JP2020537046A - 銅マンガンスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
約0.5重量%のMn〜約10重量%のMnの重量パーセントを有する様々な銅マンガン合金について、硬度に対するアニーリング(すなわち、熱処理)温度の効果が観察された。銅マンガン合金を約250℃〜約600℃の温度に加熱し、対応するブリネル硬度(HB)値を、米国規格ASTM E10〜14に従って標準的なブリネル硬度試験を実施することによって決定した。
アニーリング温度の効果は、3つの異なる処理方法について観察された。対照プロセスは、ECAEなしの標準的な鍛造及び圧延(鍛造+圧延)プロセスを含んだ。この対照プロセスは、1)4回の通過ECAE及び圧延(ECAE+圧延)プロセス、及び2)圧延なしの4回の通過ECAE(ECAE)プロセスと比較した。それぞれ標準的な鍛造+圧延、ECAE+圧延、及びECAE工程の後に、アニーリングを完了した。約10重量%のMnを有する銅マンガン合金をすべてのプロセスに使用した。結果を図4に示す。
ECAEで処理された銅マンガン合金については、粒径に対するアニーリング温度の効果が観察された。10重量%のマンガンを有する銅マンガン合金を、4回の通過のECAEで処理した後、様々な温度にアニーリングした。アニーリング後、合金サンプルの粒径を光学顕微鏡を用いて比較した。
2つの銅合金については、強度に対する処理方法の効果が観察された。Cu10Mn合金は、銅を10重量%のマンガンと組み合わせることによって形成した。このCu10Mn合金は、1)標準的な鍛造及び圧延、2)ECAE、及び3)圧延(ECAE+圧延)によるECAEを介して処理した。銅合金C18000(クロム、ニッケル、及びケイ素を含有する銅系合金)も試験した。Cu C18000は、スパッタリングターゲットのバッキングプレートに現在使用されている1つの合金である。Cu C18000材料を、1)「受け取り時」(すなわち、追加の処理なしで)、2)高温及び高圧が材料に適用された熱間等方圧加圧(HIP)プロセス後に試験した。ASTM E8規格に従って標準的な引張試験を実施することによって、すべてのサンプルについて降伏強度及び極限引張強度を決定した。5.08cm(2インチ)のゲージ長さ及び1.27cm(0.5インチ)の直径を有する円形引張試験片を各材料から切り出し、上記に参照した標準的な手順に従って室温で試験した。
様々な銅マンガン合金組成物及び様々な他のバッキングプレート材料について、降伏強度に対する組成物の効果を観察した。試験された材料が以下の表2に示されている。
様々な銅マンガン合金組成物及び様々な他のバッキングプレート材料について、ブリネル硬度(HB)に対する組成物の効果を観察した。試験された材料が以下の表3に示されている。
二次相のサイズに対する処理方法の効果が観察された。二次相は、統合SEM/EDXを使用して自動手順によって検出され、硫酸マンガン(manganese sulfate、MnS)を含む。本実施例で使用される統合型SEM/EDXシステムは、FEIによってAspex Explorerの名称で販売されており、最大50,000倍の倍率でデータ報告を提供する。約10重量%のマンガン(Cu10Mn)を有する銅マンガン合金中の二次相の平均直径は、鍛造及び圧延後、並びにECAE及び圧延後に「鋳抜き」材料で検出された。結果を以下の表4に比較する。すべての直径は、マイクロメートル(μm)である。
Claims (10)
- 高強度銅合金を形成する方法であって、
マンガンを含む銅材料を400℃を上回る温度に加熱することであって、前記銅材料が、約2重量%〜約20重量%のマンガンを含む、加熱することと、
前記銅材料を約325℃〜約350℃の温度に冷却させて、冷却された銅材料を形成することと、
前記冷却された銅材料を等チャネル角押出(ECAE)で押出して、冷却された銅マンガン合金を形成することと、を含む、方法。 - 前記銅合金を押出成形することが、等チャネル角押出の少なくとも4回の通過を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記高強度銅合金が、約400℃〜約450℃の温度に少なくとも1時間加熱した後に、最大約2μmの直径の平均粒径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記高強度銅合金が、約500℃〜約550℃の温度に少なくとも1時間加熱した後に、直径約12μm〜直径約15μmの平均粒径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記方法が、
前記冷却された銅マンガン合金を第1の圧延工程に供することと、
前記冷却された銅マンガン合金を、約400℃〜約575℃の温度に少なくとも0.5時間加熱して、加熱された銅マンガン合金を形成することと、
前記加熱された銅マンガン合金を第2の圧延工程に供して、硬化銅マンガン合金を形成することと、を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記硬化銅マンガン合金が、直径約1.5μm〜直径約15μmの平均粒径を有する、請求項5に記載の方法。
- スパッタリングターゲットを備えるスパッタリングアセンブリであって、
銅を主成分とし、かつマンガンを含有する銅合金を含み、前記マンガンが、前記銅合金の重量で約2重量%〜約20重量%の重量パーセントで存在し、前記スパッタリングターゲットが、実質的に精密化された二次相を有し、そのため、前記二次相が、従来の熱機械処理方法によって得られる平均直径よりも少なくとも約1.5倍小さい平均直径を有する、スパッタリングアセンブリ。 - 前記銅合金が、約3重量%〜約12重量%のマンガンを含む、請求項7に記載のスパッタリングアセンブリ。
- 前記銅合金が、最大約15μmの直径の平均粒径を有する、請求項7に記載のスパッタリングアセンブリ。
- 前記銅合金が、約475MPa〜約700MPaの平均降伏強度を有する、請求項7に記載のスパッタリングアセンブリ。
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---|---|---|---|---|
US10760156B2 (en) * | 2017-10-13 | 2020-09-01 | Honeywell International Inc. | Copper manganese sputtering target |
US11035036B2 (en) | 2018-02-01 | 2021-06-15 | Honeywell International Inc. | Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005533187A (ja) * | 2002-07-16 | 2005-11-04 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 銅スパッタリングターゲット及び銅スパッタリングターゲットの形成方法 |
JP2013067857A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-18 | Hitachi Cable Ltd | Cu−Mn合金スパッタリングターゲット材、それを用いた薄膜トランジスタ配線及び薄膜トランジスタ |
JP2014043643A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Kobelco Kaken:Kk | Cu合金薄膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2016183406A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | Jx金属株式会社 | 銅合金スパッタリングターゲット及びその評価方法 |
WO2017014990A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | Honeywell International Inc. | Heat treatment methods for metal and metal alloy preparation |
CN106399954A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-02-15 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种长寿命铜锰合金靶材的加工方法 |
Family Cites Families (128)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2637777B2 (ja) | 1988-07-29 | 1997-08-06 | 株式会社日立製作所 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
TW289900B (ja) | 1994-04-22 | 1996-11-01 | Gould Electronics Inc | |
JP3769761B2 (ja) | 1994-04-28 | 2006-04-26 | 住友化学株式会社 | アルミニウム合金単結晶ターゲットおよびその製造方法 |
KR100312548B1 (ko) | 1995-10-12 | 2001-12-28 | 니시무로 타이죠 | 배선막,배선막형성용스퍼터타겟및이를이용한전자부품 |
CN100336934C (zh) | 1996-11-20 | 2007-09-12 | 株式会社东芝 | 抗铁磁材料膜和包括其的磁阻效应器件 |
JPH10330929A (ja) | 1997-05-28 | 1998-12-15 | Japan Energy Corp | スパッタリングタ−ゲット用バッキングプレ−ト及びスパッタリングタ−ゲット/バッキングプレ−ト組立体 |
US6569270B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
JP4197579B2 (ja) | 1997-12-24 | 2008-12-17 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたAl配線膜の製造方法および電子部品の製造方法 |
WO1999061679A1 (en) | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Sputtering Materials, Inc. | Target for pvd and similar processes |
JP2000348383A (ja) | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光学的情報記録用媒体及びその製造方法 |
US6478902B2 (en) * | 1999-07-08 | 2002-11-12 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication and bonding of copper sputter targets |
US6878250B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-04-12 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets formed from cast materials |
JP4718664B2 (ja) | 2000-05-22 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4900992B2 (ja) | 2000-07-21 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたGe層、Ge化合物層、Ge合金層および光ディスク、電気・電子部品、磁気部品 |
JP4900993B2 (ja) | 2000-08-30 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたGe系薄膜の製造方法 |
US6946039B1 (en) * | 2000-11-02 | 2005-09-20 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets, and methods of fabricating metallic materials |
JP2002141201A (ja) | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Koa Corp | 薄膜抵抗器及びその製造方法 |
JP4936613B2 (ja) | 2001-08-24 | 2012-05-23 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット |
US20040104110A1 (en) | 2002-02-20 | 2004-06-03 | Lee Eal H. | Topologically tailored sputtering targets |
US7260053B2 (en) | 2002-04-02 | 2007-08-21 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, process for manufacturing the same, sputtering target for manufacturing the same, and optical recording process using the same |
JP4305809B2 (ja) | 2002-07-10 | 2009-07-29 | 日立金属株式会社 | Ag合金系スパッタリングターゲット材 |
JP2004076080A (ja) | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Tosoh Corp | 配線用薄膜およびスパッタリングターゲット |
JP4794802B2 (ja) | 2002-11-21 | 2011-10-19 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線 |
JP4534417B2 (ja) | 2002-12-13 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | スパッタターゲットの製造方法 |
JP3994386B2 (ja) | 2002-12-24 | 2007-10-17 | 日立金属株式会社 | Ag合金膜、平面表示装置およびAg合金膜形成用スパッタリングターゲット材 |
JP4237479B2 (ja) | 2002-12-25 | 2009-03-11 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット、Al合金膜および電子部品 |
WO2004083482A1 (ja) | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Nikko Materials Co., Ltd. | 銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに半導体素子配線 |
JPWO2004092440A1 (ja) | 2003-04-16 | 2006-07-06 | 株式会社ブリヂストン | 多孔質薄膜の形成方法 |
JP4379602B2 (ja) | 2003-08-20 | 2009-12-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 半透明反射膜または反射膜を構成層とする光記録媒体および前記反射膜の形成に用いられるAg合金スパッタリングターゲット |
US20050040030A1 (en) | 2003-08-20 | 2005-02-24 | Mcdonald Peter H. | Method of treating sputtering target to reduce burn-in time and sputtering target thereof and apparatus thereof |
JP2006044215A (ja) | 2003-11-10 | 2006-02-16 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
EP1695839A1 (en) | 2003-11-28 | 2006-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recoding medium and its manufacturing method, sputtering target, usage of optical recording medium, and optical recording/reproducing apparatus |
JP4351036B2 (ja) | 2003-12-15 | 2009-10-28 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
US7256980B2 (en) | 2003-12-30 | 2007-08-14 | Du Pont | Thin film capacitors on ceramic |
JP2005313230A (ja) | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Kiyohito Ishida | 高温実装用接合材料 |
US8252126B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-08-28 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging |
US20050279630A1 (en) | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Dynamic Machine Works, Inc. | Tubular sputtering targets and methods of flowforming the same |
JP2006005104A (ja) | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜抵抗体、薄膜抵抗体の製造方法および薄膜抵抗体製造用スパッタリングターゲット |
JP4065959B2 (ja) | 2004-08-31 | 2008-03-26 | 国立大学法人東北大学 | 液晶表示装置、スパッタリングターゲット材および銅合金 |
JP5068925B2 (ja) | 2004-09-03 | 2012-11-07 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
US20060071338A1 (en) | 2004-09-30 | 2006-04-06 | International Business Machines Corporation | Homogeneous Copper Interconnects for BEOL |
JP4953615B2 (ja) | 2004-11-02 | 2012-06-13 | 株式会社ブリヂストン | 色素増感型太陽電池用半導体電極の製造方法及び色素増感型太陽電池の製造方法 |
JP4117001B2 (ja) | 2005-02-17 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット |
JP4701106B2 (ja) | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 豊田合成株式会社 | ウレタンスプレー表皮成形用の離型剤 |
US20060249372A1 (en) | 2005-04-11 | 2006-11-09 | Intematix Corporation | Biased target ion bean deposition (BTIBD) for the production of combinatorial materials libraries |
JP4589835B2 (ja) | 2005-07-13 | 2010-12-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP4756458B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2011-08-24 | 三菱マテリアル株式会社 | パーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット |
JP4236201B2 (ja) | 2005-08-30 | 2009-03-11 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TWI296286B (en) | 2005-12-20 | 2008-05-01 | Chung Shan Inst Of Science | Method of manufacturing al and al alloy sputtering target |
WO2007077114A1 (de) | 2006-01-03 | 2007-07-12 | Basf Se | Photovoltaisch aktives halbleitermaterial und photovoltaische zelle |
US8188599B2 (en) | 2006-02-28 | 2012-05-29 | Advanced Interconnect Materials, Llc | Semiconductor device, its manufacturing method, and sputtering target material for use in the method |
KR20080100358A (ko) | 2006-03-06 | 2008-11-17 | 토소우 에스엠디, 인크 | 전자 장치, 이의 제조방법 및 스퍼터링 타겟 |
EP1845554A3 (en) | 2006-04-10 | 2011-07-13 | Imec | A method to create super secondary grain growth in narrow trenches |
JP2008013848A (ja) | 2006-06-08 | 2008-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP5247448B2 (ja) | 2006-08-10 | 2013-07-24 | 株式会社アルバック | 導電膜形成方法、薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2008091645A (ja) | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び記憶媒体 |
EP2014787B1 (en) | 2006-10-03 | 2017-09-06 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Cu-Mn ALLOY SPUTTERING TARGET |
CN101512730A (zh) | 2006-10-12 | 2009-08-19 | 株式会社爱发科 | 导电膜形成方法、薄膜晶体管、带有薄膜晶体管的面板以及薄膜晶体管的制造方法 |
TW200822232A (en) | 2006-11-06 | 2008-05-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Thin film transistor and fabrication method thereof |
JP5076452B2 (ja) | 2006-11-13 | 2012-11-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20080121516A1 (en) | 2006-11-29 | 2008-05-29 | Jaydeep Sarkar | Method and apparatus for treating sputtering target to reduce burn-in time and sputtering targets made thereby |
US20080131735A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-05 | Heraeus Incorporated | Ni-X, Ni-Y, and Ni-X-Y alloys with or without oxides as sputter targets for perpendicular magnetic recording |
JP5413563B2 (ja) | 2007-01-10 | 2014-02-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5103914B2 (ja) | 2007-01-31 | 2012-12-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP4324617B2 (ja) | 2007-02-26 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | スパッタ成膜方法及びスパッタ成膜装置 |
WO2008126206A1 (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置の製造方法 |
JP4496237B2 (ja) | 2007-05-14 | 2010-07-07 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP2009016782A (ja) | 2007-06-04 | 2009-01-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
US20090065354A1 (en) | 2007-09-12 | 2009-03-12 | Kardokus Janine K | Sputtering targets comprising a novel manufacturing design, methods of production and uses thereof |
US20090117731A1 (en) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor interconnection structure and method for making the same |
US8168532B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-05-01 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing a multilayer interconnection structure in a semiconductor device |
US8304909B2 (en) | 2007-12-19 | 2012-11-06 | Intel Corporation | IC solder reflow method and materials |
JP5366235B2 (ja) | 2008-01-28 | 2013-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
WO2009117438A2 (en) | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Applied Materials, Inc. | Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer |
CN102132398B (zh) | 2008-03-21 | 2015-01-28 | 哈佛学院院长等 | 用于互连的自对准阻挡层 |
US20090242385A1 (en) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Limited | Method of depositing metal-containing films by inductively coupled physical vapor deposition |
JP2009266985A (ja) | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Philtech Inc | 半導体装置の製造装置 |
US20090321935A1 (en) | 2008-06-30 | 2009-12-31 | O'brien Kevin | Methods of forming improved electromigration resistant copper films and structures formed thereby |
US20090321934A1 (en) | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Lavoie Adrien R | Self-aligned cap and barrier |
JP5420328B2 (ja) | 2008-08-01 | 2014-02-19 | 三菱マテリアル株式会社 | フラットパネルディスプレイ用配線膜形成用スパッタリングターゲット |
US8039390B2 (en) | 2008-08-05 | 2011-10-18 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US8110504B2 (en) | 2008-08-05 | 2012-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP5277808B2 (ja) | 2008-09-09 | 2013-08-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 微細結晶粒銅材料の製造方法 |
US8258626B2 (en) | 2008-09-16 | 2012-09-04 | Advanced Interconnect Materials, Llc | Copper interconnection, method for forming copper interconnection structure, and semiconductor device |
US8268433B2 (en) | 2008-11-07 | 2012-09-18 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for producing same, and sputtering target |
KR20110106787A (ko) * | 2009-01-22 | 2011-09-29 | 토소우 에스엠디, 인크 | 모놀리식 알루미늄 합금 타겟 및 그 제조방법 |
JP5530118B2 (ja) | 2009-04-08 | 2014-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化マンガン膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP5550848B2 (ja) | 2009-04-17 | 2014-07-16 | 株式会社Shカッパープロダクツ | 配線構造の製造方法、及び配線構造 |
JP5548396B2 (ja) | 2009-06-12 | 2014-07-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄膜トランジスタ用配線層構造及びその製造方法 |
JP5481989B2 (ja) | 2009-07-22 | 2014-04-23 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE112010003274T5 (de) | 2009-08-12 | 2012-12-27 | Ulvac, Inc. | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets sowie Sputtertarget |
US8324738B2 (en) | 2009-09-01 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Self-aligned protection layer for copper post structure |
KR20150039219A (ko) | 2009-11-17 | 2015-04-09 | 가부시끼가이샤 도시바 | 탄탈 스퍼터링 타겟 및 탄탈 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
JP5718896B2 (ja) | 2010-03-11 | 2015-05-13 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとその製造方法、および半導体素子の製造方法 |
JP5467641B2 (ja) | 2010-03-31 | 2014-04-09 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材の製造方法 |
US20110266676A1 (en) | 2010-05-03 | 2011-11-03 | Toshiba America Electronic Components, Inc. | Method for forming interconnection line and semiconductor structure |
US20110281136A1 (en) | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Jenq-Gong Duh | Copper-manganese bonding structure for electronic packages |
JP2011256457A (ja) | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | スパッタリング方法、スパッタターゲット、スパッタリング装置およびターゲット作製方法 |
KR20120001121A (ko) | 2010-06-29 | 2012-01-04 | 한국전기연구원 | 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법 |
JP5638369B2 (ja) | 2010-07-07 | 2014-12-10 | 株式会社Shカッパープロダクツ | シリコンデバイス構造、及びその形成に用いるスパッタリングターゲット材 |
US9926639B2 (en) | 2010-07-16 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming barrier/seed layers for copper interconnect structures |
CN103210115B (zh) | 2010-07-29 | 2016-01-20 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 |
US20120155501A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Honeywell International Inc. | Angular extrusion of copper alloy anodes |
JP2012149294A (ja) | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Hitachi Cable Ltd | スパッタリングターゲット、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US20140110849A1 (en) | 2011-03-01 | 2014-04-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper-Titanium Alloy Sputtering Target, Semiconductor Wiring Line Formed Using the Sputtering Target, and Semiconductor Element and Device Each Equipped with the Semiconductor Wiring Line |
US8492897B2 (en) | 2011-09-14 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Microstructure modification in copper interconnect structures |
EP2837710B1 (en) * | 2011-09-14 | 2019-05-15 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Production method for a high-purity copper-manganese-alloy sputtering target |
KR20130121199A (ko) * | 2011-09-14 | 2013-11-05 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 구리망간 합금 스퍼터링 타깃 |
US9224643B2 (en) | 2011-09-19 | 2015-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and method for tunable interconnect scheme |
CN103827349B (zh) * | 2011-09-30 | 2016-08-24 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
CN102517621B (zh) | 2011-12-31 | 2014-10-22 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 铜-磷合金阳极的制备方法 |
WO2013111609A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット |
JP5554364B2 (ja) | 2012-04-12 | 2014-07-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法 |
JP5952653B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-07-13 | 株式会社コベルコ科研 | ターゲット接合体 |
KR101946592B1 (ko) | 2012-08-02 | 2019-02-11 | 삼성전자주식회사 | 측정 장치 및 측정 방법 |
US9050647B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-06-09 | Ati Properties, Inc. | Split-pass open-die forging for hard-to-forge, strain-path sensitive titanium-base and nickel-base alloys |
KR20170092706A (ko) | 2013-03-04 | 2017-08-11 | 제이엑스금속주식회사 | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
JP6077102B2 (ja) | 2013-03-06 | 2017-02-08 | Jx金属株式会社 | スパッタリング用チタンターゲット及びその製造方法 |
US10519528B2 (en) | 2013-09-04 | 2019-12-31 | Hunan Terry New Materials Company Ltd. | Lead-free, high-sulphur and easy-cutting copper-manganese alloy and preparation method thereof |
US9711336B2 (en) | 2013-09-12 | 2017-07-18 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Backing plate-integrated metal sputtering target and method of producing same |
CN104746020B (zh) | 2013-12-27 | 2017-07-04 | 有研亿金新材料股份有限公司 | 一种铜合金靶材的加工方法 |
JPWO2015099119A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-03-23 | Jx金属株式会社 | 高純度銅又は銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN105525149B (zh) | 2014-09-29 | 2018-01-12 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种铝合金溅射靶材的制备方法 |
JP6398594B2 (ja) | 2014-10-20 | 2018-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット |
CN106282938B (zh) | 2015-05-13 | 2018-11-27 | 宁波创润新材料有限公司 | 回收靶材的方法 |
CN106435261B (zh) * | 2016-11-28 | 2018-01-12 | 河北宏靶科技有限公司 | 一种有超细晶组织的长寿命铜锰基合金靶材及其加工方法 |
US10760156B2 (en) * | 2017-10-13 | 2020-09-01 | Honeywell International Inc. | Copper manganese sputtering target |
US11035036B2 (en) * | 2018-02-01 | 2021-06-15 | Honeywell International Inc. | Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure |
-
2018
- 2018-10-01 US US16/148,084 patent/US10760156B2/en active Active
- 2018-10-05 TW TW107135179A patent/TWI684652B/zh active
- 2018-10-11 EP EP18866398.3A patent/EP3695024B1/en active Active
- 2018-10-11 CN CN201880073202.5A patent/CN111344434A/zh active Pending
- 2018-10-11 WO PCT/US2018/055418 patent/WO2019075204A1/en unknown
- 2018-10-11 JP JP2020520580A patent/JP7297741B2/ja active Active
- 2018-10-11 KR KR1020207010433A patent/KR20200073214A/ko not_active Application Discontinuation
-
2023
- 2023-06-14 JP JP2023097498A patent/JP2023123576A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005533187A (ja) * | 2002-07-16 | 2005-11-04 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 銅スパッタリングターゲット及び銅スパッタリングターゲットの形成方法 |
JP2013067857A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-18 | Hitachi Cable Ltd | Cu−Mn合金スパッタリングターゲット材、それを用いた薄膜トランジスタ配線及び薄膜トランジスタ |
JP2014043643A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Kobelco Kaken:Kk | Cu合金薄膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2016183406A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | Jx金属株式会社 | 銅合金スパッタリングターゲット及びその評価方法 |
WO2017014990A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | Honeywell International Inc. | Heat treatment methods for metal and metal alloy preparation |
CN106399954A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-02-15 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种长寿命铜锰合金靶材的加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US10760156B2 (en) | 2020-09-01 |
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