JP2572952Y2 - 表面処理液の加熱装置 - Google Patents
表面処理液の加熱装置Info
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- JP2572952Y2 JP2572952Y2 JP1992023843U JP2384392U JP2572952Y2 JP 2572952 Y2 JP2572952 Y2 JP 2572952Y2 JP 1992023843 U JP1992023843 U JP 1992023843U JP 2384392 U JP2384392 U JP 2384392U JP 2572952 Y2 JP2572952 Y2 JP 2572952Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、例えば半導体装置等
の製造プロセスにおいて、半導体基板等の各種基板を、
表面処理槽内に貯留された表面処理液中に浸漬させてエ
ッチング等の各種表面処理を行なうに際し、表面処理液
を所定の温度に加熱するための装置に関し、特に、混合
されることによって発熱する２種類以上の薬液を表面処
理液として使用する場合に用いられる表面処理液加熱装
置に関する。
の製造プロセスにおいて、半導体基板等の各種基板を、
表面処理槽内に貯留された表面処理液中に浸漬させてエ
ッチング等の各種表面処理を行なうに際し、表面処理液
を所定の温度に加熱するための装置に関し、特に、混合
されることによって発熱する２種類以上の薬液を表面処
理液として使用する場合に用いられる表面処理液加熱装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】所定温度に加熱された表面処理液によっ
て基板を表面処理する装置は、一般に、図６に示すよう
な概略構成を有している。すなわち、この表面処理装置
は、表面処理液１が貯留された表面処理槽２、この表面
処理槽２から溢れ出た表面処理液１を貯留する溢流槽
３、ポンプ４及びフィルター５が介設され、溢流槽３か
ら表面処理槽２内へ表面処理液１を還流させる循環路
６、表面処理槽２の内部に配設され、表面処理液１を加
熱するヒーター７、表面処理槽２内に挿入され、表面処
理液１の温度を検出する測温体８、及び、この測温体８
からの出力信号に基づいてリレー10を駆動させ、ヒータ
ー７への電力供給を制御して、表面処理液１の温度を所
定温度に調節する温度調節器９などを備えて構成されて
いる。また、例えば特開平２−９６３３４号公報に開示
されているように、表面処理槽２に設置されるヒーター
の他に循環路６にもヒーターを設け、或いは、表面処理
槽２にはヒーターを設置せずに循環路６にヒーターを介
設するようにしてもよい。このような構成の表面処理装
置において、温度調節器９によりヒーター７の作動をＰ
ＩＤ制御するなどして表面処理液１の温度を所定温度に
調節し、一定温度に保持された表面処理液１中に基板11
を浸漬させて所要の表面処理が行なわれる。
て基板を表面処理する装置は、一般に、図６に示すよう
な概略構成を有している。すなわち、この表面処理装置
は、表面処理液１が貯留された表面処理槽２、この表面
処理槽２から溢れ出た表面処理液１を貯留する溢流槽
３、ポンプ４及びフィルター５が介設され、溢流槽３か
ら表面処理槽２内へ表面処理液１を還流させる循環路
６、表面処理槽２の内部に配設され、表面処理液１を加
熱するヒーター７、表面処理槽２内に挿入され、表面処
理液１の温度を検出する測温体８、及び、この測温体８
からの出力信号に基づいてリレー10を駆動させ、ヒータ
ー７への電力供給を制御して、表面処理液１の温度を所
定温度に調節する温度調節器９などを備えて構成されて
いる。また、例えば特開平２−９６３３４号公報に開示
されているように、表面処理槽２に設置されるヒーター
の他に循環路６にもヒーターを設け、或いは、表面処理
槽２にはヒーターを設置せずに循環路６にヒーターを介
設するようにしてもよい。このような構成の表面処理装
置において、温度調節器９によりヒーター７の作動をＰ
ＩＤ制御するなどして表面処理液１の温度を所定温度に
調節し、一定温度に保持された表面処理液１中に基板11
を浸漬させて所要の表面処理が行なわれる。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】ところで、表面処理液
１として、混合されることにより発熱する２種類以上の
薬液を使用した場合、例えばＡ液として硫酸を、Ｂ液と
して過酸化水素水を使用し、それらＡ液及びＢ液を表面
処理槽２内に供給して基板11の表面処理を行なうような
場合、従来の表面処理装置では、始動時或いは再開時に
おいて、表面処理槽２内へ硫酸と過酸化水素水とを投入
し、温度調節器９によりヒーター７をＰＩＤ制御して混
合液（表面処理液１）を加熱し、表面処理液１を設定さ
れた所定温度、例えば１５０℃まで昇温させるようにし
たとき、温度調節器９による温度調節とは無関係に、硫
酸と過酸化水素水とが混合されることによって発生する
反応熱により、表面処理液１の温度が設定温度に対しオ
ーバーシュートしてしまうといったことが起こる。そし
て、ヒーター７への電力供給を制御して表面処理液１の
温度調節を行なう装置では、表面処理液１の温度がオー
バーシュート後に設定温度に戻るまでに相当の時間を必
要とし、そのための時間の無駄が非常に大きい。すなわ
ち、温度調節器９によって温度調節しながらヒーター７
によって表面処理液１を加熱していったとき、図３の
（ｂ）に示すように、表面処理液１の温度はｔ時点で設
定温度Ｔに到達するが、表面処理液１は、反応熱によっ
てさらに温度上昇を続け、ピーク温度に達した後、温度
が降下してｔ’時点で再び設定温度Ｔに戻り、このｔ’
時点から表面処理槽２内への基板の挿入が可能になる。
従って、表面処理液１がｔ時点で設定温度Ｔまで昇温し
ても、直ぐには表面処理操作を開始することができず、
ｔ’時点まで表面処理操作の開始を待つ必要があり、作
業効率が悪い、といった問題点がある。また、オーバー
シュートが大きく、表面処理液が再び設定温度になるま
での時間が長いと、薬液間の反応が終了した時点から処
理開始の時点までの時間が多くかかることになるため、
その間に薬液の処理能力の低下を来たすことになり、さ
らに、その間、表面処理槽等が常温状態よりも反応性の
高くなった高温の薬液と接触することになるため、その
形成材料の劣化を早め、装置寿命を短くする、といった
問題点もある。
１として、混合されることにより発熱する２種類以上の
薬液を使用した場合、例えばＡ液として硫酸を、Ｂ液と
して過酸化水素水を使用し、それらＡ液及びＢ液を表面
処理槽２内に供給して基板11の表面処理を行なうような
場合、従来の表面処理装置では、始動時或いは再開時に
おいて、表面処理槽２内へ硫酸と過酸化水素水とを投入
し、温度調節器９によりヒーター７をＰＩＤ制御して混
合液（表面処理液１）を加熱し、表面処理液１を設定さ
れた所定温度、例えば１５０℃まで昇温させるようにし
たとき、温度調節器９による温度調節とは無関係に、硫
酸と過酸化水素水とが混合されることによって発生する
反応熱により、表面処理液１の温度が設定温度に対しオ
ーバーシュートしてしまうといったことが起こる。そし
て、ヒーター７への電力供給を制御して表面処理液１の
温度調節を行なう装置では、表面処理液１の温度がオー
バーシュート後に設定温度に戻るまでに相当の時間を必
要とし、そのための時間の無駄が非常に大きい。すなわ
ち、温度調節器９によって温度調節しながらヒーター７
によって表面処理液１を加熱していったとき、図３の
（ｂ）に示すように、表面処理液１の温度はｔ時点で設
定温度Ｔに到達するが、表面処理液１は、反応熱によっ
てさらに温度上昇を続け、ピーク温度に達した後、温度
が降下してｔ’時点で再び設定温度Ｔに戻り、このｔ’
時点から表面処理槽２内への基板の挿入が可能になる。
従って、表面処理液１がｔ時点で設定温度Ｔまで昇温し
ても、直ぐには表面処理操作を開始することができず、
ｔ’時点まで表面処理操作の開始を待つ必要があり、作
業効率が悪い、といった問題点がある。また、オーバー
シュートが大きく、表面処理液が再び設定温度になるま
での時間が長いと、薬液間の反応が終了した時点から処
理開始の時点までの時間が多くかかることになるため、
その間に薬液の処理能力の低下を来たすことになり、さ
らに、その間、表面処理槽等が常温状態よりも反応性の
高くなった高温の薬液と接触することになるため、その
形成材料の劣化を早め、装置寿命を短くする、といった
問題点もある。
【０００４】尚、表面処理液１の温度調節を行なうのに
ヒーターをＰＩＤ制御する場合、薬液の反応熱によるオ
ーバーシュートを考慮してＰ値を大きく設定し、これに
よってオーバーシュートの程度を小さく抑えることも可
能である。しかしながら、表面処理液における反応熱の
発生は、最初の液投入時或いは液交換時に限られるので
あるが、ＰＩＤ制御におけるＰ値を大きくすると、表面
処理液の昇温完了後における温度安定性が悪くなってし
まうため、実用的な方法とは言えない。
ヒーターをＰＩＤ制御する場合、薬液の反応熱によるオ
ーバーシュートを考慮してＰ値を大きく設定し、これに
よってオーバーシュートの程度を小さく抑えることも可
能である。しかしながら、表面処理液における反応熱の
発生は、最初の液投入時或いは液交換時に限られるので
あるが、ＰＩＤ制御におけるＰ値を大きくすると、表面
処理液の昇温完了後における温度安定性が悪くなってし
まうため、実用的な方法とは言えない。
【０００５】この考案は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、混合されることによって発熱する２
種類以上の薬液を表面処理液として使用し、その表面処
理液を加熱して所定温度に調節し、その表面処理液中に
基板を浸漬させて表面処理する場合に、実用的な手段に
より、表面処理液の昇温過程において液温が設定温度を
越えてオーバーシュートすることが起こらないようにす
ることを技術的課題とする。
されたものであり、混合されることによって発熱する２
種類以上の薬液を表面処理液として使用し、その表面処
理液を加熱して所定温度に調節し、その表面処理液中に
基板を浸漬させて表面処理する場合に、実用的な手段に
より、表面処理液の昇温過程において液温が設定温度を
越えてオーバーシュートすることが起こらないようにす
ることを技術的課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この考案では、表面処理
槽内に供給される表面処理液を加熱する加熱手段と、表
面処理槽内に貯留された表面処理液の温度を検出する温
度検出手段と、この温度検出手段からの出力信号に基づ
いて前記加熱手段の作動を制御する温度制御手段とを備
えた装置において、前記温度制御手段に温度設定手段、
温度比較手段及びプログラム制御回路を設けるようにし
た。上記温度設定手段では、目標設定温度、この目標設
定温度より低い第１の中間設定温度、及び、その第１の
中間設定温度と目標設定温度との間の温度である第２の
中間設定温度との３種類の温度がそれぞれ設定される。
また、上記温度比較手段では、上記した各設定温度と温
度検出手段によって検出された表面処理液の温度とがそ
れぞれ比較される。そして、上記制御回路は、温度比較
手段からの出力信号に基づき、表面処理液が加熱手段で
加熱されてその温度が前記第１の中間設定温度まで上昇
した時に、加熱手段の作動を停止させ、次いで表面処理
液の温度が２種類以上の薬液の混合による発熱によって
前記第２の中間設定温度まで上昇したときに、加熱手段
を再び作動させ、表面処理液の温度を前記目標設定温度
まで上昇させてその温度に調節し維持するようにプログ
ラム制御する。
槽内に供給される表面処理液を加熱する加熱手段と、表
面処理槽内に貯留された表面処理液の温度を検出する温
度検出手段と、この温度検出手段からの出力信号に基づ
いて前記加熱手段の作動を制御する温度制御手段とを備
えた装置において、前記温度制御手段に温度設定手段、
温度比較手段及びプログラム制御回路を設けるようにし
た。上記温度設定手段では、目標設定温度、この目標設
定温度より低い第１の中間設定温度、及び、その第１の
中間設定温度と目標設定温度との間の温度である第２の
中間設定温度との３種類の温度がそれぞれ設定される。
また、上記温度比較手段では、上記した各設定温度と温
度検出手段によって検出された表面処理液の温度とがそ
れぞれ比較される。そして、上記制御回路は、温度比較
手段からの出力信号に基づき、表面処理液が加熱手段で
加熱されてその温度が前記第１の中間設定温度まで上昇
した時に、加熱手段の作動を停止させ、次いで表面処理
液の温度が２種類以上の薬液の混合による発熱によって
前記第２の中間設定温度まで上昇したときに、加熱手段
を再び作動させ、表面処理液の温度を前記目標設定温度
まで上昇させてその温度に調節し維持するようにプログ
ラム制御する。
【０００７】上記構成の装置では、薬液の混合によって
発生する反応熱量を考慮し、第１及び第２の各中間設定
温度を適切に決めておくことにより、表面処理液は、ま
ず第１の中間設定温度までは、加熱手段によって加熱さ
れて昇温し、次に第２の中間設定温度までは、加熱手段
によらないで、薬液の混合による発熱だけによって昇温
する。そして、表面処理液の温度が第２の中間設定温度
に達した時点では、薬液の反応が終了しており、以後、
表面処理液は、再び加熱手段で加熱されて目標設定温度
に到達する。すなわち、図３の（ａ）に示すように、表
面処理液の温度は、加熱手段による加熱によってｔ1時
点で第１の中間設定温度Ｔ1に達し、次いで、薬液の混
合による発熱のみによってｔ2時点で第２の中間設定温
度Ｔ2まで上昇し、最後に、再び加熱手段による加熱に
より、温度上昇過程においてｔ3時点で目標設定温度Ｔ3
に到達する。このように、この考案の装置では、表面処
理液の温度のオーバーシュートが起こらず、表面処理液
の温度が最初に目標設定温度Ｔ3になったｔ3時点で、直
ちに表面処理槽内への基板の挿入が可能になる。
発生する反応熱量を考慮し、第１及び第２の各中間設定
温度を適切に決めておくことにより、表面処理液は、ま
ず第１の中間設定温度までは、加熱手段によって加熱さ
れて昇温し、次に第２の中間設定温度までは、加熱手段
によらないで、薬液の混合による発熱だけによって昇温
する。そして、表面処理液の温度が第２の中間設定温度
に達した時点では、薬液の反応が終了しており、以後、
表面処理液は、再び加熱手段で加熱されて目標設定温度
に到達する。すなわち、図３の（ａ）に示すように、表
面処理液の温度は、加熱手段による加熱によってｔ1時
点で第１の中間設定温度Ｔ1に達し、次いで、薬液の混
合による発熱のみによってｔ2時点で第２の中間設定温
度Ｔ2まで上昇し、最後に、再び加熱手段による加熱に
より、温度上昇過程においてｔ3時点で目標設定温度Ｔ3
に到達する。このように、この考案の装置では、表面処
理液の温度のオーバーシュートが起こらず、表面処理液
の温度が最初に目標設定温度Ｔ3になったｔ3時点で、直
ちに表面処理槽内への基板の挿入が可能になる。
【０００８】また、別の構成として、上記した構成の装
置において、温度設定手段によっては、目標設定温度と
共に１つの中間設定温度、図３の（ａ）で説明すると第
１の中間設定温度Ｔ1に相当する温度だけを設定するよ
うにし、一方、第２の中間設定温度の設定を行なわない
代わりに、タイマーを設け、そのタイマーにより、表面
処理液の温度が前記中間設定温度に達した時点から、図
３の（ａ）で説明すると第２の中間設定温度Ｔ2に相当
する温度に到達するｔ2時点まで、換言すれば、薬液の
反応が終了して反応熱による加熱状態が消失する時点ま
での時間を設定するようにする。そして、制御回路によ
り、タイマーが作動している間、図３の（ａ）で説明す
るとｔ1時点からｔ2時点までの間は、加熱手段による加
熱を停止させ、薬液の反応熱だけで表面処理液を加熱し
て昇温させ、タイマーに設定された所定時間が経過した
時に、加熱手段による加熱を再開させ、表面処理液の温
度が目標設定温度になるように調節する。
置において、温度設定手段によっては、目標設定温度と
共に１つの中間設定温度、図３の（ａ）で説明すると第
１の中間設定温度Ｔ1に相当する温度だけを設定するよ
うにし、一方、第２の中間設定温度の設定を行なわない
代わりに、タイマーを設け、そのタイマーにより、表面
処理液の温度が前記中間設定温度に達した時点から、図
３の（ａ）で説明すると第２の中間設定温度Ｔ2に相当
する温度に到達するｔ2時点まで、換言すれば、薬液の
反応が終了して反応熱による加熱状態が消失する時点ま
での時間を設定するようにする。そして、制御回路によ
り、タイマーが作動している間、図３の（ａ）で説明す
るとｔ1時点からｔ2時点までの間は、加熱手段による加
熱を停止させ、薬液の反応熱だけで表面処理液を加熱し
て昇温させ、タイマーに設定された所定時間が経過した
時に、加熱手段による加熱を再開させ、表面処理液の温
度が目標設定温度になるように調節する。
【０００９】この構成の装置でも、薬液の混合によって
発生する反応熱量を考慮し、中間設定温度とタイマーの
設定時間とを適切に決めておくことにより、上記構成の
装置と全く同様に、表面処理液の温度のオーバーシュー
トが起こらない。
発生する反応熱量を考慮し、中間設定温度とタイマーの
設定時間とを適切に決めておくことにより、上記構成の
装置と全く同様に、表面処理液の温度のオーバーシュー
トが起こらない。
【０００９】
【実施例】以下、この考案の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１０】図１は、この考案の１実施例に係る表面処
理液加熱装置の概略構成を示す図である。図１において
図６と同一符号を付したものは、上述の説明のものと同
一作用をなす同一部材である。また、この図１に示した
装置では、循環路６に、連続的に流動する表面処理液を
加熱するためのヒーター12が介設されているが、図６に
示した装置と同様に表面処理槽２にヒーターを配設する
ようにしてもよく、また、表面処理槽２と循環路６との
両方にヒーターをそれぞれ設けるような構成としてもよ
い。
理液加熱装置の概略構成を示す図である。図１において
図６と同一符号を付したものは、上述の説明のものと同
一作用をなす同一部材である。また、この図１に示した
装置では、循環路６に、連続的に流動する表面処理液を
加熱するためのヒーター12が介設されているが、図６に
示した装置と同様に表面処理槽２にヒーターを配設する
ようにしてもよく、また、表面処理槽２と循環路６との
両方にヒーターをそれぞれ設けるような構成としてもよ
い。
【００１１】図１に示した装置は、測温体８からの出力
信号に基づいてリレー10を介しヒーター12への電力供給
を制御し、表面処理液１の温度調節を行なう温度制御装
置13が、温度設定器14、比較器15及びプログラム制御回
路16を内蔵して構成されている。温度設定器14では、目
標設定温度、第１の中間設定温度及び第２の中間設定温
度（図３の（ａ）におけるＴ3、Ｔ1及びＴ2）の３種類
の温度がそれぞれ設定される。例えば、硫酸と過酸化水
素水とを５：１の割合で混合したものを表面処理液とし
て使用し、ヒーター12の作動をＰＩＤ制御（例えばＰ値
＝２、Ｉ値＝２４０、Ｄ値＝６０）として、表面処理液
の温度を１５０℃（目標設定温度Ｔ3＝１５０℃）に調
節する場合を考えると、第１の中間設定温度Ｔ1を１３
０℃、第２の中間設定温度Ｔ2を１４５℃にそれぞれ設
定する。また、比較器15では、温度設定器14によって設
定された各設定温度Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3と、測温体８によっ
て検出された表面処理液１の温度とがそれぞれ比較さ
れ、その比較結果に応じた信号がプログラム制御回路16
へ送られる。そして、プログラム制御回路16により、表
面処理液１の温度が第１の中間設定温度Ｔ1（＝１３０
℃）に達するまでヒーター12を作動させて表面処理液１
を加熱し、表面処理液１の温度が第１の中間設定温度Ｔ
1に達した時点でヒーター12の作動を停止させ、表面処
理液１の温度が第２の中間設定温度Ｔ2（＝１４５℃）
に達するまでは、硫酸と過酸化水素水との反応によって
発生する熱だけで表面処理液１を昇温させ、表面処理液
１の温度が第２の中間設定温度Ｔ2に達した時点で再び
ヒーター12を作動させ、表面処理液１の温度を目標設定
温度Ｔ3（＝１５０℃）まで上昇させてその温度に調節
し維持するように制御する。これにより、図３の（ａ）
に示すように、表面処理液１の温度がオーバーシュート
することなく目標設定温度Ｔ3に速やかに調節される。
図４に、図１に示した装置により表面処理液を加熱する
操作のフローチャートを示す。
信号に基づいてリレー10を介しヒーター12への電力供給
を制御し、表面処理液１の温度調節を行なう温度制御装
置13が、温度設定器14、比較器15及びプログラム制御回
路16を内蔵して構成されている。温度設定器14では、目
標設定温度、第１の中間設定温度及び第２の中間設定温
度（図３の（ａ）におけるＴ3、Ｔ1及びＴ2）の３種類
の温度がそれぞれ設定される。例えば、硫酸と過酸化水
素水とを５：１の割合で混合したものを表面処理液とし
て使用し、ヒーター12の作動をＰＩＤ制御（例えばＰ値
＝２、Ｉ値＝２４０、Ｄ値＝６０）として、表面処理液
の温度を１５０℃（目標設定温度Ｔ3＝１５０℃）に調
節する場合を考えると、第１の中間設定温度Ｔ1を１３
０℃、第２の中間設定温度Ｔ2を１４５℃にそれぞれ設
定する。また、比較器15では、温度設定器14によって設
定された各設定温度Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3と、測温体８によっ
て検出された表面処理液１の温度とがそれぞれ比較さ
れ、その比較結果に応じた信号がプログラム制御回路16
へ送られる。そして、プログラム制御回路16により、表
面処理液１の温度が第１の中間設定温度Ｔ1（＝１３０
℃）に達するまでヒーター12を作動させて表面処理液１
を加熱し、表面処理液１の温度が第１の中間設定温度Ｔ
1に達した時点でヒーター12の作動を停止させ、表面処
理液１の温度が第２の中間設定温度Ｔ2（＝１４５℃）
に達するまでは、硫酸と過酸化水素水との反応によって
発生する熱だけで表面処理液１を昇温させ、表面処理液
１の温度が第２の中間設定温度Ｔ2に達した時点で再び
ヒーター12を作動させ、表面処理液１の温度を目標設定
温度Ｔ3（＝１５０℃）まで上昇させてその温度に調節
し維持するように制御する。これにより、図３の（ａ）
に示すように、表面処理液１の温度がオーバーシュート
することなく目標設定温度Ｔ3に速やかに調節される。
図４に、図１に示した装置により表面処理液を加熱する
操作のフローチャートを示す。
【００１２】図２は、温度制御装置の別の構成例を示す
ブロック図である。この温度制御装置17では、温度設定
器18により、目標設定温度Ｔ3と１つの中間設定温度Ｔ1
とだけを設定し、比較器19は、温度設定器18によって設
定された各設定温度Ｔ1、Ｔ3と、測温体８によって検出
された表面処理液１の温度とを比較して、その出力信号
をプログラム制御回路20へ送るようにしている。一方、
タイマー21を設け、そのタイマー21により、表面処理液
の温度が中間設定温度Ｔ1に達した時点から、表面処理
液が薬液間の反応による発熱だけで加熱されてその温度
が図３の（ａ）における第２の中間設定温度Ｔ2に相当
する温度に達する時点までの時間（予想時間）ｔx（＝
ｔ2−ｔ1）を設定する。すなわち、タイマー21によって
設定されるｔxは、薬液間の反応による発熱が起こって
からその反応による発熱が無くなるまでの発熱継続時間
である。そして、プログラム制御回路20により、タイマ
ー21が作動している時間ｔx内は、ヒーター12による表
面処理液１の加熱を停止させ、薬液の反応熱だけで表面
処理液１を昇温させ、タイマー21に設定された時間ｔx
が経過した時に再びヒーター21を作動させて、表面処理
液１の温度が目標設定温度に到達するように調節する。
これにより、表面処理液１の温度をオーバーシュートさ
せることなく速やかに目標設定温度に調節することがで
きる。図５に、図２に示した構成の温度制御装置17を用
いた加熱装置により表面処理液を加熱する場合のフロー
チャートを示す。
ブロック図である。この温度制御装置17では、温度設定
器18により、目標設定温度Ｔ3と１つの中間設定温度Ｔ1
とだけを設定し、比較器19は、温度設定器18によって設
定された各設定温度Ｔ1、Ｔ3と、測温体８によって検出
された表面処理液１の温度とを比較して、その出力信号
をプログラム制御回路20へ送るようにしている。一方、
タイマー21を設け、そのタイマー21により、表面処理液
の温度が中間設定温度Ｔ1に達した時点から、表面処理
液が薬液間の反応による発熱だけで加熱されてその温度
が図３の（ａ）における第２の中間設定温度Ｔ2に相当
する温度に達する時点までの時間（予想時間）ｔx（＝
ｔ2−ｔ1）を設定する。すなわち、タイマー21によって
設定されるｔxは、薬液間の反応による発熱が起こって
からその反応による発熱が無くなるまでの発熱継続時間
である。そして、プログラム制御回路20により、タイマ
ー21が作動している時間ｔx内は、ヒーター12による表
面処理液１の加熱を停止させ、薬液の反応熱だけで表面
処理液１を昇温させ、タイマー21に設定された時間ｔx
が経過した時に再びヒーター21を作動させて、表面処理
液１の温度が目標設定温度に到達するように調節する。
これにより、表面処理液１の温度をオーバーシュートさ
せることなく速やかに目標設定温度に調節することがで
きる。図５に、図２に示した構成の温度制御装置17を用
いた加熱装置により表面処理液を加熱する場合のフロー
チャートを示す。
【００１３】尚、上記した中間設定温度Ｔ1、Ｔ2及びタ
イマーの設定時間ｔxは、薬液の混合によって発生する
反応熱量を考慮し、適切に決定するようにすればよい
が、反応熱量は、薬液の種類、混合比等によって異なる
ので、中間設定温度Ｔ1、Ｔ2及びタイマー設定時間ｔx
を任意に設定可能としておいて広範囲な条件に対応でき
るようにし、表面処理液の昇温を完了させる時間を効果
的に短縮するようにするとよい。
イマーの設定時間ｔxは、薬液の混合によって発生する
反応熱量を考慮し、適切に決定するようにすればよい
が、反応熱量は、薬液の種類、混合比等によって異なる
ので、中間設定温度Ｔ1、Ｔ2及びタイマー設定時間ｔx
を任意に設定可能としておいて広範囲な条件に対応でき
るようにし、表面処理液の昇温を完了させる時間を効果
的に短縮するようにするとよい。
【００１４】
【考案の効果】この考案は以上説明したように構成され
かつ作用するので、この考案に係る装置を使用して、混
合されることによって発熱する２種類以上の薬液からな
る表面処理液を加熱し温度調節するようにしたときは、
表面処理液の温度が目標設定温度を越えてオーバーシュ
ートするようなことが起こらず、従って、表面処理液の
加熱を開始した時点から表面処理液の温度が目標設定温
度に到達して基板の表面処理を開始することが可能にな
る時点までの時間が短くなり、作業効率が向上する。ま
た、オーバーシュートが起こることによる余分な待ち時
間が無くなるので、薬液間の反応が終了する時点と、表
面処理液の温度が目標設定温度に調節されて基板の表面
処理を開始することができる時点とが、時間的に接近
し、このため、処理能力が高い状態にある薬液を基板の
表面処理に使用することができ、薬液の利用効率を高め
ることができる。さらに、表面処理液は、目標設定温度
以上に温度上昇することがないため、従来の装置におけ
るようにオーバーシュートして表面処理液が相当時間目
標設定温度以上の高温状態となって表面処理槽等の形成
材料の劣化を早める、といったことがなく、装置寿命を
長くすることができる。そして、この考案の装置では、
ＰＩＤ制御におけるＰ値を大きくするといった方法を採
らないので、表面処理液の昇温完了後における温度安定
性を良好にすることが可能であり、この考案の装置は、
実用性を十分に備えたものである。
かつ作用するので、この考案に係る装置を使用して、混
合されることによって発熱する２種類以上の薬液からな
る表面処理液を加熱し温度調節するようにしたときは、
表面処理液の温度が目標設定温度を越えてオーバーシュ
ートするようなことが起こらず、従って、表面処理液の
加熱を開始した時点から表面処理液の温度が目標設定温
度に到達して基板の表面処理を開始することが可能にな
る時点までの時間が短くなり、作業効率が向上する。ま
た、オーバーシュートが起こることによる余分な待ち時
間が無くなるので、薬液間の反応が終了する時点と、表
面処理液の温度が目標設定温度に調節されて基板の表面
処理を開始することができる時点とが、時間的に接近
し、このため、処理能力が高い状態にある薬液を基板の
表面処理に使用することができ、薬液の利用効率を高め
ることができる。さらに、表面処理液は、目標設定温度
以上に温度上昇することがないため、従来の装置におけ
るようにオーバーシュートして表面処理液が相当時間目
標設定温度以上の高温状態となって表面処理槽等の形成
材料の劣化を早める、といったことがなく、装置寿命を
長くすることができる。そして、この考案の装置では、
ＰＩＤ制御におけるＰ値を大きくするといった方法を採
らないので、表面処理液の昇温完了後における温度安定
性を良好にすることが可能であり、この考案の装置は、
実用性を十分に備えたものである。
【図１】この考案の１実施例に係る表面処理液加熱装置
の概略構成を示す図である。
の概略構成を示す図である。
【図２】温度制御装置の別の構成例を示すブロック図で
ある。
ある。
【図３】この考案の作用と従来の装置における作用とを
それぞれ説明するための図である。
それぞれ説明するための図である。
【図４】図１に示した装置を使用して表面処理液を加熱
する操作のフローチャートである。
する操作のフローチャートである。
【図５】図２に示した構成の温度制御装置を用いた加熱
装置により表面処理液を加熱する場合のフローチャート
である。
装置により表面処理液を加熱する場合のフローチャート
である。
【図６】従来の表面処理液加熱装置の構成の１例を示す
概略図である。
概略図である。
１ 表面処理液 ２ 表面処理槽 ３ 溢流槽 ６ 循環路 ８ 測温体 10 リレー 11 基板 12 ヒーター 13、17 温度制御装置 14、18 温度設定器 15、19 比較器 16、20 プログラム制御回路 21 タイマー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭59−12840（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−92512（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−62374（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G05D 23/00 - 23/32
Claims (2)
- 【請求項１】 表面処理槽内に供給されて混合されるこ
とにより発熱する２種類以上の薬液からなる表面処理液
を加熱する加熱手段と、この加熱手段によって加熱され
た表面処理液の温度を検出する温度検出手段と、この温
度検出手段からの出力信号に基づいて前記加熱手段の作
動を制御する温度制御手段とを備えてなる表面処理液の
加熱装置において、 前記温度制御手段に、目標設定温度、この目標設定温度
より低い第１の中間設定温度、及び、その第１の中間設
定温度より高く前記目標設定温度より低い第２の中間設
定温度をそれぞれ設定する温度設定手段と、 この温度設定手段によって設定された各設定温度と前記
温度検出手段によって検出された表面処理液の温度とを
それぞれ比較する温度比較手段と、 この温度比較手段からの出力信号に基づき、表面処理液
の温度が前記加熱手段の作動によって前記第１の中間設
定温度まで上昇した時に、前記加熱手段の作動を停止さ
せ、次いで表面処理液の温度が前記２種類以上の薬液の
混合による発熱によって前記第２の中間設定温度まで上
昇した時に、前記加熱手段を再び作動させ、表面処理液
の温度を前記目標設定温度まで上昇させてその温度に調
節し維持するようにプログラム制御する制御回路とを内
蔵させたことを特徴とする表面処理液の加熱装置。 - 【請求項２】 表面処理槽内に供給されて混合されるこ
とにより発熱する２種類以上の薬液からなる表面処理液
を加熱する加熱手段と、この加熱手段によって加熱され
た表面処理液の温度を検出する温度検出手段と、この温
度検出手段からの出力信号に基づいて前記加熱手段の作
動を制御する温度制御手段とを備えてなる表面処理液の
加熱装置において、 前記温度制御手段に、目標設定温度及びこの目標設定温
度より低い中間設定温度をそれぞれ設定する温度設定手
段と、 この温度設定手段によって設定された各設定温度と前記
温度検出手段によって検出された表面処理液の温度とを
それぞれ比較する温度比較手段と、 この温度比較手段により、表面処理液の温度が前記中間
設定温度に達したことが検出された時点から、設定され
た所定時間が経過するまでの間、前記加熱手段の作動を
停止させるためのタイマーと、 前記温度比較手段からの出力信号に基づき、表面処理液
の温度が前記加熱手段の作動によって前記中間設定温度
まで上昇した時に、前記加熱手段の作動を停止させると
ともに前記タイマーを作動させ、次いで前記タイマーに
設定された所定時間が経過した時に、前記加熱手段を再
び作動させ、表面処理液の温度を前記目標設定温度まで
上昇させてその温度に調節し維持するようにプログラム
制御する制御回路とを内蔵させたことを特徴とする表面
処理液の加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992023843U JP2572952Y2 (ja) | 1992-03-21 | 1992-03-21 | 表面処理液の加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992023843U JP2572952Y2 (ja) | 1992-03-21 | 1992-03-21 | 表面処理液の加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0579607U JPH0579607U (ja) | 1993-10-29 |
| JP2572952Y2 true JP2572952Y2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=12121686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992023843U Expired - Fee Related JP2572952Y2 (ja) | 1992-03-21 | 1992-03-21 | 表面処理液の加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572952Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6203125B2 (ja) * | 2014-06-03 | 2017-09-27 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子製造装置および光起電力素子の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5912840U (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-26 | 株式会社東芝 | プロセス制御装置 |
| JPH0292512U (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-23 | ||
| JP3062374U (ja) * | 1999-03-23 | 1999-10-08 | 蒲野建設株式会社 | 女性の膣口に挿入する筋肉鍛錬器 |
-
1992
- 1992-03-21 JP JP1992023843U patent/JP2572952Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0579607U (ja) | 1993-10-29 |
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