JP2016138764A - 半導体素子試験装置及びクリーニングシート - Google Patents

Abstract

【課題】低コストで、確実にコンタクトピンに付着している異物を除去することのできる半導体素子試験装置を提供する。【解決手段】テスタと、ハンドラと、前記テスタに設けられた試験ソケットと、前記試験ソケットに設けられたコンタクトピンと、前記ハンドラに設けられ、半導体素子を吸着する吸着面を含み、前記半導体素子を搬送するクランパと、前記クランパに設けられ、前記吸着面を覆うクリーニングシートと、を含み、前記クリーニングシートは、基材の上の一部又は全部に研磨層が設けられており、前記吸着面に対し移動させることができるものであって、前記半導体素子は、前記吸着面に前記クリーニングシートを介して吸着させるものであって、前記コンタクトピンのクリーニングは、前記クランパにより、前記クリーニングシートの前記研磨層を前記コンタクトピンに接触させることにより行うことを特徴とする半導体素子試験装置により上記課題を解決する。【選択図】 図６

Description

本発明は、半導体素子試験装置及びクリーニングシートに関するものである。

パッケージングされた半導体素子における電気的な特性の試験を行う試験装置として、テスタとハンドラからなる半導体素子試験装置がある。この半導体素子試験装置を用いて半導体素子の電気的特性の試験を行う際には、テスタに接続されているテストヘッドの試験ソケットに、半導体素子を設置して試験を行う。具体的には、ハンドラのクランパにより半導体素子を吸着し、試験ソケットの上まで搬送した後、半導体素子の電極端子を試験ソケット内のコンタクトピンと接触するように押しつけた状態で、半導体素子の電気的な特性の試験を行う。

ところで、半導体素子のパッケージがボールグリッドアレイの場合、電極端子は半田により形成されているため、半導体素子の電気的特性の試験を行うと、ソケットのコンタクトピンに、半導体素子における電極端子の半田等の異物が付着する場合がある。コンタクトピンに半田等の異物が付着すると、導通不良となり正確な試験が行うことができなくなるため、半導体素子の試験を所定の回数行った後、コンタクトピンをクリーニングすることが行われている。

特開２００６−１５３６７３号公報

図１に基づき半導体素子の搬送及び試験、試験ソケットにおけるコンタクトピンのクリーニングについて説明する。

図１（ａ）に示されるように、半導体素子９１０は、ハンドラにおけるクランパ９２０により吸着されて搬送される。クランパ９２０には、中央部分に吸着穴９２１が設けられており、半導体素子９１０の電極端子９１１が設けられている側とは反対側の面をクランパ９２０の吸着面９２０ａに接触させ、吸着穴９２１の内部の圧力を負圧にすることにより半導体素子９１０を吸着する。クランパ９２０に吸着された半導体素子９１０は、試験ボード９４０に搭載されている試験ソケット９３０の上まで搬送される。

この後、図１（ｂ）に示すように、試験ソケット９３０内におけるコンタクトピン９５０と半導体素子９１０の電極端子９１１とが接触するように押しつけた状態で、試験ボード９４０を介して半導体素子９１０の試験を行う。半導体素子９１０の試験を行った後は、半導体素子９１０は、クランパ９２０により試験ソケット９３０より外され、所定の収納位置に収納される。この後、次に試験される半導体素子９１０が、同様に、クランパ９２０に吸着されて搬送され、試験ソケット９３０に押さえ付けられて試験が行われる。半導体素子９１０の試験においては、このような試験が繰り返し行われるが、このような試験を繰り返すことにより、試験ソケット９３０におけるコンタクトピン９５０には、半導体素子９１０における電極端子９１１の半田等の異物が付着する場合がある。

コンタクトピン９５０に半田等の異物が付着すると、半導体素子９１０の試験が正確に行われない場合があるため、通常は、半導体素子９１０を所定の回数試験した後、コンタクトピン９５０のクリーニングが行われている。具体的には、図２（ａ）に示すように、クリーニングデバイス９６０をクランパ９２０に吸着させて、クリーニングデバイス９６０によりコンタクトピン９５０のクリーニングが行われている。クリーニングデバイス９６０は、基材部９６１の一方の面に研磨層９６２が設けられている構造のものである。クリーニングデバイス９６０によるコンタクトピン９５０のクリーニングは、クリーニングデバイス９６０の基材部９６１の他方の面をクランパ９２０に吸着して、研磨層９６２をコンタクトピン９５０に押さえ付けることにより行われる。基材部９６１は、半導体素子９１０のパッケージと略同じ大きさで形成されている。クランパ９２０は、半導体素子９１０の試験が所定の回数行われると、自動でクリーニングデバイス９６０の基材部９６１の他方の面を吸着し、コンタクトピン９５０のクリーニングを行うことを繰り返す。

ところで、上述したクリーニング方法では、コンタクトピン９５０のクリーニングを行うことにより、クリーニングデバイス９６０の研磨層９６２にコンタクトピン９５０に付着していた半田等の異物が付着する場合がある。クリーニングにおいては、コンタクトピン９５０は、クリーニングデバイス９６０の研磨層９６２の略同じ部分が接触する。このため、コンタクトピン９５０のクリーニングを繰り返し行った場合には、研磨層９６２において半田等の異物が付着している部分が、クリーニングされるコンタクトピン９５０と接触する場合がある。この場合、クリーニングを行っても、研磨層９６２に付着している半田等の異物に邪魔され、コンタクトピン９５０に付着している半田等の異物が除去できない場合や、研磨層９６２に付着している半田等の異物がコンタクトピン９５０に付着する場合がある。従って、クリーニングデバイス９６０を用いてクリーニングを行っても、コンタクトピン９５０に異物が付着している状態のままであるため、半導体素子９１０の正確な試験を行うことができない場合がある。尚、コンタクトピン９５０のクリーニングを行う度に、新たなクリーニングデバイス９６０に交換すれば、コンタクトピン９５０のクリーニングを行うことが可能となるが、この場合、半導体素子の試験のコストが高くなるため好ましくない。

よって、低コストで、確実にコンタクトピンに付着している異物を除去することが可能な半導体素子試験装置が求められている。

本実施の形態の一観点によれば、テスタと、ハンドラと、前記テスタに設けられた試験ソケットと、前記試験ソケットに設けられたコンタクトピンと、前記ハンドラに設けられ、半導体素子を吸着する吸着面を含み、前記半導体素子を搬送するクランパと、前記クランパに設けられ、前記吸着面を覆うクリーニングシートと、を含み、前記クリーニングシートは、基材の上の一部又は全部に研磨層が設けられており、前記吸着面に対し移動させることができるものであって、前記半導体素子は、前記吸着面に前記クリーニングシートを介して吸着させるものであって、前記コンタクトピンのクリーニングは、前記クランパにより、前記クリーニングシートの前記研磨層を前記コンタクトピンに接触させることにより行うことを特徴とする。

開示の半導体素子試験装置によれば、低コストで、確実にコンタクトピンに付着している異物を除去することができる。

半導体素子試験装置におけるハンドラのクランパの説明図（１） 半導体素子試験装置におけるハンドラのクランパの説明図（２） 第１の実施の形態における半導体素子試験装置の構造図 試験ソケットの上面図 試験ソケットの断面図 第１の実施の形態における半導体素子試験装置のハンドラの説明図 第１の実施の形態におけるクリーニングシートの構造図 半導体素子試験装置により試験される半導体素子の説明図 クリーニングシートの研磨層の説明図 第１の実施の形態における半導体素子試験装置の制御方法のフローチャート 第１の実施の形態における半導体素子試験装置の制御方法の工程図（１） 第１の実施の形態における半導体素子試験装置の制御方法の工程図（２） 第２の実施の形態におけるクリーニングシートの構造図 第３の実施の形態におけるクリーニングシートの構造図 第４の実施の形態における半導体素子試験装置によるクリーニングの説明図

実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。

〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態における半導体素子試験装置について説明する。本実施の形態における半導体素子試験装置は、図３に示されるように、テスタ１０とハンドラ２０とを有している。テスタ１０とハンドラ２０とはケーブル１６により接続されており、テスタ１０において行われた試験の結果は、ハンドラ２０に伝送される。テスタ１０は、テスタ本体部１１、テストヘッド１２、試験ボード１３、試験ソケット１４等を有している。テスタ本体部１１とテストヘッド１２とはケーブル１７により接続されており、試験ボード１３はテストヘッド１２の上に設置されており、試験ソケット１４は試験ボード１３の上に設置されている。

また、図４及び図５に示されるように、試験ソケット１４には、不図示の半導体素子の電極端子に対応したコンタクトピン１５が複数設置されている。具体的には、試験ソケット１４は、ソケットベース１４ａと、ソケットベース１４ａの上に設置されるパッケージガイド１４ｂとを有している。複数のコンタクトピン１５は、ソケットベース１４ａ内に入れられており、上からパッケージガイド１４ｂが載せられている。尚、試験ソケット１４に半導体素子が設置され、半導体素子の試験が行われる状態においては、コンタクトピン１５の一方の端部は、半導体素子における電極端子と接触し、他方の端部は、試験ボード１３における不図示の電極端子と接触する。よって、半導体素子の電気的特性の試験を行う際には、コンタクトピン１５を介し、半導体素子における電極端子と試験ボード１３における電極端子とが電気的に接続される。

図６に示されるように、ハンドラ２０には、クランパ３０、カメラ６０、画像処理部６１、制御部６２等を有している。クランパ３０には、半導体素子を吸着するための吸着穴３１が設けられている。本実施の形態においては、クランパ３０の吸着面３０ａに接するようにクリーニングシート５０が設置されている。画像処理部６１によりカメラ６０によって撮像された画像処理が行われ、制御部６２によりハンドラ２０の全体の制御が行われる。

クリーニングシート５０は、長細いテープ状で形成されており、クリーニングシート５０の一方が供給ローラ４１に巻かれており、クリーニングシート５０の他方が収納ローラ４２に巻かれている。供給ローラ４１と収納ローラ４２との間には、回転ローラ４３、４４、４５、４６が設けられており、クリーニングシート５０は、供給ローラ４１と収納ローラ４２との間の中央部分において、クランパ３０の吸着面３０ａと接している。図６（ｂ）に示されるように、収納ローラ４２は、ギア４０ａを介しモータ４０と接続されており、モータ４０を回転させることにより、収納ローラ４２を回転させて、クリーニングシート５０を巻き取ることができる。これにより、クリーニングシート５０を、クランパ３０の吸着面３０ａに対し、クリーニングシート５０の長手方向となる一方の方向に移動させることができる。尚、図６（ａ）は、クランパ３０の断面を含む図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）とは、異なる方向から見た側面図である。

次に、図７に基づきクリーニングシート５０について説明する。図７（ａ）はクリーニングシート５０の上面図であり、図７（ｂ）は側面図である。クリーニングシート５０は、幅Ｗが１０〜１００ｍｍのテープ状に細長く形成されたフィルム基材５１の上に、研磨層５２が形成されている研磨領域５３と研磨層５２が形成されていない吸着領域５４とが交互に設けられている。吸着領域５４には、クランパ３０における吸着穴３１の大きさに対応した貫通穴５５が設けられている。研磨領域５３における長手方向の長さＬａは１０〜１００ｍｍであり、吸着領域５４における長手方向の長さＬｂは１０〜１００ｍｍである。クリーニングシート５０は、クランパ３０に設置されている状態においては、研磨層５２が形成されている一方の面とは反対の他方の面が、クランパ３０の吸着面３０ａに接しおり、クランパ３０の吸着面３０ａを覆っている。

尚、クリーニングシート５０の幅Ｗ、研磨領域５３における長さＬａ、吸着領域５４における長さＬｂは、試験の対象となる半導体素子の大きさに対応して形成されている。また、ＬａとＬｂとの関係は、Ｌｂ≧Ｌａである。図８は、本実施の形態における半導体素子試験装置により試験される半導体素子の一例として、ボールグリッドアレイのパッケージの半導体素子８０を示す。図８（ａ）はボールグリッドアレイのパッケージの半導体素子８０の上面図であり、図８（ｂ）は側面図であり、図８（ｃ）は底面図である。この半導体素子８０の底面には半田ボールにより形成された電極端子８１が複数設けられており、電極端子８１が設けられている面とは、反対側の上面８０ａが、クランパ３０の吸着面となる。この半導体素子８０は、一方の辺の長さがＷ、他方の辺の長さがＬａの四角形で形成されている。

クリーニングシート５０における研磨領域５３は、図９（ａ）に示すように、フィルム基材５１の上の研磨層５２が、シリコンベースに研磨粒子５２ａを含んだものにより形成されていてもよい。研磨粒子５２ａは、例えば、粒径が１〜１０μｍの炭化珪素や酸化アルミニウムの微粒子により形成されていてもよい。また、研磨領域５３は、図９（ｂ）に示すように、フィルム基材５１の上の研磨層５２が、研磨粒子５２ｂの付着している植毛５２ｃがフィルム基材５１に植えられている構造のものであってもよい。研磨粒子５２ｂは、例えば、粒径が３〜５μｍの炭化珪素や酸化アルミニウムの微粒子により形成されていてもよい。クリーニングシート５０のフィルム基材５１は厚さが約２００μｍで形成されており、フィルム基材５１に研磨層５２が形成されているクリーニングシート５０の厚さは約５００μｍとなるように形成されている。

（半導体素子試験装置の制御）
次に、本実施の形態における半導体素子試験装置を用いた試験及びクリーニング方法について図１０に基づき説明する。尚、本実施の形態における半導体素子試験装置を用いた試験及びクリーニング方法は、ハンドラ２０における制御部６２における制御によりなされる。尚、図１１及び図１２は、この方法の工程の説明図であるが、便宜上一部省略されている。

最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）に示されるように、半導体素子の試験回数Ｎを０に設定する。尚、本実施の形態においては、試験回数Ｎが所定の回数になる度に、コンタクトピン１５のクリーニングが行われる。

次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）に示されるように、クランパ３０の吸着面３０ａがクリーニングシート５０の吸着領域５４の他方の面と接するように位置合わせを行う。具体的には、図１１（ａ）に示すように、カメラ６０の上方までクランパ３０を移動させ、カメラ６０により、クランパ３０の吸着面３０ａの下より、クランパ３０の吸着面３０ａを覆っているクリーニングシート５０を撮像することができる状態にする。この後、モータ４０を回転させることにより、収納ローラ４２を回転させて、クランパ３０の吸着面３０ａの位置とクリーニングシート５０の吸着領域５４の位置とが一致するまでクリーニングシート５０を移動させる。具体的には、カメラ６０によりクランパ３０の吸着面３０ａを覆っているクリーニングシート５０を撮像しながら、モータ４０を回転させて、クリーニングシート５０を移動させる。モータ４０を回転させることにより、クランパ３０の吸着面３０ａに対し、クリーニングシート５０を移動させるが、クランパ３０の吸着面３０ａの位置とクリーニングシート５０の吸着領域５４の位置とが一致したらモータ４０の回転を停止する。これにより、クランパ３０における吸着穴３１とクリーニングシート５０の吸着領域５４における貫通穴５５の位置が略一致した状態となる。

次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）に示されるように、クランパ３０により半導体素子８０を吸着する。具体的には、図１１（ｂ）に示されるように、クランパ３０における吸着面３０ａが、クリーニングシート５０の吸着領域５４に覆われている状態で、半導体素子８０を吸着する。尚、この状態においては、クランパ３０における吸着穴３１とクリーニングシート５０の吸着領域５４における貫通穴５５の位置が略一致している。よって、クランパ３０における吸着穴３１の内部を負圧にすることにより、クリーニングシート５０の吸着領域５４において、半導体素子８０を吸着することができる。

次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）に示すように、クランパ３０に吸着されている半導体素子８０を試験ソケット１４のコンタクトピン１５に押しつけ、試験ボード１３による半導体素子８０の電気的特性の試験を行う。この状態を図１１（ｃ）に示す。試験を行う際には、クランパ３０の半導体素子８０の吸着は解除されている。

次に、ステップ１１０（Ｓ１１０）に示すように、試験ソケット１４より半導体素子８０を取り外す。具体的には、クランパ３０の吸着穴３１の内部を負圧にして、再びクランパ３０に半導体素子８０を吸着させた後、クランパ３０を上に動かすことにより、試験ソケット１４より半導体素子８０を取り外す。この後、取り外された半導体素子８０は、テスタ１０における半導体素子８０の試験の結果、即ち、半導体素子８０の電気的特性の試験の結果に基づきハンドラ２０内の所定の収納場所に収納される。

次に、ステップ１１２（Ｓ１１２）に示されるように、現在の半導体素子の試験回数Ｎに１を加え新たな半導体素子の試験回数Ｎにする。

次に、ステップ１１４（Ｓ１１４）に示されるように、半導体素子の試験回数Ｎが所定の回数未満であるか否かが判断される。半導体素子の試験回数Ｎが所定の回数未満である場合には、ステップ１０６に移行する。半導体素子の試験回数Ｎが所定の回数未満ではない場合、即ち、半導体素子の試験回数Ｎが所定の回数となった場合には、ステップ１１６に移行する。

次に、ステップ１１６（Ｓ１１６）に示されるように、クランパ３０の吸着面３０ａがクリーニングシート５０の研磨領域５３の他方の面と接するように位置合わせを行う。具体的には、図１２（ａ）に示すように、カメラ６０の上方までクランパ３０を移動させ、カメラ６０により、クランパ３０の吸着面３０ａの下より、クランパ３０の吸着面３０ａを覆っているクリーニングシート５０を撮像することができる状態にする。この後、モータ４０を回転させることにより、収納ローラ４２を回転させて、クランパ３０の吸着面３０ａの位置とクリーニングシート５０の研磨領域５３の位置とが一致するまでクリーニングシート５０を移動させる。具体的には、カメラ６０によりクランパ３０の吸着面３０ａを覆っているクリーニングシート５０を撮像しながら、モータ４０を回転させて、クリーニングシート５０を移動させる。モータ４０を回転させることにより、クランパ３０の吸着面３０ａに対し、クリーニングシート５０を移動させるが、クランパ３０の吸着面３０ａの位置とクリーニングシート５０の、研磨領域５３の位置とが一致したらモータ４０の回転を停止する。

次に、ステップ１１８（Ｓ１１８）に示されるように、試験ソケット１４におけるコンタクトピン１５のクリーニングを行う。具体的には、図１２（ｂ）に示されるように、クランパ３０の吸着面３０ａがクリーニングシート５０の研磨領域５３に覆われている状態で、クランパ３０により試験ソケット１４におけるコンタクトピン１５を押す。これにより、クランパ３０により押されたクリーニングシート５０の研磨領域５３によりコンタクトピン１５が研磨され、コンタクトピン１５に付着していた半田等の異物を除去することができる。

次に、ステップ１２０（Ｓ１２０）に示されるように、半導体素子の試験回数Ｎを０に設定した後、ステップ１０４に移行する。

以上により、本実施の形態における半導体素子試験装置を用いた試験及びクリーニングを行うことができる。

〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について図１３に基づき説明する。本実施の形態におけるクリーニングシート１５０は、フィルム基材１５１の上の全面に研磨層１５２が形成されており、フィルム基材１５１及び研磨層１５２を貫通する複数の貫通穴１５５が設けられている構造のものである。従って、本実施の形態におけるクリーニングシート１５０は、第１の実施の形態とは異なり、吸着領域は設けられておらず、全面が複数の貫通穴１５５を有する研磨領域となっている。尚、図１３（ａ）は、本実施の形態におけるクリーニングシート１５０の上面図であり、図１３（ｂ）は断面図である。

クリーニングシート１５０における貫通穴１５５は、クランパ３０における吸着穴３１の径よりも小さな径で形成されており、直径が１００μｍ〜５００μｍで形成されている。本実施の形態においては、貫通穴１５５は複数設けられているため、クランパ３０の吸着面３０ａに対するクリーニングシート１５０の位置が任意の位置であっても、貫通穴１５５のいずれかと、クランパ３０の吸着穴３１との位置が一致する。このため、クランパ３０の吸着穴３１の内部を負圧にすることにより、貫通穴１５５を介し、半導体素子８０を吸着させることができる。本実施の形態においては、クリーニングシート１５０によるコンタクトピン１５のクリーニングを行った後、コンタクトピン１５のクリーニングを行った領域分だけクリーニングシート１５０を移動させて、次のコンタクトピン１５のクリーニングを行う。従って、半導体素子８０を吸着する際のクリーニングシートの位置合わせが不要となり、試験工程が簡略化されるため、低コストで試験を行うことができる。

また、本実施の形態におけるクリーニングシート１５０は、研磨領域と吸着領域とを分けることなく、フィルム基材１５１の上に研磨層１５２を形成し、これらを貫通する複数の貫通穴１５５を形成することにより作製することができる。従って、クリーニングシートの製造工程も簡略化されるため、低コストでクリーニングシートを得ることができる。

尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。

〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について図１４に基づき説明する。本実施の形態におけるクリーニングシート２５０は、吸着領域５４、第１の研磨領域２５１、第２の研磨領域２５２を有している。尚、図１４（ａ）は、本実施の形態におけるクリーニングシート２５０の上面図であり、図１４（ｂ）は断面図である。

本実施の形態においては、第１の研磨層２５３と第２の研磨層２５４とは、異なる構造や、異なる材料により形成されている。具体的には、第１の研磨領域２５１には、第１の研磨層２５３が形成されており、第２の研磨領域２５２には、第２の研磨層２５４が形成されている。第１の研磨層２５３と第２の研磨層２５４とは異なる研磨層により形成されており、例えば、第１の研磨層２５３は、図９（ａ）に示される構造のものにより形成されており、第２の研磨層２５４は図９（ｂ）に示される構造のものにより形成されている。

本実施の形態においてコンタクトピン１５のクリーニングを行う際には、最初に、第１の研磨領域２５１においてクリーニングを行った後、クリーニングシート２５０を移動させて、第２の研磨領域２５２においてクリーニングを行う。本実施の形態においては、異なる研磨層により異なるクリーニングが行われるため、コンタクトピン１５に付着している半田等の異物をより確実に除去することができる。

尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。

〔第４の実施の形態〕
次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態は、コンタクトピン１５のクリーニングを行う際に、クリーニングシート５０をクリーニングシート５０の長手方向に移動させるものである。具体的には、図１５に示されるように、クランパ３０により、クリーニングシート５０の研磨領域５３をコンタクトピン１５に押しつけて、コンタクトピン１５と研磨層５２とを接触させた状態で、クリーニングシート５０を破線矢印Ａの方向に移動させる。これにより、コンタクトピン１５は、クリーニングシート５０の研磨領域５３における研磨層５２により破線矢印Ａに示す方向に擦られ、コンタクトピン１５に付着している半田等の異物を除去することができる。本実施の形態においては、第１の実施の形態と比べて、コンタクトピン１５に対する研磨層５２の移動距離が長いため、より確実なクリーニングを行うことができる。

本実施の形態においては、クリーニングシート５０を破線矢印Ａに示す方向に移動させるため、クリーニングシート５０の研磨領域５３の長さＬａは、半導体素子８０の幅よりも長く形成されている。

本実施の形態においては、図１５に示されるように、クリーニングシート５０を破線矢印Ａに示す方向と破線矢印Ａとは反対の破線矢印Ｂに示す方向に交互に移動させるものであってもよい。

尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。

以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
テスタと、
ハンドラと、
前記テスタに設けられた試験ソケットと、
前記試験ソケットに設けられたコンタクトピンと、
前記ハンドラに設けられ、半導体素子を吸着する吸着面を含み、前記半導体素子を搬送するクランパと、
前記クランパに設けられ、前記吸着面を覆うクリーニングシートと、を含み、
前記クリーニングシートは、基材の上の一部又は全部に研磨層が設けられており、前記吸着面に対し移動させることができるものであって、
前記半導体素子は、前記吸着面に前記クリーニングシートを介して吸着させるものであって、
前記コンタクトピンのクリーニングは、前記クランパにより、前記クリーニングシートの前記研磨層を前記コンタクトピンに接触させることにより行うことを特徴とする半導体素子試験装置。
（付記２）
前記クリーニングシートは、一方向に細長く形成されており、
前記クリーニングシートを移動させる際には、前記一方向に移動させることを特徴とする付記１に記載の半導体素子試験装置。
（付記３）
前記クリーニングシートには、前記半導体素子を吸着する吸着領域と、前記コンタクトピンをクリーニングする研磨領域とが交互に設けられており、
前記研磨領域には、前記基材の上に前記研磨層が設けられており、
前記吸着領域には、前記基材に前記クランパにおける吸着穴に対応する貫通穴が設けられていることを特徴とする付記２に記載の半導体素子試験装置。
（付記４）
前記クリーニングシートは、前記基材の上に前記研磨層が積層されているものに、前記クランパにおける吸着穴よりも小さな貫通穴が複数設けられていることを特徴とする付記２に記載の半導体素子試験装置。
（付記５）
前記研磨領域は、第１の研磨領域と第２の研磨領域とを有しており、
前記基材の上の前記第１の研磨領域に形成された第１の研磨層と、前記第２の研磨領域に形成された第２の研磨層とは、異なることを特徴とする付記３に記載の半導体素子試験装置。
（付記６）
前記クリーニングシートにより、前記コンタクトピンのクリーニングを行った後に、前記クリーニングシートを移動させる制御を行う制御部を有することを特徴とする付記２から５のいずれかに記載の半導体素子試験装置。
（付記７）
前記コンタクトピンのクリーニングは、前記コンタクトピンに前記研磨層を接触させた状態で、前記クリーニングシートを前記一方向に移動させることを特徴とする付記２から６のいずれかに記載の半導体素子試験装置。
（付記８）
前記クリーニングシートの一方は、供給ローラに巻かれており、
前記クリーニングシートの他方は、収納ローラに巻かれており、
前記収納ローラを回転させることにより、前記クリーニングシートを前記一方向に移動させることを特徴とする付記２から７のいずれかに記載の半導体素子試験装置。
（付記９）
一方向に細長く形成されているクリーニングシートであって、
吸着領域と研磨領域とが交互に設けられており、
前記研磨領域には、基材の上に研磨層が設けられており、
前記吸着領域には、基材に貫通穴が設けられていることを特徴とするクリーニングシート。
（付記１０）
一方向に細長く形成されているクリーニングシートであって、
基材の上に研磨層が積層されているものに、複数の貫通穴が設けられていることを特徴とするクリーニングシート。

１０ テスタ
１１ テスタ本体部
１２ テストヘッド
１３ 試験ボード
１４ 試験ソケット
１４ａ ソケットベース
１４ｂ パッケージガイド
１５ コンタクトピン
２０ ハンドラ
３０ クランパ
３０ａ 吸着面
３１ 吸着穴
４０ モータ
４１ 供給ローラ
４２ 収納ローラ
４３ 回転ローラ
４４ 回転ローラ
４５ 回転ローラ
４６ 回転ローラ
５０ クリーニングシート
５１ フィルム基材
５２ 研磨層
５３ 研磨領域
５４ 吸着領域
５５ 貫通穴
６０ カメラ
６１ 画像処理部
６２ 制御部
８０ 半導体素子
８０ａ 上面
８１ 電極端子

Claims (7)

1. テスタと、
   ハンドラと、
   前記テスタに設けられた試験ソケットと、
   前記試験ソケットに設けられたコンタクトピンと、
   前記ハンドラに設けられ、半導体素子を吸着する吸着面を含み、前記半導体素子を搬送するクランパと、
   前記クランパに設けられ、前記吸着面を覆うクリーニングシートと、を含み、
   前記クリーニングシートは、基材の上の一部又は全部に研磨層が設けられており、前記吸着面に対し移動させることができるものであって、
   前記半導体素子は、前記吸着面に前記クリーニングシートを介して吸着させるものであって、
   前記コンタクトピンのクリーニングは、前記クランパにより、前記クリーニングシートの前記研磨層を前記コンタクトピンに接触させることにより行うことを特徴とする半導体素子試験装置。
2. 前記クリーニングシートは、一方向に細長く形成されており、
   前記クリーニングシートを移動させる際には、前記一方向に移動させることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子試験装置。
3. 前記クリーニングシートには、前記半導体素子を吸着する吸着領域と、前記コンタクトピンをクリーニングする研磨領域とが交互に設けられており、
   前記研磨領域には、前記基材の上に前記研磨層が設けられており、
   前記吸着領域には、前記基材に前記クランパにおける吸着穴に対応する貫通穴が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子試験装置。
4. 前記クリーニングシートは、前記基材の上に前記研磨層が積層されているものに、前記クランパにおける吸着穴よりも小さな貫通穴が複数設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子試験装置。
5. 前記クリーニングシートの一方は、供給ローラに巻かれており、
   前記クリーニングシートの他方は、収納ローラに巻かれており、
   前記収納ローラを回転させることにより、前記クリーニングシートを前記一方向に移動させることを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載の半導体素子試験装置。
6. 一方向に細長く形成されているクリーニングシートであって、
   吸着領域と研磨領域とが交互に設けられており、
   前記研磨領域には、基材の上に研磨層が設けられており、
   前記吸着領域には、基材に貫通穴が設けられていることを特徴とするクリーニングシート。
7. 一方向に細長く形成されているクリーニングシートであって、
   基材の上に研磨層が積層されているものに、複数の貫通穴が設けられていることを特徴とするクリーニングシート。

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