JP2016059148A5 - パワー半導体モジュール及びその製造方法、電力変換装置 - Google Patents

Claims (10)

1. 直流電流を交流電流に変換するパワー半導体素子と、
   前記パワー半導体素子と対向する高熱伝導体と、
   前記パワー半導体素子及び前記高熱伝導体を封止する封止材と、を備え、
   前記高熱伝導体は、前記パワー半導体素子とは反対側に突出するフィンを有し、
   前記高熱伝導材の外周側における前記封止材の表面の少なくとも一部は、前記フィン先端と概略同一平面上にあるパワー半導体モジュール。
2. 請求項１に記載のパワー半導体モジュールであって、
   前記高熱伝導体の前記フィンは、当該フィンの先端が前記封止材と同じ材料となるように、形成されているパワー半導体モジュール。
3. 請求項１又は２のいずれかに記載のパワー半導体モジュールであって、
   前記フィンは、前記高熱伝導体を封止する前記封止材を溝状に研削することにより、形成されるパワー半導体モジュール。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載のパワー半導体モジュールであって、
   前記封止材は、シール部材を配置するためのシール部を有するパワー半導体モジュール。
5. 請求項３に記載のパワー半導体モジュールであって、
   前記フィンは、ピンフィン形状に形成されるパワー半導体モジュール・
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載のパワー半導体モジュールであって、
   前記高熱伝導体は、カーボン含有材料により形成されるパワー半導体モジュール。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載のパワー半導体モジュールであって、
   前記封止材は、表面がめっきされているパワー半導体モジュール。
8. 直流電流を交流電流に変換するパワー半導体素子と、前記半導体チップと熱的に接続される高熱伝導体と、前記パワー半導体素子及び前記高熱伝導体を封止する封止材と、を備えたパワー半導体モジュールの製造方法であって、
   前記高熱伝導体を前記封止材で封止する第１工程と、
   前記封止材及び前記高熱伝導体を一体加工して、先端が前記封止材の一部と概略同一平面となるフィンを形成する第２工程と、を有するパワー半導体モジュールの製造方法。
9. 請求項８に記載のパワー半導体モジュールの製造方法であって、
   前記第１工程において、前記封止材は、前記高熱伝導体の前記パワー半導体素子が配置される側とは反対側の面を覆って封止されるパワー半導体モジュールの製造方法。
10. 請求項１乃至７のいずれかに記載のパワー半導体モジュールと、
    前記パワー半導体モジュールが配置される流路形成体と、を備え、
    前記フィンは、前記流路形成体の流路に向かって突出する電力変換装置。