JP2024036107A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

Figure 2024036107000001
【課題】低階調側で良好に階調制御を行うことができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、複数の発光素子と、複数の発光素子の駆動を制御する制御回路と、を有し、制御回路は、１フレーム期間を、異なる長さの期間を有する複数のサブフレーム期間に分割し、複数のサブフレーム期間ごとに複数の発光素子の発光と非発光とを制御し、複数の発光素子の駆動方式として、固定された高レベル電流を発光素子に供給するとともに、発光素子が発光する発光期間の長さを変化させる第１表示駆動方式と、高レベル電流よりも小さい電流値を有し、かつ、それぞれ異なる電流値で設定された複数の低レベル電流のうち、選択された１つの低レベル電流を発光素子に供給するとともに、発光素子が発光する発光期間の長さを変化させる第２表示駆動方式と、を有する。
【選択図】図１４

Description

本発明は、表示装置に関する。
無機発光ダイオード（マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ））や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を用いた表示装置が知られている。
特許文献１では、このような発光素子を用いた表示装置において、アナログ階調表示とデジタル階調表示とを組み合わせて、階調制御を行う表示装置（特許文献１では発光装置）について記載されている。特許文献２では、液晶表示装置において、アナログ駆動とデジタル駆動とを組み合わせて階調表示を行うマトリクス型表示装置について記載されている。特許文献３では、サブフレーム期間ごとに発光を制御する時間分割表示方法において、いわゆる偽輪郭を目立たなくする表示装置について記載されている。
特開２０２２－０４１７４３号公報 特開平１１－１７４４１０号公報 特開２００３－２８８０５５号公報
このような表示装置では、低階調側で良好に階調制御を行うことが要求されている。特許文献１では、アナログ階調表示のサブフレーム期間の長さが、デジタル階調表示のサブフレーム期間の長さと同じであり、低階調側での細かい階調表現が困難になる可能性がある。特許文献２は、液晶表示装置の駆動方法について記載されており、発光素子を用いた表示装置にそのまま適用することは困難である。すなわち、特許文献２では、液晶表示装置の駆動マージンを確保するために、アナログ駆動時の選択期間がデジタル駆動時の選択期間よりも長く設定されており、低階調側で良好に階調制御を行うことが困難になる可能性がある。特許文献３には、低階調側での階調制御について記載されていない。
本発明は、低階調側で良好に階調制御を行うことができる表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様の表示装置は、複数の発光素子と、前記複数の発光素子の駆動を制御する制御回路と、を有し、前記制御回路は、１フレーム期間を、異なる長さの期間を有する複数のサブフレーム期間に分割し、前記複数のサブフレーム期間ごとに複数の発光素子の発光と非発光とを制御し、前記複数の発光素子の駆動方式として、固定された高レベル電流を前記発光素子に供給するとともに、前記発光素子が発光する発光期間の長さを変化させる第１表示駆動方式と、前記高レベル電流よりも小さい電流値を有し、かつ、それぞれ異なる電流値で設定された複数の低レベル電流のうち、選択された１つの前記低レベル電流を前記発光素子に供給するとともに、前記発光素子が発光する発光期間の長さを変化させる第２表示駆動方式と、を有する。
図１は、第１実施形態に係る表示装置を示す平面図である。 図２は、第１実施形態に係る表示装置の画素の一例を示す平面図である。 図３は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す回路図である。 図４は、画素回路の構成例を示す回路図である。 図５は、第１実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 図６は、図５におけるサブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ６を拡大して示すタイミングチャートである。 図７は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。 図８は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値６３）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図９は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値６４－階調値１２７）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図１０は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値１２８－階調値１９１）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図１１は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値１９２－階調値２５５）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図１２は、図１１における階調値１９２－階調値２２３を拡大して示す説明図である。 図１３は、図１１における階調値２２４－階調値２５５を拡大して示す説明図である。 図１４は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値１６）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図１５は、実施例１に係る表示装置の、画素の階調値と輝度の関係を示すグラフである。 図１６は、第１実施形態の第１変形例に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 図１７は、第２実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 図１８は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値６３）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図１９は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値６４－階調値１２７）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図２０は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値１２８－階調値１９１）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図２１は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値１９２－階調値２５５）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図２２は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値１６）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図２３は、実施例２に係る表示装置の、画素の階調値と輝度の関係を示すグラフである。 図２４は、第２実施形態の第２変形例に係る表示装置の、階調値０から階調値５までの各サブフレームの電流値の設定方法の一例を説明するための説明図である。 図２５は、第２実施形態の第２変形例に係る表示装置の、階調値６から階調値１３までの各サブフレームの電流値の設定方法の一例を説明するための説明図である。 図２６は、第２実施形態の第３変形例に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値１６）の発光シーケンスを説明するための説明図である。 図２７は、実施例３に係る表示装置の、画素の階調値と輝度の関係を示すグラフである。 図２８は、第２実施形態の第４変形例に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 図２９は、第３実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置を示す平面図である。本実施形態の表示装置１は、マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）を備えるマイクロＬＥＤ表示装置である。図１に示すように、表示装置１は、アレイ基板２と、複数の画素ＰＸと、走査線駆動回路１２と、信号線駆動回路１３と、駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）２１０と、を含む。
アレイ基板２は、各画素ＰＸを駆動するための駆動回路基板であり、バックプレーン又はアクティブマトリクス基板とも呼ばれる。アレイ基板２は、基板２１を基体として形成され、基板２１上に複数の薄膜トランジスタ、複数の容量及び各種配線等を有する。特に図示しないが、アレイ基板２上には、外部の制御基板から各種制御信号及び電力を入力するための配線基板（例えばフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ））等が接続されていてもよい。
なお、以下の説明において、第１方向Ｄｘは、基板２１と平行な面内の一方向である。第２方向Ｄｙは、基板２１と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向であり、基板２１の法線方向である。また、「平面視」とは、第３方向Ｄｚから見た場合の位置関係をいう。
走査線駆動回路１２は、駆動ＩＣ２１０からの各種制御信号に基づいて複数の走査線ＧＬ（図３参照）を駆動する回路である。走査線駆動回路１２は、複数の走査線ＧＬを順次又は同時に選択し、選択された走査線ＧＬにゲート駆動信号ＧＳを供給する。これにより、走査線駆動回路１２は、走査線ＧＬに接続された複数の画素ＰＸを選択する。
信号線駆動回路１３は、表示領域ＡＡの信号線ＳＬ（図３参照）に階調電圧を供給して複数の画素ＰＸを駆動する駆動回路である。階調電圧は、画素ＰＸ（副画素ＳＰＸ）ごとの階調値（以下、目標輝度レベルと表す場合がある）に応じてあらかじめ設定された電圧信号である。なお、階調電圧については、図４にて後述する。
駆動ＩＣ２１０（制御回路）は、走査線駆動回路１２及び信号線駆動回路１３に制御信号を供給して、複数の画素ＰＸの表示を制御する回路である。なお、走査線駆動回路１２及び信号線駆動回路１３の少なくとも一部は、駆動ＩＣ２１０と一体に形成されていてもよい。また、駆動ＩＣ２１０は、アレイ基板２上に設けられる。ただし、これに限定されず、駆動ＩＣ２１０はアレイ基板２に接続された配線基板に設けられてもよい。
アレイ基板２は、表示領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。表示領域ＡＡ内には、複数の画素ＰＸが設けられている。複数の画素ＰＸは、表示領域ＡＡにマトリクス状に配列される。周辺領域ＧＡは、表示領域ＡＡの外側の領域であり、複数の画素ＰＸが設けられない領域である。周辺領域ＧＡには、走査線駆動回路１２、信号線駆動回路１３及び駆動ＩＣ２１０が設けられる。走査線駆動回路１２は、周辺領域ＧＡのうち第２方向Ｄｙに沿って延在する領域に設けられる。信号線駆動回路１３及び駆動ＩＣ２１０は、周辺領域ＧＡのうち第１方向Ｄｘに沿って延在する領域に設けられる。
本実施形態では、説明を分かりやすくするために、表示領域ＡＡを矩形状とし、周辺領域ＧＡを、表示領域ＡＡの周囲を囲む矩形の枠状としている。ただし、これに限定されず、表示領域ＡＡは、多角形状でもよく、外周の一部に切り欠き（ノッチ）や曲線部を有する異形状であってもよい。周辺領域ＧＡも、表示領域ＡＡの形状に対応して種々の形状に異ならせることができる。
図２は、第１実施形態に係る表示装置の画素の一例を示す平面図である。図２に示すように、画素ＰＸは、第１副画素ＳＰＸ１、第２副画素ＳＰＸ２及び第３副画素ＳＰＸ３を有する。第１副画素ＳＰＸ１、第２副画素ＳＰＸ２及び第３副画素ＳＰＸ３は、それぞれ、発光素子１００を備える。発光素子１００は、平面視で、３μｍ以上、３００μｍ以下程度の大きさを有する無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップであり、マイクロＬＥＤと呼ばれる。なお、マイクロＬＥＤのマイクロは、発光素子１００の大きさを限定するものではない。
第１副画素ＳＰＸ１（発光素子１００Ｒ）は、例えば赤色（Ｒ）を表示する。第２副画素ＳＰＸ２（発光素子１００Ｇ）は、例えば緑色（Ｇ）を表示する。第３副画素ＳＰＸ３（発光素子１００Ｂ）は、例えば青色（Ｂ）を表示する。
なお、以下の説明では、第１副画素ＳＰＸ１、第２副画素ＳＰＸ２及び第３副画素ＳＰＸ３を区別して説明する必要が無い場合には、単に副画素ＳＰＸと表す。また、発光素子１００は、各副画素ＳＰＸで中央に配置されているが、図２はあくまで模式的に示したものであり、発光素子１００の各副画素ＳＰＸでの位置は適宜変更することができる。
第１副画素ＳＰＸ１、第２副画素ＳＰＸ２及び第３副画素ＳＰＸ３は、第１方向Ｄｘに並んで配置される。ただしこれに限定されず、画素ＰＸは、他の配列であってもよい。例えば、第１副画素ＳＰＸ１と第２副画素ＳＰＸ２とが第２方向Ｄｙに隣り合って配置され、１つの第３副画素ＳＰＸ３が、第２方向Ｄｙに隣り合う第１副画素ＳＰＸ１及び第２副画素ＳＰＸ２と第１方向Ｄｘに隣り合って配置されていてもよい。また、画素ＰＸは、いわゆるペンタイル配列で構成されてもよい。また、画素ＰＸは、３つの副画素ＳＰＸに限定されず、４つ以上の副画素ＳＰＸで構成されてもよい。
図３は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す回路図である。図３に示すように、複数の走査線ＧＬ１、ＧＬ２、・・・、ＧＬｎは、第２方向Ｄｙに並んで配列され、それぞれ第１方向Ｄｘに延在する。複数の走査線ＧＬ１、ＧＬ２、・・・、ＧＬｎは画素行毎に配線される。また、複数の信号線ＳＬ１、ＳＬ２、・・・、ＳＬｍは、第１方向Ｄｘに並んで配列され、それぞれ第２方向Ｄｙに延在する。複数の信号線ＳＬ１、ＳＬ２、・・・、ＳＬｍは画素列毎に配線される。なお、本開示において、行とは、一方向（第１方向Ｄｘ）に配列されるｍ個の画素ＰＸを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向（第２方向Ｄｙ）に配列されるｎ個の画素ＰＸを有する画素列をいう。
走査線駆動回路１２は、複数の走査線ＧＬに接続され、ゲート駆動信号ＧＳを画素行ごとに時分割的に供給する。これにより、複数の発光素子１００は複数のサブフレーム期間ＳＦ（図５参照）ごとに時分割的に選択される。信号線駆動回路１３（図１参照）は複数の信号線ＳＬに接続され、階調値に応じた階調電圧（高レベル電圧ＶＨ、低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３）を画素列ごとに供給する。また、複数の画素ＰＸには、電源線ＰＬを介して駆動ＩＣ２１０（図１参照）から電源電圧ＰＶＤＤが供給される。
図４は、画素回路の構成例を示す回路図である。図４に示すように画素ＰＸの画素回路５０は、発光素子１００と、駆動トランジスタＤＲＴと、画素トランジスタＳＳＴと、保持容量Ｃｓと、を含む。
画素回路５０が有する駆動トランジスタＤＲＴ及び画素トランジスタＳＳＴは、薄膜トランジスタで形成され、それぞれｎ型ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成される。駆動トランジスタＤＲＴ及び画素トランジスタＳＳＴは、複数の発光素子１００のそれぞれに設けられる。
駆動トランジスタＤＲＴのゲートは、画素トランジスタＳＳＴの出力側に接続される。駆動トランジスタＤＲＴのソース及びドレインの一方は、電源線ＰＬに接続される。駆動トランジスタＤＲＴのソース及びドレインの他方は、発光素子１００のアノードに接続される。発光素子１００のカソードには、駆動ＩＣ２１０から基準電圧ＣＯＭが供給される。
画素トランジスタＳＳＴのゲートは、走査線ＧＬに接続される。画素トランジスタＳＳＴのゲートには、ゲート駆動信号ＧＳが供給される。画素トランジスタＳＳＴのソース及びドレインの一方は、信号線ＳＬに接続される。画素トランジスタＳＳＴのソース及びドレインの他方は、駆動トランジスタＤＲＴのゲートに接続される。画素トランジスタＳＳＴがオン（導通状態）になると、階調値に応じた階調電圧（高レベル電圧ＶＨ、低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３）が信号線駆動回路１３から駆動トランジスタＤＲＴのゲートに供給される。階調電圧は、例えば、４段階の異なる電圧信号を含み、高レベル電圧ＶＨと、高レベル電圧ＶＨよりも低い電圧値で設定された３つの低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３と、を含む。
ここで、階調電圧（高レベル電圧ＶＨ、低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３）の大きさに応じて駆動トランジスタＤＲＴのオン状態が変化する。例えば、高レベル電圧ＶＨが発光素子１００の最大輝度となる信号電位に対応するものであれば、駆動トランジスタＤＲＴは高レベル電圧ＶＨの電位に応じてほぼ完全なオン状態となり、電源電圧ＰＶＤＤからの電流（所定の高レベル電流ＩＨ）がほぼそのまま駆動トランジスタＤＲＴを通過して発光素子１００に供給される。
他方、階調電圧が発光素子１００の最低輝度、すなわち黒となる信号電位に対応するものであれば、駆動トランジスタＤＲＴはオフ状態となり、電源電圧ＰＶＤＤからの電流は発光素子１００に供給されない。低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３が発光素子１００の最大輝度と最低輝度との中間輝度となる信号電位に対応するものであれば、駆動トランジスタＤＲＴは低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３ごとに導通状態が異なり、低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３に応じた低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３が発光素子１００に供給される。なお、以下の説明では、低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３を区別して説明する必要がない場合には、単に低レベル電圧ＶＬと表す場合がある。また、低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３を区別して説明する必要がない場合には、単に、低レベル電流ＩＬと表す場合がある。
このように、階調電圧の電位に応じた大きさで駆動トランジスタＤＲＴのオン状態が変化し、その結果、電源電圧ＰＶＤＤから発光素子１００に供給される電流も駆動トランジスタＤＲＴのオン状態に対応したものとなる。すなわち、選択された複数の発光素子１００には、階調電圧（高レベル電圧ＶＨ、低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３）に応じて高レベル電流ＩＨ又は低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３のいずれか１つが供給される。
また、画素回路５０が有する保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートとソース（出力側）との間に形成される容量である。なお、図４では、画素回路５０が２つのトランジスタ（駆動トランジスタＤＲＴ及び画素トランジスタＳＳＴ）を有する構成を説明したが、これに限定されない。画素回路５０は必要に応じて３つ以上のトランジスタを有してもよい。
次に、表示装置１の階調制御について説明する。図５は、第１実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。図６は、図５におけるサブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ６を拡大して示すタイミングチャートである。
図５及び図６に示すように、駆動ＩＣ２１０（図１参照）は、１フレーム期間１Ｆを、異なる長さの期間を有する複数のサブフレーム期間ＳＦに分割し、複数のサブフレーム期間ＳＦごとに複数の発光素子１００の発光と非発光とを制御する。本実施形態では、１フレーム期間１Ｆは、１４ビットの階調値に対応してサブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１４に分割される。このようにサブフレーム期間ＳＦごとに発光と非発光を適宜選択することにより、フレーム期間全体でみると発光時間が異なることとなり、この発光時間の違いが階調を構成する。すなわち、ユーザは、積分効果に基づき、フレーム期間における当該画素ＰＸの発光時間の違いを当該画素ＰＸの階調の変化として認識することとなる。
本実施形態では、１４ビットのサブフレーム期間ＳＦは全て異なる長さの期間を有する。複数のサブフレーム期間ＳＦのうち最も短い期間のサブフレーム期間ＳＦ１を基準期間としたときに、複数のサブフレーム期間ＳＦのそれぞれは、基準期間（サブフレーム期間ＳＦ１）に２ｎ（ただし、ｎは自然数）を乗じた長さの期間を有する。言い換えると、複数のサブフレーム期間ＳＦのうちサブフレーム期間ＳＦ１４が最も長い期間を有している。サブフレーム期間ＳＦ１３は、サブフレーム期間ＳＦ１４の１／２の長さの期間を有する。サブフレーム期間ＳＦ１２は、サブフレーム期間ＳＦ１３の１／２の長さの期間を有する。このように、下位ビットのサブフレーム期間ＳＦは、隣接する上位ビットのサブフレーム期間ＳＦの１／２の長さの期間で構成される。
各サブフレーム期間ＳＦで、走査線駆動回路１２は、１行目の走査線ＧＬ１からｎ行目の走査線ＧＬｎまで順次走査する。選択された画素行の画素ＰＸには、階調電圧に応じた電流（高レベル電流ＩＨ、低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３のいずれか１つ）が発光素子１００に供給される。発光素子１００は、１４ビットの階調値に対応して選択されたサブフレーム期間ＳＦの長さ、及び、階調電圧に応じた電流（高レベル電流ＩＨ、低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３のいずれか１つ）に応じた輝度で発光する。
より詳細には、走査線駆動回路１２及び信号線駆動回路１３の動作により、所定の階調値よりも大きい階調値範囲（高階調側）では、発光素子１００に供給される電流を高レベル電流ＩＨに一定とし、サブフレーム期間ＳＦごとに発光素子１００の発光（オン）と非発光（オフ）とを制御する。また、所定の階調値以下の階調値範囲（低階調側）では、発光素子１００に供給される電流として低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３から１つの電流値が用いられ、サブフレーム期間ＳＦごとに発光素子１００の発光（オン）と非発光（オフ）とを制御する。
このように、表示装置１は、各画素ＰＸ（副画素ＳＰＸ）の発光素子１００に供給される電流値を制御して階調を表現する方式（以下、電流駆動方式と表す）と、発光素子１００に供給される電流値を一定としつつ、その発光時間を制御して階調を表現する方式（以下、ＰＷＭ駆動方式又はパルス幅変調方式と表す）とを組み合わせて、多階調表示を行うことができる。また、表示装置１は、１４ビットの階調値に対応してサブフレーム期間ＳＦごとに複数の発光素子１００の発光と非発光とを制御する。これにより、表示装置１は、階調値と輝度との関係を所望のガンマカーブ（例えばガンマ値＝２．２に対応したガンマカーブ）と一致させることができる。
図７は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。図７に示すように、表示装置１は、画素回路５０と、画素回路５０の駆動を制御する駆動信号制御部２００と、を有する。画素回路５０は、駆動信号（電流）を発光素子１００に供給して、発光素子１００を駆動する回路である。なお、図７では模式的に１つの画素回路５０（発光素子１００）を示しているが、複数の画素回路５０及び複数の発光素子１００は、副画素ＳＰＸ（図２参照）ごとに設けられる。
駆動信号制御部２００は、階調変換回路２０１と、階調電圧生成回路２０２と、タイミング信号生成回路２０３と、記憶回路２０４と、を含む。階調変換回路２０１は、外部制御回路から入力された８ビットの画像信号を、画素ＰＸ（副画素ＳＰＸ）ごとに１４ビットの階調値に変換する回路である。記憶回路２０４は、８ビットの画像信号と、１４ビットの階調値との関係をルックアップテーブル（ＬＵＴ：Ｌｏｏｋ Ｕｐ Ｔａｂｌｅ）形式で記憶する回路である。階調変換回路２０１は、記憶回路２０４からのＬＵＴに基づいて、１４ビットの階調値を決定する。
階調電圧生成回路２０２は、高レベル電圧ＶＨ及び低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３を生成し、階調変換回路２０１から受け取った１４ビットの階調値（目標輝度レベル）に基づいて、高レベル電圧ＶＨ、低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３のいずれか１つを階調電圧として出力する回路である。記憶回路２０４は、１４ビットの階調値（目標輝度レベル）と、発光素子１００に供給される電流値との関係（図２４、図２５参照）をあらかじめ記憶している。階調電圧生成回路２０２は、記憶回路２０４からの情報に基づいて、階調電圧（高レベル電圧ＶＨ、低レベル電圧ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３）を出力する。
タイミング信号生成回路２０３は、外部制御回路から入力された同期信号と、階調変換回路２０１から受け取った１４ビットの階調値に基づいて、タイミング信号を生成する。走査線駆動回路１２は、タイミング信号生成回路２０３から供給されたタイミング信号（制御信号）に基づいて、各サブフレーム期間ＳＦに応じたゲート駆動信号ＧＳを画素回路５０に出力する。また、階調電圧生成回路２０２は、タイミング信号生成回路２０３から供給されたタイミング信号（制御信号）に基づいて、走査線駆動回路１２と同期して動作し、１４ビットの階調値に応じた階調電圧を、選択されたサブフレーム期間ＳＦごとに信号線駆動回路１３に出力する。
このような構成により、表示装置１は、上述した電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式とを組み合わせて多階調表示を行うことができる。なお、駆動信号制御部２００は、駆動ＩＣ２１０と一体に形成されてもよいし、駆動ＩＣ２１０とは別の回路として外部制御回路に設けられていてもよい。
次に、本実施形態の表示装置１における、サブフレーム期間ＳＦごとの複数の発光素子１００の発光と非発光との制御方法の一例について説明する。図８は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値６３）の発光シーケンスを説明するための説明図である。図９は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値６４－階調値１２７）の発光シーケンスを説明するための説明図である。図１０は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値１２８－階調値１９１）の発光シーケンスを説明するための説明図である。図１１は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値１９２－階調値２５５）の発光シーケンスを説明するための説明図である。図１２は、図１１における階調値１９２－階調値２２３を拡大して示す説明図である。図１３は、図１１における階調値２２４－階調値２５５を拡大して示す説明図である。図１４は、第１実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値１６）の発光シーケンスを説明するための説明図である。
図８から図１４では、２５６レベルの階調値（階調値０－階調値２５５）のそれぞれに対応する、ガンマ値、及び、サブフレーム期間ＳＦごとの発光素子１００の発光／非発光を示している。図８から図１４のガンマ値は、ガンマ値＝２．２に対応したガンマカーブの規格化輝度を示している。また、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１４では、発光素子１００が発光する発光期間を白表示で示し、発光素子１００が非発光となる非発光期間を黒表示で示している。また各サブフレーム期間ＳＦの幅は、各サブフレーム期間ＳＦの期間の長さに対応して模式的に示している。つまり、各サブフレーム期間ＳＦの幅が大きいほど、発光素子１００の発光期間（または非発光期間）が長く、各サブフレーム期間ＳＦの幅が小さいほど、発光素子１００の発光期間（または非発光期間）となる期間が短いことを表す。
図１４では、さらに、各サブフレーム期間ＳＦで発光素子１００に供給される電流の電流値を示している。また、図１４では、サブフレーム期間ＳＦ７からサブフレーム期間ＳＦ１４を省略しているが、図１４に示す階調値の範囲ではサブフレーム期間ＳＦ７からサブフレーム期間ＳＦ１４はいずれも非発光期間とされる（図８参照）。
図１４に示すように、高レベル電流ＩＨの電流値は１．０ｍＡに設定される。低レベル電流ＩＬ１の電流値は０．３３ｍＡに設定される。低レベル電流ＩＬ２の電流値は０．１ｍＡに設定される。低レベル電流ＩＬ３の電流値は０．０３３ｍＡに設定される。このように、本実施形態では、複数の低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３の電流値は、高レベル電流ＩＨの電流値に（１／３）ｎ（ただし、ｎ＝１、２、３）を乗じた値で設定される。
図１４に示すように、階調値０では、全てのサブフレーム期間ＳＦで発光素子１００は非発光となり、画素ＰＸの最低輝度（すなわち黒）が表示される。階調値１では、低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）が用いられ、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ３からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。
階調値２では、低レベル電流ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ）が用いられ、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ３からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。
階調値３から階調値５では、低レベル電流ＩＬ１（電流値０．３３ｍＡ）が用いられる。階調値３では、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ３からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。階調値４では、サブフレーム期間ＳＦ２、ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ１及びサブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。階調値５では、サブフレーム期間ＳＦ４（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３及びサブフレーム期間ＳＦ５からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。
階調値６以上では、発光素子１００に供給される電流として固定された高レベル電流ＩＨ（電流値１．０ｍＡ）が用いられる。階調値６では、サブフレーム期間ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２及びサブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。階調値７では、サブフレーム期間ＳＦ２、ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ１及びサブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。以下、階調値が大きくなるにしたがって、発光期間のサブフレーム期間ＳＦの合計の期間が長くなるように、発光素子１００の発光と非発光とが制御される。
図８から図１３に示すように、階調値６から階調値７２の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１０で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。また、サブフレーム期間ＳＦ１１からサブフレーム期間ＳＦ１４では発光素子１００は非発光とされる。
階調値７３から階調値９９の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１０で階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。また、階調値７３から階調値９９の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１１で発光素子１００は発光する。サブフレーム期間ＳＦ１２からサブフレーム期間ＳＦ１４では発光素子１００は非発光となる。
階調値１００から階調値１３５の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１１で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。また、階調値１００から階調値１３５の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１２で発光素子１００は発光する。サブフレーム期間ＳＦ１３、ＳＦ１４では発光素子１００は非発光となる。
階調値１３６から階調値１８６の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１２で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。階調値１３６から階調値１８６の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１３で発光素子１００は発光する。サブフレーム期間ＳＦ１４では発光素子１００は非発光となる。
階調値１８７から階調値２５５の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１３で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。階調値１８７から階調値２５５の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１４で発光素子１００は発光する。階調値２５５では、全てのサブフレーム期間ＳＦで発光素子１００は発光し、画素ＰＸの最高輝度が表示される。
図１５は、実施例１に係る表示装置の、画素の階調値と輝度の関係を示すグラフである。図１５に示す実施例１に係る表示装置は、上述した図８から図１４に示した発光シーケンスにしたがって、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式とを組み合わせて多階調表示を行った場合の、輝度のシミュレーション結果を示す。図１５に示す比較例１に係る表示装置は、低階調側であってもＰＷＭ駆動方式に電流駆動方式を重ねる方式を採らず、発光素子１００に供給される電流はいずれの階調であっても高レベル電流ＩＨ（電流値１．０ｍＡ）に固定してＰＷＭ駆動方式により多階調表示を行った場合のシミュレーション結果を示す。また、図１５では、ガンマ値＝２．２のガンマカーブを示している。
図１５に示すように、ＰＷＭ駆動方式のみで多階調表示を行った比較例１での輝度の値は、高階調側（階調値６以上）でガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して良好にフィッティングするものの、低階調側（階調値５以下）ではガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して誤差が生じる。
これに対し、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式とを組み合わせて多階調表示を行った実施例１での輝度は、低階調側（階調値５以下）から高階調側（階調値６以上）まで全ての階調値範囲でガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して良好にフィッティングすることが示された。
以上のように、本実施形態の表示装置１は、複数の発光素子１００の駆動方式として、高階調側（例えば階調値６以上）で、固定された高レベル電流ＩＨを発光素子１００に供給するとともに、発光素子１００が発光する発光期間の長さを変化させる第１表示駆動方式（ＰＷＭ駆動方式）と、低階調側（例えば階調値５以下）で、高レベル電流ＩＨよりも小さい電流値を有し、かつ、それぞれ異なる電流値で設定された複数の低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３のうち、選択された１つの低レベル電流ＩＬを発光素子１００に供給するとともに、発光素子１００が発光する発光期間の長さを変化させる第２表示駆動方式（電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式との組み合わせ）と、を有する。なお、当該第２表示駆動方式は、ＰＷＭ駆動方式と電流駆動方式を時分割的に用いるものではなく、全てのサブフレーム期間ＳＦにおいてＰＷＭ駆動方式を採用しつつ、その一部のサブフレーム期間ＳＦについて電流値を固定ではなく選択式とした、というものと考えることができる。かかる点に鑑みると、当該第２表示駆動方式は、ＰＷＭ駆動方式に電流駆動方式を組み込んだ（組み入れた）とも言える。
これにより、本実施形態の表示装置１は、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式とを組み合わせて階調表示を行うことで、複数の発光素子１００の輝度を精度良く調整することができ、低階調側で良好に階調制御を行うことができる。
より詳細には、電流駆動方式で、複数の低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３の電流値は、高レベル電流ＩＨの電流値に（１／３）ｎ（ただし、ｎ＝１、２、３）を乗じた値で設定される。また、複数のサブフレーム期間ＳＦの長さが２のべき乗で設定される。すなわち、上述したように基準期間（サブフレーム期間ＳＦ１）に２ｎ（ただし、ｎは自然数）を乗じた期間でサブフレーム期間ＳＦが設定される。これにより、表示装置１は、複数の低レベル電流ＩＬを用いた電流駆動方式と、複数のサブフレーム期間ＳＦの発光／非発光の切り替えによるＰＷＭ駆動方式との組み合わせで、表現できる階調数が多くなり、精度良く発光素子１００の輝度を制御することができる。特に低階調側での輝度を、ガンマ値＝２．２のガンマカーブに良好にフィッティングさせることができる。
また、表示装置１は、１フレーム期間１Ｆを１４ビットのサブフレーム期間ＳＦに分割してＰＷＭ駆動方式を行うことで、高階調側での輝度を、ガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して良好にフィッティングさせることができる。
また、図１４に示すように、第２表示駆動方式（電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式との組み合わせ）において、３段階の異なる電流値を有する低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３が設定されている。１つの階調値に対応する複数のサブフレーム期間ＳＦで、発光素子１００には同じ電流値の低レベル電流ＩＬが供給される。例えば、１つの階調値２では、複数のサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２で、発光素子１００には同じ電流値０．０３３ｍＡの低レベル電流ＩＬ３が供給される。詳細は省略するが、階調値２から階調値５でも同様である。
これにより、発光素子１００の輝度と電流値との関係を示す輝度特性において、供給される電流値に応じて発光素子１００の輝度が変化する場合であっても、同一の階調値で同一の電流値を有する低レベル電流ＩＬが供給されるので、発光素子１００の輝度の誤差が生じることを抑制できる。
なお、図５、６において、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１４は、時間軸でこの順に配置されているが、これに限定されない。サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１４の順番は、どのように配置されていてもよい。また、各サブフレーム期間ＳＦの長さの関係も、適宜変更することができる。
また、図８から図１４に示す各サブフレーム期間ＳＦの発光シーケンスはあくまで一例であり、これに限定されない。発光シーケンスは、各サブフレーム期間ＳＦの長さ、高レベル電流ＩＨ及び低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３の電流値、階調値（目標輝度レベル）などの条件に応じて適切に設定できる。また、１フレーム期間１Ｆで所望の輝度が得られればよく、各サブフレーム期間ＳＦの発光／非発光のパターンと、発光素子１００に供給される電流値（高レベル電流ＩＨ及び低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３）との組み合わせ（発光シーケンス）は、図８から図１４とは異なるものであってもよい。なお、各サブフレーム期間ＳＦの発光／非発光のパターンと、発光素子１００に供給される電流値との組み合わせについては、図２４、図２５にて後述する。
また、図１４に示す低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３の電流値はあくまで一例であり、適宜変更することができる。本実施形態では、３段階の低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３があらかじめ設定されているが、これに限定されない。低階調側で発光素子１００に供給される電流として２段階の低レベル電流、あるいは、４段階以上の低レベル電流が設定されてもよい。
複数の低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３の電流値を、高レベル電流ＩＨの電流値に（１／３）ｎ（ただし、ｎ＝１、２、３）を乗じた値としたが、これに限定されない。例えば、複数の低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３の電流値を、高レベル電流ＩＨの電流値に（１／２）ｎを乗じた値としてもよい。この場合、高レベル電流ＩＨ（電流値１．０ｍＡ）に対して、低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３の電流値はそれぞれ、０．５ｍＡ、０．２５ｍＡ、０．１２５ｍＡに設定される。
（第１実施形態の第１変形例）
図１６は、第１実施形態の第１変形例に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。図１６に示すように、第１実施形態の第１変形例に係る表示装置１では、１フレーム期間１Ｆにおいて、時間軸上でサブフレーム期間ＳＦ６、ＳＦ８、ＳＦ９、ＳＦ１、ＳＦ３、ＳＦ１０、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ１１、ＳＦ５、ＳＦ７、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４の順に配列される。なお、図１６に示すサブフレーム期間ＳＦの期間の長さ（例えばサブフレーム期間ＳＦ６の期間の長さ３２）は、理解を容易にするために模式的に示したものである。
ここで、複数のサブフレーム期間ＳＦについて、所定の期間以上の長さに設定された上位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦと、所定の期間よりも短く設定された下位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦと、に分けて説明する。上位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦは、例えばサブフレーム期間ＳＦ９からサブフレーム期間ＳＦ１４である。下位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦは、例えばサブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ８である。
本変形例では、上位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦと、複数の下位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦとが交互に配置される。具体的には、下位ビットのサブフレーム期間ＳＦ６、ＳＦ８と上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ９とが隣り合って配置される。次に、下位ビットのサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ３と上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ１０とが隣り合って配置される。上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ９とサブフレーム期間ＳＦ１０との間には、下位ビットの２つのサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ３が配置される。
以下同様に、下位ビットのサブフレーム期間ＳＦ２、ＳＦ４と上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ１１とが隣り合って配置される。上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ１０とサブフレーム期間ＳＦ１１との間には、下位ビットの２つのサブフレーム期間ＳＦ２、ＳＦ４が配置される。次に、下位ビットのサブフレーム期間ＳＦ５、ＳＦ７と上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ１２とが隣り合って配置される。上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ１１とサブフレーム期間ＳＦ１２との間には、下位ビットの２つのサブフレーム期間ＳＦ５、ＳＦ７が配置される。
このように、長い期間を有する上位ビットのサブフレーム期間ＳＦの間に、相対的に短い期間を有する複数の下位ビットのサブフレーム期間ＳＦが配置される。これにより、同じタイミング（例えば時刻ｔ１）で選択される走査線ＧＬの数が３つに抑制される。このため、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１４までこの順に配置される場合に比べて、走査線駆動回路１２の構成を簡易にできる。
なお、図１６では、１つの上位ビットのサブフレーム期間ＳＦに隣り合って２つの下位ビットのサブフレーム期間ＳＦが配置されているが、これに限定されない。１つの上位ビットのサブフレーム期間ＳＦに隣り合って１つの下位ビットのサブフレーム期間ＳＦが配置されていてもよい。また、図１６に示す複数のサブフレーム期間ＳＦの配置はあくまで一例であり、適宜変更できる。
（第２実施形態）
図１７は、第２実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。図１７に示すように、第２実施形態に係る表示装置１において、１４ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦのうち、上位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４は同じ長さの期間を有し、下位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１０は異なる長さの期間を有する。第２実施形態では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１４で表示できる階調は、１２ビットに相当する。
図１８は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値６３）の発光シーケンスを説明するための説明図である。図１９は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値６４－階調値１２７）の発光シーケンスを説明するための説明図である。図２０は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値１２８－階調値１９１）の発光シーケンスを説明するための説明図である。図２１は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値１９２－階調値２５５）の発光シーケンスを説明するための説明図である。図２２は、第２実施形態に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値１６）の発光シーケンスを説明するための説明図である。
図１８から図２２は、上述した図８から図１４と同様に、２５６レベルの階調値（階調値０－階調値２５５）のそれぞれに対応する、ガンマ値、及び、サブフレーム期間ＳＦごとの発光素子１００の発光／非発光を示している。また各サブフレーム期間ＳＦの幅は、各サブフレーム期間ＳＦの期間の長さに対応して模式的に示している。本実施形態では、サブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４は同じ幅を有している。
図２２では、上述した図１４と同様に、各サブフレーム期間ＳＦで発光素子１００に供給される電流の電流値を示している。第２実施形態では、第１実施形態と同様に高レベル電流ＩＨの電流値は１．０ｍＡに設定され、低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３の電流値はそれぞれ、０．３３ｍＡ、０．１ｍＡ、０．０３３ｍＡに設定される。
図２２に示すように、階調値０では、全てのサブフレーム期間ＳＦで発光素子１００は非発光となり、画素ＰＸの最低輝度（すなわち黒）が表示される。階調値１では、低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）が用いられ、サブフレーム期間ＳＦ１（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ２からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。
階調値２から階調値７では、低レベル電流ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ）が用いられる。階調値２では、サブフレーム期間ＳＦ１（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ２からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。階調値３では、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ３からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。以下、階調値４から階調値７まで、階調値が大きくなるにしたがって、発光素子１００が発光するサブフレーム期間ＳＦ（発光期間）の合計の期間が長くなるように、発光素子１００の発光／非発光の組み合わせが設定される。
階調値８から階調値１１では、低レベル電流ＩＬ１（電流値０．３３ｍＡ）が用いられる。階調値８では、サブフレーム期間ＳＦ２、ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ１及びサブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。階調値９では、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ４（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ２、ＳＦ３及びサブフレーム期間ＳＦ５からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。以下、階調値１０、１１では、階調値が大きくなるにしたがって、発光素子１００が発光するサブフレーム期間ＳＦ（発光期間）の合計の期間が長くなるように、発光素子１００の発光／非発光の組み合わせが設定される。
階調値１２以上では、発光素子１００に供給される電流として固定された高レベル電流ＩＨ（電流値１．０ｍＡ）が用いられる。階調値１２では、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ２及びサブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。階調値１３では、サブフレーム期間ＳＦ２、ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ１及びサブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。以下、階調値が大きくなるにしたがって、発光素子１００が発光するサブフレーム期間ＳＦ（発光期間）の合計の期間が長くなるように、発光素子１００の発光／非発光の組み合わせが設定される。
図１８から図２１に示すように、階調値１２から階調値７２の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ８で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられ、サブフレーム期間ＳＦ９からサブフレーム期間ＳＦ１４では発光素子１００は非発光とされる。
階調値７３から階調値９９の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ８で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。また、階調値７３から階調値９９の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ９で発光素子１００は発光する。サブフレーム期間ＳＦ１０からサブフレーム期間ＳＦ１４では発光素子１００は非発光となる。
階調値１００から階調値１１９の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ８で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。また、階調値１００から階調値１１９の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１０で発光素子１００は発光する。サブフレーム期間ＳＦ９及びサブフレーム期間ＳＦ１０からサブフレーム期間ＳＦ１４では発光素子１００は非発光となる。
階調値１２０から階調値１６３の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１０で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。また、階調値１２０から階調値１６３の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１１で発光素子１００は発光する。サブフレーム期間ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４では発光素子１００は非発光となる。
階調値１６４から階調値１９６の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１０で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。また、階調値１６４から階調値１９６の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２で発光素子１００は発光する。サブフレーム期間ＳＦ１３、ＳＦ１４では発光素子１００は非発光となる。
階調値１９７から階調値２２３の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１０で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。また、階調値１９７から階調値２２３の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３で発光素子１００は発光する。サブフレーム期間ＳＦ１４では発光素子１００は非発光となる。
階調値２２４から階調値２５５の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１０で、階調値ごとに発光素子１００の発光／非発光が切り替えられる。また、階調値２２４から階調値２５５の範囲では、サブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４で発光素子１００は発光する。
このように、１４ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦのうち、上位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４は同じ長さの期間を有し、階調値が大きくなるにしたがって、サブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４の順に発光素子１００は発光する。
これにより、第２実施形態では、観察者の視線の移動方向によって、表示される階調よりも大幅に小さい階調値が見える、あるいは、表示される階調よりも大幅に大きい階調値が見える、いわゆる偽輪郭が発生することを抑制できる。より詳細には、図１９から図２１に示すように、相対的に長い期間を有する上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４において、発光期間のサブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４が階段状に配置される発光シーケンスとなる。言い換えると、上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４において、隣接する階調で、発光期間のサブフレーム期間ＳＦと、非発光期間のサブフレーム期間ＳＦとが、格子状に配置されない。このため、隣接する画素ＰＸで、観察者の視線の移動方向が非発光期間のサブフレーム期間ＳＦを連続して通過することを抑制できる。
図２３は、実施例２に係る表示装置の、画素の階調値と輝度の関係を示すグラフである。図２３に示す実施例２に係る表示装置は、上述した図１８から図２２に示した発光シーケンスにしたがって、上位ビットのサブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４を同じ長さの期間とし、かつ、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式とを組み合わせて多階調表示を行った場合のシミュレーション結果を示す。図２３に示す比較例２に係る表示装置は、電流駆動方式を行わず、発光素子１００に供給される電流を高レベル電流ＩＨ（電流値１．０ｍＡ）に固定してＰＷＭ駆動方式により多階調表示を行った場合のシミュレーション結果を示す。また、図２３では、ガンマ値＝２．２のガンマカーブを示している。
図２３に示すように、ＰＷＭ駆動方式のみで多階調表示を行った比較例２での輝度の値は、高階調側（階調値１１以上）でガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して良好にフィッティングするものの、低階調側（階調値１０以下）ではガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して誤差が生じる。
これに対し、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式とを組み合わせて多階調表示を行った実施例２での輝度は、低階調側（階調値１０以下）から高階調側（階調値１１以上）まで全ての階調値範囲で、ガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して良好にフィッティングすることが示された。
以上のように、本実施形態の表示装置１は、偽輪郭が発生することを抑制するとともに、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式とを組み合わせて階調表示を行うことで、複数の発光素子１００の輝度を精度良く調整することができ、特に低階調側で良好に階調制御を行うことができる。
（第２実施形態の第２変形例）
第２実施形態の第２変形例では、各サブフレーム期間ＳＦの発光／非発光のパターンと、発光素子１００に供給される電流値（高レベル電流ＩＨ及び低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３）との組み合わせの設定方法について説明する。図２４は、第２実施形態の第２変形例に係る表示装置の、階調値０から階調値５までの各サブフレームの電流値の設定方法の一例を説明するための説明図である。図２５は、第２実施形態の第２変形例に係る表示装置の、階調値６から階調値１３までの各サブフレームの電流値の設定方法の一例を説明するための説明図である。
図２４、図２５は、輝度レベルごとに、各サブフレーム期間ＳＦの発光／非発光のパターンと、発光素子１００に供給される電流値（高レベル電流ＩＨ及び低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３）の組み合わせ（以下、発光シーケンスと表す）を示す表である。図２４、図２５の右側の列には、各発光シーケンスのうち、階調値１から階調値１３として選択された発光シーケンスに、各階調値の数字を付して示している。また、階調値１から階調値１３のそれぞれに対応する理想輝度（ガンマ値＝２．２）を示す。
図２４、図２５に示すように、各サブフレーム期間ＳＦの発光／非発光のパターンと、発光素子１００に供給される電流値の組み合わせが複数存在し、各階調値の理想輝度が得られる発光シーケンスに加えて、階調値の間の中間輝度が得られる複数の発光シーケンスが存在する。図２４、図２５のＮｏ.３、６、９、１０、１２、１５、２１、２４、２８、３１、３４、３７に示すように、同じ輝度を実現するための発光シーケンスが複数存在する場合がある。
例えば、図２４のＮｏ.３では、輝度０．００００２４を実現する発光シーケンスとして、低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）を用いサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２を発光期間とする発光シーケンス（Ｎｏ．３上段）と、低レベル電流ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ）を用いサブフレーム期間ＳＦ１を発光期間とする発光シーケンス（Ｎｏ．３下段）とが存在する。
この場合、Ｎｏ.３（輝度０．００００２４）の前後の輝度レベルに対応する発光シーケンスを参照すると、Ｎｏ．２（輝度０．００００１６）及びＮｏ．４（輝度０．００００３３）の発光シーケンスでは、いずれも低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）が用いられる。Ｎｏ.３（輝度０．００００２４）では、前後の輝度レベルと同じ電流値、すなわち低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）が選択され、低レベル電流ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ）を用いた発光シーケンスは非選択（評価「×（バツ）」）となる。
図２４のＮｏ.６、９、１２では、同じ輝度レベルが得られる発光シーケンスとして、低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）を用いた発光シーケンスと、低レベル電流ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ）を用いた発光シーケンスとが存在する。図２４のＮｏ.１０では、同じ輝度レベルが得られる発光シーケンスとして、低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）を用いた発光シーケンスと、低レベル電流ＩＬ１（電流値０．３３ｍＡ）を用いた発光シーケンスとが存在する。これらの図２４のＮｏ.６、９、１０、１２に示す発光シーケンスにおいても、前後の輝度レベルと同じ電流値、すなわち低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）を用いた発光シーケンスが選択され、前後の輝度レベルと異なる電流値を用いた発光シーケンスは非選択となる。
図２５のＮｏ．２１、２４に示す発光シーケンスでは、前後の輝度レベルと同じ電流値、すなわち低レベル電流ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ）を用いた発光シーケンスが選択され、前後の輝度レベルと異なる電流値（電流値１．０ｍＡ、０．０３３ｍＡ）を用いた発光シーケンスは非選択となる。
図２５のＮｏ．２８、３１、３４に示す発光シーケンスでは、前後の輝度レベルと同じ電流値、すなわち低レベル電流ＩＬ１（電流値０．３３ｍＡ）を用いた発光シーケンスが選択され、前後の輝度レベルと異なる電流値（電流値１．０ｍＡ）を用いた発光シーケンスは非選択となる。
このように、同じ目標輝度レベルとなる発光シーケンスが複数存在する場合に、目標輝度レベルと隣接する階調（輝度レベル）で、高階調側の発光シーケンスの高レベル電流ＩＨ又は複数の低レベル電流ＩＬの電流値、及び、低階調側の発光シーケンスの高レベル電流ＩＨ又は複数の低レベル電流ＩＬの電流値の少なくとも一方と等しい電流値が選択される。より好ましくは、隣接する高階調側及び低階調側の輝度レベルの電流値と、同一の電流値を有する低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３が発光素子１００に供給される。このため、供給される電流値に応じて発光素子１００の輝度が変化する場合であっても、隣接する階調値（輝度レベル）で発光素子１００の輝度の誤差が生じることを抑制できる。
なお、図２４のＮｏ．１５では、輝度０．０００１２２を実現する発光シーケンスとして、低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）を用いサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４を発光期間とする発光シーケンス（Ｎｏ．１５上段）と、低レベル電流ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ）を用いサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ３を発光期間とする発光シーケンス（Ｎｏ．１５下段）とが存在する。
Ｎｏ.１５（輝度０．０００１２２）の前後の輝度レベルに対応する発光シーケンスを参照すると、Ｎｏ．１４（輝度０．０００１１４）では低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）が用いられ、Ｎｏ．１６（輝度０．０００１４６）では、低レベル電流ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ）が用いられる。したがって、Ｎｏ．１５では、低レベル電流ＩＬ３（電流値０．０３３ｍＡ）を用いた発光シーケンス及び低レベル電流ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ）を用いた発光シーケンスの、どちらの発光シーケンスを選択してもよい（評価「△（三角）」）。
また、図２５に示すＮｏ．３７の発光シーケンスにおいても同様に、低レベル電流ＩＬ１（電流値０．３３ｍＡ）を用いた発光シーケンス（Ｎｏ．３７上段）と、高レベル電流ＩＨ（電流値１．０ｍＡ）を用いた発光シーケンス（Ｎｏ．３７下段）のいずれを選択してもよい。
以上のような方法で選択された、輝度レベルごとの発光シーケンス（各サブフレーム期間ＳＦの発光／非発光のパターンと、発光素子１００に供給される電流値（高レベル電流ＩＨ及び低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３）の組み合わせ）は、あらかじめ記憶回路２０４（図７参照）に格納される。
なお、第２実施形態の第２変形例で説明した発光シーケンスの設定方法は、上述した第１実施形態にも適用することができる。
（第２実施形態の第３変形例）
図２６は、第２実施形態の第３変形例に係る表示装置の、各階調値（階調値０－階調値１６）の発光シーケンスを説明するための説明図である。上述した第２実施形態では、発光シーケンスとして高レベル電流ＩＨ（電流値１．０ｍＡ）、低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３（電流値０．３３ｍＡ、０．１ｍＡ、０．０３３ｍＡ）の合計４段階の電流値を用いる例を示したが、これに限定されない。
図２６に示すように、第２実施形態の第３変形例では、高レベル電流ＩＨの電流値は０．３３ｍＡに設定され、低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２の電流値はそれぞれ、０．１ｍＡ、０．０３３ｍＡに設定される。すなわち、第３変形例では、各階調値で発光素子１００に供給される電流値として合計３段階の電流値が用いられる。
より詳細には、階調値０では、全てのサブフレーム期間ＳＦで発光素子１００が非発光となり（非発光期間）、画素ＰＸの最低輝度（すなわち黒）が表示される。階調値１から階調値６では、低レベル電流ＩＬ２（電流値０．０３３ｍＡ）が用いられる。階調値１では、サブフレーム期間ＳＦ１（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ２からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。階調値２では、サブフレーム期間ＳＦ２（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ１及びサブフレーム期間ＳＦ３からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。以下、階調値３から階調値６まで、階調値が大きくなるにしたがって、発光素子１００が発光するサブフレーム期間ＳＦ（発光期間）の合計の期間が長くなるように、発光素子１００の発光と非発光との組み合わせが設定される。
階調値７から階調値１０では、低レベル電流ＩＬ１（電流値０．１ｍＡ）が用いられる。階調値７では、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ２及びサブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。階調値８では、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。以下、階調値９、１０では、階調値が大きくなるにしたがって、発光素子１００が発光するサブフレーム期間ＳＦ（発光期間）の合計の期間が長くなるように、発光素子１００の発光と非発光との組み合わせが設定される。
階調値１１以上では、発光素子１００に供給される電流として固定された高レベル電流ＩＨ（電流値０．３３ｍＡ）が用いられる。階調値１１では、サブフレーム期間ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２及びサブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。階調値１２では、サブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ３（発光期間）で発光素子１００が発光し、サブフレーム期間ＳＦ２及びサブフレーム期間ＳＦ４からサブフレーム期間ＳＦ１４（非発光期間）で発光素子１００が非発光となる。以下、階調値が大きくなるにしたがって、発光素子１００が発光するサブフレーム期間ＳＦ（発光期間）の合計の期間が長くなるように、発光素子１００の発光と非発光との組み合わせが設定される。
図２７は、実施例３に係る表示装置の、画素の階調値と輝度の関係を示すグラフである。図２７に示す実施例３に係る表示装置は、上述した図２６に示した発光シーケンスにしたがって、高レベル電流ＩＨ及び低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２の合計３段階の電流値を用いて、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式とを組み合わせて多階調表示を行った場合のシミュレーション結果を示す。また、図２７に示す比較例３に係る表示装置は、電流駆動方式を行わず、発光素子１００に供給される電流を高レベル電流ＩＨ（電流値０．３３ｍＡ）に固定してＰＷＭ駆動方式により多階調表示を行った場合のシミュレーション結果を示す。また、図２７では、ガンマ値＝２．２のガンマカーブを示している。
図２７に示すように、ＰＷＭ駆動方式のみで多階調表示を行った比較例３での輝度の値は、高階調側（階調値１１以上）でガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して良好にフィッティングするものの、低階調側（階調値１０以下）ではガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して誤差が生じる。
これに対し、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式とを組み合わせて多階調表示を行った実施例３での輝度は、低階調側（階調値１０以下）から高階調側（階調値１１以上）まで全ての階調値範囲で、ガンマ値＝２．２のガンマカーブに対して良好にフィッティングすることが示された。
以上のように第２実施形態の第３変形例では、上述した第２実施形態に比べて高レベル電流ＩＨの電流値を０．３３ｍＡに小さくし、かつ、低レベル電流ＩＬ１、ＩＬ２（電流値０．１ｍＡ、０．０３３ｍＡ）を２段階とし、合計３段階の電流値を用いた発光シーケンスに変更した例を説明した。本変形例においても、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式との組み合わせにより、複数の発光素子１００の輝度を精度良く調整することができ、特に低階調側で良好に階調制御を行うことができる。
また、本変形例では、上述した第２実施形態に比べて高レベル電流ＩＨの電流値が異なる。これにより、発光素子１００の色（発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（図２参照））等の種類によって最大の電流値が異なる場合であっても、発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれに適した高レベル電流ＩＨを用いて発光シーケンスを設定できる。例えば、発光素子１００Ｇには電流値１．０ｍＡの高レベル電流ＩＨを用い、発光素子１００Ｒ、１００Ｂには電流値０．３３ｍＡの高レベル電流ＩＨを用いることができる。これにより、本変形例では、複数の発光素子１００の色別に、輝度を精度良く調整することができる。
（第２実施形態の第４変形例）
図２８は、第２実施形態の第４変形例に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。図２８に示すように、第２実施形態の第４変形例に係る表示装置１では、１フレーム期間１Ｆにおいて、時間軸上でサブフレーム期間ＳＦ６、ＳＦ８、ＳＦ９、ＳＦ１、ＳＦ３、ＳＦ１０、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ１１、ＳＦ５、ＳＦ７、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４の順に配列される。
本変形例では、上位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ１３、ＳＦ１４が同じ長さの期間で設定される。本変形例においても、上位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦ（例えばサブフレーム期間ＳＦ９からサブフレーム期間ＳＦ１４）と、下位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦ（例えばサブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ８）との配置関係は、上述した第１実施形態の第１変形例（図１６）と同様であり、繰り返しの説明は省略する。また、本変形例においても、同じタイミング（例えば時刻ｔ１）で選択される走査線ＧＬの数が３つに抑制される。
（第３実施形態）
図２９は、第３実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。図２９に示すように、第３実施形態に係る表示装置１では、１フレーム期間１Ｆは、１２ビットの階調値に対応してサブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ１２に分割される。
１フレーム期間１Ｆにおいて、時間軸上でサブフレーム期間ＳＦ６、ＳＦ８、ＳＦ９、ＳＦ１、ＳＦ３、ＳＦ１０、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ１１、ＳＦ５、ＳＦ７、ＳＦ１２の順に配列される。
１２ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦで構成される場合であっても、上位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦ（例えばサブフレーム期間ＳＦ９からサブフレーム期間ＳＦ１２）と、下位ビットの複数のサブフレーム期間ＳＦ（例えばサブフレーム期間ＳＦ１からサブフレーム期間ＳＦ８）との配置は、上述した第１実施形態の第１変形例及び第２実施形態の第４変形例と同様であり、繰り返しの説明は省略する。また、本変形例においても、同じタイミング（例えば時刻ｔ１）で選択される走査線ＧＬの数が３つに抑制される。
第１実施形態及び第２実施形態で示した、１フレーム期間１Ｆが１４ビットのサブフレーム期間ＳＦに分割される例に限定されず、図２９に示すように、１２ビットのサブフレーム期間ＳＦに分割されてもよい。本実施形態においても上述した例と同様に、階調値ごとに発光シーケンスを設定することができ、電流駆動方式とＰＷＭ駆動方式との組み合わせにより多階調表示を行うことができる。
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。
１ 表示装置
２ アレイ基板
１２ 走査線駆動回路
１３ 信号線駆動回路
２１ 基板
５０ 画素回路
１００、１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ 発光素子
２００ 駆動信号制御部
２０１ 階調変換回路
２０２ 階調電圧生成回路
２０３ タイミング信号生成回路
２０４ 記憶回路
２１０ 駆動ＩＣ
ＤＲＴ 駆動トランジスタ
ＳＳＴ 画素トランジスタ
ＰＸ 画素
ＶＨ 高レベル電圧
ＶＬ、ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３ 低レベル電圧
ＩＨ 高レベル電流
ＩＬ、ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３ 低レベル電流
ＳＦ、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、・・・、ＳＦ１４ サブフレーム期間

Claims (9)

  1. 複数の発光素子と、
    前記複数の発光素子の駆動を制御する制御回路と、を有し、
    前記制御回路は、
    １フレーム期間を、異なる長さの期間を有する複数のサブフレーム期間に分割し、前記複数のサブフレーム期間ごとに複数の発光素子の発光と非発光とを制御し、
    前記複数の発光素子の駆動方式として、固定された高レベル電流を前記発光素子に供給するとともに、前記発光素子が発光する発光期間の長さを変化させる第１表示駆動方式と、
    前記高レベル電流よりも小さい電流値を有し、かつ、それぞれ異なる電流値で設定された複数の低レベル電流のうち、選択された１つの前記低レベル電流を前記発光素子に供給するとともに、前記発光素子が発光する発光期間の長さを変化させる第２表示駆動方式と、を有する
    表示装置。
  2. 前記第２表示駆動方式において、１つの階調値に対応する複数の前記サブフレーム期間で、前記発光素子には同じ電流値の前記低レベル電流が供給される
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 複数の前記低レベル電流の電流値は、前記高レベル電流の電流値に（１／２）ｎ又は（１／３）ｎ（ただし、ｎは自然数）を乗じた値で設定される
    請求項１に記載の表示装置。
  4. 複数の前記サブフレーム期間のうち最も短い期間の前記サブフレーム期間を基準期間としたときに、複数の前記サブフレーム期間のそれぞれは、前記基準期間に２ｎ（ただし、ｎは自然数）を乗じた長さの期間を有する
    請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記１フレーム期間は、１４ビットの複数の前記サブフレーム期間を有し、
    １４ビットの複数の前記サブフレーム期間は、全て異なる長さの期間を有する
    請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記１フレーム期間は、１４ビットの複数の前記サブフレーム期間を有し、
    １４ビットの複数の前記サブフレーム期間のうち、上位ビットの複数の前記サブフレーム期間は同じ長さの期間を有し、下位ビットの複数の前記サブフレーム期間は異なる長さの期間を有する
    請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記高レベル電流又は複数の前記低レベル電流の電流値と、前記発光素子の発光期間となる複数の前記サブフレーム期間との組み合わせにおいて、同じ目標輝度レベルとなる組み合わせが複数存在し、
    前記目標輝度レベルと隣接する階調で、高階調側の前記階調の前記高レベル電流又は複数の前記低レベル電流の電流値、及び、低階調側の前記階調の前記高レベル電流又は複数の前記低レベル電流の電流値の少なくとも一方と等しい電流値の前記高レベル電流又は前記低レベル電流が選択される
    請求項１に記載の表示装置。
  8. 所定の期間以上の長さに設定された上位ビットの複数の前記サブフレーム期間と、前記所定の期間よりも短く設定された下位ビットの複数の前記サブフレーム期間と、を有し、
    １又は複数の前記下位ビットの前記サブフレーム期間と、１つの前記上位ビットの前記サブフレーム期間とが、交互に配置される
    請求項１に記載の表示装置。
  9. 複数の走査線及び複数の信号線と、
    前記複数の発光素子のそれぞれに設けられた複数の駆動トランジスタと、
    前記複数の走査線に接続され、前記複数の発光素子を前記複数のサブフレーム期間ごとに時分割的に選択する走査線駆動回路と、
    前記複数の駆動トランジスタに階調電圧を供給する信号線駆動回路と、を有し、
    選択された前記複数の発光素子には、前記階調電圧に応じた前記高レベル電流又は前記低レベル電流が流れる
    請求項１に記載の表示装置。
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