JP2020184551A5 - 除電方法、基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

除電方法、基板処理方法及び基板処理装置 Download PDF

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本開示の一の態様によれば、(a)静電チャックに基板を載置したまま処理容器内にガスを導入する工程と、(b)前記ガスによる放電が開始されるまで前記静電チャックの吸着電極に直流電圧の絶対値を上げながら印加する工程と、(c)前記(b)の前記基板の電荷量が0になる又は0に近づく電荷中和領域に達する前記直流電圧の絶対値を印加する工程と、(d)前記(c)の後、前記基板を前記静電チャックから脱離させる工程と、を有する除電方法が提供される。

Claims (16)

  1. (a)静電チャックに基板を載置したまま処理容器内にガスを導入する工程と、
    (b)前記ガスによる放電が開始されるまで前記静電チャックの吸着電極に直流電圧の絶対値を上げながら印加する工程と、
    (c)前記(b)の前記基板の電荷量が0になる又は0に近づく電荷中和領域に達する前記直流電圧の絶対値を印加する工程と、
    (d)前記(c)の後、前記基板を前記静電チャックから脱離させる工程と、
    を有する除電方法。
  2. (e)前記基板の残留電荷量を算出する工程を有し、
    (f)前記(e)において算出した前記残留電荷量に基づき、前記(c)において印加する前記直流電圧の絶対値を算出する、
    請求項1に記載の除電方法。
  3. 算出した前記基板の残留電荷量が負の場合、前記直流電圧を正の方向に制御し、
    算出した前記基板の残留電荷量が正の場合、前記直流電圧を負の方向に制御する、
    請求項に記載の除電方法。
  4. (g)前記基板を処理した後脱離時に前記基板を持ち上げるプッシャーピンのトルクを測定する工程と、
    (h)前記(g)で測定した前記プッシャーピンのトルクに基づき、前記除電方法の前記(a)から前記(d)までを実行するか否かを判定する、
    請求項1~3のいずれか一項に記載の除電方法。
  5. 前記(e)は、
    プッシャーピンを上下動させて前記基板を振動させ、これにより、前記吸着電極から又は前記吸着電極へ電流を流し、
    前記前記吸着電極から流れる前記電流の絶対値を測定し、
    前記電流の絶対値に基づき、前記残留電荷量を算出する、
    請求項2又は3のいずれか一項に記載の除電方法。
  6. 前記(c)は、
    前記直流電圧の制御方向と前記基板の残留電荷量のモニター値との関係を推定するため前記残留電荷量をモニターし、
    前記関係に基づき、前記直流電圧の絶対値を決定する、
    請求項1~5のいずれか一項に記載の除電方法。
  7. 前記ガスは、不活性ガスである、
    請求項1~6のいずれか一項に記載の除電方法。
  8. 前記(a)において、前記処理容器内の圧力が予め定められた200mTorr以上800mTorr以下の範囲になるように前記ガスが提供される、
    請求項1~7のいずれか一項に記載の除電方法。
  9. 処理容器内の静電チャックの上に基板を載置し、
    前記静電チャックに基板を保持し、吸着電極に第1の直流電圧を供給し、
    前記基板を処理し、
    前記吸着電極に前記第1の直流電圧を供給することを停止し、
    前記基板を電荷中和し、前記基板の電荷中和は、
    (a)静電チャックに基板を載置したまま処理容器内にガスを導入する工程と、
    (b)前記ガスによる放電が開始されるまで前記静電チャックの吸着電極に第2の直流電圧を印加する工程と、
    (c)前記(b)の後、前記基板の電荷量が0になる又は0に近づく電荷中和領域に達する前記第2の直流電圧の絶対値を印加する工程と、
    (d)前記(c)の後、前記基板を前記静電チャックから脱離させる工程と、含む、
    基板処理方法。
  10. 基板を処理する基板処理装置であって、
    処理容器と、
    前記処理容器内に配置された静電チャックと、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    静電チャックに基板を載置したまま処理容器内にガスを導入する工程と、
    前記ガスによる放電が開始されるまで前記静電チャックの吸着電極に直流電圧の絶対値を上げながら印加する工程と、
    前記ガスによる放電が開始された後に前記基板の電荷量が0になる又は0に近づく電荷中和領域に達する前記直流電圧の絶対値を印加する工程と、
    前記電荷中和領域に達するまで前記直流電圧の絶対値を印加した後、前記基板を前記静電チャックから脱離させる工程と、を制御する、
    基板処理装置。
  11. 前記制御部は、
    (e)前記基板の残留電荷量を算出する工程を有し、
    (f)前記(e)において算出した前記残留電荷量に基づき、前記(c)において印加する前記直流電圧の絶対値を算出する、
    請求項10に記載の基板処理装置。
  12. 前記基板を持ち上げるプッシャーピンと、
    前記プッシャーピンを上下動させるピンドライバと、を更に有し、
    前記(e)は、
    (e1)前記ピンドライバに参照信号を入力し、
    (e2)前記ピンドライバを用いて前記プッシャーピンを上下動させて前記基板を振動させ、
    (e3)前記基板を振動させることにより、前記吸着電極から又は前記吸着電極へ流れる電流の絶対値を測定し、
    (e4)前記電流の絶対値に基づき、前記残留電荷量を算出する、
    請求項11に記載の基板処理装置。
  13. 前記(e2)において、前記プッシャーピンの振幅は、1mm以下である、
    請求項12に記載の基板処理装置。
  14. 前記(e2)において、前記プッシャーピンの移動時の周波数は、1Hz以上10Hz以下である、
    請求項12又は13に記載の基板処理装置。
  15. 前記(e2)において、前記プッシャーピンを移動時の速度は、0mm/sから5mm/sまでに変化する、
    請求項12~14のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  16. 前記吸着電極に電気的に接続される電流計を有し、
    前記吸着電極から流れる電流は、前記電流計により測定される、
    請求項12~15のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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