JP2016184696A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve uniformity of processing while reducing consumption of a process liquid supplied to a substrate.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises: upstream flow passages 48A-48D connected to a collective flow passage 52, in which a temperature of a process liquid supplied to a downstream end 48d of each of the upstream flow passages 48A-48D increases in the order of the first upstream flow passage 48A to the fourth upstream flow passage 48D; and a slit discharge port 34 for discharging the process liquid supplied from the collective flow passage 52 toward a top face of a substrate W. The slit discharge port 34 has a slit shape which extends between a top face central part of the substrate W and a top face peripheral part of the substrate W in a diameter direction Dr in plan view.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, ceramic substrate, solar cell substrate and the like.

特許文献１には、半導体ウエハ等の基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。前記基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面中央部に向けて室温よりも高温の処理液を吐出するノズルとを備えている。ノズルから吐出された高温の処理液は、基板の上面中央部に着液した後、回転している基板の上面に沿って外方に流れる。これにより、高温の処理液が基板の上面全域に供給される。   Patent Document 1 discloses a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates such as semiconductor wafers one by one. The substrate processing apparatus includes a spin chuck that rotates while holding the substrate horizontally, and a nozzle that discharges a processing solution having a temperature higher than room temperature toward the center of the upper surface of the substrate held by the spin chuck. . The high-temperature processing liquid discharged from the nozzle is deposited on the center of the upper surface of the substrate and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate. Thereby, a high-temperature processing liquid is supplied to the entire upper surface of the substrate.

特開２００６−３４４９０７号公報JP 2006-344907 A

回転している基板の上面中央部に着液した処理液は、基板の上面に沿って中央部から周縁部に流れる。その過程で、処理液の温度が次第に低下していく。そのため、温度の均一性が低下し、処理の均一性が悪化してしまう。ノズルから吐出される処理液の流量を増加させれば、処理液が基板の上面周縁部に達するまでの時間が短縮されるので、処理液の温度低下が軽減されるが、この場合、処理液の消費量が増加してしまう。   The processing liquid that has reached the center of the upper surface of the rotating substrate flows from the center to the peripheral edge along the upper surface of the substrate. In the process, the temperature of the treatment liquid gradually decreases. For this reason, the uniformity of temperature is lowered, and the uniformity of processing is deteriorated. If the flow rate of the processing liquid discharged from the nozzle is increased, the time until the processing liquid reaches the peripheral edge of the upper surface of the substrate is shortened, so that the temperature drop of the processing liquid is reduced. Consumption will increase.

そこで、本発明の目的の一つは、基板に供給される処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることである。   Accordingly, one of the objects of the present invention is to improve the processing uniformity while reducing the consumption of the processing liquid supplied to the substrate.

前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を供給する処理液供給システムとを含む、基板処理装置である。
前記処理液供給システムは、供給流路と、複数の上流流路と、複数の下流ヒータと、集合流路と、スリット吐出口と、を含む。前記供給流路は、前記複数の上流流路に分岐しており、処理液を前記複数の上流流路に向けて案内する。前記複数の上流流路は、前記回転軸線に直交する径方向に平面視で並んだ複数の副下流端を有する複数の副上流流路と、前記複数の副下流端よりも前記回転軸線側に配置された主下流端を有する主上流流路とを含む。前記複数の下流ヒータは、前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副下流端に供給される処理液の温度が前記回転軸線から前記副下流端までの距離が増加するにしたがって高まるように前記複数の副上流流路を流れる処理液を加熱する。前記集合流路は、前記複数の副上流流路に接続されている。前記スリット吐出口は、前記複数の副上流流路よりも下流の位置で前記集合流路に接続されており、平面視で前記基板の上面中央部と前記基板の上面周縁部との間で径方向に延びるスリット状であり、前記集合流路から供給された処理液を前記基板の上面に向けて吐出する。集合流路は、２つ以上の副上流流路に接続されていれば、全ての副上流流路に接続されていなくてもよい。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1, wherein the substrate is held by the substrate holding unit, the substrate holding unit rotating the substrate around the vertical rotation axis passing through the central portion of the substrate while holding the substrate horizontally. And a processing liquid supply system for supplying a processing liquid to a substrate.
The processing liquid supply system includes a supply channel, a plurality of upstream channels, a plurality of downstream heaters, a collecting channel, and a slit outlet. The supply channel is branched into the plurality of upstream channels, and guides the processing liquid toward the plurality of upstream channels. The plurality of upstream flow paths include a plurality of sub-upstream paths having a plurality of sub-downstream ends arranged in a plan view in a radial direction perpendicular to the rotation axis, and closer to the rotation axis than the plurality of sub-downstream ends. And a main upstream flow path having a main downstream end disposed therein. The plurality of downstream heaters are respectively connected to the plurality of sub-upstream flow paths, and the temperature of the processing liquid supplied to the plurality of sub-downstream ends increases the distance from the rotation axis to the sub-downstream end. The processing liquid flowing through the plurality of sub-upstream channels is heated so as to increase according to the conditions. The collective flow path is connected to the plurality of sub-upstream flow paths. The slit discharge port is connected to the collective flow path at a position downstream of the plurality of sub-upstream flow paths, and has a diameter between a central portion of the upper surface of the substrate and a peripheral edge portion of the upper surface of the substrate in plan view. It is a slit shape extending in the direction, and the processing liquid supplied from the collecting channel is discharged toward the upper surface of the substrate. As long as the collecting channel is connected to two or more sub-upstream channels, it may not be connected to all the sub-upstream channels.

この発明によれば、処理液が、供給流路から複数の上流流路に供給される。複数の上流流路に含まれる複数の副上流流路に供給された処理液は、複数の下流ヒータによって加熱される。複数の下流ヒータによって加熱された処理液は、複数の副上流流路から集合流路に供給され、スリット吐出口から基板の上面に向けて吐出される。これにより、基板の上面中央部と基板の上面周縁部との間で径方向に延びる帯状の液膜が、スリット吐出口と基板との間に形成され、基板の上面内の直線状の領域に着液する。   According to this invention, the processing liquid is supplied from the supply channel to the plurality of upstream channels. The processing liquid supplied to the plurality of sub-upstream channels included in the plurality of upstream channels is heated by the plurality of downstream heaters. The processing liquid heated by the plurality of downstream heaters is supplied from the plurality of sub-upstream channels to the collecting channel, and discharged from the slit discharge port toward the upper surface of the substrate. As a result, a strip-shaped liquid film extending in the radial direction between the center of the upper surface of the substrate and the peripheral edge of the upper surface of the substrate is formed between the slit discharge port and the substrate, and is formed in a linear region in the upper surface of the substrate. Make a landing.

径方向に並んだ複数の吐出口から基板の上面に向けて処理液を吐出させると、処理液は、径方向に離れた複数の着液位置（処理液が最初に基板に接触する位置）に着液する。処理液がエッチング液である場合、着液位置でのエッチングレート（単位時間あたりのエッチング量）は、隣接する２つの着液位置の間の位置でのエッチングレートよりも高い。そのため、処理の均一性が低下してしまう。したがって、スリット吐出口から吐出された処理液を径方向に連続した直線状の領域に着液させることにより、このような均一性の低下を防止できる。   When processing liquid is discharged from a plurality of discharge ports arranged in the radial direction toward the upper surface of the substrate, the processing liquid is discharged to a plurality of liquid landing positions (positions where the processing liquid first contacts the substrate) separated in the radial direction. Make a landing. When the processing liquid is an etching liquid, the etching rate (etching amount per unit time) at the liquid landing position is higher than the etching rate at a position between two adjacent liquid landing positions. As a result, the uniformity of processing is reduced. Therefore, such a decrease in uniformity can be prevented by causing the processing liquid discharged from the slit discharge port to land on a linear region continuous in the radial direction.

また、複数の副上流流路の複数の副下流端に供給される処理液の温度は、回転軸線から副下流端までの距離が増加するにしたがって高まる。複数の副下流端の真下の位置には、複数の副下流端に供給された処理液と同じまたはほぼ同じ温度の処理液が着液する。これに対して、前記真下の位置の間の位置には、隣接する２つの複数の副下流端に供給された処理液の混合液が着液する。つまり、互いに異なる温度の処理液が隣接する２つの複数の副下流端に供給され、この２つの温度の間の温度の処理液が、前記真下の位置の間の位置に着液する。   Further, the temperature of the processing liquid supplied to the plurality of sub-downstream ends of the plurality of sub-upstream channels increases as the distance from the rotation axis to the sub-downstream end increases. A treatment liquid having the same or substantially the same temperature as the treatment liquid supplied to the plurality of sub-downstream ends is deposited at a position directly below the plurality of sub-downstream ends. On the other hand, the mixed liquid of the processing liquid supplied to two adjacent sub-downstream ends is deposited at a position between the positions immediately below. That is, processing liquids having different temperatures are supplied to two adjacent sub-downstream ends, and the processing liquid having a temperature between the two temperatures is deposited at a position between the positions immediately below.

このように、スリット吐出口の各位置での処理液の温度が、回転軸線から離れるにしたがって段階的または連続的に増加するので、均一な温度の処理液をスリット吐出口から吐出させる場合と比較して、基板上での処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理の均一性をさらに高めることができる。したがって、基板の上面中央部だけに処理液を着液させる場合と比較して、基板に供給される処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。   In this way, the temperature of the processing liquid at each position of the slit discharge port increases stepwise or continuously as it moves away from the rotation axis, so compared with the case where a processing liquid having a uniform temperature is discharged from the slit discharge port. Thus, the uniformity of the temperature of the processing liquid on the substrate can be improved. Thereby, the uniformity of a process can further be improved. Therefore, the processing uniformity can be improved while reducing the consumption of the processing liquid supplied to the substrate as compared with the case where the processing liquid is deposited only on the central portion of the upper surface of the substrate.

また、基板の処理において、同一品質の処理液を基板の各部に供給することは、処理の均一性向上に対して重要である。上流流路ごとにタンクやフィルター等が設けられている場合、ある上流流路に供給される処理液とは品質が異なる処理液が他の上流流路に供給され得る。これに対して、本実施形態では、同じ流路（供給流路）内の処理液を各上流流路に供給する。これにより、同一品質の処理液を基板の各部に供給することができる。さらに、上流流路ごとにタンクやフィルター等が設けられている構成と比較して、部品点数を削減でき、メンテナンス作業を簡素化できる。   In the processing of a substrate, supplying a processing solution of the same quality to each part of the substrate is important for improving processing uniformity. When a tank, a filter, or the like is provided for each upstream flow path, a processing liquid having a quality different from that of a processing liquid supplied to a certain upstream flow path can be supplied to another upstream flow path. On the other hand, in this embodiment, the processing liquid in the same flow path (supply flow path) is supplied to each upstream flow path. Thereby, the process liquid of the same quality can be supplied to each part of the substrate. Furthermore, compared to a configuration in which a tank, a filter, and the like are provided for each upstream flow path, the number of parts can be reduced, and maintenance work can be simplified.

請求項２に記載の発明は、前記スリット吐出口は、平面視で前記基板の上面中央部から前記基板の上面周縁部まで径方向に延びている、請求項１に記載の基板処理装置ある。
この発明によれば、スリット吐出口が、平面視で基板の上面中央部および上面周縁部に重なっている。スリット吐出口から吐出された処理液は、基板の上面中央部および上面周縁部を含む直線状の領域に同時に着液する。スリット吐出口は、回転している基板の上面に向けて処理液を吐出する。基板と前記直線状の領域との相対的な位置関係は、基板の回転によって変化する。これにより、処理液が基板の上面全域に着液するので、処理の均一性を高めることができる。 The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the slit discharge port extends in a radial direction from a central portion of the upper surface of the substrate to a peripheral portion of the upper surface of the substrate in a plan view.
According to this invention, the slit discharge port overlaps the upper surface center portion and the upper surface peripheral edge portion of the substrate in plan view. The processing liquid discharged from the slit discharge port is simultaneously deposited on a linear region including the central portion of the upper surface of the substrate and the peripheral portion of the upper surface. The slit discharge port discharges the processing liquid toward the upper surface of the rotating substrate. The relative positional relationship between the substrate and the linear region changes as the substrate rotates. Thereby, since the processing liquid is deposited on the entire upper surface of the substrate, the uniformity of the processing can be improved.

請求項３に記載の発明は、平面視において、前記スリット吐出口の幅は、前記副上流流路の前記副下流端の幅、たとえば前記副下流端の幅の最大値よりも小さい、請求項１または２に記載の基板処理装置ある。幅は、径方向（スリット吐出口の長手方向）に直交する水平方向への長さを意味する。
この発明によれば、スリット吐出口の幅が狭いので、副上流流路に供給された処理液の一部は、スリット吐出口に到達する前に集合流路内で長手方向に広がり、副上流流路に供給された残りの処理液は、集合流路内でスリット吐出口の長手方向に広がることなくスリット吐出口に到達する。そのため、処理液の一部は、他の副上流流路に供給された処理液と集合流路の内部または基板とスリット吐出口との間の空間で混ざり合う。これにより、基板に供給される処理液の温度を、回転軸線から離れるにしたがって段階的または連続的に増加させることができる。 According to a third aspect of the present invention, in the plan view, the width of the slit discharge port is smaller than the maximum value of the width of the sub-downstream end of the sub-upstream channel, for example, the width of the sub-downstream end. The substrate processing apparatus according to 1 or 2. The width means the length in the horizontal direction perpendicular to the radial direction (longitudinal direction of the slit discharge port).
According to this invention, since the width of the slit discharge port is narrow, a part of the processing liquid supplied to the sub-upstream channel spreads in the longitudinal direction in the assembly channel before reaching the slit discharge port, and the sub-upstream The remaining processing liquid supplied to the flow channel reaches the slit discharge port without spreading in the longitudinal direction of the slit discharge port in the collecting flow channel. Therefore, a part of the processing liquid mixes with the processing liquid supplied to the other sub-upstream flow path and the space inside the collecting flow path or between the substrate and the slit discharge port. Thereby, the temperature of the processing liquid supplied to the substrate can be increased stepwise or continuously as the temperature increases away from the rotation axis.

前記集合流路の下流端の幅は、前記スリット吐出口の幅と等しい。前記集合流路の上流端の幅は、前記副下流端の幅以上であることが好ましい。前記集合流路の幅は、上流端から下流端まで連続的に減少していてもよいし、段階的に減少していてもよい。集合流路の上流端の幅が副下流端の幅以上である場合、集合流路内での処理液の流れが、集合流路の上流端で妨げられにくい。したがって、集合流路の上流端の幅が副下流端の幅未満である場合と比較して、スリット吐出口から吐出される処理液の圧力低下を低減できる。   The width of the downstream end of the collecting channel is equal to the width of the slit discharge port. The width of the upstream end of the collecting channel is preferably equal to or greater than the width of the sub-downstream end. The width of the collective flow path may decrease continuously from the upstream end to the downstream end, or may decrease stepwise. When the width of the upstream end of the collective flow path is equal to or greater than the width of the sub-downstream end, the flow of the processing liquid in the collective flow path is not easily disturbed by the upstream end of the collective flow path. Therefore, compared with the case where the width | variety of the upstream end of a collection flow path is less than the width | variety of a sub downstream end, the pressure fall of the process liquid discharged from a slit discharge port can be reduced.

請求項４に記載の発明は、前記処理液供給システムは、複数のリターン流路と、下流切替ユニットとをさらに含み、前記複数のリターン流路は、前記複数の下流ヒータよりも下流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記下流切替ユニットは、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記スリット吐出口に供給される吐出状態と、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記複数のリターン流路に供給される吐出停止状態と、を含む複数の状態のいずれかに切り替わる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置ある。   According to a fourth aspect of the present invention, the processing liquid supply system further includes a plurality of return flow paths and a downstream switching unit, and the plurality of return flow paths are at positions downstream of the plurality of downstream heaters. The downstream switching unit is connected to each of the plurality of sub-upstream channels, and the downstream switching unit has a discharge state in which the processing liquid supplied from the supply channel to the plurality of upstream channels is supplied to the slit discharge port; The processing liquid supplied from the supply flow path to the plurality of upstream flow paths is switched to any of a plurality of states including a discharge stop state in which the treatment liquid is supplied to the plurality of return flow paths. It is a substrate processing apparatus as described in any one.

処理液の温度は、基板の処理に大きな影響を及ぼす場合がある。吐出停止中に下流ヒータを停止させると、下流ヒータの運転を再開したときに、下流ヒータによって加熱された処理液の温度が意図する温度で安定するまでに時間がかかる。そのため、直ぐに処理液の吐出を再開することができず、スループット（単位時間あたりの基板の処理枚数）が低下する。したがって、吐出停止中であっても、下流ヒータに液体を加熱させることが好ましい。   The temperature of the processing liquid may greatly affect the processing of the substrate. If the downstream heater is stopped while the discharge is stopped, it takes time until the temperature of the processing liquid heated by the downstream heater is stabilized at the intended temperature when the operation of the downstream heater is resumed. Therefore, the discharge of the processing liquid cannot be resumed immediately, and the throughput (the number of substrates processed per unit time) decreases. Therefore, it is preferable to heat the liquid to the downstream heater even when the discharge is stopped.

この発明によれば、吐出停止中に、処理液を上流流路に供給し、下流ヒータに加熱させる。下流ヒータによって加熱された処理液は、スリット吐出口から吐出されずに、上流流路からリターン流路に流れる。したがって、吐出停止中であっても、下流ヒータの温度が安定した状態を維持できる。そのため、直ぐに処理液の吐出を再開できる。   According to this invention, while the discharge is stopped, the processing liquid is supplied to the upstream flow path and is heated by the downstream heater. The processing liquid heated by the downstream heater flows from the upstream flow path to the return flow path without being discharged from the slit discharge port. Therefore, even when the discharge is stopped, the downstream heater can maintain a stable temperature. Therefore, the discharge of the processing liquid can be resumed immediately.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理液供給システムを示す模式図であり、吐出状態の処理液供給システムを示している。It is a mimetic diagram showing a processing liquid supply system of a substrate processing apparatus concerning one embodiment of the present invention, and shows a processing liquid supply system in a discharge state. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理液供給システムを示す模式図であり、吐出停止状態の処理液供給システムを示している。It is a mimetic diagram showing a processing liquid supply system of a substrate processing apparatus concerning one embodiment of the present invention, and shows a processing liquid supply system in a discharge stop state. 基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を示す模式的な正面図である。It is a typical front view which shows the inside of the processing unit with which the substrate processing apparatus was equipped. 基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows the inside of the processing unit with which the substrate processing apparatus was equipped. 水平に見た複数のノズルおよびノズルヘッドを示す模式的な部分断面図である。It is a typical fragmentary sectional view showing a plurality of nozzles and nozzle head seen horizontally. 複数のノズルおよびノズルヘッドを示す模式的な平面図である。It is a typical top view showing a plurality of nozzles and a nozzle head. 複数のノズルおよびノズルヘッドを示す模式的な斜視図である。It is a typical perspective view showing a plurality of nozzles and a nozzle head. 基板処理装置によって実行される基板の処理の一例を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating an example of the process of the board | substrate performed with a substrate processing apparatus. 基板のエッチング量の分布を示すグラフである。It is a graph which shows distribution of the etching amount of a board | substrate. 前記実施形態の第１変形例に係る複数のノズルを示す模式的な平面図である。It is a typical top view showing a plurality of nozzles concerning the 1st modification of the embodiment. 前記実施形態の第２変形例に係る複数のノズルを示す模式図である。図１１（ａ）は、複数のノズルを示す模式的な正面図であり、図１１（ｂ）は、複数のノズルを示す模式的な平面図である。It is a mimetic diagram showing a plurality of nozzles concerning the 2nd modification of the embodiment. FIG. 11A is a schematic front view showing a plurality of nozzles, and FIG. 11B is a schematic plan view showing a plurality of nozzles. 本発明の他の実施形態に係る複数のノズルおよびノズルヘッドを水平に見たときの模式的な部分断面図である。It is a typical fragmentary sectional view when the several nozzle and nozzle head which concern on other embodiment of this invention are seen horizontally. 処理前後における薄膜の厚みと基板に供給される処理液の温度とのイメージを示すグラフである。It is a graph which shows the image of the thickness of the thin film before and behind a process, and the temperature of the process liquid supplied to a board | substrate.

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１および図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の処理液供給システムを示す模式図である。図１は、吐出状態の処理液供給システムを示しており、図２は、吐出停止状態の処理液供給システムを示している。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する処理ユニット２と、処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。制御装置３は、演算部と記憶部とを含むコンピュータである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
1 and 2 are schematic views showing a processing liquid supply system of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a processing liquid supply system in a discharge state, and FIG. 2 shows a processing liquid supply system in a discharge stop state.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a processing unit 2 that processes a substrate W with a processing liquid, a transfer robot (not shown) that transfers the substrate W to the processing unit 2, and a control device 3 that controls the substrate processing apparatus 1. . The control device 3 is a computer including a calculation unit and a storage unit.

基板処理装置１は、処理ユニット２に対する処理液の供給および供給停止を制御するバルブ５１等の流体機器を収容する複数の流体ボックス５と、流体ボックス５を介して処理ユニット２に供給される処理液を貯留するタンク４１を収容する複数の貯留ボックス６とを含む。処理ユニット２および流体ボックス５は、基板処理装置１のフレーム４の中に配置されている。処理ユニット２のチャンバー７と流体ボックス５とは、水平方向に並んでいる。貯留ボックス６は、フレーム４の外に配置されている。貯留ボックス６は、フレーム４の中に配置されていてもよい。   The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of fluid boxes 5 that contain a fluid device such as a valve 51 that controls supply and stop of supply of the processing liquid to the processing unit 2, and processing supplied to the processing unit 2 via the fluid box 5. And a plurality of storage boxes 6 for storing tanks 41 for storing liquid. The processing unit 2 and the fluid box 5 are disposed in the frame 4 of the substrate processing apparatus 1. The chamber 7 and the fluid box 5 of the processing unit 2 are arranged in the horizontal direction. The storage box 6 is disposed outside the frame 4. The storage box 6 may be disposed in the frame 4.

図３は、処理ユニット２の内部を示す模式的な正面図である。図４は、処理ユニット２の内部を示す模式的な平面図である。
図３に示すように、処理ユニット２は、箱型のチャンバー７と、チャンバー７内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１１と、基板Ｗから排出された処理液を受け止める筒状のカップ１５と含む。 FIG. 3 is a schematic front view showing the inside of the processing unit 2. FIG. 4 is a schematic plan view showing the inside of the processing unit 2.
As shown in FIG. 3, the processing unit 2 rotates the substrate W around a vertical rotation axis A <b> 1 passing through the central portion of the substrate W while holding the substrate W horizontally in the chamber 7 and the chamber 7. A spin chuck 11 and a cylindrical cup 15 that receives the processing liquid discharged from the substrate W are included.

図４に示すように、チャンバー７は、基板Ｗが通過する搬入搬出口８ａが設けられた箱型の隔壁８と、搬入搬出口８ａを開閉するシャッター９とを含む。シャッター９は、搬入搬出口８ａが開く開位置と、搬入搬出口８ａが閉じられる閉位置（図４に示す位置）との間で、隔壁８に対して移動可能である。図示しない搬送ロボットは、搬入搬出口８ａを通じてチャンバー７に基板Ｗを搬入し、搬入搬出口８ａを通じてチャンバー７から基板Ｗを搬出する。   As shown in FIG. 4, the chamber 7 includes a box-shaped partition wall 8 provided with a loading / unloading port 8a through which the substrate W passes, and a shutter 9 for opening and closing the loading / unloading port 8a. The shutter 9 is movable with respect to the partition wall 8 between an open position where the carry-in / out port 8a is opened and a closed position (a position shown in FIG. 4) where the carry-in / out port 8a is closed. A transfer robot (not shown) loads the substrate W into the chamber 7 through the loading / unloading port 8a and unloads the substrate W from the chamber 7 through the loading / unloading port 8a.

図３に示すように、スピンチャック１１は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１２と、スピンベース１２の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン１３と、複数のチャックピン１３を回転させることにより回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンモータ１４とを含む。スピンチャック１１は、複数のチャックピン１３を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。   As shown in FIG. 3, the spin chuck 11 includes a disk-shaped spin base 12 held in a horizontal posture, a plurality of chuck pins 13 that hold the substrate W in a horizontal posture above the spin base 12, and And a spin motor 14 that rotates the substrate W around the rotation axis A1 by rotating the plurality of chuck pins 13. The spin chuck 11 is not limited to a clamping chuck in which a plurality of chuck pins 13 are brought into contact with the peripheral end surface of the substrate W, and the back surface (lower surface) of the substrate W, which is a non-device forming surface, is adsorbed to the upper surface of the spin base 12. Thus, a vacuum chuck that holds the substrate W horizontally may be used.

図３に示すように、カップ１５は、スピンチャック１１を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む筒状のスプラッシュガード１７と、スプラッシュガード１７を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む円筒状の外壁１６とを含む。処理ユニット２は、スプラッシュガード１７の上端がスピンチャック１１による基板Ｗの保持位置よりも上方に位置する上位置（図３に示す位置）と、スプラッシュガード１７の上端がスピンチャック１１による基板Ｗの保持位置よりも下方に位置する下位置との間で、スプラッシュガード１７を鉛直に昇降させるガード昇降ユニット１８を含む。   As shown in FIG. 3, the cup 15 includes a cylindrical splash guard 17 that surrounds the spin chuck 11 around the rotation axis A <b> 1 and a cylindrical outer wall 16 that surrounds the splash guard 17 around the rotation axis A <b> 1. In the processing unit 2, the upper position of the splash guard 17 is positioned above the position where the spin chuck 11 holds the substrate W (the position shown in FIG. 3), and the upper end of the splash guard 17 is positioned on the substrate W by the spin chuck 11. A guard lifting / lowering unit 18 that vertically moves the splash guard 17 between a lower position and a lower position than the holding position is included.

図３に示すように、処理ユニット２は、スピンチャック１１に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル２１を含む。リンス液ノズル２１は、リンス液バルブ２３が介装されたリンス液配管２２に接続されている。処理ユニット２は、処理位置と待機位置との間でリンス液ノズル２１を移動させるノズル移動ユニットを備えていてもよい。   As shown in FIG. 3, the processing unit 2 includes a rinsing liquid nozzle 21 that discharges the rinsing liquid downward toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 11. The rinse liquid nozzle 21 is connected to a rinse liquid pipe 22 in which a rinse liquid valve 23 is interposed. The processing unit 2 may include a nozzle moving unit that moves the rinse liquid nozzle 21 between the processing position and the standby position.

リンス液バルブ２３が開かれると、リンス液が、リンス液配管２２からリンス液ノズル２１に供給され、リンス液ノズル２１から吐出される。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。   When the rinse liquid valve 23 is opened, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid pipe 22 to the rinse liquid nozzle 21 and discharged from the rinse liquid nozzle 21. The rinse liquid is, for example, pure water (deionized water). The rinse liquid is not limited to pure water, but may be any of carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm).

図４に示すように、処理ユニット２は、薬液を下方に吐出する複数のノズル２６（第１ノズル２６Ａ、第２ノズル２６Ｂ、第３ノズル２６Ｃ、および第４ノズル２６Ｄ）と、複数のノズル２６のそれぞれを保持するホルダ２５と、ホルダ２５を移動させることにより、処理位置（図４で二点鎖線で示す位置）と待機位置（図４で実線で示す位置）との間で複数のノズル２６を移動させるノズル移動ユニット２４とを含む。   As shown in FIG. 4, the processing unit 2 includes a plurality of nozzles 26 (first nozzle 26 </ b> A, second nozzle 26 </ b> B, third nozzle 26 </ b> C, and fourth nozzle 26 </ b> D) that discharge a chemical solution downward, and a plurality of nozzles 26. And a plurality of nozzles 26 between a processing position (a position indicated by a two-dot chain line in FIG. 4) and a standby position (a position indicated by a solid line in FIG. 4) by moving the holder 25. And a nozzle moving unit 24 for moving the.

薬液の代表例は、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）などのエッチング液や、ＳＰＭ（硫酸および過酸化水素水を含む混合液）などのレジスト剥離液である。薬液は、ＴＭＡＨおよびＳＰＭに限らず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、ＴＭＡＨ以外の有機アルカリ、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。   Typical examples of the chemical solution are an etching solution such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide) and a resist stripping solution such as SPM (mixed solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution). The chemical solution is not limited to TMAH and SPM, but sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, aqueous ammonia, aqueous hydrogen peroxide, organic acids (such as citric acid and oxalic acid), organic alkalis other than TMAH, surfactants, It may be a liquid containing at least one of the corrosion inhibitors.

図３に示すように、各ノズル２６は、ホルダ２５によって片持ち支持されたノズル本体２７と、他のノズル２６と共有のノズルヘッド３３とを含む。ノズル本体２７は、ホルダ２５から水平な長手方向Ｄ１に延びるアーム部２８と、アーム部２８の先端２８ａから下方に延びる先端部２９とを含む。アーム部２８の先端２８ａは、平面視においてホルダ２５から長手方向Ｄ１に最も遠い部分を意味する。ノズルヘッド３３は、各ノズル本体２７の先端部２９に支持されている。   As shown in FIG. 3, each nozzle 26 includes a nozzle body 27 that is cantilevered by a holder 25, and a nozzle head 33 shared with other nozzles 26. The nozzle body 27 includes an arm portion 28 extending from the holder 25 in the horizontal longitudinal direction D1 and a tip portion 29 extending downward from the tip 28a of the arm portion 28. The tip 28a of the arm portion 28 means a portion farthest in the longitudinal direction D1 from the holder 25 in plan view. The nozzle head 33 is supported by the tip portion 29 of each nozzle body 27.

図４に示すように、複数のアーム部２８は、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で、長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２に並んでいる。複数のアーム部２８は、同じ高さに配置されている。配列方向Ｄ２に隣接する２つのアーム部２８の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。図４は、複数のアーム部２８が等間隔で配置されている例を示している。   As shown in FIG. 4, the plurality of arm portions 28 are arranged in a horizontal arrangement direction D2 orthogonal to the longitudinal direction D1 in the order of the first nozzle 26A to the fourth nozzle 26D. The plurality of arm portions 28 are arranged at the same height. The interval between the two arm portions 28 adjacent in the arrangement direction D2 may be the same as any other interval, or may be different from at least one of the other intervals. FIG. 4 shows an example in which a plurality of arm portions 28 are arranged at equal intervals.

長手方向Ｄ１への複数のアーム部２８の長さは、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で短くなっている。複数のノズル２６の先端（複数のアーム部２８の先端２８ａ）は、長手方向Ｄ１に関して第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で並ぶように長手方向Ｄ１にずれている。複数のノズル２６の先端は、平面視で直線状に並んでいる。
ノズル移動ユニット２４は、カップ１５のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりにホルダ２５を回動させることにより、平面視で基板Ｗを通る円弧状の経路に沿って複数のノズル２６を移動させる。これにより、処理位置と待機位置との間で複数のノズル２６が水平に移動する。処理ユニット２は、複数のノズル２６の待機位置の下方に配置された有底筒状の待機ポット３５を含む。待機ポット３５は、平面視でカップ１５のまわりに配置されている。 The lengths of the plurality of arm portions 28 in the longitudinal direction D1 are shorter in the order of the first nozzle 26A to the fourth nozzle 26D. The tips of the plurality of nozzles 26 (tips 28a of the plurality of arm portions 28) are shifted in the longitudinal direction D1 so as to be arranged in the order of the first nozzle 26A to the fourth nozzle 26D in the longitudinal direction D1. The tips of the plurality of nozzles 26 are arranged linearly in plan view.
The nozzle moving unit 24 moves the plurality of nozzles 26 along an arcuate path passing through the substrate W in plan view by rotating the holder 25 about the nozzle rotation axis A2 extending vertically around the cup 15. Let As a result, the plurality of nozzles 26 move horizontally between the processing position and the standby position. The processing unit 2 includes a bottomed cylindrical standby pot 35 disposed below the standby positions of the plurality of nozzles 26. The standby pot 35 is disposed around the cup 15 in plan view.

処理位置は、ノズルヘッド３３から吐出された薬液が基板Ｗの上面に着液する位置である。処理位置では、ノズルヘッド３３と基板Ｗとが平面視で重なり、複数のノズル２６の先端が、平面視において、回転軸線Ａ１側から第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で径方向Ｄｒに並ぶ。このとき、第１ノズル２６Ａの先端は、平面視で基板Ｗの中央部に重なり、第４ノズル２６Ｄの先端は、平面視で基板Ｗの周縁部に重なる。   The processing position is a position where the chemical liquid discharged from the nozzle head 33 is deposited on the upper surface of the substrate W. At the processing position, the nozzle head 33 and the substrate W overlap in plan view, and the tips of the plurality of nozzles 26 extend in the radial direction Dr in the order of the first nozzle 26A to the fourth nozzle 26D from the rotation axis A1 side in plan view. line up. At this time, the tip of the first nozzle 26A overlaps the central portion of the substrate W in plan view, and the tip of the fourth nozzle 26D overlaps the peripheral portion of the substrate W in plan view.

待機位置は、ノズルヘッド３３と基板Ｗとが平面視で重ならないように、複数のノズル２６が退避した位置である。待機位置では、複数のノズル２６の先端が、平面視でカップ１５の外周面（外壁１６の外周面）に沿うようにカップ１５の外側に位置し、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に並ぶ。複数のノズル２６は、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で、回転軸線Ａ１から遠ざかるように配置される。   The standby position is a position where the plurality of nozzles 26 are retracted so that the nozzle head 33 and the substrate W do not overlap in plan view. At the standby position, the tips of the plurality of nozzles 26 are positioned outside the cup 15 so as to be along the outer peripheral surface of the cup 15 (the outer peripheral surface of the outer wall 16) in plan view, and the order of the first nozzle 26A to the fourth nozzle 26D. Are arranged in the circumferential direction (direction around the rotation axis A1). The plurality of nozzles 26 are arranged in the order of the first nozzle 26A to the fourth nozzle 26D so as to be away from the rotation axis A1.

次に、図５〜図７を参照して、複数のノズル２６について説明する。その後、処理液供給システムについて説明する。図５〜図７は、複数のノズル２６が処理位置に配置されている状態を示している。
以下の説明では、第１ノズル２６Ａに対応する構成の先頭および末尾に、それぞれ「第１」および「Ａ」を付ける場合がある。たとえば、第１ノズル２６Ａに対応する上流流路４８を、「第１上流流路４８Ａ」という場合がある。第２ノズル２６Ｂ〜第４ノズル２６Ｄに対応する構成についても同様である。 Next, the plurality of nozzles 26 will be described with reference to FIGS. Thereafter, the processing liquid supply system will be described. 5 to 7 show a state in which the plurality of nozzles 26 are arranged at the processing position.
In the following description, “first” and “A” may be added to the beginning and the end of the configuration corresponding to the first nozzle 26A, respectively. For example, the upstream flow path 48 corresponding to the first nozzle 26A may be referred to as “first upstream flow path 48A”. The same applies to the configuration corresponding to the second nozzle 26B to the fourth nozzle 26D.

また、以下の説明では、上流ヒータ４３による処理液の加熱温度を上流温度といい、下流ヒータ５３による処理液の加熱温度を下流温度という場合がある。第２下流ヒータ５３〜第４下流ヒータ５３による処理液の加熱温度を、それぞれ、第２下流温度〜第４加熱温度という場合もある。
図５に示すように、ノズル本体２７は、処理液を案内する樹脂チューブ３０と、樹脂チューブ３０を取り囲む断面筒状の芯金３１と、芯金３１の外面を覆う断面筒状の樹脂コーティング３２とを含む。吐出口が形成された樹脂チューブ３０の下面は、ノズルヘッド３３の内部に配置されている。 In the following description, the heating temperature of the processing liquid by the upstream heater 43 may be referred to as upstream temperature, and the heating temperature of the processing liquid by the downstream heater 53 may be referred to as downstream temperature. The heating temperature of the processing liquid by the second downstream heater 53 to the fourth downstream heater 53 may be referred to as the second downstream temperature to the fourth heating temperature, respectively.
As shown in FIG. 5, the nozzle body 27 includes a resin tube 30 that guides the processing liquid, a cross-section cylindrical core metal 31 that surrounds the resin tube 30, and a cross-section cylindrical resin coating 32 that covers the outer surface of the core metal 31. Including. The lower surface of the resin tube 30 in which the discharge port is formed is disposed inside the nozzle head 33.

ノズル本体２７は、ノズル本体２７に沿って延びる１つの流路を形成している。ノズル本体２７の流路は、後述する上流流路４８の一部に相当する。図６に示すように、第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄは、回転軸線Ａ１からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、平面視で径方向Ｄｒに並んでいる。
第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄは、第２上流流路４８Ｂ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄよりも回転軸線Ａ１側に配置されている。第１上流流路４８Ａは、主上流流路の一例であり、第２上流流路４８Ｂ〜第４上流流路４８Ｄは、複数の副上流流路の一例である。第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄは、主下流端の一例であり、第２上流流路４８Ｂ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄは、複数の下流端の一例である。 The nozzle body 27 forms one flow path that extends along the nozzle body 27. The flow path of the nozzle body 27 corresponds to a part of the upstream flow path 48 described later. As shown in FIG. 6, the downstream ends 48d of the first upstream flow path 48A to the fourth upstream flow path 48D are respectively arranged at a plurality of positions having different distances from the rotation axis A1, and the radial direction Dr in a plan view. Are lined up.
The downstream end 48d of the first upstream channel 48A is disposed closer to the rotation axis A1 than the downstream end 48d of the second upstream channel 48B to the fourth upstream channel 48D. The first upstream channel 48A is an example of a main upstream channel, and the second upstream channel 48B to the fourth upstream channel 48D are examples of a plurality of sub-upstream channels. The downstream end 48d of the first upstream channel 48A is an example of a main downstream end, and the downstream ends 48d of the second upstream channel 48B to the fourth upstream channel 48D are examples of a plurality of downstream ends.

図５に示すように、ノズルヘッド３３は、複数のノズル本体２７から供給された処理液を案内する１つの流路（集合流路５２）と、ノズルヘッド３３の下面で開口するスリット状のスリット吐出口３４とを形成している。スリット吐出口３４は、基板Ｗの上面と平行である。スリット吐出口３４は、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄの下方に配置されている。   As shown in FIG. 5, the nozzle head 33 includes one flow path (collecting flow path 52) that guides the processing liquid supplied from the plurality of nozzle main bodies 27, and a slit-like slit that opens at the lower surface of the nozzle head 33. A discharge port 34 is formed. The slit discharge port 34 is parallel to the upper surface of the substrate W. The slit discharge port 34 is disposed below the downstream end 48d of each of the upstream flow paths 48A to 48D.

図６に示すように、スリット吐出口３４は、平面視で基板Ｗの上面中央部から基板Ｗの上面周縁部まで径方向Ｄｒに延びている。スリット吐出口３４の幅Ｗ１（幅は、径方向Ｄｒに直交する水平方向への長さを意味する。以下同様。）は、スリット吐出口３４の一端からスリット吐出口３４の他端まで一定である。スリット吐出口３４の幅Ｗ１は、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄの直径よりも小さい。各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄの一部は、平面視でスリット吐出口３４に重なっており、残りの部分は、平面視でスリット吐出口３４に重なっていない。スリット吐出口３４は、集合流路５２から供給された薬液を基板Ｗの上面に対して垂直な吐出方向に吐出する。   As shown in FIG. 6, the slit discharge port 34 extends in the radial direction Dr from the center of the upper surface of the substrate W to the peripheral edge of the upper surface of the substrate W in plan view. The width W1 of the slit discharge port 34 (the width means the length in the horizontal direction perpendicular to the radial direction Dr. The same applies hereinafter) is constant from one end of the slit discharge port 34 to the other end of the slit discharge port 34. is there. The width W1 of the slit discharge port 34 is smaller than the diameter of the downstream end 48d of each of the upstream flow paths 48A to 48D. A part of the downstream end 48d of each of the upstream flow paths 48A to 48D overlaps with the slit discharge port 34 in plan view, and the remaining part does not overlap with the slit discharge port 34 in plan view. The slit discharge port 34 discharges the chemical solution supplied from the collecting channel 52 in a discharge direction perpendicular to the upper surface of the substrate W.

図７に示すように、集合流路５２は、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄをスリット吐出口３４に接続している。集合流路５２の幅は、集合流路５２の上流端５２ｕから集合流路５２の下流端５２ｄまで連続的に減少している。集合流路５２の上流端５２ｕの幅Ｗ２は、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄの直径以上である。集合流路５２の下流端５２ｄの幅は、スリット吐出口３４の幅Ｗ１と等しい。   As shown in FIG. 7, the collecting channel 52 connects the downstream ends 48 d of the upstream channels 48 </ b> A to 48 </ b> D to the slit outlet 34. The width of the collecting channel 52 continuously decreases from the upstream end 52 u of the collecting channel 52 to the downstream end 52 d of the collecting channel 52. The width W2 of the upstream end 52u of the collecting flow path 52 is equal to or larger than the diameter of the downstream end 48d of each of the upstream flow paths 48A to 48D. The width of the downstream end 52d of the collecting channel 52 is equal to the width W1 of the slit outlet 34.

集合流路５２の高さ、つまり、集合流路５２の下流端５２ｄから集合流路５２の上流端５２ｕまでの鉛直方向の距離は、集合流路５２の上流端５２ｕの幅Ｗ２よりも大きい。径方向Ｄｒへの集合流路５２の長さは、第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄから第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄまでの径方向Ｄｒへの距離よりも長い。径方向Ｄｒにおける集合流路５２の両端は、ノズルヘッド３３によって閉じられている。   The height of the collecting channel 52, that is, the distance in the vertical direction from the downstream end 52d of the collecting channel 52 to the upstream end 52u of the collecting channel 52 is larger than the width W2 of the upstream end 52u of the collecting channel 52. The length of the collective flow path 52 in the radial direction Dr is longer than the distance in the radial direction Dr from the downstream end 48d of the first upstream flow path 48A to the downstream end 48d of the fourth upstream flow path 48D. Both ends of the collecting channel 52 in the radial direction Dr are closed by the nozzle head 33.

各上流流路４８Ａ〜４８Ｄに供給された処理液は、集合流路５２内に供給される。スリット吐出口３４の幅Ｗ１が狭いので、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄに供給された処理液の一部は、スリット吐出口３４に達する前に集合流路５２内で長手方向に広がり、残りの処理液は、集合流路５２内で長手方向に広がることなくスリット吐出口３４から吐出される。そのため、ある上流流路４８に供給された処理液の一部は、他の上流流路４８に供給された処理液と集合流路５２の内部または基板Ｗとスリット吐出口３４との間の空間で混ざり合う。これにより、スリット吐出口３４の全域またはほぼ全域に処理液が供給され、径方向Ｄｒに延びる帯状の液膜が、スリット吐出口３４と基板Ｗとの間に形成される。   The processing liquid supplied to each of the upstream channels 48 </ b> A to 48 </ b> D is supplied into the collective channel 52. Since the width W1 of the slit discharge port 34 is narrow, a part of the processing liquid supplied to the downstream end 48d of each of the upstream channels 48A to 48D extends in the longitudinal direction in the collecting channel 52 before reaching the slit discharge port 34. The remaining treatment liquid spreads and is discharged from the slit discharge port 34 without spreading in the longitudinal direction in the collecting flow path 52. Therefore, a part of the processing liquid supplied to a certain upstream flow path 48 is a space between the processing liquid supplied to the other upstream flow path 48 and the collecting flow path 52 or between the substrate W and the slit discharge port 34. Mix together. As a result, the processing liquid is supplied to the entire region or almost the entire region of the slit discharge port 34, and a strip-shaped liquid film extending in the radial direction Dr is formed between the slit discharge port 34 and the substrate W.

次に、図１および図２を参照して、処理液供給システムについて詳細に説明する。
処理液供給システムは、薬液を貯留する薬液タンク４１と、薬液タンク４１から送られた薬液を案内する薬液流路４２と、薬液流路４２内を流れる薬液を室温（たとえば２０〜３０℃）よりも高い上流温度で加熱することにより薬液タンク４１内の薬液の温度を調整する上流ヒータ４３と、薬液タンク４１内の薬液を薬液流路４２に送るポンプ４４と、薬液流路４２内の薬液を薬液タンク４１に戻す循環流路４０とを含む。 Next, the processing liquid supply system will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
The treatment liquid supply system includes a chemical liquid tank 41 for storing chemical liquid, a chemical liquid flow path 42 for guiding the chemical liquid sent from the chemical liquid tank 41, and a chemical liquid flowing in the chemical liquid flow path 42 from room temperature (for example, 20 to 30 ° C.). An upstream heater 43 that adjusts the temperature of the chemical solution in the chemical solution tank 41 by heating at a higher upstream temperature, a pump 44 that sends the chemical solution in the chemical solution tank 41 to the chemical solution flow channel 42, and a chemical solution in the chemical solution flow channel 42 And a circulation channel 40 that returns to the chemical tank 41.

処理液供給システムは、薬液流路４２を開閉する供給バルブ４５と、循環流路４０を開閉する循環バルブ４６と、薬液流路４２に接続された供給流路４７とを含む。上流切替ユニットは、供給バルブ４５を含む。
処理液供給システムは、供給流路４７から供給された薬液をスリット吐出口３４に向けて案内する複数の上流流路４８と、複数の上流流路４８から供給された薬液をスリット吐出口３４に供給する集合流路５２とを含む。処理液供給システムは、さらに、複数の上流流路４８内を流れる液体の流量を検出する複数の流量計４９と、複数の上流流路４８内を流れる液体の流量を変更する複数の流量調整バルブ５０と、複数の上流流路４８をそれぞれ開閉する複数の吐出バルブ５１とを含む。図示はしないが、流量調整バルブ５０は、流路を開閉するバルブ本体と、バルブ本体の開度を変更するアクチュエータとを含む。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。 The treatment liquid supply system includes a supply valve 45 that opens and closes the chemical liquid flow path 42, a circulation valve 46 that opens and closes the circulation flow path 40, and a supply flow path 47 connected to the chemical liquid flow path 42. The upstream switching unit includes a supply valve 45.
The processing liquid supply system includes a plurality of upstream channels 48 that guide the chemical solution supplied from the supply channel 47 toward the slit discharge port 34, and a chemical solution supplied from the plurality of upstream channels 48 to the slit discharge port 34. And a collecting flow path 52 to be supplied. The processing liquid supply system further includes a plurality of flow meters 49 for detecting the flow rates of the liquid flowing in the plurality of upstream flow paths 48, and a plurality of flow rate adjusting valves for changing the flow rates of the liquid flowing in the plurality of upstream flow paths 48. 50 and a plurality of discharge valves 51 for opening and closing the plurality of upstream flow paths 48, respectively. Although not shown, the flow rate adjusting valve 50 includes a valve body that opens and closes the flow path and an actuator that changes the opening degree of the valve body. The actuator may be a pneumatic actuator or an electric actuator, or may be an actuator other than these.

処理液供給システムは、第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８内を流れる薬液を上流温度よりも高い下流温度で加熱する複数の下流ヒータ５３を含む。処理液供給システムは、さらに、複数の下流ヒータ５３よりも下流の位置で第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８にそれぞれ接続された複数のリターン流路５４と、複数のリターン流路５４をそれぞれ開閉する複数のリターンバルブ５５とを含む。下流切替ユニットは、複数の吐出バルブ５１と、複数のリターンバルブ５５とを含む。   The processing liquid supply system includes a plurality of downstream heaters 53 that heat the chemical liquid flowing in the plurality of upstream channels 48 other than the first upstream channel 48A at a downstream temperature higher than the upstream temperature. The processing liquid supply system further includes a plurality of return channels 54 respectively connected to a plurality of upstream channels 48 other than the first upstream channel 48A at a position downstream of the plurality of downstream heaters 53, and a plurality of return channels. And a plurality of return valves 55 for opening and closing the passages 54 respectively. The downstream switching unit includes a plurality of discharge valves 51 and a plurality of return valves 55.

処理液供給システムは、複数のリターン流路５４から供給された薬液を冷却するクーラー５６と、クーラー５６から薬液タンク４１に薬液を案内するタンク回収流路５７とを含む。複数のリターン流路５４からクーラー５６に供給された薬液は、クーラー５６によって上流温度に近づけられた後、タンク回収流路５７を介して薬液タンク４１に案内される。クーラー５６は、水冷ユニットまたは空冷ユニットであってもよいし、これら以外の冷却ユニットであってもよい。   The processing liquid supply system includes a cooler 56 that cools the chemical liquid supplied from the plurality of return flow paths 54, and a tank recovery flow path 57 that guides the chemical liquid from the cooler 56 to the chemical liquid tank 41. The chemical liquid supplied to the cooler 56 from the plurality of return flow paths 54 is guided to the chemical liquid tank 41 via the tank recovery flow path 57 after being brought close to the upstream temperature by the cooler 56. The cooler 56 may be a water cooling unit or an air cooling unit, or may be a cooling unit other than these.

次に、図１を参照して、スリット吐出口３４が薬液を吐出する吐出状態の処理液供給システムについて説明する。図１では、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
薬液タンク４１内の薬液は、ポンプ４４によって薬液流路４２に送られる。ポンプ４４によって送られた薬液は、上流ヒータ４３によって加熱された後、薬液流路４２から供給流路４７に流れ、供給流路４７から複数の上流流路４８に流れる。複数の上流流路４８に供給された薬液は、集合流路５２を介して複数の上流流路４８からスリット吐出口３４に供給される。これにより、複数の上流流路４８に供給された薬液がスリット吐出口３４から基板Ｗの上面に向けて吐出される。 Next, a processing liquid supply system in a discharge state in which the slit discharge port 34 discharges a chemical liquid will be described with reference to FIG. In FIG. 1, the open valve is shown in black and the closed valve is shown in white.
The chemical liquid in the chemical liquid tank 41 is sent to the chemical liquid flow path 42 by the pump 44. The chemical liquid sent by the pump 44 is heated by the upstream heater 43, then flows from the chemical liquid flow path 42 to the supply flow path 47, and flows from the supply flow path 47 to the plurality of upstream flow paths 48. The chemical solution supplied to the plurality of upstream channels 48 is supplied from the plurality of upstream channels 48 to the slit outlet 34 via the collecting channel 52. Thereby, the chemical solution supplied to the plurality of upstream channels 48 is discharged from the slit discharge port 34 toward the upper surface of the substrate W.

第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８に供給された薬液は、スリット吐出口３４に供給される前に、下流ヒータ５３によって加熱される。下流ヒータ５３による処理液の加熱温度（下流温度）は、上流ヒータ４３による処理液の加熱温度（上流温度）よりも高い。第２〜第４下流温度は、第２〜第４下流温度の順番で高くなっている。したがって、第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄ（図５参照）に供給される薬液の温度は、第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの順番で段階的に増加する。   The chemical solution supplied to the plurality of upstream channels 48 other than the first upstream channel 48 </ b> A is heated by the downstream heater 53 before being supplied to the slit outlet 34. The heating temperature (downstream temperature) of the processing liquid by the downstream heater 53 is higher than the heating temperature (upstream temperature) of the processing liquid by the upstream heater 43. The second to fourth downstream temperatures are higher in the order of the second to fourth downstream temperatures. Therefore, the temperature of the chemical solution supplied to the downstream end 48d (see FIG. 5) of the first upstream channel 48A to the fourth upstream channel 48D is stepped in the order of the first upstream channel 48A to the fourth upstream channel 48D. Increase.

次に、図２を参照して、スリット吐出口３４からの薬液の吐出が停止された吐出停止状態の処理液供給システムについて説明する。図２では、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
薬液タンク４１内の薬液は、ポンプ４４によって薬液流路４２に送られる。ポンプ４４によって送られた薬液の一部は、上流ヒータ４３によって加熱された後、循環流路４０を介して薬液タンク４１に戻る。ポンプ４４によって送られた残りの薬液は、薬液流路４２から供給流路４７に流れ、供給流路４７から第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８に流れる。 Next, with reference to FIG. 2, the processing liquid supply system in a discharge stopped state in which the discharge of the chemical liquid from the slit discharge port 34 is stopped will be described. In FIG. 2, open valves are shown in black and closed valves are shown in white.
The chemical liquid in the chemical liquid tank 41 is sent to the chemical liquid flow path 42 by the pump 44. A part of the chemical solution sent by the pump 44 is heated by the upstream heater 43 and then returns to the chemical solution tank 41 through the circulation channel 40. The remaining chemical liquid sent by the pump 44 flows from the chemical liquid flow path 42 to the supply flow path 47 and from the supply flow path 47 to the plurality of upstream flow paths 48 other than the first upstream flow path 48A.

第２上流流路４８Ｂ内の薬液は、第２上流流路４８Ｂに対応する下流ヒータ５３によって加熱された後、リターン流路５４を介してクーラー５６に流れる。第３上流流路４８Ｃおよび第４上流流路４８Ｄについては、第２上流流路４８Ｂと同様である。クーラー５６に供給された薬液は、クーラー５６で冷却された後、タンク回収流路５７を介して薬液タンク４１に戻る。これにより、ポンプ４４によって薬液流路４２に送られた全ての薬液が、薬液タンク４１に戻る。   The chemical in the second upstream flow path 48B is heated by the downstream heater 53 corresponding to the second upstream flow path 48B, and then flows to the cooler 56 through the return flow path 54. The third upstream channel 48C and the fourth upstream channel 48D are the same as the second upstream channel 48B. After the chemical liquid supplied to the cooler 56 is cooled by the cooler 56, it returns to the chemical liquid tank 41 via the tank recovery channel 57. As a result, all the chemical liquid sent to the chemical liquid flow path 42 by the pump 44 returns to the chemical liquid tank 41.

処理液の温度は、基板Ｗの処理に大きな影響を及ぼす場合がある。吐出停止中に下流ヒータ５３を停止させると、下流ヒータ５３の運転を再開したときに、下流ヒータ５３によって加熱された処理液の温度が意図する温度で安定するまでに時間がかかる。そのため、直ぐに処理液の吐出を再開することができず、スループットが低下する。
前述のように、吐出停止中であっても、薬液を下流ヒータ５３に流し続け、下流ヒータ５３に薬液を加熱させる。これにより、下流ヒータ５３の温度が安定した状態を維持できる。さらに、下流ヒータ５３によって加熱された薬液を薬液タンク４１に戻すので、薬液の消費量を低減できる。しかも、クーラー５６によって冷却した薬液を薬液タンク４１に戻すので、薬液タンク４１内の薬液の温度の変動を抑えることができる。 The temperature of the processing liquid may greatly affect the processing of the substrate W. If the downstream heater 53 is stopped while the discharge is stopped, it takes time for the temperature of the processing liquid heated by the downstream heater 53 to stabilize at the intended temperature when the operation of the downstream heater 53 is resumed. Therefore, the discharge of the processing liquid cannot be resumed immediately, and the throughput is reduced.
As described above, the chemical solution continues to flow through the downstream heater 53 even when the discharge is stopped, and the downstream heater 53 is heated. Thereby, the temperature of the downstream heater 53 can be maintained in a stable state. Furthermore, since the chemical solution heated by the downstream heater 53 is returned to the chemical solution tank 41, the consumption amount of the chemical solution can be reduced. In addition, since the chemical liquid cooled by the cooler 56 is returned to the chemical liquid tank 41, fluctuations in the temperature of the chemical liquid in the chemical liquid tank 41 can be suppressed.

図８は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例を説明するための工程図である。以下の各動作は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。以下では図３および図４を参照する。図８については適宜参照する。
処理ユニット２によって基板Ｗが処理されるときには、複数のノズル２６がスピンチャック１１の上方から退避しており、スプラッシュガード１７が下位置に位置している状態で、搬送ロボットのハンド（図示せず）によって、基板Ｗがチャンバー７内に搬入される。これにより、表面が上に向けられた状態で基板Ｗが複数のチャックピン１３の上に置かれる。その後、搬送ロボットのハンドがチャンバー７の内部から退避し、チャンバー７の搬入搬出口８ａがシャッター９で閉じられる。 FIG. 8 is a process diagram for explaining an example of the processing of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1. The following operations are executed by the control device 3 controlling the substrate processing apparatus 1. In the following, reference is made to FIG. 3 and FIG. 8 will be referred to as appropriate.
When the substrate W is processed by the processing unit 2, a plurality of nozzles 26 are retracted from above the spin chuck 11 and the splash guard 17 is positioned at the lower position (not shown). ), The substrate W is carried into the chamber 7. As a result, the substrate W is placed on the plurality of chuck pins 13 with the surface facing upward. Thereafter, the hand of the transfer robot is retracted from the inside of the chamber 7, and the loading / unloading port 8 a of the chamber 7 is closed by the shutter 9.

基板Ｗが複数のチャックピン１３の上に置かれた後は、複数のチャックピン１３が基板Ｗの周縁部に押し付けられ、基板Ｗが複数のチャックピン１３によって把持される。また、ガード昇降ユニット１８が、スプラッシュガード１７を下位置から上位置に移動させる。これにより、スプラッシュガード１７の上端が基板Ｗよりも上方に配置される。その後、スピンモータ１４が駆動され、基板Ｗの回転が開始される。これにより、基板Ｗが所定の液処理速度（たとえば数百ｒｐｍ）で回転する。   After the substrate W is placed on the plurality of chuck pins 13, the plurality of chuck pins 13 are pressed against the peripheral edge of the substrate W, and the substrate W is gripped by the plurality of chuck pins 13. Further, the guard lifting / lowering unit 18 moves the splash guard 17 from the lower position to the upper position. Thereby, the upper end of the splash guard 17 is disposed above the substrate W. Thereafter, the spin motor 14 is driven, and the rotation of the substrate W is started. Thereby, the substrate W is rotated at a predetermined liquid processing speed (for example, several hundred rpm).

次に、ノズル移動ユニット２４が、複数のノズル２６を待機位置から処理位置に移動させる。これにより、ノズルヘッド３３が平面視で基板Ｗに重なる。その後、複数の吐出バルブ５１等が制御され、薬液が複数のノズル２６から同時に吐出される（図８のステップＳ１）。複数のノズル２６は、ノズル移動ユニット２４が複数のノズル２６を静止させている状態で薬液を吐出する。複数の吐出バルブ５１が開かれてから所定時間が経過すると、複数のノズル２６からの薬液の吐出が同時に停止される（図８のステップＳ２）。その後、ノズル移動ユニット２４が、複数のノズル２６を処理位置から待機位置に移動させる。   Next, the nozzle moving unit 24 moves the plurality of nozzles 26 from the standby position to the processing position. Thereby, the nozzle head 33 overlaps the substrate W in plan view. Thereafter, the plurality of discharge valves 51 and the like are controlled, and the chemical liquid is simultaneously discharged from the plurality of nozzles 26 (step S1 in FIG. 8). The plurality of nozzles 26 discharge the chemical liquid in a state where the nozzle moving unit 24 stops the plurality of nozzles 26. When a predetermined time elapses after the plurality of discharge valves 51 are opened, the discharge of the chemical solution from the plurality of nozzles 26 is stopped simultaneously (step S2 in FIG. 8). Thereafter, the nozzle moving unit 24 moves the plurality of nozzles 26 from the processing position to the standby position.

複数のノズル２６から吐出された薬液は、基板Ｗの上面内の直線状の領域に同時に着液する（図７参照）。複数のノズル２６は、回転している基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する。そのため、基板Ｗと直線状の領域との相対的な位置関係は、基板Ｗの回転によって変化する。これにより、薬液が基板Ｗの上面全域に着液する。このようにして、薬液が基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆う薬液の液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、基板Ｗの上面全域が薬液で処理される。また、基板Ｗ上の薬液は、基板Ｗの上面周縁部から基板Ｗの周囲に飛散し、スプラッシュガード１７の内周面に受け止められる。   The chemicals discharged from the plurality of nozzles 26 are simultaneously deposited on a linear region in the upper surface of the substrate W (see FIG. 7). The plurality of nozzles 26 discharge the chemical liquid toward the upper surface of the rotating substrate W. For this reason, the relative positional relationship between the substrate W and the linear region changes as the substrate W rotates. As a result, the chemical solution is deposited on the entire upper surface of the substrate W. In this way, the chemical liquid is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and a liquid film of the chemical liquid covering the entire upper surface of the substrate W is formed on the substrate W. Thereby, the entire upper surface of the substrate W is treated with the chemical solution. Further, the chemical solution on the substrate W is scattered around the substrate W from the peripheral edge of the upper surface of the substrate W and is received by the inner peripheral surface of the splash guard 17.

複数のノズル２６からの薬液の吐出が停止された後は、リンス液バルブ２３が開かれ、リンス液ノズル２１からのリンス液（純水）の吐出が開始される（図８のステップＳ３）。これにより、基板Ｗ上の薬液がリンス液によって洗い流され、基板Ｗの上面全域を覆うリンス液の液膜が形成される。リンス液バルブ２３が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ２３が閉じられ、リンス液ノズル２１からのリンス液の吐出が停止される（図８のステップＳ４）。   After the discharge of the chemical liquid from the plurality of nozzles 26 is stopped, the rinse liquid valve 23 is opened, and the discharge of the rinse liquid (pure water) from the rinse liquid nozzle 21 is started (step S3 in FIG. 8). Thereby, the chemical liquid on the substrate W is washed away by the rinse liquid, and a liquid film of the rinse liquid covering the entire upper surface of the substrate W is formed. When a predetermined time elapses after the rinsing liquid valve 23 is opened, the rinsing liquid valve 23 is closed and the discharge of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle 21 is stopped (step S4 in FIG. 8).

リンス液ノズル２１からのリンス液の吐出が停止された後は、基板Ｗがスピンモータ１４によって回転方向に加速され、液処理速度よりも大きい乾燥速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗが回転する（図８のステップＳ５）。これにより、基板Ｗに付着しているリンス液が基板Ｗの周囲に振り切られ、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ１４および基板Ｗの回転が停止される。   After the discharge of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle 21 is stopped, the substrate W is accelerated in the rotation direction by the spin motor 14, and the substrate W rotates at a drying speed (for example, several thousand rpm) higher than the liquid processing speed. (Step S5 in FIG. 8). Thereby, the rinse liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W, and the substrate W is dried. When a predetermined time elapses after the high-speed rotation of the substrate W is started, the rotation of the spin motor 14 and the substrate W is stopped.

基板Ｗの回転が停止された後は、ガード昇降ユニット１８が、スプラッシュガード１７を上位置から下位置に移動させる。さらに、複数のチャックピン１３による基板Ｗの保持が解除される。搬送ロボットは、複数のノズル２６がスピンチャック１１の上方から退避しており、スプラッシュガード１７が下位置に位置している状態で、ハンドをチャンバー７の内部に進入させる。その後、搬送ロボットは、ハンドによってスピンチャック１１上の基板Ｗを取り、この基板Ｗをチャンバー７から搬出する。   After the rotation of the substrate W is stopped, the guard lifting / lowering unit 18 moves the splash guard 17 from the upper position to the lower position. Further, the holding of the substrate W by the plurality of chuck pins 13 is released. The transfer robot causes the hand to enter the chamber 7 with the plurality of nozzles 26 retracted from above the spin chuck 11 and the splash guard 17 is positioned at the lower position. Thereafter, the transfer robot takes the substrate W on the spin chuck 11 with the hand and carries the substrate W out of the chamber 7.

図９は、基板Ｗのエッチング量の分布を示すグラフである。
図９に示す測定値Ａ〜測定値Ｂにおける基板Ｗの処理条件は、薬液を吐出するノズルを除き、同一である。
測定値Ａは、ノズルヘッド３３が取り外された複数のノズル２６を静止させながら、複数のノズル２６に薬液を吐出させて、基板Ｗをエッチングしたときのエッチング量の分布を示している。すなわち、測定値Ａは、４本のノズル本体２７にそれぞれ設けられた４つの吐出口（第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄに相当するもの）に薬液を吐出させたときのエッチング量の分布を示している。 FIG. 9 is a graph showing the distribution of the etching amount of the substrate W.
The processing conditions of the substrate W in the measurement values A to B shown in FIG. 9 are the same except for the nozzle that discharges the chemical solution.
The measured value A indicates the distribution of the etching amount when the substrate W is etched by discharging the chemical liquid to the plurality of nozzles 26 while the plurality of nozzles 26 from which the nozzle head 33 has been removed is stationary. That is, the measured value A is a chemical solution discharged to four discharge ports (corresponding to the downstream end 48d of the first upstream flow path 48A to the fourth upstream flow path 48D) provided in the four nozzle bodies 27, respectively. The distribution of the etching amount is shown.

測定値Ｂは、１つの吐出口（第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄに相当するもの）だけに薬液を吐出させ、薬液の着液位置を基板Ｗの上面中央部で固定したときのエッチング量の分布を示している。
測定値Ｂでは、基板Ｗの中央部から離れるにしたがってエッチング量が減少しており、エッチング量の分布が山形の曲線を示している。つまり、エッチング量は、薬液の着液位置で最も大きく、着液位置から離れるにしたがって減少している。これに対して、測定値Ａでは、測定値Ｂと比較して、基板Ｗの中央部以外の位置でのエッチング量が増加しており、エッチングの均一性が大幅に改善されている。 The measured value B is etching when the chemical liquid is discharged only to one discharge port (corresponding to the downstream end 48d of the first upstream flow path 48A) and the liquid solution landing position is fixed at the center of the upper surface of the substrate W. The distribution of quantity is shown.
In the measured value B, the etching amount decreases as the distance from the central portion of the substrate W increases, and the distribution of the etching amount shows a mountain-shaped curve. That is, the etching amount is greatest at the position where the chemical solution is deposited, and decreases as the chemical solution is separated from the position. On the other hand, in the measured value A, compared with the measured value B, the etching amount at a position other than the central portion of the substrate W is increased, and the etching uniformity is greatly improved.

測定値Ａでは、７つの山が形成されている。真ん中の山の頂点は、最も内側の着液位置に対応する位置であり、その外側の２つの山の頂点は、内側から２番目の着液位置に対応する位置である。さらに外側の２つの山の位置は、内側から３番目の着液位置に対応する位置であり、最も外側の２つの山の位置は、内側から４番目の着液位置に対応する位置である。   In the measurement value A, seven peaks are formed. The peak of the middle peak is a position corresponding to the innermost liquid landing position, and the peak of two outer peaks is a position corresponding to the second liquid landing position from the inside. Further, the positions of the two outer crests are positions corresponding to the third liquid landing position from the inner side, and the positions of the two outermost crests are positions corresponding to the fourth liquid landing position from the inner side.

このように、径方向Ｄｒに並んだ複数の吐出口から基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出させると、薬液は、径方向Ｄｒに離れた複数の着液位置に着液する。着液位置でのエッチングレートは、隣接する２つの着液位置の間の位置でのエッチングレートよりも高い。そのため、処理の均一性が低下してしまう。したがって、スリット吐出口３４から吐出された薬液を径方向Ｄｒに連続した直線状の領域に着液させることにより、このような均一性の低下を防止できる。   As described above, when the chemical liquid is ejected from the plurality of ejection ports arranged in the radial direction Dr toward the upper surface of the substrate W, the chemical liquid is deposited at a plurality of liquid deposition positions separated in the radial direction Dr. The etching rate at the liquid landing position is higher than the etching rate at a position between two adjacent liquid landing positions. As a result, the uniformity of processing is reduced. Therefore, by causing the chemical solution discharged from the slit discharge port 34 to land on a linear region continuous in the radial direction Dr, such a decrease in uniformity can be prevented.

以上のように本実施形態では、処理液が、供給流路４７から全ての上流流路４８に供給され、全ての上流流路４８から集合流路５２に供給される。集合流路５２に供給された処理液は、スリット吐出口３４から基板Ｗの上面に向けて吐出される。これにより、基板Ｗの上面中央部と基板Ｗの上面周縁部との間で径方向Ｄｒに延びる帯状の液膜が、スリット吐出口３４と基板Ｗとの間に形成され、基板Ｗの上面内の直線状の領域に着液する。したがって、径方向Ｄｒに並んだ複数の吐出口から処理液を吐出させる場合と比較して、処理の均一性を高めることができる。   As described above, in this embodiment, the processing liquid is supplied from the supply channel 47 to all the upstream channels 48 and is supplied from all the upstream channels 48 to the collective channel 52. The processing liquid supplied to the collecting channel 52 is discharged from the slit discharge port 34 toward the upper surface of the substrate W. As a result, a strip-shaped liquid film extending in the radial direction Dr between the center of the upper surface of the substrate W and the peripheral edge of the upper surface of the substrate W is formed between the slit discharge port 34 and the substrate W, The liquid deposits on the linear area. Therefore, the processing uniformity can be improved as compared with the case where the processing liquid is discharged from a plurality of discharge ports arranged in the radial direction Dr.

また、第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄに供給される処理液の温度は、回転軸線Ａ１から下流端４８ｄまでの距離が増加するにしたがって高まる。複数の下流端４８ｄの真下の位置には、複数の下流端４８ｄに供給された処理液と同じまたはほぼ同じ温度の処理液が着液する。これに対して、前記真下の位置の間の位置には、隣接する２つの複数の下流端４８ｄに供給された処理液の混合液が着液する。つまり、互いに異なる温度の処理液が隣接する２つの複数の下流端４８ｄに供給され、この２つの温度の間の温度の処理液が、前記真下の位置の間の位置に着液する。   In addition, the temperature of the processing liquid supplied to the downstream end 48d of the first upstream channel 48A to the fourth upstream channel 48D increases as the distance from the rotation axis A1 to the downstream end 48d increases. A treatment liquid having the same or substantially the same temperature as the treatment liquid supplied to the plurality of downstream ends 48d is deposited at a position directly below the plurality of downstream ends 48d. On the other hand, the mixed liquid of the processing liquid supplied to two adjacent downstream ends 48d is deposited at a position between the positions immediately below. That is, processing liquids having different temperatures are supplied to two adjacent downstream ends 48d, and the processing liquid having a temperature between the two temperatures is deposited at a position between the positions immediately below.

このように、スリット吐出口３４の各位置での処理液の温度が、回転軸線Ａ１から離れるにしたがって段階的または連続的に増加するので、均一な温度の処理液をスリット吐出口３４から吐出させる場合と比較して、基板Ｗ上での処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理の均一性をさらに高めることができる。したがって、基板Ｗの上面中央部だけに処理液を着液させる場合と比較して、基板Ｗに供給される処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。   As described above, the temperature of the processing liquid at each position of the slit discharge port 34 increases stepwise or continuously as the distance from the rotation axis A1 increases, so that the processing liquid having a uniform temperature is discharged from the slit discharge port 34. Compared with the case, the uniformity of the temperature of the processing liquid on the substrate W can be improved. Thereby, the uniformity of a process can further be improved. Therefore, as compared with the case where the processing liquid is deposited only on the center of the upper surface of the substrate W, the processing uniformity can be improved while reducing the consumption of the processing liquid supplied to the substrate W.

また本実施形態では、スリット吐出口３４が、平面視で基板Ｗの上面中央部および上面周縁部に重なっている。スリット吐出口３４から吐出された処理液は、基板Ｗの上面中央部および上面周縁部を含む直線状の領域に同時に着液する。スリット吐出口３４は、回転している基板Ｗの上面に向けて処理液を吐出する。基板Ｗと直線状の領域との相対的な位置関係は、基板Ｗの回転によって変化する。これにより、処理液が基板Ｗの上面全域に着液するので、処理の均一性を高めることができる。   Further, in the present embodiment, the slit discharge port 34 overlaps the upper surface central portion and the upper surface peripheral portion of the substrate W in plan view. The processing liquid discharged from the slit discharge port 34 is simultaneously deposited on a linear region including the central portion of the upper surface of the substrate W and the peripheral portion of the upper surface. The slit discharge port 34 discharges the processing liquid toward the upper surface of the rotating substrate W. The relative positional relationship between the substrate W and the linear region changes as the substrate W rotates. Thereby, since the processing liquid is deposited on the entire upper surface of the substrate W, the uniformity of the processing can be improved.

また本実施形態では、スリット吐出口３４の幅Ｗ１が狭いので、上流流路４８に供給された処理液の一部は、スリット吐出口３４に到達する前に集合流路５２内で長手方向に広がり、上流流路４８に供給された残りの処理液は、集合流路５２内でスリット吐出口３４の長手方向に広がることなくスリット吐出口３４に到達する。そのため、処理液の一部は、他の上流流路４８に供給された処理液と集合流路５２の内部または基板Ｗとスリット吐出口３４との間の空間で混ざり合う。これにより、基板Ｗに供給される処理液の温度を、回転軸線Ａ１から離れるにしたがって段階的または連続的に増加させることができる。   Further, in the present embodiment, since the width W1 of the slit discharge port 34 is narrow, a part of the processing liquid supplied to the upstream flow channel 48 is longitudinal in the collective flow channel 52 before reaching the slit discharge port 34. The remaining processing liquid that spreads and is supplied to the upstream flow path 48 reaches the slit discharge port 34 without spreading in the longitudinal direction of the slit discharge port 34 in the collecting flow path 52. Therefore, a part of the processing liquid mixes with the processing liquid supplied to the other upstream flow path 48 and the space inside the collecting flow path 52 or between the substrate W and the slit discharge port 34. Thereby, the temperature of the processing liquid supplied to the substrate W can be increased stepwise or continuously as the temperature increases away from the rotation axis A1.

また本実施形態では、複数のアーム部２８の先端２８ａが平面視で径方向Ｄｒに並んでいる（図４参照）。複数のアーム部２８の先端２８ａが平面視で径方向Ｄｒに並ぶように、同じ長さの複数のノズル２６を長手方向Ｄ１に直交する水平方向に並べると、複数のノズル２６全体の幅が増加する（図１０参照）。複数のアーム部２８の先端２８ａが平面視で径方向Ｄｒに並ぶように、長さが異なる複数のノズル２６を鉛直方向に並べると、複数のノズル２６全体の高さが増加する（図１１参照）。   Moreover, in this embodiment, the front-end | tip 28a of the several arm part 28 is located in a line with radial direction Dr by planar view (refer FIG. 4). When the plurality of nozzles 26 having the same length are arranged in the horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction D1 so that the tips 28a of the plurality of arm portions 28 are arranged in the radial direction Dr in a plan view, the width of the plurality of nozzles 26 is increased. (See FIG. 10). When a plurality of nozzles 26 having different lengths are arranged in the vertical direction so that the tips 28a of the plurality of arm portions 28 are arranged in the radial direction Dr in plan view, the overall height of the plurality of nozzles 26 increases (see FIG. 11). ).

これに対して、本実施形態では、複数のアーム部２８を長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２に並べる。さらに、複数のアーム部２８の先端２８ａが長手方向Ｄ１に関して回転軸線Ａ１側から第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で並ぶように、複数のアーム部２８の先端２８ａを長手方向Ｄ１にずらす（図４参照）。これにより、複数のノズル２６全体の幅および高さの両方を抑えながら、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの先端２８ａを平面視で径方向Ｄｒに並べることができる。   In contrast, in the present embodiment, the plurality of arm portions 28 are arranged in a horizontal arrangement direction D2 orthogonal to the longitudinal direction D1. Further, the distal ends 28a of the plurality of arm portions 28 are shifted in the longitudinal direction D1 so that the distal ends 28a of the plurality of arm portions 28 are arranged in the order of the first nozzle 26A to the fourth nozzle 26D from the rotation axis A1 side with respect to the longitudinal direction D1. (See FIG. 4). Thereby, the front-end | tip 28a of 1st nozzle 26A-4th nozzle 26D can be arranged in radial direction Dr in planar view, suppressing both the width | variety and height of the some nozzle 26 whole.

また本実施形態では、複数の上流流路４８の上流端が流体ボックス５内に配置されている。供給流路４７は、流体ボックス５内で複数の上流流路４８に分岐している。したがって、供給流路４７が流体ボックス５よりも上流の位置で複数の上流流路４８に分岐している場合と比較して、各上流流路４８の長さ（液体が流れる方向の長さ）を短縮できる。これにより、処理液から上流流路４８への伝熱による処理液の温度低下を抑制できる。   In the present embodiment, the upstream ends of the plurality of upstream flow paths 48 are arranged in the fluid box 5. The supply flow path 47 is branched into a plurality of upstream flow paths 48 in the fluid box 5. Therefore, compared with the case where the supply flow path 47 is branched into a plurality of upstream flow paths 48 at a position upstream of the fluid box 5, the length of each upstream flow path 48 (the length in the direction in which the liquid flows). Can be shortened. Thereby, the temperature fall of the process liquid by the heat transfer from the process liquid to the upstream flow path 48 can be suppressed.

本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前記実施形態では、ノズル２６の数が、４本である場合について説明したが、ノズル２６の数は、２または３本であってもよいし、５本以上であってもよい。
前記実施形態では、スリット吐出口３４が基板Ｗの上面に対して垂直な吐出方向に処理液を吐出する場合について説明したいが、スリット吐出口３４は、基板Ｗの上面に対して斜めに傾いた吐出方向に処理液を吐出してもよい。 Although the description of the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the contents of the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention.
For example, in the embodiment, the case where the number of the nozzles 26 is four has been described, but the number of the nozzles 26 may be two or three, or may be five or more.
In the above-described embodiment, a case where the slit discharge port 34 discharges the processing liquid in a discharge direction perpendicular to the upper surface of the substrate W is described. However, the slit discharge port 34 is inclined obliquely with respect to the upper surface of the substrate W. The treatment liquid may be discharged in the discharge direction.

前記実施形態では、スリット吐出口３４の幅Ｗ１が一定である場合について説明したが、スリット吐出口３４の幅Ｗ１は一定でなくてもよい。たとえば、スリット吐出口３４の幅Ｗ１は、回転軸線Ａ１から離れるにしたがって段階的または連続的に増加していてもよい。
前記実施形態では、ノズルヘッド３３が、全てのノズル（第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄ）に接続されている場合について説明したが、４本のノズルの１本または２本が、ノズルヘッド３３に接続されていなくてもよい。たとえば図１２に示すように、ノズルヘッド３３は、第２ノズル２６Ｂ〜第４ノズル２６Ｄだけに接続されていてもよい。この場合、第１ノズル２６Ａに供給された処理液は、第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄから基板Ｗの上面中央部に向けて吐出される。 In the embodiment, the case where the width W1 of the slit discharge port 34 is constant has been described, but the width W1 of the slit discharge port 34 may not be constant. For example, the width W1 of the slit discharge port 34 may increase stepwise or continuously as the distance from the rotation axis A1 increases.
In the embodiment, the case where the nozzle head 33 is connected to all the nozzles (the first nozzle 26 </ b> A to the fourth nozzle 26 </ b> D) has been described, but one or two of the four nozzles are the nozzle head 33. It does not have to be connected to. For example, as shown in FIG. 12, the nozzle head 33 may be connected only to the second nozzle 26B to the fourth nozzle 26D. In this case, the processing liquid supplied to the first nozzle 26A is discharged from the downstream end 48d of the first upstream channel 48A toward the center of the upper surface of the substrate W.

前記実施形態では、薬液タンク４１に向かってリターン流路５４を流れる薬液をクーラー５６で冷却する場合について説明したが、クーラー５６を省略してもよい。
制御装置３は、吐出停止状態のときに供給流路４７から複数の上流流路４８に供給される処理液の流量を、吐出状態のときに供給流路４７から複数の上流流路４８に供給される処理液の流量よりも減少させてもよい。この場合、吐出停止中にリターン流路５４から薬液タンク４１に戻る薬液の流量が減少するので、薬液タンク４１内の薬液に与えられる熱量を低減でき、液温の変動を抑えることができる。 In the above embodiment, the case where the chemical liquid flowing through the return channel 54 toward the chemical liquid tank 41 is cooled by the cooler 56 has been described, but the cooler 56 may be omitted.
The control device 3 supplies the flow rate of the processing liquid supplied from the supply flow path 47 to the plurality of upstream flow paths 48 when the discharge is stopped, and supplies the plurality of upstream flow paths 48 from the supply flow path 47 when the discharge state is set. The flow rate of the processed liquid may be reduced. In this case, since the flow rate of the chemical liquid returning from the return flow path 54 to the chemical liquid tank 41 during the discharge stop is reduced, the amount of heat given to the chemical liquid in the chemical liquid tank 41 can be reduced, and fluctuations in the liquid temperature can be suppressed.

前記実施形態では、吐出停止中に下流ヒータ５３によって加熱された液体を、上流流路４８からリターン流路５４に流す場合について説明したが、吐出停止中に下流ヒータ５３を停止させる場合は、リターン流路５４を省略してもよい。
前記実施形態では、下流ヒータ５３が第１上流流路４８Ａに設けられておらず、第１上流流路４８Ａ以外の全ての上流流路４８に下流ヒータ５３が設けられている場合について説明したが、第１上流流路４８Ａを含む全ての上流流路４８に下流ヒータ５３が設けられていてもよい。 In the above embodiment, the case where the liquid heated by the downstream heater 53 while the discharge is stopped is flowed from the upstream channel 48 to the return channel 54. However, when the downstream heater 53 is stopped while the discharge is stopped, the return is performed. The flow path 54 may be omitted.
In the above embodiment, the case where the downstream heater 53 is not provided in the first upstream flow path 48A and the downstream heaters 53 are provided in all the upstream flow paths 48 other than the first upstream flow path 48A has been described. The downstream heaters 53 may be provided in all the upstream channels 48 including the first upstream channel 48A.

前記実施形態では、複数のノズル２６を静止させながら、複数のノズル２６に薬液を吐出させる場合について説明したが、複数のノズル２６をノズル回動軸線Ａ２まわりに回動させながら、複数のノズル２６に薬液を吐出させてもよい。
前記実施形態では、供給流路４７に薬液を供給する薬液流路４２が設けられている場合について説明したが、供給流路４７に液体を供給する複数の処理液流路が設けられていてもよい。 In the above-described embodiment, the case has been described in which the plurality of nozzles 26 are stationary and the plurality of nozzles 26 discharge chemicals. However, the plurality of nozzles 26 is rotated while the plurality of nozzles 26 are rotated around the nozzle rotation axis A2. Alternatively, the chemical solution may be discharged.
In the above-described embodiment, the case where the chemical flow path 42 for supplying the chemical liquid is provided in the supply flow path 47 has been described. However, even if a plurality of processing liquid flow paths for supplying the liquid to the supply flow path 47 are provided. Good.

たとえば、第１液体が第１液体流路から供給流路４７に供給され、第２液体が第２液体流路から供給流路４７に供給されてもよい。この場合、第１液体および第２液体が供給流路４７で混合されるので、第１液体および第２液体を含む混合液が、供給流路４７から複数の上流流路４８に供給される。第１液体および第２液体は、同種の液体であってもよいし、異なる種類の液体であってもよい。第１液体および第２液体の具体例は、硫酸および過酸化水素水の組み合わせと、ＴＭＡＨおよび純水の組み合わせである。   For example, the first liquid may be supplied from the first liquid channel to the supply channel 47, and the second liquid may be supplied from the second liquid channel to the supply channel 47. In this case, since the first liquid and the second liquid are mixed in the supply flow path 47, the mixed liquid containing the first liquid and the second liquid is supplied from the supply flow path 47 to the plurality of upstream flow paths 48. The first liquid and the second liquid may be the same type of liquid or different types of liquid. Specific examples of the first liquid and the second liquid are a combination of sulfuric acid and hydrogen peroxide water, and a combination of TMAH and pure water.

制御装置３は、基板Ｗの表面の各部に供給される処理液の温度を処理前の薄膜の厚みに応じて制御することにより、処理後の薄膜の厚みを均一化してもよい。
図１３は、処理前後における薄膜の厚みと基板Ｗに供給される処理液の温度とのイメージを示すグラフである。図１３の一点鎖線は、処理前の膜厚を示しており、図１３の二点鎖線は、処理後の膜厚を示している。図１３の実線は、基板Ｗに供給される処理液の温度を示している。図１３の横軸は、基板Ｗの半径を示している。処理前の膜厚は、基板処理装置１以外の装置（たとえば、ホストコンピュータ）から基板処理装置１に入力されてもよいし、基板処理装置１に設けられた測定機によって測定されてもよい。 The control device 3 may equalize the thickness of the thin film after processing by controlling the temperature of the processing liquid supplied to each part of the surface of the substrate W according to the thickness of the thin film before processing.
FIG. 13 is a graph showing an image of the thickness of the thin film and the temperature of the processing liquid supplied to the substrate W before and after the processing. The one-dot chain line in FIG. 13 indicates the film thickness before processing, and the two-dot chain line in FIG. 13 indicates the film thickness after processing. The solid line in FIG. 13 indicates the temperature of the processing liquid supplied to the substrate W. The horizontal axis in FIG. 13 indicates the radius of the substrate W. The film thickness before processing may be input to the substrate processing apparatus 1 from an apparatus (for example, a host computer) other than the substrate processing apparatus 1 or may be measured by a measuring machine provided in the substrate processing apparatus 1.

図１３に示す例の場合、制御装置３は、処理液の温度が処理前の膜厚と同様に変化するように、基板処理装置１を制御してもよい。具体的には、制御装置３は、複数の上流流路４８での処理液の温度が、処理前の膜厚に応じた温度となるように、複数の下流ヒータ５３を制御してもよい。
この場合、処理前の膜厚が相対的に大きい位置に相対的に高温の処理液が供給され、処理前の膜厚が相対的に小さい位置に相対的に低温の処理液が供給される。基板Ｗの表面に形成された薄膜のエッチング量は、高温の処理液が供給される位置で相対的に増加し、低温の処理液が供給される位置で相対的に減少する。そのため、処理後の薄膜の厚みが均一化される。 In the case of the example shown in FIG. 13, the control device 3 may control the substrate processing device 1 so that the temperature of the processing liquid changes in the same manner as the film thickness before processing. Specifically, the control device 3 may control the plurality of downstream heaters 53 so that the temperature of the processing liquid in the plurality of upstream channels 48 becomes a temperature corresponding to the film thickness before processing.
In this case, a relatively high temperature processing liquid is supplied to a position where the film thickness before processing is relatively large, and a relatively low temperature processing liquid is supplied to a position where the film thickness before processing is relatively small. The etching amount of the thin film formed on the surface of the substrate W relatively increases at a position where a high temperature processing liquid is supplied, and relatively decreases at a position where a low temperature processing liquid is supplied. Therefore, the thickness of the thin film after processing is made uniform.

前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の２つ以上が組み合わされてもよい。   Two or more of all the aforementioned configurations may be combined. Two or more of all the above steps may be combined.

１ ：基板処理装置
１１ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
２６Ａ〜２６Ｄ ：第１〜第４ノズル
２７ ：ノズル本体
２８ ：アーム部
２９ ：先端部
３３ ：ノズルヘッド
３４ ：スリット吐出口
４１ ：薬液タンク
４２ ：薬液流路
４３ ：上流ヒータ
４５ ：供給バルブ
４７ ：供給流路
４８Ａ ：第１上流流路（主上流流路）
４８Ｂ ：第２上流流路（副上流流路）
４８Ｃ ：第３上流流路（副上流流路）
４８Ｄ ：第４上流流路（副上流流路）
４８ｄ ：上流流路の下流端
５１ ：吐出バルブ（下流切替ユニット）
５２ ：集合流路
５３ ：下流ヒータ
５４ ：リターン流路
５５ ：リターンバルブ（下流切替ユニット）
Ａ１ ：回転軸線
Ｄｒ ：径方向
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：スリット吐出口の幅
1: Substrate processing apparatus 11: Spin chuck (substrate holding unit)
26A-26D: 1st-4th nozzle 27: Nozzle main body 28: Arm part 29: Tip part 33: Nozzle head 34: Slit discharge port 41: Chemical liquid tank 42: Chemical liquid flow path 43: Upstream heater 45: Supply valve 47: Supply channel 48A: first upstream channel (main upstream channel)
48B: 2nd upstream flow path (sub upstream flow path)
48C: 3rd upstream flow path (sub upstream flow path)
48D: 4th upstream flow path (sub upstream flow path)
48d: downstream end of upstream flow path 51: discharge valve (downstream switching unit)
52: Collective flow path 53: Downstream heater 54: Return flow path 55: Return valve (downstream switching unit)
A1: rotation axis Dr: radial direction W: substrate W1: width of slit discharge port

Claims (4)

基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、
供給流路と、複数の上流流路と、複数の下流ヒータと、集合流路と、スリット吐出口と、を含み、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を供給する処理液供給システムとを含み、
前記供給流路は、前記複数の上流流路に分岐しており、処理液を前記複数の上流流路に向けて案内し、
前記複数の上流流路は、前記回転軸線に直交する径方向に平面視で並んだ複数の副下流端を有する複数の副上流流路と、前記複数の副下流端よりも前記回転軸線側に配置された主下流端を有する主上流流路とを含み、
前記複数の下流ヒータは、前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副下流端に供給される処理液の温度が前記回転軸線から前記副下流端までの距離が増加するにしたがって高まるように前記複数の副上流流路を流れる処理液を加熱し、
前記集合流路は、前記複数の副上流流路に接続されており、
前記スリット吐出口は、前記複数の副上流流路よりも下流の位置で前記集合流路に接続されており、平面視で前記基板の上面中央部と前記基板の上面周縁部との間で径方向に延びるスリット状であり、前記集合流路から供給された処理液を前記基板の上面に向けて吐出する、基板処理装置。 A substrate holding unit that rotates around a vertical rotation axis passing through the center of the substrate while holding the substrate horizontally;
A treatment liquid supply that includes a supply flow path, a plurality of upstream flow paths, a plurality of downstream heaters, a collecting flow path, and a slit discharge port, and supplies a treatment liquid to a substrate held by the substrate holding unit Including the system,
The supply channel is branched into the plurality of upstream channels, and guides the processing liquid toward the plurality of upstream channels,
The plurality of upstream flow paths include a plurality of sub-upstream paths having a plurality of sub-downstream ends arranged in a plan view in a radial direction perpendicular to the rotation axis, and closer to the rotation axis than the plurality of sub-downstream ends. A main upstream flow path having a main downstream end disposed;
The plurality of downstream heaters are respectively connected to the plurality of sub-upstream flow paths, and the temperature of the processing liquid supplied to the plurality of sub-downstream ends increases the distance from the rotation axis to the sub-downstream end. Heating the treatment liquid flowing through the plurality of sub-upstream channels so as to increase in accordance with
The collective flow path is connected to the plurality of sub-upstream flow paths,
The slit discharge port is connected to the collective flow path at a position downstream of the plurality of sub-upstream flow paths, and has a diameter between a central portion of the upper surface of the substrate and a peripheral edge portion of the upper surface of the substrate in plan view. A substrate processing apparatus, which has a slit shape extending in a direction, and discharges the processing liquid supplied from the collecting channel toward the upper surface of the substrate. 前記スリット吐出口は、平面視で前記基板の上面中央部から前記基板の上面周縁部まで径方向に延びている、請求項１に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the slit discharge port extends in a radial direction from a central portion of the upper surface of the substrate to a peripheral portion of the upper surface of the substrate in a plan view. 平面視において、前記スリット吐出口の幅は、前記副上流流路の前記副下流端の幅よりも小さい、請求項１または２に記載の基板処理装置。   3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a width of the slit discharge port is smaller than a width of the sub-downstream end of the sub-upstream channel in a plan view. 前記処理液供給システムは、複数のリターン流路と、下流切替ユニットとをさらに含み、
前記複数のリターン流路は、前記複数の下流ヒータよりも下流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、
前記下流切替ユニットは、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記スリット吐出口に供給される吐出状態と、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記複数のリターン流路に供給される吐出停止状態と、を含む複数の状態のいずれかに切り替わる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The processing liquid supply system further includes a plurality of return flow paths and a downstream switching unit,
The plurality of return channels are respectively connected to the plurality of sub-upstream channels at positions downstream from the plurality of downstream heaters,
The downstream switching unit includes a discharge state in which the processing liquid supplied from the supply flow path to the plurality of upstream flow paths is supplied to the slit discharge port, and is supplied from the supply flow path to the plurality of upstream flow paths. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is switched to any of a plurality of states including a discharge stop state in which the processing liquid is supplied to the plurality of return flow paths.
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