JP2574916B2 - 光磁気記録媒体の再生用光学装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体の再生用光学装置に関し、
特に、磁性体の円二色性効果を利用して光磁気信号を差
動検出する再生用光学装置に関するものである。

〔従来の技術〕

記録媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた光デ
ィスクは、デジタルメモリとして実用化段階に入ってき
ている。光ディスクに記録された情報の再生には、通
常、半導体レーザが発する直線偏光を記録媒体に照射
し、その反射光の偏波面の回転を検光子で光強度に変換
する方法が採られている。

上記のいわゆるカー効果を利用した再生方法の原理を
説明すると、第５図に示すように、半導体レーザが発す
る直線偏光の記録媒体における反射光R₁₁は、検光子31
に導かれる。検光子31において、記録媒体の垂直磁化方
向の違いに対応する偏波面の傾きの違いによって分離さ
れた検出光D₁₁と検出光D₁₂とが、それぞれ光検出器32・
33によって電気信号に変換され、再生信号S₁₁および再
生信号S₁₂が得られる。

記録媒体の垂直磁化方向の特定方向を（＋）、その逆
方向を（−）とし、（＋）方向に磁化された記録ビット
における反射光ベクトルをα、（−）方向に磁化された
記録ビットにおける反射光ベクトルをβ、入射光ベクト
ルをγとする。第６図に示すように、反射光ベクトルα
の偏波面は入射光ベクトルγに対してカー回転角＋θ_ｋ
だけ回転している。また、反射光ベクトルβの偏波面は
入射光ベクトルγに対してカー回転角−θ_ｋだけ回転し
ている。

反射光ベクトルα・βは、検光子31の互いに直交する
２つの偏光方向Ｘ・Ｙに検波される。偏光方向Ｘに対し
ては、反射光ベクトルβの成分β_Ｘに対応する信号が光
検出器32によってハイレベルで出力され、反射光ベクト
ルαの成分α_Ｘに対応する信号が光検出器32によってロ
ーレベルで出力される。これによって、ハイレベルが
（−）方向に磁化された記録に対応する再生信号S₁₁が
光検出器32から出力される。

一方、偏光方向Ｙに対しては、成分α_Ｘが光検出器32
からローレベルとして出力されるとき、反射光ベクトル
αの成分α_Ｙに対応する信号が光検出器33によってハイ
レベルで出力される。また、成分β_Ｘが光検出器32から
ハイレベルとして出力されるとき、反射光ベクトルβの
成分β_Ｙに対応する信号が光検出器33によってローレベ
ルで出力される。これによって、光検出器32から出力さ
れ、ハイレベルが（−）方向に磁化された記録に対応す
る再生信号S₁₁と、光検出器33から出力され、ハイレベ
ルが（＋）方向に磁化された記録に対応する再生信号S
₁₂とは、位相が互いに半周期ずれ、極性が互いに反転し
た信号となる。

このようにして得られた再生信号S₁₁および再生信号S
₁₂は、反射光の偏波面の回転に基づいて得られた信号な
ので、光ディスクに付着したほこり等の影響が少なくデ
ィスクノイズが含まれにくい。さらに、S/N比を向上さ
せるためこれらは差動増幅器に入力され、その出力信号
に基づいて情報の再生が行われる。

ところが、上記のように光磁気記録に対して通常行わ
れるカー効果を利用した再生方法では、検光子31の設定
に高精度が要求され、また、再生装置の価格上昇を招く
という問題点を有している。

そこで、検光子を用いずに再生用光学装置を簡略化し
て再生装置のコストダウンを図ることができる方法とし
て、記録媒体に円偏光を照射し、記録媒体の垂直磁化方
向の違いに対応して反射光の強度と位相に異方性が生じ
ることを利用する、いわゆる円二色性効果を利用する再
生方法も理論的には考えられている。

第７図に示すように、記録媒体34の入射光側の媒質の
屈折率をn₀、記録媒体34の上向き磁化方向の記録ビット
34aの屈折率をn₊、複素反射率をr₊、下向き磁化方向の
記録ビット34bの屈折率をn_-、複素反射率をr_-とする。
このような記録媒体34に、例えば光の進行方向に正対し
て右回りの円偏光L₁₁を照射したとき、記録ビット34aに
おける反射光は左回りの円偏光L₁₂となり、記録ビット3
4bにおける反射光は強度に小さい左回りの円偏光L₁₃と
なって、 （r₊）^２−（r_-）^２ ……（１） の式で表わされる反射光強度差が得られる（記録媒体34
に左回りの円偏光を照射したときは、反射光は右回りと
なり、記録ビット34aおよび記録ビット34bにおける反射
光強度の関係は上記と逆になる）。なお、r₊およびr
_-は、n₀、n₊、n_-を用いて、 r₊＝（n₀−n₊）／（n₀＋n₊） ……（２） r_-＝（n₀−n_-）／（n₀＋n_-） ……（３） のように表される。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、円二色性効果を利用した再生方法では、記
録媒体の磁化方向を反射光強度差で検出しようとするた
め、光ディスクに付着したほこり等の異物が反射光強度
に影響を与え、再生信号にノイズが含まれることにな
る。その結果、従来のカー効果を利用した再生方法より
も、信号品質が劣化し易いという問題点を有している。

本発明の目的は、光磁気記録媒体の情報再生にカー効
果を利用せず、円二色性効果を利用して光学系を簡略化
し、しかも従来のように再生信号を差動増幅できるよう
にした光磁気記録媒体の再生用光学装置を提供すること
にある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る光磁気記録媒体の再生用光学装置は、上
記の課題を解決するために、光ビームをたとえば希土類
遷移金属合金薄膜から成る光磁気記録媒体に照射し、そ
の反射光を光検出手段によって検出することにより、磁
化方向の違いによって光磁気記録媒体に記録された情報
を読み取る光磁気記録媒体の再生用光学装置において、
Ｓ偏光を出射する第１の光源たとえば半導体レーザと、
上記Ｓ偏光とは波長の異なるＰ偏光を出射する第２の光
源たとえば半導体レーザと、Ｓ偏光およびＰ偏光を円偏
光に変換して光磁気記録媒体に導く1/4波長板と、上記
第１及び第２の各光源の駆動信号の位相をずらして第１
及び第２の各光源を交互にON−OFFし、Ｓ偏光の出射と
Ｐ偏光の出射とを交互に切り換えるスイッチング手段た
とえばインバータおよび高周波アンプと、光検出手段が
光磁気記録媒体における各反射光の強度変化に対応する
再生信号を分離して出力するための分離手段たとえばイ
ンバータおよび高周波アンプ、あるいは偏光ビームスプ
リッタとを備え、上記各再生信号が差動増幅されること
を特徴としている。

〔作 用〕

上記の構成によれば、第１の光源が出射するＳ偏光
は、1/4波長板（互いに垂直な方向に振動する直線偏光
間の光路差が1/4波長±20％以内であれば使用できる）
でたとえば右円偏光に変換され光磁気記録媒体に照射さ
れる。第２の光源は、スイッチング手段の動作によっ
て、第１の光源がOFFのときＰ偏光を出射し、Ｐ偏光と
Ｓ偏光とは各光源から交互に出射される。出射されたＰ
偏光は、1/4波長板でたとえば左円偏光に変換され光磁
気記録媒体に照射される。

たとえば希土類遷移金属合金薄膜から成る光磁気記録
媒体は、円二色性を有しているので、光磁気記録媒体の
磁化方向が垂直下向きになっている磁区では、照射され
た右円偏光は強度が大きく減衰した左円偏光となって反
射される。一方、照射された左円偏光は強度の減衰が小
さい右円偏光となって反射される。従って、垂直下向き
の磁区では、反射光強度は照射された右円偏光と左円偏
光のON−OFF、即ち、Ｐ偏光とＳ偏光のON−OFFに同期し
て変化することになる。

また、磁化方向が垂直上向きになっている磁区では、
照射された左円偏光は強度が大きく減衰した右円偏光と
なって反射される。一方、照射された右円偏光は強度の
減衰が小さい左円偏光となって反射される。従って、垂
直上向きの磁区では、反射光強度は上記と逆に、照射さ
れた左円偏光と右円偏光のON−OFF、即ち、Ｓ偏光とＰ
偏光のON−OFFに同期して変化することになる。結局、
光磁気記録媒体における反射光の強度変化は、磁化方向
が垂直下向きの磁区と垂直上向きの磁区とで対象的とな
るので、その位相は半周期ずれることになる。

分離手段は、この反射光強度変化の位相のずれを、第
１の光源と第２の光源のON−OFFに同期して、極性が互
いに逆向きの２種類の再生信号として光検出手段に出力
させるので、差動増幅が可能になる。こうして得られた
再生信号は、記録媒体の磁化方向に対応して変化し、こ
れに基づいて記録情報がディジタルに読み出される。反
射光強度に基づく各再生信号にほこり等の影響によるノ
イズが含まれていたとしても、差動増幅されることによ
ってノイズが相殺されるので、実用レベルのS/N比が得
られる。

〔実施例１〕 本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。

本発明の再生用光学装置の要部は、第１図に概略的に
示すように、異なる波長を有すると共に偏光方向が互い
に直交するレーザ光を発射する第１の光源および第２の
光源としての半導体レーザ１・２、偏光ビームスプリッ
タ３、ハーフミラー４、平行光線束を作るコリメートレ
ンズ５、直線偏光を円偏光に変える1/4波長板６、対物
レンズ７、光検出手段としての光検出器10、入力された
基準信号がハイレベルのとき光検出器10の出力に基づい
て再生信号S₁および再生信号S₂をそれぞれ出力する分離
手段としての高周波アンプ11および高周波アンプ12、ク
ロックパルスを出力する発振器13、光ディスク８からの
戻り光によるレーザノイズ低減のためにレーザ駆動電流
に高周波信号を重畳させ、半導体レーザ１・２にマルチ
縦モードでレーザ光を発振させるためのスイッチング手
段としての高周波アンプ14・15、および発振器13が出力
するクロックパルスを反転させるスイッチング手段とし
てのインバータ16から構成されている。

偏光ビームスプリッタ３は、電場ベクトルが入射面に
対して垂直なＳ偏光を全反射し、電場ベクトルが入射面
に対して平行なＰ偏光を全透過させる機能を有してい
る。半導体レーザ１が発射する直線偏光L_1Sは、偏光ビ
ームスプリッタ３に対してＳ偏光となり、半導体レーザ
２が発射する直線偏光L_2Pは、偏光ビームスプリッタ３
に対してＰ偏光となるようになっている（従って、直線
偏光L_1Sと直線偏光L_2Pとは、偏光方向が互いに直交して
いる）。

1/4波長板６は、入射光の電場ベクトルの主軸Ｍ方向
成分の位相を1/4波長遅らせる機能を有している。主軸
Ｍの配設方向は、第２図に示すように、入射する直線偏
光L_1Sの偏光方向N_Sが主軸Ｍに対してθ＝左45゜の傾き
を持ち、また、直線偏光L_2Pの偏光方向N_Pがθ＝右45゜
の傾きを持つようになっている。このような直線偏光L
_1Sは、1/4波長板６によって主軸Ｍ方向成分の位相が1/4
波長遅れると、右円偏光に変わる。一方、上記のような
直線偏光L_2Pは、主軸Ｍ方向成分の位相が1/4波長遅れる
と、左円偏光に変わる。

なお、光ディスク８の記録媒体９は、対物レンズ７の
光軸に垂直に設けられ、希土類遷移金属合金薄膜より成
っている。情報は記録媒体９の垂直磁化方向の違いによ
って記録されており、例えば第３図（ａ）・（ｂ）に示
すように、磁化方向が垂直上向きの磁区9b（↑）が記録
ビットになっている。

以下、第１図を適宜参照しながら説明する。発振器13
は、第３図（ｃ）に示すように、入力した高周波重畳用
の信号に基づいて、通常の記録再生信号の周波数の10倍
以上にあたる周波数10〜100MHzのクロックパルス列を高
周波アンプ14およびインバータ16に出力する。高周波ア
ンプ14は、第３図（ｄ）に示すように、上記のクロック
パルスに同期して、高周波重畳のための駆動電流として
高周波信号I₁を半導体レーザ１に出力すると共に、高周
波アンプ11にも基準信号として出力する。高周波アンプ
15は、第３図（ｅ）に示すように、インバータ16によっ
て反転したクロックパルスに同期して、高周波重畳のた
めの駆動電流として高周波信号I₂を半導体レーザ２に出
力すると共に、高周波アンプ12にも基準信号として出力
する。これによって、半導体レーザ１および半導体レー
ザ２は直線偏光L_1Sおよび直線偏光L_2Pを交互にON−OFF
しながら発射する。

上記の構成において、半導体レーザ１から発射された
直線偏光L_1Sは、Ｓ偏光となっているので、偏光ビーム
スプリッタ３によって対物レンズ７の光軸方向に全反射
される。そして、直線偏光L_1Sはハーフミラー４を透過
しコリメートレンズ５で平行光線束にされたのち、既に
説明したように、1/4波長板６によって右円偏光に変わ
る。右円偏光は対物レンズ７によってビームスポットに
集光され、光ディスク８の記録媒体９に照射される。こ
の右円偏光は、従来例の第６図で説明したように、円二
色性効果によって、記録媒体９において左円偏光（記録
媒体９から見て）となって反射される。ただし、磁区9b
（↑）においては反射光強度の減衰は小さいが、磁化方
向が垂直下向きの磁区9a（↓）においては反射光強度の
減衰は大きくなる。反射された左円偏光は対物レンズ７
で平行光線束となり、再び1/4波長板６に右円偏光（1/4
波長板６から見て）となって戻る。1/4波長板６では、
右円偏光の透過光は主軸Ｍ方向成分の位相が1/4波長遅
れると、Ｐ偏光の直線偏光L_1Pとなる。直線偏光L_1Pは、
コリメートレンズ５を介してハーフミラー４で反射さ
れ、光検出器10に照射される。

他方、半導体レーザ１がOFFのときに、半導体レーザ
２から発射された直線偏光L_2P（半導体レーザ１から発
射された直線偏光L_1Sとは波長が異なっている）は、Ｐ
偏光となっているので、偏光ビームスプリッタ３を全透
過する。そして、直線偏光L_2Pは、直線偏光L_1Sと同様
に、ハーフミラー４、コリメートレンズ５を介して1/4
波長板６によって左円偏光に変わる。対物レンズ７を介
して記録媒体９に照射された上記の左円偏光は、円二色
性効果によって、記録媒体９において右円偏光（記録媒
体９から見て）となって反射される。ただし、磁区9b
（↑）においては反射光強度の減衰は大きいが、磁区9a
（↓）においては反射光強度の減衰は小さい。反射され
た左円偏光は対物レンズ７を通り、再び1/4波長板６に
左円偏光（1/4波長板６から見て）となって戻る。1/4波
長板６では、左円偏光の透過光はＳ偏光の直線偏光L_2S
となる。直線偏光L_2Sは、コリメートレンズ５を介して
ハーフミラー４で反射され、光検出器10に照射される。

光検出器10に照射される反射光（直線偏光L_1P、直線
偏光L_2S）の強度変化について説明する。例えば、第３
図（ｄ）に示すように、磁区9a（↓）において、半導体
レーザ１が高周波信号I_1aによってONになり、直線偏光L
_1Sを発射したとき、磁区9a（↓）で反射された直線偏光
L_1Pの強度I_R1aは、第３図（ｆ）に示すように、前記の
説明によって小さくなっている。一方、半導体レーザ１
がOFFで、半導体レーザ２が、第３図（ｅ）に示すよう
に、高周波信号I_2aによってONになり、直線偏光L_2Pを発
射したとき、磁区9a（↓）で反射された直線偏光L_2Sの
強度I_R2aは、第３図（ｆ）に示すように、前記の説明に
よって相対的に大きくなっている。従って、磁区9a
（↓）では、反射光強度I_Rの立ち上がりは、高周波信号
I₂の立ち上がりに同期して変化する。

次に、第３図（ｄ）に示すように、磁区9b（↑）にお
いて、半導体レーザ１が高周波信号I_1bによってONにな
り、直線偏光L_1Sを発射したとき、磁区9b（↑）で反射
された直線偏光L_1Pの強度I_R1bは、第３図（ｆ）に示す
ように、前記の説明によって相対的に大きくなってい
る。一方、半導体レーザ１がOFFで、半導体レーザ２
が、第３図（ｅ）に示すように、高周波信号I_2bによっ
てONになり、直線偏光L_2Pを発射したとき、磁区9b
（↑）で反射された直線偏光L_2Sの強度I_R2bは、第３図
（ｆ）に示すように、前記の説明によって小さくなって
いる。従って、磁区9b（↑）では、反射光強度I_Rの立ち
上がりは、高周波信号I₁の立ち上がりに同期して変化す
ることになる。

上記の結果、反射光強度I_Rは磁区9b（↑）と磁区9a
（↓）とで対象的となり、位相が半周期ずれた変化をす
る。

従って、磁区9a（↓）では、高周波アンプ11は、第３
図（ｇ）に示すように、高周波信号I_1aの立ち上がりに
同期して、光検出器10が受光した反射光の強度I_R1aに基
づくローレベルの再生信号S_1aを出力する。磁区9b
（↑）では、高周波アンプ11は高周波信号I_2bの立ち上
がりに同期して、光検出器10が受光した直線偏光L_1Pの
強度I_R1bに基づくハイレベルの再生信号S_1bを出力す
る。高周波信号I₁がOFFのときは、当然、再生信号S₁は
０となる。

このようにして得られた再生信号S₁は図示しない積分
回路で処理すると、第３図（ｉ）に示すように、積分再
生信号T₁が得られる。積分再生信号T₁は、記録ビットと
しての磁区9b（↑）に対応してハイレベル、磁区9a
（↓）に対応してローレベルとなっている。

また、同じように磁区9a（↓）では、高周波アンプ12
は、第３図（ｈ）に示すように、高周波信号I_2aの立ち
上がりに同期して、光検出器10が受光した直線偏光L_2S
の強度I_R2aに基づくハイレベルの再生信号_2aを出力す
る。磁区9b（↑）では、高周波アンプ12は高周波信号I
_2bの立ち上がりに同期して、光検出器10が受光した反射
光の強度I_R2bに基づくローレベルの再生信号S_2bを出力
する。高周波信号I₂がOFFのときは、当然、再生信号S₂
は０となる。

このようにして得られた再生信号S₂を積分回路で処理
すると、第３図（ｊ）に示すように、積分再生信号T₂が
得られる。積分再生信号T₂は、積分再生信号T₁とは位相
が半周期ずれて極性が反対になっており、記録ビットと
しての磁区9b（↑）に対応してローレベル、磁区9a
（↓）に対応してハイレベルとなっている。

以上の結果より、積分再生信号T₁と積分再生信号T₂と
は差動増幅されることが可能となり、第３図（ｋ）に示
すように、実用可能なS/N比を有する差動増幅再生信号
ΔＴ＝T₁−T₂が得られ、この強度変化に基づいて記録媒
体９に記録された情報がディジタルに読み出される。さ
らに、光ディスク８の基板上に付着したほこり等の異物
によって反射光強度が影響を受け、たとえば再生信号S₁
の信号強度が本来の値より小さくなり、積分再生信号T₁
の強度が小さくなったとしても、同じ異物の影響によっ
て、再生信号S₂の信号強度も小さくなり、積分再生信号
T₂の強度が同量だけ小さくなる。従って、積分再生信号
T₁および積分再生信号T₂が差動増幅されれば、異物によ
る減少分は相殺されてしまう。この結果、記録情報の再
生信号以外のディスクノイズが低減されることになる。

〔実施例２〕 本発明の他の実施例を第４図に基づいて説明すれば、
以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の実施例１
の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同
一の符号を付記して、その説明を省略する。

実施例１では、記録媒体９における２つの反射光強度
に基づく再生信号が、高周波アンプ11・12のスイッチン
グ動作によって、分離される場合を示した。本実施例で
は、反射光が偏光方向の違いを利用して、偏光ビームス
プリッタ３を分割手段として用いることにより分離され
る場合を示す。

本実施例の光学装置は、第４図に示すように、半導体
レーザ１と偏光ビームスプリッタ３との間にハーフミラ
ー17が配設され、半導体レーザ２と偏光ビームスプリッ
タ３との間にハーフミラー18が配設されている。対物レ
ンズ７の光軸上には、第１図と同様に、コリメートレン
ズ５、1/4波長板６、光ディスク８およびその記録媒体
９が設けられている。また、後述するように、記録媒体
９における各反射光は、偏光ビームスプリッタ３によっ
て分離されたのち、一方はハーフミラー17によって光検
出器19に導かれ、同時に他方はハーフミラー18によって
光検出器20に導かれるようになっている。また、実施例
１と同様に、高周波アンプ14は、発振器13が出力するク
ロックパルスに同期して、高周波信号I₁は半導体レーザ
１に出力する。高周波アンプ15は、インバータ16によっ
て反転したクロックパルスに同期して、高周波信号I₂を
半導体レーザ２に出力するようになっている。

上記の構成において、半導体レーザ１が発射する直線
偏光L_1SはＳ偏光であるから、ハーフミラー13を透過し
たのち偏光ビームスプリッタ３で全反射され、コリメー
トレンズ５、1/4波長板６、および対物レンズ７を介し
て、右円偏光となって光ディスク８の記録媒体９に照射
される。そして、その反射光は実施例１と同様に、1/4
波長板６でＰ偏光の直線偏光L_1Pとなるから、偏光ビー
ムスプリッタ３を全透過し、ハーフミラー18で全反射さ
れたのち、光検出器20に導かれる。

半導体レーザ２から発射され、直線偏光L_1Sとは波長
が異なるＰ偏光の直線偏光L_2Pも、実施例１と同様に、1
/4波長板６の作用によってＳ偏光の直線偏光L_2Sとなっ
て戻ってくるから、偏光ビームスプリッタ３で全反射さ
れ、ハーフミラー17で全反射されたのち、光検出器19に
導かれる。こうして、光検出器20が出力する再生信号S₁
と光検出器19が出力する再生信号S₂とは、高周波アンプ
11・12のスイッチング動作を必要とせずに分離し取り出
される。

なお、再生信号S₁は高周波信号I₁の立ち上がりに同期
しており、磁区9a（↓）および磁区9b（↑）に対応する
強度変化については、実施例１と全く同様である。ま
た、再生信号S₂は高周波信号I₂の立ち上がりに同期して
おり、磁区9a（↓）および磁区9b（↑）に対応する強度
変化については、やはり実施例１と全く同様である。以
下、差動増幅によって得られる再生信号の説明を実施例
１と全く同じであるから省略する。

〔発明の効果〕

本発明に係る光磁気記録媒体の再生用光学装置は、以
上のように、Ｓ偏光を出射する第１の光源と、上記Ｓ偏
光とは波長の異なるＰ偏光を出射する第２の光源と、Ｓ
偏光およびＰ偏光を円偏光に変換して光磁気記録媒体に
導く1/4波長板と、上記第１及び第２の各光源の駆動信
号の位相をずらして第１及び第２の各光源を交互にON−
OFFし、Ｓ偏光の出射とＰ偏光の出射とを交互に切り換
えるスイッチング手段と、光検出手段が光磁気記録媒体
における各反射光の強度変化に対応する再生信号を分離
して出力するための分離手段とを備え、上記各再生信号
が差動増幅される構成である。

従って、記録媒体に交互に導かれた各円偏光は円二色
性効果により、記録媒体の磁化方向に対応して反射光強
度の極性が互いに逆向きになるように変化するので、そ
れに応じて光検出手段から出力される各再生信号を差動
増幅することが可能となる。この結果、差動増幅によっ
てディスクノイズが相殺されることにもなり、実用レベ
ルのS/N比を従来のように高価な検光子を用いずに簡便
な光学系によって得ることができるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示すものであ
る。 第１図は光磁気記録媒体の再生用光学装置の要部の構成
図である。 第２図は1/4波長板の作用に関する説明図である。 第３図は記録媒体の磁化方向に対応する各種信号のタイ
ミングチャートである。 第３図（ａ）・（ｂ）は記録ビットと垂直磁化方向との
対応図である。 第３図（ｃ）はクロックパルスの波形図である。 第３図（ｄ）・（ｅ）は高周波信号の波形図である。 第３図（ｆ）は反射光強度の波形図である。 第３図（ｇ）・（ｈ）は再生信号の波形図である。 第３図（ｉ）・（ｊ）は積分再生信号の波形図である。 第３図（ｋ）は差動増幅再生信号の波形図である。 第４図は本発明の他の実施例を示すものであって、光磁
気記録媒体の再生用光学装置の要部の構成図である。 第５図ないし第７図は従来例を示すものである。 第５図は光磁気記録媒体の再生用光学装置の要部の構成
図である。 第６図はカー効果と再生信号の極性との関係を示す説明
図である。 第７図は光磁気記録媒体における円二色性効果に関する
説明図である。 １は半導体レーザ（第１の光源）、２は半導体レーザ
（第２の光源）、３は偏光ビームスプリッタ（分離手
段）、６は1/4波長板、９は記録媒体（光磁気記録媒
体）、10・19・20は光検出器（光検出手段）、11・12は
高周波アンプ（分離手段）、14・15は高周波アンプ（ス
イッチング手段）、16はインバータ（分離手段およびス
イッチング手段）、L_1Sは直線偏光（Ｓ偏光）、L_2Pは直
線偏光（Ｐ偏光）、S₁・S₂は再生信号である。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光ビームを光磁気記録媒体に照射し、その
   反射光を光検出手段によって検出することにより、磁化
   方向の違いによって光磁気記録媒体に記録された情報を
   読み取る光磁気記録媒体の再生用光学装置において、 Ｓ偏光を出射する第１の光源と、上記Ｓ偏光とは波長の
   異なるＰ偏光を出射する第２の光源と、Ｓ偏光およびＰ
   偏光を円偏光に変換して光磁気記録媒体に導く1/4波長
   板と、上記第１及び第２の各光源の駆動信号の位相をず
   らして第１及び第２の各光源を交互にON−OFFし、Ｓ偏
   光の出射とＰ偏光の出射とを交互に切り換えるスイッチ
   ング手段と、光検出手段が光磁気記録媒体における各反
   射光の強度変化に対応する再生信号を分離して出力する
   ための分離手段とを備え、上記各再生信号が差動増幅さ
   れることを特徴とする光磁気記録媒体の再生用光学装
   置。