JP2759028B2 - 磁性膜形成装置およびインライン成膜装置 - Google Patents
磁性膜形成装置およびインライン成膜装置Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁界中で磁性膜を形成
するための成膜装置に係り、特に成膜等の処理室を複数
個備え、処理室から次の処理室へ基板を搬送する搬送機
構を備えた磁性膜形成装置に関する。
するための成膜装置に係り、特に成膜等の処理室を複数
個備え、処理室から次の処理室へ基板を搬送する搬送機
構を備えた磁性膜形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のインライン成膜装置を、図9を用
いて説明する。処理室1a、1b、1cは、成膜前の基
板の加熱、スパッタリング成膜、イオンビームスパッタ
リング成膜、蒸着による成膜等の処理のいずれかを行な
うための装置を備えている。仕込室2、処理室1a、1
b、1c、取出室3の各室の間には、仕切弁8a、8
b、8c、8dが配置されている。また、基板101を
搬送するための搬送ライン5が、仕込室2、処理室1
a、1b、1c、取出室3を貫いて配置されている。
いて説明する。処理室1a、1b、1cは、成膜前の基
板の加熱、スパッタリング成膜、イオンビームスパッタ
リング成膜、蒸着による成膜等の処理のいずれかを行な
うための装置を備えている。仕込室2、処理室1a、1
b、1c、取出室3の各室の間には、仕切弁8a、8
b、8c、8dが配置されている。また、基板101を
搬送するための搬送ライン5が、仕込室2、処理室1
a、1b、1c、取出室3を貫いて配置されている。
【0003】この装置を用いて成膜を行なう場合には、
仕込室2に成膜する為の基板101を入れ、真空排気設
備9aにより真空排気する。また、処理室1a、1b、
1c、取出室3は、それぞれ、真空排気設備9b、9
c、9d、9eにより真空排気する。仕込室2を真空排
気した後、仕切弁8aを開け、搬送ライン5を稼働し、
既に真空排気済の成膜等の処理室1aに基板101を搬
送する。成膜等の処理室1aでは、備えられている装置
によって、成膜前の基板の加熱や成膜等を行なう。所定
の処理後、仕切弁8bを開け、搬送ライン5にて次の成
膜等の処理室1bに基板101を搬送する。処理室1b
の基板101の処理が完了したら、処理室1cに基板1
01を搬送し、さらに基板を処理する。処理室1cでの
所定の処理が完了した後、取出室3に基板101を搬送
し、取出室3から基板101を取り出す。基板101は
仕込室2に多数枚入れることができ、成膜等の処理室1
a、1b、1cに、次々と基板101を処理することが
できる。
仕込室2に成膜する為の基板101を入れ、真空排気設
備9aにより真空排気する。また、処理室1a、1b、
1c、取出室3は、それぞれ、真空排気設備9b、9
c、9d、9eにより真空排気する。仕込室2を真空排
気した後、仕切弁8aを開け、搬送ライン5を稼働し、
既に真空排気済の成膜等の処理室1aに基板101を搬
送する。成膜等の処理室1aでは、備えられている装置
によって、成膜前の基板の加熱や成膜等を行なう。所定
の処理後、仕切弁8bを開け、搬送ライン5にて次の成
膜等の処理室1bに基板101を搬送する。処理室1b
の基板101の処理が完了したら、処理室1cに基板1
01を搬送し、さらに基板を処理する。処理室1cでの
所定の処理が完了した後、取出室3に基板101を搬送
し、取出室3から基板101を取り出す。基板101は
仕込室2に多数枚入れることができ、成膜等の処理室1
a、1b、1cに、次々と基板101を処理することが
できる。
【0004】このような、インライン成膜装置で磁性膜
の磁場中成膜を行なう場合には、従来、処理室の外部ま
たは内部に、磁界発生手段を取り付けて、処理室内の基
板が配置される空間に磁界を印加する方法が用いられて
いた。
の磁場中成膜を行なう場合には、従来、処理室の外部ま
たは内部に、磁界発生手段を取り付けて、処理室内の基
板が配置される空間に磁界を印加する方法が用いられて
いた。
【0005】例えば、従来のインライン装置においてス
パッタ成膜処理室の外部に磁界発生手段を取り付けた装
置を図7を用いて説明する。図7のように、処理室1d
の外部にヘルムホルツ磁気コイル4a、4b、4c、4
dが配置されている。処理室1dには、磁性体ターゲッ
ト3と、磁性体ターゲットに電圧を印加するためのRF
電源2とが備えられている。ヘルムホルツ磁気コイル4
a、4b、4c、4dは、基板101が配置されている
空間に磁界6を形成する。磁性体ターゲット3から飛散
した磁性体スパッタ粒子は、磁界6の影響を受けて、基
板101上に磁気的に配向した膜を形成する。
パッタ成膜処理室の外部に磁界発生手段を取り付けた装
置を図7を用いて説明する。図7のように、処理室1d
の外部にヘルムホルツ磁気コイル4a、4b、4c、4
dが配置されている。処理室1dには、磁性体ターゲッ
ト3と、磁性体ターゲットに電圧を印加するためのRF
電源2とが備えられている。ヘルムホルツ磁気コイル4
a、4b、4c、4dは、基板101が配置されている
空間に磁界6を形成する。磁性体ターゲット3から飛散
した磁性体スパッタ粒子は、磁界6の影響を受けて、基
板101上に磁気的に配向した膜を形成する。
【0006】また、従来のインライン装置においてスパ
ッタ成膜処理室の内部に磁界発生手段を取り付けた装置
を図8を用いて説明する。図8のように、処理室1eの
内部の基板101の周辺に、磁石支持手段7によって支
持された永久磁石4e、4fが配置されている。永久磁
石4e、4fは、基板101が配置される空間に磁界6
を形成するので、磁性体ターゲット3から飛散したスパ
ッタ粒子は、磁界6の影響を受けて基板101上に磁気
的に配向した膜を形成する。
ッタ成膜処理室の内部に磁界発生手段を取り付けた装置
を図8を用いて説明する。図8のように、処理室1eの
内部の基板101の周辺に、磁石支持手段7によって支
持された永久磁石4e、4fが配置されている。永久磁
石4e、4fは、基板101が配置される空間に磁界6
を形成するので、磁性体ターゲット3から飛散したスパ
ッタ粒子は、磁界6の影響を受けて基板101上に磁気
的に配向した膜を形成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁界発生手段を
備えた成膜装置においては、以下のような問題があっ
た。
備えた成膜装置においては、以下のような問題があっ
た。
【0008】従来の成膜装置では、成膜終了後に基板を
成膜装置から取り出すと、磁界発生手段の磁界から外れ
てしまう。そのため、成膜後完全に冷却されていない状
態で成膜装置から取り出すと、膜の磁気配向方向にずれ
が生じ、磁気特性が劣化する。これを防ぐためには、成
膜後完全に冷却するまで成膜装置内にとめておく必要が
あるが、完全に冷却するまでには時間がかかり装置の稼
働効率を極端に低下させることになるという問題があっ
た。
成膜装置から取り出すと、磁界発生手段の磁界から外れ
てしまう。そのため、成膜後完全に冷却されていない状
態で成膜装置から取り出すと、膜の磁気配向方向にずれ
が生じ、磁気特性が劣化する。これを防ぐためには、成
膜後完全に冷却するまで成膜装置内にとめておく必要が
あるが、完全に冷却するまでには時間がかかり装置の稼
働効率を極端に低下させることになるという問題があっ
た。
【0009】また、従来の磁界発生手段を備えたインラ
イン装置を用いて、磁性膜の多層膜を形成する場合、以
下のような問題が生じていた。
イン装置を用いて、磁性膜の多層膜を形成する場合、以
下のような問題が生じていた。
【0010】(1)多層膜を形成する場合、成膜源のこ
となる複数の成膜用処理室に、それぞれ磁界発生手段を
備える必要がある。この時、各処理室の磁界発生手段が
基板に印加する磁界の向きを、複数の処理室ですべて完
全に一致させることが非常に困難である。そのため、各
磁性膜の配向にずれが生じ、磁性膜の磁気的特性を劣化
させる原因となっていた。各処理室で磁界の向きを一致
させることができない大きな理由が、2つがある。第1
の理由は、各成膜用処理室の磁界発生手段の発生する磁
界の向きを完全に一致させるために、コイルや磁石の向
きを完全に一致させる必要があるが、複数の離れた位置
にあるコイルや磁石の向きを完全に一致させるのは、技
術的に非常に困難であり、これらの向きの調整に長時間
に渡って装置を停止させる必要があることである。ま
た、第2の理由は、基板を搬送する際に、基板が回転し
て基板の向きにずれが生じてしまうためである。
となる複数の成膜用処理室に、それぞれ磁界発生手段を
備える必要がある。この時、各処理室の磁界発生手段が
基板に印加する磁界の向きを、複数の処理室ですべて完
全に一致させることが非常に困難である。そのため、各
磁性膜の配向にずれが生じ、磁性膜の磁気的特性を劣化
させる原因となっていた。各処理室で磁界の向きを一致
させることができない大きな理由が、2つがある。第1
の理由は、各成膜用処理室の磁界発生手段の発生する磁
界の向きを完全に一致させるために、コイルや磁石の向
きを完全に一致させる必要があるが、複数の離れた位置
にあるコイルや磁石の向きを完全に一致させるのは、技
術的に非常に困難であり、これらの向きの調整に長時間
に渡って装置を停止させる必要があることである。ま
た、第2の理由は、基板を搬送する際に、基板が回転し
て基板の向きにずれが生じてしまうためである。
【0011】(2)成膜室用処理室の外部に磁界発生手
段を設置する場合、処理室内部に磁界を生じさせる必要
があるため、大型の磁界発生手段を設置する必要があ
り、不経済である。
段を設置する場合、処理室内部に磁界を生じさせる必要
があるため、大型の磁界発生手段を設置する必要があ
り、不経済である。
【0012】(3)隣あった処理室の磁界発生手段の発
生する磁界が互いに影響を及ぼしあって、不均一な磁界
になるのをさけるために、処理室を離して配置する必要
がある。そのため、磁界発生手段を備えていない通常の
インライン装置よりも、ラインが長くなり設置上の問題
が生じる。
生する磁界が互いに影響を及ぼしあって、不均一な磁界
になるのをさけるために、処理室を離して配置する必要
がある。そのため、磁界発生手段を備えていない通常の
インライン装置よりも、ラインが長くなり設置上の問題
が生じる。
【0013】(4)成膜後、隣の成膜用処理室に搬送す
る際には、一旦、磁界中からはずれてしまう。そのた
め、成膜後完全に冷却されていない状態でつぎの処理室
に搬送した場合、磁界からはずれた状態で冷却されるた
めに配向方向のずれが生じ、磁性体の磁気特性が劣化し
てしまう。これを防ぐためには、成膜後完全に冷却する
まで、処理室内に留めて置く必要があるが、冷却に時間
がかかるため、ラインの稼働効率を極端に低下させてし
まう。
る際には、一旦、磁界中からはずれてしまう。そのた
め、成膜後完全に冷却されていない状態でつぎの処理室
に搬送した場合、磁界からはずれた状態で冷却されるた
めに配向方向のずれが生じ、磁性体の磁気特性が劣化し
てしまう。これを防ぐためには、成膜後完全に冷却する
まで、処理室内に留めて置く必要があるが、冷却に時間
がかかるため、ラインの稼働効率を極端に低下させてし
まう。
【0014】本発明は、装置内の基板に対して、常に一
定方向の磁界を印加することにより、高い磁気特性を有
する磁性膜を形成することのできる成膜装置を提供する
ことを目的とする。
定方向の磁界を印加することにより、高い磁気特性を有
する磁性膜を形成することのできる成膜装置を提供する
ことを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の第1の態様では、磁性膜形成装置において、
真空容器内で基板を保持し、その状態で真空容器外に取
り出すことの可能な基板パレットを用い、基板に磁界を
印加するための磁界発生手段を、基板パレットに固定す
る構成にした。そして、真空容器内では、基板パレット
を支持する支持手段を用い、基板パレットごと基板を支
持する。基板パレットを真空容器外に取り出す場合に
は、磁界発生手段は、基板パレットとともに真空容器外
に取り出される。
に本発明の第1の態様では、磁性膜形成装置において、
真空容器内で基板を保持し、その状態で真空容器外に取
り出すことの可能な基板パレットを用い、基板に磁界を
印加するための磁界発生手段を、基板パレットに固定す
る構成にした。そして、真空容器内では、基板パレット
を支持する支持手段を用い、基板パレットごと基板を支
持する。基板パレットを真空容器外に取り出す場合に
は、磁界発生手段は、基板パレットとともに真空容器外
に取り出される。
【0016】また、本発明の第2の態様では、基板を保
持する基板パレットと、真空容器内で基板パレットを搬
送する搬送手段を用い、基板に磁界を印加するための磁
界発生手段を、基板パレットに固定する構成にした。搬
送手段が基板パレットを搬送する場合には、磁界発生手
段は、基板パレットとともに真空容器内を搬送される。
持する基板パレットと、真空容器内で基板パレットを搬
送する搬送手段を用い、基板に磁界を印加するための磁
界発生手段を、基板パレットに固定する構成にした。搬
送手段が基板パレットを搬送する場合には、磁界発生手
段は、基板パレットとともに真空容器内を搬送される。
【0017】
【作用】本発明の第1の態様の磁性膜形成装置では、成
膜される基板は基板パレットに保持され、基板パレット
ごと真空容器内を移動させたり、真空容器から取り出し
たりすることができる。また、成膜時には、基板は、基
板パレットごと真空容器内の支持手段によって支持され
る。成膜手段は、支持手段によって支持された基板パレ
ット上の基板に成膜を行なう。磁界発生手段は、基板に
磁界を印加し、成膜時の膜の磁化方向を配向させる。
膜される基板は基板パレットに保持され、基板パレット
ごと真空容器内を移動させたり、真空容器から取り出し
たりすることができる。また、成膜時には、基板は、基
板パレットごと真空容器内の支持手段によって支持され
る。成膜手段は、支持手段によって支持された基板パレ
ット上の基板に成膜を行なう。磁界発生手段は、基板に
磁界を印加し、成膜時の膜の磁化方向を配向させる。
【0018】本発明では、磁界印加手段を基板パレット
に固定する構成としているので、基板パレットから基板
が外れないかぎり、基板に対して常に一定方向の磁界が
印加される。従って、成膜時のみならず、基板パレット
を真空容器内で移動させたり、真空容器から取り出す間
にも、基板には常に一定方向の磁界が印加される。した
がって、基板が真空容器内のどの位置にあるかにかかわ
らず、また、真空容器内に位置するか真空容器外に位置
するかにかかわらず、基板パレットに基板が保持されて
いるかぎり磁界が印加されるため、膜が冷却される前に
基板を移動させても、膜の配向がずれることはない。さ
らに、磁界発生手段が、基板と同じ基板パレット上に搭
載されているので、至近距離から磁界を印加することが
可能である。よって、発生する磁界強度が小さな小型な
磁界発生手段で効果的に磁界を印加することができ、小
型な装置が実現可能である。なお、磁界発生手段は基板
パレットとともに装置外に取り出されるので、磁界の方
向を容易に調節することもできる。
に固定する構成としているので、基板パレットから基板
が外れないかぎり、基板に対して常に一定方向の磁界が
印加される。従って、成膜時のみならず、基板パレット
を真空容器内で移動させたり、真空容器から取り出す間
にも、基板には常に一定方向の磁界が印加される。した
がって、基板が真空容器内のどの位置にあるかにかかわ
らず、また、真空容器内に位置するか真空容器外に位置
するかにかかわらず、基板パレットに基板が保持されて
いるかぎり磁界が印加されるため、膜が冷却される前に
基板を移動させても、膜の配向がずれることはない。さ
らに、磁界発生手段が、基板と同じ基板パレット上に搭
載されているので、至近距離から磁界を印加することが
可能である。よって、発生する磁界強度が小さな小型な
磁界発生手段で効果的に磁界を印加することができ、小
型な装置が実現可能である。なお、磁界発生手段は基板
パレットとともに装置外に取り出されるので、磁界の方
向を容易に調節することもできる。
【0019】本発明の第2の態様の磁性膜形成装置は、
真空容器内で基板パレットを搬送する搬送手段を備えて
いる。また、真空容器を複数の処理室に分割することも
できる。このようなインライン型の磁性膜形成装置の構
成にした場合、処理室から処理室に、順次、基板を搬送
している間においても、基板パレット上の磁界発生手段
によって常に一定方向の磁界が基板に印加されるので、
従来のように処理室ごとに磁界の印加方向が微妙にずれ
る恐れがない。さらに、磁界発生手段が、基板 と同じ基
板パレット上に搭載されているので、至近距離から小型
な磁界発生手段で効果的に磁界を印加することができ、
小型なインライン型の磁性膜形成装置が実現可能であ
る。なお、磁界発生手段は基板パレットとともに装置外
に取り出されるので、複数の処理室を備えたインライン
型磁性膜形成装置であっても、磁界の方向を容易に調節
することもできる。
真空容器内で基板パレットを搬送する搬送手段を備えて
いる。また、真空容器を複数の処理室に分割することも
できる。このようなインライン型の磁性膜形成装置の構
成にした場合、処理室から処理室に、順次、基板を搬送
している間においても、基板パレット上の磁界発生手段
によって常に一定方向の磁界が基板に印加されるので、
従来のように処理室ごとに磁界の印加方向が微妙にずれ
る恐れがない。さらに、磁界発生手段が、基板 と同じ基
板パレット上に搭載されているので、至近距離から小型
な磁界発生手段で効果的に磁界を印加することができ、
小型なインライン型の磁性膜形成装置が実現可能であ
る。なお、磁界発生手段は基板パレットとともに装置外
に取り出されるので、複数の処理室を備えたインライン
型磁性膜形成装置であっても、磁界の方向を容易に調節
することもできる。
【0020】
【実施例】以下、本発明の一実施例のインライン成膜装
置を図面により説明する。
置を図面により説明する。
【0021】本実施例のインライン成膜装置の構成を図
3を用いて説明する。本実施例のインライン成膜装置
は、3つの成膜処理室11a、11b、11cと、搬送
室14とを備えている。また、搬送室14の両端には、
仕込室12と、取出室13とが配置されている。
3を用いて説明する。本実施例のインライン成膜装置
は、3つの成膜処理室11a、11b、11cと、搬送
室14とを備えている。また、搬送室14の両端には、
仕込室12と、取出室13とが配置されている。
【0022】搬送室14内には、基板パレット21をそ
れぞれ成膜処理室11a、11b、11cに出し入れす
るためのy方向搬送機構16a、16b、16cと、基
板パレット21をx方向に移動させるためのx方向搬送
機構15a、15b、15cとが配置されている。仕込
室12には、基板パレット21を外部から仕込むための
開閉ドア17aと、仕込まれた基板パレット21を搬送
室14のx方向搬送機構15aに受け渡すための仕込室
搬送機構15dとが備えられている。また、取出室13
には、処理の終了した基板パレット21を外部に取り出
すための開閉ドア17bと、搬送室14のx方向搬送機
構15cから処理の終了した基板パレットを受け取るた
めの取出室搬送機構15eとが備えられている。
れぞれ成膜処理室11a、11b、11cに出し入れす
るためのy方向搬送機構16a、16b、16cと、基
板パレット21をx方向に移動させるためのx方向搬送
機構15a、15b、15cとが配置されている。仕込
室12には、基板パレット21を外部から仕込むための
開閉ドア17aと、仕込まれた基板パレット21を搬送
室14のx方向搬送機構15aに受け渡すための仕込室
搬送機構15dとが備えられている。また、取出室13
には、処理の終了した基板パレット21を外部に取り出
すための開閉ドア17bと、搬送室14のx方向搬送機
構15cから処理の終了した基板パレットを受け取るた
めの取出室搬送機構15eとが備えられている。
【0023】処理室11a、11b、11cと搬送室1
4との間には、各室を開閉可能に隔絶するために、それ
ぞれ仕切弁18a、18b、18cが配置されている。
また、仕込室12と搬送室14との間には、仕切弁18
dが配置され、取出室13と搬送室14との間には、仕
切弁18eが配置されている。また、処理室11a、1
1b、11cには、真空排気設備19a、19b、19
cがそれぞれ接続されている。搬送室14には、真空排
気設備19dが接続されている。仕込室12、取出室1
3は、それぞれ真空排気設備19e、19fがそれぞれ
接続されている。
4との間には、各室を開閉可能に隔絶するために、それ
ぞれ仕切弁18a、18b、18cが配置されている。
また、仕込室12と搬送室14との間には、仕切弁18
dが配置され、取出室13と搬送室14との間には、仕
切弁18eが配置されている。また、処理室11a、1
1b、11cには、真空排気設備19a、19b、19
cがそれぞれ接続されている。搬送室14には、真空排
気設備19dが接続されている。仕込室12、取出室1
3は、それぞれ真空排気設備19e、19fがそれぞれ
接続されている。
【0024】次に、図2(a)、図2(b)を用いて基
板パレット21の構造について説明する。基板パレット
21は、図2(b)に示すように、中央部に貫通孔21
aが形成された板状のパレットである。貫通孔21aの
側面には段差が形成されていて、段差部で基板24を保
持する。基板24と貫通孔21aの側面には、図2
(a)のようにオリフラ10が形成されており、基板2
4が回転するのを防止している。基板パレット21上に
は、貫通孔21aを挟んで対向する位置に、2本の棒状
の永久磁石28a、28bが平行に配置されている。永
久磁石28a、28bは、基板24に対して、オリフラ
10と平行な方向の磁界6を印加する。
板パレット21の構造について説明する。基板パレット
21は、図2(b)に示すように、中央部に貫通孔21
aが形成された板状のパレットである。貫通孔21aの
側面には段差が形成されていて、段差部で基板24を保
持する。基板24と貫通孔21aの側面には、図2
(a)のようにオリフラ10が形成されており、基板2
4が回転するのを防止している。基板パレット21上に
は、貫通孔21aを挟んで対向する位置に、2本の棒状
の永久磁石28a、28bが平行に配置されている。永
久磁石28a、28bは、基板24に対して、オリフラ
10と平行な方向の磁界6を印加する。
【0025】次に、処理室11a、11b、11cの内
部の構造を図1を用いて説明する。処理室11aには、
基板パレット21を支持するためのパレット支持機構2
5aと、基板24にスパッタ成膜するためのターゲット
23aと、ターゲット23aに電圧を印加するためのR
F電源22aとが配置されている。図1には、処理室1
1aのみ示したが処理室11b、11cも同様の構成で
ある。図示していないが処理室11bには、処理室11
aと同様の配置で、パレット支持機構25bと、ターゲ
ットと、RF電源とが配置されている。処理室11cに
も、同様の配置で、パレット支持機構25cと、ターゲ
ットと、RF電源とが配置されている。パレット支持機
構25a、25b、25cは、z方向に基板パレット2
1を駆動するための駆動機構(図示せず)を備えてい
る。
部の構造を図1を用いて説明する。処理室11aには、
基板パレット21を支持するためのパレット支持機構2
5aと、基板24にスパッタ成膜するためのターゲット
23aと、ターゲット23aに電圧を印加するためのR
F電源22aとが配置されている。図1には、処理室1
1aのみ示したが処理室11b、11cも同様の構成で
ある。図示していないが処理室11bには、処理室11
aと同様の配置で、パレット支持機構25bと、ターゲ
ットと、RF電源とが配置されている。処理室11cに
も、同様の配置で、パレット支持機構25cと、ターゲ
ットと、RF電源とが配置されている。パレット支持機
構25a、25b、25cは、z方向に基板パレット2
1を駆動するための駆動機構(図示せず)を備えてい
る。
【0026】次にx方向搬送機構15a、15b、15
cと、y方向搬送機構16a、16b、16cとの構成
および動作について図4を用いて説明する。図4には、
x方向搬送機構15b、15cおよびy方向搬送機構1
6b、16cのみ示しているが、x方向搬送機構15a
およびy方向搬送機構16aも同様の構成である。x方
向搬送機構15bは、図4(a)に示すように、キャタ
ピラ31bを有している。キャタピラ31bの一方の車
軸には、ギア32bを介してモータ33bが接続されて
いて、キャタピラ31bを駆動する。モータ33bは、
制御装置41の指示に従って、キャタピラ31bを駆動
する。
cと、y方向搬送機構16a、16b、16cとの構成
および動作について図4を用いて説明する。図4には、
x方向搬送機構15b、15cおよびy方向搬送機構1
6b、16cのみ示しているが、x方向搬送機構15a
およびy方向搬送機構16aも同様の構成である。x方
向搬送機構15bは、図4(a)に示すように、キャタ
ピラ31bを有している。キャタピラ31bの一方の車
軸には、ギア32bを介してモータ33bが接続されて
いて、キャタピラ31bを駆動する。モータ33bは、
制御装置41の指示に従って、キャタピラ31bを駆動
する。
【0027】また、キャタピラの内側には、1対のセン
サ34b、35bが配置されている。センサ34b、3
5bは、対象物に光を照射し、反射光を検出することに
より対象物の存在を検出するセンサである。センサ34
bと35bの間隔は、基板パレット21の幅と等しく配
置されている。センサ34bと35bの出力信号は、制
御装置41に入力される。制御装置41は、センサ34
b、35bの信号から、基板パレット21がx方向搬送
機構15b上のどの位置にあるかを判断しながらモータ
33bを駆動し、y方向搬送機構16bの正面で基板パ
レット21を停止させる。x方向搬送機構15cも同様
に、キャタピラ31cとギア32cとモータ33cとセ
ンサ34c、35cとを備えて構成される。
サ34b、35bが配置されている。センサ34b、3
5bは、対象物に光を照射し、反射光を検出することに
より対象物の存在を検出するセンサである。センサ34
bと35bの間隔は、基板パレット21の幅と等しく配
置されている。センサ34bと35bの出力信号は、制
御装置41に入力される。制御装置41は、センサ34
b、35bの信号から、基板パレット21がx方向搬送
機構15b上のどの位置にあるかを判断しながらモータ
33bを駆動し、y方向搬送機構16bの正面で基板パ
レット21を停止させる。x方向搬送機構15cも同様
に、キャタピラ31cとギア32cとモータ33cとセ
ンサ34c、35cとを備えて構成される。
【0028】制御装置41は、キャタピラ31b上の基
板パレット21を、キャタピラ31c上に移動させる場
合には、モータ33bとモータ33cとを正方向に回転
させる。また、キャタピラ31c上の基板パレット21
を、キャタピラ31b上に移動させる場合には、モータ
33bとモータ33cとを逆方向に回転させる。モータ
33bと、モータ33cと、図示しないx方向搬送機構
15aのモータとは、それぞれ独立に、異なる方向に回
転させることが可能である。したがって、x方向搬送機
構15aを正方向に駆動して仕込室12から基板パレッ
ト21を取込みながら、x方向搬送機構15b、15c
を逆方向に駆動して、例えば、x方向搬送機構15c上
の基板パレット21をx方向搬送機構15b上に移動さ
せることができる。
板パレット21を、キャタピラ31c上に移動させる場
合には、モータ33bとモータ33cとを正方向に回転
させる。また、キャタピラ31c上の基板パレット21
を、キャタピラ31b上に移動させる場合には、モータ
33bとモータ33cとを逆方向に回転させる。モータ
33bと、モータ33cと、図示しないx方向搬送機構
15aのモータとは、それぞれ独立に、異なる方向に回
転させることが可能である。したがって、x方向搬送機
構15aを正方向に駆動して仕込室12から基板パレッ
ト21を取込みながら、x方向搬送機構15b、15c
を逆方向に駆動して、例えば、x方向搬送機構15c上
の基板パレット21をx方向搬送機構15b上に移動さ
せることができる。
【0029】y方向搬送機構16bは、キャタピラ31
bの内側に配置されたリフト機構36bと、基板パレッ
トを搭載して移動させるフォーク部材38bと、ギアを
介してフォーク部材38bをy方向に駆動する駆動装置
39bとを備えている。y方向搬送機構16cは、リフ
ト機構36cと、フォーク部材38cと、駆動装置39
cとを備えている。リフト機構36b、36cには、こ
れらをz方向に駆動する駆動機構71b、71cが接続
されている。
bの内側に配置されたリフト機構36bと、基板パレッ
トを搭載して移動させるフォーク部材38bと、ギアを
介してフォーク部材38bをy方向に駆動する駆動装置
39bとを備えている。y方向搬送機構16cは、リフ
ト機構36cと、フォーク部材38cと、駆動装置39
cとを備えている。リフト機構36b、36cには、こ
れらをz方向に駆動する駆動機構71b、71cが接続
されている。
【0030】ここで、基板パレット21を搬送室14か
ら処理室11bに搬入する際の動作について説明する。
リフト機構36bは、キャタピラ31bに搭載されてい
るパレット21をz方向(上下方向)に持ち上げて、キ
ャタピラ31bから浮かせる。フォーク部材38bは、
リフト機構36bによって持ち上げられた基板パレット
21と、キャタピラ31bとの間に差し込まれる。この
状態でリフト機構36bを下降させると、フォーク部材
38b上に基板パレット21が搭載される。
ら処理室11bに搬入する際の動作について説明する。
リフト機構36bは、キャタピラ31bに搭載されてい
るパレット21をz方向(上下方向)に持ち上げて、キ
ャタピラ31bから浮かせる。フォーク部材38bは、
リフト機構36bによって持ち上げられた基板パレット
21と、キャタピラ31bとの間に差し込まれる。この
状態でリフト機構36bを下降させると、フォーク部材
38b上に基板パレット21が搭載される。
【0031】次に、駆動装置39bを駆動して、基板パ
レット21を搭載したフォーク部材38bを、処理室1
1bまで移動させる。処理室11b内のパレット支持機
構25bを、基板パレット21が処理室11b内に搬入
された時に上昇させる。パレット支持機構25bは、基
板パレット21を支持し、フォーク部材38bから基板
パレット21を受けとる。再び駆動装置39bを駆動
し、フォーク部材38bを、搬送室14に戻す。パレッ
ト支持機構25bを、予め定められた成膜に適した高さ
まで上下動させ、成膜終了までその位置で基板パレット
21を支持させる。成膜終了後は、上述の逆の動作で、
基板パレット21を処理室11bから搬送室14のキャ
タピラ31b上に移動させる。駆動装置39b、39
c、搬送室14のリフト機構36b、36cの駆動機構
71b、71c、および、処理室11b、11cのパレ
ット支持機構25b、25cの駆動機構(図示せず)
は、すべて制御装置41の指示に従って、上述のタイミ
ングで駆動する。
レット21を搭載したフォーク部材38bを、処理室1
1bまで移動させる。処理室11b内のパレット支持機
構25bを、基板パレット21が処理室11b内に搬入
された時に上昇させる。パレット支持機構25bは、基
板パレット21を支持し、フォーク部材38bから基板
パレット21を受けとる。再び駆動装置39bを駆動
し、フォーク部材38bを、搬送室14に戻す。パレッ
ト支持機構25bを、予め定められた成膜に適した高さ
まで上下動させ、成膜終了までその位置で基板パレット
21を支持させる。成膜終了後は、上述の逆の動作で、
基板パレット21を処理室11bから搬送室14のキャ
タピラ31b上に移動させる。駆動装置39b、39
c、搬送室14のリフト機構36b、36cの駆動機構
71b、71c、および、処理室11b、11cのパレ
ット支持機構25b、25cの駆動機構(図示せず)
は、すべて制御装置41の指示に従って、上述のタイミ
ングで駆動する。
【0032】仕切弁18a、18b、18cは、基板パ
レット21を搬送室14と処理室11a、11b、11
cとの間で移動させる時のみ開放される。仕切弁18d
は、仕込室12から搬送室14へ基板パレット21を搬
送するときのみ開放される。また、仕切弁18eは、搬
送室14から取出室13へ基板パレット21を搬送する
時のみ開放される。これら仕切弁18a、18b、18
c、18d、18eの開閉は制御手段41によって制御
されている。
レット21を搬送室14と処理室11a、11b、11
cとの間で移動させる時のみ開放される。仕切弁18d
は、仕込室12から搬送室14へ基板パレット21を搬
送するときのみ開放される。また、仕切弁18eは、搬
送室14から取出室13へ基板パレット21を搬送する
時のみ開放される。これら仕切弁18a、18b、18
c、18d、18eの開閉は制御手段41によって制御
されている。
【0033】つぎに、本実施例のインライン成膜装置を
用いて、3つの磁性材料A,B,Cからなる膜が基板上
にA,B,C,Bの順に積層された多層膜を、作製する
場合の装置の動作について説明する。まず、処理室11
aに材料Aからなるターゲット23aを配置し、処理室
11bに材料Bからなるターゲットを配置し、処理室1
1cに材料Cからなるターゲットを配置する。本実施例
のインライン成膜装置の各部の動作は制御装置41によ
って、制御されている。
用いて、3つの磁性材料A,B,Cからなる膜が基板上
にA,B,C,Bの順に積層された多層膜を、作製する
場合の装置の動作について説明する。まず、処理室11
aに材料Aからなるターゲット23aを配置し、処理室
11bに材料Bからなるターゲットを配置し、処理室1
1cに材料Cからなるターゲットを配置する。本実施例
のインライン成膜装置の各部の動作は制御装置41によ
って、制御されている。
【0034】まず、ユーザは、装置の外部で基板パレッ
ト21に基板24を搭載する。基板パレット21には、
既述のように永久磁石28a、28bが搭載されている
ので、セットされた基板24には磁界が印加される。つ
ぎに、ユーザは、仕込室12の開閉ドア17aを空け
て、基板24を搭載した基板パレット21を仕込室搬送
機構15d上に置き、ドアを閉める。制御装置41は、
真空排気設備19eにより仕込室12を真空排気する。
制御装置41は、搬送室14と、処理室11a、11
b、11cもそれぞれの真空設備19a、19b、19
c、19dによって、真空排気する。真空排気後、仕切
弁18dを開け、仕込室搬送機構15dとx方向搬送機
構15aとを正方向に駆動し、基板パレット21を成膜
処理室11aの前面(y方向搬送機構16aの正面)に
運ぶ。つぎに、y方向搬送機構16aにより、既に真空
排気済の成膜処理室11a内に搬入し、基板パレット支
持機構25a上に基板パレット21を置き、仕切弁18
aを閉止する。
ト21に基板24を搭載する。基板パレット21には、
既述のように永久磁石28a、28bが搭載されている
ので、セットされた基板24には磁界が印加される。つ
ぎに、ユーザは、仕込室12の開閉ドア17aを空け
て、基板24を搭載した基板パレット21を仕込室搬送
機構15d上に置き、ドアを閉める。制御装置41は、
真空排気設備19eにより仕込室12を真空排気する。
制御装置41は、搬送室14と、処理室11a、11
b、11cもそれぞれの真空設備19a、19b、19
c、19dによって、真空排気する。真空排気後、仕切
弁18dを開け、仕込室搬送機構15dとx方向搬送機
構15aとを正方向に駆動し、基板パレット21を成膜
処理室11aの前面(y方向搬送機構16aの正面)に
運ぶ。つぎに、y方向搬送機構16aにより、既に真空
排気済の成膜処理室11a内に搬入し、基板パレット支
持機構25a上に基板パレット21を置き、仕切弁18
aを閉止する。
【0035】処理室11a内に基板パレットが搬入され
たら、RF電源22aからターゲット23aに電圧を印
加して、スパッタを開始する。材料Aのスパッタ粒子
は、基板24のターゲット23a側の面に衝突し、ここ
に材料Aの膜を形成する。この時、基板パレット21上
に固定された永久磁石28a、28bにより、基板24
には磁界6が印加されているので、この磁界により、ス
パッタ粒子の磁気方向は揃えられ、磁気的に配向した膜
が形成される。
たら、RF電源22aからターゲット23aに電圧を印
加して、スパッタを開始する。材料Aのスパッタ粒子
は、基板24のターゲット23a側の面に衝突し、ここ
に材料Aの膜を形成する。この時、基板パレット21上
に固定された永久磁石28a、28bにより、基板24
には磁界6が印加されているので、この磁界により、ス
パッタ粒子の磁気方向は揃えられ、磁気的に配向した膜
が形成される。
【0036】成膜が終了した後、仕切弁18aを開放
し、y方向搬送機構16aを駆動して、基板パレット2
1を搬送室14内に取り出し、x方向搬送機構15aに
基板パレットを受け渡す。つぎに、x方向搬送機構15
a、15bとを同時に正方向駆動し、基板パレット21
を成膜処理室11bの前面(y方向搬送機構16bの正
面)に運ぶ。この間も永久磁石28a、28bから、磁
界6が基板24に印加されているので、材料Aの膜が完
全に冷却される前に処理室11aから取り出しても、膜
の配向が乱れることはない。そして、上述の動作を繰り
返して、処理室11bにおいて、材料Aの膜上に材料B
の膜を形成する。続けてさらに、上述の動作を繰返し、
処理室11cにおいて、材料Bの膜上にさらに材料Cの
膜を形成する。
し、y方向搬送機構16aを駆動して、基板パレット2
1を搬送室14内に取り出し、x方向搬送機構15aに
基板パレットを受け渡す。つぎに、x方向搬送機構15
a、15bとを同時に正方向駆動し、基板パレット21
を成膜処理室11bの前面(y方向搬送機構16bの正
面)に運ぶ。この間も永久磁石28a、28bから、磁
界6が基板24に印加されているので、材料Aの膜が完
全に冷却される前に処理室11aから取り出しても、膜
の配向が乱れることはない。そして、上述の動作を繰り
返して、処理室11bにおいて、材料Aの膜上に材料B
の膜を形成する。続けてさらに、上述の動作を繰返し、
処理室11cにおいて、材料Bの膜上にさらに材料Cの
膜を形成する。
【0037】処理室11cの成膜処理が終了したら、x
方向搬送機構15c、15bを逆方向に同時に駆動し、
再び、処理室11bの前面に基板パレット21を搬送す
る。そして、再び、処理室11bで成膜処理を行ない、
材料Cの膜上に材料Bの膜を形成する。処理後は、x方
向搬送機構15b、15cを正方向に駆動して、基板パ
レット21を搬送する。基板パレット21が仕切弁18
eの前まで来たら仕切弁18eを開放し、x方向搬送機
構15cと取出室搬送機構15eとを同時に正方向に駆
動して、取出室13に基板パレットを移動させ、仕切弁
18eを閉じる。この時、予め取出室13内は、真空排
気しておく。取出室13を大気圧に戻した後、ユーザ
は、取出室13の取り出し用ドア17bを開けて外部に
基板24を搭載した基板パレット21を取り出す。
方向搬送機構15c、15bを逆方向に同時に駆動し、
再び、処理室11bの前面に基板パレット21を搬送す
る。そして、再び、処理室11bで成膜処理を行ない、
材料Cの膜上に材料Bの膜を形成する。処理後は、x方
向搬送機構15b、15cを正方向に駆動して、基板パ
レット21を搬送する。基板パレット21が仕切弁18
eの前まで来たら仕切弁18eを開放し、x方向搬送機
構15cと取出室搬送機構15eとを同時に正方向に駆
動して、取出室13に基板パレットを移動させ、仕切弁
18eを閉じる。この時、予め取出室13内は、真空排
気しておく。取出室13を大気圧に戻した後、ユーザ
は、取出室13の取り出し用ドア17bを開けて外部に
基板24を搭載した基板パレット21を取り出す。
【0038】本実施例で用いた基板パレット21上に
は、永久磁石28a、28bが取り付けられているの
で、常に一定方向の磁界6が基板24に印加される。し
たがって、搬送室14で基板パレットを搬送している間
であっても、磁界6は常に基板24に印加されている。
スパッタにより成膜すると基板24が加熱されるが、従
来、完全に冷却されないまま磁界から外されて搬送され
ていたため、搬送中に磁界の外で冷却され磁性膜の配向
方向がずれてしまうことがあった。本実施例のインライ
ン成膜装置では、搬送中であっても磁界が印加されてい
るので、成膜した磁性膜の配向方向が乱れる恐れがな
い。
は、永久磁石28a、28bが取り付けられているの
で、常に一定方向の磁界6が基板24に印加される。し
たがって、搬送室14で基板パレットを搬送している間
であっても、磁界6は常に基板24に印加されている。
スパッタにより成膜すると基板24が加熱されるが、従
来、完全に冷却されないまま磁界から外されて搬送され
ていたため、搬送中に磁界の外で冷却され磁性膜の配向
方向がずれてしまうことがあった。本実施例のインライ
ン成膜装置では、搬送中であっても磁界が印加されてい
るので、成膜した磁性膜の配向方向が乱れる恐れがな
い。
【0039】また、本実施例のインライン成膜装置は、
基板パレット21の永久磁石28a、28bによって、
終始基板24に磁界を印加するので基板24に対する磁
界の向きが途中で変化することがない。従って、従来の
ように、処理室ごとに配置された磁界発生手段の磁界の
向きを微調整して、完全に一致させるようなわずらわし
い動作は必要ない。また、途中で磁界の向きが変わって
しまうことによって、磁性膜の磁気的特性を劣化させる
ことがない。さらに、永久磁石28a、28bが、基板
24と同じ基板パレット21上に搭載されているので、
至近距離から磁界を印加することが可能である。よっ
て、発生する磁界強度が小さな小型な磁界発生手段すな
わち永久磁石等で効果的に磁界を印加することができ、
小型なインライン成膜装置が実現される。なお、磁界発
生手段は基板パレットとともに装置外に取り出されるの
で、磁界の方向を容易に調節することもできる。
基板パレット21の永久磁石28a、28bによって、
終始基板24に磁界を印加するので基板24に対する磁
界の向きが途中で変化することがない。従って、従来の
ように、処理室ごとに配置された磁界発生手段の磁界の
向きを微調整して、完全に一致させるようなわずらわし
い動作は必要ない。また、途中で磁界の向きが変わって
しまうことによって、磁性膜の磁気的特性を劣化させる
ことがない。さらに、永久磁石28a、28bが、基板
24と同じ基板パレット21上に搭載されているので、
至近距離から磁界を印加することが可能である。よっ
て、発生する磁界強度が小さな小型な磁界発生手段すな
わち永久磁石等で効果的に磁界を印加することができ、
小型なインライン成膜装置が実現される。なお、磁界発
生手段は基板パレットとともに装置外に取り出されるの
で、磁界の方向を容易に調節することもできる。
【0040】さらに本実施例のインライン成膜装置で
は、処理室11a、11b、11c内に搬送機構を配置
せず、処理室11a、11b、11cと搬送室14と仕
切弁18a、18b、18cによって隔絶し、この搬送
室14内に搬送機構を配置する構造を用いている。これ
により、x方向搬送機構15a、15b、15cおよび
y方向搬送機構16a、16b、16cに処理室内のス
パッタ粒子が付着することがない。したがって、搬送機
構の駆動部にスパッタ粒子が付着することによって駆動
部分が固渋するなどの不具合を発生する恐れがない。こ
れにより、固着を防ぐための定期的なメンテナンスを行
なう必要が無く、長期間の連続運転が可能になる。
は、処理室11a、11b、11c内に搬送機構を配置
せず、処理室11a、11b、11cと搬送室14と仕
切弁18a、18b、18cによって隔絶し、この搬送
室14内に搬送機構を配置する構造を用いている。これ
により、x方向搬送機構15a、15b、15cおよび
y方向搬送機構16a、16b、16cに処理室内のス
パッタ粒子が付着することがない。したがって、搬送機
構の駆動部にスパッタ粒子が付着することによって駆動
部分が固渋するなどの不具合を発生する恐れがない。こ
れにより、固着を防ぐための定期的なメンテナンスを行
なう必要が無く、長期間の連続運転が可能になる。
【0041】また、本実施例のインライン成膜装置で
は、x方向搬送機構15a、15b、15cを処理室1
1a、11b、11cごとに分割し、それぞれ独立させ
て、異なる方向に基板パレット21を搬送可能な構成と
した。これにより、複数の基板パレット21を同時に装
置内に搬入した場合に、一部の基板パレット21を正方
向に搬送しながら、別の搬送機構では他の基板パレット
21を負方向に搬送することが可能になる。従って、同
じ材料Bの膜を間隔を空けて2度成膜するような多層膜
を成膜する場合に、一部の基板パレット21を正方向に
駆動して別材料Aの膜を成膜しながら、他の基板パレッ
ト21を逆戻りさせて、材料Bで再成膜するという動作
が可能になる。従って、少ない処理室数で、効率良く多
層膜を成膜することができる。
は、x方向搬送機構15a、15b、15cを処理室1
1a、11b、11cごとに分割し、それぞれ独立させ
て、異なる方向に基板パレット21を搬送可能な構成と
した。これにより、複数の基板パレット21を同時に装
置内に搬入した場合に、一部の基板パレット21を正方
向に搬送しながら、別の搬送機構では他の基板パレット
21を負方向に搬送することが可能になる。従って、同
じ材料Bの膜を間隔を空けて2度成膜するような多層膜
を成膜する場合に、一部の基板パレット21を正方向に
駆動して別材料Aの膜を成膜しながら、他の基板パレッ
ト21を逆戻りさせて、材料Bで再成膜するという動作
が可能になる。従って、少ない処理室数で、効率良く多
層膜を成膜することができる。
【0042】さらに、x方向搬送機構15a、15b、
15cが処理室ごとに独立であるので、装置をユーザに
納品する際に、搬送機構を分割して輸送可能である。従
来、搬送機構は分割して輸送することができなかったた
めに、最大ライン長は輸送機関の長さに制限されてい
た。本実施例では、分割して輸送可能であるので、輸送
機関の長さに制限されることなく、ユーザに必要なだけ
十分に長いラインをもつインライン成膜装置を提供する
ことができる。
15cが処理室ごとに独立であるので、装置をユーザに
納品する際に、搬送機構を分割して輸送可能である。従
来、搬送機構は分割して輸送することができなかったた
めに、最大ライン長は輸送機関の長さに制限されてい
た。本実施例では、分割して輸送可能であるので、輸送
機関の長さに制限されることなく、ユーザに必要なだけ
十分に長いラインをもつインライン成膜装置を提供する
ことができる。
【0043】尚、上述の実施例では、磁界発生手段とし
て永久磁石を用いたが、これに限定されるものではな
く、磁気コイルを用いることも可能である。さらに、イ
ンライン成膜装置の内部において、指示に応じて、基板
パレット上の永久磁石の向きを指示された方向に変化さ
せる駆動手段を設けることも可能である。このような永
久磁石の向きを変える手段を設けた場合、膜毎に、任意
の異なる方向の磁界を印加した多層膜を作製することが
できる。また、本実施例では、処理室としてすべて成膜
手段を備えた処理室を用いたが、これに限定されるもの
ではなく、加熱処理、エッチング、ミリング等の処理室
を設けることももちろん可能である。
て永久磁石を用いたが、これに限定されるものではな
く、磁気コイルを用いることも可能である。さらに、イ
ンライン成膜装置の内部において、指示に応じて、基板
パレット上の永久磁石の向きを指示された方向に変化さ
せる駆動手段を設けることも可能である。このような永
久磁石の向きを変える手段を設けた場合、膜毎に、任意
の異なる方向の磁界を印加した多層膜を作製することが
できる。また、本実施例では、処理室としてすべて成膜
手段を備えた処理室を用いたが、これに限定されるもの
ではなく、加熱処理、エッチング、ミリング等の処理室
を設けることももちろん可能である。
【0044】また、図5のように、処理室11a、11
b、11cを搬送室14の両側に設けることも可能であ
る。このように、搬送室14の両側に処理室を設置する
ことにより、ラインの全長を著しく短くすることが可能
である。
b、11cを搬送室14の両側に設けることも可能であ
る。このように、搬送室14の両側に処理室を設置する
ことにより、ラインの全長を著しく短くすることが可能
である。
【0045】上述のインライン成膜装置において、予備
室としてさらに3つの処理室11g、11h、11iを
備えた装置の例を図6に示す。処理室11gは、処理室
11aと同じ材料Aのターゲットを備え、処理室11h
は、処理室11bと同じ材料Bのターゲットを備え、処
理室11iは、処理室11cと同じ材料のターゲットを
備えている。搬送室14内には、処理室11g、11
h、11i用のx方向搬送機構15g、15h、15i
と、y方向搬送機構16g、16h、16iが配置され
る。当初の多層膜の成膜は、処理室11a、11b、1
1cにて実施する。処理室11aのターゲットが消耗し
てきた場合、処理室11aでの処理を処理室11gに切
換え、処理室11g、11b、11cにて多層膜の成膜
を実施する。処理室11g、11b、11cにて成膜を
実施しながら、処理室11aのターゲットを交換する。
次に、処理室11b内の清掃の周期がきた場合、処理室
11bでの処理は処理室11hでの処理に切り換え、処
理室11g、11h、11cにて多層膜の成膜を実施
し、この間に処理室11bのターゲットを交換する。こ
のように、それぞれの処理室の予備室を備えることによ
り、処理室の不具合、保守等が必要なばあいにも、装置
の停止をなくすことが可能である。
室としてさらに3つの処理室11g、11h、11iを
備えた装置の例を図6に示す。処理室11gは、処理室
11aと同じ材料Aのターゲットを備え、処理室11h
は、処理室11bと同じ材料Bのターゲットを備え、処
理室11iは、処理室11cと同じ材料のターゲットを
備えている。搬送室14内には、処理室11g、11
h、11i用のx方向搬送機構15g、15h、15i
と、y方向搬送機構16g、16h、16iが配置され
る。当初の多層膜の成膜は、処理室11a、11b、1
1cにて実施する。処理室11aのターゲットが消耗し
てきた場合、処理室11aでの処理を処理室11gに切
換え、処理室11g、11b、11cにて多層膜の成膜
を実施する。処理室11g、11b、11cにて成膜を
実施しながら、処理室11aのターゲットを交換する。
次に、処理室11b内の清掃の周期がきた場合、処理室
11bでの処理は処理室11hでの処理に切り換え、処
理室11g、11h、11cにて多層膜の成膜を実施
し、この間に処理室11bのターゲットを交換する。こ
のように、それぞれの処理室の予備室を備えることによ
り、処理室の不具合、保守等が必要なばあいにも、装置
の停止をなくすことが可能である。
【0046】 また、本実施例では、搬送室14と処理室
11a、11b、11cとが、仕切弁18a、18b、
18cで隔絶されているため、搬送室14内にはスパッ
タ粒子等が付着しない。したがって、搬送室14内の保
守点検の必要は従来より格段に低減され、さらに長期間
の連続運転が可能になる。
11a、11b、11cとが、仕切弁18a、18b、
18cで隔絶されているため、搬送室14内にはスパッ
タ粒子等が付着しない。したがって、搬送室14内の保
守点検の必要は従来より格段に低減され、さらに長期間
の連続運転が可能になる。
【0047】また、上述の実施例では、インライン型の
成膜装置について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、1室のみの真空容器の内部
に、基板パレット21を支持する支持機構を固定的に取
り付け、基板パレット21を搭載する構成にすることも
できる。真空容器には、成膜手段としてスパッタターゲ
ットと、電源とを取り付けておく。基板パレット21に
は、図2のように、永久磁石28a、28bを取り付け
ておく。このような1室のみの真空装置においても、本
実施例の基板パレット21等を用いることにより、基板
を基板パレット21ごと取り出すことができるので、真
空容器から基板上の膜が完全に冷却される前に取り出し
た場合であっても、永久磁石28a、28bから磁界が
印加され続けるため膜の配向が乱れることがない。ま
た、成膜後すぐに基板パレット21を取り出すことがで
きるので、真空容器の稼働効率を高めることが可能であ
る。
成膜装置について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、1室のみの真空容器の内部
に、基板パレット21を支持する支持機構を固定的に取
り付け、基板パレット21を搭載する構成にすることも
できる。真空容器には、成膜手段としてスパッタターゲ
ットと、電源とを取り付けておく。基板パレット21に
は、図2のように、永久磁石28a、28bを取り付け
ておく。このような1室のみの真空装置においても、本
実施例の基板パレット21等を用いることにより、基板
を基板パレット21ごと取り出すことができるので、真
空容器から基板上の膜が完全に冷却される前に取り出し
た場合であっても、永久磁石28a、28bから磁界が
印加され続けるため膜の配向が乱れることがない。ま
た、成膜後すぐに基板パレット21を取り出すことがで
きるので、真空容器の稼働効率を高めることが可能であ
る。
【0048】
【発明の効果】本発明の磁性膜形成装置では、基板が、
装置内のどこに位置しようとも、基板が基板パレットに
搭載されているかぎり、常に一定方向の磁界を印加する
ことができるため、磁気特性の優れた磁性膜を製造する
ことができる。
装置内のどこに位置しようとも、基板が基板パレットに
搭載されているかぎり、常に一定方向の磁界を印加する
ことができるため、磁気特性の優れた磁性膜を製造する
ことができる。
【図1】本発明の一実施例のインライン成膜装置の処理
室の断面図。
室の断面図。
【図2】(a)図1のインライン成膜装置の基板パレッ
トの斜視図。(b)図2(a)の基板パレットのb−b
断面図。
トの斜視図。(b)図2(a)の基板パレットのb−b
断面図。
【図3】図1のインライン成膜装置の全体の構成を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図4】図1のインライン成膜装置の搬送手段の構成を
示す部分断面図。
示す部分断面図。
【図5】本発明の一実施例のインライン成膜装置の別の
構成を示すブロック図。
構成を示すブロック図。
【図6】本発明の一実施例のインライン成膜装置のさら
に別の構成を示すブロック図。
に別の構成を示すブロック図。
【図7】磁界中成膜を行なうための従来の成膜装置の構
成を示す断面図。
成を示す断面図。
【図8】磁界中成膜を行なうための従来の成膜装置の構
成を示す断面図。
成を示す断面図。
【図9】従来のインライン成膜装置の全体の構成を示す
ブロック図。
ブロック図。
1a、1b、1c、1d、11a、11b、11c、1
1g、11h、11i…処理室、2、12…仕込室、
3、13…取出室、4a、4b、4c、4d…ヘルムホ
ルツ磁気コイル、6…磁界、10…オリフラ、14…搬
送室、15a、15b、15c、15g、15h、15
i…x方向搬送機構、16a、16b、16c、16
g、16h、16i…y方向搬送機構、18a、18
b、18c、18d、18e…仕切弁、19a、19
b、19c、19d、19e、19f…真空排気設備、
21…基板パレット、24…基板、31b、31c…キ
ャタピラ、32b、32c…ギア、33b、33c…モ
ータ、34b、34c、35b、35c…センサ、36
b、36c…リフト機構、38b、38c…フォーク部
材、39b、39c…駆動装置。
1g、11h、11i…処理室、2、12…仕込室、
3、13…取出室、4a、4b、4c、4d…ヘルムホ
ルツ磁気コイル、6…磁界、10…オリフラ、14…搬
送室、15a、15b、15c、15g、15h、15
i…x方向搬送機構、16a、16b、16c、16
g、16h、16i…y方向搬送機構、18a、18
b、18c、18d、18e…仕切弁、19a、19
b、19c、19d、19e、19f…真空排気設備、
21…基板パレット、24…基板、31b、31c…キ
ャタピラ、32b、32c…ギア、33b、33c…モ
ータ、34b、34c、35b、35c…センサ、36
b、36c…リフト機構、38b、38c…フォーク部
材、39b、39c…駆動装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有松 啓治 茨城県日立市国分町一丁目1番1号 株 式会社 日立製作所 国分工場内 (72)発明者 萩谷 孝 茨城県日立市国分町一丁目1番1号 株 式会社 日立製作所 国分工場内 (72)発明者 山口 博右 茨城県日立市国分町一丁目1番1号 株 式会社 日立製作所 国分工場内 (56)参考文献 特開 平1−150260(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C23C 14/35,14/56
Claims (9)
- 【請求項1】真空容器と、前記真空容器内で基板を保持
し、その状態で前記真空容器外に取り出すことの可能な
基板パレットと、前記真空容器内で前記基板パレットを
支持する支持手段と、前記基板に成膜するための成膜手
段と、前記基板に磁界を印加するための磁界発生手段と
を有し、 前記磁界発生手段は、前記基板パレットに固定され、前
記基板パレットを前記真空容器外に取り出す場合には前
記基板パレットとともに前記真空容器外に取り出される
ことを特徴とする磁性膜形成装置。 - 【請求項2】真空容器と、基板を保持する基板パレット
と、前記真空容器内で前記基板パレットを支持し、前記
基板パレットを搬送する搬送手段と、前記基板に成膜す
るための成膜手段と、前記基板に磁界を印加するための
磁界発生手段とを有し、 前記磁界発生手段は、前記基板パレットに固定され、前
記基板パレットを前記搬送手段が搬送する際には前記基
板パレットとともに搬送されることを特徴とする磁性膜
形成装置。 - 【請求項3】請求項1または2において、前記磁界発生
手段は、永久磁石であることを特徴とする磁性膜形成装
置。 - 【請求項4】請求項2において、前記真空容器は、前記
基板に成膜するための処理室と、前記処理室に連結され
た搬送室とを有し、 前記搬送手段は、前記搬送室に配置され、 前記搬送手段は、前記処理室内の基板パレットを前記搬
送室内に搬入する搬入手段と、前記搬送室内の基板パレ
ットを前記処理室内に搬出する搬出手段とを有すること
を特徴とする磁性膜形成装置。 - 【請求項5】請求項4において、前記処理室は、複数の
処理室から構成され、前記搬送手段の前記搬入手段およ
び搬出手段は、それぞれ複数の処理室に対応して配置さ
れ、 前記搬送手段は、ある処理室に対応する搬入手段および
搬出手段から、他の処理室に対応する搬入手段および搬
出手段まで、前記基板パレットを移動させる移動手段を
さらに有することを特徴とする磁性膜形成装置。 - 【請求項6】請求項5において、前記移動手段は、前記
複数の処理室にそれぞれ対応する複数の部分に分割さ
れ、 前記複数の部分は、それぞれ独立に駆動され、それぞれ
正逆両方向に駆動可能であることを特徴とする磁性膜形
成装置。 - 【請求項7】基板に成膜するための複数の処理室と、前
記基板を搬送するための搬送室と、前記基板を前記処理
室から別の前記処理室に搬送するために前記搬送室に配
置された搬送手段とを有し、 前記搬送手段は、前記基板を搬送する行程を複数の区間
に分割して、それぞれの区間の搬送を受け持つ、複数の
部分からなり、 前記複数の部分は、それぞれ独立に駆動され、それぞれ
正逆両方向に駆動可能であることを特徴とするインライ
ン成膜装置。 - 【請求項8】搬送手段を備えた搬送室と、前記搬送室の
長手方向に沿って配置され、前記搬送室に連結された複
数の処理室と、前記複数の処理室に配置された成膜手段
と、基板を保持しその状態で前記搬送手段で搬送される
基板パレットとを有し、 前記基板パレットには、保持している基板に磁界を印加
するための磁界発生手段が固定され、 前記磁界発生手段は、基板パレットとともに前記搬送手
段により搬送されることを特徴とするインライン成膜装
置。 - 【請求項9】請求項8において、前記搬送手段は、前記
搬送室内の基板パレットを前記処理 室へ搬入する搬入手
段と、前記処理室内の基板パレットを前記搬送室へ搬出
する搬出手段と、前記搬送室の長手方向に沿って前記基
板パレットを移動させる移動手段とを有し、 前記搬入手段および搬出手段は、前記複数の処理室ごと
に配置され、 前記移動手段は、前記複数の処理室にそれぞれ対応する
複数の部分に分割され、 前記複数の部分は、それぞれ
独立に駆動され、それぞれ正逆両方向に駆動可能である
ことを特徴とするインライン成膜装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29051692A JP2759028B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 磁性膜形成装置およびインライン成膜装置 |
US08/141,728 US6290824B1 (en) | 1992-10-28 | 1993-10-27 | Magnetic film forming system |
US09/917,831 US6491802B2 (en) | 1992-10-28 | 2001-07-31 | Magnetic film forming system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29051692A JP2759028B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 磁性膜形成装置およびインライン成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06136530A JPH06136530A (ja) | 1994-05-17 |
JP2759028B2 true JP2759028B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=17757041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29051692A Expired - Fee Related JP2759028B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 磁性膜形成装置およびインライン成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2759028B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2843129B1 (fr) * | 2002-08-01 | 2006-01-06 | Tecmachine | Installation pour le traitement sous vide notamment de substrats |
JP5846780B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2016-01-20 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法、リチウムイオン二次電池の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP29051692A patent/JP2759028B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06136530A (ja) | 1994-05-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |