JP2578458B2 - キラル液晶化合物の混合物とそれを含む装置 - Google Patents
キラル液晶化合物の混合物とそれを含む装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は強誘電性スメクチック液晶混合物に使用する
のに適した新規のキラル化合物、そのような混合物及び
それらを含有する装置に関する。
のに適した新規のキラル化合物、そのような混合物及び
それらを含有する装置に関する。
強誘電性スメクチック液晶材料は、キラル傾斜スメク
チック(chiral tilted smectic)なC,F,G,H,I,J及びK
相(S* Cなどと表わし、*はキラル性を示している)
の強誘電性特性を使用している。SC相が最も流体である
ために一般に最も有用であり、液晶装置中での表面整列
を助けるためにキラルスメクチック相以上の温度で、材
料がSA又はネマチック(Nと表わす)相を示すことが特
に望ましい。強誘電性液晶材料は低い粘度、室温を含む
広い温度域で存在するSC相、化学的及び光化学的安定性
を有しているのが望ましく、特に、nCcm-2で測定した自
発分極係数(spontaneous polarisation coefficient)
PSが良好なことが望ましい。このような材料は、非常に
迅速にスウィッチできる液晶表示装置を可能にする。
チック(chiral tilted smectic)なC,F,G,H,I,J及びK
相(S* Cなどと表わし、*はキラル性を示している)
の強誘電性特性を使用している。SC相が最も流体である
ために一般に最も有用であり、液晶装置中での表面整列
を助けるためにキラルスメクチック相以上の温度で、材
料がSA又はネマチック(Nと表わす)相を示すことが特
に望ましい。強誘電性液晶材料は低い粘度、室温を含む
広い温度域で存在するSC相、化学的及び光化学的安定性
を有しているのが望ましく、特に、nCcm-2で測定した自
発分極係数(spontaneous polarisation coefficient)
PSが良好なことが望ましい。このような材料は、非常に
迅速にスウィッチできる液晶表示装置を可能にする。
いくつかの単一化合物が上記に概説した所望特性の全
てを示すにもかかわらず、今日使用されている強誘電性
スメクチック液晶材料は一般に一緒になってキラル傾斜
スメクチック相を示す化合物の混合物からなっている。
このような混合物中の化合物のいくつかは、一緒でも個
々にでもスメクチック相(必ずしもキラルスメクチック
相でなくてもよい)を示す型の「スメクチックホスト」
と呼ばれるものであり、いくつかは混合物の特性を改善
する、例えば、望ましくないスメクチック相を抑制する
添加剤であり、1つ又はそれ以上のものは、混合物を理
想的には良好なPSを有するキラルスメクチックにする光
学的に活性な化合物である。このような光学活性化合物
を当業者は「キラルドーパント(chiral dopants)」と
呼んでいる。
てを示すにもかかわらず、今日使用されている強誘電性
スメクチック液晶材料は一般に一緒になってキラル傾斜
スメクチック相を示す化合物の混合物からなっている。
このような混合物中の化合物のいくつかは、一緒でも個
々にでもスメクチック相(必ずしもキラルスメクチック
相でなくてもよい)を示す型の「スメクチックホスト」
と呼ばれるものであり、いくつかは混合物の特性を改善
する、例えば、望ましくないスメクチック相を抑制する
添加剤であり、1つ又はそれ以上のものは、混合物を理
想的には良好なPSを有するキラルスメクチックにする光
学的に活性な化合物である。このような光学活性化合物
を当業者は「キラルドーパント(chiral dopants)」と
呼んでいる。
PCT特許出願WO86/00087はキラル基: 〔式中、XはCl,CN又はCH3を表わし、R1及びR2は分子の
残基を表わす〕を含有する一連の光学活性な液晶化合物
を記している。記載された化合物の全部はメソゲニック
な単位としてフェニル−ピリミジン基 を必ず含有している。記載された短かい分子では特にピ
リミジン環が有用であると云われている。何故ならば、
その分子配列が塊の中では分子間距離を増加させ、従っ
て粘度を低下させるからである。多くの化合物中、 および が記載されている。これらの2つの化合物はそれらだけ
でスメクチック相を示すのではない。
残基を表わす〕を含有する一連の光学活性な液晶化合物
を記している。記載された化合物の全部はメソゲニック
な単位としてフェニル−ピリミジン基 を必ず含有している。記載された短かい分子では特にピ
リミジン環が有用であると云われている。何故ならば、
その分子配列が塊の中では分子間距離を増加させ、従っ
て粘度を低下させるからである。多くの化合物中、 および が記載されている。これらの2つの化合物はそれらだけ
でスメクチック相を示すのではない。
PCT出願WO87/05015は一般式 〔式中、XはCN、ハロゲン又はCH3でありえ、R1及びR2
はアルキル又はアルコキシでありえ、Q1,Q2,Z1及びZ2は
結合基であり、A1,A2及びA3は環状基(例えばフェニル
等)である〕を有する一連の化合物を記載している。X
がCNである化合物の例は記載されておらず、Xがハロゲ
ンであるのが好ましいとしている。
はアルキル又はアルコキシでありえ、Q1,Q2,Z1及びZ2は
結合基であり、A1,A2及びA3は環状基(例えばフェニル
等)である〕を有する一連の化合物を記載している。X
がCNである化合物の例は記載されておらず、Xがハロゲ
ンであるのが好ましいとしている。
本発明の目的は、強誘電性スメクチック液晶混合物に
使用するに有利な特性を有する化合物を提供することで
ある。本発明の他の目的及び利点は以下の記載から明ら
かになるであろう。
使用するに有利な特性を有する化合物を提供することで
ある。本発明の他の目的及び利点は以下の記載から明ら
かになるであろう。
本発明の第一の面によれば、下記の一般式I: [式中、Xは一般式: (式中、Rは水素、C1〜12アルキルまたはアルコキシで
あり、環 は同じでも異なっていてもよく各々は独立してフェニ
ル,ハロゲン置換フェニルまたはトランス−シクロヘキ
シルから選択され、Aは一重結合,COOまたはOOCから選
択され、aは0または1である)の基を示し、 YはCOOまたは0から選択され、 Bは1〜12の炭素原子を有するアルキル,シクロヘキ
シル又は (ここでdは0または1であり、R′は水素、C1〜12ア
ルキルまたはアルコキシから選択される)の基を示す] で表わされる光学活性化合物を提供する。
あり、環 は同じでも異なっていてもよく各々は独立してフェニ
ル,ハロゲン置換フェニルまたはトランス−シクロヘキ
シルから選択され、Aは一重結合,COOまたはOOCから選
択され、aは0または1である)の基を示し、 YはCOOまたは0から選択され、 Bは1〜12の炭素原子を有するアルキル,シクロヘキ
シル又は (ここでdは0または1であり、R′は水素、C1〜12ア
ルキルまたはアルコキシから選択される)の基を示す] で表わされる光学活性化合物を提供する。
式Iの多くの化合物が、ホスト成分との強誘電性スメ
クチック液晶混合物中でキラルドーパントとして有用で
ある。
クチック液晶混合物中でキラルドーパントとして有用で
ある。
従って、本発明のもう1つの面では、少くとも1つが
式Iの化合物である少なくとも2つの化合物を含有する
強誘電性スメクチック液晶混合物を提供する。
式Iの化合物である少なくとも2つの化合物を含有する
強誘電性スメクチック液晶混合物を提供する。
種々の式Iの化合物の相対的な有用性は本明細書中で
検討されている構造及び他の好適性を決定する因子の1
つである。
検討されている構造及び他の好適性を決定する因子の1
つである。
式Iにおいて、Rは好ましくは1〜20の炭素原子を有
するアルキルまたはアルコキシであり、特に7〜10の炭
素原子を有するn−アルキルまたはアルコキシであるの
が好ましい。アルコキシはより好ましい。
するアルキルまたはアルコキシであり、特に7〜10の炭
素原子を有するn−アルキルまたはアルコキシであるの
が好ましい。アルコキシはより好ましい。
−Y−CH(CN)−が−COO−CH(CN)−として存在す
る場合、Bがシクロヘキシルまたはアルキルであるのが
特に好ましい。
る場合、Bがシクロヘキシルまたはアルキルであるのが
特に好ましい。
Bがアルキルのときには、n−アルキル、分枝アルキ
ル又は光学活性なアルキルでありうる。Bが分枝又は光
学活性であるときには構造B′: 〔式中、tは0又は1〜6の整数でありえ、nとmとは
同じでも異っていてもよく、1〜6の値でありうる)を
有しうるのであれば、どの点で分枝アルキル鎖の分枝が
起っていてもよい。好ましくは、tは0又は1であり、
n又はmの少なくとも1つは1である。
ル又は光学活性なアルキルでありうる。Bが分枝又は光
学活性であるときには構造B′: 〔式中、tは0又は1〜6の整数でありえ、nとmとは
同じでも異っていてもよく、1〜6の値でありうる)を
有しうるのであれば、どの点で分枝アルキル鎖の分枝が
起っていてもよい。好ましくは、tは0又は1であり、
n又はmの少なくとも1つは1である。
Bが選択しうる好ましいアルキルを第1表に下記す
る。
る。
第1表中、特に好ましいアルキル基には下線を付し
た。
た。
特に−Y−CH(CN)−が−COOCH(CN)−であり、好
ましいB基を有する式I中の好ましいX基のいくつかの
例を下記第2表に表す: 〔式中、Rはn−アルキル又はn−アルコキシ、特に炭
素原子を3〜12個有するものである〕。これらの構造
中、2.1〜2.7が好ましい。
ましいB基を有する式I中の好ましいX基のいくつかの
例を下記第2表に表す: 〔式中、Rはn−アルキル又はn−アルコキシ、特に炭
素原子を3〜12個有するものである〕。これらの構造
中、2.1〜2.7が好ましい。
式Iの化合物の特に好ましい全体の構造のいくつかを
下記第3表に示す: 〔式中、R1はC3〜C12のn−アルキル又はn−アルコキ
シであり、R2はC1〜C12のn−アルキル又は、構造式
B′の分枝又は光学活性なアルキル基、特に第1表に示
した構造式のものであり、(F)はフッ素置換基が存在
しうることを示している〕。
下記第3表に示す: 〔式中、R1はC3〜C12のn−アルキル又はn−アルコキ
シであり、R2はC1〜C12のn−アルキル又は、構造式
B′の分枝又は光学活性なアルキル基、特に第1表に示
した構造式のものであり、(F)はフッ素置換基が存在
しうることを示している〕。
式Iの化合物のキラル中心は(R)又は(S)配置の
ものであってもよく、化合物が1つ以上のキラル中心を
有しているときには、それらを含有する強誘電性スメク
チック混合物中で同じようなPSを有するS*相を形成さ
せるようなものが好ましい。
ものであってもよく、化合物が1つ以上のキラル中心を
有しているときには、それらを含有する強誘電性スメク
チック混合物中で同じようなPSを有するS*相を形成さ
せるようなものが好ましい。
単位−Y−CH(CN)−がCOOCH(CN)である式Iの化
合物は、例えば、第1図〜第5図に図式的に示した多く
広く適応しうる経路1〜5で製造しうる。−Y−CH(C
N)−が−OCH(CN)である式Iの化合物は、例えば、第
6図の経路6により製造しうる。
合物は、例えば、第1図〜第5図に図式的に示した多く
広く適応しうる経路1〜5で製造しうる。−Y−CH(C
N)−が−OCH(CN)である式Iの化合物は、例えば、第
6図の経路6により製造しうる。
経路1〜6では、ある場合には、式 のα−ヒドロキシカルボン酸、又は式: のα−アミノ酸を用いて、基Bを式Iの化合物に導入す
る。
る。
経路1〜6は一般に好適なものであるが、特にBがア
ルキル、フェニル又はシクロヘキシルである場合に適し
ている。
ルキル、フェニル又はシクロヘキシルである場合に適し
ている。
これら酸の内のいくつかは光学的に純粋な光学的対掌
体として市販されており、例えば、ヒドロキシカルボン
酸の乳酸(B=CH3)及びマンデル酸(B=フェニ
ル)、一連の市販又は天然のアミノ酸、例えば、アラニ
ン、バリン、ロイシン、イソロイシン、ブチリン、アロ
イソロイシン、ノルバリン、ノルロイシン及びフェニル
アラニンがある。このような酸の多くは生化学的起源の
ものなので、それらはしばしば光学的に純粋な1つ以上
の光学的対掌体、又は対掌体として入手され、そのた
め、比較的安価に光学的に純粋な生成物が得られる。従
って、可能であればこれらの酸を使用するのが好まし
い。
体として市販されており、例えば、ヒドロキシカルボン
酸の乳酸(B=CH3)及びマンデル酸(B=フェニ
ル)、一連の市販又は天然のアミノ酸、例えば、アラニ
ン、バリン、ロイシン、イソロイシン、ブチリン、アロ
イソロイシン、ノルバリン、ノルロイシン及びフェニル
アラニンがある。このような酸の多くは生化学的起源の
ものなので、それらはしばしば光学的に純粋な1つ以上
の光学的対掌体、又は対掌体として入手され、そのた
め、比較的安価に光学的に純粋な生成物が得られる。従
って、可能であればこれらの酸を使用するのが好まし
い。
又、これらの酸を合成してより広い範囲のB基を導く
ことができる。実際、α−ヒドロキシ酸は、低温でアミ
ノ酸を亜硝酸と反応させることにより対応のアミノ酸か
ら製造しうる: (例えば、「Tetrahedron」(1979),35,1603及びJ.A.
C.S.(1956)78,2428)。
ことができる。実際、α−ヒドロキシ酸は、低温でアミ
ノ酸を亜硝酸と反応させることにより対応のアミノ酸か
ら製造しうる: (例えば、「Tetrahedron」(1979),35,1603及びJ.A.
C.S.(1956)78,2428)。
α−ヒドロキシカルボン酸の他の製法も公知であり、
例えば、Bが直鎖、分枝又は光学活性なアルキルであり
うるものを含む、11種の製法を挙げた「Chemistry of C
arbon Compounds」D H Dodd(pvb Elsevier)編(195
2),IB,p780〜781(Ref 1)に記載されたようなものが
ある。
例えば、Bが直鎖、分枝又は光学活性なアルキルであり
うるものを含む、11種の製法を挙げた「Chemistry of C
arbon Compounds」D H Dodd(pvb Elsevier)編(195
2),IB,p780〜781(Ref 1)に記載されたようなものが
ある。
同様に、例えば、Bが直鎖、分枝又は光学活性なアル
キルであるものを含む、広範囲のアミノ酸を合成する13
種の方法が記載されているRef 1のp813〜817にあるよう
な一般的な公知の方法により、適当なB基を有するアミ
ノ酸を合成しうる。
キルであるものを含む、広範囲のアミノ酸を合成する13
種の方法が記載されているRef 1のp813〜817にあるよう
な一般的な公知の方法により、適当なB基を有するアミ
ノ酸を合成しうる。
従って、有能な化学者にとっては、好適なα−ヒドロ
キシ又はアミノ酸の製造に何ら困難は生じない。これら
製法では光学対掌体又は対掌体のラセミ混合物が得られ
るので、公知の方法で、例えば、ブルシン又は立体特異
性酵素反応を使用して分解することができる。
キシ又はアミノ酸の製造に何ら困難は生じない。これら
製法では光学対掌体又は対掌体のラセミ混合物が得られ
るので、公知の方法で、例えば、ブルシン又は立体特異
性酵素反応を使用して分解することができる。
α−ヒドロキシ酸の製造に使用する、又は例えば経路
4に直接使用するアミノ酸がその側鎖Bに官能基を有し
ているときには、それらを使用して基Bの構造を変化さ
せることができる。
4に直接使用するアミノ酸がその側鎖Bに官能基を有し
ているときには、それらを使用して基Bの構造を変化さ
せることができる。
例えば、セリン、スレオニン及びチロシンは側鎖に−
OH基を有しており、それによりエステル又はエーテル結
合を導入することができる。アスパラギン酸及びグルタ
ミン酸は側鎖に−COOH基を有しており、これも又、エス
テル又は他の結合を導入させることができる。
OH基を有しており、それによりエステル又はエーテル結
合を導入することができる。アスパラギン酸及びグルタ
ミン酸は側鎖に−COOH基を有しており、これも又、エス
テル又は他の結合を導入させることができる。
側鎖に官能基を持つアミノ酸を使用して式Iの化合物
に導入しうる種の単位の例には次のものを含んでいる。
に導入しうる種の単位の例には次のものを含んでいる。
同様に、下記の経路1〜6に、一般式R−X−CO2H
(式中、Xは式Iについて定義したものと同義である)
のカルボン酸を使用する必要があるときには、それらの
多くは市販されており、あるいは、例えば対応のシアノ
化合物R−X−CNの加水分解のような良く知られている
一般的な方法で製造しうる。
(式中、Xは式Iについて定義したものと同義である)
のカルボン酸を使用する必要があるときには、それらの
多くは市販されており、あるいは、例えば対応のシアノ
化合物R−X−CNの加水分解のような良く知られている
一般的な方法で製造しうる。
経路1〜6の各々のステップを下記に示す。
経路1 ステップを下記に示す。
(1)(i)20%のCs2CO3又はK2CO3水溶液、メタノー
ル−水(9:1)pH7.0 (ii)PhCH2Br,DMF (2) N,N−ジシクロヘキシルカルボジイミド(D
CC)、4−(N−ピロリジノ)ピリジン(N−PPy)、C
H2Cl2 (3) 5%Pd/c、水素、エタノール (4)(i)塩化オキサリル、ベンゼン、ジメチルホル
ムアミド(DMF) (ii)アンモニア水溶液、ジグリム(diglyme) (5) SOCl2,DMF 4−アルキル又はアルコキシ−ビフェニル−4′−カ
ルボン酸と共に使用するための説明をしているが、経路
1は一般に式R−X−CO2Hの全ての酸に適しており、特
に一重結合で結合されている環 を含むような基Xに適している。ステップ(1)で乳酸
を使用することにより、Bはメチルになるが、他の同族
のα−ヒドロキシカルボン酸を使用してBを他のアルキ
ル基にすることもできる。マンデル酸、すなわち を使用することにより、Bをフェニルとしうる。
ル−水(9:1)pH7.0 (ii)PhCH2Br,DMF (2) N,N−ジシクロヘキシルカルボジイミド(D
CC)、4−(N−ピロリジノ)ピリジン(N−PPy)、C
H2Cl2 (3) 5%Pd/c、水素、エタノール (4)(i)塩化オキサリル、ベンゼン、ジメチルホル
ムアミド(DMF) (ii)アンモニア水溶液、ジグリム(diglyme) (5) SOCl2,DMF 4−アルキル又はアルコキシ−ビフェニル−4′−カ
ルボン酸と共に使用するための説明をしているが、経路
1は一般に式R−X−CO2Hの全ての酸に適しており、特
に一重結合で結合されている環 を含むような基Xに適している。ステップ(1)で乳酸
を使用することにより、Bはメチルになるが、他の同族
のα−ヒドロキシカルボン酸を使用してBを他のアルキ
ル基にすることもできる。マンデル酸、すなわち を使用することにより、Bをフェニルとしうる。
経路2 (1) 酢酸エチル、塩化水素 (2) KOH、エタノール、水 (3) 経路1のステップ(1)及び(2)と同様 (4) 蓚酸、99%エタノール水溶液 (5) 経路1のステップ(2)と同様 (6) 経路1のステップ(3)〜(5)と同様の一連
のステップ 経路1に関すると同様に、この経路は、一般に、X中
の基Aの1つがCOOである式Iの化合物に適用しうる。
他のα−ヒドロキシ酸を使用することにより、上記のよ
うに異なる基Bを分子内に導入することができる。
のステップ 経路1に関すると同様に、この経路は、一般に、X中
の基Aの1つがCOOである式Iの化合物に適用しうる。
他のα−ヒドロキシ酸を使用することにより、上記のよ
うに異なる基Bを分子内に導入することができる。
経路3 (1) 水素、5%Ph/Al2O3、メタノール (2) メタノール溶媒を使用する経路1のステップ
(1)と同様 (3) DCC,N−PPy,CH2Cl2 (R=アルキル又はアルコキシ) (4) 水素、5%Pd−c、エタノール (5)(i)(COCl)2、ベンゼン、DMF (ii)アンモニア水溶液、ジグリム (6) SOCl2,DMF 経路4 (1) 亜硝酸ナトリウム、H2SO4 (2) PhCH2Br,DMF(Ph=フェニル) (3) DCC,N−PPy,CH2Cl2 (4) H2/Pd−c (5) 塩化オキサリル、DMF;NH3 (6) SOCl2,DMF 経路4は、XがR−ビフェニル基である場合について
示してあるが、ステップ(3)で任意の適当なカルボン
酸を使用しても同等に良好に方法は実施される。
(1)と同様 (3) DCC,N−PPy,CH2Cl2 (R=アルキル又はアルコキシ) (4) 水素、5%Pd−c、エタノール (5)(i)(COCl)2、ベンゼン、DMF (ii)アンモニア水溶液、ジグリム (6) SOCl2,DMF 経路4 (1) 亜硝酸ナトリウム、H2SO4 (2) PhCH2Br,DMF(Ph=フェニル) (3) DCC,N−PPy,CH2Cl2 (4) H2/Pd−c (5) 塩化オキサリル、DMF;NH3 (6) SOCl2,DMF 経路4は、XがR−ビフェニル基である場合について
示してあるが、ステップ(3)で任意の適当なカルボン
酸を使用しても同等に良好に方法は実施される。
経路4において、出発アミノ酸中の基Bは最終産物の
基Bである。アミノ基はどの光学対掌体の形で使用して
もよい(ラセミ型のアミノ酸からはラセミ体の生成物が
得られる)。例えばイソロイシンの場合のように、出発
アミノ酸中の残基Bはそれ自身不斉炭素原子を有してい
てよい。
基Bである。アミノ基はどの光学対掌体の形で使用して
もよい(ラセミ型のアミノ酸からはラセミ体の生成物が
得られる)。例えばイソロイシンの場合のように、出発
アミノ酸中の残基Bはそれ自身不斉炭素原子を有してい
てよい。
単位−YWCH(Z)が−COOCH(CN)−である種々の他
の化合物は上記の経路1〜4から派生した経路を介して
製造される。例えば、構造式3,4の化合物は、ステップ
2(2)で製造された酸で、ステップ3(2)の生成物
をエステル化して、ステップ2(3)〜2(6)と同様
の経路を行うことにより製造しうる。
の化合物は上記の経路1〜4から派生した経路を介して
製造される。例えば、構造式3,4の化合物は、ステップ
2(2)で製造された酸で、ステップ3(2)の生成物
をエステル化して、ステップ2(3)〜2(6)と同様
の経路を行うことにより製造しうる。
構造式3,5の化合物は、市販のビフェニル及びブロム
安息香酸とから出発し、第5図に示す経路5を介して製
造される。
安息香酸とから出発し、第5図に示す経路5を介して製
造される。
経路5 (1) Fが存在するとき:n−BuLi、エーテル、−35
℃、20分、ZnCl2、THF、N2 Fが存在しないとき:n−BuLi、エーテル、−5゜〜−10
℃、45分;ZnCl2、THF、Nc (2) 適当なアルコール又はフェノール、例えばステ
ップ4(2)又は3(2)の生成物、DCC、N−PPy、CH
2Cl2 (3) Pd〔Ph3P〕2Cl2、水素化ジイソブチルアルミニ
ウム、THF N2 ステップ4(4)〜4(6)と同様の方法により、ス
テップ5(3)の生成物を次に例えば構造式3.5のシア
ノ化合物に変換することができる。
℃、20分、ZnCl2、THF、N2 Fが存在しないとき:n−BuLi、エーテル、−5゜〜−10
℃、45分;ZnCl2、THF、Nc (2) 適当なアルコール又はフェノール、例えばステ
ップ4(2)又は3(2)の生成物、DCC、N−PPy、CH
2Cl2 (3) Pd〔Ph3P〕2Cl2、水素化ジイソブチルアルミニ
ウム、THF N2 ステップ4(4)〜4(6)と同様の方法により、ス
テップ5(3)の生成物を次に例えば構造式3.5のシア
ノ化合物に変換することができる。
経路6 (1) 例えばDCC法を使用するα−ヒドロキシ酸のエ
ステル化 このようなエステルのいくつか、例えば、乳酸エチル
は市販されている。
ステル化 このようなエステルのいくつか、例えば、乳酸エチル
は市販されている。
(2) トルエン−4−スルホニルクロリド、ピリジン (3) K2CO3、アセトニトリル (4) KOH、エタノール、H2O (5)及び(6) ステップ4(5)及び(6)と同様 式Iの化合物は、強誘電性スメクチック液晶混合物の
光学活性成分として、すなわちキラルド−パントとして
使用しうる。
光学活性成分として、すなわちキラルド−パントとして
使用しうる。
式Iの化合物をこのような混合物の成分として使用す
るときに、特に上記の好ましい化合物により次の利点が
得られる。
るときに、特に上記の好ましい化合物により次の利点が
得られる。
(i) それらは非常に高い自発分極係数(PS)を示し
うる。これは、式Iの化合物100%と推定した混合物のP
Sである、推定PSとして表わしうるのが便利である。こ
れは、混合物に極めて少量の式Iの化合物を含むことが
必要であることを意味している。
うる。これは、式Iの化合物100%と推定した混合物のP
Sである、推定PSとして表わしうるのが便利である。こ
れは、混合物に極めて少量の式Iの化合物を含むことが
必要であることを意味している。
(ii)それらは、非常に長いらせんピッチを有している
混合物中で、キラルスメクチック相を出現させうる。こ
のことは、ネマチック液晶材料と混合したときに誘導す
るキラルネマチックN*ピッチを測定することにより、
より便利に評価しうる。ある種の強誘電性スメクチック
液晶装置ではピッチはできるだけ電極の間隔に近くある
べきであり、実際には電極の間隔が狭くなる程製造が難
しいので、長いピッチが望ましい。
混合物中で、キラルスメクチック相を出現させうる。こ
のことは、ネマチック液晶材料と混合したときに誘導す
るキラルネマチックN*ピッチを測定することにより、
より便利に評価しうる。ある種の強誘電性スメクチック
液晶装置ではピッチはできるだけ電極の間隔に近くある
べきであり、実際には電極の間隔が狭くなる程製造が難
しいので、長いピッチが望ましい。
(iii)それらを含有するキラルスメクチック混合物
は、室温を含む広い温度域で存続するSC *相を示しう
る。
は、室温を含む広い温度域で存続するSC *相を示しう
る。
(iv)それらは、例えば下記のような多くのホスト及び
添加剤と相容性である。
添加剤と相容性である。
(v) それらは、例えばビデオスクリーン型の適応に
有利である非常に高いスウィッチ速度を可能にしうる。
これは、多くの公知のキラルドーパントが粘性であり、
それらを含有する混合物を粘性にするという点で上記の
(i)に一部起因する。式Iの化合物により良好なPSが
得られることは、比較的少量しか使う必要がなく、その
ために粘度に対してはほとんど悪影響を与えないことを
意味している。
有利である非常に高いスウィッチ速度を可能にしうる。
これは、多くの公知のキラルドーパントが粘性であり、
それらを含有する混合物を粘性にするという点で上記の
(i)に一部起因する。式Iの化合物により良好なPSが
得られることは、比較的少量しか使う必要がなく、その
ために粘度に対してはほとんど悪影響を与えないことを
意味している。
(vi) それらを製造するための出発物質であるアミノ
酸はD(+)及びL(+)の両方の光学的対掌体で市販
されているので、しばしば光学的対掌形の両方の形の式
Iの化合物が得られる可能性がある。このことにより、
混合物中に式Iの化合物の反対方向にねじれている光学
的対掌体を含有させることによる、それらを含有する混
合物のピッチの「補償」(下記参照)を特に容易にす
る。
酸はD(+)及びL(+)の両方の光学的対掌体で市販
されているので、しばしば光学的対掌形の両方の形の式
Iの化合物が得られる可能性がある。このことにより、
混合物中に式Iの化合物の反対方向にねじれている光学
的対掌体を含有させることによる、それらを含有する混
合物のピッチの「補償」(下記参照)を特に容易にす
る。
本発明の強誘電性スメクチック液晶混合物は式Iの化
合物を少なくとも1つ含有している。典型的には、混合
物は式Iの化合物を1〜20重量%、例えば約10%又はそ
れ以下含有していよう。一般に混合物のPSは存在すキラ
ルドーパントの量に比例する。
合物を少なくとも1つ含有している。典型的には、混合
物は式Iの化合物を1〜20重量%、例えば約10%又はそ
れ以下含有していよう。一般に混合物のPSは存在すキラ
ルドーパントの量に比例する。
混合物は、個々であるいは一緒になってSC相を示す化
合物を1つ以上含有している。このような化合物はスメ
クチックホストとして知られている。
合物を1つ以上含有している。このような化合物はスメ
クチックホストとして知られている。
スメクチックホストとして使用しうる多くの種類の化
合物が知られており、好適な種のいくつかの例を第4表
に示す。これら化合物の内、式4.1,4.2,4.3及び4.8の化
合物、特にRAとRBとが各々独立して5〜10個の炭素原子
を含んでいるものが好ましい。同じ種類の2つ以上のも
の、例えば同族体を使用して、例えば融点を下げること
が特に好ましい。
合物が知られており、好適な種のいくつかの例を第4表
に示す。これら化合物の内、式4.1,4.2,4.3及び4.8の化
合物、特にRAとRBとが各々独立して5〜10個の炭素原子
を含んでいるものが好ましい。同じ種類の2つ以上のも
の、例えば同族体を使用して、例えば融点を下げること
が特に好ましい。
これらの好ましいホストにより、SC混合物は、室温を
含む広い温度域に亘り存在するSC相とSC以上の温度での
SA相を示し、液晶材料の整列を促進させることができ
る。典型的に、混合物は40〜99%、例えば約80%のホス
ト化合物を含有するであろう。
含む広い温度域に亘り存在するSC相とSC以上の温度での
SA相を示し、液晶材料の整列を促進させることができ
る。典型的に、混合物は40〜99%、例えば約80%のホス
ト化合物を含有するであろう。
〔式中、RA及びRBはC1〜12のn−アルキル又はn−ア
ルコキシである〕 このような混合物中の添加剤は多くの機能を果すこと
ができる。このような機能の1つは「ピッチ補償物質」
としてのものである。「ピッチの補償」とは、反対にね
じった方向のらせんスメクチック相の出現を誘導する2
つ以上の化合物を強誘電性スメクチック混合物中に含む
ことである。このような場合、化合物は、他のものによ
り誘導されたらせん相をほどくであろう。これは長いピ
ッチのらせんスメクチック相の製造に使用でき、2つの
化合物を調整した適当な量で使用して混合物のピッチを
近密に調整することができる。
ルコキシである〕 このような混合物中の添加剤は多くの機能を果すこと
ができる。このような機能の1つは「ピッチ補償物質」
としてのものである。「ピッチの補償」とは、反対にね
じった方向のらせんスメクチック相の出現を誘導する2
つ以上の化合物を強誘電性スメクチック混合物中に含む
ことである。このような場合、化合物は、他のものによ
り誘導されたらせん相をほどくであろう。これは長いピ
ッチのらせんスメクチック相の製造に使用でき、2つの
化合物を調整した適当な量で使用して混合物のピッチを
近密に調整することができる。
本発明混合物において、種々の式Iの化合物又は光学
的対掌体、例えば化合物: のL(+)及びS(+)型である上記のような式Iの反
対にねじれた化合物を使用することによって、ピッチの
補償を便利に行うことができる。
的対掌体、例えば化合物: のL(+)及びS(+)型である上記のような式Iの反
対にねじれた化合物を使用することによって、ピッチの
補償を便利に行うことができる。
一方又はそれに加え、例えば、PCT/GB87/00223に記載
されたアミド例えばその第6表に示したもの、又は、英
国特許出願8703103に記載されたターフェニルのような
他の光学活性添加剤も使用でき、後者のターフェニル
は、ホストが式4.3の化合物を1つ以上含有していると
きに特に適している。
されたアミド例えばその第6表に示したもの、又は、英
国特許出願8703103に記載されたターフェニルのような
他の光学活性添加剤も使用でき、後者のターフェニル
は、ホストが式4.3の化合物を1つ以上含有していると
きに特に適している。
これらの2つの型のピッチ補償物質の例には、化合
物: 〔式中、RとR′とは独立してC1〜12のn−アルキル
又はn−アルコキシである〕を含んでいる。R′は好ま
しくはCH3である。多くの他のピッチ補償用添加剤は当
業者には明らかであろう。例えば、ホストが式4.1又は
4.2の化合物を1つ以上含んでいるときには、好適なピ
ッチ補償物質はRB又は/及びRAが光学活性なアルキル又
はアルコキシである式4.1又は4.2の化合物でありうる。
物: 〔式中、RとR′とは独立してC1〜12のn−アルキル
又はn−アルコキシである〕を含んでいる。R′は好ま
しくはCH3である。多くの他のピッチ補償用添加剤は当
業者には明らかであろう。例えば、ホストが式4.1又は
4.2の化合物を1つ以上含んでいるときには、好適なピ
ッチ補償物質はRB又は/及びRAが光学活性なアルキル又
はアルコキシである式4.1又は4.2の化合物でありうる。
S* C相が存在する温度以上の温度でのSA相の出現を
助けるために添加剤を使用して、集合体使用中のS* C
相の整列を補助することができる。ホストがほとんど式
4.1又は4.2の化合物からなるときには、このことを達成
する好ましい添加剤は式: 〔式中、R及びR1は独立して、炭素原子を1〜12、特に
5〜9個含有するn−アルキル又はn−アルコキシであ
る〕を有している。
助けるために添加剤を使用して、集合体使用中のS* C
相の整列を補助することができる。ホストがほとんど式
4.1又は4.2の化合物からなるときには、このことを達成
する好ましい添加剤は式: 〔式中、R及びR1は独立して、炭素原子を1〜12、特に
5〜9個含有するn−アルキル又はn−アルコキシであ
る〕を有している。
添加剤は、SA又はSBのような望ましくないスメクチッ
ク相を抑制し、もし出現するにしても、作用温度からで
きるだけ離れた温度で出現するようにする機能も有して
いる。この機能を満たす好ましい種類の添加剤は式: 〔式中、R及びR1は独立して、炭素原子を1〜12個、特
に5〜9個含有するn−アルキル又はn−アルコキシで
ある〕のエステルである。式4.8の化合物も、それらを
ホストとして使用していない混合物中で、望ましくない
スメクチック相を抑える添加剤として使用できる。
ク相を抑制し、もし出現するにしても、作用温度からで
きるだけ離れた温度で出現するようにする機能も有して
いる。この機能を満たす好ましい種類の添加剤は式: 〔式中、R及びR1は独立して、炭素原子を1〜12個、特
に5〜9個含有するn−アルキル又はn−アルコキシで
ある〕のエステルである。式4.8の化合物も、それらを
ホストとして使用していない混合物中で、望ましくない
スメクチック相を抑える添加剤として使用できる。
添加剤は混合物の他の特性も改善でき、例えばスウィ
ッチ速度を増加させる。これを実施する化合物は 基を含有するもの、例えば一般式: または 〔式中、R及びR1は独立して、特に、炭素原子数3〜10
個のアルキル基である〕を含んでいる。
ッチ速度を増加させる。これを実施する化合物は 基を含有するもの、例えば一般式: または 〔式中、R及びR1は独立して、特に、炭素原子数3〜10
個のアルキル基である〕を含んでいる。
例えば、粘度、融点又は他の特性を改善するために他
の公知の添加剤を含有しうる。
の公知の添加剤を含有しうる。
典型的には、本発明の混合物は添加剤を0〜50重量
%、好ましくは0〜20%含有していてよい。極少量のピ
ッチ補償物質、例えば、1重量%未満の、RがC10H21で
あり、R1がCH3であるきつくねじれた化合物5.1、及び好
ましくは約10重量%未満の6,7,8.1又は8.2のような化合
物が必要でありうる。
%、好ましくは0〜20%含有していてよい。極少量のピ
ッチ補償物質、例えば、1重量%未満の、RがC10H21で
あり、R1がCH3であるきつくねじれた化合物5.1、及び好
ましくは約10重量%未満の6,7,8.1又は8.2のような化合
物が必要でありうる。
本発明の混合物は、公知の型の強誘電性スメクチック
液晶装置のいずれにも使用でき、このような混合物を含
有する装置は本発明のもう1つの面である。
液晶装置のいずれにも使用でき、このような混合物を含
有する装置は本発明のもう1つの面である。
ここで、添付図面を単に参照しながら、実施例により
本発明を説明しよう。添付図面は、 第1〜6図:本発明化合物の製造経路 第7図:本発明・混合物の温度に対するPSのグラフ 第8図:液晶装置 を示している。
本発明を説明しよう。添付図面は、 第1〜6図:本発明化合物の製造経路 第7図:本発明・混合物の温度に対するPSのグラフ 第8図:液晶装置 を示している。
式Iの化合物の製法、それらを含む強誘電性スメクチ
ック液晶材料及びそれらを使用する液晶電気光学表示装
置の実施例は次の通りである。
ック液晶材料及びそれらを使用する液晶電気光学表示装
置の実施例は次の通りである。
実施例1 経路1を使用する の製造 ステップ1(1) (市販品から予め再蒸留した)S−(+)−乳酸(18
g)をメタノール(360ml)に溶解し、水(40ml)を加え
た。溶液を20%炭酸セシウム水溶液でpH7.0に滴定し
た。50℃、減圧下で溶媒を除去し、同じ温度で2回、残
渣をDMF(2×100ml)から再蒸発させた。得られた白色
固体のセシウム塩を、DMF(300ml)中の臭化ベンジル
(34.2g)と共に15時間撹拌した。次に、CsBrを濾別
し、濾液を濃縮し、次に残渣(150ml)にエーテルを加
えた。水(100ml)、飽和NaHCO3(500ml)及び水(100m
l)で連続的に有機相を洗い、最後に(MgSO4)で乾燥さ
せた。溶媒を除去した後、減圧下で残りの液体を蒸留
し、無色の液体として生成物を得た(収量28.8g;80%)
bp96℃/0.05mmHg▲〔α〕24 D▼−12.9゜ ステップ1(2) ふるい乾燥させた(sieve−dried)CH2Cl2(250ml)
中の4−R−ビフェニル−4′−カルボン酸(10.8
g)、上記ステップ1(1)で製造したS−(−)−ベ
ンジルラクテート(5.9g)及びN−PPy(0.49g)の撹拌
混合物に、ふるい乾燥させたCH2Cl2(50ml)中のDDC
(7.5g)溶液をゆっくりと加えた。混合物を室温で5時
間撹拌した。N,N−ジシクロヘキシル尿素を濾別し、水
(100ml)、5%酢酸水溶液(100ml)、水(2×100m
l)で連続的に濾液を洗い、最後に乾燥させた(MgS
O4)。溶媒除去後、シリカゲルと溶出液としての(4:
1)ジクロロメタン:石油留分(bp60〜80℃)を用いる
カラムクロマトグラフィーで組成ジエステルを精製し
た。生成物をエタノールから再結晶させた。
g)をメタノール(360ml)に溶解し、水(40ml)を加え
た。溶液を20%炭酸セシウム水溶液でpH7.0に滴定し
た。50℃、減圧下で溶媒を除去し、同じ温度で2回、残
渣をDMF(2×100ml)から再蒸発させた。得られた白色
固体のセシウム塩を、DMF(300ml)中の臭化ベンジル
(34.2g)と共に15時間撹拌した。次に、CsBrを濾別
し、濾液を濃縮し、次に残渣(150ml)にエーテルを加
えた。水(100ml)、飽和NaHCO3(500ml)及び水(100m
l)で連続的に有機相を洗い、最後に(MgSO4)で乾燥さ
せた。溶媒を除去した後、減圧下で残りの液体を蒸留
し、無色の液体として生成物を得た(収量28.8g;80%)
bp96℃/0.05mmHg▲〔α〕24 D▼−12.9゜ ステップ1(2) ふるい乾燥させた(sieve−dried)CH2Cl2(250ml)
中の4−R−ビフェニル−4′−カルボン酸(10.8
g)、上記ステップ1(1)で製造したS−(−)−ベ
ンジルラクテート(5.9g)及びN−PPy(0.49g)の撹拌
混合物に、ふるい乾燥させたCH2Cl2(50ml)中のDDC
(7.5g)溶液をゆっくりと加えた。混合物を室温で5時
間撹拌した。N,N−ジシクロヘキシル尿素を濾別し、水
(100ml)、5%酢酸水溶液(100ml)、水(2×100m
l)で連続的に濾液を洗い、最後に乾燥させた(MgS
O4)。溶媒除去後、シリカゲルと溶出液としての(4:
1)ジクロロメタン:石油留分(bp60〜80℃)を用いる
カラムクロマトグラフィーで組成ジエステルを精製し
た。生成物をエタノールから再結晶させた。
この方法で製造した化合物の特性は以下の通りであっ
た: R=C9H19 mp60.5℃;▲〔α〕24 D▼+21.6゜ R=C10H21O mp85℃;▲〔α〕24 D▼+24.2゜ R=C8H17O mp62.5℃;▲〔α〕24 D▼+24.7゜ ステップ1(3) ステップ1(2)の生成物(10〜12g)を酢酸エチル
(150ml)に溶解した。炭上の5%Pb(200mg)を加え、
混合物を水素雰囲気下で一晩撹拌した。(500mlの水素
を消費させて)水素添加を完了させた後、触媒を濾別
し、濾液を蒸発乾固させた。無色の固体残渣を石油留分
(bp60〜80℃)から再結晶化させて無色の針状結晶とし
てカルボン酸を得た。
た: R=C9H19 mp60.5℃;▲〔α〕24 D▼+21.6゜ R=C10H21O mp85℃;▲〔α〕24 D▼+24.2゜ R=C8H17O mp62.5℃;▲〔α〕24 D▼+24.7゜ ステップ1(3) ステップ1(2)の生成物(10〜12g)を酢酸エチル
(150ml)に溶解した。炭上の5%Pb(200mg)を加え、
混合物を水素雰囲気下で一晩撹拌した。(500mlの水素
を消費させて)水素添加を完了させた後、触媒を濾別
し、濾液を蒸発乾固させた。無色の固体残渣を石油留分
(bp60〜80℃)から再結晶化させて無色の針状結晶とし
てカルボン酸を得た。
R=C9H19 mp106℃;▲〔α〕24 D▼+32.3゜ R=C10H21O mp115℃;▲〔α〕24 D▼+35.0゜ R=C8H17O mp126℃;▲〔α〕24 D▼+40.8゜ ステップ1(4) ステップ1(3)のカルボン酸(0.01モル)を、ナト
リウム乾燥させたベンゼン(50ml)中の塩化オキサリル
(0.02mol)及びふるい乾燥させたDMF(3滴)と室温で
3時間反応させることにより、先ず酸クロリドに変換し
た。減圧下で蒸留して、過剰の塩化オキサリル及び溶媒
を除去した。粗成酸クロリド残渣をジグリム(20ml)に
溶解し、次に、著しく撹拌しながら、アンモニア水溶液
(25ml,d=0.88)を滴加した。添加後、反応混合物を室
温で1時間半撹拌した。次に、反応混合物を冷水(200m
l)で希釈し、生成物を濾別し、過剰の水で洗浄してか
ら、最後に空気乾燥させた。生成物を石油留分(bp80〜
100℃)から結晶化させ、白色粉末としてアミドを得
た。
リウム乾燥させたベンゼン(50ml)中の塩化オキサリル
(0.02mol)及びふるい乾燥させたDMF(3滴)と室温で
3時間反応させることにより、先ず酸クロリドに変換し
た。減圧下で蒸留して、過剰の塩化オキサリル及び溶媒
を除去した。粗成酸クロリド残渣をジグリム(20ml)に
溶解し、次に、著しく撹拌しながら、アンモニア水溶液
(25ml,d=0.88)を滴加した。添加後、反応混合物を室
温で1時間半撹拌した。次に、反応混合物を冷水(200m
l)で希釈し、生成物を濾別し、過剰の水で洗浄してか
ら、最後に空気乾燥させた。生成物を石油留分(bp80〜
100℃)から結晶化させ、白色粉末としてアミドを得
た。
R=C9H19 収量=2.6g(66%); mp145℃▲〔α〕24 D▼+48゜ R=C10H21O 収量=1.8g(47%); C1130C2143I▲〔α〕24 D▼+43.4 ステップ1(5) 再蒸留した塩化チオニル0.063モル)及びふるい乾燥
させたDMF(10ml)の混合物を、DMF(30ml)中のステッ
プ1(4)の生成物(0.0063ml)の激しく撹拌した溶液
に加えた。添加後に、反応混合物を室温で2時間撹拌
し、氷水(200ml)上に注ぎ、生成物をエーテル(2×1
00ml)中に抽出した。エーテル抽出物を合せ、炭酸水素
ナトリウム飽和水溶液(2×100ml)、次に水(100ml)
で洗い、最後に乾燥させた(MgSO4)。溶媒を除去した
後に、クロロホルム:石油留分(bp60〜80℃)の3:1混
合物で溶出するシリカゲル上のクロマトグラフィーで生
成物を精製した。生成物を含有する適当な画分を濃縮
し、95%エタノール水溶液から再結晶させると、白色の
結晶性固体として最終的なニトリル生成物を得た。
させたDMF(10ml)の混合物を、DMF(30ml)中のステッ
プ1(4)の生成物(0.0063ml)の激しく撹拌した溶液
に加えた。添加後に、反応混合物を室温で2時間撹拌
し、氷水(200ml)上に注ぎ、生成物をエーテル(2×1
00ml)中に抽出した。エーテル抽出物を合せ、炭酸水素
ナトリウム飽和水溶液(2×100ml)、次に水(100ml)
で洗い、最後に乾燥させた(MgSO4)。溶媒を除去した
後に、クロロホルム:石油留分(bp60〜80℃)の3:1混
合物で溶出するシリカゲル上のクロマトグラフィーで生
成物を精製した。生成物を含有する適当な画分を濃縮
し、95%エタノール水溶液から再結晶させると、白色の
結晶性固体として最終的なニトリル生成物を得た。
R=C9H19収量=1.7g(71%),mp55.0℃ ▲24 D▼+55
゜ R=C10H21O収量=0.92g(62%),mp98.5℃ ▲24 D▼+
6.5 実施例2 経路2を使用する の製造 ステップ2(1) 酢酸エチル(80ml)中のエチル4−ヒドロキシベンゾ
エート(0.063mol)及び2,3−ジヒドロピラン(0.25mo
l)の撹拌混合物に、酢酸エチル(5ml)中の塩化水素飽
和溶液を滴加した。添加後、反応混合物を室温で24時間
撹拌した。次に、混合物を10%水酸化ナトリウム水溶液
(2×50ml)、次いで水(2×50ml)で洗い、最後に乾
燥させた(MgSO4)。減圧下での蒸留により溶媒を除去
した後、減圧下での蒸留により油状残渣を精製して無色
の液体を得た。
゜ R=C10H21O収量=0.92g(62%),mp98.5℃ ▲24 D▼+
6.5 実施例2 経路2を使用する の製造 ステップ2(1) 酢酸エチル(80ml)中のエチル4−ヒドロキシベンゾ
エート(0.063mol)及び2,3−ジヒドロピラン(0.25mo
l)の撹拌混合物に、酢酸エチル(5ml)中の塩化水素飽
和溶液を滴加した。添加後、反応混合物を室温で24時間
撹拌した。次に、混合物を10%水酸化ナトリウム水溶液
(2×50ml)、次いで水(2×50ml)で洗い、最後に乾
燥させた(MgSO4)。減圧下での蒸留により溶媒を除去
した後、減圧下での蒸留により油状残渣を精製して無色
の液体を得た。
収量=10.4g(66%) bp120〜125℃/0.1mmHg(短経路蒸留) ステップ2(2) C2H50H(50ml)中のステップ2(1)の生成物(0.03
8mol)の溶液に、水(10ml)中の水酸化カリウム(0.07
6mol)の溶液を加えた。還流下で、3時間、混合物を加
熱した。冷却しながら、減圧下で蒸留して溶媒を除去し
た。残渣に氷水(100ml)を加え、激しく撹拌し、10℃
以下に冷却しながら、混合物の酸性度が約pH3となるま
で50%塩酸水溶液を加えた。生成物を酢酸エチル(2×
100ml)中に抽出し、合せた有機抽出物を水(2×100m
l)で洗浄し、乾燥させた(MgSO4)。溶媒除去後、粗成
物質を2:1トルエン:石油留分(bp80〜100℃)から結晶
化し、白色結晶としてカルボン酸を得た。
8mol)の溶液に、水(10ml)中の水酸化カリウム(0.07
6mol)の溶液を加えた。還流下で、3時間、混合物を加
熱した。冷却しながら、減圧下で蒸留して溶媒を除去し
た。残渣に氷水(100ml)を加え、激しく撹拌し、10℃
以下に冷却しながら、混合物の酸性度が約pH3となるま
で50%塩酸水溶液を加えた。生成物を酢酸エチル(2×
100ml)中に抽出し、合せた有機抽出物を水(2×100m
l)で洗浄し、乾燥させた(MgSO4)。溶媒除去後、粗成
物質を2:1トルエン:石油留分(bp80〜100℃)から結晶
化し、白色結晶としてカルボン酸を得た。
収量=5.8g(69%)、145℃に加熱すると分解 ステップ2(3) このステップは、ステップ2(2)で製造したカルボ
ン酸を使用し、ステップ1(2)(乳酸α−ヒドロキシ
基のエステル化)と類似の方法で、ステップ1(1)の
生成物(S−(+)−乳酸のベンジルエステル)を使用
して実施した。カラムクロマトグラフィーで得た生成物
は更に精製することなく次のステップに使用した。
ン酸を使用し、ステップ1(2)(乳酸α−ヒドロキシ
基のエステル化)と類似の方法で、ステップ1(1)の
生成物(S−(+)−乳酸のベンジルエステル)を使用
して実施した。カラムクロマトグラフィーで得た生成物
は更に精製することなく次のステップに使用した。
生成物の融点は20℃以下;▲〔α〕24 D▼+180 ステップ2(4) ステップ2(3)の生成物(0.0156mol)に水(8ml)
中の蓚酸(0.0031mol)の溶液を加え、全体を緩和に2
時間還流した。溶液を冷却し、減圧下での蒸留により溶
媒を除去した。残渣を水(50ml)と共に加熱し、生成物
をエーテル(2×50ml)中に抽出し、エーテル抽出物を
合せて、水(50ml)で洗い、乾燥させた(MgSO4)。(t
ic上で単一のスポットである)油状の粗生成物は、更に
精製することなくステップ2(5)に使用した。
中の蓚酸(0.0031mol)の溶液を加え、全体を緩和に2
時間還流した。溶液を冷却し、減圧下での蒸留により溶
媒を除去した。残渣を水(50ml)と共に加熱し、生成物
をエーテル(2×50ml)中に抽出し、エーテル抽出物を
合せて、水(50ml)で洗い、乾燥させた(MgSO4)。(t
ic上で単一のスポットである)油状の粗生成物は、更に
精製することなくステップ2(5)に使用した。
収量=4.5g(95%);▲〔α〕24 D▼+15゜ ステップ2(5) ステップ1(2)に使用したものと類似であるが、4
−R−ビフェニル−4′−カルボン酸でのエステル化用
に乳酸ベンジルの代りにステップ2(4)のフェノール
生成物を使用するDCCエステル化法を使用してこのステ
ップを実施した。
−R−ビフェニル−4′−カルボン酸でのエステル化用
に乳酸ベンジルの代りにステップ2(4)のフェノール
生成物を使用するDCCエステル化法を使用してこのステ
ップを実施した。
R=C9H19O;C104゜(SC90゜)SA133.5゜ Ch135.5゜I▲〔α〕24 D▼+6.9゜ ステップ2(6) このステップは、ステップ1(3),1(4)及び1
(5)と類似の3つの別々なステップ((a),(b)
及び(c)と下記する)を含んでいた。R=C9H19Oにつ
いての、これら別々のステップの各々の生成物の特性は
次の通りである: (a)C149SA198I;▲〔α〕24 D▼+17.6゜ (b)C180SA189I;▲〔α〕24 D▼+15.0゜ (c)C121SC132SA181I;▲〔α〕24 D▼−2.3゜ 実施例3 の製造 ステップ3(1) (Stocker J Org Chem 27,2288,(1962)参照) 水素の取り込みが完了するまで、メタノール(70ml)
中のL−(+)−マンデル酸(10g)、酢酸(1ml)及び
5%Rh/Al2O3(1.95g)の混合物を水素下(30atm)で撹
拌した。触媒を濾別し、溶媒を除去した。四塩化炭素か
ら再結晶させると、白色の結晶性固体としてシクロヘキ
シル化合物を得た。
(5)と類似の3つの別々なステップ((a),(b)
及び(c)と下記する)を含んでいた。R=C9H19Oにつ
いての、これら別々のステップの各々の生成物の特性は
次の通りである: (a)C149SA198I;▲〔α〕24 D▼+17.6゜ (b)C180SA189I;▲〔α〕24 D▼+15.0゜ (c)C121SC132SA181I;▲〔α〕24 D▼−2.3゜ 実施例3 の製造 ステップ3(1) (Stocker J Org Chem 27,2288,(1962)参照) 水素の取り込みが完了するまで、メタノール(70ml)
中のL−(+)−マンデル酸(10g)、酢酸(1ml)及び
5%Rh/Al2O3(1.95g)の混合物を水素下(30atm)で撹
拌した。触媒を濾別し、溶媒を除去した。四塩化炭素か
ら再結晶させると、白色の結晶性固体としてシクロヘキ
シル化合物を得た。
収量=85%;mp=128℃ ステップ3(2) (SS Wang J−Org−Chem,41,3258(1976)参照) 最少量の4:1エタノール:水中のステップ3(1)の
生成物(5g)の溶液を炭酸セシウム水溶液(20%w/v)
でpH7に滴定した。次に、溶液を蒸発乾固させ、ナトリ
ウム乾燥させたベンゼン(2×100ml)で共蒸留するこ
とにより最後に極微量残った水を除去した。残渣をふる
い乾燥させたDMF(100ml)に溶かし、撹拌しながら臭化
ベンジル(5.3g)を加えた。12時間撹拌を続け、その
後、沈澱した臭化セシウムを濾別し、減圧下で溶媒を除
去した。残渣に水を加え、生成物を酢酸エチル(100m
l)中に抽出し、抽出物を乾燥させた(MgSO4)。溶出液
として1:3酢酸エチル/石油留分(bp60〜80℃)を使用
するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにか
け、次に石油留分(bp40〜60℃)から再結晶させること
により精製した。
生成物(5g)の溶液を炭酸セシウム水溶液(20%w/v)
でpH7に滴定した。次に、溶液を蒸発乾固させ、ナトリ
ウム乾燥させたベンゼン(2×100ml)で共蒸留するこ
とにより最後に極微量残った水を除去した。残渣をふる
い乾燥させたDMF(100ml)に溶かし、撹拌しながら臭化
ベンジル(5.3g)を加えた。12時間撹拌を続け、その
後、沈澱した臭化セシウムを濾別し、減圧下で溶媒を除
去した。残渣に水を加え、生成物を酢酸エチル(100m
l)中に抽出し、抽出物を乾燥させた(MgSO4)。溶出液
として1:3酢酸エチル/石油留分(bp60〜80℃)を使用
するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにか
け、次に石油留分(bp40〜60℃)から再結晶させること
により精製した。
収率=79%;mp47℃ ステップ3(3) (A Hassner,V Alexanian,Tetrahedron,46,4475(19
78)参照) ふるい乾燥させたジクロロメタン(50ml)中の適当な
カルボン酸、この場合はn−4−オクチルオキシビフェ
ニル−4′−カルボン酸(10mmol)、ステップ3(2)
の生成物(11mmol)、DCC(11mmol)及びN−PPy(1mmo
l)の溶液を湿気を排除しながら撹拌した。次に、2:1ク
ロロホルム:石油留分(bp60〜80℃)で溶出するシリカ
ゲル上のtlcを行った。混合物を濾別し、水(3×50m
l)、5%酢酸(3×50ml)及び再び水(3×50ml)で
順次濾液を洗浄し、最後に乾燥させた(MgSO4)。2:1ク
ロロホルム:石油留分(bp60〜80℃)で溶出する、シリ
カゲル上のカラムクロマトグラフィーで生成物(油)を
精製し、無色の液体として生成物を得た。
78)参照) ふるい乾燥させたジクロロメタン(50ml)中の適当な
カルボン酸、この場合はn−4−オクチルオキシビフェ
ニル−4′−カルボン酸(10mmol)、ステップ3(2)
の生成物(11mmol)、DCC(11mmol)及びN−PPy(1mmo
l)の溶液を湿気を排除しながら撹拌した。次に、2:1ク
ロロホルム:石油留分(bp60〜80℃)で溶出するシリカ
ゲル上のtlcを行った。混合物を濾別し、水(3×50m
l)、5%酢酸(3×50ml)及び再び水(3×50ml)で
順次濾液を洗浄し、最後に乾燥させた(MgSO4)。2:1ク
ロロホルム:石油留分(bp60〜80℃)で溶出する、シリ
カゲル上のカラムクロマトグラフィーで生成物(油)を
精製し、無色の液体として生成物を得た。
収率=67%;▲〔α〕25 D▼+5.3゜ ステップ3(4) エタノール(25ml)中のステップ3(3)の生成物と
5%Pd−cとの混合物を、ガスの取り込みが終るまで、
水素雰囲気下で撹拌した。触媒を濾別し、減圧下で蒸留
することにより溶媒を除去した。5:1クロロホルム:メ
タノールで溶出するシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで粗生成物を精製した。石油留分(bp60〜80℃)から
再結晶させると、白色の結晶性固体としてカルボン酸が
得られた。
5%Pd−cとの混合物を、ガスの取り込みが終るまで、
水素雰囲気下で撹拌した。触媒を濾別し、減圧下で蒸留
することにより溶媒を除去した。5:1クロロホルム:メ
タノールで溶出するシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで粗生成物を精製した。石油留分(bp60〜80℃)から
再結晶させると、白色の結晶性固体としてカルボン酸が
得られた。
収率=86%;mp=83℃;▲〔α〕25 D▼−39.5゜ ステップ3(5) ナトリウム乾燥させたベンゼン(25ml)、塩化オキサ
リル(0.25g)及びDMF(1滴)の混合物中のステップ3
(4)(0.5g)の生成物の懸濁液を2時間撹拌した。減
圧下で蒸留することにより溶媒を除去し、残渣を乾燥ジ
グリム(50ml)に溶解させた。30分間激しく撹拌しなが
ら、この溶液にアンモニア水溶液(d=0.88,10ml)を
加え、更に30分間撹拌を続けた。混合物を水(100ml)
で希釈し、沈殿したアミドを濾別した。4:1エタノー
ル:水から再結晶させると白色粉末として生成物を得
た。
リル(0.25g)及びDMF(1滴)の混合物中のステップ3
(4)(0.5g)の生成物の懸濁液を2時間撹拌した。減
圧下で蒸留することにより溶媒を除去し、残渣を乾燥ジ
グリム(50ml)に溶解させた。30分間激しく撹拌しなが
ら、この溶液にアンモニア水溶液(d=0.88,10ml)を
加え、更に30分間撹拌を続けた。混合物を水(100ml)
で希釈し、沈殿したアミドを濾別した。4:1エタノー
ル:水から再結晶させると白色粉末として生成物を得
た。
収率=82%;mp126℃ ステップ3(6) ステップ3(5)の生成物(0.47g)、塩化チオニル
(1.2g)及び乾燥DMF(30ml)の溶液を8時間撹拌し
た。次に、反応混合物を水(50ml)に注ぎ、エーテル
(3×50ml)中にニトリルを抽出した。エーテル抽出物
を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗い、乾燥させた(Mg
SO4)。1:5酢酸エチル:石油留分(bp60〜80℃)で溶出
する、シリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにか
粗生成物を精製した。4:1エタノール:水から再結晶さ
せると、白色の結晶性固体としてニトリルが得られた。
(1.2g)及び乾燥DMF(30ml)の溶液を8時間撹拌し
た。次に、反応混合物を水(50ml)に注ぎ、エーテル
(3×50ml)中にニトリルを抽出した。エーテル抽出物
を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗い、乾燥させた(Mg
SO4)。1:5酢酸エチル:石油留分(bp60〜80℃)で溶出
する、シリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにか
粗生成物を精製した。4:1エタノール:水から再結晶さ
せると、白色の結晶性固体としてニトリルが得られた。
収率=78%;mp58.5℃;▲〔α〕25 D▼−10.5。
実施例4 式4.1の化合物であるホスト中に式Iの化合物を含有
する強誘電性スメクチック液晶混合物。
する強誘電性スメクチック液晶混合物。
混合物A: 転移温度; S? ca.40 SC66.8 SA 111.8N 134.7I 強誘電性特性: 混合物のSC相の推定ピッチは0.201μmであった。
混合物B: ホスト:混合物Aと同じホスト混合物と10重量%の 転移温度: S?45 SC56.1 SA 115N 134.8I 強誘電性特性: 混合物のSC相の推定ピッチは0.201μmであった。
下記の混合物C〜Gはいずれも組成: を有するスメクチックなホストを基としていた。
混合物C: 90重量%のホスト混合物 10重量%の 転移温度: SC−SA64゜,SA−Ch109.6゜,Ch−I135.2〜136.8゜(SC
室温) 強誘電性特性: 混合物D: 90重量%のホスト混合物 10重量%の 転移温度: S−SC32゜,SC−SA81゜,SA−Ch118.8゜,Ch−I139.2〜
140.5゜ 強誘電性特性: 混合物E: 60重量%のホスト混合物 転移温度: S−SC11゜,SC−SA58.7゜,SA−N100゜,Ch−I124〜12
5.4゜ 強誘電性特性: 混合物F: 75重量%のホスト混合物 転移温度: SC−SA62.5゜,SA−Ch81.4゜,Ch−I121〜123.2゜(室
温SC) 強誘電性特性: 混合物G: 61重量%のホスト混合物 この混合物中では、2つの光学活性化合物が反対のら
せんのねじりの方向のCh相の出現を誘導し、従って、混
合物はピッチを補償されている。
室温) 強誘電性特性: 混合物D: 90重量%のホスト混合物 10重量%の 転移温度: S−SC32゜,SC−SA81゜,SA−Ch118.8゜,Ch−I139.2〜
140.5゜ 強誘電性特性: 混合物E: 60重量%のホスト混合物 転移温度: S−SC11゜,SC−SA58.7゜,SA−N100゜,Ch−I124〜12
5.4゜ 強誘電性特性: 混合物F: 75重量%のホスト混合物 転移温度: SC−SA62.5゜,SA−Ch81.4゜,Ch−I121〜123.2゜(室
温SC) 強誘電性特性: 混合物G: 61重量%のホスト混合物 この混合物中では、2つの光学活性化合物が反対のら
せんのねじりの方向のCh相の出現を誘導し、従って、混
合物はピッチを補償されている。
転移温度: SC−SA63.4゜,SA−N84.2゜,N−Ch100゜,Ch−I120.4〜
122.2゜(室温SC) 強誘電性特性: 実施例5 を製造する経路4の実施例 ステップ4(1) 温度を0℃〜−2℃に維持しながら、3時間、0.5M硫
酸(390ml)中のL−バリン(30.0g,0.256mol)の撹
拌、冷却溶液に、水(105ml)中の亜硫酸ナトリウム(2
6.4g,0.384mol)の冷い溶液を滴加した。反応混合物を
室温で一晩撹拌し続け、次に固体の重炭酸ナトリウムを
加えてpHを6に調整した。50℃、減圧下で溶液を約150m
lまで濃縮した。40%H3PO4で溶液をpH3に酸性化し、粗
生成物をTHF(2×200ml)中に抽出した。THF溶液を食
塩水で洗い、乾燥させ(MgSO4)、50℃の減圧下で濃縮
して油とした。
122.2゜(室温SC) 強誘電性特性: 実施例5 を製造する経路4の実施例 ステップ4(1) 温度を0℃〜−2℃に維持しながら、3時間、0.5M硫
酸(390ml)中のL−バリン(30.0g,0.256mol)の撹
拌、冷却溶液に、水(105ml)中の亜硫酸ナトリウム(2
6.4g,0.384mol)の冷い溶液を滴加した。反応混合物を
室温で一晩撹拌し続け、次に固体の重炭酸ナトリウムを
加えてpHを6に調整した。50℃、減圧下で溶液を約150m
lまで濃縮した。40%H3PO4で溶液をpH3に酸性化し、粗
生成物をTHF(2×200ml)中に抽出した。THF溶液を食
塩水で洗い、乾燥させ(MgSO4)、50℃の減圧下で濃縮
して油とした。
粗生成物を水(105ml)に取り、室温で活性炭で脱色
した。pHを4.5〜5に調整した冷い溶液に、濃い水酸化
ナトリウム溶液を滴加した。(水溶液の3容の)アセト
ンを加え、形成された沈殿を濾別し、乾燥させた(真空
下、CaCl2)。
した。pHを4.5〜5に調整した冷い溶液に、濃い水酸化
ナトリウム溶液を滴加した。(水溶液の3容の)アセト
ンを加え、形成された沈殿を濾別し、乾燥させた(真空
下、CaCl2)。
収量=22g(61%);▲〔α〕24 D▼=−13.95゜(H
2O)。
2O)。
ステップ4(2) ステップ4(1)生成物(10.0g,72mmol)、臭化ベン
ジル(12.2g,72mmol)及びふるい乾燥させたDMF(120m
l)の混合物を室温で24時間撹拌した。減圧下(50〜55
℃)でDMFを除去し、残りの懸濁液をエーテル(100ml)
で希釈し、濾過した。濾液を水、重炭酸ナトリウム溶
液、水で順次洗い、乾燥させた(MgSO4)。溶媒の留去
後(55℃以下)、粗生成物を得た。
ジル(12.2g,72mmol)及びふるい乾燥させたDMF(120m
l)の混合物を室温で24時間撹拌した。減圧下(50〜55
℃)でDMFを除去し、残りの懸濁液をエーテル(100ml)
で希釈し、濾過した。濾液を水、重炭酸ナトリウム溶
液、水で順次洗い、乾燥させた(MgSO4)。溶媒の留去
後(55℃以下)、粗生成物を得た。
収量=14.4g(96%) 135〜140℃/0.6〜0.65mmHgで蒸留して粗生成物を精製
した。
した。
ステップ4(3) ふるい乾燥させたジクロロメタン中の4′−オクタチ
ルオキシ−4−カルボン酸(10.8g、0.33mol)、ステッ
プ4(2)の生成物(6.9g,0.033mol)及びN−PPy(0.
49g,0.033mol)の撹拌混合物に、ふるい乾燥させたジク
ロロメタン中のDDC(17.5g,0.036mol)の溶液を20分間
かけてゆっくりと加えた。
ルオキシ−4−カルボン酸(10.8g、0.33mol)、ステッ
プ4(2)の生成物(6.9g,0.033mol)及びN−PPy(0.
49g,0.033mol)の撹拌混合物に、ふるい乾燥させたジク
ロロメタン中のDDC(17.5g,0.036mol)の溶液を20分間
かけてゆっくりと加えた。
反応混合物を室温で6時間撹拌した。N,N−ジクロロ
ヘキシル尿素を濾別し、濾液を水、5%酢酸水溶液、水
で順次洗浄し、最後に乾燥させた(MgSO4)。溶媒除去
後、溶出液として4:1ジクロロメタン:軽油(bp60〜80
゜)を使用するシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
組成ジエステルを精製して粘性の液体生成物を得た。
ヘキシル尿素を濾別し、濾液を水、5%酢酸水溶液、水
で順次洗浄し、最後に乾燥させた(MgSO4)。溶媒除去
後、溶出液として4:1ジクロロメタン:軽油(bp60〜80
゜)を使用するシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
組成ジエステルを精製して粘性の液体生成物を得た。
収量=12.5g(74%) ステップ4(4) ステップ4(3)の生成物(12.5g,24.2mmol)を酢酸
エチル(160ml)に溶解し、炭上の5%Pd(200mg)を加
えた。水素雰囲気下で一晩、混合物を撹拌した(TLCで
反応をモニターした)。水素添加分解完了後(ca550ml
のH2)、触媒を濾別し、濾液を蒸発乾固させて固体生成
物を得た。固体はTLCで単一のスポットを示し、更に精
製することなく使用した。
エチル(160ml)に溶解し、炭上の5%Pd(200mg)を加
えた。水素雰囲気下で一晩、混合物を撹拌した(TLCで
反応をモニターした)。水素添加分解完了後(ca550ml
のH2)、触媒を濾別し、濾液を蒸発乾固させて固体生成
物を得た。固体はTLCで単一のスポットを示し、更に精
製することなく使用した。
収量=9.7g(95%);mp=80〜83℃ ステップ4(5) ステップ4(4)からのカルボン酸(9.4g,22.06mmo
l)をナトリウム乾燥させたベンゼン(25ml)中の塩化
オキサリル(5.75g,44mmol)及びふるい乾燥させたDMF
(2滴)と室温で3時間反応させて、先ず酸クロリドに
変換した。過剰な塩化オキサリルと溶解とを減圧下の蒸
留により除去した。組成酸クロリドをジグリム(10ml)
に溶解し、撹拌しながらアンモニアの水溶液(5g=0.8
8,100ml)に加えた。添加後、反応混合物を室温で30分
撹拌し、次に生成物を濾別し、水洗し、乾燥させた(真
空下CaCl2)。
l)をナトリウム乾燥させたベンゼン(25ml)中の塩化
オキサリル(5.75g,44mmol)及びふるい乾燥させたDMF
(2滴)と室温で3時間反応させて、先ず酸クロリドに
変換した。過剰な塩化オキサリルと溶解とを減圧下の蒸
留により除去した。組成酸クロリドをジグリム(10ml)
に溶解し、撹拌しながらアンモニアの水溶液(5g=0.8
8,100ml)に加えた。添加後、反応混合物を室温で30分
撹拌し、次に生成物を濾別し、水洗し、乾燥させた(真
空下CaCl2)。
収量=9.4g(100%);mp=95〜97℃ ステップ4(6) ふるい乾燥させたDMF(100ml)中のステップ4(5)
からのアミド(9.0g,22.1mmol)の激しく撹拌した溶液
に、塩化チオニル(26.3g,221mmol)とふるい乾燥させ
たDMF(100ml)との混合物を30分かけて滴加した。添加
後、反応混合物を室温で8時間撹拌し続け、次に氷水上
に注ぎ、生成物をエーテル(2×300ml)中に抽出し
た。エーテル抽出物を重炭酸ナトリウム飽和溶液及び水
で順次洗浄し、次いで乾燥させた(MgSO4)。溶媒除去
後、生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにか
け、1:3酢酸エチル:軽油(bp40〜60℃)で溶出して精
製した。
からのアミド(9.0g,22.1mmol)の激しく撹拌した溶液
に、塩化チオニル(26.3g,221mmol)とふるい乾燥させ
たDMF(100ml)との混合物を30分かけて滴加した。添加
後、反応混合物を室温で8時間撹拌し続け、次に氷水上
に注ぎ、生成物をエーテル(2×300ml)中に抽出し
た。エーテル抽出物を重炭酸ナトリウム飽和溶液及び水
で順次洗浄し、次いで乾燥させた(MgSO4)。溶媒除去
後、生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにか
け、1:3酢酸エチル:軽油(bp40〜60℃)で溶出して精
製した。
収量=8.3g(97%) カラムからの生成物を軽油(bp40〜60℃)から再結晶
させると白色の結晶性の固体が得られた。
させると白色の結晶性の固体が得られた。
mp=66.9℃;▲〔α〕20 D▼=−3.1゜(CHCl3) ステップ4(3)の適当なカルボン酸及びステップ4
(1)に示したアミノ酸を用い、同様な方法を行うこと
により下記の化合物を製造した。
(1)に示したアミノ酸を用い、同様な方法を行うこと
により下記の化合物を製造した。
実施例6 経路6を用いる の製造 ステップ6(3) 激しく撹拌しながら、20時間、ふるい乾燥させたアセ
トニトリル(100ml)中の4−n−デシル−4′−ヒド
ロキシビフェニル(0.02mol)、乳酸トシル(0.024mo
l)及び無水炭酸カリウム(0.024mol)を緩和に還流し
た。冷却した反応混合物を冷水(200ml)に注ぎ入れ、
エーテル(2×150ml)中に抽出した。エーテル抽出物
を合せて、水(100ml)、冷い5%NaOH水溶液(100m
l)、水(2×100ml)で洗い、乾燥させた(MgSO4)。
溶媒の除去後、95%エタノール水溶液から固体残渣を再
結晶させると無色の結晶として生成物が得られた。
トニトリル(100ml)中の4−n−デシル−4′−ヒド
ロキシビフェニル(0.02mol)、乳酸トシル(0.024mo
l)及び無水炭酸カリウム(0.024mol)を緩和に還流し
た。冷却した反応混合物を冷水(200ml)に注ぎ入れ、
エーテル(2×150ml)中に抽出した。エーテル抽出物
を合せて、水(100ml)、冷い5%NaOH水溶液(100m
l)、水(2×100ml)で洗い、乾燥させた(MgSO4)。
溶媒の除去後、95%エタノール水溶液から固体残渣を再
結晶させると無色の結晶として生成物が得られた。
収量=5.5g(67%);mp=38℃; ▲〔α〕24 D▼+19.1゜(CHCl3) ステップ6(4) ステップ6(3)の生成物(0.012mol)、水(15ml)
中のKOH(0.0144mol)及びエタノール(50ml)を1時間
緩和に還流した。減圧下に過剰な溶媒を除去し、残渣を
冷水(50ml)で希釈し、次にpHが約2になるまで希HCl
を加えて注意深く酸性化した。混合物をエーテル(3×
50ml)で抽出し、エーテル抽出物を合せて水(50ml)で
洗い、乾燥させた(MgSO4)。溶媒の除去後、固体残渣
を石油エーテル(80〜100℃)から再結晶させた。
中のKOH(0.0144mol)及びエタノール(50ml)を1時間
緩和に還流した。減圧下に過剰な溶媒を除去し、残渣を
冷水(50ml)で希釈し、次にpHが約2になるまで希HCl
を加えて注意深く酸性化した。混合物をエーテル(3×
50ml)で抽出し、エーテル抽出物を合せて水(50ml)で
洗い、乾燥させた(MgSO4)。溶媒の除去後、固体残渣
を石油エーテル(80〜100℃)から再結晶させた。
収量=4.3g(93%);mp=110.5℃; ▲〔α〕24 D▼+8.4゜(CHCl3) ステップ6(5) 経路1のステップ4と同様の方法で実施した。出発物
質はステップ6(4)の生成物(0.011mol)、ベンゼン
(60ml)中の塩化オキサリル(0.021mol)、DMF(2
滴)及びジグリル(100ml)中の35%NH3水溶液であっ
た。粗生成物を石油エーテル(100〜120℃)から結晶化
した。
質はステップ6(4)の生成物(0.011mol)、ベンゼン
(60ml)中の塩化オキサリル(0.021mol)、DMF(2
滴)及びジグリル(100ml)中の35%NH3水溶液であっ
た。粗生成物を石油エーテル(100〜120℃)から結晶化
した。
収量=3.6g(88%);mp=171℃ ステップ6(6) 経路1のステップ5と同様の方法で実施した。出発物
質はステップ6(5)の生成物(0.0087mol)とDMF(80
ml)中の塩化チオニル(0.0087mol)であった。粗生成
物をシリカゲルクロマトグラフィーにかけ、CH2Cl2で溶
出した。精製した物質をエタノールから結晶化した。
質はステップ6(5)の生成物(0.0087mol)とDMF(80
ml)中の塩化チオニル(0.0087mol)であった。粗生成
物をシリカゲルクロマトグラフィーにかけ、CH2Cl2で溶
出した。精製した物質をエタノールから結晶化した。
収量=2.6g(84%);mp66℃; ▲〔α〕24 D▼+96.8゜(CHCl3) 実施例7 上記に概説した方法を使用して次の化合物も製造し
た: それらの特性のいくつかを下記に示す。
た: それらの特性のいくつかを下記に示す。
A. 固体−等方性84.3゜,▲〔α〕20 D▼−23.1゜(CHC
l3) B. 固体1−固体229.4゜,固体−等方性32.2゜ ▲〔α〕20 D▼−4.8゜(CHCl3) C. 液体,mp−20℃以下▲〔α〕20 D▼−16.8゜(CHC
l3) D. 固体−SC102゜,SC−SA145゜,SA−I154.6 ▲〔α〕20 D▼−9.35゜(CHCl3) 実施例8 式Iの化合物と4.1を含む強誘電性スメクチック液晶
混合物。下記のデータ中、物質H1は次の組成: を有し、ネマチック物質E7は組成: を有している。
l3) B. 固体1−固体229.4゜,固体−等方性32.2゜ ▲〔α〕20 D▼−4.8゜(CHCl3) C. 液体,mp−20℃以下▲〔α〕20 D▼−16.8゜(CHC
l3) D. 固体−SC102゜,SC−SA145゜,SA−I154.6 ▲〔α〕20 D▼−9.35゜(CHCl3) 実施例8 式Iの化合物と4.1を含む強誘電性スメクチック液晶
混合物。下記のデータ中、物質H1は次の組成: を有し、ネマチック物質E7は組成: を有している。
式Iの化合物とH1を含有する混合物の特性を第5表及
び第6表に示す。表中、次の記号及び略号を使用した。
び第6表に示す。表中、次の記号及び略号を使用した。
PS=推定の自発分解(nCcm-2) N* P=E7中のキラルネマチックピッチ(μm) pPS=N* P×PS SOP/SON=N*らせんピッチの方向及びS* C相の分極 C9,C9O等はC9H19,C9H19O等の略である。
下記第6表は次の物質: を基とする迅速にスウィッチする強誘電性スメクチック
液晶混合物の特性を示している。
液晶混合物の特性を示している。
第6表中、ホスト等の割合は重量%、相転移は℃、傾
斜は゜で示しPWはスウィッチするための最小のパルス幅
(μs)意味し、ACはラッチ(latch)するためのピー
ク電圧を意味する。PS及び傾斜は25℃のものである。
斜は゜で示しPWはスウィッチするための最小のパルス幅
(μs)意味し、ACはラッチ(latch)するためのピー
ク電圧を意味する。PS及び傾斜は25℃のものである。
第6表は、スウィッチするための最小パルス幅の低い
値により、混合物の迅速なスィッチ時間を示している。
値により、混合物の迅速なスィッチ時間を示している。
第7図は、第6表に示す種々の混合物について、温度
(℃)に対するPSグラフを示している。第6表中の記号
はグラフのものと一致する。
(℃)に対するPSグラフを示している。第6表中の記号
はグラフのものと一致する。
実施例9 式Iの化合物と4.3を含有する強誘電性スメクチック
液晶混合物。
液晶混合物。
組成: を有するスメクチックホストH2を製造した。
混合物H の相転移(℃) I128 N* 84 SA 64 S* C<−20であった。
混合物I 2つの光学活性化合物の配置は、反対のらせんのねじ
れ方向のキラルスメクチック相の出現を誘導するよう選
択した。
れ方向のキラルスメクチック相の出現を誘導するよう選
択した。
混合物の相転移(℃)は I145 N*114SA 59.7 S* C10S? であった。
ここで、本発明を具体化する液晶材料及び装置におけ
る式Iの化合物の使用例を第8図を参照して示そう。
る式Iの化合物の使用例を第8図を参照して示そう。
第8図において、液晶セルは、その表面上に例えば酸
化スズ又は酸化インジウムの透明伝導層3を有するガラ
ススライド2と、その表面上に透明伝導層5を有するガ
ラススライド4との間にはさまれた、キラルスメクチッ
ク相を示す液晶物質層1からなる。層3,5を有するスラ
イド2,4は各々、ポリイミドポリマーのフィルム6,7で被
覆されている。セルを構成する前に、フィルム6及び7
を所与の方向に敷い紙でこする。こする方向はセルの構
成に際し平行となるようにする。例えばポリメチルメタ
クリレートのスペーサ8は、必要な距離、例えば5ミク
ロン、スライド2,4を離す。
化スズ又は酸化インジウムの透明伝導層3を有するガラ
ススライド2と、その表面上に透明伝導層5を有するガ
ラススライド4との間にはさまれた、キラルスメクチッ
ク相を示す液晶物質層1からなる。層3,5を有するスラ
イド2,4は各々、ポリイミドポリマーのフィルム6,7で被
覆されている。セルを構成する前に、フィルム6及び7
を所与の方向に敷い紙でこする。こする方向はセルの構
成に際し平行となるようにする。例えばポリメチルメタ
クリレートのスペーサ8は、必要な距離、例えば5ミク
ロン、スライド2,4を離す。
スライド2,4とスペーサー8との間の空間を満たし、
公知の方法で真空下にスペーサー8を密封することによ
り、液晶材料1をスライド2,4の間に導入する。スライ
ド2,4上のこすった方向で液晶分子の整列を促進するた
めに、スライド2,4の間に導入するときに液晶物質がス
メクチックA、ネマチック又は(物質の加熱により得ら
れる)等方性液晶であるのが好ましい。
公知の方法で真空下にスペーサー8を密封することによ
り、液晶材料1をスライド2,4の間に導入する。スライ
ド2,4上のこすった方向で液晶分子の整列を促進するた
めに、スライド2,4の間に導入するときに液晶物質がス
メクチックA、ネマチック又は(物質の加熱により得ら
れる)等方性液晶であるのが好ましい。
ポーラライザ9はフィルム6,7のこすり方向に平行に
分極軸を有するようにし、アナライザ(交差したポーラ
ライザー)10はこすり方向に垂直な分極軸を有するよう
にする。
分極軸を有するようにし、アナライザ(交差したポーラ
ライザー)10はこすり方向に垂直な分極軸を有するよう
にする。
層3と5とに接触させることにより、約+10ボルトか
ら−10ボルトの間に変化する矩形波電圧(慣用の源から
のもの、図示せず)を、セルを横切って適応すると、上
記に説明したように暗い状態と明るい状態との間の電圧
の微候の変化に際し、セルはす速くスウィッチが入る。
ら−10ボルトの間に変化する矩形波電圧(慣用の源から
のもの、図示せず)を、セルを横切って適応すると、上
記に説明したように暗い状態と明るい状態との間の電圧
の微候の変化に際し、セルはす速くスウィッチが入る。
第8図に示すセル構造を基とする別の装置(図示せ
ず)では、層3及び5は、公知の方法、例えば光エッチ
ング又はマスクを通した沈積により、例えば1つ以上の
表示記号、例えば文字、数字、言葉又は図及びディスプ
レイ上に慣用に見られるものなどを提供して選択的に形
作る。それにより、形成される電極部分は多様な操作を
含む種々の方法により処理される。
ず)では、層3及び5は、公知の方法、例えば光エッチ
ング又はマスクを通した沈積により、例えば1つ以上の
表示記号、例えば文字、数字、言葉又は図及びディスプ
レイ上に慣用に見られるものなどを提供して選択的に形
作る。それにより、形成される電極部分は多様な操作を
含む種々の方法により処理される。
液晶物質1は前記実施例に記載のどの1つであっても
よい。
よい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 255/41 C07C 255/41 C09K 19/12 9279−4H C09K 19/12 19/14 19/14 19/20 19/20 19/30 19/30 G02F 1/13 500 G02F 1/13 500 // C07M 7:00 (72)発明者 トイン,ケンネス・ジヨンソン イギリス国、ノース・ハムバーサイド・ エイチ・ユー・6・8・キユー・ダブリ ユ、ハール、ホール・ロード・25 (72)発明者 スクロウストン,リチヤード・マイクル イギリス国、ノース・ハムバーサイド、 ビバリー、ウオーキントン、ソーンダー ズ・クロフト・11 (72)発明者 ジヤクソン,アダム イギリス国、ノース・ハムバーサイド・ エイチ・ユー・3・6・キユー・テイ ー、ハール、アナルビー・ロード、デイ ー・ラ・ポウル・アベニユー・10 (72)発明者 チヤン,ロウレンス・カム・ミング イギリス国、ノース・ハムバーサイド、 ハール、ホールダーネス・ロード、リ ー・ストリート・112 (72)発明者 シエノウダ,イブラヒーム・ジンデイ イギリス国、ノース・ハムバーサイド・ エイチ・ユー・52・イー・ダブリユ、ハ ール、ニユーランド・アベニユー、トリ ントン・ストリート、13 (72)発明者 ブラツドシヨー,マダリン・ジヨウン イギリス国、グロスター・ジー・エル・ 18・1・イー・ジエイ、ニア・ニユーエ ント、アツプリードン、“アンダーリー フ” (番地なし) (72)発明者 ブリムメル,ビクトリア イギリス国、ウスターシヤー・ダブリ ユ・アール・8・9・デイー・ビー、ア ールズ・クルーム、キーレイン・コテイ ジ (番地なし) (72)発明者 コンスタント,ジエニフアー イギリス国、ウスターシヤー、ポウイツ ク、ボウリング・グリーン・ロード・8 (72)発明者 レインズ,エドワード・ピーター イギリス国、ウスター・ダブリユ・アー ル・14・2・エツクス・テイー、モール バーン、ホール・グリーン、リードン・ ロウド・23 (56)参考文献 特開 昭61−243055(JP,A)
Claims (18)
- 【請求項1】式: [式中、Xは一般式: (ここでRは水素、C1〜C12のアルキルまたはアルコキ
シであり、各 は同じか又は異なるものであってそれぞれ独立してフェ
ニル、ハロゲン置換フェニルまたはトランス−シクロヘ
キシルであり、Aは一重結合、COOまたはOOCであり、a
は0または1である)の基を示し、 YはCOOまたはOから選択され、 Bは1〜12個の炭素原子を有するアルキル、シクロヘキ
シルまたは (ここでdは0又は1であり、R′は水素、C1〜C12の
アルキルまたはアルコキシから選択される)の基を示
す] 表わされる光学活性化合物、 ただし、 (A)化合物が式: で表されるとき、以下の条件 i)aが1の場合の中間の はハロゲン置換フェニルである; ii)YはOである; iii)Bはシクロヘキシルである; iv)Bは である; の少なくとも1つを満足する、 (B)化合物が式: で表されるとき、以下の条件 i)aが1である; ii)YはOである; iii)Bはシクロヘキシルである; iv)Bは である; v)BはC3〜C12の分鎖アルキルである; の少なくとも1つを満足する。 - 【請求項2】−Y−CH(CN)−Bが−COOCH(CN)−B
であることを特徴とする請求項1の化合物。 - 【請求項3】Bがn−アルキルである請求項2の化合
物。 - 【請求項4】Bが構造式B1 (式中、tは0又は整数1〜6であり、nとmは同じで
も又は異なっていてもよくそれぞれ1〜6の値をとる)
の分枝又は光学活性アルキル基である請求項2の化合
物。 - 【請求項5】tが0又は1であり、nとmのうち少なく
とも1つが1つである請求項4の化合物。 - 【請求項6】Bがシクロヘキシルである請求項2の化合
物。 - 【請求項7】構造式: (式中、R1はC3〜C12のn−アルキルまたはn−アルコ
キシであり、R2は構造式B1の分枝又は光学活性アルキル
基である)をもつ請求項4の化合物。 - 【請求項8】構造式: (式中、R1はC3〜C12のn−アルキルまたはn−アルコ
キシである)をもつ請求項6の化合物。 - 【請求項9】構造式: (式中、R1はC3〜C12のn−アルキルまたはn−アルコ
キシであり、R2はC1〜C12のn−アルキルである)をも
つ請求項3の化合物。 - 【請求項10】構造式: (式中、R1はC3〜C12のn−アルキルまたはn−アルコ
キシであり、R2は構造式B1の分枝又は光学活性アルキル
基である)をもつ請求項4の化合物。 - 【請求項11】構造式: (式中、R1はC3〜C12のn−アルキルまたはn−アルコ
キシである)をもつ請求項6の化合物。 - 【請求項12】次の構造式: (式中、R1はC3〜C12のn−アルキルまたはn−アルコ
キシであり、R2はC1〜C12のn−アルキルまたはC3〜C12
の分枝又は光学活性アルキルから選択される)から選択
される請求項2の化合物。 - 【請求項13】構造式: (式中、R1はC3〜C12のn−アルキルまたはn−アルコ
キシであり、R2はC1〜C12のn−アルキルまたはC3〜C12
の分枝又は光学活性アルキルから選択される)をもつ請
求項1の化合物。 - 【請求項14】R2がCH3、C2H5、C3H7、n−C4H9、n−C
5H11、n−C6H13、n−C7H15、CH(CH3)2、CH2CH(CH
3)2またはCH(CH3)C2H5から選択され、R1がC8〜C10
のn−アルキルまたはn−アルコキシである請求項7,8,
10,11,13または14のいずれかに記載の化合物。 - 【請求項15】少なくとも2つの化合物の混合物からな
り、そのうちの少なくとも1つが式: [式中、Xは一般式: (ここでRは水素、C1〜C12のアルキルまたはアルコキ
シであり、各 は同じか又は異なるものであってそれぞれ独立してフェ
ニル、ハロゲン置換フェニルまたはトランス−シクロヘ
キシルであり、Aは一重結合、COOまたはOOCであり、a
は0または1である)の基を示し、 YはCOOまたはOから選択され、 Bは1〜12個の炭素原子を有するアルキル、シクロヘキ
シルまたは (ここでdは0又は1であり、R′は水素、C1〜C12の
アルキルまたはアルコキシから選択される)の基を示
す] で表わされる光学活性化合物、 ただし、 (A)化合物が式: で表されるとき、以下の条件 i)aが1の場合の中間の はハロゲン置換フェニルである; ii)YはOである; iii)Bはシクロヘキシルである; iv)Bは である; の少なくとも1つを満足する、 (B)化合物が式: で表されるとき、以下の条件 i)aが1である; ii)YはOである; iii)Bはシクロヘキシルである; iv)Bは である; v)BはC3〜C12の分鎖アルキルである; の少なくとも1つを満足する、 ことを特徴とする強誘電性スメクチック液晶材料。 - 【請求項16】次の式: (式中、RAとRBは独立してC1〜C12のn−アルキルまた
はn−アルコキシまたは光学活性アルキルまたはアルコ
キシ基を示す)の化合物のうち少なくとも1つを更に含
有する請求項16の材料。 - 【請求項17】式: (式中、RAとRBは独立してC1〜C12のn−アルキルまた
はn−アルコキシである)の化合物のうち少なくとも1
つを更に含有する請求項16の材料。 - 【請求項18】強誘電性スメクチック液晶材料を含む液
晶電子−光学表示装置であって、前記液晶材料が少なく
とも2つの化合物の混合物からなり、そのうちの少なく
とも1つが式: [式中、Xは一般式: (ここでRは水素、C1〜C12のアルキルまたはアルコキ
シであり、各 は同じか又は異なるものであってそれぞれ独立してフェ
ニル、ハロゲン置換フェニルまたはトランス−シクロヘ
キシルであり、Aは一重結合、COOまたはOOCであり、a
は0または1である)の基を示し、 YはCOOまたはOから選択され、 Bは1〜12個の炭素原子を有するアルキル、シクロヘキ
シルまたは (ここでdは0又は1であり、R′は水素、C1〜C12の
アルキルまたはアルコキシから選択される)の基を示
す] で表わされる光学活性化合物、 ただし、 (A)化合物が式: で表されるとき、以下の条件 i)aが1の場合の中間の はハロゲン置換フェニルである; ii)YはOである; iii)Bはシクロヘキシルである; iv)Bは である; の少なくとも1つを満足する、 (B)化合物が式: で表されるとき、以下の条件 i)aが1である; ii)YはOである; iii)Bはシクロヘキシルである; iv)Bは である; v)BはC3〜C12の分鎖アルキルである; の少なくとも1つを満足する、 ことを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB868615316A GB8615316D0 (en) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | Chiral liquid crystal compounds |
GB8615316 | 1986-06-23 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8160003A Division JP2620544B2 (ja) | 1986-06-23 | 1996-06-20 | 強誘電性液晶混合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01503455A JPH01503455A (ja) | 1989-11-22 |
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