JP2021014444A - アミン類誘導体及びその有機電界発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機光電子材料技術の分野において、光取り出し材料の熱安定性が悪く、有機電界発光素子の使用寿命が短いという技術的課題を解決した、アミン類誘導体及びその有機電界発光素子の提供。【解決手段】架橋基がフルオレニル基又はスピロフルオレニル基を含むジアミンであり、且つＮ上の置換基は、少なくとも１つのベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾリル基又はベンゾイミダゾリル基を含む、アミン類誘導体及びその有機電界発光素子。当該有機電界発光素子は、陽極と、有機物層と、陰極と、光取り出し層とを含み、有機物層は、陽極と陰極との間に位置し、光取り出し層は、当該アミン類誘導体を含む。当該アミン類誘導体のガラス転移温度は高く、良好な熱安定性を有し、それを有機電界発光素子の光取り出し材料として用いた場合、有機電界発光素子は、より長い使用寿命を示す。【選択図】なし

Description

本発明は、有機光電子材料技術の分野に関し、具体的には、アミン類誘導体及びその有機電界発光素子に関する。
有機電界発光とは、有機材料が電流又は電界の励起作用により発光する現象を意味する。応用上の重要性から、電界発光現象の研究及び探索は、これまで非常に興味深い科学であり、電界発光は、「冷光」を生成できる現象と言われてきた。使用される有機電界発光材料に応じて、小さな有機分子を発光材料として製造した素子を有機電界発光素子と称し、ＯＬＥＤと略称し、また、高分子を電界発光材料として製造した素子を高分子電界発光素子と称し、ＰＬＥＤと略称する。ただし、一般的には、両者を総称して有機電界発光素子と称し、ＯＬＥＤとも略称する。
有機電界発光は、従来開発されている無機電界発光素子に比べて、材料選択の範囲が幅広く、青色領域から赤色領域までのフルカラー表示が実現可能であり、駆動電圧が低く、発光輝度及び発光効率が高く、視野角が広く、応答速度が速く、製造工程が簡単で低コストであり、フレキシブルな表示が実現可能であるなどの様々な利点を有し、有機電界発光素子は、次世代の表示デバイスの主流と広く認められている。
有機電界発光素子は、素子両側の陽極と陰極との間に有機機能層を挟持したサンドイッチ構造を採用することが多く、一般的に陽極として高い仕事関数を有する金属又は金属酸化物を用い、陰極として低い仕事関数を有する金属を用いる。素子の両端に一定の電圧を印加した後、陽極及び陰極から発生した正孔と電子は、それぞれ材料のＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位に沿って相手側に移動する。両者が発光層で会うと、緊密に結合した正孔電子対、即ち、励起子を形成する。励起子は安定していないため、低準位へ遷移して安定状態に戻る。遷移の過程で、一部のエネルギーは熱エネルギーとなって発散喪失されるが、他部は光エネルギーとして放散される。
有機電界発光素子における有機機能層の数に応じて、素子構造は、単層、二層、三層、多層の４種類に大まかに分類できる。光の出射経路に応じて、素子は頂部発光素子と底部発光素子の２種類にも分類できる。有機電界発光は、最初の単層素子から今日まで発展し、様々な複雑の素子構造が出現し、発光性能も飛躍的に向上している。
底部発光素子の光は陽極から基板を通って素子外部に伝搬し、頂部発光素子の光は陰極を通って素子外部に伝搬する。底部発光素子又は頂部発光素子にかかわらず、光出射側の電極には高い透過率と良好なキャリア注入特性を有することが要求される。底部発光素子の光は、陽極から出射し、一般的に透過率に優れているＩＴＯを陽極材料として選択する。頂部発光素子の光は陰極から出射するため、陰極には高い透過率を有するだけでなく、その仕事関数も電子注入特性を満たすことが要求され、現在一般的に用いられる陰極材料は金属複合膜であり、一般的にＡｇなどの吸収が少ない金属と、Ｍｇ、Ａｌなどの仕事関数が低い金属とを組み合わせる。
頂部発光素子の概念が提出された以来、理論的にもプロセス的にも飛躍的に発展しており、頂部発光素子は、その広い色域、高輝度で商業市場に急速に参入している。頂部発光素子は、複合金属陰極の存在により、プラズモン損失及び導波モードの影響を受け、その外部の光結合効率が大きく損失し、通常の改善方法は、陰極の表面に光取り出し層を堆積することで、素子の発光効率を更に向上させることであるが、現在用いられる光取り出し材料の熱安定性は、ほとんどが悪く、素子の使用寿命が短いため、光取り出し材料の熱安定性を向上させることで寿命がより長い有機電界発光素子を得ることは、現在の研究者の注目を集めている課題の一つとなっている。
本発明は、現在、光取り出し材料の熱安定性が悪く、そして有機電界発光素子の使用寿命が短いという問題を解決するために、アミン類誘導体及びその有機電界発光素子を提供する。
本発明は、下記式Ｉで示されるアミン類誘導体を有機電界発光素子の光取り出し材料として用いることにより、上記目的を達成して本発明を完成することができる。
本発明は、アミン類誘導体を提供しており、前記アミン類誘導体は、式Ｉで示され、
Figure 2021014444
 ただし、前記Ａｒ１、Ａｒ２は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種であり、且つＡｒ１、Ａｒ２の少なくとも一方は、式ＩＩで示される基から選択され、
Figure 2021014444
 前記Ｌ１は、単結合、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリーレン基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリーレン基から選択される１種であり、前記ａは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ１は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ａが１を超えると、それぞれのＲ１は、同じか又は異なり、前記Ｘは、Ｏ、Ｓ又はＮ（Ｒｘ）から選択され、前記Ｒｘは、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、
前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種であり、
前記Ｌは、下記に示す基から選択される１種であり、
Figure 2021014444
 前記Ｒは、水素、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリール基から選択される１種であり、
前記Ｌ１１、Ｌ１２は、独立して、単結合、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリーレン基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリーレン基から選択される１種である。
また、本発明は、有機電界発光素子を更に提供しており、当該有機電界発光素子は、陽極と、有機物層と、陰極と、光取り出し層とを含み、前記有機物層は、陽極と陰極との間に位置し、前記有機物層は、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とを含み、前記正孔輸送層は、陽極と発光層との間に位置し、前記電子輸送層は、発光層と陰極との間に位置し、前記光取り出し層は、陽極から離れる陰極の側に位置し、前記光取り出し層は、上記した本発明の式Ｉで示されるアミン類誘導体を含む。
有益な效果
本発明に係るアミン類誘導体のガラス転移温度が高く、良好な熱安定性を有するため、本発明に係るアミン類誘導体は、より安定した光学材料であり、それを有機電界発光素子の光取り出し材料として用いた場合、有機電界発光素子は、より長い使用寿命を示す。
また、本発明に係るアミン類誘導体は、光に対する屈折率が高く、それを有機電界発光素子の光取り出し層として用いた場合、表面プラズモン損失及び導波モードによる不利な影響を削減し、光学的結合出力効率を向上させことで、有機電界発光素子の発光效率を効果的に向上させることができる。
図１は、本発明に係る化合物１の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図２は、本発明に係る化合物２２の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図３は、本発明に係る化合物２６の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図４は、本発明に係る化合物３５の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図５は、本発明に係る化合物４１の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図６は、本発明に係る化合物７３の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図７は、本発明に係る化合物１０１の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図８は、本発明に係る化合物１２１の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図９は、本発明に係る化合物１４３の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図１０は、本発明に係る化合物１４６の１Ｈ ＮＭＲの図である。 図１１は、本発明に係る化合物１のＤＳＣ曲線の図である。 図１２は、本発明に係る化合物２２のＤＳＣ曲線の図である。 図１３は、本発明に係る化合物２６のＤＳＣ曲線の図である。 図１４は、本発明に係る化合物３５のＤＳＣ曲線の図である。 図１５は、本発明に係る化合物４１のＤＳＣ曲線の図である。 図１６は、本発明に係る化合物７３のＤＳＣ曲線の図である。 図１７は、本発明に係る化合物１０１のＤＳＣ曲線の図である。 図１８は、本発明に係る化合物１２１のＤＳＣ曲線の図である。 図１９は、本発明に係る化合物１４３のＤＳＣ曲線の図である。 図２０は、本発明に係る化合物１４６のＤＳＣ曲線の図である。
以下、具体的実施例を参照しながら、本発明を更に説明する。これらの実施例は本発明を説明するためのものにすぎず、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明を通読することにより、当業者にとって、本発明に対する様々な等価の修正は、すべて本出願の特許請求の保護範囲内に入ることを理解すべきである。
本発明に係る「置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基」における「Ｃ６〜Ｃ３０」とは、未置換のアリール基に含まれる炭素原子数を意味し、置換基の炭素原子数は含まず、「置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基」における「Ｃ３〜Ｃ３０」とは、未置換のヘテロアリール基に含まれる炭素原子数を意味し、置換基の炭素原子数は含まず、「置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリーレン基」における「Ｃ６〜Ｃ１８」とは、未置換のアリーレン基に含まれる炭素原子数を意味し、置換基の炭素原子数は含まず、「置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリーレン基」における「Ｃ３〜Ｃ１８」とは、未置換のヘテロアリーレン基に含まれる炭素原子数を意味し、置換基の炭素原子数は含まず、「置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基」における「Ｃ１〜Ｃ１５」とは、未置換のアルキル基に含まれる炭素原子数を意味し、置換基の炭素原子数は含まれない。その他は同様である。
本発明に係るプロピル基、ブチル基、ペンチル基などの炭素原子数が２より大きい鎖状アルキル基は、それらの異性体、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基などを含むが、これらに限定されない。
本発明に係るアルキル基とは、アルカン分子から水素原子を１個除去した炭化水素基を意味し、直鎖アルキル基、分岐アルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。前記直鎖アルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などを含むが、これらに限定されず、前記分岐アルキル基は、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル基の異性体、ｎ−ヘキシル基の異性体、ｎ−ヘプチル基の異性体、ｎ−オクチル基の異性体、ｎ−ノニル基の異性体、ｎ−デシル基の異性体などを含むが、これらに限定されず、前記シクロアルキル基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを含むが、これらに限定されない。上記アルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチルであることが好ましい。
本発明に係るアリール基とは、芳香族化合物分子の芳香核炭素から水素原子を１個除去した後に残った一価の基の総称を意味し、単環アリール基、多環アリール基又は縮合環アリール基であってもよい。前記単環アリール基とは、分子内に芳香環を１つだけ含むアリール基、例えば、フェニル基などを意味するが、これらに限定されず、前記多環アリール基とは、分子内に独立した芳香環を２つ以上含むアリール基、例えば、ビフェニル基、ターフェニル基などを意味するが、これらに限定されず、前記縮合環アリール基とは、分子内に芳香環を２つ以上含み、且つ隣接する２つ炭素原子を共有して互いに縮合したアリール基、例えば、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ピレニル基、トリフェニレン基、フルオランテニル基、スピロビフルオレニル基などを意味するが、これらに限定されない。上記アリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、トリフェニレン基、スピロビフルオレニル基であることが好ましい。
本発明に係るヘテロアリール基とは、アリール基の１つ以上の芳香核炭素原子をヘテロ原子で置換した基の総称を意味し、前記ヘテロ原子は、酸素、硫黄、窒素又はリン原子を含むがこれらに限定されず、前記ヘテロアリール基の結合部位は、環形成炭素原子上又は環形成窒素原子上に位置してもよく、前記ヘテロアリール基は、単環ヘテロアリール基、多環ヘテロアリール基又は縮合環ヘテロアリール基であってもよい。前記単環ヘテロアリール基は、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、イミダゾリル基などを含むが、これらに限定されず、前記多環ヘテロアリール基は、ビピリジル基、ビピリミジニル基、フェニルピリジル基などを含むが、これらに限定されず、前記縮合環ヘテロアリール基は、キノリル基、イソキノリル基、インドリル基、ｏ−フェナントロリン基、ジベンゾフリル基、ベンゾジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾジベンゾチエニル基、カルバゾール基、ベンゾカルバゾール基、アクリジン基、９，１０−ジヒドロアクリジン基、フェノキサジン基、キサンテン基、チオキサンテン基などを含むが、これらに限定されない。上記ヘテロアリール基は、フリル基、チエニル基、ジベンゾフリル基、ベンゾジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾジベンゾチエニル基、カルバゾール基、ベンゾカルバゾール基、アクリジン基、９，１０−ジヒドロアクリジン基、フェノキサジン基、キサンテン基、チオキサンテン基であることが好ましい。
本発明に係るアリーレン基とは、置換もしくは未置換の芳香族化合物分子の芳香核炭素から水素原子を２個除去した後に残った二価の基の総称を意味し、単環アリーレン基、多環アリーレン基又は縮合環アリーレン基であってもよい。前記単環アリーレン基は、フェニレン基などを含むが、これらに限定されず、前記多環アリーレン基は、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基などを含むが、これらに限定されず、前記縮合環アリーレン基は、ナフチレン基、アントラニレン基、フェナントリレン基、フルオレニレン基、ピレニレン基、トリフェニレン基、フルオランテニレン基、フェニレンフルオレニル基などを含むが、これらに限定されない。上記アリーレン基は、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、フルオレニレン基、フェニレンフルオレニル基であることが好ましい。
本発明に係るヘテロアリーレン基とは、アリーレン基の１つ以上の芳香核炭素原子をヘテロ原子で置換した基の総称を意味し、前記ヘテロ原子は、酸素、硫黄、窒素又はリン原子を含むがこれらに限定されず、前記ヘテロアリーレン基は、単環ヘテロアリーレン基、多環ヘテロアリーレン基又は縮合環ヘテロアリーレン基であってもよい。前記単環ヘテロアリーレン基は、ピリジリデン基、ピリミジニリデン基、フリレン基、チエニレン基などを含むが、これらに限定されず、前記多環ヘテロアリーレン基は、ビピリジル基、ビピリミジニル基、フェニレンピリジル基などを含むが、これらに限定されず、前記縮合環ヘテロアリーレン基は、キノリレン基、イソキノリレン基、ｏ−フェナントロリン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、カルバゾリレン基などを含むが、これらに限定されない。上記ヘテロアリーレン基は、ｏ−フェナントロリン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基であることが好ましい。
本発明に係る置換のアルキル基とは、アルキル基の水素を置換基で置換した基の総称を意味し、前記置換基は、単数又は複数でもよく、置換基が複数の置換基である場合、前記複数の置換基は、同じか又は異なってもよく、前記置換基は、重水素、ハロゲン、シアン基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基を含み、前記アリール基、ヘテロアリール基は上記定義の通りである。
本発明に係る置換のアリール基とは、アリール基の水素を置換基で置換した基の総称を意味し、前記置換基は、単数又は複数でもよく、置換基が複数の置換基である場合、前記複数の置換基は、同じか又は異なってもよく、前記置換基は、重水素、ハロゲン、シアン基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基を含み、前記アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は上記定義の通りである。
本発明に係る置換のヘテロアリール基とは、ヘテロアリール基の水素を置換基で置換した基の総称を意味し、前記置換基は、単数又は複数でもよく、置換基が複数の置換基である場合、前記複数の置換基は、同じか又は異なってもよく、前記置換基は、重水素、ハロゲン、シアン基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基を含み、前記アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は上記定義の通りである。
本発明に係る置換のアリーレン基とは、アリーレン基の水素を置換基で置換した基の総称を意味し、前記置換基は、単数又は複数でもよく、置換基が複数の置換基である場合、前記複数の置換基は、同じか又は異なってもよく、前記置換基は、重水素、ハロゲン、シアン基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基を含み、前記アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は上記定義の通りである。
本発明に係る置換のヘテロアリーレン基とは、ヘテロアリーレン基の水素を置換基で置換した基の総称を意味し、前記置換基は、単数又は複数でもよく、置換基が複数の置換基である場合、前記複数の置換基は、同じか又は異なってもよく、前記置換基は、重水素、ハロゲン、シアン基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボニル基、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基を含み、前記アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は上記定義の通りである。
本発明は、アミン類誘導体を提供しており、前記アミン類誘導体は、式Ｉで示され、
Figure 2021014444
 ただし、前記Ａｒ１、Ａｒ２は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種であり、且つＡｒ１、Ａｒ２の少なくとも一方は、式ＩＩで示される基から選択され、
Figure 2021014444
 前記Ｌ１は、単結合、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリーレン基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリーレン基から選択される１種であり、前記ａは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ１は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ａが１を超えると、それぞれのＲ１は、同じか又は異なり、前記Ｘは、Ｏ、Ｓ又はＮ（Ｒｘ）から選択され、前記Ｒｘは、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、
前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種であり、
前記Ｌは、下記に示す基から選択される１種であり、
Figure 2021014444
 前記Ｒは、水素、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリール基から選択される１種であり、
前記Ｌ１１、Ｌ１２は、独立して、単結合、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリーレン基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリーレン基から選択される１種である。
好ましくは、前記式ＩＩは下記に示す基から選択される１種であり、
Figure 2021014444
 ただし、前記ｂは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ２は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｂが１を超えると、それぞれのＲ２は、同じか又は異なり、
前記ｃは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ３は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｃが１を超えると、それぞれのＲ３は、同じか又は異なる。
好ましくは、前記アミン類誘導体は式Ｉ−１で示され、
Figure 2021014444
 前記Ａｒ２は、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種であり、且つＡｒ２は、式ＩＩではなく、
前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種である。
好ましくは、前記Ａｒ２、Ａｒ４は同じ置換基から選択される。
好ましくは、前記アミン類誘導体は式Ｉ−２で示され、
Figure 2021014444
 前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種である。
好ましくは、前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、下記に示す基から選択される１種であり、
Figure 2021014444
 ただし、前記ｄは、０〜５から選択される整数であり、前記Ｒ４は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基であり、ｄが１を超えると、それぞれのＲ４は、同じか又は異なり、
前記ｅは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ５は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｅが１を超えると、それぞれのＲ５は、同じか又は異なり、
前記ｆは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ６は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｆが１を超えると、それぞれのＲ６は、同じか又は異なり、
前記ｇは、０〜５から選択される整数であり、前記Ｒ７は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｇが１を超えると、それぞれのＲ７は、同じか又は異なり、
前記Ｒ０は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、
前記Ｌ２は、単結合、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリーレン基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリーレン基から選択される１種である。
好ましくは、前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、下記に示す基から選択される１種であり、
Figure 2021014444
Figure 2021014444
ただし、前記Ｒ４は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ４は、同じか又は異なり、
前記Ｒ５は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ５は、同じか又は異なり、
前記Ｒ７は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、トリル基、エチルフェニル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ７は、同じか又は異なる。
好ましくは、前記式ＩＩは、下記に示す基から選択される１種であり、
Figure 2021014444
 ただし、前記Ｒ１は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ１は、同じか又は異なり、
前記Ｒ２は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ２は、同じか又は異なり、
前記Ｒ３は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基から選択される１種である。
さらに、前記アミン類誘導体は、下記に示す構造から選択される１種である。
Figure 2021014444
Figure 2021014444
Figure 2021014444
Figure 2021014444
Figure 2021014444
Figure 2021014444
Figure 2021014444
Figure 2021014444
本発明に係る式Ｉで示されるアミン類誘導体の具体的化学構造は上記に列挙されているが、本発明は列挙された化学構造に限定されず、式Ｉで示される構造に基づく、置換基が上記で限定された基であるものは、すべて本発明に含まれるべきである。
本発明に係る有機電界発光素子は、陽極と、有機物層と、陰極と、光取り出し層とを含み、前記有機物層は、陽極と陰極との間に位置し、前記光取り出し層は、陽極から離れる陰極の側に位置する。
本発明に係る有機電界発光素子の光取り出し層は、単層構造又は二層以上の多層構造を有してもよく、本発明に係る光取り出し層は、本発明に係るアミン類誘導体を含み、前記アミン類誘導体の含有量は特に限定されず、必要に応じて適宜に調整可能である。本発明に係る有機電界発光素子の有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層又は陽極と正孔注入層との間に位置するバッファ層のいずれか一層又は多層を含んでもよい。各層の膜厚は特に限定されず、一般的に、膜厚が薄すぎると、フィルムはピンホールなどの欠陥が発生しやすく、膜厚が厚すぎると、有機電界発光素子の駆動電圧が上昇し、発光効率が低下し、したがって、膜厚は、好ましくは０．１ｎｍ〜１０μｍであり、より好ましくは０．５ｎｍ〜０．５μｍである。
本発明に係る有機電界発光素子の素子構造は、好ましくは、
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／金属陰極／光取り出し層、又は、
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／金属陰極／光取り出し層、又は、
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／金属陰極／光取り出し層、又は、
基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／金属陰極／光取り出し層、又は、
基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／金属陰極／光取り出し層である。
本発明に係る有機電界発光素子は、公知の材料を用いて公知の方法により製造可能であるが、有機電界発光素子の構造はこれに限定されない。
本発明に係る基板は、ガラス板、石英板、ポリマー板などであることが好ましいが、これらに限定されない。前記ガラスは、ソーダライムガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、バリウムホウケイ酸塩ガラスなどを含む。前記ポリマーは、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルなどを含む。
本発明に係る陽極は、正孔を正孔輸送層に注入する機能を有し、陽極材料には高い仕事関数を有することが要求され、一般的に仕事関数が４．５ｅＶ以上の材料は有効である。本発明に係る有機電界発光素子は頂部発光素子であるため、陽極材料には、可視光領域で高い反射率と低い吸収率を有することが要求される。本発明に係る陽極材料は、金属酸化物、金属、金属合金、ポリマーなどのうちの１種又は複数種を選択してもよい。具体的には、酸化インジウムスズ（略称：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（略称：ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（略称：ＡＺＯ）、酸化インジウム、酸化亜鉛、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、ポリピロールなどであるが、これらに限定されない。陽極の膜厚は材料によって異なり、通常は１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選択される。本発明に係る陽極は、単層構造であっても二層以上の多層構造であってもよく、各層に含まれる陽極材料は、単一材料であっても混合材料であってもよい。
本発明に係るバッファ層とは、陽極上に非常に薄い絶縁物質層を蒸着することを意味し、正孔注入効率を改善し、駆動電圧を低下させることができる。前記バッファ層は、具体的にシリカ、四フッ化炭素、フッ化リチウムなどから選択してもよいが、これらに限定されない。
本発明に係る正孔注入層は、有機電界発光素子における正孔輸送層と陽極との界面の障壁を低下させ、正孔注入効率を向上させ、素子の寿命を延長する機能を有する。本発明に係る正孔注入材料は、良好な正孔注入性能を有する材料であることが好ましく、モリブデン酸化物、銀酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、ニッケル酸化物、銅酸化物、チタン酸化物、アルミニウム酸化物などの金属酸化物、フタロシアニン類化合物、芳香族アミン類誘導体、ポリシアノ基を含む共役有機材料などの低分子有機化合物、及びポリマーなどのうちの１種又は複数種を選択してもよいが、これらに限定されない。具体的には、三酸化モリブデン、酸化銀、五酸化バナジウム、三酸化タングステン、酸化ルテニウム、酸化ニッケル、酸化銅、二酸化チタン、アルミナ、フタロシアニン銅（α−型）（略称：ＣｕＰｃ）、オキシチタニウムフタロシアニン（略称：ＴｉＯＰＣ）、Ｎ，Ｎ'−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−４，４'−ジアミノ−１，１'−ビフェニル、Ｎ４，Ｎ４，Ｎ４'，Ｎ４'−テトラキス（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン、４，４'４"−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＮＡＴＡ）、４，４'，４"−トリス（Ｎ−（ナフタレン−１−イル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン（略称：１Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４'，４"−トリス［２−ナフチルフェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：２Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４'，４"−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ４，Ｎ４，Ｎ４'，Ｎ４"−テトラキス（４−メトキシフェニル）−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン（略称：ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］（略称：ＭｅＯ−Ｓｐｉｒｏ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ビス［４−ジ（ｍ−トリル）アミノフェニル］−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（略称：ＤＮＴＰＤ）、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７'，８，８'−テトラシアノキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、ピラジノ［２，３−Ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、１，４，５，８，９，１１−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ'−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホナート）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などであるが、これらに限定されない。本発明に係る正孔注入層は、単層構造であっても二層以上の多層構造であってもよく、各層に含まれる正孔注入材料は、単一材料であっても混合材料であってもよい。
本発明に係る正孔輸送層は、素子内の正孔の輸送効率を向上するとともに、電子を発光層内にブロッキングする作用を有する。本発明に係る正孔輸送材料は、良好な正孔輸送性能を有する材料であることが好ましく、芳香族アミン類誘導体、ピラゾリン類化合物、カルバゾール誘導体、ヒドラゾン類化合物、スチレン類化合物、ブタジエン類化合物などの小分子材料及びポリマー材料のうちの１種又は複数種を選択してもよいが、これらに限定されない。具体的には、Ｎ４，Ｎ４，Ｎ４'，Ｎ４'−テトラキス（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン、４，４'，４"−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４'，４"−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジフェナントレン−９−イル−４，４'−ビフェニルジアミン（略称：ＰＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（フェニル）−２，２'−ジメチルベンジジン（略称：α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−（１−ナフチル）−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ'−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジ（フェニル）ビフェニル−４，４'−ジアミン（略称：β−ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（α−ナフチル）−１，１'−ビナフチル−４，４'−ジアミン（略称：α−ＮＰＮ）、４，４'−シクロヘキシルビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アニリン］（略称：ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、２，２，７，７−テトラキス（ジフェニルアミノ）−９，９−スピロビフルオレン（略称：Ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）、３，３'−（１，４−フェニレン）ビス（１，５−ジフェニル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−ピラゾール）（略称：ＰＹＲ−Ｄ１）、４，４'，４"−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メチルフェニル）アミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、１，４−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メチルフェニルアミノ）スチレン］ベンゼン（略称：ＤＰＤ）などであるが、これらに限定されない。本発明に係る正孔輸送層は、単層構造であっても二層以上の多層構造であってもよく、各層に含まれる正孔輸送材料は、単一材料であっても混合材料であってもよい。
本発明に係る発光層とは、光子を出射できる有機物層を意味する。本発明に係る発光層は、１種材料又は２種以上の混合材料を含んでもよく、前記発光材料は、青色発光材料、緑色発光材料及び赤色発光材料に区分する。
上記青色発光材料は、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、スチリルアミン誘導体、金属錯体などの材料から選択される１種又は複数種であるが、これらに限定されない。具体的には、Ｎ１，Ｎ６−ビス（［１，１'−ビフェニル］−２−イル）−Ｎ１，Ｎ６−ビス（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）ピレン−１，６−ジアミン、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＡＤＮ）、２−メチル−９，１０−ジ−２−ナフチルアントラセン（略称：ＭＡＤＮ）、２，７−ビス（４−ジアニリノフェニル）−９，９−ビス（４−ジアニリノフェニル）フルオレン（略称：ＸＢ１０）、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰｅ）、４，４'−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチレン］ビフェニル（略称：ＢＤＡＶＢｉ）、４，４'−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチレン］ビフェニル（略称：ＤＰＡＶＢｉ）、１，４−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル）アミノ］スチレン（略称：ＤＳＡ−Ｐｈ）、トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：ｆａｃ−Ｉｒ（ｉｐｒｐｍｉ）３）、ビス（２−ヒドロキシフェニルピリジン）ベリリウム（略称：Ｂｅｐｐ２）、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジルフェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（２，４−ジフルオロフェニルピリジン）−テトラキス（１−ピラゾール）ボラートイリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｆｉｒ６）などであるが、これらに限定されない。
上記緑色発光材料は、クマリン染料、キナクリドン類誘導体、多環芳香族炭化水素、ジアミンアントラセン類誘導体、カルバゾール誘導体、金属錯体などの材料から選択される１種又は複数種であるが、これらに限定されない。具体的には、クマリン６（略称：Ｃ−６）、クマリン５４５Ｔ（略称：Ｃ−５２５Ｔ）、キナクリドン（略称：ＱＡ）、Ｎ，Ｎ'−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱＡ）、５，１２−ジフェニルナフタセン（略称：ＤＰＴ）、Ｎ１０，Ｎ１０，Ｎ１０'，Ｎ１０'−テトラフェニル−９，９'−ビアントラセン−１０，１０'−ジアミン（略称：ＢＡ−ＴＡＤ）、Ｎ１０，Ｎ１０'−ジフェニル−Ｎ１０，Ｎ１０'−ジナフタレニル−９，９'−ビアントラセン−１０，１０'−ジアミン（略称：ＢＡ−ＮＰＢ）、９，９'，９"−（５−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）ベンゼン−１，２，３−トリイル）トリス（３，６−ジメチル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＴｍＣｚＴｒｚ）、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス(２−フェニルピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン−Ｃ２，Ｎ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３）、トリス［２−（３−メチル−２−ピリジル）フェニル］イリジウム（略称：Ｉｒ（３ｍｐｐｙ）３）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などであるが、これらに限定されない。
上記赤色発光材料は、ＤＣＭ系材料、金属錯体などから選択される１種又は複数種であるが、これらに限定されない。具体的には、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（４−ジメチルアミノスチレン）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ）、４−（ジシアノメチレン）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−アルケニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）、ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトン）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、オクタエチルポルフィリン白金（略称：ＰｔＯＥＰ）、ビス（２−（２'−ベンゾチエニル）ピリジン−Ｎ，Ｃ３'）（アセチルアセトナト）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ）、ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｆｌｉｑ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−キノリン］（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｆｌｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（１，１０−フェナントロリン）ユウロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ｄｂｍ）３（Ｐｈｅｎ））などであるが、これらに限定されない。
上記発光材料をゲスト材料として用いる場合、それに適合する適切なホスト材料を選択する必要があり、前記ホスト材料は、ゲスト材料と比較して最低空軌道の準位が高く、最高被占軌道の準位が低い材料であることが好ましい。上記ホスト材料は、アルミニウム錯体、亜鉛錯体などの金属錯体、フルオレン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体などを含むが、これらに限定されない。具体的には、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、８−キノリノラート亜鉛（略称：Ｚｎｑ２）、２，７−ビス［９，９−ビス（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ビス（４−メチルフェニル）フルオレン（略称：ＴＤＡＦ）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＡＤＮ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン、１，３，５−トリス（９−カルバゾール）ベンゼン（略称：ＴＣＰ）、９，９'−（１，３−フェニル）ジ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＭＣＰ）、４，４'−ビス（９−カルバゾール）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、４，４'，４"−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）などであるが、これらに限定されない。
本発明に係る正孔ブロッキング層は、発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防止する機能を有する。本発明に係る正孔ブロッキング材料は、良好な正孔ブロッキング性能を有する材料であることが好ましく、フェナントロリン誘導体、アルミニウム錯体、ベンゾイミダゾール誘導体、芳香族化合物、有機ホウ素化合物などのうちの１種又は複数種を選択してもよいが、これらに限定されない。具体的には、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＣＰ）、ビス（８−ヒドロキシ−２−メチルキノリン）−（４−フェニルフェノキシ）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニル−２−ベンゾイミダゾール）ベンゼン（略称：ＴＰＢｉ）、（１，３，５−ターフェニル）ベンゼン（略称：ＴＢＢ）、１，３，５−トリス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ベンゼン（略称：ＴＦＢ）、トリメシチルボラン（略称：ＴＰｈＢ）などであるが、これらに限定されない。本発明に係る正孔ブロッキング層は、単層構造であっても二層以上の多層構造であってもよく、各層に含まれる正孔ブロッキング材料は、単一材料であっても混合材料であってもよい。
本発明に係る電子輸送層は、素子内の電子の輸送効率を向上するとともに、正孔を発光層内にブロッキングする作用を有する。本発明に係る電子輸送材料は、良好な電子輸送性能を有する材料であることが好ましく、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体などの金属錯体、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアゾール類化合物、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、芳香族複素環化合物、ポリマーなどのうちの１種又は複数種を選択してもよいが、これらに限定されない。具体的には、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン）ベリリウム（略称：Ｂｅｐｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノール）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、２，５−ジ−（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＢＮＤ）、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、２−（４−（９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニル−２−ベンゾイミダゾール）ベンゼン（略称：ＴＰＢｉ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、３，３'−［５'−［３−（３−ピリジル）フェニル］（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、１，３，５−トリス（４−ピリジン−３−イル−フェニル）ベンゼン（略称：ＴｐＰｙＰＢ）、１，３，５−トリス（６−（３−（３−ピリジル）フェニル）ピリジン−２−イル）ベンゼン（略称：Ｔｍ３ＰｙＰ２６ＰｙＢ）、２，４，６−トリス（３−（３−ピリジル）−（１，１'−ビフェニル）−３−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、ポリ［９，９−ビス［６'−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウム）ヘキシル］フルオレン−ａｌｔ−ｃｏ−１，４−フェニレン］臭化物（略称：ＦＰＱ−Ｂｒ）などであるが、これらに限定されない。本発明に係る電子輸送層は、上記電子輸送材料と下記電子注入材料とを互いに混在して形成した混合材料、例えば、Ａｌｑ３／ＬｉＦ、Ａｌｑ３／Ｌｉｑ、ＢＡｌｑ／ＬｉＦ、ＢＡｌｑ／Ｌｉｑなどであってもよいが、これらに限定されない。本発明に係る電子輸送層は、単層構造であっても二層以上の多層構造であってもよく、各層に含まれる電子輸送材料は、単一材料であっても混合材料であってもよい。
本発明に係る電子注入層は、陰極から電子輸送層と発光層への電子注入の効率を向上させるように機能する。本発明に係る電子注入材料は、良好な電子注入性能を有する材料であることが好ましく、本発明に係る電子注入材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はアルカリ金属、アルカリ土類金属を含む化合物のうちの１種又は複数を選択してもよいが、これらに限定されない。具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、酸化リチウム、炭酸セシウム、メタホウ酸リチウム、ケイ酸カリウム、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸ルビジウム、酢酸カリウム、酢酸セシウム、リチウムテトラキス（８−キノリノラート）ホウ素、８−キノリノラートリチウムなどであるが、これらに限定されない。本発明に係る電子注入層は、単層構造であっても二層以上の多層構造であってもよく、各層に含まれる電子注入材料は、単一材料であっても混合材料であってもよい。
本発明に係る陰極は、電子を電子輸送層に注入する機能を有し、陰極材料には、低い仕事関数を有することが要求され、頂部発光素子の光は陰極から出射するため、陰極には高い透過率を有することも要求される。本発明に係る陰極材料は、主族金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、ランタノイド金属などの金属又は合金のうちの１種又は複数種を選択してもよいが、これらに限定されない。具体的には、Ａｌ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｓｍ、Ｍｇ／Ａｇ、Ｌｉ／Ａｌなどであるが、これらに限定されない。陰極の膜厚は材料によって異なり、通常は１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲から選択される。本発明に係る陰極は、単層構造であっても二層以上の多層構造であってもよく、各層に含まれる陰極材料は、単一材料であっても混合材料であってもよい。
本発明に係る光取り出し層は、金属化合物、芳香族アミン類誘導体、カルバゾール誘導体又は本発明に係るアミン類誘導体などのうちの１種又は複数種を選択してもよいが、これらに限定されない。具体的には、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、酸化マグネシウム、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、酸化スズ、酸化モリブデン、酸化テルル、Ｎ，Ｎ'−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（フェニル）−２，２'−ジメチルベンジジン（略称：α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−（１−ナフチル）−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（略称：ＮＰＢ）、Ｎ４，Ｎ４，Ｎ４'，Ｎ４'−テトラキス（４−メトキシフェニル）−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン（略称：ＭｅＯ−ＴＰＤ）、４，４'−ビス（９−カルバゾール）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）などであるが、これらに限定されない。好ましくは、本発明に係るアミン類誘導体である。本発明に係る光取り出し材料は、単層構造であっても二層以上の多層構造であってもよく、各層に含まれる光取り出し材料は、単一材料であっても混合材料であってもよい。
本発明に係る有機電界発光素子の各層の形成方法は特に限定されず、乾式成膜法、湿式成膜法などの公知の方法を採用できる。乾式成膜法は、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法などを含む。湿式成膜法は、スピンコート法、ディッピング法、インクジェット法などを含むが、これらに限定されない。
本発明に係る有機電界発光素子は、フラットパネル表示、固体照明、有機感光体又は有機フィルムトランジスタなどの分野に広く使用されることができる。
本発明に係る式Ｉで示されるアミン類誘導の合成手順は以下の通りである。
ステップ１
Figure 2021014444
 上記合成手順において、
Figure 2021014444
 と
Figure 2021014444
 とをブッフバルト反応させて
Figure 2021014444
 を得る。
ステップ２
Figure 2021014444
 上記合成手順において、
Figure 2021014444
 と
Figure 2021014444
 とをブッフバルト反応させて
Figure 2021014444
 を得る。
ステップ３
１．
Figure 2021014444
 と
Figure 2021014444
 とは異なる場合
Figure 2021014444
 上記合成手順において、Ｘ１、Ｘ２は、独立してＩ、Ｂｒ、Ｃｌから選択される１種であり、
Figure 2021014444
 と
Figure 2021014444
 とをブッフバルト反応させて
Figure 2021014444
 を得て、上記中間体と
Figure 2021014444
 とをブッフバルト反応させて、式Ｉで示されるアミン類誘導体を得る。
２．
Figure 2021014444
 と
Figure 2021014444
 とは同じである場合
Figure 2021014444
 上記合成手順において、
Figure 2021014444
 又は
Figure 2021014444
 を
Figure 2021014444
 とブッフバルト反応させて、式Ｉで示されるアミン類誘導体を得る。
本発明において、以下の実施例で使用される原料は特に限定されず、市販品又は当業者に周知の調製方法により調製したものであってもよい。
化合物の調製及び分析
原料、試薬及び分析用デバイスの説明
本発明で使用される原料及び試薬はすべて純粋な試薬であった。
質量分析は、島津集団英国のＫｒａｔｏｓ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ社製のＡＸＩＭＡ−ＣＦＲ ｐｌｕｓマトリックス支援レーザー脱離イオン化飛行質量分析計を使用し、クロロホルムを溶媒とした。
元素分析は、ドイツのＥｌｅｍｅｎｔａｒ社製のＶａｒｉｏ ＥＬ ｃｕｂｅ型有機元素分析計を使用し、サンプル質量は５〜１０ｍｇでした。
核磁気共鳴（１Ｈ ＮＭＲ）は、６００ＭＨｚのＢｒｕｋｅｒ−５１０型核磁気共鳴スペクトロメーター（ドイツのＢｒｕｋｅｒ社製）を使用し、ＣＤＣｌ３を溶媒とし、ＴＭＳを内部標準とした。
合成例１：化合物１の合成
Figure 2021014444
 中間体Ｉ−１の合成
１Ｌの反応フラスコに脱気したトルエン溶媒（４００ｍＬ）を加えた後、原料の４−（２−ベンゾオキサゾール）アニリン（３７．８ｇ、０．１８ｍｏｌ）、ブロモベンゼン（１９．０ｍｌ、０．１８ｍｏｌ）及びナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（２２．８ｇ、０．２３４ｍｏｌ）を順次に加えた。窒素置換を３回行った後、酢酸パラジウム（０．４ｇ、０．００１８ｍｏｌ）を加えた。窒素置換を更に３回行った後、トリ−ｔ−ブチル−ホスフィン（７．２ｍＬの１．０Ｍのトルエン溶液、０．００７２ｍｏｌ）を加えた。窒素置換ステップを更に３回繰り返した後、当該混合物を窒素雰囲気下で２時間還流した。反応停止後、混合物を室温まで冷却し、珪藻土でろ過してろ液を得た。ろ液を濃縮し、少量のメタノールを加えた後、静置して再結晶し、一定時間後に固体が生成し、その固体を吸引ろ過してメタノールでリンスし、再結晶固体である中間体Ｉ−１（４６．３ｇ、収率約９０％）を得て、ＨＰＬＣにて固体純度≧９８．１％を検出した。
化合物１の合成
２５０ｍＬの反応フラスコに脱気したトルエン溶媒（１００ｍＬ）を加えた後、原料の中間体Ｉ−１（１７．６ｇ、０．０６２ｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレン（９．８ｇ、０．０２８ｍｏｌ）及びナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（８．０ｇ、０．０８４ｍｏｌ）を順次に加えた。窒素置換を３回行った後、酢酸パラジウム（０．１２ｇ、０．０００５６ｍｏｌ）を加えた。窒素置換を更に３回行った後、トリ−ｔ−ブチル−ホスフィン（２．２４ｍＬの１．０Ｍのトルエン溶液、０．００２２４ｍｏｌ）を加えた。窒素置換ステップを更に３回繰り返した後、当該混合物を窒素雰囲気下で２時間還流した。反応停止後、混合物を室温まで冷却し、珪藻土でろ過してろ液を得た。ろ液を濃縮して６０℃まで加熱した後、少量のエタノールを加え、室温まで静置して再結晶し、一定時間後，固体が生成し、その固体を吸引ろ過してエタノールでリンスし、再結晶固体である淡黄色の固体化合物１（１８．１ｇ、収率約８５％）を得て、ＨＰＬＣにて固体純度≧９９．９％を検出した。
質量分析ｍ／ｚ：７６２．８５（計算値：７６２．９１）。理論元素含有量（％）Ｃ５３Ｈ３８Ｎ４Ｏ２：Ｃ， ８３．４４； Ｈ， ５．０２； Ｎ， ７．３４； Ｏ， ４．１９ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８３．５２； Ｈ， ５．０２； Ｎ， ７．３５； Ｏ， ４．１１。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）： ８．１０ （ｄ， Ｊ＝８．６ Ｈｚ， ４Ｈ）， ７．８２−７．６７ （ｍ， ２Ｈ）， ７．６７−７．５０ （ｍ， ４Ｈ）， ７．４０−７．２８ （ｍ， ８Ｈ）， ７．２３ （ｄ， Ｊ＝８．５ Ｈｚ， ６Ｈ）， ７．２０−６．９９ （ｍ， ８Ｈ）， １．４０ （ｓ， ６Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例２：化合物１０の合成
Figure 2021014444
 合成例１におけるブロモベンゼンを等モル量の４−ブロモビフェニルで置き換え、他のステップは同様にして、黄色の固体化合物１０（２２．５ｇ、収率約８８％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：９１４．４１（計算値：９１５．１１）。理論元素含有量（％）Ｃ６５Ｈ４６Ｎ４Ｏ２： Ｃ， ８５．３１； Ｈ， ５．０７； Ｎ， ６．１２； Ｏ， ３．５０ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８５．２８； Ｈ， ４．９５ Ｎ， ６．０８； Ｏ， ３．５５。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例３：化合物２２の合成
Figure 2021014444
 合成例１におけるブロモベンゼンを等モル量の２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンで置き換え、他のステップは同様にして、黄色の固体化合物２２（２０．０ｇ、収率約７２％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：９９５．３２（計算値：９９５．２４）。理論元素含有量（％）Ｃ７１Ｈ５４Ｎ４Ｏ２： Ｃ， ８５．６９； Ｈ， ５．４７； Ｎ， ５．６３； Ｏ， ３．２２ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８５．７７； Ｈ， ５．４８； Ｎ， ５．６２； Ｏ， ３．１２。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）： ７．９２ （ｄ， Ｊ＝３．３ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８９ （ｄ， Ｊ＝３．２ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８８ （ｓ， ２Ｈ）， ７．８５ （ｓ， ２Ｈ）， ７．７９−７．７０ （ｍ， ８Ｈ）， ７．５６ （ｄ， Ｊ＝３．２ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．５３ （ｄｄ， Ｊ＝２．８， １．３ Ｈｚ， ５Ｈ）， ７．４２−７．３３ （ｍ， ９Ｈ）， ７．３１ （ｄｄ， Ｊ＝５．３， ２．３ Ｈｚ， ３Ｈ）， ７．２８ （ｄｄ， Ｊ＝６．６， ３．３ Ｈｚ， ３Ｈ）， ７．２４ （ｄ， Ｊ＝３．２ Ｈｚ， １Ｈ），１．４７ （ｄ， Ｊ＝３０．９ Ｈｚ， １２Ｈ）， １．３９ （ｓ， ６Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例４：化合物２６の合成
Figure 2021014444
 合成例１におけるブロモベンゼンを等モル量の２−ブロモ−１１，１１−ジメチル−ベンゾ［ｂ］フルオレンで置き換え、他のステップは同様にして、黄色の固体化合物２６（２０．８ｇ、収率約６８％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：１０９５．４４（計算値：１０９５．３６）。理論元素含有量（％）Ｃ７９Ｈ５８Ｎ４Ｏ２： Ｃ， ８６．６３； Ｈ， ５．３４； Ｎ， ５．１２； Ｏ， ２．９２ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８６．７１； Ｈ， ５．３２； Ｎ， ５．１２； Ｏ， ２．８７。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）： ８．１５ （ｄ， Ｊ＝８．６ Ｈｚ， ４Ｈ）， ８．０２ （ｓ， ２Ｈ）， ７．８６ （ｄｔ， Ｊ＝６．８， ２．１ Ｈｚ， ６Ｈ）， ７．７９−７．７４ （ｍ， ２Ｈ）， ７．７３ （ｓ， ２Ｈ）， ７．６５ （ｄ， Ｊ＝８．１ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．６０−７．５３ （ｍ， ２Ｈ）， ７．４９−７．３９ （ｍ， ６Ｈ）， ７．３４ （ｄｄ， Ｊ＝９．５， ４．０ Ｈｚ， ６Ｈ）， ７．２５ （ｓ， ２Ｈ）， ７．２３−７．１６ （ｍ， ４Ｈ）， １．６３ （ｓ， １２Ｈ）， １．４５ （ｓ， ６Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例５：化合物２７の合成
Figure 2021014444
 合成例１におけるブロモベンゼンを等モル量の９−ブロモ−１１，１１−ジメチル−１１Ｈ−ベンゾ［Ａ］フルオレンで置き換え、他のステップは同様にして、黄色の固体化合物２７（２０．２４ｇ、収率約６６％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：１０９４．４８（計算値：１０９５．３６）。理論元素含有量（％）Ｃ７９Ｈ５８Ｎ４Ｏ２： Ｃ， ８６．６３； Ｈ， ５．３４； Ｎ， ５．１２； Ｏ， ２．９２ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８６．５６； Ｈ， ５．３０； Ｎ， ５．１６； Ｏ， ２．８８。 上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例６：化合物３５の合成
Figure 2021014444
 合成例１におけるブロモベンゼンを等モル量の３−ブロモジベンゾ［ｂ，ｄ］フランで置き換え、他のステップは同様にして、黄色の固体化合物３５（１９．５ｇ、収率約７４％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：９４３．３１（計算値：９４３．０８）。理論元素含有量（％）Ｃ６５Ｈ４２Ｎ４Ｏ４： Ｃ， ８２．７８； Ｈ， ４．４９； Ｎ， ５．９４； Ｏ， ６．７９ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８２．８３； Ｈ， ４．５０； Ｎ， ５．９２； Ｏ， ６．７５。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）： ８．１２−８．０８ （ｍ， ４Ｈ）， ７．８８−７．８１ （ｍ， ４Ｈ）， ７．７６−７．７１ （ｍ， ２Ｈ）， ７．６２−７．５３ （ｍ， ８Ｈ）， ７．４７ （ｄ， Ｊ＝１．０ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．３８−７．３０ （ｍ， ８Ｈ）， ７．２８ （ｓ， ２Ｈ）， ７．１８−７．１５ （ｍ， ６Ｈ）， １．３９ （ｓ， ６Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例７：化合物４１の合成
Figure 2021014444
 合成例１における２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを等モル量の２，７−ジブロモ−９，９−ジフェニルフルオレンで置き換え、他のステップは同様にして、淡黄色の固体化合物４１（２０．６ｇ、収率約８３％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：８８７．３１（計算値：８８７．０６）。理論元素含有量（％）Ｃ６３Ｈ４２Ｎ４Ｏ２： Ｃ， ８５．３０； Ｈ， ４．７７； Ｎ， ６．３２； Ｏ， ３．６１ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８５．３８； Ｈ， ４．８５； Ｎ， ６．３８； Ｏ， ３．７０。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）： ８．０６ （ｄ， Ｊ＝７．９ Ｈｚ， ４Ｈ）， ７．８０−７．６９ （ｍ， ２Ｈ）， ７．６２ （ｄ， Ｊ＝６．６ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．５８−７．５３ （ｍ， ６Ｈ）， ７．５１ （ｔ， Ｊ＝９．５ Ｈｚ， ４Ｈ）， ７．４３ （ｔ， Ｊ＝７．７ Ｈｚ， ４Ｈ）， ７．３７−７．３０ （ｍ， ６Ｈ）， ７．２２−７．１８ （ｍ， ８Ｈ）， ７．１４−７．１０ （ｍ， ６Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例８：化合物４４の合成
Figure 2021014444
 合成例１におけるブロモベンゼンを等モル量の４−ブロモビフェニルで置き換え、２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを等モル量の２，７−ジブロモ−９，９−ジフェニル基フルオレンで置き換え、他のステップは同様にして、淡黄色の固体化合物４４（２３．６ｇ、収率約８１％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：１０３８．４３（計算値：１０３９．２５）。理論元素含有量（％）Ｃ７５Ｈ５０Ｎ４Ｏ２： Ｃ， ８６．６８； Ｈ， ４．８５； Ｎ， ５．３９； Ｏ， ３．０８ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８６．５６； Ｈ， ４．８２； Ｎ， ５．４９； Ｏ， ３．０８。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例９：化合物７３の合成
Figure 2021014444
 中間体ａの合成
１Ｌの反応フラスコに固体原料の２−ブロモ−７−ヨードフルオレン（３７．１ｇ、０．１ｍｏｌ）、４−ブロモフェニルボロン酸（２２．１ｇ、０．１１ｍｏｌ）を順次に加えた後、超音波で脱気したトルエン（２５０ｍＬ）、エタノール（１００ｍＬ）及び１５０ｍＬの炭酸カリウム（４１．４ｇ、０．３ｍｏｌ）の水溶液を加えた。真空にして窒素を３回充填し、窒素雰囲気下で触媒のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．１５ｇ、０．００１ｍｏｌ）を加え、真空にして窒素を３回充填し続け、８０℃で還流撹拌して４時間反応させてから加熱停止し、混合物に１５０ｍＬの水を加え、３０分間撹拌し、約４０℃まで冷却し、減圧ろ過し、熱水（１００ｍＬ）及びアセトン（１５０ｍＬ）を順次に用いてろ過ケーキを洗浄し、ろ液のｐＨ値が約７になるように確保した。ろ過ケーキを１Ｌのクロロホルムに溶解し、溶液をシリカゲル漏斗に通し、ろ液を５００ｍＬまで濃縮してから少量のメタノール（約２５ｍＬ）を加えて再結晶し、減圧ろ過して固体（３６．０ｇ、収率約９０％）を得て、ＨＰＬＣにて固体純度≧９８．６％を検出した。
上記固体（２０ｇ、０．０５ｍｏｌ）を７００ｍＬのトルエンに溶解し、窒素雰囲気下でヨウ化メチル（６．２ｍＬ、０．１ｍｏｌ）及びカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１６．８ｇ、０．１５ｍｏｌ）を加えた後、配位子の３−シクロヘキシルフェノール（１．４１ｇ、０．００８ｍｏｌ）及び触媒の酢酸パラジウム（１．１２ｇ、０．００５ｍｏｌ）を加え、窒素置換を３回行った後、一晩還流反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、シリカゲル漏斗に通した後、ろ液を４００ｍＬの水に注入し、半時間撹拌した後、トルエンで抽出し、有機相を合わせて５００ｍＬまで乾燥濃縮し、２００ｍＬのメタノールを加えて再結晶し、一定時間後、固体である中間体ａ（１９．３ｇ、収率約９０％）が生成し、ＨＰＬＣにて固体純度≧９９．２％を検出した。
化合物７３の合成
合成例１における２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを等モル量の中間体ａで置き換え、他のステップは同様にして、淡黄色の固体化合物７３（１８．３ｇ、収率約７８％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：８３９．２９（計算値：８３９．０１）。理論元素含有量（％）Ｃ５９Ｈ４２Ｎ４Ｏ２：Ｃ， ８４．４６； Ｈ， ５．０５； Ｎ， ６．６８； Ｏ， ３．８１ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８４．５４； Ｈ， ５．０５； Ｎ， ６．６６； Ｏ， ３．７５。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）： ８．１９−８．０５ （ｍ， ４Ｈ）， ７．７４ （ｄｄｄ， Ｊ＝１４．１， ８．０， ４．９ Ｈｚ， ３Ｈ）， ７．６７ （ｄ， Ｊ＝８．１ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６３ （ｄｄ， Ｊ＝５．０， ３．５ Ｈｚ， ３Ｈ）， ７．６０−７．５２ （ｍ， ３Ｈ）， ７．３９−７．２９ （ｍ， ８Ｈ）， ７．２９−７．２６ （ｍ， ２Ｈ）， ７．２６−７．２１ （ｍ， ５Ｈ）， ７．２１−７．１０ （ｍ， ７Ｈ）， １．４９ （ｓ， ６Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１０：化合物７５の合成
Figure 2021014444
 合成例９におけるブロモベンゼンを等モル量の４−ｔｅｒｔ−ブチルブロモベンゼンで置き換え、他のステップは同様にして、淡黄色の固体化合物７５（２１．０ｇ、収率約７９％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：９５０．５１（計算値：９５１．２３）。理論元素含有量（％）Ｃ６７Ｈ５８Ｎ４Ｏ２： Ｃ， ８４．６０； Ｈ， ６．１５； Ｎ， ５．８９； Ｏ， ３．３６ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８４．５６； Ｈ， ６．１８； Ｎ， ５．８３； Ｏ， ３．４３。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１１：化合物７８の合成
Figure 2021014444
 合成例９におけるブロモベンゼンを等モル量の４−ブロモビフェニルで置き換え、他のステップは同様にして、淡黄色の固体化合物７８（２０．８ｇ、収率約７５％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：９９０．４０（計算値：９９１．２１）。理論元素含有量（％）Ｃ７１Ｈ５０Ｎ４Ｏ２： Ｃ， ８６．０３； Ｈ， ５．０８； Ｎ， ５．６５； Ｏ， ３．２３ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８６．１１； Ｈ， ５．０４； Ｎ， ５．６９； Ｏ， ３．２０。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１２：化合物８９の合成
Figure 2021014444
 合成例９におけるブロモベンゼンを等モル量の４−ブロモビフェニルで置き換え、他のステップは同様にして、淡黄色の固体化合物８９（２１．９ｇ、収率約７３％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：１０７０．４９（計算値：１０７１．３４）。理論元素含有量（％）Ｃ７７Ｈ５８Ｎ４Ｏ２： Ｃ， ８６．３３； Ｈ， ５．４６； Ｎ， ５．２３； Ｏ， ２．９９ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８６．２７； Ｈ， ５．４１； Ｎ， ５．２９； Ｏ， ２．８８。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１３：化合物１０１の合成
Figure 2021014444
 合成例１における４−（２−ベンゾオキサゾール）アニリンを等モル量の４−（２−ベンゾチアゾリル）アニリンで置き換え、他のステップは同様にして、明黄色の固体化合物１０１（１８．５ｇ、収率約８３％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：７９５．１９（計算値：７９５．０４）。理論元素含有量（％）Ｃ５３Ｈ３８Ｎ４Ｓ２： Ｃ， ８０．０７； Ｈ， ４．８２； Ｎ， ７．０５； Ｓ， ８．０７ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８０．１３； Ｈ， ４．８０； Ｎ， ７．０４； Ｓ， ８．０３。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）： ８．１８ （ｄｄ， Ｊ＝６．９， ２．０ Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．０２ （ｄｄ， Ｊ＝６．８， ２．１ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．８６ （ｄｄ， Ｊ＝７．５， ５．０ Ｈｚ， ６Ｈ）， ７．５８−７．４７ （ｍ， ６Ｈ）， ７．３７ （ｄ， Ｊ＝７．５ Ｈｚ， ４Ｈ）， ７．３１−７．２１ （ｍ， ６Ｈ）， ７．０８ （ｄｄ， Ｊ＝７．５， １．４ Ｈｚ， ４Ｈ）， ７．０４−６．９６ （ｍ， ２Ｈ）， １．６９ （ｓ， ６Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１４：化合物１２１の合成
Figure 2021014444
 合成例９における４−（２−ベンゾオキサゾール）アニリンを等モル量の４−（２−ベンゾチアゾリル）アニリンで置き換え、他のステップは同様にして、明黄色の固体化合物１２１（１８．０ｇ、収率約７４％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：８７０．２５（計算値：８７１．１３）。理論元素含有量（％）Ｃ５９Ｈ４２Ｎ４Ｏ２：Ｃ， ８１．３５； Ｈ， ４．８６； Ｎ， ６．４３； Ｓ， ７．３６ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８１．３２； Ｈ， ４．８５； Ｎ， ６．４５； Ｓ， ７．３７。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）：８．２２−８．１４ （ｍ， ２Ｈ）， ８．０８ （ｔ， Ｊ＝１０．０ Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０５−７．９８ （ｍ， ３Ｈ）， ７．８９−７．８２ （ｍ， ５Ｈ）， ７．７８ （ｄｄ， Ｊ＝１５．０， ２．９ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．６０−７．４６ （ｍ， ７Ｈ）， ７．４２−７．３３ （ｍ， ６Ｈ）， ７．３３−７．１９ （ｍ， ５Ｈ）， ７．１２−７．０５ （ｍ， ４Ｈ）， ７．０４−６．９５ （ｍ， ２Ｈ）， １．６９ （ｓ， ６Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１５：化合物１２５の合成
Figure 2021014444
 合成例９におけるブロモベンゼンを等モル量の４−ブロモビフェニルで置き換え、４−（２−ベンゾオキサゾール）アニリンを等モル量の４−（２−ベンゾチアゾリル）アニリンで置き換え、他のステップは同様にして、明黄色の固体化合物１２５（２０．９ｇ、収率約７３％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：１０２２．３８（計算値：１０２３．３３）。理論元素含有量（％）Ｃ７１Ｈ５０Ｎ４Ｓ２：Ｃ， ８３．３３； Ｈ， ４．９３； Ｎ， ５．４８； Ｓ， ６．２７ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８３．２４； Ｈ， ４．９７； Ｎ， ５．５１； Ｓ， ６．２４。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１６：化合物１４３の合成
Figure 2021014444
 合成例１における４−（２−ベンゾオキサゾール）アニリンを等モル量の４−（１−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）アニリンで置き換え、２，７−ジブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを等モル量の２，７−ジブロモ−９，９'−スピロビフルオレンで置き換え、他のステップは同様にして、黄色の固体化合物１４３（２０．５８ｇ、収率約７１％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：１０３４．３５（計算値：１０３５．２７）。理論元素含有量（％）Ｃ５９Ｈ４２Ｎ４Ｏ２：Ｃ， ８７．０１； Ｈ， ４．８７； Ｎ， ８．１２ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８６．９８； Ｈ， ４．９１； Ｎ， ８．１１。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）：１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ） ７．８５ （ｄ， Ｊ＝７．２ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．７０ （ｄ， Ｊ＝７．６ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．６１ （ｄ， Ｊ＝８．２ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．４８ （ｄ， Ｊ＝６．９ Ｈｚ， ６Ｈ）， ７．４０−７．２７ （ｍ， １２Ｈ）， ７．２５−７．２０ （ｍ， ２Ｈ）， ７．２０−７．１０ （ｍ， ８Ｈ）， ７．０６−６．８６ （ｍ， ８Ｈ）， ６．８３ （ｄ， Ｊ＝７．６ Ｈｚ， ２Ｈ）， ６．７７ （ｄ， Ｊ＝８．７ Ｈｚ， ４Ｈ）， ６．５０ （ｄ， Ｊ＝１．７ Ｈｚ， ２Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１７：化合物１４４の合成
Figure 2021014444
 合成例９における４−（２−ベンゾオキサゾール）アニリンを等モル量の４−（１−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）アニリンで置き換え、他のステップは同様にして、黄色の固体化合物１４４（１９．４ｇ、収率約７０％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：９８８．４９（計算値：９８９．２４）。理論元素含有量（％）Ｃ７１Ｈ５２Ｎ６：Ｃ， ８６．２１； Ｈ， ５．３０； Ｎ， ８．５０ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８６．３２； Ｈ， ５．２４； Ｎ， ８．５６。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１８：化合物１４６の合成
Figure 2021014444
 ２５０ｍＬの反応フラスコに脱気したトルエン溶媒（１００ｍＬ）を加えた後、原料の中間体Ｉ−２（１７．６ｇ、０．０２８ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−７−ブロモ−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（９．８ｇ、０．０２８ｍｏｌ）及びナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（４．０ｇ、０．０４２ｍｏｌ）を順次に加えた。窒素置換を３回行った後、酢酸パラジウム（０．０６ｇ、０．０００２８ｍｏｌ）を加えた。窒素置換を更に３回行った後、トリ−ｔ−ブチル−ホスフィン（１．１２ｍＬの１．０Ｍのトルエン溶液、０．００１１２ｍｏｌ）を加えた。窒素置換ステップを更に３回繰り返した後、当該混合物を窒素雰囲気下で２時間還流した。反応停止後、混合物を室温まで冷却し、珪藻土でろ過してろ液を得た。ろ液を濃縮して６０℃まで加熱した後、少量のエタノールを加え、室温まで静置して再結晶し、一定時間後、固体が生成し、その固体を吸引ろ過してエタノールでリンスし、再結晶固体である淡黄色の固体化合物１４６（２１．８ｇ、収率約８９％）を得て、ＨＰＬＣにて固体純度≧９９．９％を検出した。
質量分析ｍ／ｚ：８７３．３５（計算値：８７４．１０）。理論元素含有量（％）Ｃ６４Ｈ４７Ｎ３Ｏ：Ｃ， ８７．９４； Ｈ， ５．４２； Ｎ， ４．８１； Ｏ， １．８３ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８７．８５； Ｈ， ５．５４； Ｎ， ４．８４； Ｏ， １．９９。１Ｈ ＮＭＲ （６００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ３） （δ， ｐｐｍ）： ７．８８ （ｓ， １Ｈ）， ７．８５ （ｓ， １Ｈ）， ７．７７ − ７．７５ （ｍ， ３Ｈ）， ７．７５ − ７．７３ （ｍ， ５Ｈ）， ７．７２ （ｔ， Ｊ ＝ ３．５ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．５６ （ｄ， Ｊ ＝ ２．３ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．５５ − ７．５１ （ｍ， ７Ｈ）， ７．４９ （ｄｄ， Ｊ ＝ ３．９， ３．０ Ｈｚ， ３Ｈ）， ７．４８ − ７．４５ （ｍ， ２Ｈ）， ７．４３ （ｄｄ， Ｊ ＝ ７．７， ４．４ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．４１ − ７．３９ （ｍ， ２Ｈ）， ７．３９ − ７．３７ （ｍ， ５Ｈ）， ７．３７ − ７．３４ （ｍ， ４Ｈ）， ７．３２ （ｄ， Ｊ ＝ ２．９ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．２９ （ｄ， Ｊ ＝ ２．９ Ｈｚ， １Ｈ）， １．６９ （ｓ， ６Ｈ）。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
合成例１９：化合物１５３の合成
Figure 2021014444
 合成例１８における中間体Ｉ−２を等モル量の中間体ＩＩ−２で置き換え、他のステップは同様にして、明黄色の固体化合物１５３（２２．７ｇ、収率約９１％）を得た。質量分析ｍ／ｚ：８８９．３７（計算値：８９０．１６）。理論元素含有量（％）Ｃ６４Ｈ４７Ｎ３Ｓ：Ｃ， ８６．３６； Ｈ， ５．３２； Ｎ， ４．７２； Ｓ， ３．６０ 実測元素含有量（％）：Ｃ， ８６．２６； Ｈ， ５．２５； Ｎ， ４．８７； Ｓ， ３．５５。上記結果から、得られた生成物がターゲット製品であることを確認した。
化合物の光物理的性質
化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）の測定：測定装置は米国ＴＡ社製のＤＳＣ２５型示差走査熱量計、テスト雰囲気は窒素雰囲気、窒素の流速は５０ｍｌ／ｍｉｎ、昇温速度は１０℃／ｍｉｎ、温度範囲は５０〜３５０℃、化合物サンプルの質量は１〜６ｍｇ、坩堝タイプは、アルミニウム製坩堝であった。測定されたガラス転移温度（Ｔｇ）を、表１に示す。
Figure 2021014444
表１から分かるように、本発明に係るアミン類誘導体のガラス転移温度はＣＰＭ−１及びＣＰＭ−２のガラス転移温度よりも高いため、本発明に係るアミン類誘導体の熱安定性は、より優れており、性能がより安定した材料である。
化合物の屈折率（ｎ）の測定：測定装置は米国Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製のＭ−２０００分光エリプソメーター、装置の走査範囲は２４５〜１０００ｎｍ、ガラス基板の大きさは２００×２００ｍｍ、材料のフィルム厚さは２０〜６０ｎｍであった。測定された４５０ｎｍでの屈折率（ｎ）を、表２に示す。
Figure 2021014444
表２から分かるように、本発明に係るアミン類誘導体の屈折率は化合物ＣＰＭ−１及びＣＰＭ−２の屈折率に相当し、本発明に係るアミン類誘導体を光取り出し材料として用いる場合、素子内の光を効果的に結合し、有機電界発光素子の発光效率を向上させることができる。
素子の製造及び性能
本発明において、有機材料はいずれも昇華したものであり、純度はすべて９９．９９％以上であった。実験で使用されたＩＴＯガラス基板は、深セン南玻表示デバイス科技有限公司から購入した。ＩＴＯガラス基板は、５％のガラス清浄液によって毎回２０分間で２回超音波清浄してから、脱イオン水によって毎回１０分間で２回超音波清浄し、アセトン及びイソプロピルケトンを順次に用いて２０分間超音波清浄し、１２０℃で乾燥させた。
素子は、真空蒸着システムを用いて中断なく真空で連続的に蒸発して製造された。使用される材料は異なる蒸発源の石英坩堝に入れ、蒸発源の温度を個別に制御できる。有機材料又は母体が混在した有機材料の熱蒸発速度は、一般的に０．１ｎｍ／ｓにし、混在材料の蒸発速度は混在割合に応じて調整した。電極金属の蒸発速度は０．４〜０．６ｎｍ／ｓにした。処理されたガラス基板をＯＬＥＤ真空コータに入れて、フィルムの製造過程で、システムの真空度を５×１０−５Ｐａ以下に維持すべきであり、マスク板を交換することで有機層と金属電極をそれぞれ蒸着し、Ｉｎｆｉｃｏｎ社製のＳＱＭ１６０石英結晶膜厚検出器で蒸着速度を検出し、石英結晶発振器でフィルム厚さを検出した。テストソフトウェア、コンピュータ、米国Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製のＫ２４００デジタルソースメーターと、米国Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社製のＰＲ７８８分光走査輝度計とを組み合わせてコージェネレーションＩＶＬテストシステムを形成し、有機電界発光素子の駆動電圧、発光効率、ＣＩＥ色座標をテストした。寿命のテストは、ＭｃＳｃｉｅｎｃｅ社製のＭ６０００ＯＬＥＤ寿命テストシステムを使用した。テストの環境は大気雰囲気であり、温度は室温であった。
実施例１：有機電界発光素子１の製造
ガラス基板上にＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを陽極とし、陽極上にＨＩＭ−１を真空蒸着して第１の正孔注入層とし、蒸着厚さは６０ｎｍであり、第１の正孔注入層上にＨＡＴ−ＣＮを真空蒸着して第２の正孔注入層とし、蒸着厚さは５ｎｍであり、第２の正孔注入層上にＮＰＢを真空蒸着して正孔輸送層とし、蒸着厚さは６０ｎｍであり、正孔輸送層上にＢＨ−１と３％のＢＤ−１を真空蒸着して発光層とし、蒸着厚さは２５ｎｍであり、発光層上にＡｌｑ３：Ｌｉｑ（１：１）を真空蒸着して電子輸送層とし、蒸着厚さは３０ｎｍであり、電子輸送層上にＬｉＦを真空蒸着して電子注入層とし、蒸着厚さは１ｎｍであり、電子注入層上にＭｇ／Ａｇ（９：１）を真空蒸着して陰極とし、蒸着厚さは１５ｎｍであり、陰極上に本発明に係る化合物１を真空蒸着して光取り出し層とし、蒸着厚さは６０ｎｍであった。
Figure 2021014444
実施例２〜１９：実施例１の光取り出し層における化合物１をそれぞれ化合物１０、化合物２２、化合物２６、化合物２７、化合物３５、化合物４１、化合物４４、化合物７３、化合物７５、化合物７８、化合物８９、化合物１０１、化合物１２１、化合物１２５、化合物１４３、化合物１４４、化合物１４６、化合物１５３で置き換え、他のステップは同様にして、有機電界発光素子２〜１９を得た。
比較例１：実施例１の光取り出し層における化合物１を化合物ＣＰＭ−１で置き換え、他のステップは同様にして、比較用の有機電界発光素子１を得た。
比較例２：実施例１の光取り出し層における化合物１を化合物ＣＰＭ−２で置き換え、他のステップは同様にして、比較用の有機電界発光素子２を得た。
比較例３：実施例１のステップを参照して有機電界発光素子を製造したが、光取り出し層を形成せず、比較用の有機電界発光素子３を得た。
本発明の実施例１〜１９及び比較例１〜３で製造した有機電界発光素子の発光特性に関するテスト結果を、表３に示す。
Figure 2021014444
表３から分かるように、比較例１及び比較例２と比較して、本発明に係るアミン類誘導体を光取り出し材料として用いた有機電界発光素子の使用寿命はより長くなる。比較例３と比較して、本発明に係るアミン類誘導体を光取り出し材料として用いた有機電界発光素子の発光效率はより高くなり、使用寿命より長くなる。したがって、本発明に係るアミン類誘導体は、性能がより優れた光取り出し材料である。

Claims (10)

  1. 式Ｉで示され、
    Figure 2021014444
     ただし、前記Ａｒ１、Ａｒ２は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種であり、且つＡｒ１、Ａｒ２の少なくとも一方は、式ＩＩで示される基から選択され、
    Figure 2021014444
     前記Ｌ１は、単結合、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリーレン基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリーレン基から選択される１種であり、前記ａは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ１は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ａが１を超えると、それぞれのＲ１は、同じか又は異なり、前記Ｘは、Ｏ、Ｓ又はＮ（Ｒｘ）から選択され、前記Ｒｘは、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、
    前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種であり、
    前記Ｌは、下記に示す基から選択される１種であり、
    Figure 2021014444
     前記Ｒは、水素、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１５のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリール基から選択される１種であり、
    前記Ｌ１１、Ｌ１２は、独立して、単結合、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリーレン基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリーレン基から選択される１種である、ことを特徴とするアミン類誘導体。
  2. 前記式ＩＩは、下記に示す基から選択される１種であり、
    Figure 2021014444
    ただし、前記ｂは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ２は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｂが１を超えると、それぞれのＲ２は、同じか又は異なり、
    前記ｃは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ３は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｃが１を超えると、それぞれのＲ３は、同じか又は異なる、ことを特徴とする請求項１に記載のアミン類誘導体。
  3. 式Ｉ−１で示され、
    Figure 2021014444
     前記Ａｒ２は、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種であり、且つＡｒ２は、式ＩＩではなく、
    前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種である、ことを特徴とする請求項１に記載のアミン類誘導体。
  4. 前記Ａｒ２、Ａｒ４は、同じ置換基から選択される、ことを特徴とする請求項３に記載のアミン類誘導体。
  5. 式Ｉ−２で示され、
    Figure 2021014444
     前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ３０のヘテロアリール基から選択される１種である、ことを特徴とする請求項１に記載のアミン類誘導体。
  6. 前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、下記に示す基から選択される１種であり、
    Figure 2021014444
     ただし、前記ｄは、０〜５から選択される整数であり、前記Ｒ４は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基であり、ｄが１を超えると、それぞれのＲ４は、同じか又は異なり、
    前記ｅは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ５は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｅが１を超えると、それぞれのＲ５は、同じか又は異なり、
    前記ｆは、０〜４から選択される整数であり、前記Ｒ６は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｆが１を超えると、それぞれのＲ６は、同じか又は異なり、
    前記ｇは、０〜５から選択される整数であり、前記Ｒ７は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、ｇが１を超えると、それぞれのＲ７は、同じか又は異なり、
    前記Ｒ０は、置換もしくは未置換のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリール基から選択される１種であり、
    前記Ｌ２は、単結合、置換もしくは未置換のＣ６〜Ｃ１８のアリーレン基、置換もしくは未置換のＣ３〜Ｃ１８のヘテロアリーレン基から選択される１種である、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のアミン類誘導体。
  7. 前記Ａｒ３、Ａｒ４は、独立して、下記に示す基から選択される１種であり、
    Figure 2021014444
    Figure 2021014444
    ただし、前記Ｒ４は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ４は、同じか又は異なり、
    前記Ｒ５は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ５は、同じか又は異なり、
    前記Ｒ７は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、トリル基、エチルフェニル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ７は、同じか又は異なる、ことを特徴とする請求項６に記載のアミン類誘導体。
  8. 前記式ＩＩは、下記に示す基から選択される１種であり、
    Figure 2021014444
     ただし、前記Ｒ１は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ１は、同じか又は異なり、
    前記Ｒ２は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基から選択される１種であり、且つそれぞれのＲ２は、同じか又は異なり、
    前記Ｒ３は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基から選択される１種である、ことを特徴とする請求項１に記載のアミン類誘導体。
  9. 下記に示す構造から選択される１種である、
    Figure 2021014444
    Figure 2021014444
    Figure 2021014444
    Figure 2021014444
    Figure 2021014444
    Figure 2021014444
    Figure 2021014444
    Figure 2021014444
    ことを特徴とする請求項１に記載のアミン類誘導体。
  10. 陽極と、有機物層と、陰極と、光取り出し層とを含み、前記有機物層は、陽極と陰極との間に位置し、前記有機物層は、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とを含み、前記正孔輸送層は、陽極と発光層との間に位置し、前記電子輸送層は、発光層と陰極との間に位置し、前記光取り出し層は、陽極から離れる陰極の側に位置し、前記光取り出し層は、請求項１〜９のいずれか一項に記載のアミン類誘導体を含む、ことを特徴とする有機電界発光素子。
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