JP2783571B2 - マスク構造体 - Google Patents
マスク構造体Info
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- JP2783571B2 JP2783571B2 JP1036589A JP1036589A JP2783571B2 JP 2783571 B2 JP2783571 B2 JP 2783571B2 JP 1036589 A JP1036589 A JP 1036589A JP 1036589 A JP1036589 A JP 1036589A JP 2783571 B2 JP2783571 B2 JP 2783571B2
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に好適に用いられるマスク構
造体に関するものである。
造体に関するものである。
〔従来の技術〕 最近のIC、LSIなどの半導体素子製造用の露光装置に
於いては、半導体素子の高集積化に伴い、より高分解能
の焼付けが可能な例えば、波長１Å〜150Å程度のＸ線
を利用した露光装置が提案されている。この様な、Ｘ線
露光において用いられるマスクは、通常パターンとなる
Ｘ線吸収体を設けられた薄膜を、基板によって支持して
いる構造のものが主流である。一般に支持膜の厚さは、
有機材料膜（例えば、ポリイミド）の場合１〜10μｍ、
無機材料膜（例えば、SiN、SiCなど）の場合は0.5〜５
μｍ程度である。
於いては、半導体素子の高集積化に伴い、より高分解能
の焼付けが可能な例えば、波長１Å〜150Å程度のＸ線
を利用した露光装置が提案されている。この様な、Ｘ線
露光において用いられるマスクは、通常パターンとなる
Ｘ線吸収体を設けられた薄膜を、基板によって支持して
いる構造のものが主流である。一般に支持膜の厚さは、
有機材料膜（例えば、ポリイミド）の場合１〜10μｍ、
無機材料膜（例えば、SiN、SiCなど）の場合は0.5〜５
μｍ程度である。
保持枠は、マスクブランクスの製造法により異るが、
前記支持膜が無機材料の時は0.5〜3mm厚のSi板を用い
る。又、前記支持膜が有機材料の時は、例えば5mm程度
のガラス、セラミツクス等が用いられる。いずれの場合
も、Ｘ線吸収体の形成された支持膜の張力を均等に印加
し、局所的な歪みを最小限に抑える為に、円環形状を基
体としており、回転対称性を有する形状をしている。
前記支持膜が無機材料の時は0.5〜3mm厚のSi板を用い
る。又、前記支持膜が有機材料の時は、例えば5mm程度
のガラス、セラミツクス等が用いられる。いずれの場合
も、Ｘ線吸収体の形成された支持膜の張力を均等に印加
し、局所的な歪みを最小限に抑える為に、円環形状を基
体としており、回転対称性を有する形状をしている。
更に、製造上（例えば、エツチングの簡便化の為）前
記保持枠が、非常に薄い（3mm以下とする）場合、剛性
及び強度補強の為、前記保持枠に補強体を貼り付ける事
はよく知られており、低膨張ガラス、石英ガラスなどが
用いられている。又、前記マスクをステージ上で吸着す
る機構において、一般には真空になる吸着方式が用いら
れるが、Ｘ線露光装置においてはＸ線は大気によって減
衰するためＸ線露光雰囲気は真空中もしくは低圧He中で
あり、従来の真空吸着方式が使用できない。そのため本
出願人より磁気チヤツクによる吸着方式が提案されてい
る（特開昭60−68340）。
記保持枠が、非常に薄い（3mm以下とする）場合、剛性
及び強度補強の為、前記保持枠に補強体を貼り付ける事
はよく知られており、低膨張ガラス、石英ガラスなどが
用いられている。又、前記マスクをステージ上で吸着す
る機構において、一般には真空になる吸着方式が用いら
れるが、Ｘ線露光装置においてはＸ線は大気によって減
衰するためＸ線露光雰囲気は真空中もしくは低圧He中で
あり、従来の真空吸着方式が使用できない。そのため本
出願人より磁気チヤツクによる吸着方式が提案されてい
る（特開昭60−68340）。
しかしながら、従来の磁気チヤツクを用いたマスクス
テージにおいては、マスク側の保持枠に磁性体を設け、
又、ステージ側に磁気ユニツトを設け、それらを作用さ
せステージに吸着していたが、Ｘ線露光装置において用
いられるマスクには、保持体が金属等の磁性体によって
構成されているものにかぎらず、セラミツクス等の非磁
性体によって構成されているものもあり、その様な構成
の場合は、磁性体を非磁性体でなる保持体に埋め込んで
用いていた。しかし、従来のそのような構成のマスクに
おいては、前記磁性体の保持枠に対する設け片の配慮が
特別されていなかったため、たとえば、マスクの吸着面
および、マスクステージの吸着面を厳密に精度良く加工
していても、配設された磁性体の影響によって、マスク
をステージに保持吸着した際に十分な精度（平面性）を
持って保持を行うことができなかった。
テージにおいては、マスク側の保持枠に磁性体を設け、
又、ステージ側に磁気ユニツトを設け、それらを作用さ
せステージに吸着していたが、Ｘ線露光装置において用
いられるマスクには、保持体が金属等の磁性体によって
構成されているものにかぎらず、セラミツクス等の非磁
性体によって構成されているものもあり、その様な構成
の場合は、磁性体を非磁性体でなる保持体に埋め込んで
用いていた。しかし、従来のそのような構成のマスクに
おいては、前記磁性体の保持枠に対する設け片の配慮が
特別されていなかったため、たとえば、マスクの吸着面
および、マスクステージの吸着面を厳密に精度良く加工
していても、配設された磁性体の影響によって、マスク
をステージに保持吸着した際に十分な精度（平面性）を
持って保持を行うことができなかった。
以上の問題に鑑みてなされた本発明のマスク構造体
は、放射線吸収体パターンを支持する支持膜を保持する
保持枠もしくは保持枠を補強する補強枠の接地面にマス
ク吸着用の磁性体が埋め込まれたマスク構造体におい
て、該磁性体はマスク吸着時にマスクステージのマスク
保持面と接触しない位置に設けられており、マスク吸着
時には該磁性体と該マスク保持面との間に微小な空隙が
形成されることを特徴とするものである。
は、放射線吸収体パターンを支持する支持膜を保持する
保持枠もしくは保持枠を補強する補強枠の接地面にマス
ク吸着用の磁性体が埋め込まれたマスク構造体におい
て、該磁性体はマスク吸着時にマスクステージのマスク
保持面と接触しない位置に設けられており、マスク吸着
時には該磁性体と該マスク保持面との間に微小な空隙が
形成されることを特徴とするものである。
以下、図面を使用して本発明の第１の実施例を説明す
る。
る。
第１図は本発明の第１の実施例におけるＸ線マスクの
概略図（第１図（ａ），（ｂ）及び断面図（第１図
（ｃ）〜（ｄ））は裏面からみた平面図（第１図
（ｅ），（ｆ））である。
概略図（第１図（ａ），（ｂ）及び断面図（第１図
（ｃ）〜（ｄ））は裏面からみた平面図（第１図
（ｅ），（ｆ））である。
第２図はマスク搬送機構の概略図であり、第３図はマ
スク吸着機構の概略図である。
スク吸着機構の概略図である。
まず第１図でMXPはＸ線の吸収体であり、本実施例で
はAuを用いているがTa又はＷ等でも構わない。MXMは吸
収体MXPを支持している支持膜で、ポリイミド（東レ
カプトンフイルム）用いているが無機膜であるSiN,SiC,
BN,AlN又は有機膜と無機膜の複合膜でも構わない。MFL
は支持膜MXMを保持している保持枠であり、マシナプル
セラミツクスを使用している。低膨張ガラス等でも構わ
ない。MBBは支持膜MXMと保持枠MFLを接合している接着
剤であり、ゴム系接着剤（コニシ G10）を用いてい
る。支持膜MXMを強い張力で張っても剥離しない接着強
度を持てばエポキシ系接着剤でも構わない。
はAuを用いているがTa又はＷ等でも構わない。MXMは吸
収体MXPを支持している支持膜で、ポリイミド（東レ
カプトンフイルム）用いているが無機膜であるSiN,SiC,
BN,AlN又は有機膜と無機膜の複合膜でも構わない。MFL
は支持膜MXMを保持している保持枠であり、マシナプル
セラミツクスを使用している。低膨張ガラス等でも構わ
ない。MBBは支持膜MXMと保持枠MFLを接合している接着
剤であり、ゴム系接着剤（コニシ G10）を用いてい
る。支持膜MXMを強い張力で張っても剥離しない接着強
度を持てばエポキシ系接着剤でも構わない。
MBFは保持枠MFLが支持膜MXMと接着剤MBBによって接着
される面であり、MLFは支持膜MXMを支えるリツプ面であ
る。リツプ面MLFは接着面MBFよりも上方にあり、接着剤
の厚みむら等に左右される事なく、リツプ面MLFの平面
度によって支持膜MXMの平面度を維持させる事ができ
る。これは本出願人による特開昭60−68336、特開昭60
−68339にその詳細が示されている。リツプ面MLFの表面
あらさRaが0.1μｍ以下であり支持膜MXMが107dyn/cm2〜
109dyn/cm2の張力が張られているとき、保持枠MFLの内
半径をｌ（min）、かつ支持膜MXMで吸収体の形成されて
いる領域の半径をｒ（mm）、平面度をα（μｍ）とする
とリツプ面MLFの平面度ｔ（μｍ）には が成立する（特願昭63−243915）。この時、所望のリツ
プ面MLFの平面度ｔは１μｍ以下、表面あらさRa0.1μｍ
以下が好ましい。
される面であり、MLFは支持膜MXMを支えるリツプ面であ
る。リツプ面MLFは接着面MBFよりも上方にあり、接着剤
の厚みむら等に左右される事なく、リツプ面MLFの平面
度によって支持膜MXMの平面度を維持させる事ができ
る。これは本出願人による特開昭60−68336、特開昭60
−68339にその詳細が示されている。リツプ面MLFの表面
あらさRaが0.1μｍ以下であり支持膜MXMが107dyn/cm2〜
109dyn/cm2の張力が張られているとき、保持枠MFLの内
半径をｌ（min）、かつ支持膜MXMで吸収体の形成されて
いる領域の半径をｒ（mm）、平面度をα（μｍ）とする
とリツプ面MLFの平面度ｔ（μｍ）には が成立する（特願昭63−243915）。この時、所望のリツ
プ面MLFの平面度ｔは１μｍ以下、表面あらさRa0.1μｍ
以下が好ましい。
MBSは接着剤逃し溝である。これは前記支持膜と保持
枠MFLと接着する際、接着剤がリツプ面MLFに侵入しない
ためのものであり、本出願人による提案で特開昭61−22
3841で示されている。MCUはカツタ用溝である。これは
前記支持膜をカツタ用溝MCUに沿って切り取り、支持膜M
XMのはじめ埋め込むことが可能であり、作業性が向上さ
れる。カツタ用溝MCUについては本出願人により提案さ
れていて特願昭63−095323に示されている。
枠MFLと接着する際、接着剤がリツプ面MLFに侵入しない
ためのものであり、本出願人による提案で特開昭61−22
3841で示されている。MCUはカツタ用溝である。これは
前記支持膜をカツタ用溝MCUに沿って切り取り、支持膜M
XMのはじめ埋め込むことが可能であり、作業性が向上さ
れる。カツタ用溝MCUについては本出願人により提案さ
れていて特願昭63−095323に示されている。
MPAは切り欠きを示す。この切り欠きMPAはマスクの位
置決めに用いられる。MCFは接地面を示す。接地面MCFは
マスクステージと密着する部分であり、従って、平面性
が重要になってくる。前記マスクステージはＸ線露光装
置に於けるシステムの基準になるものであるためその平
面度はできるかぎり小さいことが望ましい。従って、本
実施例のＸ線マスクを使用する前記Ｘ線露光装置に於け
るマスクステージの平面度は１μｍ以下になっている。
又、接地面MCFが密着するマスクステージの面の面粗度
はRa0.1μｍ以下で仕上っている。これより接地面MCFは
前記マスクステージの接地面とほぼ同等の平面性が必要
とされるため平面度１μｍ以下、面粗度Ra0.1μｍ以下
が好ましい。
置決めに用いられる。MCFは接地面を示す。接地面MCFは
マスクステージと密着する部分であり、従って、平面性
が重要になってくる。前記マスクステージはＸ線露光装
置に於けるシステムの基準になるものであるためその平
面度はできるかぎり小さいことが望ましい。従って、本
実施例のＸ線マスクを使用する前記Ｘ線露光装置に於け
るマスクステージの平面度は１μｍ以下になっている。
又、接地面MCFが密着するマスクステージの面の面粗度
はRa0.1μｍ以下で仕上っている。これより接地面MCFは
前記マスクステージの接地面とほぼ同等の平面性が必要
とされるため平面度１μｍ以下、面粗度Ra0.1μｍ以下
が好ましい。
MCMはマスクチヤツク用磁性体である。これは、本出
願人による提案で特開昭60−68340にて示された発明で
ある。マスクの磁性チヤツクに用いられる第１図
（ｅ），（ｆ）のようにMCMは対称に配置されている。
詳しくは、第１図（ｆ）は同一形状の磁性体がマスク保
持枠MFLの溝に等間隔で配置されている。構成はこれに
かぎらず吸着力を十分得られるものであれば良い。
願人による提案で特開昭60−68340にて示された発明で
ある。マスクの磁性チヤツクに用いられる第１図
（ｅ），（ｆ）のようにMCMは対称に配置されている。
詳しくは、第１図（ｆ）は同一形状の磁性体がマスク保
持枠MFLの溝に等間隔で配置されている。構成はこれに
かぎらず吸着力を十分得られるものであれば良い。
MSSはマスクの機械把持をガイドするための側溝であ
り、本出願による提案で実用新案昭62−004755に示され
た発明である。
り、本出願による提案で実用新案昭62−004755に示され
た発明である。
MHBは本発明におけるマスクハンド用磁性体であり、
マスクハンドの磁気ユニツトと整合する位置に配置され
ている使用例は図を用いて後述する。
マスクハンドの磁気ユニツトと整合する位置に配置され
ている使用例は図を用いて後述する。
マスクチヤツク用磁性体MCM及びマスクハンド用磁性
体MHBは今回は、マルテンサイト系ステンレスSUS403を
用いたが、Fe,Co,Ni又はその化合物で磁性を持つ材料な
らば構わない。またMCMとMHBは支持膜MXM上に吸収体MXP
を形成後保持枠MFLに接着剤MBAによって接着される。
体MHBは今回は、マルテンサイト系ステンレスSUS403を
用いたが、Fe,Co,Ni又はその化合物で磁性を持つ材料な
らば構わない。またMCMとMHBは支持膜MXM上に吸収体MXP
を形成後保持枠MFLに接着剤MBAによって接着される。
吸収体MXP形成後に接着が行われるのはMCMとMHBの磁
界が吸収体MXP形成に用いられる電子線描画装置の磁場
に悪影響を及ぼす可能性があるからである。
界が吸収体MXP形成に用いられる電子線描画装置の磁場
に悪影響を及ぼす可能性があるからである。
接着剤MBAとしては、接着剤硬化時に収縮の少ないも
のであればよく、例えばエポキシ系接着剤、セメダイン
社製、型番EP007を用いてるがアクリル系ポリイミド系
でも構わない。
のであればよく、例えばエポキシ系接着剤、セメダイン
社製、型番EP007を用いてるがアクリル系ポリイミド系
でも構わない。
接地面MCFは前述したように高い平面度を満たしてい
る。この時マスクチヤツク用磁性体MCMと接地面MCFは段
差ａを持つが0.5〜数μｍの範囲であり詳細は後述す
る。
る。この時マスクチヤツク用磁性体MCMと接地面MCFは段
差ａを持つが0.5〜数μｍの範囲であり詳細は後述す
る。
接地面MCFと保持枠外周底面MCGとは段差ｂが持つが0.
1〜0.2mmの範囲であり、マスクステージとは接地面MCF
のみが密着することができる。
1〜0.2mmの範囲であり、マスクステージとは接地面MCF
のみが密着することができる。
保持枠MFLの内側面MBLは傾斜角を有している。これは
本出願人による特願昭63−095322に示されているもので
あり、プロセス中又は保存中に接地面MCFを 保護するために接地面MCFとは異なる平面上に保持枠を
保持するための保持部すなわち内側面MBLを設けた。
又、保持枠MFLの全ての稜部はＲ取り（丸みをつける）
されており、エツチが立たなくしてある。これは、角
部、稜部が角であると角の部分へ何らかの部体が衝突し
た際に、かけなどを生じ、ゴミ、チリ等発生が起る。こ
れを防ぐために各稜部に僅かに丸味をつけてある。
本出願人による特願昭63−095322に示されているもので
あり、プロセス中又は保存中に接地面MCFを 保護するために接地面MCFとは異なる平面上に保持枠を
保持するための保持部すなわち内側面MBLを設けた。
又、保持枠MFLの全ての稜部はＲ取り（丸みをつける）
されており、エツチが立たなくしてある。これは、角
部、稜部が角であると角の部分へ何らかの部体が衝突し
た際に、かけなどを生じ、ゴミ、チリ等発生が起る。こ
れを防ぐために各稜部に僅かに丸味をつけてある。
次に本実施例の使用例を図にて説明する。
第２図にて、本実施例のＸ線マスクのハンドリングの
使用例を示す。HMは本実施例であるＸ線マスクの搬送を
行う装置のハンド部分を示す。HMはフインガーであり、
不図示のアクチユエーター（本実施例ではソレノイド）
により開閉を行う事ができる。HNは爪であり、フインガ
ーHFの先端についている。爪HNは保持枠MFLの側溝MSSに
噛み合う。本実施例のＸ線マスクはハンドリング時に把
持可能な部分は、保持枠MFLの側面のみであり、それ以
外の部分は把持困難である。従って、把持方法は保持枠
MFLに対して決して安定な把持方法ではない。そこでも
う一つの把持部を設けた。HUはハンドル内磁気ユニツト
であり、ハンド用磁性体を吸着する。
使用例を示す。HMは本実施例であるＸ線マスクの搬送を
行う装置のハンド部分を示す。HMはフインガーであり、
不図示のアクチユエーター（本実施例ではソレノイド）
により開閉を行う事ができる。HNは爪であり、フインガ
ーHFの先端についている。爪HNは保持枠MFLの側溝MSSに
噛み合う。本実施例のＸ線マスクはハンドリング時に把
持可能な部分は、保持枠MFLの側面のみであり、それ以
外の部分は把持困難である。従って、把持方法は保持枠
MFLに対して決して安定な把持方法ではない。そこでも
う一つの把持部を設けた。HUはハンドル内磁気ユニツト
であり、ハンド用磁性体を吸着する。
従って、保持枠MFLをフアインガーHFにて把持する方
法と、把持枠MFL内のハンド磁性体MHBをハンド内磁気ユ
ニツトNUにて吸着し保持する方法の２つを用いて保持枠
MFLを把持することができる。従ってより安定に把持
し、又、どちらか一方の機構が故障しても少なくとも他
方の機構により把持もしくは保持可能なのでマスク破損
などを防ぐことができる。
法と、把持枠MFL内のハンド磁性体MHBをハンド内磁気ユ
ニツトNUにて吸着し保持する方法の２つを用いて保持枠
MFLを把持することができる。従ってより安定に把持
し、又、どちらか一方の機構が故障しても少なくとも他
方の機構により把持もしくは保持可能なのでマスク破損
などを防ぐことができる。
また、マスクハンド用磁性体MHBは保持枠MFL内でマス
クがマスクハンドHMと正常に係合した時のみハンド内磁
気ユニツトHUと対応する位置にあるため円環状のマスク
の回転方向の方位を定めることができ、マスク位置決め
を行う際の時間を短縮しスループツトを向上することが
できる。
クがマスクハンドHMと正常に係合した時のみハンド内磁
気ユニツトHUと対応する位置にあるため円環状のマスク
の回転方向の方位を定めることができ、マスク位置決め
を行う際の時間を短縮しスループツトを向上することが
できる。
第３図は本実施例であるＸ線マスクがマスクステージ
上に接着吸着されている図である。
上に接着吸着されている図である。
SMはマスクステージである。SVはブロツクである。Ｖ
ブロツクSVはマスクステージSM上にあり、円環状の保持
枠MFLのマスクステージSVでの位置決めを行う部材であ
る。SPはピンである。このピンSPは保持枠MFLの回転方
向の位置決めを行う。ピンSPは切り欠きMPAに嵌合す
る。従ってピンSPと切り欠きMPAの向きが一致した時の
み、ＶブロックSVと保持枠MFL外周は接触する。SCはマ
スクステージSM内にある磁気チヤツクであり、これはマ
スクチヤツク用磁性体MCMと同一円周上にある。又、SU
は磁気ユニツトで磁気チヤツクSC内の磁気ユニツト単体
を表す。この磁気ユニツトSUは停電時に吸着力が発生
し、通電時に吸着力はほぼ０になる。SPはマスク接地面
でこの面が、接地面MCFと密着する。又、第３図（ｂ）
に示すように磁気チヤツクSCとマスク接地面SPには僅か
な段差ｃがあり、マスク接地面の方が高い。従って、マ
スク接地面以外でマスクと接する面は底面には存在しな
い。
ブロツクSVはマスクステージSM上にあり、円環状の保持
枠MFLのマスクステージSVでの位置決めを行う部材であ
る。SPはピンである。このピンSPは保持枠MFLの回転方
向の位置決めを行う。ピンSPは切り欠きMPAに嵌合す
る。従ってピンSPと切り欠きMPAの向きが一致した時の
み、ＶブロックSVと保持枠MFL外周は接触する。SCはマ
スクステージSM内にある磁気チヤツクであり、これはマ
スクチヤツク用磁性体MCMと同一円周上にある。又、SU
は磁気ユニツトで磁気チヤツクSC内の磁気ユニツト単体
を表す。この磁気ユニツトSUは停電時に吸着力が発生
し、通電時に吸着力はほぼ０になる。SPはマスク接地面
でこの面が、接地面MCFと密着する。又、第３図（ｂ）
に示すように磁気チヤツクSCとマスク接地面SPには僅か
な段差ｃがあり、マスク接地面の方が高い。従って、マ
スク接地面以外でマスクと接する面は底面には存在しな
い。
前述した保持枠MFLの接地面MCFとマスクチヤツク用磁
性体MCMの段差ａと段差ｃを加えたａ＋ｃがマスクチヤ
ツク用磁性体MCMと磁気チヤツクSCとの空隙に相当する
が、これは用いる磁石の磁気吸着力とＸ線マスクの質量
に依存するが１〜10μｍの範囲である。
性体MCMの段差ａと段差ｃを加えたａ＋ｃがマスクチヤ
ツク用磁性体MCMと磁気チヤツクSCとの空隙に相当する
が、これは用いる磁石の磁気吸着力とＸ線マスクの質量
に依存するが１〜10μｍの範囲である。
これによって保持枠MFLの接地面MCFとステージのマス
ク接地面SPのみが密着し、かつ前述したように接地面MC
Fとマスク接地面SPはともに平面度１μｍ以下面粗度はR
a0.1μｍ以下で仕上っているので高精度な吸着を行う事
ができる。
ク接地面SPのみが密着し、かつ前述したように接地面MC
Fとマスク接地面SPはともに平面度１μｍ以下面粗度はR
a0.1μｍ以下で仕上っているので高精度な吸着を行う事
ができる。
以上示した構成により、保持枠MFLはマスクステージS
Mの所望の位置に毎時、設置されることが可能であり、
且つ、保持枠MFLとマスクステージSMが実質的に密着す
るための常に所望の高さに支持膜が位置することが可能
である。
Mの所望の位置に毎時、設置されることが可能であり、
且つ、保持枠MFLとマスクステージSMが実質的に密着す
るための常に所望の高さに支持膜が位置することが可能
である。
又、マスクチヤツク用磁性体MCMは、マスクの形状に
ならって円環状に配置されているため吸着による保持枠
MFLの歪みを最小限におさえる事が可能である。
ならって円環状に配置されているため吸着による保持枠
MFLの歪みを最小限におさえる事が可能である。
以上のようにハンド内磁気ユニツトにのみ対応する位
置にあるマスクハンド用磁性体MHBと円環状であるマス
クチヤツク用磁性体MCMを保持枠MFL上に夫々１ケ所以上
持つ事により高精度にかつ真空又は低圧He中でも安全に
搬送及び吸着を行う事ができる。
置にあるマスクハンド用磁性体MHBと円環状であるマス
クチヤツク用磁性体MCMを保持枠MFL上に夫々１ケ所以上
持つ事により高精度にかつ真空又は低圧He中でも安全に
搬送及び吸着を行う事ができる。
第２の実施例に用いるＸ線マスクの概略図を第４図に
示す。MXPはＸ線の吸収体であり本実施例ではTaを用い
ているが、Au,W等でも構わない。MXMは吸収体MXPを支持
している支持膜でSiNをもちいるが他の無機膜（SiC,BN,
AlN等）、有機膜（ポリイミド等）又はこれらの複合膜
でも構わない。MFLは支持膜MXMを保持している保持枠で
あり、Si板を用いる。Si板は薄い（0.5〜3mm）ため補強
体MHLに接着される。この時接着剤としては固定時に収
縮の少ないもので例えばアクリル系接着剤（デンカ社製
型番G5510）で用いた。
示す。MXPはＸ線の吸収体であり本実施例ではTaを用い
ているが、Au,W等でも構わない。MXMは吸収体MXPを支持
している支持膜でSiNをもちいるが他の無機膜（SiC,BN,
AlN等）、有機膜（ポリイミド等）又はこれらの複合膜
でも構わない。MFLは支持膜MXMを保持している保持枠で
あり、Si板を用いる。Si板は薄い（0.5〜3mm）ため補強
体MHLに接着される。この時接着剤としては固定時に収
縮の少ないもので例えばアクリル系接着剤（デンカ社製
型番G5510）で用いた。
MPAは切り欠きでありマスクの位置決めに用いられ
る。
る。
MCFは補強体MHLの接地面であり、実施例１のMCFと同
様の働きを示す。MSSはマスクの機械把持をサイドする
ための側溝である。
様の働きを示す。MSSはマスクの機械把持をサイドする
ための側溝である。
MHBはマスクハンド用磁性体であり実施例１同様ハン
ド内磁気ユニツトに対応する位置にあるため、マスク把
持機構の磁気吸着機構として作用すると同時に円環状の
マスクの回転方向の方位を定める。
ド内磁気ユニツトに対応する位置にあるため、マスク把
持機構の磁気吸着機構として作用すると同時に円環状の
マスクの回転方向の方位を定める。
MCMはマスク吸着用磁性体であり実施例１同様円環状
にあるため、マスク磁気吸着機構として作用する際、吸
着による補強体MHLの歪みを最小限におさえる事ができ
る。
にあるため、マスク磁気吸着機構として作用する際、吸
着による補強体MHLの歪みを最小限におさえる事ができ
る。
以上のようにマスクの保持枠又は補強体に設けられた
露光時の吸着保持用の磁性体を前記保持枠又は補強体の
マスクステージに対する吸着面と段差をつけて設けてや
ることにより、高精度な吸着を可能とするマスク構造体
を提供することができる。
露光時の吸着保持用の磁性体を前記保持枠又は補強体の
マスクステージに対する吸着面と段差をつけて設けてや
ることにより、高精度な吸着を可能とするマスク構造体
を提供することができる。
第１図は第１の実施例のマスクの概略図であり、第２図
はマスク搬送機構、第３図はマスクステージ吸着機構の
概略図である。第４図は第２の実施例のマスク概略図で
ある。
はマスク搬送機構、第３図はマスクステージ吸着機構の
概略図である。第４図は第２の実施例のマスク概略図で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−109053（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−194331（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/14
Claims (2)
- 【請求項１】放射線吸収体パターンを支持する支持膜を
保持する保持枠もしくは保持枠を補強する補強枠の接地
面にマスク吸着用の磁性体が埋め込まれたマスク構造体
において、該磁性体はマスク吸着時にマスクステージの
マスク保持面と接触しない位置に設けられており、マス
ク吸着時には該磁性体と該マスク保持面との間に微小な
空隙が形成されることを特徴とするマスク構造体。 - 【請求項２】前記放射線吸収体はＸ線吸収体であること
を特徴とする請求項１記載のマスク構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036589A JP2783571B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | マスク構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036589A JP2783571B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | マスク構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189915A JPH02189915A (ja) | 1990-07-25 |
| JP2783571B2 true JP2783571B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=11748136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036589A Expired - Fee Related JP2783571B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2783571B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140165906A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Magnetic masks for an ion implant apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0679158B2 (ja) * | 1985-11-08 | 1994-10-05 | キヤノン株式会社 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1036589A patent/JP2783571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02189915A (ja) | 1990-07-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |