JP2720437B2 - パターン転写方法 - Google Patents
パターン転写方法Info
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、転写装置に装填したマスクから被転写体へ
パターンを転写するパターン転写方法に関するものであ
る。 〔発明の概要〕 本発明は、上記の様なパターン転写方法において、互
いに同一の第１及び第２のパターンを有する第１及び第
２のマスクを転写装置に順次に装填し、第１の被転写体
へ転写した第１及び第２のパターン同士を比較してこれ
ら第１及び第２のパターンにおける欠陥の存否を検査
し、転写装置に装填されたままの第２のマスクの第２の
パターンに欠陥が存在していないことが判別されるまで
転写及び検査を行うことによって、マスクが単一のパタ
ーンしか有していなくても、欠陥が存在していないパタ
ーンを第２の被転写体へ転写することができる様にした
ものである。 〔従来の技術〕 例えば、縮小投影露光装置を用いて半導体装置のリソ
グラフィ工程を行う場合、レチクル上のパターンに欠陥
が存在していると、半導体ウエハにも欠陥を有するパタ
ーンが転写されてしまう。 このため、一旦、テスト用の半導体ウエハを露光さ
せ、この半導体ウエハを検査して、レチクルの完全性を
事前に確認することが行われている。 ところで、この様な検査の方法としては、第２図に示
す様に、互いに等しい何個かのパターン11a、11bを有す
るレチクル12を用いて半導体ウエハ13の表面に順次に露
光させてゆき、半導体ウエハ13に転写されたパターン11
aと11bとを２本の顕微鏡で読み取り、これらのパターン
11a、11b同士を比較するという方法が多用されている。 即ち、レチクル12の例えばパターン11aに×印で示さ
れている様に欠陥が存在していても、パターン11bの同
じ位置に同じ形状の欠陥が存在している確率は極めて低
く実際にはあり得ない。 従って、比較結果が等しければ、レチクル12上のパタ
ーン11a、11bの何れにも欠陥が存在していないと判別す
ることができ、また比較結果が等しくなければ、レチク
ル12上のパターン11a、11bの少なくとも何れかに欠陥が
存在していると判別することができるからである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところで近年においては、大面積のCCD等を製造する
ために、１つのパターンの面積が大きくなってきてい
る。このため、１枚のレチクルには単一のパターンしか
形成できないことがある。 しかし上述の方法は、第３図に示す様に、１枚のレチ
クル12が互いに等しい複数のパターン11a〜11bを有して
いることを前提としている。 もし、レチクル12が単一のパターン11aしか有してい
なければ、このパターン11aに欠陥が存在していても、
半導体ウエハ13上のパターン11a同士の比較結果は常に
等しくなるからである。 このため、この様な場合のパターン検査方法として、
半導体ウエハ13上のパターン11a同士を比較するのでは
なく、データベースに記憶されている設計データを実際
的なパターンに補正し、この補正したパターンと半導体
ウエハ13上のパターン11aとを比較する方法も行われて
いる。 しかしこの様な方法では、設計データを補正するため
のコンピュータプログラム等が必要なためにコストが高
い。しかも、コストが高いにも拘らず、補正を行ってい
るために、比較結果の信頼性が高いとは言い難い。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明によるパターン転写方法は、第１のパターン21
を有する第１のマスク22を転写装置に装填して、前記第
１のパターン21を第１の被転写体13へ転写する工程と、
前記転写装置から前記第１のマスク22を取り外し、前記
第１のパターン21と同一である第２のパターン23を有す
る第２のマスク24を前記転写装置に装填して、前記第２
のパターン23を前記第１の被転写体13へ転写する工程
と、前記第２のマスク24を前記転写装置に装填したまま
で、前記第１の被転写体13へ転写された前記第１及び第
２のパターン21、23同士を比較してこれら第１及び第２
のパターン21、23における欠陥の存否を検査する工程
と、前記転写装置に装填されたままの前記第２のマスク
24の前記第２のパターン23に前記欠陥が存在していない
ことが判別されるまで、前記第１及び第２のパターン2
1、23の前記転写及び前記検査を行う工程と、前記転写
装置に装填されたままであり前記欠陥が存在していない
ことが判別された前記第２のマスク24の前記第２のパタ
ーン23を第２の被転写体へ転写する工程とを夫々具備し
ている。 〔作用〕 本発明によるパターン転写方法では、第１及び第２の
マスク22、24を転写装置に順次に装填して夫々の第１及
び第２のパターン21、23を第１の被転写体13に転写し、
これら第１及び第２のパターン21、23における欠陥の存
否を検査しているが、転写装置に装填されたままの第２
のマスク24の第２のパターン23に欠陥が存在していない
ことが判別されるまで、上述の転写及び検査を行ってい
る。 従って、第１及び第２のマスク22、24が夫々単一の第
１及び第２のパターン21、23しか有していなくて、第１
の被転写体13へ転写された第１及び第２のパターン21、
23同士を比較することによって欠陥の存否を検査するた
めに、上述の様に第１及び第２のマスク22、24を転写装
置に順次に装填していても、第２の被転写体へ転写され
る第２のパターン23を有している第２のマスク24は転写
装置に装填されたままで取り外し及び保管が行われない
ので、検査に際して第２のマスク24に新たな欠陥が発生
することを防止することができる。 〔実施例〕 以下、レチクル上のパターンの検査に適用した本発明
の一実施例を、第１図を参照しながら説明する。 本実施例では、第1A図に示す様に、単一のパターン21
のみを有するレチクル22を縮小投影露光装置（図示せ
ず）に装填し、半導体ウエハ13に複数のパターン21を縮
小転写する。 次に、レチクル22を縮小投影露光装置から取り外し、
第1B図に示す様に、パターン21と同一のパターン23を有
するレチクル24を縮小投影露光装置に装填し、半導体ウ
エハ13に複数のパターン23を縮小転写する。 なお、半導体装置の製造ラインでは、同一のパターン
を有するレチクルを予備として１〜２枚は必ず保有して
いる。 パターン23を半導体ウエハ13に転写し終えると、レチ
クル24を縮小投影露光装置に装填したままで、パターン
21、23同士を比較する。この比較は、比較結果の信頼性
を高めるために、複数組のパターン21、23同士について
行う。 比較結果が等しければ、レチクル22、24上のパターン
21、23の何れにも欠陥が存在していないことになるの
で、レチクル24が装填されたままの縮小投影露光装置
で、今度は量産用の半導体ウエハを順次に露光させる。 比較結果が等しくなければ、レチクル22、24上のパタ
ーン21、23の少なくとも何れかに欠陥が存在しているこ
とになるので、検査装置のモニタテレビを目視したりし
て、何れのパターン21、23に欠陥が存在しているかを判
別する。 なお、同一のパターンを有する３枚以上のレチクルで
各々のパターンを半導体ウエハ13へ転写し、３本以上の
顕微鏡でこれらのパターンを読み取り、読み取ったパタ
ーン同士を比較する様にすれば、欠陥が存在しているパ
ターンを、モニタテレビの目視等によらずに多数決で自
動的に判別することができる。 縮小投影露光装置から取り外されているレチクル22上
のパターン21に欠陥が存在しており、縮小投影露光装置
に装填されたままのレチクル24上のパターン23には欠陥
が存在していないことが判別されれば、その状態の縮小
投影露光装置で量産用の半導体ウエハを順次に露光させ
る。 その場合、レチクル22に対しては、付着した塵埃の洗
浄や剥離したクローム層の補修等を行う。 また逆に、縮小投影露光装置に装填されたままのレチ
クル24上のパターン23に欠陥が存在しており、縮小投影
露光装置から取り外されているレチクル22上のパターン
21には欠陥が存在していないことが判別されれば、レチ
クル24を縮小投影露光装置から取り外して、洗浄等を行
う。 しかし、欠陥が存在していなかったレチクル22を縮小
投影露光装置に装填して直ちに量産用の半導体ウエハを
露光させるということはしない。レチクル22を縮小投影
露光装置から取り外して保管していた間に、塵埃の付着
等による欠陥が発生している可能性があるからである。 この場合は、洗浄等を行ったレチクル24や第３のレチ
クルとレチクル22とにおける上述の様なパターン検査
を、縮小投影露光装置に装填されているレチクルには欠
陥が存在していないことが判別されるまで行う。そし
て、この様な判別が得られてから、その状態の縮小投影
露光装置で、量産用の半導体ウエハを順次に露光させ
る。 縮小投影露光装置に装填されたままのレチクル24上の
パターン23と、縮小投影露光装置から取り外されている
レチクル22上のパターン21との双方に欠陥が存在してい
ることが判別されれば、当然のことながら、何れのレチ
クル22、24に対しても洗浄等を行う。 〔発明の効果〕 本発明によるパターン転写方法では、マスクが単一の
パターンしか有していなくても、パターンにおける欠陥
の存否の検査に際してマスクに新たな欠陥が発生するこ
とを防止することができるので、欠陥が存在していない
パターンを被転写体へ転写することができる。
パターンを転写するパターン転写方法に関するものであ
る。 〔発明の概要〕 本発明は、上記の様なパターン転写方法において、互
いに同一の第１及び第２のパターンを有する第１及び第
２のマスクを転写装置に順次に装填し、第１の被転写体
へ転写した第１及び第２のパターン同士を比較してこれ
ら第１及び第２のパターンにおける欠陥の存否を検査
し、転写装置に装填されたままの第２のマスクの第２の
パターンに欠陥が存在していないことが判別されるまで
転写及び検査を行うことによって、マスクが単一のパタ
ーンしか有していなくても、欠陥が存在していないパタ
ーンを第２の被転写体へ転写することができる様にした
ものである。 〔従来の技術〕 例えば、縮小投影露光装置を用いて半導体装置のリソ
グラフィ工程を行う場合、レチクル上のパターンに欠陥
が存在していると、半導体ウエハにも欠陥を有するパタ
ーンが転写されてしまう。 このため、一旦、テスト用の半導体ウエハを露光さ
せ、この半導体ウエハを検査して、レチクルの完全性を
事前に確認することが行われている。 ところで、この様な検査の方法としては、第２図に示
す様に、互いに等しい何個かのパターン11a、11bを有す
るレチクル12を用いて半導体ウエハ13の表面に順次に露
光させてゆき、半導体ウエハ13に転写されたパターン11
aと11bとを２本の顕微鏡で読み取り、これらのパターン
11a、11b同士を比較するという方法が多用されている。 即ち、レチクル12の例えばパターン11aに×印で示さ
れている様に欠陥が存在していても、パターン11bの同
じ位置に同じ形状の欠陥が存在している確率は極めて低
く実際にはあり得ない。 従って、比較結果が等しければ、レチクル12上のパタ
ーン11a、11bの何れにも欠陥が存在していないと判別す
ることができ、また比較結果が等しくなければ、レチク
ル12上のパターン11a、11bの少なくとも何れかに欠陥が
存在していると判別することができるからである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところで近年においては、大面積のCCD等を製造する
ために、１つのパターンの面積が大きくなってきてい
る。このため、１枚のレチクルには単一のパターンしか
形成できないことがある。 しかし上述の方法は、第３図に示す様に、１枚のレチ
クル12が互いに等しい複数のパターン11a〜11bを有して
いることを前提としている。 もし、レチクル12が単一のパターン11aしか有してい
なければ、このパターン11aに欠陥が存在していても、
半導体ウエハ13上のパターン11a同士の比較結果は常に
等しくなるからである。 このため、この様な場合のパターン検査方法として、
半導体ウエハ13上のパターン11a同士を比較するのでは
なく、データベースに記憶されている設計データを実際
的なパターンに補正し、この補正したパターンと半導体
ウエハ13上のパターン11aとを比較する方法も行われて
いる。 しかしこの様な方法では、設計データを補正するため
のコンピュータプログラム等が必要なためにコストが高
い。しかも、コストが高いにも拘らず、補正を行ってい
るために、比較結果の信頼性が高いとは言い難い。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明によるパターン転写方法は、第１のパターン21
を有する第１のマスク22を転写装置に装填して、前記第
１のパターン21を第１の被転写体13へ転写する工程と、
前記転写装置から前記第１のマスク22を取り外し、前記
第１のパターン21と同一である第２のパターン23を有す
る第２のマスク24を前記転写装置に装填して、前記第２
のパターン23を前記第１の被転写体13へ転写する工程
と、前記第２のマスク24を前記転写装置に装填したまま
で、前記第１の被転写体13へ転写された前記第１及び第
２のパターン21、23同士を比較してこれら第１及び第２
のパターン21、23における欠陥の存否を検査する工程
と、前記転写装置に装填されたままの前記第２のマスク
24の前記第２のパターン23に前記欠陥が存在していない
ことが判別されるまで、前記第１及び第２のパターン2
1、23の前記転写及び前記検査を行う工程と、前記転写
装置に装填されたままであり前記欠陥が存在していない
ことが判別された前記第２のマスク24の前記第２のパタ
ーン23を第２の被転写体へ転写する工程とを夫々具備し
ている。 〔作用〕 本発明によるパターン転写方法では、第１及び第２の
マスク22、24を転写装置に順次に装填して夫々の第１及
び第２のパターン21、23を第１の被転写体13に転写し、
これら第１及び第２のパターン21、23における欠陥の存
否を検査しているが、転写装置に装填されたままの第２
のマスク24の第２のパターン23に欠陥が存在していない
ことが判別されるまで、上述の転写及び検査を行ってい
る。 従って、第１及び第２のマスク22、24が夫々単一の第
１及び第２のパターン21、23しか有していなくて、第１
の被転写体13へ転写された第１及び第２のパターン21、
23同士を比較することによって欠陥の存否を検査するた
めに、上述の様に第１及び第２のマスク22、24を転写装
置に順次に装填していても、第２の被転写体へ転写され
る第２のパターン23を有している第２のマスク24は転写
装置に装填されたままで取り外し及び保管が行われない
ので、検査に際して第２のマスク24に新たな欠陥が発生
することを防止することができる。 〔実施例〕 以下、レチクル上のパターンの検査に適用した本発明
の一実施例を、第１図を参照しながら説明する。 本実施例では、第1A図に示す様に、単一のパターン21
のみを有するレチクル22を縮小投影露光装置（図示せ
ず）に装填し、半導体ウエハ13に複数のパターン21を縮
小転写する。 次に、レチクル22を縮小投影露光装置から取り外し、
第1B図に示す様に、パターン21と同一のパターン23を有
するレチクル24を縮小投影露光装置に装填し、半導体ウ
エハ13に複数のパターン23を縮小転写する。 なお、半導体装置の製造ラインでは、同一のパターン
を有するレチクルを予備として１〜２枚は必ず保有して
いる。 パターン23を半導体ウエハ13に転写し終えると、レチ
クル24を縮小投影露光装置に装填したままで、パターン
21、23同士を比較する。この比較は、比較結果の信頼性
を高めるために、複数組のパターン21、23同士について
行う。 比較結果が等しければ、レチクル22、24上のパターン
21、23の何れにも欠陥が存在していないことになるの
で、レチクル24が装填されたままの縮小投影露光装置
で、今度は量産用の半導体ウエハを順次に露光させる。 比較結果が等しくなければ、レチクル22、24上のパタ
ーン21、23の少なくとも何れかに欠陥が存在しているこ
とになるので、検査装置のモニタテレビを目視したりし
て、何れのパターン21、23に欠陥が存在しているかを判
別する。 なお、同一のパターンを有する３枚以上のレチクルで
各々のパターンを半導体ウエハ13へ転写し、３本以上の
顕微鏡でこれらのパターンを読み取り、読み取ったパタ
ーン同士を比較する様にすれば、欠陥が存在しているパ
ターンを、モニタテレビの目視等によらずに多数決で自
動的に判別することができる。 縮小投影露光装置から取り外されているレチクル22上
のパターン21に欠陥が存在しており、縮小投影露光装置
に装填されたままのレチクル24上のパターン23には欠陥
が存在していないことが判別されれば、その状態の縮小
投影露光装置で量産用の半導体ウエハを順次に露光させ
る。 その場合、レチクル22に対しては、付着した塵埃の洗
浄や剥離したクローム層の補修等を行う。 また逆に、縮小投影露光装置に装填されたままのレチ
クル24上のパターン23に欠陥が存在しており、縮小投影
露光装置から取り外されているレチクル22上のパターン
21には欠陥が存在していないことが判別されれば、レチ
クル24を縮小投影露光装置から取り外して、洗浄等を行
う。 しかし、欠陥が存在していなかったレチクル22を縮小
投影露光装置に装填して直ちに量産用の半導体ウエハを
露光させるということはしない。レチクル22を縮小投影
露光装置から取り外して保管していた間に、塵埃の付着
等による欠陥が発生している可能性があるからである。 この場合は、洗浄等を行ったレチクル24や第３のレチ
クルとレチクル22とにおける上述の様なパターン検査
を、縮小投影露光装置に装填されているレチクルには欠
陥が存在していないことが判別されるまで行う。そし
て、この様な判別が得られてから、その状態の縮小投影
露光装置で、量産用の半導体ウエハを順次に露光させ
る。 縮小投影露光装置に装填されたままのレチクル24上の
パターン23と、縮小投影露光装置から取り外されている
レチクル22上のパターン21との双方に欠陥が存在してい
ることが判別されれば、当然のことながら、何れのレチ
クル22、24に対しても洗浄等を行う。 〔発明の効果〕 本発明によるパターン転写方法では、マスクが単一の
パターンしか有していなくても、パターンにおける欠陥
の存否の検査に際してマスクに新たな欠陥が発生するこ
とを防止することができるので、欠陥が存在していない
パターンを被転写体へ転写することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を順次に示す斜視図、第２図
は本発明の一従来例を示す斜視図、第３図は一従来例に
よる検査の対象となっているパターンの正面図である。 なお図面に用いた符号において、 13……半導体ウエハ 21……パターン 22……レチクル 23……パターン 24……レチクル である。
は本発明の一従来例を示す斜視図、第３図は一従来例に
よる検査の対象となっているパターンの正面図である。 なお図面に用いた符号において、 13……半導体ウエハ 21……パターン 22……レチクル 23……パターン 24……レチクル である。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．第１のパターンを有する第１のマスクを転写装置に
装填して、前記第１のパターンを第１の被転写体へ転写
する工程と、 前記転写装置から前記第１のマスクを取り外し、前記第
１のパターンと同一である第２のパターンを有する第２
のマスクを前記転写装置に装填して、前記第２のパター
ンを前記第１の被転写体へ転写する工程と、 前記第２のマスクを前記転写装置に装填したままで、前
記第１の被転写体へ転写された前記第１及び第２のパタ
ーン同士を比較してこれら第１及び第２のパターンにお
ける欠陥の存否を検査する工程と、 前記転写装置に装填されたままの前記第２のマスクの前
記第２のパターンに前記欠陥が存在していないことが判
別されるまで、前記第１及び第２のパターンの前記転写
及び前記検査を行う工程と、 前記転写装置に装填されたままであり前記欠陥が存在し
ていないことが判別された前記第２のマスクの前記第２
のパターンを第２の被転写体へ転写する工程とを夫々具
備するパターン転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23446087A JP2720437B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | パターン転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23446087A JP2720437B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | パターン転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6477139A JPS6477139A (en) | 1989-03-23 |
| JP2720437B2 true JP2720437B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=16971349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23446087A Expired - Fee Related JP2720437B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | パターン転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2720437B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS542071A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Inspection method of pattern defect for photo mask |
| JPS56110923A (en) * | 1980-02-04 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Reduction, projection and exposure device |
| JPS5758151A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Nec Corp | Manufacturing and inspecting method for photomask |
-
1987
- 1987-09-18 JP JP23446087A patent/JP2720437B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6477139A (en) | 1989-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |