)
を代表とするアクリル酸エステル系樹脂、ポリスチレン
系樹脂、これらの樹脂の重水素置換体、あるいは特願平
3−269728号に記載されているようなフッ素原子
を含有する樹脂に、特願平3−184080号もしくは
特願平4−20074号に記載されているようなスチル
ベン化合物、アゾ化合物あるいはアゾメチン化合物から
なる有機色素化合物を高分子中に分散、もしくは高分子
の側鎖に結合させた材料を用いることができる。
な物質が溶解している、もしくは結合している高分子材
料としては、低損失化が容易で加工の自由度が大きいと
いう理由から、ポリメチルメタクリレート(PMMA)
を代表とするアクリル酸エステル系樹脂、ポリスチレン
系樹脂、これらの樹脂の重水素置換体、あるいは特願平
3−269728号に記載されているようなフッ素原子
を含有する樹脂に、特願平3−184080号もしくは
特願平4−20074号に記載されているようなスチル
ベン化合物、アゾ化合物あるいはアゾメチン化合物から
なる有機色素化合物を高分子中に分散、もしくは高分子
の側鎖に結合させた材料を用いることができる。
【0023】本発明の光変調器において、導波路の上下
のクラッド層および電極近傍の境界層に使用される材料
としては、コア層を構成する上記のような有機高分子材
料よりも屈折率の小さいものであれば特に限定するもの
でないが、例えばエポキシ系あるいはアクリル系の紫外
線硬化樹脂を挙げることができる。
のクラッド層および電極近傍の境界層に使用される材料
としては、コア層を構成する上記のような有機高分子材
料よりも屈折率の小さいものであれば特に限定するもの
でないが、例えばエポキシ系あるいはアクリル系の紫外
線硬化樹脂を挙げることができる。
【0024】本発明の光変調器に使用される上記の有機
高分子に分極処理を施す場合には、光変調器を一対の電
極間に挟み込み、該有機高分子のガラス転移温度(約1
00〜150℃)以上に加熱し、電極間に高電圧を印加
して、該有機高分子の電場配向を行なう。その後、高電
圧を印加したまま徐々に冷却して配向を凍結させる。こ
のようにすることにより、導波路のコア部に一次電気光
学効果を付与、発現させることができる。
高分子に分極処理を施す場合には、光変調器を一対の電
極間に挟み込み、該有機高分子のガラス転移温度(約1
00〜150℃)以上に加熱し、電極間に高電圧を印加
して、該有機高分子の電場配向を行なう。その後、高電
圧を印加したまま徐々に冷却して配向を凍結させる。こ
のようにすることにより、導波路のコア部に一次電気光
学効果を付与、発現させることができる。
【0025】次に実施例に従い、本発明の導波路型光変
調器を具体的に説明する。
調器を具体的に説明する。
【0026】
【実施例1】図5は本発明の導波路型光強度変調器の断
面図である。図5に示すように、酸化シリコン膜5を熱
酸化法で形成したシリコン基板4上に、金からなる下部
接地電極6をメッキ法で該酸化シリコン膜5上に形成し
た後、低屈折率のエポキシ系紫外線硬化樹脂を2μm厚
に塗布して境界層7を形成し、さらにその上にエピキシ
系紫外線硬化樹脂を4μm厚に塗布して、下部クラッド
層8を形成した。このとき、2つの紫外線硬化樹脂の屈
折率を調整して、下部クラッド層8と境界層7との比屈
折率差が2%になるようにした。この上に化1の有機高
分子をスピンコート法により5μm厚に塗布した後、マ
ッハツェンダー干渉計型の導波路パターンマスクを用い
て、特願平3−254352号に記載の手法により、5
×5μmの寸法を有するチャネル導波路層9を形成し
た。次に、この上にエポキシ系紫外線硬化樹脂をチャネ
ル導波路より4μm厚になるように塗布して上部クラッ
ド層10を形成し、さらにその上に低屈折率のエポキシ
系紫外線硬化樹脂を2μm厚に塗布して境界層11を形
成した。ここで、上下のクラッド層8および10に用い
たエポキシ系紫外線硬化樹脂は、チャネル導波路層9と
の比屈折率差が0.6%のものを用いた。さらに、該境
界層11の上に、マッハツェンダー干渉計型チャネル導
波路9の一方のアームの上に重なるように、金からなる
幅33μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極1
2をメッキ法で形成した。チャネル導波路と重なったマ
イクロストリップ電極12の長さは15mmとした。
面図である。図5に示すように、酸化シリコン膜5を熱
酸化法で形成したシリコン基板4上に、金からなる下部
接地電極6をメッキ法で該酸化シリコン膜5上に形成し
た後、低屈折率のエポキシ系紫外線硬化樹脂を2μm厚
に塗布して境界層7を形成し、さらにその上にエピキシ
系紫外線硬化樹脂を4μm厚に塗布して、下部クラッド
層8を形成した。このとき、2つの紫外線硬化樹脂の屈
折率を調整して、下部クラッド層8と境界層7との比屈
折率差が2%になるようにした。この上に化1の有機高
分子をスピンコート法により5μm厚に塗布した後、マ
ッハツェンダー干渉計型の導波路パターンマスクを用い
て、特願平3−254352号に記載の手法により、5
×5μmの寸法を有するチャネル導波路層9を形成し
た。次に、この上にエポキシ系紫外線硬化樹脂をチャネ
ル導波路より4μm厚になるように塗布して上部クラッ
ド層10を形成し、さらにその上に低屈折率のエポキシ
系紫外線硬化樹脂を2μm厚に塗布して境界層11を形
成した。ここで、上下のクラッド層8および10に用い
たエポキシ系紫外線硬化樹脂は、チャネル導波路層9と
の比屈折率差が0.6%のものを用いた。さらに、該境
界層11の上に、マッハツェンダー干渉計型チャネル導
波路9の一方のアームの上に重なるように、金からなる
幅33μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極1
2をメッキ法で形成した。チャネル導波路と重なったマ
イクロストリップ電極12の長さは15mmとした。
【0027】図6は本発明の導波路型光変調器のフィー
ルドスルー部の断面図である。図6に示すように、フィ
ールドスルー部は、シリコン基板4上に熱酸化法で形成
した酸化シリコン膜5の上に、金からなる下部接地電極
6と、低屈折率のエポキシ系紫外線硬化樹脂(2μm
厚)からなる境界層7と、エポキシ系紫外線硬化樹脂
(4μm厚)からなるクラッド層13と、低屈折率のエ
ポキシ系紫外線硬化樹脂(2μm厚)からなる境界層1
1と、この上にメッキ法で形成した、金からなる最大幅
300μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極1
4から構成されており、該マイクロストリップ電極14
の真下の下部接地電極6に、該マイクロストリップ電極
幅の約1.68倍の大きさのギャップをあけた構造を採
用した。該マイクロストリップ電極14の幅は光変調器
の中心に向かって徐々に減少し、最終的に図5のマイク
ロストリップ電極12と同じ幅33μmになり、この地
点で下部接地電極6のギャップは不連続的に0μmとし
た。
ルドスルー部の断面図である。図6に示すように、フィ
ールドスルー部は、シリコン基板4上に熱酸化法で形成
した酸化シリコン膜5の上に、金からなる下部接地電極
6と、低屈折率のエポキシ系紫外線硬化樹脂(2μm
厚)からなる境界層7と、エポキシ系紫外線硬化樹脂
(4μm厚)からなるクラッド層13と、低屈折率のエ
ポキシ系紫外線硬化樹脂(2μm厚)からなる境界層1
1と、この上にメッキ法で形成した、金からなる最大幅
300μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極1
4から構成されており、該マイクロストリップ電極14
の真下の下部接地電極6に、該マイクロストリップ電極
幅の約1.68倍の大きさのギャップをあけた構造を採
用した。該マイクロストリップ電極14の幅は光変調器
の中心に向かって徐々に減少し、最終的に図5のマイク
ロストリップ電極12と同じ幅33μmになり、この地
点で下部接地電極6のギャップは不連続的に0μmとし
た。
【0028】この導波路型光変調器に平行平板電極によ
る分極処理を施した後、波長1.55μmのレーザ光を
端面より入射して出射光の近視野像を測定したところ、
単一モードのみが伝搬していることが確認できた。さら
に、フィールドスルー部から同軸ケーブルを介してマイ
クロ波を入力したところ、約4Vの駆動電圧で100G
Hzまで光変調ができることがわかった。
る分極処理を施した後、波長1.55μmのレーザ光を
端面より入射して出射光の近視野像を測定したところ、
単一モードのみが伝搬していることが確認できた。さら
に、フィールドスルー部から同軸ケーブルを介してマイ
クロ波を入力したところ、約4Vの駆動電圧で100G
Hzまで光変調ができることがわかった。
【0029】
【化1】
【0030】
【実施例2】図7は本発明の導波路型光強度変調器の断
面図である。図7に示すように、酸化シリコン膜16を
熱酸化法で形成したシリコン基板15上に、金からなる
下部接地電極17をメッキ法で該酸化シリコン膜16上
に形成した後、エポキシ系紫外線硬化樹脂を4μm厚に
塗布して、下部クラッド層18を形成した。この上に化
2の有機高分子をスピンコート法により2μm厚に塗布
した後、マッハツェンダー干渉計型の導波路パターンマ
スクを用いて、特願平3−254352号に記載の手法
により、2×5μmの寸法を有するチャネル導波路層1
9を形成した。次に、この上にエポキシ系紫外線硬化樹
脂を厚めに塗布した後、反応性イオンエッチングにより
導波路層と同じ高さまでエッチングし、導波路の左右の
クラッド層20とを形成した。ここで、左右のクラッド
層20に用いたエポキシ系紫外線硬化樹脂は、チャネル
導波路層19との比屈折率差が0.3%のものを用い
た。さらに、この上にエポキシ系紫外線硬化樹脂を4μ
m厚に塗布して上部クラッド層21を形成した。ここ
で、上下のクラッド層18および21に用いたエポキシ
系紫外線硬化樹脂は、チャネル導波路層19との比屈折
率差が2%のものを用いた。さらに、該上部クラッド層
21の上に、マッハツェンダー干渉計型チャネル導波路
19の一方のアームの上に重なるように、金からなる幅
17μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極22
をメッキ法で形成した。チャネル導波路と重なったマイ
クロストリップ電極22の長さは15mmとした。
面図である。図7に示すように、酸化シリコン膜16を
熱酸化法で形成したシリコン基板15上に、金からなる
下部接地電極17をメッキ法で該酸化シリコン膜16上
に形成した後、エポキシ系紫外線硬化樹脂を4μm厚に
塗布して、下部クラッド層18を形成した。この上に化
2の有機高分子をスピンコート法により2μm厚に塗布
した後、マッハツェンダー干渉計型の導波路パターンマ
スクを用いて、特願平3−254352号に記載の手法
により、2×5μmの寸法を有するチャネル導波路層1
9を形成した。次に、この上にエポキシ系紫外線硬化樹
脂を厚めに塗布した後、反応性イオンエッチングにより
導波路層と同じ高さまでエッチングし、導波路の左右の
クラッド層20とを形成した。ここで、左右のクラッド
層20に用いたエポキシ系紫外線硬化樹脂は、チャネル
導波路層19との比屈折率差が0.3%のものを用い
た。さらに、この上にエポキシ系紫外線硬化樹脂を4μ
m厚に塗布して上部クラッド層21を形成した。ここ
で、上下のクラッド層18および21に用いたエポキシ
系紫外線硬化樹脂は、チャネル導波路層19との比屈折
率差が2%のものを用いた。さらに、該上部クラッド層
21の上に、マッハツェンダー干渉計型チャネル導波路
19の一方のアームの上に重なるように、金からなる幅
17μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極22
をメッキ法で形成した。チャネル導波路と重なったマイ
クロストリップ電極22の長さは15mmとした。
【0031】図8は本発明の導波路型光変調器のフィー
ルドスルー部の断面図である。図8に示すように、フィ
ールドスルー部は、シリコン基板15上に熱酸化法で形
成した酸化シリコン膜16の上に、金からなる下部接地
電極17と、エポキシ系紫外線硬化樹脂(4μm厚)か
らなる下部クラッド層18と、化2の有機高分子に屈折
率を近付けたエポキシ系紫外線硬化樹脂(2μm厚)か
らなるクラッド層20と、エポキシ系紫外線硬化樹脂
(4μm厚)からなる上部クラッド層21と、この上に
メッキ法で形成した、金からなる最大幅300μm、厚
さ10μmのマイクロストリップ電極23から構成され
ており、該マイクロストリップ電極23の真下の下部接
地電極17に、該マイクロストリップ電極幅の約1.6
8倍の大きさのギャップをあけた構造を採用した。該マ
イクロストリップ電極23の幅は光変調器の中心に向か
って徐々に減少し、最終的に図8のマイクロストリップ
電極22と同じ幅17μmになり、この地点で下部接地
電極17のギャップは不連続的に0μmとした。
ルドスルー部の断面図である。図8に示すように、フィ
ールドスルー部は、シリコン基板15上に熱酸化法で形
成した酸化シリコン膜16の上に、金からなる下部接地
電極17と、エポキシ系紫外線硬化樹脂(4μm厚)か
らなる下部クラッド層18と、化2の有機高分子に屈折
率を近付けたエポキシ系紫外線硬化樹脂(2μm厚)か
らなるクラッド層20と、エポキシ系紫外線硬化樹脂
(4μm厚)からなる上部クラッド層21と、この上に
メッキ法で形成した、金からなる最大幅300μm、厚
さ10μmのマイクロストリップ電極23から構成され
ており、該マイクロストリップ電極23の真下の下部接
地電極17に、該マイクロストリップ電極幅の約1.6
8倍の大きさのギャップをあけた構造を採用した。該マ
イクロストリップ電極23の幅は光変調器の中心に向か
って徐々に減少し、最終的に図8のマイクロストリップ
電極22と同じ幅17μmになり、この地点で下部接地
電極17のギャップは不連続的に0μmとした。
【0032】この導波路型光変調器に平行平板電極によ
る分極処理を施した後、波長1.55μmのレーザ光を
端面より入射して出射光の近視野像を測定したところ、
単一モードのみが伝搬していることが確認できた。さら
に、フィールドスルー部から同軸ケーブルを介してマイ
クロ波を入力したところ、約2Vの駆動電圧で100G
Hzまで光変調ができることがわかった。
る分極処理を施した後、波長1.55μmのレーザ光を
端面より入射して出射光の近視野像を測定したところ、
単一モードのみが伝搬していることが確認できた。さら
に、フィールドスルー部から同軸ケーブルを介してマイ
クロ波を入力したところ、約2Vの駆動電圧で100G
Hzまで光変調ができることがわかった。
【0033】
【化2】
【0034】
【実施例3】図9は本発明の導波路型光位相変調器の断
面図である。図9に示すように、酸化シリコン膜25を
熱酸化法で形成したシリコン基板24上に、金からなる
下部接地電極26をメッキ法で該酸化シリコン膜25上
に形成した後、エポキシ系紫外線硬化樹脂を4μm厚に
塗布して、下部クラッド層27を形成した。この上に化
3の有機高分子をスピンコート法により2μm厚に塗布
した後、直線導波路パターンマスクを上から重ねて紫外
線で露光し、2×5μmの寸法を有するチャネル導波路
層28と、この導波路層の左右のクラッド層29とを形
成した。このとき、紫外線の露光量を調整して、チャネ
ル導波路層28と左右のクラッド層29との比屈折率差
が、0.2%〜0.5%になるようにした。次に、この
上にエポキシ系紫外線硬化樹脂を4μm厚に塗布して上
部クラッド層30を形成した。ここで、上下のクラッド
層27および30に用いたエポキシ系紫外線硬化樹脂
は、チャネル導波路層28との比屈折率差が2%のもの
を用いた。さらに、該上部クラッド層30の上に、チャ
ネル導波路28の上に重なるように、金からなる幅17
μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極31をメ
ッキ法で形成した。チャネル導波路と重なったマイクロ
ストリップ電極31の長さは15mmとした。
面図である。図9に示すように、酸化シリコン膜25を
熱酸化法で形成したシリコン基板24上に、金からなる
下部接地電極26をメッキ法で該酸化シリコン膜25上
に形成した後、エポキシ系紫外線硬化樹脂を4μm厚に
塗布して、下部クラッド層27を形成した。この上に化
3の有機高分子をスピンコート法により2μm厚に塗布
した後、直線導波路パターンマスクを上から重ねて紫外
線で露光し、2×5μmの寸法を有するチャネル導波路
層28と、この導波路層の左右のクラッド層29とを形
成した。このとき、紫外線の露光量を調整して、チャネ
ル導波路層28と左右のクラッド層29との比屈折率差
が、0.2%〜0.5%になるようにした。次に、この
上にエポキシ系紫外線硬化樹脂を4μm厚に塗布して上
部クラッド層30を形成した。ここで、上下のクラッド
層27および30に用いたエポキシ系紫外線硬化樹脂
は、チャネル導波路層28との比屈折率差が2%のもの
を用いた。さらに、該上部クラッド層30の上に、チャ
ネル導波路28の上に重なるように、金からなる幅17
μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極31をメ
ッキ法で形成した。チャネル導波路と重なったマイクロ
ストリップ電極31の長さは15mmとした。
【0035】図10は本発明の導波路型光変調器のフィ
ールドスルー部の断面図である。図10に示すように、
フィールドスルー部は、シリコン基板24上に熱酸化法
で形成した酸化シリコン膜25の上に、金からなる下部
接地電極26と、エポキシ系紫外線硬化樹脂(4μm
厚)からなる下部クラッド層27と、化3の有機高分子
(2μm厚)からなるクラッド層29と、エポキシ系紫
外線硬化樹脂(4μm厚)からなる上部クラッド層30
と、この上にメッキ法で形成した。金からなる最大幅3
00μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極32
から構成されており、該マイクロストリップ電極32の
真下の下部接地電極26に、該マイクロストリップ電極
幅の約1.68倍の大きさのギャップをあけた構造を採
用した。該マイクロストリップ電極32の幅は光変調器
の中心に向かって徐々に減少し、最終的に図10のマイ
クロストリップ電極31と同じ幅17μmになり、この
地点で下部接地電極26のギャップは不連続的に0μm
とした。
ールドスルー部の断面図である。図10に示すように、
フィールドスルー部は、シリコン基板24上に熱酸化法
で形成した酸化シリコン膜25の上に、金からなる下部
接地電極26と、エポキシ系紫外線硬化樹脂(4μm
厚)からなる下部クラッド層27と、化3の有機高分子
(2μm厚)からなるクラッド層29と、エポキシ系紫
外線硬化樹脂(4μm厚)からなる上部クラッド層30
と、この上にメッキ法で形成した。金からなる最大幅3
00μm、厚さ10μmのマイクロストリップ電極32
から構成されており、該マイクロストリップ電極32の
真下の下部接地電極26に、該マイクロストリップ電極
幅の約1.68倍の大きさのギャップをあけた構造を採
用した。該マイクロストリップ電極32の幅は光変調器
の中心に向かって徐々に減少し、最終的に図10のマイ
クロストリップ電極31と同じ幅17μmになり、この
地点で下部接地電極26のギャップは不連続的に0μm
とした。
【0036】この導波路型光変調器に平行平板電極によ
る分極処理を施した後、波長1.55μmのレーザ光を
端面より入射して出射光の近視野像を測定したところ、
単一モードのみが伝搬していることが確認できた。さら
に、フィールドスルー部から同軸ケーブルを介してマイ
クロ波を入力したところ、約3Vの駆動電圧で120G
Hzまで光変調ができることがわかった。
る分極処理を施した後、波長1.55μmのレーザ光を
端面より入射して出射光の近視野像を測定したところ、
単一モードのみが伝搬していることが確認できた。さら
に、フィールドスルー部から同軸ケーブルを介してマイ
クロ波を入力したところ、約3Vの駆動電圧で120G
Hzまで光変調ができることがわかった。
【0037】
【化3】
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による導波
路型光変調器は、一次電気光学効果が大きな有機高分子
材料をコア層材料に用い、周囲のクラッド層材料との比
屈折率差を最適化して単一モード導波路とし、かつ低電
圧駆動が可能なように上下の電極間隔を狭くしている。
さらに、最上部のマイクロストリップ電極の幅と、同軸
ケーブルからマイクロストリップ電極への接続部(フィ
ールドスルー部)の構成を最適化しているために、極め
て広い帯域で変調動作を実現できる。
路型光変調器は、一次電気光学効果が大きな有機高分子
材料をコア層材料に用い、周囲のクラッド層材料との比
屈折率差を最適化して単一モード導波路とし、かつ低電
圧駆動が可能なように上下の電極間隔を狭くしている。
さらに、最上部のマイクロストリップ電極の幅と、同軸
ケーブルからマイクロストリップ電極への接続部(フィ
ールドスルー部)の構成を最適化しているために、極め
て広い帯域で変調動作を実現できる。
【図1】本発明による導波路型光変調器の単一モード条
件を与える導波路パラメータ特性図。
件を与える導波路パラメータ特性図。
【図2】本発明による導波路型光変調器の単一モード条
件を与える導波路パラメータ特性図。
件を与える導波路パラメータ特性図。
【図3】本発明による導波路型光変調器のマイクロスト
リップ電極部のインピーダンス特性図。
リップ電極部のインピーダンス特性図。
【図4】本発明による導波路型光変調器のフィールドス
ルー部のインピーダンス特性図。
ルー部のインピーダンス特性図。
【図5】本発明による導波路型光変調器の構成を示す断
面図。
面図。
【図6】本発明による導波路型光変調器のフィールドス
ルーの構成を示す断面図。
ルーの構成を示す断面図。
【図7】本発明による導波路型光変調器の構成を示す断
面図。
面図。
【図8】本発明による導波路型光変調器のフィールドス
ルーの構成を示す断面図。
ルーの構成を示す断面図。
【図9】本発明による導波路型光位相変調器の構成を示
す断面図。
す断面図。
【図10】本発明による導波路型光変調器のフィールド
スルーの構成を示す断面図。
スルーの構成を示す断面図。
【図11】従来の導波路型光強度変調器の斜視図。
1 変調用電極 2 光導波路部 3 LN結晶 4 シリコン基板 5 酸化シリコン膜 6 下部接地電極 7 境界層 8 下部クラッド層 9 チャネル導波路層 10 上部クラッド層 11 境界層 12 マイクロストリップ電極 13 クラッド層 14 マイクロストリップ電極 15 シリコン基板 16 酸化シリコン膜 17 下部接地電極 18 下部クラッド層 19 チャネル導波路層 20 クラッド層 21 上部クラッド層 22 マイクロストリップ電極 23 マイクロストリップ電極 24 シリコン基板 25 酸化シリコン膜 26 下部接地電極 27 下部クラッド層 28 チャネル導波路層 29 クラッド層 30 上部クラッド層 31 マイクロストリップ電極 32 マイクロストリップ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小沢口 治樹 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−43506(JP,A) 特開 平4−60510(JP,A) 特開 平2−306216(JP,A) Appl.Phys.Lett.,V ol.52 No.13 pp.1031−1033 (28 March 1988) NTT R&D 平成4年3月号 p p.327−334(平成4年3月10日発行) 1992年春季第39回応用物理学関係連合 講演会予稿集 第0分冊 p.1266 (1992年3月28日発行) IEEE Photonics Te chnology Letters,V ol.3 No.11 pp.1003−1006 (November 1991) 非線形光学のための有機材料[季刊 化学総説 No.15]日本化学会編 (1992年7月25日) Proceedings SPIE Vol.1337,Nonlinear O ptical Properties of Organic Materia lsIII,pp.23−34(July 1990),G.F.Lipscomb e t.al.,「Development s in organic Elect ro−Optic Devices a t Lockheed」 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/00 - 1/035 G02F 1/29 - 1/35 504 G02B 6/12 - 6/14
Claims (4)
- 【請求項1】酸化シリコン膜を上部に形成したシリコン
基板上に、金属からなる下部接地電極を配し、この上に
二次光非線形感受率の大きな物質が溶解している、もし
くは結合している高分子を分極処理した材料からなるチ
ャネル導波路層と、この導波路層の左右および上下に、
導波路層よりも低屈折率なクラッド層を配し、該上部ク
ラッド層の上に金属からなるマイクロストリップ電極を
配した構造をとる導波路型光変調器において、該導波路
層の膜厚を4〜6μm、該導波路層と上下のクラッド層
を併せた膜厚を10〜25μmとし、該導波路層とそれ
に接するクラッド層の比屈折率差を0.4%〜1.0%
とし、下部クラッド層の下部接地電極に接する部分およ
び上部クラッド層のマイクロストリップ電極に接する部
分に、下部クラッド層および上部クラッド層よりも屈折
率が小さく、該クラッド層との比屈折率差が2%以上で
ある境界層を有し、上部のマイクロストリップ電極の幅
を該導波路と上下のクラッド層を併せた膜厚の約2倍に
することを特徴とする導波路型光変調器。 - 【請求項2】フィールドスルー部において、上部電極の
真下の下部接地電極に、上部電極幅の約1.67〜1.
68倍の大きさのギャップを開けることを特徴とする請
求項1記載の導波路型光変調器。 - 【請求項3】酸化シリコン膜を上部に形成したシリコン
基板上に、金属からなる下部接地電極を配し、この上に
二次光非線形感受率の大きな物質が溶解している、もし
くは結合している高分子を分極処理した材料からなるチ
ャネル導波路層と、この導波路層の左右および上下に、
導波路層よりも低屈折率なクラッド層を配し、該上部ク
ラッド層の上に金属からなるマイクロストリップ電極を
配した構造をとる導波路型光変調器において、該導波路
層の膜厚を2μm以下、該導波路層と上下のクラッド層
を併せた膜厚を10μm以下とし、該導波路層と左右の
クラッド層の比屈折率差を0.2%〜0.5%、該導波
路と上下のクラッド層の比屈折率差を2%以上とし、上
部のマイクロストリップ電極の幅を該導波路と上下のク
ラッド層を併せた膜厚の約2倍にすることを特徴とする
導波路型光変調器。 - 【請求項4】フィールドスルー部において、上部電極の
真下の下部接地電極に、上部電極幅の約1.67〜1.
68倍の大きさのギャップを開けることを特徴とする請
求項1記載の導波路型光変調器。
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JPH0659223A JPH0659223A (ja) | 1994-03-04 |
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- 1992-08-05 JP JP4229348A patent/JP2805027B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1992年春季第39回応用物理学関係連合講演会予稿集 第0分冊 p.1266(1992年3月28日発行) |
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IEEE Photonics Technology Letters,Vol.3 No.11 pp.1003−1006(November 1991) |
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Proceedings SPIE Vol.1337,Nonlinear Optical Properties of Organic MaterialsIII,pp.23−34(July 1990),G.F.Lipscomb et.al.,「Developments in organic Electro−Optic Devices at Lockheed」 |
非線形光学のための有機材料[季刊 化学総説 No.15]日本化学会編(1992年7月25日) |
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