JP2023029630A - 亀裂進展装置及び亀裂進展方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)レーザダイシング装置1について
図1は、レーザダイシング装置1の概観構成を示す図である。同図に示すように、本実施の形態のレーザダイシング装置1は、主として、ウェーハ移動部11、レーザ光学部20と観察光学部30とからなるレーザヘッド40、制御部50等から構成されている。
図4は、研削装置2の概観構成を示す斜視図である。研削装置2の本体112には、アライメントステージ116、粗研削ステージ118、精研削ステージ120、研磨ステージ122、研磨布洗浄ステージ123、研磨布ドレッシングステージ127、及びウェーハ洗浄ステージ124が設けられている。
。
図9はテープ剥離装置3の構成を示す側面図である。ウェーハWへのBGテープBまたはエキスパンドテープEの貼着はテープ剥離装置3により行われる。さらに研削装置2により研削、研磨されたウェーハWはテープ剥離装置3により割断が行われる。
次にエキスパンド装置(不図示)について説明する。エキスパンド装置は、従来の通常のエキスパンド装置を使用することができる。例えば、特開2007-173587に開示されている、以下のような構成のエキスパンド装置を使用することができる。
次に、半導体基板の切断方法について説明する。図14は、半導体基板の切断方法の処理の流れを示すフローチャートである。
本発明の半導体基板の切断方法では、まずウェーハWの回路パターン等が形成されている表面側へBGテープBが貼着される(ステップS1)。
表面にBGテープBが貼付されたウェーハWが、裏面が上向きとなるようにレーザダイシング装置1の吸着ステージ13に載置される。以下の処理はレーザダイシング装置1で行われ、制御部50により制御される。
レーザ改質工程(ステップS2)により切断ラインSに沿って改質領域Kが形成されたら、 搬送装置(図示せず)によりウェーハWをレーザダイシング装置1から研削装置2へ搬送する。以下の処理は研削装置2で行われ、制御部100により制御される。
この工程は研削装置2で行われ、制御部100により制御される。
化学機械研磨工程(ステップS4)が行われたウェーハWの裏面にはエキスパンドテープEが貼着される。エキスパンドテープは弾性テープの一種であり、伸縮自在である。
エキスパンドテープEが貼着されたウェーハWはテープ剥離装置3へ搬送され、ウェーハWへ押圧部材218を押圧し、切断ラインSに沿ってウェーハWを割断することでウェーハWが個々のチップCに分割される。
割断されたウェーハWは、剥離用フィルム215が剥離用ローラ214によりBGテープBへ貼着されBGテープBが剥離される。
BGテープBを剥離した後、ウェーハWはエキスパンドテープEを下にして不図示のエキスパンドテーブル上に載置され、フレームFを押し下げる、またはフレームFを固定してテーブルを上昇させることによりエキスパンドテープEを引き伸ばしチップCの間隔が広げられる。
次に、上記研削除去工程(ステップS3)における研磨による亀裂進展評価について図18、図19を参照して説明する。研磨方法、分割離間方法、それらの条件等は基本的に上記ステップS1からS8の通りである。図18は、亀裂進展評価の条件について示した図であり、図19は、亀裂進展評価の評価結果を示した図である。
上記に詳述した実施形態についての記載から把握されるとおり、本明細書では以下に示す発明を含む多様な技術思想の開示を含んでいる。
Si(-OH)+SiOH=SiO2+H2O
すなわち、通常研磨直後のウェーハ表面はSi原子がある。このSi原子は水中における表面では水和されており、Si原子表面には-OHが存在することになる。このSi基板表面に付着したOH基と、液中に存在するシリカゾルのSiOHやシリカ粒子表面に存在するSiOHが結びつく。
Claims (2)
- ウェハの内部に形成されたレーザ改質領域から亀裂を進展させる亀裂進展装置であって、
前記ウェハの裏面を研削が行われるときの給水を制御することにより前記亀裂の伸展度合いを変化させる亀裂進展手段を備える、
亀裂進展装置。 - ウェハの内部に形成されたレーザ改質領域から亀裂を進展させる亀裂進展方法であって、
前記ウェハの裏面の研削が行われるときの給水を制御することにより前記亀裂の伸展度合いを変化させる亀裂進展ステップを備える、
亀裂進展方法。
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