JP2014510396A - Electrode structure and method for nanostructure arrays - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 153
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title description 208
- 238000003491 array Methods 0.000 title description 37
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 353
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 255
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 135
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 127
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 63
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 62
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 35
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 18
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910010380 TiNi Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910008812 WSi Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 90
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 37
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 37
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 7
- 239000002106 nanomesh Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/775—Field effect transistors with one dimensional charge carrier gas channel, e.g. quantum wire FET
-
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- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/857—Thermoelectric active materials comprising compositions changing continuously or discontinuously inside the material
Abstract
熱電素子およびその方法。熱電素子は、ナノワイヤー、接触層、およびシャントを備える。上記各ナノワイヤーは、第１の端部および第２の端部を有する。上記接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する。上記シャントは、上記接触層に電気的に接続される。上記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満である。上記接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。Thermoelectric element and method thereof. The thermoelectric element includes a nanowire, a contact layer, and a shunt. Each of the nanowires has a first end and a second end. The contact layer electrically connects the nanowires through at least the first end of each nanowire. The shunt is electrically connected to the contact layer. All of the nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the contact layer ranges from 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the contact layer is less than 0.8 electron volts. The contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
Description
〔関連出願の相互参照〕
本願は、同一出願人による米国仮出願第６１／４３８，７０９号（出願日：２０１１年２月２日）に優先権を主張するものであり、この米国仮出願を参照することによりその開示内容を全ての目的のために援用する。本出願はまた、米国特許出願第１３／３３１，７６８号（出願日：２０１１年１２月２０日）の一部継続出願でもある。なお、上記米国出願は、同一出願人による米国仮出願第６１／４２５，３６２号（出願日：２０１０年１２月２１日）に優先権を主張するものであり、この米国仮出願を参照することによりその開示内容を全ての目的のために援用する。
[Cross-reference of related applications]
The present application claims priority from US Provisional Application No. 61 / 438,709 (filing date: February 2, 2011) by the same applicant, and the contents of the disclosure are referred to by referring to this US provisional application. Is incorporated for all purposes. This application is also a continuation-in-part of US patent application Ser. No. 13 / 331,768 (filing date: December 20, 2011). Note that the above US application claims priority from US Provisional Application No. 61 / 425,362 (filing date: December 21, 2010) by the same applicant. The disclosure of which is incorporated by reference for all purposes.
本出願はさらに、米国特許出願第１３／２９９，１７９号および第１３／３０８，９４５号に関連するものであり、これら米国特許出願を参照することによりそれらの開示内容を全ての目的のために援用する。 This application is further related to U.S. Patent Application Nos. 13 / 299,179 and 13 / 308,945, and these disclosures are incorporated herein by reference for all purposes. Incorporate.
〔連邦政府後援の研究開発の下でなされた発明に対する権利に関する声明〕
本願に記載の研究は、米国陸軍中小企業革新技術研究契約（ＵＳ Ａｒｍｙ ＳＢＩＲ ｃｏｎｔｒａｃｔ）第Ｗ９１１ＱＹ１０−Ｃ−００６３号および第Ｗ１１ＱＹ−１１−Ｃ−００２７号により一部支援されたものである。したがって、発明の特定の権利については、米国連邦政府に帰属するものとする。
[Statement concerning rights to inventions made under federal-sponsored research and development]
The work described in this application was supported in part by US Army SBIR contracts W911QY10-C-0063 and W11QY-11-C-0027. Accordingly, certain rights in the invention shall belong to the US federal government.
〔背景技術〕
本発明はナノ構造に関する。より詳細には、本発明はナノ構造アレイ用の電極構造およびその方法を提供する。本発明は単なる一例として、１つ以上の充填材によって埋め込まれ、熱電素子用の電極構造を設けられたナノ構造アレイに適用される。しかし、本発明はより広範囲に適用可能であり、その適用可能な範囲は、太陽熱発電、電池電極および／またはエネルギー貯蔵、触媒作用、および／または発光ダイオードへの使用を含むが、これに限定されないことが理解されるであろう。
[Background Technology]
The present invention relates to nanostructures. More particularly, the present invention provides electrode structures and methods for nanostructure arrays. The present invention is applied by way of example only to a nanostructure array embedded with one or more fillers and provided with an electrode structure for a thermoelectric element. However, the present invention is more widely applicable, including but not limited to solar power generation, battery electrodes and / or energy storage, catalysis, and / or use in light emitting diodes. It will be understood.
熱電材料は、固形状態で可動部を含まずに、例えば、温度勾配が印加された場合に大量の熱エネルギーを電気に変換すること（例えば、ゼーベック効果）または電解が印加された場合に熱を汲み上げること（例えば、ペルチェ効果）が可能な材料である。半導体の熱機関への適用は数多く存在し、こうした適用は、一次熱または廃熱に関わらず多様な熱源からの電気の発生だけでなく、空間または対象物（マイクロチップおよびセンサーなど）の冷却を含む。熱電性能を向上させた（例えば、効率、出力密度、または「熱電性能指数」ＺＩ（ここでＺＩはＳ２σ／ｋと等しく、Ｓはゼーベック係数を示し、σは電気伝導率を示し、ｋは熱電材料の熱伝導率を示す））ナノ構造化材料の発展、および、廃熱を電気として回収することでエネルギー効率を向上させるか、または集積回路を冷却することでその性能を向上させるシステムへの増大する必要性を部分的な理由として、熱電材料を備える熱電素子を使用することへの関心は近年高まりを見せている。 Thermoelectric materials do not contain moving parts in the solid state, for example, convert a large amount of thermal energy into electricity when a temperature gradient is applied (eg Seebeck effect) or heat when an electrolysis is applied. It is a material that can be pumped up (for example, Peltier effect). There are many applications for semiconductor heat engines, such as not only generating electricity from a variety of heat sources, whether primary or waste heat, but also cooling space or objects (such as microchips and sensors). Including. Improved thermoelectric performance (eg, efficiency, power density, or “thermoelectric figure of merit” ZI, where ZI is equal to S 2 σ / k, S represents the Seebeck coefficient, σ represents electrical conductivity, k Shows the thermal conductivity of thermoelectric materials)) A system that improves energy efficiency by developing nanostructured materials and recovering waste heat as electricity, or improving its performance by cooling integrated circuits Partly because of the growing need for, the interest in using thermoelectric elements with thermoelectric materials has increased in recent years.
熱電技術は、同様のエネルギー発生手段または冷却手段を達成する他の技術と比較した場合に、素子の費用性能比が劣るため、今日に至るまで商業的な利用可能性が限られてきた。軽量で設置面積の小さい対象への適用について、他の技術が熱電素子ほど好適でない場合であっても、熱電素子は、その非常に高額な費用のために制限されることが多い。熱電素子の商業用途での実用性を実現するうえで重要なことは、高性能の熱電材料を含む素子（例えば、モジュール）の製造可能性である。これらのモジュールは、好ましくは、例えば最小限の費用で最大限の性能が確実に得られるように作製される。 Thermoelectric technology has limited commercial applicability to date due to the lower cost-performance ratio of the device when compared to other technologies that achieve similar energy generation or cooling means. For applications to objects that are lightweight and have a small footprint, thermoelectric elements are often limited due to their very high cost, even when other technologies are not as suitable as thermoelectric elements. An important factor in realizing the practical use of thermoelectric elements in commercial applications is the possibility of manufacturing elements (for example, modules) containing high-performance thermoelectric materials. These modules are preferably made to ensure maximum performance, for example at minimal cost.
現在利用可能な市販の熱電モジュールの熱電材料は通常、テルル化ビスマスまたはテルル化鉛からなるが、これら何れもが有毒であり、作製が難しく、且つ、調達費用および処理費用が高い。エネルギー生成の代替法および微小の冷却性能に対する昨今の強い必要性により、製造性が高く、費用が安く、且つ高性能な熱電技術への要望が高まりを見せている。 Currently available thermoelectric materials for commercially available thermoelectric modules typically consist of bismuth telluride or lead telluride, both of which are toxic, difficult to make, and expensive to procure and process. The recent strong need for energy generation alternatives and micro-cooling performance has increased the demand for high manufacturability, low cost and high performance thermoelectric technology.
熱電素子は多くの場合、電気的に接触したＢｉ２Ｔｅ３およびＰｂＴｅなどの従来の熱電材料から構成される熱電性の枝部に分割され、冷却（例えば、ペルチェ）素子またはエネルギー変換（例えば、ゼーベック）素子に組み立てられる。こうしたことは多くの場合、全ての枝部に渡って温度勾配を同時に確立できるように、直列の電気接続を可能にする一方で、熱的に並列な構成を提供する構成において熱電性の枝部を金属接触に結合させることを伴う。しかし、従来の熱電素子の製造には多くの難点もある。例えば、外部で製造した熱電性の枝部の処理または組み立てに掛かる費用は多くの場合では高額である。従来の処理法または組み立て法を使用した場合では、通常、多くの熱電用途に必要とされる小型の熱電素子を製造することが困難になる。従来の熱電材料は通常、有毒且つ高額である。 Thermoelectric elements are often divided into thermoelectric branches composed of conventional thermoelectric materials such as Bi 2 Te 3 and PbTe that are in electrical contact, and are cooled (eg, Peltier) elements or energy conversion (eg, Seebeck) assembled into the element. This often results in thermoelectric branches in a configuration that allows a series electrical connection while providing a thermal parallel configuration so that a temperature gradient can be established simultaneously across all branches. With bonding to the metal contact. However, there are many difficulties in manufacturing conventional thermoelectric elements. For example, the cost of processing or assembling an externally manufactured thermoelectric branch is often high. When conventional processing or assembly methods are used, it is usually difficult to produce small thermoelectric elements that are required for many thermoelectric applications. Conventional thermoelectric materials are usually toxic and expensive.
ナノ構造は多くの場合において、少なくとも１つの構造の寸法がナノ単位（例えば、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲）で測定される構造のことを指す。例えばナノワイヤーは、長さについては著しく長くなることもあるが、断面部分の直径がナノスケールで測定されるものとして特徴付けられている。他の例では、ナノチューブ（または中空状のナノワイヤー）は、長さが著しく長くなることがあっても、壁の厚さおよび断面部分の直径がナノ単位で測定されるものとして特徴付けられている。さらに他の例では、ナノ孔は、孔の深さが著しく深くなることがあっても、断面部分の直径がナノ単位で測定される空洞として特徴付けられている。さらに他の例では、ナノメッシュは、ナノワイヤー、ナノチューブ、および／またはナノ孔などのナノメッシュ以外の複数のナノ構造を含むアレイであり、場合によってはこれらナノメッシュ以外の複数のナノ構造が連結されたものである。 Nanostructures often refer to structures in which at least one structure dimension is measured in nanounits (eg, in the range of 0.1 nm to 1000 nm). For example, nanowires can be significantly longer in length, but are characterized as having a cross-sectional diameter measured at the nanoscale. In other examples, nanotubes (or hollow nanowires) are characterized as having wall thicknesses and cross-sectional diameters measured in nanometers, even though the length can be significantly longer Yes. In yet another example, nanopores are characterized as cavities where the diameter of the cross-sectional portion is measured in nanometers, even though the depth of the pores can be significantly deeper. In yet another example, the nanomesh is an array that includes a plurality of nanostructures other than a nanomesh, such as nanowires, nanotubes, and / or nanopores, and in some cases, a plurality of nanostructures other than the nanomesh are connected. It has been done.
ナノ構造に関しては、熱電性能の向上が見込まれてきた。熱電材料を用いてゼロ次元、１次元または２次元のナノ構造の作成は、ある場合では、この熱電材料の熱電子発電効率または冷却効率を向上させることがある。また、他の場合では、熱電材料の熱電子発電効率または冷却効率が、非常に大きく（１００以上の係数）向上することがある。しかし、数多くのナノ構造を含む実際の巨視的熱電素子に要求されるナノ構造の位置合わせ、スケール、および機械的強度には多くの制限がある。シリコンの処理法に類似の方法を用いたナノ構造の処理法は、非常に大きな費用優位をもたらす。例えば、平坦な表面を有するナノ構造アレイの作成は、メタライゼーションのような、二次元半導体プロセスの利用を可能にする。 For nanostructures, thermoelectric performance has been expected to improve. The creation of zero-dimensional, one-dimensional, or two-dimensional nanostructures using a thermoelectric material may in some cases improve the thermoelectric generation efficiency or cooling efficiency of the thermoelectric material. In other cases, the thermoelectric power generation efficiency or cooling efficiency of the thermoelectric material may be greatly increased (coefficient of 100 or more). However, there are many limitations on the nanostructure alignment, scale, and mechanical strength required for an actual macroscopic thermoelectric device containing a large number of nanostructures. Nanostructure processing methods using methods similar to silicon processing methods offer significant cost advantages. For example, the creation of a nanostructure array with a flat surface allows the use of two-dimensional semiconductor processes, such as metallization.
したがって、熱電素子への使用に好都合な電気特性、熱特性、および機械特性を有する材料から、これらのナノ構造アレイを形成することが大いに望まれている。 Therefore, it is highly desirable to form these nanostructure arrays from materials that have electrical, thermal, and mechanical properties that are advantageous for use in thermoelectric elements.
〔発明の概要〕
本発明はナノ構造に関する。より詳細には、本発明はナノ構造アレイ用の電極構造およびその方法を提供する。本発明は単なる一例として、１つ以上の充填材によって埋め込まれ、熱電素子用の電極構造を設けられたナノ構造アレイに適用される。しかし、本発明はより広範囲に適用可能であり、その適用可能な範囲は、太陽熱発電、電池電極および／またはエネルギー貯蔵、触媒作用、および／または発光ダイオードへの使用を含むが、これに限定されないことが理解されるであろう。
[Summary of the Invention]
The present invention relates to nanostructures. More particularly, the present invention provides electrode structures and methods for nanostructure arrays. The present invention is applied by way of example only to a nanostructure array embedded with one or more fillers and provided with an electrode structure for a thermoelectric element. However, the present invention is more widely applicable, including but not limited to solar power generation, battery electrodes and / or energy storage, catalysis, and / or use in light emitting diodes. It will be understood.
一実施形態によれば、熱電素子は、ナノワイヤー、接触層、およびシャントを備える。上記ナノワイヤーの各々は、第１の端部および第２の端部を有する。上記接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する。上記シャントは、上記接触層と電気的にカップリングされる。上記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。 According to one embodiment, the thermoelectric element comprises nanowires, a contact layer, and a shunt. Each of the nanowires has a first end and a second end. The contact layer electrically connects the nanowires through at least the first end of each nanowire. The shunt is electrically coupled with the contact layer. All of the nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the contact layer is less than 0.8 electron volts. The contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
他の実施形態によれば、熱電素子は、ナノワイヤー、第１の電極構造、および第２の電極構造を備える。上記ナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極構造は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層、および前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントを備える。上記第２の電極構造は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第２の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層、および、前記第２の接触層に電気的にカップリングされる第２のシャントを備える。上記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第２の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第２の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。 According to another embodiment, the thermoelectric element comprises a nanowire, a first electrode structure, and a second electrode structure. Each of the nanowires has a first end and a second end opposite thereto. The first electrode structure includes a first contact layer that electrically connects the nanowires through at least the first end of each nanowire, and an electrical cup to the first contact layer. A first shunt to be ringed is provided. The second electrode structure includes a second contact layer that electrically connects the nanowires through at least the second end portion of each nanowire, and the second contact structure is electrically connected to the second contact layer. A second shunt is provided that is coupled. All of the nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the second end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the second end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
他の実施形態によれば、熱電素子は、第１のナノワイヤー、第１の電極構造、前記第１のナノワイヤーと異なる第２のナノワイヤー、および第２の電極構造を備える。上記第１のナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極構造は、少なくとも上記第１の端部のそれぞれを介して上記第１のナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層、および前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントを備える。上記第２のナノワイヤーの各々は、第３の端部およびその反対側の第４の端部を有する。上記第２の電極構造は、少なくとも上記第２の端部のそれぞれを介して上記第２のナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層、および前記第２の接触層に電気的にカップリングされる第２のシャントを備える。上記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。上記第２の端部は上記第４の端部と電気的にカップリングされる。 According to another embodiment, the thermoelectric element comprises a first nanowire, a first electrode structure, a second nanowire different from the first nanowire, and a second electrode structure. Each of the first nanowires has a first end and a second end opposite thereto. The first electrode structure includes a first contact layer that electrically connects the first nanowire through at least each of the first ends, and an electrical cup to the first contact layer. A first shunt to be ringed is provided. Each of the second nanowires has a third end and a fourth end opposite thereto. The second electrode structure includes at least a second contact layer that electrically connects the second nanowire through each of the second ends, and an electrical cup to the second contact layer. A second shunt to be ringed. All of the first nanowires are substantially parallel to each other. All of the second nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second end is electrically coupled to the fourth end.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子は、基板の第１の側に関連付けられる第１のナノワイヤー、第１の電極構造、前記基板の第２の側に関連付けられる第２のナノワイヤー、および第２の電極構造を備える。上記第１のナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極構造は、少なくとも上記第１の端部のそれぞれを介して上記第１のナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層、および前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントを備える。上記第２のナノワイヤーは上記第１のナノワイヤーと異なるナノワイヤーである。上記第２の側は上記第１の側の反対側である。上記第２のナノワイヤーの各々は、第３の側およびその反対側の第４の側を有する。上記第２の電極構造は、少なくとも上記第３の端部のそれぞれを介して上記第２のナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層、および前記第２の接触層と電気的にカップリングされる第２のシャントを備える。上記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。 According to yet another embodiment, the thermoelectric element comprises a first nanowire associated with the first side of the substrate, a first electrode structure, a second nanowire associated with the second side of the substrate, And a second electrode structure. Each of the first nanowires has a first end and a second end opposite thereto. The first electrode structure includes a first contact layer that electrically connects the first nanowire through at least each of the first ends, and an electrical cup to the first contact layer. A first shunt to be ringed is provided. The second nanowire is a nanowire different from the first nanowire. The second side is the opposite side of the first side. Each of the second nanowires has a third side and a fourth side opposite thereto. The second electrode structure includes: a second contact layer that electrically connects the second nanowire through at least each of the third ends; and an electrical cup with the second contact layer A second shunt to be ringed. All of the first nanowires are substantially parallel to each other. All of the second nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子を製造する方法は、ナノワイヤーを形成する工程、接触層を堆積させる工程、およびシャントを形成する方法を備える。上記ナノワイヤーの各々は第１の端部および第２の端部を有する。上記接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する。上記シャントは上記接触層に電気的にカップリングされる。上記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。 According to yet another embodiment, a method of manufacturing a thermoelectric device includes forming nanowires, depositing a contact layer, and forming a shunt. Each of the nanowires has a first end and a second end. The contact layer electrically connects the nanowires through at least the first end of each nanowire. The shunt is electrically coupled to the contact layer. All of the nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the contact layer is less than 0.8 electron volts. The contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子の製造方法は、ナノワイヤーを形成する工程、第１の電極構造を形成する工程、および第２の電極構造を形成する工程を備える。上記ナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極構造を形成する上記工程は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層を堆積させる工程、および前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントを形成する工程を備える。上記第２の電極構造を形成する上記工程は、少なくとも上記第２の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層を堆積させる工程、および前記第２の接触層に電気的にカップリングされる第２のシャントを形成する工程を備える。上記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第２の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第２の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。 According to yet another embodiment, a method for manufacturing a thermoelectric element includes a step of forming a nanowire, a step of forming a first electrode structure, and a step of forming a second electrode structure. Each of the nanowires has a first end and a second end opposite thereto. The step of forming the first electrode structure includes depositing a first contact layer that electrically connects the nanowires through at least the first end of each nanowire; and Forming a first shunt that is electrically coupled to the one contact layer. The step of forming the second electrode structure includes depositing a second contact layer that electrically connects the nanowires through at least the second end, and the second contact layer. Forming a second shunt that is electrically coupled. All of the nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the second end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the second end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子の製造方法は、第１のナノワイヤーを形成する工程、第１の電極構造を形成する工程、前記第１のナノワイヤーと異なる第２のナノワイヤーを形成する工程、第２の電極構造を形成する工程、および第２の端部を第４の端部と電気的に接続する工程を備える。上記第１のナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極を形成する上記工程は、少なくとも上記第１の端部のそれぞれを介して上記第１のナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層を堆積させる工程、および前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントを形成する工程を備える。上記第２のナノワイヤーの各々は、第３の端部およびその反対側の第４の端部を有する。上記第２の電極構造を形成する上記工程は、少なくとも上記第３の端部のそれぞれを介して上記第２のナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層を堆積させる工程、および前記第２の接触層に電気的にカップリングされる第２のシャントを形成する工程を備える。上記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。 According to still another embodiment, a method for manufacturing a thermoelectric device includes a step of forming a first nanowire, a step of forming a first electrode structure, and a second nanowire different from the first nanowire. Forming, forming a second electrode structure, and electrically connecting the second end to the fourth end. Each of the first nanowires has a first end and a second end opposite thereto. The step of forming the first electrode includes depositing a first contact layer that electrically connects the first nanowires through at least each of the first ends, and the first Forming a first shunt that is electrically coupled to the contact layer. Each of the second nanowires has a third end and a fourth end opposite thereto. The step of forming the second electrode structure includes depositing a second contact layer that electrically connects the second nanowire through at least each of the third ends, and the first Forming a second shunt that is electrically coupled to the two contact layers. All of the first nanowires are substantially parallel to each other. All of the second nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子の製造方法は、基板の第１の側に関連付けられる第１のナノワイヤーを形成する工程、第１の電極構造を形成する工程、前記基板の第２の側に関連付けられる第２のナノワイヤーを形成する工程、および第２の電極構造を形成する工程を備える。上記第１のナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極構造を形成する工程は、少なくとも上記第１の端部のそれぞれを介して上記第１のナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層を堆積させる工程、および前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントを形成する工程を備える。上記第２のナノワイヤーは上記第１のナノワイヤーと異なるナノワイヤーである。上記第２の側は上記第１の側の反対側である。上記第２のナノワイヤーの各々は、第３の端部およびその反対側の第４の端部を有する。上記第２の電極構造を形成する工程は、少なくとも上記第３の端部のそれぞれを介して上記第２のナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層を堆積させる工程、および前記第２の接触層に電気的にカップリングされる第２のシャントを形成する工程を備える。上記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。上記方法は例えば、図１９の記載にしたがって実行される。 According to yet another embodiment, a method for manufacturing a thermoelectric device includes: forming a first nanowire associated with a first side of a substrate; forming a first electrode structure; Forming a second nanowire associated with the second side, and forming a second electrode structure. Each of the first nanowires has a first end and a second end opposite thereto. The step of forming the first electrode structure includes depositing a first contact layer that electrically connects the first nanowires through at least each of the first ends, and the first Forming a first shunt that is electrically coupled to the contact layer. The second nanowire is a nanowire different from the first nanowire. The second side is the opposite side of the first side. Each of the second nanowires has a third end and a fourth end opposite thereto. The step of forming the second electrode structure includes depositing a second contact layer that electrically connects the second nanowire through at least each of the third ends, and the second Forming a second shunt that is electrically coupled to the contact layer. All of the first nanowires are substantially parallel to each other. All of the second nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The above method is executed, for example, according to the description of FIG.
実施形態に応じて、上述の利点の１つ以上が実現される。本発明の上述の利点、およびさらなる多様な目的、特徴、および長所は、以下の発明の詳細な説明および添付の図面を参照することで十分に理解されるであろう。 Depending on the embodiment, one or more of the advantages described above are realized. The foregoing advantages and further various objects, features and advantages of the present invention will be more fully appreciated with reference to the following detailed description of the invention and the accompanying drawings.
〔図面の簡単な説明〕
図１は、本発明の一実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a nanowire array provided with an electrode structure according to an embodiment of the present invention.
図２は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。 FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention.
図３は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。 FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention.
図４は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。 FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention.
図５は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。 FIG. 5 is a schematic diagram showing a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention.
図６は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。 FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention.
図７Ａは、本発明の一実施形態に係る熱電素子の枝部を示す略図である。 FIG. 7A is a schematic diagram showing branches of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention.
図７Ｂは、本発明の一実施形態に係る熱電素子の一部を示す略図である。 FIG. 7B is a schematic diagram showing a part of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention.
図８Ａは、本発明の他の実施形態に係る熱電素子の枝部を示す略図である。 FIG. 8A is a schematic diagram illustrating a branch portion of a thermoelectric element according to another embodiment of the present invention.
図８Ｂは、本発明の他の実施形態に係る熱電素子の一部を示す略図である。 FIG. 8B is a schematic diagram showing a part of a thermoelectric element according to another embodiment of the present invention.
図９Ａは、本発明の他の実施形態に係る熱電素子の枝部を示す略図である。 FIG. 9A is a schematic diagram showing branches of a thermoelectric element according to another embodiment of the present invention.
図９Ｂは、本発明の他の実施形態に係る熱電素子の一部を示す略図である。 FIG. 9B is a schematic diagram showing a part of a thermoelectric element according to another embodiment of the present invention.
図１０は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法を示す略図である。 FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to an embodiment of the present invention.
図１１は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、１つ以上の基板にナノ構造アレイを形成する工程を示す略図である。 FIG. 11 is a schematic diagram illustrating a process of forming a nanostructure array on one or more substrates as part of a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to an embodiment of the present invention.
図１２Ａは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、基板を用意する工程に用いる基板を示す略図である。 FIG. 12A is a schematic diagram illustrating a substrate used in a step of preparing a substrate as part of a method for forming an electrode structure on a nanostructure array according to an embodiment of the present invention.
図１２Ｂは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、図１１に示すような工程によって形成する基板内のナノ構造アレイを示す略図である。 FIG. 12B is a schematic diagram illustrating a nanostructure array in a substrate formed by a process as shown in FIG. 11 as part of a method for forming an electrode structure on a nanostructure array according to an embodiment of the present invention.
図１３は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、基板内のナノ構造アレイを充填する工程を示す略図である。 FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a process of filling a nanostructure array in a substrate as part of a method for forming an electrode structure on a nanostructure array according to an embodiment of the present invention.
図１４は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、図１３の工程が形成する基板内の充填したナノ構造アレイの略図である。 FIG. 14 is a schematic diagram of a filled nanostructure array in a substrate formed by the process of FIG. 13 as part of a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to an embodiment of the present invention.
図１５は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、ナノ構造アレイ上に１つ以上の接触層を形成する工程を示す略図である。 FIG. 15 is a schematic diagram illustrating a process of forming one or more contact layers on a nanostructure array as part of a method for forming an electrode structure on the nanostructure array according to an embodiment of the present invention.
図１６Ａは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、平坦化工程が形成する基板内の充填および平坦化されたナノ構造アレイの略図である。 FIG. 16A is a schematic illustration of a filled and planarized nanostructure array in a substrate formed by a planarization process as part of a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to one embodiment of the present invention. .
図１６Ｂは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、ナノ構造セグメントを露出させる工程によって露出セグメントが形成されている、充填および平坦化されたナノ構造アレイの略図である。 FIG. 16B is a filled and planarized structure where exposed segments are formed by exposing nanostructure segments as part of a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to one embodiment of the invention. 1 is a schematic representation of a nanostructure array.
図１７Ａは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、ナノ構造アレイの露出セグメントの露出前の表面を示す走査型電子顕微鏡像である。 FIG. 17A is a scanning electron microscope image showing the surface of an exposed segment of a nanostructure array before exposure as part of a method for forming an electrode structure on the nanostructure array according to one embodiment of the present invention.
図１７Ｂは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、ナノ構造アレイの露出セグメントの露出後の表面を示す走査型電子顕微鏡像である。 FIG. 17B is a scanning electron microscope image showing the exposed surface of an exposed segment of a nanostructure array as part of a method for forming an electrode structure on a nanostructure array according to one embodiment of the invention.
図１８は、本発明の他の実施形態に係る、ナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法を示す略図である。 FIG. 18 is a schematic diagram illustrating a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to another embodiment of the present invention.
図１９は、本発明の他の実施形態に係る、ナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法を示す略図である。 FIG. 19 is a schematic diagram illustrating a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to another embodiment of the present invention.
図２０は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法の一部として、基板の一方の側およびその反対側にナノ構造アレイを形成する工程により基板の一方の側およびその反対側にナノワイヤーアレイを形成した基板の略図である。 FIG. 20 illustrates a method of forming a nanostructure array on one side of a substrate and on the opposite side as part of a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to an embodiment of the present invention. 1 is a schematic view of a substrate with a nanowire array formed on one side and on the opposite side.
図２１Ａおよび２１Ｂは、熱電素子の断面積を一定とした場合における、電極構造の異なる厚さ毎に、素子サイズに対してプロットしたＴＥＧ電力を示す略図である。 FIGS. 21A and 21B are schematic diagrams showing TEG power plotted against element size for different thicknesses of the electrode structure when the cross-sectional area of the thermoelectric element is constant.
図２２Ａおよび２２Ｂは、断面積を一定とした場合における、電極構造の異なる厚さ毎に、素子サイズに対してプロットしたＴＥＧ電力を示す略図である。 FIGS. 22A and 22B are schematic diagrams showing TEG power plotted against element size for different thicknesses of the electrode structure for a constant cross-sectional area.
〔発明を実施するための形態〕
本発明はナノ構造に関する。より詳細には、本発明はナノ構造アレイ用の電極構造およびその方法を提供する。本発明は単に一例として、１つ以上の充填材によって埋め込まれ、熱電素子用の電極構造を設けられたナノ構造アレイに適用される。しかし、本発明はより広範囲に適用可能であり、その適用可能な範囲は、太陽熱発電、電池電極および／またはエネルギー貯蔵、触媒作用、および／または発光ダイオードへの使用を含むが、これに限定されないことが理解されるであろう。
[Mode for Carrying Out the Invention]
The present invention relates to nanostructures. More particularly, the present invention provides electrode structures and methods for nanostructure arrays. The present invention is applied by way of example only to a nanostructure array embedded with one or more fillers and provided with an electrode structure for a thermoelectric element. However, the present invention is more widely applicable, including but not limited to solar power generation, battery electrodes and / or energy storage, catalysis, and / or use in light emitting diodes. It will be understood.
熱電材料は一般に、その物理的形状に基づいて実用性が決定される。例えば、熱電素子の高温側および低温側に配置される熱電材料の表面積が大きくなるほど、出力密度が上昇して、熱伝達および／またはエネルギー伝達をサポートする熱電素子の能力が向上する。熱電素子の高温側および低温側の間の距離を最適な最短距離（すなわち、熱電ナノ構造の長さ）にすることは、熱電素子全体の温度勾配の向上をより良好にサポートするうえで役立つ。これにより出力密度を増大させて、熱伝達および／またはエネルギー伝達をサポートする熱電材料の能力を向上させてもよい。 Thermoelectric materials are generally determined to be useful based on their physical shape. For example, as the surface area of the thermoelectric material disposed on the high temperature side and low temperature side of the thermoelectric element increases, the power density increases and the ability of the thermoelectric element to support heat transfer and / or energy transfer improves. Making the distance between the high temperature side and the low temperature side of the thermoelectric element the optimum shortest distance (ie, the length of the thermoelectric nanostructure) helps to better support the improvement of the temperature gradient of the entire thermoelectric element. This may increase the power density and improve the ability of the thermoelectric material to support heat transfer and / or energy transfer.
熱電性のナノ構造の１つの種類は、好適な熱電特性を有するナノワイヤーアレイである。ナノワイヤーを使用することで有利な熱電特性を得ることが可能であるものの、従来のナノワイヤーおよびナノワイヤーアレイは、アレイサイズが比較的小さく、製造後のナノワイヤーの長さが短いために、今日に至るまでその技術的応用性が限られていた。熱電用途に適用可能なナノ構造の他の種類はナノ孔またはナノメッシュである。しかし、ナノ孔またはナノメッシュのアレイに関してもまた、ナノ構造の形成または合成が可能な体積が小さいことから、その適用性が限られていた。例えば、１００μｍ未満の長さの従来のアレイ構造では、このような長さの短いアレイ構造全体に利用可能な熱交換技術を適用した場合でも、温度勾配を保持または確立する能力は著しく低いため、発電および／または熱ポンピングへの適用性が限られていた。また、１０μｍ未満の長さの従来のナノ構造については、この適用性が一層限定されていた。さらに、他の例では、４インチ、６インチ、８インチ、および１２インチのウェハ寸法より小さいアレイは、市販されているものが限られている。 One type of thermoelectric nanostructure is a nanowire array with suitable thermoelectric properties. Although it is possible to obtain advantageous thermoelectric properties by using nanowires, conventional nanowires and nanowire arrays have a relatively small array size and the length of nanowires after manufacture is short, To date, its technical applicability has been limited. Another type of nanostructure applicable for thermoelectric applications is nanopores or nanomesh. However, the applicability of nanopore or nanomesh arrays has also been limited due to the small volume in which nanostructures can be formed or synthesized. For example, a conventional array structure with a length of less than 100 μm has a significantly low ability to maintain or establish a temperature gradient even when applying heat exchange techniques available to such a short array structure as a whole, Limited applicability to power generation and / or heat pumping. Also, this applicability has been more limited for conventional nanostructures with a length of less than 10 μm. In addition, in other examples, arrays that are smaller than 4 inch, 6 inch, 8 inch, and 12 inch wafer dimensions are limited to those that are commercially available.
半導体材料を用いて形成した極めて長いナノ構造の大きなアレイの開発は、熱電素子の形成にとって有益になり得る。例えば、ナノ構造系の熱電材料は、好適な熱電特性を有することが可能であるが、今日に至るまで、作業素子内に効果的に組み込まれていなかった。他の例では、低熱伝導率を有し、半導体基板の内部に形成されたシリコンナノ構造を用いて、熱電素子を作製するための複数の熱電要素を形成することが可能である。さらに他の例では、シリコンナノワイヤーを半導体基板の所定領域内に形成し、組み立て熱電素子のｎ型枝部またはｐ型枝部またはその両方として使用することが可能である。 The development of large arrays of very long nanostructures formed using semiconductor materials can be beneficial for the formation of thermoelectric elements. For example, nanostructured thermoelectric materials can have suitable thermoelectric properties, but to date, they have not been effectively incorporated into work elements. In another example, it is possible to form a plurality of thermoelectric elements for making thermoelectric elements using silicon nanostructures having low thermal conductivity and formed inside a semiconductor substrate. In yet another example, silicon nanowires can be formed in a predetermined region of a semiconductor substrate and used as an n-type branch or a p-type branch or both of an assembled thermoelectric element.
しかし、ナノ構造アレイの形成および使用に関しては、しばしば多くの困難が存在する。例えば、ナノ構造は、しばしば脆いため、簡単に曲がるか または壊れてしまうことがある。他の例では、拡散および／または腐食が生じるため、ナノ構造を高温の表面に直接適用することは不可能である。他の例では、ナノ構造を過酷な環境下へ突き出させたり、晒したりすることはできない。さらに他の例では、ナノ構造は、熱電応用に必要とされる信頼性の高い面状の金属接触を形成するために、支持材を必要とする。さらに他の例では、ナノ構造は、熱電素子および他の素子に実用されるために、好適な電極構造を必要とする。 However, there are often many difficulties associated with the formation and use of nanostructure arrays. For example, nanostructures are often fragile and can easily bend or break. In other examples, nanostructures cannot be applied directly to hot surfaces because of diffusion and / or corrosion. In other examples, nanostructures cannot be exposed or exposed to harsh environments. In yet another example, the nanostructures require a support material to form the reliable planar metal contacts required for thermoelectric applications. In yet another example, nanostructures require suitable electrode structures in order to be used in thermoelectric devices and other devices.
より詳しくは、ナノ構造は、特定の実施形態に係る複雑で互いに競合する可能性のある条件を満たす電極構造を必要とする。例えば、電極構造は、ナノ構造に対する接触抵抗を低くすべきである。他の例では、電極構造は、ナノ構造の境界における仕事関数を低くすべきである。さらに他の例では、電極構造によって、熱電素子の同一の枝部に設けられたナノ構造の端部間に良好な電気伝導率を付与すできである。さらに他の例では、電極構造によって、低抵抗の熱電素子の異なる枝部の間に相互接続を付与すべきである。さらに他の例では、電極構造は、熱伝導率を高くし、および／または熱抵抗率を低くすべきである。さらに他の例では、電極構造は、熱電素子が晒されるであろう高温に耐えるものとすべきである。残念なことに、所望の温度範囲、表面形状、サイズ、電気特性、および熱特性の組み合わせを考慮すると、熱電素子への使用に理想的な物理的および化学的特性を有する単一の材料を見つけることは困難である。したがって、複数の協働材料を設けた電極構造は、幾つかの実施形態に係る所望の目標を達成するうえで有用になる。 More specifically, nanostructures require electrode structures that meet complex and potentially competing conditions according to certain embodiments. For example, the electrode structure should have a low contact resistance to the nanostructure. In other examples, the electrode structure should have a low work function at the boundaries of the nanostructure. In yet another example, the electrode structure can provide good electrical conductivity between the ends of the nanostructures provided on the same branch of the thermoelectric element. In yet another example, the electrode structure should provide interconnection between different branches of the low resistance thermoelectric element. In yet another example, the electrode structure should have high thermal conductivity and / or low thermal resistivity. In yet another example, the electrode structure should be able to withstand the high temperatures that the thermoelectric element will be exposed to. Unfortunately, given a combination of desired temperature range, surface shape, size, electrical properties, and thermal properties, find a single material with the ideal physical and chemical properties for use in thermoelectric elements It is difficult. Thus, an electrode structure provided with a plurality of cooperating materials is useful in achieving the desired goals according to some embodiments.
特定の実施形態によれば、電極構造に複数の材料を使用する場合では、さらなる物理的、電気的、および化学的問題が発生する。例えば、複数の材料間の界面点における結合および／または接着を良好なものにすべきである。他の例では、複数の材料間の熱膨張の不一致を低くすべきである。さらに他の例では、複数の材料間の拡散を制限されたものにすべきである。したがって、ナノ構造アレイは、幾つかの実施形態に係る慎重に形成された電極構造から恩恵を享受することになる。 According to certain embodiments, additional physical, electrical, and chemical issues arise when using multiple materials for the electrode structure. For example, bonding and / or adhesion at interface points between multiple materials should be good. In other examples, the thermal expansion mismatch between the materials should be low. In yet another example, diffusion between multiple materials should be limited. Thus, the nanostructure array will benefit from carefully formed electrode structures according to some embodiments.
図１は、本発明の一実施形態に係る、電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図１では、ナノワイヤーアレイ１１０は、半導体材料（例えば、半導体基板）ブロックの内部に形成されている。一例では、上記半導体基板によってウェハ全体が構成されている。他の例では、上記半導体基板は４インチウェハである。さらに他の例では、上記半導体基板は、４インチウェハより大きなパネルである。さらに他の例では、上記半導体基板は６インチウェハである。さらに他の例では、上記半導体基板は８インチウェハである。さらに他の例では、上記半導体基板は１２インチウェハである。さらに他の例では、上記半導体基板は、８インチウェハより大きなパネルである。さらに他の例では、上記半導体基板は、ウェハと異なる形状で形成されている。さらに他の例では、上記半導体基板は単結晶である。さらに他の例では、上記半導体基板は多結晶である。さらに他の例では、上記半導体基板はシリコンを含む。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a nanowire array provided with an electrode structure according to an embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 1, the
幾つかの実施形態では、上記半導体基板は機能化される。例えば、上記半導体基板にドーピングを施してｎ型の半導体を形成する。他の例では、上記半導体基板にドーピングを施してｐ型の半導体を形成する。さらに他の例では、上記半導体基板に、ＩＩＩ族元素および／またはＶ族元素を用いてドーピングを施す。他の例では、上記半導体基板を機能化させて、その電気特性および／または熱特性を制御する。さらに他の例では、上記半導体基板は、ホウ素および／またはリンを用いてドーピングを施したシリコンを含む。さらに他の例では、上記半導体基板にドーピングを施して、その抵抗を０．００００１Ω‐ｍから３０００Ω‐ｍの間に調節する。さらに他の例では、上記半導体基板を機能化して、ナノワイヤーアレイ１１０に０．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）（ワット毎メートル毎ケルビン）から５００Ｗ／（ｍ・Ｋ）の範囲の熱伝導率を付与する。
In some embodiments, the semiconductor substrate is functionalized. For example, an n-type semiconductor is formed by doping the semiconductor substrate. In another example, the semiconductor substrate is doped to form a p-type semiconductor. In yet another example, the semiconductor substrate is doped with a group III element and / or a group V element. In another example, the semiconductor substrate is functionalized to control its electrical and / or thermal characteristics. In yet another example, the semiconductor substrate includes silicon doped with boron and / or phosphorus. In yet another example, the semiconductor substrate is doped to adjust its resistance between 0.00001 Ω-m and 3000 Ω-m. In yet another example, the semiconductor substrate is functionalized so that the
他の実施形態では、上記ナノワイヤーアレイ１１０は半導体基板の内部に形成されている。例えば、上記ナノワイヤーアレイ１１０は、半導体基板のほぼ全体に形成される。他の例では、上記ナノワイヤーアレイ１１０は複数のナノワイヤー１２０を含む。他の例では、各ナノワイヤーアレイ１２０は端部１３０を有する。さらに他の例では、上記複数のナノワイヤー１２０のそれぞれの端部１３０をまとめるとアレイ部分になる。さらに他の例では、上記アレイ部分は０．０１ｍｍ×０．０１ｍｍの大きさである。さらに他の例では、上記アレイ部分は０．１ｍｍ×０．１ｍｍの大きさである。さらに他の例では、上記アレイ部分の直径は４５０ｍｍである。さらに他の例では、各ナノワイヤー１２０の一方の端部１３０と反対側の端部１４０との間の距離は少なくとも２００μｍである。さらに他の例では、各ナノワイヤー１２０の一方の端部１３０と他方の端部１４０との間の距離は少なくとも３００μｍである。さらに他の例では、各ナノワイヤー１２０の一方の端部１３０と他方の端部１４０との間の距離は少なくとも４００μｍである。さらに他の例では、各ナノワイヤー１２０の一方の端部１３０と他方の端部１４０との間の距離は少なくとも５００μｍである。さらに他の例では、各ナノワイヤー１２０の一方の端部１３０と他方の端部１４０との間の距離は少なくとも５２５μｍである。
In another embodiment, the
さらに他の例では、上記複数のナノワイヤー１２０の全ナノワイヤーは実質的に、互いに並行である。さらに他の例では、上記複数のナノワイヤー１２０は実質的に、上記半導体基板の内部で垂直方向に形成されている。さらに他の例では、上記複数のナノワイヤー１２０は実質的に、上記アレイ部分に対して垂直方向に配向されている。さらに他の例では、上記複数のナノワイヤー１２０の各々は粗面を有する。さらに他の例では、上記複数のナノワイヤー１２０の各々は実質的に均一な断面部分を有し、各ナノワイヤー１２０の断面部分に対する長さの比が大きい。さらに他の例では、上記複数のナノワイヤー１２０の各々の断面部分は実質的に円形である。さらに他の例では、上記複数のナノワイヤー１２０の各々の断面部分の幅は１ｍｍ〜２５０ｍｍである。
In yet another example, all nanowires of the plurality of
さらに他の例では、上記複数のナノワイヤー１２０の各々の間に間隙１５０が形成される。例えば、上記間隙１５０の各々は２５ｍｍ〜１，０００ｍｍである。他の例では、上記間隙１５０は実質的に、１つ以上の充填材１６０で充填されている。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０はマトリクスを形成している。さらに他の例では、上記マトリクスは多孔質である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、低い熱伝導率を有する。さらに他の例では、上記熱伝導率は、０．０００１Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。さらに他の例では、上記熱伝導率は１Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、上記複数のナノワイヤー１２０にさらなる機械的安定性を付与する。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、長時間の素子動作期間中に３５０℃を超える温度に耐えることが可能である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、長時間の素子動作期間中に５５０℃を超える温度に耐えることが可能である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、長時間の素子動作期間中に６５０℃を超える温度に耐えることが可能である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、長時間の素子動作期間中に７５０℃を超える温度に耐えることが可能である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、長時間の素子動作期間中に８００℃を超える温度に耐えることが可能である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は線形熱膨張係数を有する。さらに他の例では、上記線形熱膨張係数は、０．０１μｍ／ｍ・Ｋ〜３０μｍ／ｍ・Ｋである。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０を平坦化処理されることが可能である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０を研磨されることが可能である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、その上方にさらなる材料を重畳するための支持基盤を提供する。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は伝導性である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、上記複数のナノワイヤー１２０との良好な電気接触の形成をサポートする。他の例では、上記１つ以上の充填材１６０は、上記複数のナノワイヤー１２０との良好な熱接触の形成をサポートする。
In yet another example, a
さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１６０の各々は、フォトレジスト、スピンオンガラス、スピンオンドーパント、エアロゲル、キセロゲル、および酸化物などからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。例えば、上記フォトレジストは、長いＵＶ波長のＧ線（例えば、４３６ｍｍ）フォトレジストを含む。他の例では、上記フォトレジストはネガ型のフォトレジスト特性を有する。さらに他の例では、上記フォトレジストは、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびガラスを含む多様な基板物質との良好な接着性を示す。さらに他の例では、上記フォトレジストは、Ａｕ、Ｃｕ、およびＡｌを含む多様な金属にとの良好な接着性を示す。さらに他の例では、上記スピンオンガラスは高い誘電率を有する。さらに他の例では、上記スピンオンドーパントは、ｎ型ドーパントおよび／またはｐ型ドーパントを含む。さらに他の例では、上記スピンオンドーパントは、上記ナノワイヤーアレイ１１０の異なる部分に、異なるドーパントと一緒に局所的に塗布される。さらに他の例では、上記スピンオンドーパントは、ホウ素および／またはリンなどを含む。さらに他の例では、上記スピンオンガラスは１つ以上のスピンオンドーパントを含む。さらに他の例では、上記エアロゲルは、約０．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下という極めて低い熱伝導率によって特徴付けられるシリカゲルに由来のエアロゲルである。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材は、１つ以上の酸化物の長鎖を含む。他の例では、上記１つ以上の充填材は、Ａｌ２Ｏ３、ＦｅＯ、ＦｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＨｆＯ２、ＣｒＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、および／またはＣＮなどからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。
In yet another example, each of the one or
幾つかの実施形態によれば、上記１つ以上の充填材１６０は、上記複数のナノワイヤー１２０の間に形成される上記間隙１５０を完全には充填しない。一例では、上記端部１３０は、上記１つ以上の充填材１６０を超えて延伸して突出セグメント１３５を形成する。さらに他の例では、上記端部１３０、上記反対側の端部１４０、および上記１つ以上の充填材１６０は、各ナノワイヤー１２０の長さに沿って、複数の領域を定義する。さらに他の例では、上記端部１３０からこれに最も近い上記１つ以上の充填材１６０の表面まで延伸する領域は、上記突出セグメント１３５に対応する。
According to some embodiments, the one or
幾つかの実施形態によれば、上記１つ以上の充填材１６０内に埋め込まれた上記ナノワイヤーアレイ１１０は有用な特徴を有する。例えば、埋め込まれた上記ナノワイヤーアレイ１１０は、よく位置決めされている。他の例では、埋め込まれた上記ナノワイヤーアレイ１１０は、破壊されることなく、高い温度勾配に耐える。さらに他の例では、埋め込まれた上記ナノワイヤーアレイ１１０は、上記複数のナノワイヤー１２０の屈曲または破壊を伴うことなく、高い温度勾配に耐える。さらに他の例では、埋め込まれた上記ナノワイヤーアレイ１１０は機械的強度が向上するので、上記ナノワイヤーアレイ１１０の１つ以上の表面に対して１つ以上の表面研磨処理および／または平坦化処理を行うことが可能になる。さらに他の例では、埋め込まれた上記ナノワイヤーアレイ１１０は機械的強度が向上するので、当該ナノワイヤーアレイ１１０の取扱い処理、機械加工処理、および／または製造処理がサポートされる。さらに他の例では、上記突出セグメント１３５によって、上記ナノワイヤーアレイ１１０との１つ以上の電気接触および／または１つ以上の熱接触の形成がサポートされる。
According to some embodiments, the
幾つかの実施形態によれば、電極構造１９５は上記ナノワイヤーアレイ１１０上に形成される。例えば、各突出セグメント１３５は半導体接触材１７０によってそれぞれ部分的または全体的に覆われる。さらに他の例では、上記半導体接触材１７０は、各突出セグメント１３５の上にそれぞれの絶縁保護コーティングを形成する。さらに他の例では、上記半導体接触材１７０は層を形成する。幾つかの実施形態では、上記半導体接触材１７０の各々は１つ以上の導電材料を含む。例えば、上記１つ以上の導電材料は、半導体、半金属、および金属などからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。他の例では、各半導体は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｎ、Ｇａ、Ａｓ、およびＩｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、半導体にはドーピングが施されている。さらに他の例では、半金属は、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、およびＳｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、金属は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｗ、Ｍｇ、ＴｉＷ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、およびＷＳｉなどからなる一群から選択される。
According to some embodiments, the
さらに他の例では、上記半導体接触材１７０は、上記複数のナノワイヤー１２０の上記端部１３０と１つ以上の電気接触を形成する。さらに他の例では、上記半導体接触材１７０は、上記複数のナノワイヤー１２０の上記端部１３０と１つ以上の抵抗接触を形成する。さらに他の例では、上記半導体接触材１７０は、１つ以上の上記複数のナノワイヤー１２０を通過する１つ以上の熱経路を確立する一方で上記１つ以上の充填材１６０内で発生する熱漏洩を制限するために、１つ以上の表面との間に１つ以上の良好な熱接触を形成するように構成される。さらに他の例では、上記半導体接触材１７０は、上記突出セグメント１３５との接触抵抗率が低い。さらに他の例では、上記接触抵抗率は１０−７Ω‐ｍ２未満である。さらに他の例では、上記接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２である。さらに他の例では、上記半導体接触材１７０は、上記半導体接触材１７０と上記突出セグメント１３５との間の仕事関数が低い。さらに他の例では、上記仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。さらに他の例では、上記半導体接触材１７０は、上記複数のナノワイヤー１２０の熱膨張と略同一な熱膨張を有する。さらに他の例では、上記半導体接触材１７０は０．４μｍ／（ｍ・Ｋ）〜２５μｍ／（ｍ・Ｋ）の範囲の熱膨張を有する。
In yet another example, the
幾つかの実施形態によれば、接触層１７４を形成して、上記ナノワイヤーアレイ１１０の各突出セグメント１３５の間に電気接続を供与する。例えば、上記ナノワイヤーアレイは、熱電素子の枝部の一部を形成する。他の例では、上記接触層１７４は、１０６Ｓ／ｍ〜１０８Ｓ／ｍの範囲の導電率を有する。さらに他の例では、上記導電率は１Ｗ／（ｍ・Ｋ）より大きい。さらに他の例では、上記接触層は、低い熱抵抗を有する。さらに他の例では、上記熱抵抗は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗである。さらに他の例では、上記接触層１７４は、１つ以上の導体材料を含む。例えば、上記１つ以上の導体材料は、半導体、半金属、および金属などからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。さらに他の例では、各半導体は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｎ、Ｇａ、Ａｓ、およびＩｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、上記半導体にはドーピングが施されている。さらに他の例では、半金属は、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、およびＳｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、金属は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｗ、Ｍｇ、ＴｉＷ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、およびＷＳｉなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、上記接触層１７４の厚さは約５０ｎｍである。さらに他の例では、上記接触層１７４は１ｎｍ〜１００，０００ｎｍの厚さを有する。
According to some embodiments, a
幾つかの実施形態によれば、上記接触層１７４は、１つ以上の結合材１７２を用いて上記半導体接触材１７０に取り付けられる。一例では、上記結合剤１７２は層を形成する。他の例では、上記結合材１７２は半田を含む。さらに他の例では、上記半田は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、およびＢｉなどからなる一群の１つの材料を含む。さらに他の例では、上記結合材１７２は、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｕ、およびＰｔなどからなる一群の少なくとも１つの材料を含むろう材を含む。さらに他の例では、上記結合材１７２は銀系の金属接着剤を含む。さらに他の例では、上記結合材１７２は１００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、上記結合材１７２は１０００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、上記結合材１７２は０．４μｍ／（ｍ・Ｋ）〜２５μｍ／（ｍ・Ｋ）の範囲の熱膨張を有する。さらに他の例では、上記結合材１７２は低い熱抵抗を有する。さらに他の例では、上記熱抵抗は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗである。さらに他の例では、上記結合材１７２は低いシート抵抗を有する。さらに他の例では、上記シート抵抗は１０−１０Ω／□〜１０Ω／□（Ω毎平方）である。
According to some embodiments, the
幾つかの実施形態によれば、シャント１８０を形成して、上記接触層１７４と熱電素子内の他の素子との間に電気接続を供与する。例えば、上記他の素子は、熱電素子の他の枝部の１つ以上の接触層を含む。他の例では、上記シャント１８０は層を形成する。さらに他の例では、上記シャント１８０は低いシート抵抗を有する。さらに他の例では、上記シート抵抗は１０−１０Ω／□〜１０Ω／□である。さらに他の例では、上記シャント１８０は、１つ以上の導体材料を含む。さらに他の例では、１つ以上の導体材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｗ、Ｍｇ、ＴｉＷ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ、ＷＳｉ、グラファイト、スチール、ニッケルと鉄の合金、および、コバルトと、クロムと、ニッケルと、鉄と、モリブデンと、マンガンとの合金などからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。さらに他の例では、ニッケルと鉄の合金は、ニッケルを約４２重量パーセント、鉄を約５７重量パーセント、炭素、マンガン、リン、硫黄、シリコン、クロム、アルミニウム、および／またはコバルトを微量に含む合金４２である。さらに他の例では、コバルトと、クロムち、ニッケルと、鉄と、モリブデンと、マンガンとの合金は、コバルトを約３９〜４１重量パーセント、クロムを約１９〜２１重量パーセント、ニッケルを約１４〜１６重量パーセント、鉄を約１１．３〜２０．５重量パーセント、モリブデンを約６〜８重量パーセント、および／またはマンガンを約１．５〜２．５重量パーセント含むエルジロイ（Ｅｇｉｌｏｙ）である。さらに他の例では、上記シャント１８０は１ｎｍ〜１００，０００ｎｍの範囲の厚さを有する。
According to some embodiments, a
幾つかの実施形態によれば、上記シャント１８０は、１つ以上の結合材１８５を用いて上記接触層１７０に取り付けられる。一例では、上記結合材１８５は、層を形成する。他の例では、上記結合材１８５は、半田を含む。さらに他の例では、半田は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、およびＢｉなどからなる一群の少なくとも１つの材料を含む。さらに他の例では、上記結合材１８５は、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｉ，Ａｇ、Ａｕ、およびＰｔなどからなる一群の少なくとも１つの材料を含むろう材を含む。さらに他の例では、上記結合材１８５は、銀系の金属接着剤を含む。さらに他の例では、上記結合材１８５は、１００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、上記結合材１８５は、１０００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、上記結合材１８５は、０．４μｍ／（ｍ・Ｋ）〜２５μｍ／（ｍ・Ｋ）の範囲の熱膨張を有する。さらに他の例では、上記結合材１８５は、低い熱抵抗を有する。さらに他の例では、上記熱抵抗は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗである。さらに他の例では、上記結合材１８５は、低いシート抵抗を有する。さらに他の例では、上記シート抵抗は１０−１０Ω／□〜１０Ω／□である。
According to some embodiments, the
幾つかの実施形態によれば、絶縁層１９０は上記シャント１８０を保護する。例えば、上記絶縁層１９０は、上記シャント１８０に電気絶縁を付与する。他の例では、上記絶縁層１９０は、上記シャント１８０が他の導電面と短絡（ショート）する可能性を低減する。さらに他の例では、上記絶縁層１９０は、少なくとも１ＭΩの高い電気抵抗を有する。さらに他の例では、上記絶縁層１９０は、少なくとも２Ｗ（ｍ・Ｋ）（ワット毎メートル毎ケルビン）の高い熱伝導率を有する。さらに他の例では、上記絶縁層１９０は１００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、上記絶縁層１９０は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮ、およびＡｌ２Ｏ３などからなる一群から選択される１つ以上の材料を含む。さらに他の例では、上記絶縁層１９０は上記シャント１８０に取り付けられる。さらに他の例では、上記絶縁層１９０は、熱電素子を内部で使用する熱交換器の一部である。
According to some embodiments, the insulating
幾つかの実施形態によれば、半導体接触材１７０、結合材１７２、接触層１７２、結合材１８５、シャント１８０、および絶縁層１９０からなる一群から選択される各層は、熱電素子への使用に好適な材料特性を有する。例えば、これらの層は全体として、熱電素子の枝部の端部にとって好適な電極構造１９５を形成する。他の例では、上記電極構造１９５の全体的な厚さは、数十ミクロンから１０ｃｍを超える値までの範囲である。さらに他の例では、上記電極構造１９５は、所望の熱交換条件、標的表面温度、および／またはナノワイヤー特性に基づいて最適化される。さらに他の例では、上記電極構造１９５を最適化させて、熱電発電機（ＴＥＧ）の最大出力を得る。
According to some embodiments, each layer selected from the group consisting of
さらに他の例では、上記層の各々は、上記電極構造１９５の隣接層内の材料に対する良好な接着性を有する。さらに他の例では、互いに隣接する層のそれぞれの線形熱膨張係数間の差は小さい。さらに他の例では、上記層の各々は０．０１μｍ／（ｍ・Ｋ）〜３０μｍ／（ｍ・Ｋ）の範囲の線形熱膨張係数を有する。
In yet another example, each of the layers has good adhesion to materials in adjacent layers of the
さらに他の例では、上記電極構造の熱伝導率は１Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜１０００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。さらに他の例では、上記電極構造１９５は、長時間の素子の動作期間中に３５０℃を超える温度に耐えることが可能である。さらに他の例では、上記電極構造１９５は、長時間の素子の動作期間中に５５０℃を超える温度に耐えることが可能である。さらに他の例では、上記電極構造１９５は、長時間の素子の動作期間中に６５０℃を超える温度に耐えることが可能である。さらに他の例では、上記電極構造１９５は、長時間の素子の動作期間中に７５０℃を超える温度に耐えることが可能である。さらに他の例では、上記電極構造１９５は、長時間の素子の動作期間中に８００℃を超える温度に耐えることが可能である。
In still another example, the thermal conductivity of the electrode structure is 1 W / (m · K) to 1000 W / (m · K). In yet another example, the
さらに他の例では、拡散障壁層は、他の２つの層のうちいずれかの層の間に形成される。さらに他の例では、半導体接触材１７０、結合材１７２、接触層１７２、結合材１８５、シャント１８０からなる一群から選択されるいずれかの層は、拡散障壁層である。
In yet another example, the diffusion barrier layer is formed between any one of the other two layers. In yet another example, any layer selected from the group consisting of the
他の実施形態によれば、半導体接触材１７０、結合材１７２、接触層１７２、結合材１８５、シャント１８０、および絶縁層１９０からなる一群から選択される上記電極構造１９５の上記層の１つ以上は、任意の層である。
According to another embodiment, one or more of the layers of the
図２は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図２では、上記結合材１８５は電極構造２９５から省略されている。例えば、電極構造２９５は、半導体接触材１７０、結合材１７２、接触層１７４、シャント１８０、および絶縁層１９０を備える。他の例では、上記絶縁層１９０は省略される。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 2, the
図３は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図３では、上記結合材１７２は電極構造３９５から省略されている。例えば、電極構造２９５は、半導体接触材１７０、接触層１７４、結合材１８５、シャント１８０、および絶縁層１９０を備える。他の例では、上記絶縁層１９０は省略される。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 3, the
図４は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図４では、上記結合材１７２および１８５は電極構造４９５から省略されている。例えば、電極構造２９５は、半導体接触材１７０、接触層１７４、シャント１８０、および絶縁層１９０を備える。他の例では、上記絶縁層１９０は省略される。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 4, the
さらに他の実施形態によれば、半導体接触材１７０および接触層１７４は適宜組み合わされる。
According to yet another embodiment, the
図５は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図５では、半導体接触材および接触層が組み合わされて、電極構造５９５の一部として複合接触層５７０を形成している。例えば、上記電極構造５９５は、複合接触層５７０、結合材１８５、シャント１８０、および絶縁層１９０を備える。他の例では、上記複合接触層５７０によって各突出セグメント１３５が覆われている。幾つかの実施形態では、上記複合接触層５７０は１つ以上の導体材料を含む。例えば、１つ以上の導体材料は、半導体、半金属、および金属などからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。他の例では、各半導体は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｎ、Ｇａ、Ａｓ、およびＩｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、半導体にはドーピングが施されている。さらに他の例では、半金属は、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、およびＳｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、金属は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｗ、Ｍｇ、ＴｉＷ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、およびＷＳｉなどからなる一群から選択される。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 5, the semiconductor contact material and the contact layer are combined to form a
さらに他の例では、上記複合接触層５７０は、上記複数のナノワイヤー１２０の端部１３０と１つ以上の電気接触を形成する。さらに他の例では、上記複合接触層５７０は、上記複数のナノワイヤー１２０の端部１３０と１つ以上のオーム接触を形成する。さらに他の例では、複合接触層５７０は、１つ以上の上記複数のナノワイヤー１２０を通過する１つ以上の熱経路を確立する一方で上記１つ以上の充填材１６０内で発生する熱漏洩を制限するために、１つ以上の表面との間に１つ以上の良好な熱接触を形成するように構成される。さらに他の例では、上記複合接触層５７０および上記突出セグメントの間の接触抵抗率は１０−８Ω‐ｍ２未満である。さらに他の例では、上記複合接触層５７０は、上記複合接触層５７０および上記突出セグメント１３５の間において低い仕事関数を有する。さらに他の例では、上記仕事関数は０．８電子ボルト未満である。さらに他の例では、上記複合接触層５７０は、上記複数のナノワイヤー１２０の熱膨張率と略同一の熱膨張率を有する。さらに他の例では、上記複合接触層５７０は、０．４μｍ／（ｍ・Ｋ）〜２５μｍ／（ｍ・Ｋ）の範囲の熱膨張率を有する。さらに他の例では、上記複合接触層５７０の厚さは約５０ｎｍである。さらに他の例では、上記複合接触層５７０は、１ｎｍ〜１００，０００ｎｍの範囲の厚さを有する。他の例では、上記絶縁層１９０は省略される。
In yet another example, the
図６は、本発明の他の実施形態に係る電極構造を設けたナノワイヤーアレイを示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図６では、半導体接触材および接触層を組み合わせて複合接触層５７０を形成する一方で、結合材１８５を電極構造６９５の一部として省略している。例えば、上記電極構造６９５は、上記複合接触層５７０、シャント１８０、および絶縁層１９０を備える。他の例では、上記絶縁層１９０は省略されている。
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a nanowire array provided with an electrode structure according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 6, the
上述の記載で説明し、且つここでさらに強調するように、図１〜６は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきでない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。幾つかの実施形態では、ナノワイヤー以外のナノ構造を形成する。特定の実施形態では、ナノ構造は、上記１つ以上の充填材１６０に完全に埋め込まれる。例えば、各間隙１５０は上記１つ以上の充填材１６０によってそれぞれ完全に充填される。他の例では、複数のナノワイヤーの端部１３０は、実質的に、上記１つ以上の充填材の表面に対して位置合わせされている。さらに他の例では、突出セグメント１３５は実質的に省略されている一方で、半導体接触材１７２および／または複合接触層５７０は端部１３０と接触している。特定の実施形態では、上記１つ以上の充填材１６０は、省略されている。
As explained in the foregoing description and as further emphasized herein, FIGS. 1-6 are merely examples and should not unduly limit the scope of the invention. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In some embodiments, nanostructures other than nanowires are formed. In certain embodiments, the nanostructures are completely embedded in the one or
図７Ａは、本発明の一実施形態に係る熱電素子の枝部を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図７Ａでは、熱電素子の枝部７００はナノワイヤーアレイ７１０を備える。例えば、上記ナノワイヤーアレイ７１０の各ナノワイヤーは、突出セグメント７２０および突出セグメント７２５を有する。他の例では、上記突出セグメント７２０は、図１〜６の上記突出セグメント１３５に対応する。さらに他の例では、上記突出セグメント７２５は、図１〜６の上記突出セグメント１３５に対応する。さらに他の例では、上記突出セグメント７２０の上に電極構造７３０が形成される。さらに他の例では、上記電極構造７３０は上述の電極構造１９５であり、図１に示すような半導体接触材、結合材、接触層、他の結合材、シャント、および絶縁層を備える。さらに他の例では、上記突出セグメント７３０の上に電極構造７３５が形成される。さらに他の例では、上記電極構造７３５は上述の電極構造１９５であり、図１に示すような半導体接触材、結合材、接触層、他の結合材、シャント、および絶縁層を備える。
FIG. 7A is a schematic diagram showing branches of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 7A, the
図７Ｂは、本発明の一実施形態に係る熱電素子の一部を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図７Ｂでは、熱電素子７９０は、複数の熱電素子の枝部７００Ａ、７００Ｂ、および７００Ｃを備える。例えば、上記熱電素子の枝部７００Ａ、７００Ｂ、および７００Ｃの各々は、上述の熱電素子の枝部７００である。他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ａは、電極構造７３０Ａを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ａは、電極構造７３５Ａを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ｂは、電極構造７３０Ｂを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ｂは、電極構造７３５Ｂを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ｃは、電極構造７３０Ｃを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ｃは、電極構造７３５Ｃを備える。
FIG. 7B is a schematic diagram showing a part of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 7B,
さらに他の例では、上記電極構造７３０Ａおよび上記電極構造７３０Ｂは、シャント７４０ＡＢを共有する。さらに他の例では、上記電極構造７３０Ａおよび上記電極構造７３０Ｂは、絶縁層７５０ＡＢを共有する。さらに他の例では、上記電極構造７３５Ｂおよび上記電極構造７３５Ｃはシャント７４５ＢＣを共有する。さらに他の例では、上記電極構造７３５Ｂおよび上記電極構造７３５Ｃは、絶縁層７５５ＢＣを共有する。
In yet another example, the
さらに他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ａ，７００Ｂ、および７００Ｃの各々は、同一の半導体基板から形成されている。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ａ，７００Ｂ、および７００Ｃの各々は、２つ以上の半導体基板から形成されている。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ａ，７００Ｂ、および７００Ｃの各々は、異なる電気特性を有する。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ａ，７００Ｂ、および７００Ｃの各々は、異なる熱特性を有する。
In yet another example, each of the
上述の記載で説明し、且つここでさらに強調するように、図７Ａおよび７Ｂは一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定するべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。幾つかの実施形態では、ナノワイヤー以外のナノ構造を用いる。他の実施形態では、電極構造７３０および／または電極構造７３５に異なる電極を用いる。例えば、上記電極構造７３０、７３０Ａ，７３０Ｂ、７３０Ｃ、７３５、７３５Ａ，７３５Ｂ、および／または７３５Ｃの１つ以上に代えて、図２に示すような電極構造２９５、図３に示すような電極構造３９５、図４に示すような電極構造４９５、図５に示すような電極構造５９５、および／または図６に示すような電極構造６９５を用いる。他の例では、異なる電極構造の任意の組み合わせを上記電極構造７３０、７３０Ａ，７３０Ｂ、７３０Ｃ、７３５、７３５Ａ，７３５Ｂ、および／または７３５Ｃの各々に用いる。特定の実施形態では、多様な熱電素子の枝部に１つ以上の基板を用いる。例えば、上記熱電素子の枝部７００Ａ、７００Ｂ、および７００Ｃの各々は、同一の基板に形成される。他の例では、上記熱電素子の枝部７００Ａ、７００Ｂ、および７００Ｃの１つ以上は異なる基板に形成される。幾つかの実施形態では、上記絶縁層７５０ＡＢおよび／または上記絶縁層７５５ＢＣは省略されている。
As explained in the above description and as further emphasized herein, FIGS. 7A and 7B are merely examples and should not unduly limit the scope of the invention. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In some embodiments, nanostructures other than nanowires are used. In other embodiments, different electrodes are used for
図８Ａは、本発明の他の実施形態に係る熱電素子の枝部を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図８Ａでは、熱電素子の枝部８００は、ナノワイヤーセグメント８１０およびナノワイヤーセグメント８１５を備える。例えば、上記ナノワイヤーセグメント８１０は、結合材８８０を用いて上記ナノワイヤーセグメント８１５に結合されている。他の例では、上記結合材８８０は、半田を含む。さらに他の例では、半田は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、およびＢｉなどからなる一群の少なくとも１つの材料を含む。さらに他の例では、上記セグメント結合材８８０は、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ａｇ、Ａｕ、およびＰｔなどからなる一群の少なくとも１つの材料を含むろう付け材を含む。さらに他の例では、上記セグメント結合材８８０は、銀系の金属接着剤を含む。さらに他の例では、上記セグメント結合材８８０は、１００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、上記セグメント結合材８８０は、１０００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、上記セグメント結合材８８０は、０．４μｍ／（ｍ・Ｋ）〜２５μｍ／（ｍ・Ｋ）の範囲の熱膨張率を有する。さらに他の例では、上記セグメント結合材８８０は、低い熱抵抗を有する。さらに他の例では、上記熱抵抗は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗである。さらに他の例では、上記セグメント結合材８８０は、低いシート抵抗を有する。さらに他の例では、上記シート抵抗は１０−１０Ω／□〜１０Ω／□である。
FIG. 8A is a schematic diagram illustrating a branch portion of a thermoelectric element according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 8A,
さらに他の例では、上記ナノワイヤーセグメント８１０の各ナノワイヤーは、突出セグメント８２０を有する。さらに他の例では、上記突出セグメント８２０は、図１〜６の上述の突出セグメント１３５に対応する。さらに他の例では、上記ナノワイヤーセグメント８１５の各ナノワイヤーは、突出セグメント８２５を有する。さらに他の例では、上記突出セグメント８２５は、図１〜６の上述の突出セグメント１３５に対応する。
In yet another example, each nanowire of the
さらに他の例では、上記突出セグメント８２０の上に電極構造８３０が形成される。さらに他の例では、上記電極構造８３０は上述の電極構造１９５であり、図１に示すような半導体接触材、結合材、接触層、他の結合材、シャント、および絶縁層を備える。さらに他の例では、上記突出セグメント８３０の上に電極構造８３５が形成される。さらに他の例では、上記電極構造８３５は上述の電極構造１９５であり、図１に示すような半導体接触材、結合材、接触層、他の結合材、シャント、および絶縁層を備える。
In yet another example, an
図８Ｂは、本発明の他の実施形態に係る熱電素子の一部を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図８Ｂでは、熱電素子８９０は、複数の熱電素子の枝部８００Ａ、８００Ｂ、および８００Ｃを備える。例えば、上記熱電素子の枝部８００Ａ、８００Ｂ、および８００Ｃの各々は、上述の熱電素子の枝部８００である。他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ａは、電極構造８３０Ａを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ａは、電極構造８３５Ａを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ｂは、電極構造８３０Ｂを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ｂは、電極構造８３５Ｂを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ｃは、電極構造８３０Ｃを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ｃは、電極構造８３５Ｃを備える。
FIG. 8B is a schematic diagram showing a part of a thermoelectric element according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 8B,
さらに他の例では、上記電極構造８３０Ａおよび上記電極構造８３０Ｂは、シャント８４０ＡＢを共有する。さらに他の例では、上記電極構造８３０Ａおよび上記電極構造８３０Ｂは、絶縁層８５０ＡＢを共有する。さらに他の例では、上記電極構造８３５Ｂおよび上記電極構造８３５Ｃは、シャント８４５ＢＣを共有する。さらに他の例では、上記電極構造８３５Ｂおよび上記電極構造８３５Ｃは、絶縁層８５５ＢＣを共有する。
In yet another example, the
さらに他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ａ、８００Ｂ、および８００Ｃの各々は、異なる電気特性を有する。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ａ、８００Ｂ、および８００Ｃの各々は、異なる熱特性を有する。
In yet another example, each of the
上述の記載で説明し、且つここでさらに強調するように、図８Ａおよび８Ｂは、一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定するべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。幾つかの実施形態では、ナノワイヤー以外のナノ構造を用いる。他の実施形態では、電極構造８３０および／または電極構造８３５に異なる電極を用いる。例えば、上記電極構造８３０、８３０Ａ，８３０Ｂ、８３０Ｃ、８３５、８３５Ａ，８３５Ｂ、および／または８３５Ｃの１つ以上に代えて、図２に示すような電極構造２９５、図３に示すような電極構造３９５、図４に示すような電極構造４９５、図５に示すような電極構造５９５、および／または図６に示すような電極構造６９５を用いる。他の例では、異なる電極構造の任意の組み合わせを上記電極構造８３０、８３０Ａ，８３０Ｂ、８３０Ｃ、８３５、８３５Ａ，８３５Ｂ、および／または８３５Ｃの各々に用いる。幾つかの実施形態では、上記熱電素子の枝部に２つより多くのナノワイヤーアレイセグメントを用いる。例えば、上記ナノワイヤーセグメント８１０および上記ナノワイヤーセグメント８１５の間にさらなるナノワイヤーセグメントが結合される。特定の実施形態では、多様な熱電素子の枝部に１つ以上の基板を用いる。例えば、上記ナノワイヤーセグメント８１０および上記ナノワイヤーセグメント８１５は同一の基板に形成される。他の例では、上記ナノワイヤーセグメント８１０および上記ナノワイヤーセグメント８１５は異なる２つの基板に形成される。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ａ、８００Ｂ、および８００Ｃの各々は同一の基板に形成される。他の例では、上記熱電素子の枝部８００Ａ、８００Ｂ、および／または８００Ｃの１つ以上は異なる基板に形成される。幾つかの実施形態では、上記絶縁層８５０ＡＢおよび／または上記絶縁層８５５ＢＣは省略される。
As explained in the above description and as further emphasized here, FIGS. 8A and 8B are merely examples and should not unduly limit the scope of the invention. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In some embodiments, nanostructures other than nanowires are used. In other embodiments, different electrodes are used for
図９Ａは、本発明の他の実施形態に係る熱電素子の枝部を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図９Ａでは、熱電素子の枝部９００は、半導体基板９８０の一方側に形成されたナノワイヤーアレイ９１０、および前記半導体基板９８０の反対側に形成されたナノワイヤーアレイ９１５を備える。例えば、上記ナノワイヤーアレイ９１０の各ナノワイヤーは、突出セグメント９２０を有する。他の例では、上記ナノワイヤーアレイ９１５の各ナノワイヤーは、突出セグメント９２５を有する。他の例では、上記突出セグメント９２０は、図１〜６の上述の突出セグメント１３５に対応する。さらに他の例では、上記突出セグメント９２５は、図１〜６の上述の突出セグメント１３５に対応する。さらに他の例では、上記突出セグメント９２０の上に電極構造９３０が形成される。さらに他の例では、上記電極構造９３０は上述の電極構造１９５であり、図１に示すような半導体接触材、結合材、接触層、他の結合材、シャント、および絶縁層を備える。さらに他の例では、上記突出セグメント９３０の上に電極構造９３５が形成される。さらに他の例では、上記電極構造９３５は、上述の電極構造１９５であり、図１に示すような半導体接触材、結合材、接触層、他の結合材、シャント、および絶縁層を備える。
FIG. 9A is a schematic diagram showing branches of a thermoelectric element according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 9A, the
図９Ｂは、本発明の他の実施形態に係る熱電素子の一部を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図９Ｂでは、熱電素子９９０は、複数の熱電素子の枝部９００Ａ、９００Ｂ、および９００Ｃを備える。例えば、上記熱電子の枝部９００Ａ、９００Ｂ、および９００Ｃの各々は、上述の熱電素子の枝部９００である。他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ａは電極構造９３０Ａを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ａは、電極構造９３５Ａを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ｂは電極構造９３０Ｂを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ｂは、電極構造９３５Ｂを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ｃは、電極構造９３０Ｃを備える。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ｃは電極構造９３５Ｃを備える。
FIG. 9B is a schematic diagram showing a part of a thermoelectric element according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In FIG. 9B,
さらに他の例では、上記電極構造９３０Ａおよび上記電極構造９３０Ｂは、シャント９４０ＡＢを共有する。さらに他の例では、上記電極構造９３０Ａおよび上記電極構造９３０Ｂは、絶縁層９５０ＡＢを共有する。さらに他の例では、上記電極構造９３５Ｂおよび上記電極構造９３５Ｃは、シャント９４５ＢＣを共有する。さらに他の例では、上記電極構造９３５Ｂおよび上記電極構造９３５Ｃは、絶縁層９５５ＢＣを共有する。
In yet another example, the
さらに他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ａ，９００Ｂ、および９００Ｃの各々は、同一の半導体基板から形成されている。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ａ、９００Ｂ、および９００Ｃの各々は、２つ以上の半導体基板から形成されている。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ａ，９００Ｂ、および９００Ｃの各々は、異なる電気特性を有する。さらに他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ａ，９００Ｂ、および９００Ｃの各々は、異なる熱特性を有する。
In yet another example, each of the
上述の記載で説明し、且つここでさらに強調するように、図９Ａおよび９Ｂは、一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定するべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。幾つかの実施形態では、ナノワイヤー以外のナノ構造を用いる。他の実施形態では、電極構造９３０および／または電極構造９３５に異なる電極を用いる。例えば、上記電極構造９３０、９３０Ａ，９３０Ｂ、９３０Ｃ、９３５、９３５Ａ，９３５Ｂ、および／または９３５Ｃの１つ以上に代えて、図２に示すような電極構造２９５、図３に示すような電極構造３９５、図４に示すような電極構造４９５、図５に示すような電極構造５９５、および／または図６に示すような電極構造６９５を用いる。他の例では、上記電極構造９３０、９３０Ａ，９３０Ｂ、９３０Ｃ、９３５、９３５Ａ，９３５Ｂ、および／または９３５Ｃの各々に異なる電極構造の任意の組み合わせを用いる。特定の実施形態では、多様な熱電素子の枝部に１つ以上の基板を用いる。例えば、上記熱電素子の枝部９００Ａ、９００Ｂ、および９００Ｃの各々は、同一の基板に形成される。他の例では、上記熱電素子の枝部９００Ａ、９００Ｂ、および／または９００Ｃの１つ以上は、異なる基板に形成される。幾つかの実施形態では、上記絶縁層９５０ＡＢおよび／または上記絶縁層９５５ＢＣは、省略される。
As explained in the above description and as further emphasized here, FIGS. 9A and 9B are merely examples and should not unduly limit the scope of the invention. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In some embodiments, nanostructures other than nanowires are used. In other embodiments, different electrodes are used for
上述の記載で説明し、且つここでさらに強調するように、図７Ａ、７Ｂ、８Ａ、８Ｂ、９Ａ、および９Ｂは、一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定するべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。幾つかの実施形態では、同一の熱電素子に異なる種類の熱電素子の枝部を用いる。例えば、熱電素子は、熱電素子の枝部７００Ａ、熱電素子の枝部８００Ｂ、および熱電素子の枝部９００Ｃを備える。他の例では、熱電素子の枝部７００、８００、および／または９００の任意の組み合わせが同一の熱電素子に含まれる。
As explained in the above description and further emphasized here, FIGS. 7A, 7B, 8A, 8B, 9A, and 9B are merely examples and should not unduly limit the scope of the invention. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In some embodiments, different types of thermoelectric element branches are used for the same thermoelectric element. For example, the thermoelectric element includes a
図１０は、本発明の一実施形態に係る、ナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。この方法１０００は、１つ以上の基板にナノ構造アレイを形成する工程１００５、前記ナノ構造アレイを充填する工程１０１０、前記ナノ構造アレイ上に１つ以上の接触層を形成する工程１０１５、前記ナノ構造アレイの間に１つ以上のシャントを形成する工程１０２０、絶縁層を形成する工程１０２５、前記１つ以上の基板から材料を除去する工程１０３０、前記ナノ構造アレイ上に他の１つ以上の接触層を形成する工程１０３５、前記ナノ構造アレイの間に他の１つ以上のシャントを形成する工程１０４０、および他の絶縁層を形成する工程１０４５を備える。例えば、上記方法１００を用いて、図７Ａに示すような熱電素子の枝部７００および図７Ｂに示すような熱電素子７９０を形成する。他の例では、上記工程１０２５および／または上記工程１０４５の１つ以上を省略する。さらに他の例では、上記工程１０１０を省略する。
FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a method of forming an electrode structure on a nanostructure array, according to one embodiment of the invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. The
図１１は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、１つ以上の基板にナノ構造アレイを形成する上記工程１００５を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。上記工程１００５は、上記基板を用意する工程１１１０、上記基板を機能化する工程１１２０、上記基板を洗浄する工程１１３０、上記基板の一部にマスキング処理を施す工程１１４０、上記基板にメタライズドフィルムを塗布する工程１１５０、上記基板にエッチング処理を施す工程１１６０、上記エッチング処理を施した上記基板を洗浄する工程１１７０、および上記エッチング処理を施した基板を乾燥させる工程１１８０を備える。
FIG. 11 is a schematic diagram illustrating the
図１２は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、基板を用意する上記工程１１１０に用いる基板を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。例えば、基板１２１０は半導体材料（例えば、半導体基板）のブロックである。他の例では、上記半導体基板１２１０はウェハ全体を構成する。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は４インチウェハである。さらに他の例では、上記半導体基板は４インチウェハより大きなパネルである。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は６インチウェハである。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は８インチウェハである。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は１２インチウェハである。さらに他の例では、上記半導体基板は１２インチウェハより大きなパネルである。さらに他の例では、上記半導体基板は、ウェハの形状と異なる形状に形成されている。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は単結晶である。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は多結晶である。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０はシリコンを含む。
FIG. 12 is a schematic diagram illustrating a substrate used in
幾つかの実施形態では、上記半導体基板１２１０は機能化される。例えば、上記半導体基板１２１０はドーピングを施されてｎ型の半導体を形成する。他の例では、上記半導体基板１２１０はドーピングを施されてｐ型の半導体を形成する。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は、ＩＩＩ族元素および／またはＶ族元素を用いてドーピングが施される。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は機能化されて、その電気特性および／または熱特性が制御される。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は、ホウ素を用いてドーピングを施したシリコンを含む。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０はドーピングを施されて、その抵抗率が約０．００００１〜１０Ω‐ｍの範囲に調節される。さらに他の例では、上記半導体基板１２１０は機能化されて、その熱伝導率が０．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）（ワット毎メートル毎ケルビン）〜５００Ｗ／（ｍ・Ｋ）の範囲に調節される。
In some embodiments, the
図１２Ｂは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、図１１に示すような上記工程１００５によって基板内に形成するナノ構造アレイを示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。例えば、上記工程１００５を用いてナノ構造アレイ１２２０を形成する。他の例では、上記ナノ構造アレイ１２２０は、図１〜６に示すような上述のナノ構造アレイ１１０および／または図７Ａに示すような上述のナノ構造アレイ７１０である。さらに他の例では、上記ナノ構造アレイ１２２０はナノ孔アレイである。さらに他の例では、上記ナノ構造アレイ１２２０はナノチューブアレイである。さらに他の例では、上記ナノ構造アレイ１２２０はナノメッシュである。
FIG. 12B shows a nanostructure array formed in a substrate by the
図１３は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、基板内のナノ構造アレイを充填する上記工程１０１０を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。上記工程１０１０は、ナノ構造アレイに前処置を施す工程１３２０、１つ以上の充填材を調製する工程１３３０、前記ナノ構造アレイを充填する工程１３４０、および前記１つ以上の充填材を硬化する工程１３５０を備える。例えば、上記工程１０１０を用いて、図１〜６示すような上述のナノ構造アレイ１１０および／または図７Ａに示すような上述のナノ構造アレイ７１０を少なくとも部分的に充填する。さらに他の例では、上記工程１０１０は、図１〜６に示すような上記１つ以上の充填材を形成する。さらに他の例では、上記工程１０１０を用いて、ナノ孔アレイ、ナノチューブアレイ、および／またはナノメッシュを充填する。さらに他の例では、上記工程１３２０および／または１３５０を省略する。
FIG. 13 is a schematic diagram illustrating the above-described
図１４は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、図１３の上記工程１０１０によって充填した基板内のナノ構造アレイの略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。例えば、基板１４１０に形成したようなナノ構造アレイ１４２０を、１つ以上の充填材１４３０で充填する。他の例では、上記１つ以上の充填材１４３０は、上述の１つ以上の充填材１６０である。さらに他の例では、上記ナノ構造アレイ１４２０は、上述のナノ構造アレイ１１０および／または上述のナノ構造アレイ７１０である。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材１４３０の各々は、フォトレジスト、スピンオンガラス、スピンオンドーパント、エアロゲル、キセロゲル、および酸化物からなる一群から選択される少なくとも１つを含む。例えば、フォトレジストは、長いＵＶ波長（例えば、約４３６ｍｍ）のＧ線フォトレジストを含む。他の例では、フォトレジストは、ネガ型のフォトレジスト特性を有する。さらに他の例では、フォトレジストは、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびガラスを含む多様な基板材料に対して良好な接着性を示す。さらに他の例では、フォトレジストは、Ａｕ、Ｃｕ、およびＡｌを含む多様な金属に対して良好な接着性を示す。さらに他の例では、スピンオンガラスは、高い誘電定数を有する。さらに他の例では、スピンオンドーパントは、ｎ型のドーパントおよび／またはｐ型のドーパントを含む。さらに他の例では、スピンオンドーパントは、上記ナノワイヤーアレイ１４２０の異なる部分に異なるドーパントと一緒に局所的に塗布される。さらに他の例では、スピンオンドーパントは、ホウ素および／またはリンなどを含む。さらに他の例では、スピンオンガラスは１つ以上のスピンオンドーパントを含む。さらに他の例では、エアロゲルは、約０．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の極めて低い熱伝導率に特徴付けられるシリカゲルに由来する。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材は１つ以上の酸化物の長鎖を含む。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材は、Ａｌ２Ｏ３、ＦｅＯ、ＦｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＨｆＯ２、ＣｒＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、および／またはＣＮなどからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。
FIG. 14 is a schematic diagram of a nanostructure array in a substrate filled by the above-described
図１５は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、ナノ構造アレイ上に１つ以上の接触層を形成する工程１０１５および／または工程１０３５を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。上記工程１０１５および／または上記工程１０３５は、ナノ構造の表面を平坦化する工程１５１０、上記ナノ構造のセグメントを露出させる工程１５２０、露出させた上記ナノ構造のセグメント上に半導体接触層を形成する工程１５３０、結合材を塗布する工程１５４０、および接触層を形成する工程１５５０を備える。例えば、上記工程１０１５および／または上記工程１０３５を用いて、図１〜６に示すような上述の半導体接触層１６０、結合材１６２、および／または接触層１６４を形成する。他の例では、上記工程１５１０、１５２０、および／または１５４０の１つ以上を省略する。さらに他の例では、上記工程１５３０および１５５０を組み合わせて１つの工程とする。
FIG. 15 illustrates a
図１６Ａは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、充填および上記平坦化工程１５１０による平坦化を行った基板内のナノ構造アレイの略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。例えば、任意の上記工程１５１０では、充填後のナノ構造アレイ１４２０を平坦化する。他の例では、上記充填後のナノ構造アレイ１４２０の少なくとも１つの表面１６４０を略平面状にする。さらに他の例では、上記平坦化工程１５１０は上記ナノ構造アレイ１４２０の端部を露出させる。さらに他の例では、上記平坦化工程１５１０は、プラズマエッチング法、湿式化学的エッチング法、ラッピング法、機械的研摩法、化学的機械的研磨法、および自発的ドライエッチング法などからなる一群から選択される少なくとも１つの処理を含む。さらに他の例では、ラッピング法は、６μｍダイアモンドスラリーを銅製のベースプレートと共に使用することを含む。さらに他の例では、プラズマエッチング法は、真空室内でＳＦ６を使用する。さらに他の例では、自発ドライエッチング法は、プラズマエッチング法を含むＸｅＦ２平坦化法１５１０を用いる。さらに他の例では、上記平坦化工程１５１０は、さらなる取扱い処理、機械処理、および／または製造処理に向けて上記充填後のナノ構造アレイ１４２０を整備する。
FIG. 16A illustrates a nanostructure array in a substrate that has been filled and planarized by the
図１６Ｂは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、ナノ構造セグメントを露出させる上記工程１５２０によって露出セグメントが形成される、充填して平坦化を行ったナノ構造アレイを示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。例えば、任意の上記工程１５２０では、上記ナノ構造アレイ１４２０の各ナノ構造の露出セグメント１６５０を形成する。他の例では、上記露出セグメント１６５０は、図１〜６に示すような上述の突出セグメント１３５、図７Ａに示すような上述の突出セグメント７２０、および／または図７Ａに示すような上述の突出セグメント７２５である。さらに他の例では、ナノ構造セグメントを露出させる上記工程１５２０は、上記１つ以上の充填材１４３０の一部を除去することを備える。さらに他の例では、ナノ構造セグメントを露出させる上記工程１５２０は、ＨＦ溶液を用いてエッチング処理を行うことを備える。さらに他の例では、ＨＦ溶液は、緩衝剤、界面活性剤、および他の添加材からなる一群から選択される少なくとも１つを含む。さらに他の例では、ナノ構造セグメントを露出させる上記工程１５２０は、反応性イオンエッチング器内でエッチング処理を行うことを備える。
FIG. 16B illustrates that as part of the
図１７Ａは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、ナノ構造アレイの露出セグメントの露出前の表面を示す走査型電子顕微鏡像である。上記像は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図１７Ａに示すように、ナノ構造アレイの露出セグメントは十分に露出されない。例えば、図１７Ａの複数の暗い領域はナノ構造を示す。他の例では、図１７Ａの複数の明るい領域は１つ以上の充填材を示す。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材の存在により、高品質の電気接触および／または熱接触を形成することが困難になる。さらに他の例では、図１７Ａは、ナノ構造セグメントを露出させる上記工程１５２０を行う前の上記ナノ構造アレイ１４２０を示している。
FIG. 17A is a scanning electron microscope image showing the unexposed surface of an exposed segment of a nanostructure array as part of the
図１７Ｂは、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１０００の一部として、ナノ構造アレイの露出セグメントの露出後の表面を示す走査型電子顕微鏡像である。上記像は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。図１７Ｂに示すように、ナノ構造アレイの露出セグメントは十分に露出される。例えば、上記ナノ構造アレイの上記露出セグメントは効果的に突出している。他の例では、図１７Ｂは、ナノ構造セグメントを露出させる上記工程１５２０を行った後の上記ナノ構造アレイ１４２０を示している。
FIG. 17B is a scanning electron microscope image showing the exposed surface of an exposed segment of a nanostructure array as part of the
図１５を再度参照する。幾つかの実施形態によれば、上記工程１５３０では半導体接触層を形成する。例えば、上記工程１５３０では、ナノ構造の上記露出セグメント１６５０はその上に形成された半導体接触材を有する。他の例では、上記半導体接触材は、図１〜４に示すような上述の半導体接触材１７０である。さらに他の例では、半導体接触層を形成する上記工程１５３０は、電解メッキ法、化学メッキ法、蒸着法、スパッタリング法、分子線エピタキシー法、化学気相堆積法、原子層成長法、ディッピング法、および選択的コーティング法などからなる一群から選択される少なくとも１つの工程を含む。
Reference is again made to FIG. According to some embodiments,
特定の実施形態によれば、上記半導体接触材は１つ以上の導体材料を含む。例えば、１つ以上の導体材料は、半導体、半金属、および金属などからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。他の例では、各半導体は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｎ、Ｇａ、Ａｓ、およびＩｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、半導体にはドーピングが施される。さらに他の例では、半金属は、Ｂｅ、Ｇｅ、Ｓｉ、およびＳｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、金属は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｗ、Ｍｇ、ＴｉＷ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、およびＷＳｉなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、上記半導体接触材はＴｉＷを１０〜９０の比で含有する。さらに他の例では、上記半導体接触材はＴｉＷを１０〜９０の比で含有するとともに、Ｎｉを含有する。 According to a particular embodiment, the semiconductor contact material comprises one or more conductor materials. For example, the one or more conductive materials include at least one selected from the group consisting of semiconductors, metalloids, metals, and the like. In another example, each semiconductor is selected from the group consisting of Si, Ge, C, B, P, N, Ga, As, In, and the like. In yet another example, the semiconductor is doped. In yet another example, the semimetal is selected from the group consisting of Be, Ge, Si, Sn, and the like. In yet another example, the metal may be Ti, Al, Cu, Au, Ag, Pt, Ni, P, B, Cr, Li, W, Mg, TiW, TiNi, TiN, Mo, TiSi, MoSi, WSi, etc. Selected from the group consisting of In yet another example, the semiconductor contact material contains TiW in a ratio of 10-90. In still another example, the semiconductor contact material contains TiW in a ratio of 10 to 90 and Ni.
さらに他の例では、上記半導体接触材は上記セグメント１６５０と１つ以上の電気接触を形成する。さらに他の例では、上記半導体接触材は、上記セグメント１６５０と１つ以上のオーム接触を形成する。さらに他の例では、上記半導体接触材は、上記ナノ構造アレイ１４２０を通過する１つ以上の熱経路を確立する一方で上記１つ以上の充填材１４３０内で発生する熱漏洩を制限するために、１つ以上の表面との間に１つ以上の良好な熱接触を形成するように構成されている。
In yet another example, the semiconductor contact material makes one or more electrical contacts with the
幾つかの実施形態によれば、任意の上記工程１５４０では、上記半導体接触材に結合材を塗布する。一例では、上記結合材は、上記半導体接触材および接触層の間に層を形成する。他の例では、上記結合材は、図１および２に示すような上述の結合材１７２である。さらに他の例では、上記結合材は半田を含む。さらに他の例では、半田は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、およびＢｉなどからなる一群の少なくとも１つの材料を含む。さらに他の例では、上記結合材は、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ａｇ、Ａｕ、およびＰｔなどからなる一群の少なくとも１つの材料を含むろう付け材を含む。さらに他の例では、上記結合材は、銀を主材とする金属接着剤を含む。さらに他の例では、上記結合材は、１００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、上記結合材は、スクリーン印刷法、スパッタリング法、蒸着法、ペーストディスペンシング法および金属箔などからなる一群から選択される１つ以上の処理法を用いて形成される。
According to some embodiments, in
幾つかの実施形態によれば、上記工程１５５０では接触層を形成する。例えば、ナノワイヤーアレイは、熱電素子の枝部の一部を形成する。例えば、上記接触層は、図１〜４に示すような上述の接触層１７４である。他の例では、接触層を形成する上記工程１５５０は、電解メッキ法、化学メッキ法、蒸着法、スパッタリング法、分子線エピタキシー法、化学気相堆積法、原子層成長法、ディッピング法、および選択的コーティング法などからなる一群から選択される少なくとも１つの処理法を含む。
According to some embodiments,
特定の実施形態によれば、上記接触層は１つ以上の導体材料を含む。例えば、１つ以上の導体材料は、半導体、半金属、および金属などからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。他の例では、各半導体は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｎ、Ｇａ、Ａｓ、およびＩｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、半導体にはドーピングが施される。さらに他の例では、半金属は、Ｂｅ、Ｇｅ、Ｓｉ、およびＳｎなどからなる一群から選択される。さらに他の例では、金属は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｗ、Ｍｇ、ＴｉＷ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、およびＷＳｉなどからなる一群から選択される。 According to a particular embodiment, the contact layer comprises one or more conductor materials. For example, the one or more conductive materials include at least one selected from the group consisting of semiconductors, metalloids, metals, and the like. In another example, each semiconductor is selected from the group consisting of Si, Ge, C, B, P, N, Ga, As, In, and the like. In yet another example, the semiconductor is doped. In yet another example, the semimetal is selected from the group consisting of Be, Ge, Si, Sn, and the like. In yet another example, the metal may be Ti, Al, Cu, Au, Ag, Pt, Ni, P, B, Cr, Li, W, Mg, TiW, TiNi, TiN, Mo, TiSi, MoSi, WSi, etc. Selected from the group consisting of
上述の記載で説明し、且つここでさらに強調するように、図１５は一例に過ぎず、本発明の範囲を不当に限定するべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。幾つかの実施形態では、１つ以上の拡散障壁層を形成する１つ以上の工程も行われる。例えば、拡散障壁層は、上述のナノ構造の突出セグメントおよび上述の半導体接触層の間に形成される。他の例では、拡散障壁層は、上述の半導体接触層および上述の結合材の間に形成される。さらに他の例では、拡散障壁層は、上述の結合材および上述の接触層の間に形成される。幾つかの実施形態では、結合材を塗布する上記工程１５４０を省略する一方で、半導体接触層を形成する上記工程１５３０および接触層を形成する上記工程１５５０を組み合わせている。例えば、これらを組み合わせた工程では、図５および６に示すような上述の複合接触層５７０を形成する。
As explained in the foregoing description and further emphasized herein, FIG. 15 is only an example and should not unduly limit the scope of the present invention. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In some embodiments, one or more steps of forming one or more diffusion barrier layers are also performed. For example, a diffusion barrier layer is formed between the nanostructured protruding segment described above and the semiconductor contact layer described above. In other examples, a diffusion barrier layer is formed between the semiconductor contact layer described above and the binder described above. In yet another example, the diffusion barrier layer is formed between the bonding material described above and the contact layer described above. In some embodiments, the
図１０を再度参照する。幾つかの実施形態によれば、上記工程１０２０では上記ナノ構造アレイの間に１つ以上のシャントを形成する。例えば、上記１つ以上のシャントの各々は、図１〜６に示すような上述のシャント１８０、図７Ｂに示すような上述のシャント７４０ＡＢ、および／または図７Ｂに示すような上述のシャント７４５ＢＣである。他の例では、上記１つ以上のシャントの各々によって、上記１つ以上の接触層と熱電素子の他の素子との間に電気接続を供与する。さらに他の例では、上記他の素子は、熱電素子の他の枝部の１つ以上の接触層の１つ以上を含む。さらに他の例では、上記１つ以上のシャントの各々は低いシート抵抗を有する。さらに他の例では、上記シート抵抗は１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲である。さらに他の例では、上記工程１０２０は、電解メッキ法、化学メッキ法、蒸着法、スパッタリング法、分子線エピタキシー法、化学気相堆積法、および原子層成長法などからなる一群から選択される少なくとも１つの処理法を含む。さらに他の例では、化学気相堆積法は低圧で発生する。さらに他の例では、化学気相堆積法はプラズマによって促進されるものである。さらに他の例では、上記１つ以上のシャントの各々は１つ以上の導体材料を含む。さらに他の例では、１つ以上の導体材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｗ、Ｍｇ、ＴｉＷ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ、ＷＳｉ、グラファイト、スチール、ニッケルと鉄の合金、および、コバルトと、クロムと、ニッケルと、鉄と、モリブデンと、マンガンとの合金などからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。さらに他の例では、ニッケルと鉄の合金は、ニッケルを約４２重量パーセント、鉄を約５７重量パーセント、および、炭素、マンガン、リン、硫黄、シリコン、クロム、アルミニウム、および／またはコバルトを微量に含む合金４２である。さらに他の例では、コバルトと、クロムと、ニッケルと、鉄と、モリブデンと、マンガンとの合金は、コバルトを約３９〜４１重量パーセント、クロムを約１９〜２１重量パーセント、ニッケルを約１４〜１６重量パーセント、鉄を約１１．３〜２０．５重量パーセント、モリブデンを約６〜８重量パーセント、および／またはマンガンを約１．５〜２．５重量パーセント含むエルジロイである。さらに他の例では、上記１つ以上のシャントの各々は、１ｎｍ〜１００，０００ｎｍの厚さを有する。
Refer to FIG. 10 again. According to some embodiments, the
幾つかの実施形態によれば、ナノ構造アレイの間に１つ以上のシャントを形成する上記工程１０２０は、１つ以上の結合材を塗布する任意のサブ工程を含む。一例では、上記結合材は、上述の１つ以上の接触層および上記１つ以上のシャントの間に層を形成する。他の例では、上記結合材は、図１、３、および５に示すような上述の結合材１８５である。さらに他の例では、上記結合材は半田を含む。さらに他の例では、半田は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、およびＢｉなどからなる一群の少なくとも１つの材料を含む。さらに他の例では、上記結合材は、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｉ，Ａｇ、Ａｕ、およびＰｔなどからなる一群の少なくとも１つの材料を含むろう材を含む。さらに他の例では、上記結合材は銀系の金属接着剤を含む。さらに他の例では、上記結合材は１００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、上記結合材は、スクリーン印刷法、スパッタリング法、蒸着法、ペーストディスペンシング法、および金属箔などからなる一群から選択される１つ以上の処理法を用いて形成される。さらに他の例では、上記１つ以上のシャントによって、さらなる処理工程の期間に熱電素子の枝部を支持する二次基板を供与する。
According to some embodiments, the
幾つかの実施形態によれば、任意の上記工程１０２５では、上記１つ以上のシャントの各々の上に絶縁層を形成する。例えば、上記絶縁層は、化学気相堆積法、低圧化学気相堆積法、プラズマ促進型化学気相成長法、および陽極処理法などからなる一群から選択される１つ以上の処理法を含む。例えば、上記絶縁層は、上記シャントの少なくとも１つを保護する。例えば、上記絶縁層は、上述の絶縁層７５０ＡＢおよび／または上述の絶縁層７５５ＢＣである。他の例では、上記絶縁層は、上記シャントの少なくとも１つに電気絶縁を供与する。他の例では、上記絶縁層により、上記シャントの少なくとも１つが他の導電面と短絡（ショート）してしまう可能性を低減させる。さらに他の例では、上記絶縁層は、少なくとも１ＭΩの高い電気抵抗を有する。さらに他の例では、上記絶縁層は、少なくとも２Ｗ／（ｍ・Ｋ）（ワット毎メートル毎ケルビン）の熱伝導率を有する。さらに他の例では、上記絶縁層は１００ｎｍ以下の厚さを有する。さらに他の例では、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮ、およびＡｌ２Ｏ３などからなるリストから選択される１つ以上の材料を含む。
According to some embodiments, the
幾つかの実施形態によれば、上記工程１０３０では、上記１つ以上の基板から材料を除去する。例えば、１つ以上のナノ構造アレイが形成される上記１つ以上の基板から材料を除去する。他の例では、上記１つ以上の基板を実質的に除去する。さらに他の例では、上記１つ以上の基板の何れかは、図１４および１６に示すような上述の基板１４１０である。
According to some embodiments,
他の例では、材料を除去する上記工程１５３０は、粗い薄膜化法を含む。さらに他の例では、上記粗い薄膜化法は、ラッピング法、研削法、研磨法、湿式化学エッチング法、プラズマエッチング法、および自発的ドライエッチング法などからなる一群から選択される１つ以上の処理法を含む。他の例では、自発的ドライエッチング法は、圧力を制御した室内でのＸｅＦ２ガスの使用することを含む。さらに他の例では、上記粗い薄膜化法は、上記１つ以上の基板の大部分を除去する。さらに他の例では、上記粗い薄膜化法は、上記１つ以上の基板のほぼ全てを除去する。さらに他の例では、上記粗い薄膜化法を施した後の上記１つ以上の基板の厚さは１５０μｍ未満である。
In another example, the
幾つかの実施形態によれば、材料を除去する上記工程１５３０は微細な薄膜化法を含む。例えば、微細な薄膜化法は、プラズマエッチング法、湿式化学エッチング法、ラッピング法、機械研摩法、化学機械研磨法、および自発的ドライエッチング法などからなる一群から選択される１つ以上の処理法を含む。他の例では、自発的ドライエッチング法は、圧力を制御した室内でのＸｅＦ２ガスの使用を含む。さらに他の例では、プラズマエッチング法は真空室内でのＳＦ６ガスの使用を含む。さらに他の例では、プラズマエッチング法は反応性イオンエッチング器内でのＳＦ６の使用を含む。さらに他の例では、プラズマエッチング法は所定の期間行われる。さらに他の例では、上記微細な薄膜化法は、上記１つ以上の基板の残存する部分のほぼ全てを除去する。さらに他の例では、上記微細な薄膜化法は、上記１つ以上の基板を最大で１５０μｍ除去する。さらに他の例では、上記微細な薄膜化法は、下層に配置される１つ以上のナノ構造アレイの少なくとも幾つかの部分を露出させる。さらに他の例では、上記微細な薄膜化法は、下層に配置される１つ以上のナノ構造アレイの一部を除去する。
According to some embodiments, the
幾つかの実施形態によれば、上記工程１０３５では、上記ナノ構造アレイ上に１つ以上の接触層を形成する。例えば、上記工程１０３５は、図１５に示すような上述の工程１０１５と実質手的に同様な工程である。他の例では、上記工程１０３５で形成する上記１つ以上の接触層は、上述の工程１０１５で形成する１つ以上の接触層と同一の材料を使用する。さらに他の例では、上記工程１０３５で形成する上記１つ以上の接触層は、上述の工程１０１５で形成する１つ以上の接触層と異なる材料を使用する。さらに他の例では、上記工程１０３５で形成する上記１つ以上の接触層は、上述の工程１０１５で形成する１つ以上の接触層と同一の層状構造を有する。さらに他の例では、上記工程１０３５で形成する上記１つ以上の接触層は、上述の工程１０１５で形成する１つ以上の接触層と異なる層状構造を有する。さらに他の例では、上述の工程１０１５で形成する１つ以上の接触層は複合接触層のみを含む一方で、上記工程１０３５で形成する上記１つ以上の接触層は、半導体接触材、結合材、および接触層を含む。
According to some embodiments,
幾つかの実施形態によれば、上記工程１０４０では、上記ナノ構造アレイの間に１つ以上のシャントを形成する。例えば、上記工程１０４０は上述の工程１０２０と実質的に同様の工程である。他の例では、上記工程１０４０では、図７Ｂに示すような上述のシャント７４５ＢＣおよび／または上述のシャント７４０ＡＢを形成する。さらに他の例では、上記工程１０４０で形成する１つ以上のシャントは、上述の工程１０２０で形成する１つ以上のシャントと同一の材料を使用する。さらに他の例では、上記工程１０４０で形成する１つ以上のシャントは、上述の工程１０２０で形成する１つ以上のシャントと異なる材料を使用する。さらに他の例では、上記工程１０４０で形成する１つ以上のシャントは、上述の工程１０２０で形成する１つ以上のシャントと同一の層状構造を有する。さらに他の例では、上記工程１０４０で形成する１つ以上のシャントは、上述の工程１０２０で形成する１つ以上のシャントと異なる層状構造を有する。さらに他の例では、上述の工程１０２０で形成する１つ以上のシャントは１つ以上のシャントのみを含む一方で、上記工程１０４０で形成する１つ以上のシャントは結合材および１つ以上のシャントを含む。
According to some embodiments, the
幾つかの実施形態によれば、任意の上記工程１０４５では、１つ以上のシャント上に絶縁層を形成する。例えば、上記工程１０４５は、上述の工程１０２５と実質的に同様の工程である。他の例では、上記工程１０４５では、図７Ｂに示すような上述の絶縁層７５５ＢＣおよび／または絶縁層７５０ＡＢを形成する。さらに他の例では、上記工程１０４５で形成する絶縁層は、上述の工程１０２５で形成する絶縁層と同一の材料を使用する。さらに他の例では、上記工程１０４５で形成する絶縁層は、上述の工程１０２５で形成する絶縁層と異なる材料を使用する。
According to some embodiments, in any of the
上述の記載で説明し、且つここでさらに強調するように、図１０は一例に過ぎず、本発明の範囲を不当に限定するべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。幾つかの実施形態では、１つ以上の拡散障壁層を形成する１つ以上の工程も行われる。例えば、１つ以上の拡散障壁層は、上述の１つ以上の接触層および／または上述の１つ以上のシャントの間に形成される。 As explained in the foregoing description and as further emphasized herein, FIG. 10 is only an example and should not unduly limit the scope of the present invention. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In some embodiments, one or more steps of forming one or more diffusion barrier layers are also performed. For example, one or more diffusion barrier layers are formed between the one or more contact layers described above and / or the one or more shunts described above.
図１８は、本発明の他の実施形態に係る、ナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。この方法１８００は、１つ以上の基板にナノ構造アレイを形成する工程１８０５、前記ナノ構造アレイを充填する工程１８１０、前記ナノ構造アレイ上に１つ以上の接触層を形成する工程１８１５、前記ナノ構造アレイの間に１つ以上のシャントを形成する工程１８２０、絶縁層を形成する工程１８２５、前記１つ以上の基板から材料を除去する工程１８３０、前記ナノ構造アレイを互いに結合させる工程１８３５、前記ナノ構造アレイ上に他の１つ以上の接触層を形成する工程１８４０、前記ナノ構造アレイの間に他の１つ以上のシャントを形成する工程１８４５、および他の絶縁層を形成する工程１８５０を備える。例えば、上記方法１８００を用いて、図８Ａに示すような上述の熱電素子の枝部８００および図８Ｂに示すような上述の熱電素子８９０を形成する。他の例では、上記工程１８１０、１８２５、および／または１８５０の１つ以上を省略する。
FIG. 18 is a schematic diagram illustrating a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. The
幾つかの実施形態では、上記工程１８０５において、１つ以上の基板にナノ構造アレイを形成する。例えば、上記工程１８０５は、図１１に示すような上述の工程１００５と実質的に同様の工程である。他の例では、上記工程１８０５の最中に上述の工程１００５を用いて上記ナノ構造アレイの各々を独立して形成する。さらに他の例では、上記工程１８０５の最中に上述の工程１００５を用いて上記ナノ構造アレイの全てを同時に形成する。さらに他の例では、上記ナノ構造アレイは、図８Ａに示すような上述のナノワイヤーアレイ（例えば、熱電セグメント）８１０および上述のナノワイヤーアレイ８１５である。
In some embodiments, in
幾つかの実施形態では、適宜行われる上記工程１８１０において、上記ナノ構造アレイを充填する。例えば、上記工程１８１０は、図１３に示すような上述の工程１０１０と実質的に同様の工程である。他の例では、上記工程１８１０の最中に上述の工程１０１０を用いて上記ナノ構造アレイを同一の１つ以上の充填材で充填する。さらに他の例では、上記工程１８１０の最中に上述の工程１０１０を用いて上記ナノ構造アレイを異なる１つ以上の充填材で充填する。
In some embodiments, the nanostructure array is filled in
特定の実施形態では、上記工程１８１５において、上記ナノ構造アレイ上に１つ以上の接触層を形成する。例えば、上記工程１８１５は図１５に示すような上述の工程１０１５である。他の例では、上記工程１８１５では、図８Ａに示すような上述の突出セグメント８２０および／または突出セグメント８２５上に１つ以上の接触層を形成する。
In certain embodiments, in
幾つかの実施形態によれば、上記工程１８２０では、上記ナノ構造アレイの間に１つ以上のシャントを形成する。例えば、上記工程１８２０は上述の工程１０２０である。他の例では、上記工程１８２０では、図８Ｂに示すような上述のシャント８４０ＡＢおよび／またはシャント８４５ＢＣを形成する。
According to some embodiments, the
特定の実施形態によれば、適宜行われる上記工程１８２５では、１つ以上の絶縁層を形成する。例えば、上記工程１８２５は上述の工程１０２５である。他の例では、上記工程１８２５では、図８Ｂに示すような上述の絶縁層８５０ＡＢおよび／または絶縁層８５５ＢＣを形成する。
According to certain embodiments, one or more insulating layers are formed in
幾つかの実施形態では、上記工程１８３０では、上記１つ以上の基板から材料を除去する。例えば、上記工程１８３０は上述の工程１０３０と実質的に同様の工程である。他の例では、上記工程１８３０の最中に、上述の工程１０３０を用いて、上記ナノワイヤー８１０の充填セグメントの複数のナノワイヤーの端部であって図８Ａに示すような上述の突出セグメント８２０の反対側の端部を露出させる。さらに他の例では、上記工程１８３０の最中に、上述の工程１０３０を用いて、上記ナノワイヤー８１５の充填させたセグメントの複数のナノワイヤーの端部であって図８Ａに示すような上述の突出セグメント８２５の反対側の端部を露出させる。
In some embodiments, the
特定の実施形態では、上記工程１８４０において２つ以上のナノ構造アレイを互いに結合する。例えば、スクリーン印刷法、スパッタリング法、蒸着法、ペーストディスペンシング法、およびホイルなどからなる一群から選択される１つ以上の処理法を用いて、上記２つ以上のナノ構造アレイを互いに結合する。さらに他の例では、セグメント結合材を用いて上記２つ以上のナノ構造アレイを互いに結合する。さらに他の例では、セグメント結合材は半田を含む。さらに他の例では、半田は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、およびＢｉなどからなる一群から選択される少なくとも１つの材料を含む。さらに他の例では、セグメント結合材は、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ａｇ，Ａｕ、およびＰｔなどからなる一群から選択される少なくとも１つの材料を含むろう付け材を含む。さらに他の例では、セグメント結合材は銀系の金属接着剤を含む。
In certain embodiments, two or more nanostructure arrays are bonded together in
特定の実施形態では、上記工程１８４０において上記ナノ構造アレイ上に１つ以上の接触層を形成する。例えば、上記工程１８４０は図１５に示すような上述の工程１０３５である。他の例では、上記工程１８４０によって、図８Ａに示すような上述の突出セグメント８２５および／または上述の突出セグメント８２０上に１つ以上の接触層を形成する。
In certain embodiments, at
幾つかの実施形態によれば、上記工程１８４５において上記ナノ構造アレイの間に他の１つ以上のシャントを形成する。例えば、上記工程１８４５は上述の工程１０４０である。他の例では、上記工程１８４５によって、図８Ｂに示すような上述のシャント８４５ＢＣおよび／または上述のシャント８４０ＡＢを形成する。
According to some embodiments, in
特定の実施形態によれば、任意の上記工程１８５０において他の１つ以上の絶縁層を形成する。例えば、上記工程１８５０は上述の工程１０４５である。他の例では、上記工程１８５０によって、図８Ｂに示すような上述の絶縁層８５５ＢＣおよび／または上述の絶縁層８５０ＡＢを形成する。
According to certain embodiments, any
上述の記載で説明し、且つここでさらに強調するように、図１８は一例に過ぎず、本発明の範囲を不当に限定するべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。幾つかの実施形態では、１つ以上の拡散障壁層を形成する１つ以上の工程も実施される。例えば、１つ以上の拡散障壁層は、上記１つ以上の接触層および／または上記１つ以上のシャントの間に形成される。幾つかの実施形態では、工程１８１５において、工程１０４０で形成する上述の１つ以上の接触層と異なる変形例である１つ以上の接触層を形成する。幾つかの実施形態では、工程１８２０において、工程１８４５で形成する上記他の１つ以上のシャントと異なる変形例である１つ以上のシャントを形成する。特定の実施形態では、ナノワイヤーアレイの２つ以上のセグメントを熱電素子の枝部に用いる。例えば、図８Ａに示すような上述のナノワイヤー８１０のセグメントおよび上述のナノワイヤー８１５のセグメントの間に、ナノワイヤーのさらなるセグメントを形成する。
As explained in the foregoing description and as further emphasized herein, FIG. 18 is only an example and should not unduly limit the scope of the present invention. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In some embodiments, one or more steps of forming one or more diffusion barrier layers are also performed. For example, one or more diffusion barrier layers are formed between the one or more contact layers and / or the one or more shunts. In some embodiments, in
図１９は、本発明の他の実施形態に係る、ナノ構造アレイ上に電極構造を形成する方法を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。この方法１９００は、１つ以上の基板の一方の側およびその反対側にナノ構造アレイを形成する工程１９０５、前記ナノ構造アレイを充填する工程１９１０、前記ナノ構造アレイ上に１つ以上の接触層を形成する工程１９１５、前記ナノ構造アレイの間に１つ以上のシャントを形成する工程１９２０、絶縁層を形成する工程１９２５、前記ナノ構造アレイ上に他の１つ以上の接触層を形成する工程１９３０、前記ナノ構造アレイの間に他の１つ以上のシャントを形成する工程１９３５、および他の絶縁層を形成する工程１９４０を備える。例えば、上記方法１９００を用いて、図９Ａに示すような上述の熱電素子の枝部９００および図９Ｂに示すような上述の熱電素子９９０を形成する。他の例では、上記工程１９１０、１９２５、および／または１９４０の１つ以上を省略する。
FIG. 19 is a schematic diagram illustrating a method of forming an electrode structure on a nanostructure array according to another embodiment of the present invention. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. The
幾つかの実施形態では、上記工程１９０５において、１つ以上の基板の一方の側およびその反対側にナノ構造アレイを形成する。例えば、上記工程１９０５は、図１１に示すような上述の工程１００５と実質的に同様の工程である。図２０は、本発明の一実施形態に係るナノ構造アレイ上に電極構造を形成する上記方法１９００の一部として、上記工程１９０５により基板の一方の側およびその反対側にナノ構造アレイを形成した基板の略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。例えば、ナノ構造アレイ２０２０は基板２０１０の一方の側に形成され、他のナノ構造アレイ２０３０は前記基板２０１０の反対側に形成される。他の例では、上記基板２０１０は、図９Ａに示すような上述の基板９８０である。さらに他の例では、上記ナノ構造アレイ２０２０は、図９Ａに示すような上述のナノワイヤーアレイ９１０および／または上述のナノワイヤーアレイ９１５である。さらに他の例では、上記ナノ構造アレイ２０３０は、図９Ａに示すような上述のナノワイヤーアレイ９１５および／または上述のナノワイヤーアレイ９１０である。
In some embodiments, in
幾つかの実施形態では、任意の上記工程１９１０において上記ナノ構造アレイを充填する。例えば、上記工程１９１０は、図１３に示すような上述の工程１０１０と実質的に同様の工程である。他の例では、上記工程１９１０の最中に上述の工程１０１０を用いて上記ナノ構造アレイを同一の１つ以上の充填材で充填する。さらに他の例では、上記工程１９１０の最中に上述の工程１０１０を用いて上記ナノ構造アレイを異なる１つ以上の充填材で充填する。
In some embodiments, the nanostructure array is filled in
特定の実施形態では、上記工程１９１５において上記ナノ構造アレイ上に１つ以上の接触層を形成する。例えば、上記工程１９１５は、図１５に示すような上述の工程１０１５である。他の例では、上記工程１９１５により、図９Ａに示すような上述の突出セグメント９２０および／または上述の突出セグメント９２５上に１つ以上の接触層を形成する。
In certain embodiments,
幾つかの実施形態によれば、上記工程１９２０において上記ナノ構造アレイの間に１つ以上のシャントを形成する。例えば、上記工程１９２０は上述の工程１０２０である。他の例では、上記工程１９２０により、図９Ｂに示すような上述のシャント９４０ＡＢおよび／または上述のシャント９４５ＢＣを形成する。
According to some embodiments, at
特定の実施形態によれば、任意の上記工程１９２５において１つ以上の絶縁層を形成する。例えば、上記工程１９２５は上述の工程１０２５である。他の例では、上記工程１９２５により、図９Ｂに示すような上述の絶縁層９５０ＡＢおよび／または上述の絶縁層９５５ＢＣを形成する。
According to certain embodiments, one or more insulating layers are formed in any of the
特定の実施形態では、上記工程１９３０において上記ナノ構造アレイ上に他の１つ以上の接触層を形成する。例えば、上記工程１９３０は、図１５に示すような上述の工程１０３５である。他の例では、上記工程１９３０により、図９Ａに示すような上述の突出セグメント９２５および／または上述の突出セグメント９２０上に１つ以上の接触層を形成する。
In certain embodiments, in
幾つかの実施形態によれば、上記工程１９３５において上記ナノ構造アレイの間に他の１つ以上のシャントを形成する。例えば、上記工程１９３５は、上述の工程１０４０と実質的に同様の工程である。他の例では、上記工程１９３５により、図９Ｂに示すような上述のシャント９４５ＢＣおよび／または上述のシャント９４０ＡＢを形成する。
According to some embodiments, in
特定の実施形態によれば、上記工程１９４０において他の１つ以上の絶縁層を形成する。例えば、上記工程１９４０は上述の工程１０４５である。他の例では、上記工程１９４０により、図９Ｂに示すような上述の絶縁層９５５ＢＣおよび／または上述の絶縁層９５０ＡＢを形成する。
According to certain embodiments, one or more other insulating layers are formed in
上述の記載で説明し、且つここでさらに強調するように、図１９は一例に過ぎず、本発明の範囲を不当に限定するべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。幾つかの実施形態では、１つ以上の拡散障壁層を形成する１つ以上の工程も実施される。例えば、１つ以上の拡散障壁層は、上記１つ以上の接触層および／または上記１つ以上のシャントの間に形成される。幾つかの実施形態では、上記工程１９１５において、上記工程１９３０で形成する上述の１つ以上の接触層と異なる変形例である１つ以上の接触層を形成する。幾つかの実施形態では、上記工程１９２０において、上記工程１９３５で形成する１つ以上のシャントと異なる変形例である１つ以上のシャントを形成する。
As explained in the foregoing description and further emphasized herein, FIG. 19 is only an example and should not unduly limit the scope of the present invention. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. In some embodiments, one or more steps of forming one or more diffusion barrier layers are also performed. For example, one or more diffusion barrier layers are formed between the one or more contact layers and / or the one or more shunts. In some embodiments, in
特定の実施形態によれば、ナノワイヤー系の熱電素子には、熱電発電器（ＴＥＧ）の最適な電力を供給するように配置された一組の電極構造に挟まれた機能化ナノアレイが設けられる。例として、２つの電極構造に挟まれたナノワイヤーアレイを有するように素子モデルを構築する。他の例では、一方の電極構造を高温の吸込温度（例えば、３００℃の標的熱源の温度）で排気熱交換器（ＥＨＸ）と熱接触させ、他方の電極を低温の吸込温度（例えば、略室温の冷却液）で冷却熱交換器（ＣＨＸ）と接触させる。さらに他の例では、２つの電極構造に挟まれるナノ構造の冗長アレイは、上記ＥＨＸの鏡面対称位置である反対側に取り付けられる。さらに他の例では、上記素子は、フローストリームの方向（ＥＨＸに逆流する冷却材の方向）に対して並行方向の長さＬｘおよび前記フローストリームの方向に対して垂直方向の幅Ｌｙを有する。さらに他の例では、ＬｘおよびＬｙの積によって上記素子のサイズＡｘｙが求められる。さらに他の例では、上記アレイおよび上記冗長アレイの両方のナノワイヤーアレイは、約２００μｍのワイヤー長および１００〜０．０１ｍｍ２の範囲の有効断面積を有すると想定される。さらに他の例では、上記アレイおよび上記冗長アレイの両方への電極構造は、１ミクロン〜１０００ミクロンの範囲の厚さ、および２×１０−９Ωｃｍ２の接触抵抗率を有する。さらに他の例では、上記電極構造はタングステンを含み、これに関連付けられる電気特性および熱特性が適用される。さらに他の例では、ＥＨＸおよびＣＨＸの両方については、複数の放熱フィンを伴う空間的に配置されたベースプレートを含む、ある種の標準的な特徴と併せて設計することが可能である。さらに他の例では、上記ＥＨＸの吸入口の温度は３００℃または６００℃である。さらに他の例では、上記アレイおよび上記冗長アレイは９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率を有する。 According to certain embodiments, the nanowire-based thermoelectric element is provided with a functionalized nanoarray sandwiched between a set of electrode structures arranged to provide optimal power for a thermoelectric generator (TEG). . As an example, a device model is constructed to have a nanowire array sandwiched between two electrode structures. In another example, one electrode structure is in thermal contact with an exhaust heat exchanger (EHX) at a high suction temperature (eg, a target heat source temperature of 300 ° C.), and the other electrode is placed in a low suction temperature (eg, approximately Room temperature coolant) in contact with the cooling heat exchanger (CHX). In yet another example, a redundant array of nanostructures sandwiched between two electrode structures is attached to the opposite side of the EHX that is mirror-symmetrical. In yet another embodiment, the element is a width L y in the vertical direction to the direction of parallel direction length L x and the flow stream to the direction of flow stream (the direction of the coolant flowing back to the EHX) Have. In yet another example, the element size A xy is determined by the product of L x and L y . In yet another example, both the array and the redundant array of nanowire arrays are assumed to have a wire length of about 200 μm and an effective area in the range of 100-0.01 mm 2 . In yet another example, the electrode structure to both the array and the redundant array has a thickness in the range of 1 micron to 1000 microns and a contact resistivity of 2 × 10 −9 Ωcm 2 . In yet another example, the electrode structure includes tungsten and the electrical and thermal properties associated therewith are applied. In yet another example, both EHX and CHX can be designed in conjunction with certain standard features, including a spatially arranged base plate with multiple radiating fins. In still another example, the temperature of the EHX inlet is 300 ° C. or 600 ° C. In yet another example, the array and the redundant array have a thermal conductivity of 90 W / (m · K).
特定の実施形態によれば、上記アレイおよび上記冗長アレイの素子パラメータについては、得られるＴＥＧ電力値に関して評価および最適化することが可能である。例えば、上記電極構造の材料の選択は、異なる材料用のＴＥＧ電力を直接比較することで容易に決定することが可能である。他の例では、タングステンはニッケルと鉄の合金（例えば、合金４２）と比較してより適した選択肢であることが見出された。さらに他の例では、上記電極構造の最適な厚さを決定することも可能である。 According to certain embodiments, the element parameters of the array and the redundant array can be evaluated and optimized with respect to the resulting TEG power values. For example, the selection of the material for the electrode structure can be easily determined by directly comparing TEG power for different materials. In other examples, tungsten has been found to be a better option compared to nickel and iron alloys (eg, alloy 42). In yet another example, the optimal thickness of the electrode structure can be determined.
図２１Ａおよび２１Ｂは、熱電素子の断面積を一定にした場合における電極構造の異なる厚さ毎に、素子サイズに対してプロットしたＴＥＧ電力を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。例えば、ナノワイヤーアレイの厚さ（例えば、ワイヤー長）は２００μｍに設定され、且つ、排気の吸入口の温度は６００℃に設定される。他の例では、電極構造の厚さが約５００μｍである場合、上記素子により得られるＴＥＧ電力は、特定の素子サイズＡｘｙにおいてピークを示す。 21A and 21B are schematic diagrams showing TEG power plotted against element size for different thicknesses of the electrode structure when the cross-sectional area of the thermoelectric element is constant. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. For example, the thickness (for example, wire length) of the nanowire array is set to 200 μm, and the temperature of the exhaust inlet is set to 600 ° C. In another example, when the thickness of the electrode structure is about 500 μm, the TEG power obtained by the device shows a peak at a specific device size A xy .
図２２Ａおよび２２Ｂは、熱電素子の断面積を一定にした場合における電極構造の異なる厚さ毎に、素子サイズに対してプロットしたＴＥＧ電力を示す略図である。上記略図は一例に過ぎず、発明の範囲を不当に限定すべきではない。当業者であれば、多くの変形例、代替例、および変更例が存在することを認識するであろう。例えば、公称条件下では、ナノワイヤーアレイの厚さが厚くなると、ＴＥＧ電力が大きくなる。他の例では、排気の吸入口の温度もまた、ＴＥＧ電力の生成を左右する重要な役割を担っている。さらに他の例では、ＴＥＧ電力は、排気の吸入口の温度が６００℃である場合と３００℃である場合を比較すると、たとえ前者のナノワイヤーアレイの厚さが２００μｍという小さい高さであり、後者のナノワイヤーアレイの厚さが４５０μｍというより大きい高さであったとしても、前者の場合に得られる電力値が後者の場合に得られる電力値と比較して著しく高くなることが可能である。さらに他の例では、上記ナノワイヤーアレイの厚さは４５０μｍであり、且つ上記排気の吸入口の温度は３００℃である。 22A and 22B are schematic diagrams showing TEG power plotted against element size for different thicknesses of the electrode structure when the cross-sectional area of the thermoelectric element is constant. The above schematic diagram is merely an example, and the scope of the invention should not be unduly limited. Those skilled in the art will recognize that there are many variations, alternatives, and modifications. For example, under nominal conditions, the TEG power increases as the thickness of the nanowire array increases. In other examples, the exhaust inlet temperature also plays an important role in determining the generation of TEG power. In still another example, the TEG power has a height as small as 200 μm when the thickness of the former nanowire array is compared between the case where the temperature of the exhaust inlet is 600 ° C. and the case where the temperature is 300 ° C. Even if the thickness of the latter nanowire array is greater than 450 μm, the power value obtained in the former case can be significantly higher than the power value obtained in the latter case. . In still another example, the nanowire array has a thickness of 450 μm and the exhaust inlet temperature is 300 ° C.
一実施形態によれば、熱電素子は、ナノワイヤー、接触層、およびシャントを備える。上記ナノワイヤーの各々は、第１の端部および第２の端部を有する。上記接触層は、上記各ナノワイヤーの少なくとも第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する。上記シャントは上記接触層に電気的にカップリングされる。上記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記素子は例えば、少なくとも図１、２、３、４、５、および／または６の記載に応じて実装される。 According to one embodiment, the thermoelectric element comprises nanowires, a contact layer, and a shunt. Each of the nanowires has a first end and a second end. The contact layer electrically connects the nanowires via at least the first end of each nanowire. The shunt is electrically coupled to the contact layer. All of the nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the contact layer is less than 0.8 electron volts. The contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The element is implemented, for example, in accordance with at least the description of FIGS.
他の例では、上記素子は、上記ナノワイヤーの間に配置された１つ以上の充填材をさらに備え、上記ナノワイヤーは、前記１つ以上の充填材によって互いに相対的な位置に固定される。さらに他の例では、上記ナノワイヤーの各々は、上記第１の端部に関連付けられる第１のセグメント、および上記第２の端部に関連付けられる第２のセグメントをさらに有する。上記第２のセグメントは実質的に、上記１つ以上の充填材に周囲を囲まれる。上記第１のセグメントは上記１つ以上の充填材から突出する。上記接触層は、各ナノワイヤーの少なくとも第１のセグメントを介して上記ナノワイヤーを電気的に接続する。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材の各々は、フォトレジスト、スピンオンガラス、スピンオンドーパント、エアロゲル、キセロゲル、窒化物、および酸化物からなる一群から選択される少なくとも１つの材料を含む。さらに他の例では、上記１つ以上の充填材の各々は、５０ワット毎メートル毎ケルビン未満の熱伝導率を伴う。さらに他の例では、上記第１の端部および上記第２の端部の間の距離は少なくとも３００μｍである。さらに他の例では、上記距離は少なくとも５２５μｍである。さらに他の例では、上記ナノワイヤーは、０．０１ｍｍ２未満の面積に対応する。さらに他の例では、上記ナノワイヤーは、１００ｍｍ２未満の面積を有する。さらに他の例では、上記素子は、少なくとも、ともに３５０℃より高温の昇華温度および溶解温度を伴う。さらに他の例では、上記溶解温度および上記昇華温度はともに８００℃より高温である。 In another example, the device further comprises one or more fillers disposed between the nanowires, and the nanowires are fixed in a relative position with each other by the one or more fillers. . In yet another example, each of the nanowires further comprises a first segment associated with the first end and a second segment associated with the second end. The second segment is substantially surrounded by the one or more fillers. The first segment protrudes from the one or more fillers. The contact layer electrically connects the nanowires through at least a first segment of each nanowire. In yet another example, each of the one or more fillers includes at least one material selected from the group consisting of photoresist, spin-on glass, spin-on dopant, aerogel, xerogel, nitride, and oxide. In yet another example, each of the one or more fillers has a thermal conductivity of less than 50 watts per meter Kelvin. In yet another example, the distance between the first end and the second end is at least 300 μm. In yet another example, the distance is at least 525 μm. In yet another embodiment, the nanowire corresponds to the area of less than 0.01 mm 2. In yet another embodiment, the nanowire has an area of less than 100 mm 2. In yet another example, the device involves at least a sublimation temperature and a melting temperature both above 350 ° C. In still another example, the melting temperature and the sublimation temperature are both higher than 800 ° C.
さらに他の例では、上記接触層は、半導体、半金属、および金属からなる一群から選択される少なくとも１つ以上の材料を含む。さらに他の例では、半導体は、Ｓｉ，Ｇｅ、Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｎ、Ｇａ、Ａｓ、およびＩｎからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。さらに他の例では、半金属は、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、およびＳｎからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。さらに他の例では、金属は、Ｔｉ，Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ，Ｐ、Ｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｗ、Ｍｇ、ＴｉＷ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、およびＷＳｉからなる一群から選択される少なくとも１つを含む。さらに他の例では、上記接触層は、１ｎｍ〜１００，０００ｎｍの範囲の厚さを伴う。さらに他の例では、上記シャントは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｗ、Ｍｇ、ＴｉＷ、ＴｉＮｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ、ＷＳｉ、グラファイト、スチール、ニッケルと鉄の合金、および、コバルトと、クロムと、ニッケルと、鉄と、モリブデンと、マンガンとの合金からなる一群から選択される少なくとも１つ以上の材料を含む。さらに他の例では、上記シャントは、１ｎｍ〜１００，０００ｎｍの範囲の厚さを伴う。 In yet another example, the contact layer includes at least one material selected from the group consisting of semiconductors, metalloids, and metals. In yet another example, the semiconductor includes at least one selected from the group consisting of Si, Ge, C, B, P, N, Ga, As, and In. In yet another example, the metalloid includes at least one selected from the group consisting of B, Ge, Si, and Sn. In yet another example, the metal is from Ti, Al, Cu, Au, Ag, Pt, Ni, P, B, Cr, Li, W, Mg, TiW, TiNi, TiN, Mo, TiSi, MoSi, and WSi. At least one selected from the group consisting of: In yet another example, the contact layer has a thickness in the range of 1 nm to 100,000 nm. In yet another example, the shunt is Ti, Al, Cu, Au, Ag, Pt, Ni, P, B, Cr, Li, W, Mg, TiW, TiNi, TiN, Mo, TiSi, MoSi, NiSi, It includes at least one material selected from the group consisting of WSi, graphite, steel, an alloy of nickel and iron, and an alloy of cobalt, chromium, nickel, iron, molybdenum, and manganese. In yet another example, the shunt is associated with a thickness in the range of 1 nm to 100,000 nm.
さらに他の例では、上記素子は、上記接触層および上記シャントをカップリンさせる結合層をさらに備える。上記結合層は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の熱抵抗を伴う。さらに他の例では、上記結合材は、半田、ろう付け材、および銀系の金属接着剤からなる一群から選択される１つ以上の結合材を含む。さらに他の例では、上記素子は、上記シャント上に形成された絶縁層をさらに備える。さらに他の例では、上記絶縁層は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、およびＡｌ２Ｏ３からなる一群から選択される１つ以上の材料を含む。さらに他の例では、上記シャントは、上記ナノワイヤーを１つ以上の素子に電気的に接続するように構成される。 In yet another example, the device further comprises a tie layer that couples the contact layer and the shunt. The tie layer is accompanied by a sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. In yet another example, the bonding material includes one or more bonding materials selected from the group consisting of solder, brazing material, and silver-based metal adhesive. In yet another example, the element further includes an insulating layer formed on the shunt. In yet another example, the insulating layer includes one or more materials selected from the group consisting of SiO 2 , Si 3 N 4 , and Al 2 O 3 . In yet another example, the shunt is configured to electrically connect the nanowire to one or more elements.
さらに他の例では、上記接触層は、上記各ナノワイヤーの少なくとも上記第１の端部にカップリングされる１つ以上の第１の接触材、および、少なくとも前記１つ以上の第１の接触材を介して各ナノワイヤーを電気的に接続する１つ以上の第２の接触材を含む。上記第１の端部および上記１つ以上の第１の接触材の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記１つ以上の第１の接触材の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記１つ以上の第１の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗とを伴う。上記１つ以上の第２の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴う。さらに他の例では、上記素子は、上記１つ以上の第１の接触材を上記１つ以上の第２の接触材にカップリンさせる結合層をさらに備える。上記結合層は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の熱抵抗を伴う。 In yet another example, the contact layer includes at least one first contact material coupled to at least the first end of each nanowire, and at least the one or more first contacts. One or more second contact materials that electrically connect each nanowire through the material are included. The second contact resistivity between the first end and the one or more first contact materials is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the first end and the one or more first contact materials is less than 0.8 electron volts. The one or more first contact materials are accompanied by a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The one or more second contact materials are accompanied by a third thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. In yet another example, the device further comprises a tie layer that couples the one or more first contact materials to the one or more second contact materials. The tie layer is accompanied by a sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
さらに他の例では、上記結合層は、半田、ろう付け材、および銀系の金属接着剤からなる一群から選択される１つ以上の結合材を含む。さらに他の例では、上記第１の接触抵抗率および上記第２の接触抵抗率は等価である。さらに他の例では、上記第１の仕事関数および上記第２の仕事関数は等価である。さらに他の例では、上記１つ以上の第１の接触材および上記１つ以上の第２の接触材は同一の接触材である。さらに他の例では、上記１つ以上の第１の接触材および上記１つ以上の第２の接触材は異なる接触材である。 In yet another example, the bonding layer includes one or more bonding materials selected from the group consisting of solder, brazing material, and silver-based metal adhesive. In yet another example, the first contact resistivity and the second contact resistivity are equivalent. In yet another example, the first work function and the second work function are equivalent. In yet another example, the one or more first contact materials and the one or more second contact materials are the same contact material. In yet another example, the one or more first contact materials and the one or more second contact materials are different contact materials.
他の実施形態によれば、熱電素子は、ナノワイヤー、第１の電極構造、および第２の電極構造を備える。上記ナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を備える。上記第１の電極構造は、第１の接触層および第１のシャントを備える。上記第１の接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する。上記第１のシャントは、上記第１の接触層に電気的にカップリングされる。上記第２の電極構造は、第２の接触層および第２のシャントを備える。上記第２の接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも第２の端部を介して該ナノワイヤーを電気的にカップリンさせる。上記第２のシャントは、上記第２の接触層に電気的にカップリングされる。上記ナノワイヤーの全ては、実質的に互いに並行にである。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第２の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第２の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。上記素子は例えば、少なくとも図７Ａおよび／または７Ｂの記載に応じて実装される。 According to another embodiment, the thermoelectric element comprises a nanowire, a first electrode structure, and a second electrode structure. Each of the nanowires includes a first end and a second end opposite thereto. The first electrode structure includes a first contact layer and a first shunt. The first contact layer electrically connects the nanowires via at least a first end of each nanowire. The first shunt is electrically coupled to the first contact layer. The second electrode structure includes a second contact layer and a second shunt. The second contact layer electrically couples the nanowires through at least the second end of each nanowire. The second shunt is electrically coupled to the second contact layer. All of the nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer ranges from 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the second end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the second end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The element is mounted according to at least the description of FIGS. 7A and / or 7B, for example.
他の例では、上記素子は、第１の接触を上記第１のシャントに接続する１つ以上の第１の結合材、および第２の接触を上記第２のシャントに接続する１つ以上の第２の結合材をさらに備える。上記１つ以上の第１の結合材は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲の第１のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴う。上記１つ以上の第２の結合材は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲の第２のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第４の熱抵抗を伴う。さらに他の例では、上記第１の接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部に電気的にカップリングされる１つ以上の第１の接触材、および、少なくとも前記１つ以上の第１の接触材を介して各ナノワイヤーを電気的に接続する１つ以上の第２の接触材を含む。上記第１の端部および上記１つ以上の第１の接触材の間の第３の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記１つ以上の第１の接触材の間の第３の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満である。上記１つ以上の第１の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴う。上記１つ以上の第２の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第４の熱抵抗を伴う。 In another example, the element includes one or more first binders that connect a first contact to the first shunt, and one or more ones that connect a second contact to the second shunt. A second binder is further provided. The one or more first binders include a first sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a third heat in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. With resistance. The one or more second binders include a second sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a fourth heat in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. With resistance. In yet another example, the first contact layer includes one or more first contact materials that are electrically coupled to at least the first end of each nanowire, and at least the one. One or more second contact materials that electrically connect each nanowire via the first contact material described above are included. A third contact resistivity between the first end and the one or more first contact materials ranges from 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . A third work function between the first end and the one or more first contact materials is less than 0.8 electron volts. The one or more first contact materials are accompanied by a third thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The one or more second contact materials are accompanied by a fourth thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
さらに他の例では、上記第１のシャントは、上記各ナノワイヤーの上記第１の端部を、１つ以上の素子と電気的に接続するように構成される。さらに他の例では、上記第２のシャントは、上記各ナノワイヤーの上記第２の端部を、１つ以上の素子と電気的に接続するように構成される。 In yet another example, the first shunt is configured to electrically connect the first end of each nanowire to one or more elements. In yet another example, the second shunt is configured to electrically connect the second end of each nanowire with one or more elements.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子は、第１のナノワイヤー、第１の電極構造、前記第１のナノワイヤーと異なる第２のナノワイヤー、および第２の電極構造を備える。上記第１のナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極構造は第１の接触層および第１のシャントを備える。上記第１の接触層は、少なくとも上記第１の端部のそれぞれを介して上記第１のナノワイヤーを電気的に接続する。上記第１のシャントは上記第１の接触層に電気的にカップリングされる。上記第２のナノワイヤーの各々は、第３の端部およびその反対側の第４の端部を有する。上記第２の電極構造は第２の接触層および第２のシャントを備える。上記第２の接触層は、少なくとも上記第３の端部のそれぞれを介して上記第２のナノワイヤーを電気的に接続する。上記第２のシャントは上記第２の接触層に電気的にカップリングされる。上記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。上記第２の端部は上記第４の端部と電気的にカップリングされる。上記素子は例えば、少なくとも図８Ａおよび／または８Ｂの記載に応じて実装される。 According to yet another embodiment, the thermoelectric element comprises a first nanowire, a first electrode structure, a second nanowire different from the first nanowire, and a second electrode structure. Each of the first nanowires has a first end and a second end opposite thereto. The first electrode structure includes a first contact layer and a first shunt. The first contact layer electrically connects the first nanowire through at least each of the first end portions. The first shunt is electrically coupled to the first contact layer. Each of the second nanowires has a third end and a fourth end opposite thereto. The second electrode structure includes a second contact layer and a second shunt. The second contact layer electrically connects the second nanowire through at least each of the third end portions. The second shunt is electrically coupled to the second contact layer. All of the first nanowires are substantially parallel to each other. All of the second nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second end is electrically coupled to the fourth end. The element is mounted, for example, at least according to the description of FIGS. 8A and / or 8B.
他の例では、上記素子は、第１の側およびその反対側の第２の側を有する１つ以上の結合材を備える。上記第１の側は上記第２の端部に電気的にカップリングされ、上記第２の側は上記第４の端部に電気的にカップリングされる。上記１つ以上の第１の結合材は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴う。さらに他の例では、上記１つ以上の結合材は、半田、ろう付け材、および銀系の金属接着剤からなる一群から選択される。さらに他の例では、上記素子は、第１の接触を上記第１のシャントに接続する１つ以上の第１の結合材、および第２の接触を上記第２のシャントと接続する１つ以上の第２の結合材を備える。上記１つ以上の第１の結合材は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲の第１のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴う。上記１つ以上の第２の結合材は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲の第２のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第４の熱抵抗を伴う。 In another example, the element comprises one or more binders having a first side and a second side opposite thereto. The first side is electrically coupled to the second end, and the second side is electrically coupled to the fourth end. The one or more first binders have a sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a third thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. . In yet another example, the one or more bonding materials are selected from the group consisting of solder, brazing material, and silver-based metal adhesive. In yet another example, the element includes one or more first binders that connect a first contact to the first shunt, and one or more that connects a second contact to the second shunt. The second binding material is provided. The one or more first binders include a first sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a third heat in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. With resistance. The one or more second binders include a second sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a fourth heat in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. With resistance.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子は、基板の第１の側に関連付けられる第１のナノワイヤー、第１の電極構造、前記基板の第２の側に関連付けられる第２のナノワイヤー、および第２の電極構造を備える。上記第１のナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極構造は第１の接触層および第１のシャントを備える。上記第１の接触層は、少なくとも上記第１の端部のそれぞれを介して上記第１のナノワイヤーを電気的に接続する。上記第１のシャントは上記第１の接触層に電気的にカップリングされる。上記第２のナノワイヤーは上記第１のナノワイヤーと異なる。上記第２の側は上記第１の側の反対側である。上記第２のナノワイヤーの各々は、第３の端部およびその反対側の第４の端部を有する。上記第２の電極構造は第２の接触層および第２のシャントを備える。上記第２の接触層は、少なくとも上記第３の端部をそれぞれ介して上記第２のナノワイヤーを電気的に接続する。上記第２のシャントは上記第２の接触層に電気的にカップリングされる。上記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。上記素子は例えば、少なくとも図９Ａおよび／または９Ｂの記載に応じて実装される。 According to yet another embodiment, the thermoelectric element comprises a first nanowire associated with the first side of the substrate, a first electrode structure, a second nanowire associated with the second side of the substrate, And a second electrode structure. Each of the first nanowires has a first end and a second end opposite thereto. The first electrode structure includes a first contact layer and a first shunt. The first contact layer electrically connects the first nanowire through at least each of the first end portions. The first shunt is electrically coupled to the first contact layer. The second nanowire is different from the first nanowire. The second side is the opposite side of the first side. Each of the second nanowires has a third end and a fourth end opposite thereto. The second electrode structure includes a second contact layer and a second shunt. The second contact layer electrically connects the second nanowire via at least the third end portion. The second shunt is electrically coupled to the second contact layer. All of the first nanowires are substantially parallel to each other. All of the second nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The element is mounted according to at least the description of FIGS. 9A and / or 9B, for example.
さらに他の例では、上記素子は、第１の接触を上記第１のシャントに接続する１つ以上の第１の結合材、および第２の接触を上記第２のシャントに接続する１つ以上の第２の結合材をさらに備える。上記１つ以上の第１の結合材は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲の第１のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴う。上記１つ以上の第２の結合材は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲の第２のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第４の熱抵抗を伴う。 In yet another example, the element includes one or more first binders that connect a first contact to the first shunt, and one or more that connects a second contact to the second shunt. The second binder is further provided. The one or more first binders include a first sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a third heat in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. With resistance. The one or more second binders include a second sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a fourth heat in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. With resistance.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子を製造する方法は、ナノワイヤーを形成する工程、接触層を堆積させる工程、およびシャントを形成する工程を備える。上記ナノワイヤーの各々は、第１の端部および第２の端部を有する。上記接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する。上記シャントは上記接触層に電気的にカップリングされる。上記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記方法は例えば、少なくとも図１０の記載に応じて実行される。 According to yet another embodiment, a method of manufacturing a thermoelectric device includes forming nanowires, depositing a contact layer, and forming a shunt. Each of the nanowires has a first end and a second end. The contact layer electrically connects the nanowires through at least the first end of each nanowire. The shunt is electrically coupled to the contact layer. All of the nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the contact layer is less than 0.8 electron volts. The contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The above method is executed, for example, according to at least the description of FIG.
他の例では、上記方法は、１つ以上の結合材を用いて上記接触層を上記シャントに結合させる工程をさらに備える。さらに他の例では、上記方法は、上記シャント上に絶縁層を形成する工程をさらに備える。さらに他の例では、接触層を堆積させる上記工程は、少なくとも上記各ナノワイヤーにおける上記第１の端部上に、１つ以上の第１の接触材を堆積させる工程、少なくとも前記１つ以上の第１の接触材を介して上記ナノワイヤーを電気的に接続する１つ以上の第２の接触材を堆積させる工程を備える。上記第１の端部および上記１つ以上の第１の接触材の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記１つ以上の第１の接触材の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満である。上記１つ以上の第１の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。上記１つ以上の第２の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴う。さらに他の例では、接触層を形成する上記工程は、１つ以上の結合材を用いて上記１つ以上の第１の接触材を上記１つ以上の第２の接触材と結合させる工程をさらに備える。 In another example, the method further comprises bonding the contact layer to the shunt using one or more bonding materials. In yet another example, the method further comprises forming an insulating layer on the shunt. In yet another example, the step of depositing a contact layer includes depositing one or more first contact materials on at least the first end of each nanowire, at least the one or more of the first contact materials. Depositing one or more second contact materials that electrically connect the nanowires through the first contact material. The second contact resistivity between the first end and the one or more first contact materials is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the first end and the one or more first contact materials is less than 0.8 electron volts. The one or more first contact materials are accompanied by a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The one or more second contact materials are accompanied by a third thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. In yet another example, the step of forming a contact layer comprises the step of combining the one or more first contact materials with the one or more second contact materials using one or more binding materials. Further prepare.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子を製造する方法は、ナノワイヤーを形成する工程、第１の電極構造を形成する工程、および第２の電極構造を形成する工程を備える。上記ナノワイヤーの各々は、第１の端部およびこの反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極構造の形成は、第１の接触層を堆積させる工程、および第１のシャントを形成する工程を備え、前記第１の接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的にカップリングさせ、前記第１のシャントは、前記第１の接触層に電気的にカップリングされる。上記第２の電極構造の形成は、第２の接触層を堆積させる工程、および第２のシャントを形成する工程を備え、前記第２の接触層は、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第２の端部を介して該ナノワイヤーを電気的にカップリングさせ、前記第２のシャントは、前記第２の接触層に電気的にカップリングされる。上記ナノワイヤーの全ては、実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第２の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第２の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。上記方法は例えば、少なくとも図１０の記載に応じて実行される。 According to yet another embodiment, a method of manufacturing a thermoelectric element includes a step of forming a nanowire, a step of forming a first electrode structure, and a step of forming a second electrode structure. Each of the nanowires has a first end and an opposite second end. The formation of the first electrode structure comprises a step of depositing a first contact layer and a step of forming a first shunt, wherein the first contact layer includes at least the first contact in each nanowire. The nanowire is electrically coupled through an end, and the first shunt is electrically coupled to the first contact layer. The formation of the second electrode structure includes a step of depositing a second contact layer and a step of forming a second shunt, wherein the second contact layer includes at least the second contact in each nanowire. The nanowire is electrically coupled through an end, and the second shunt is electrically coupled to the second contact layer. All of the nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer ranges from 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the second end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the second end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The above method is executed, for example, according to at least the description of FIG.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子を製造する方法は、第１のナノワイヤーを形成する工程、第１の電極構造を形成する工程、前記第１のナノワイヤーと異なる第２のナノワイヤーを形成する工程、第２の電極構造を形成する工程、および第２の端部を第４の端部と電気的に接続する工程を備える。上記第１のナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を備える。上記第１の電極構造の形成は、第１の接触層を堆積させる工程、および第１のシャントを形成する工程を備え、前記第１の接触層は、少なくとも上記第１の端部のそれぞれを介して上記第１のナノワイヤーを電気的にカップリングさせ、前記第１のシャントは前記第１の接触層に電気的にカップリングされる。上記第２のナノワイヤーの各々は、第３の端部およびこれの反対側の第４の端部を有する。上記第２の電極構造の形成は、第２の接触層を堆積させる工程、および第２のシャントを形成する工程を備え、前記第２の接触層は、少なくとも上記第３の端部のそれぞれを介して上記第２のナノワイヤーを電気的にカップリングさせ、前記第２のシャントは前記第２の接触層に電気的にカップリングされる。上記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。上記方法は例えば、少なくとも図１８の記載に応じて実行される。 According to still another embodiment, a method for manufacturing a thermoelectric device includes a step of forming a first nanowire, a step of forming a first electrode structure, and a second nanowire different from the first nanowire. , Forming a second electrode structure, and electrically connecting the second end to the fourth end. Each of the first nanowires includes a first end and a second end opposite thereto. The formation of the first electrode structure comprises a step of depositing a first contact layer and a step of forming a first shunt, wherein the first contact layer has at least each of the first ends. The first nanowire is electrically coupled to the first shunt, and the first shunt is electrically coupled to the first contact layer. Each of the second nanowires has a third end and a fourth end opposite thereto. The formation of the second electrode structure comprises a step of depositing a second contact layer and a step of forming a second shunt, wherein the second contact layer has at least each of the third ends. The second nanowire is electrically coupled to the second shunt, and the second shunt is electrically coupled to the second contact layer. All of the first nanowires are substantially parallel to each other. All of the second nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The above method is executed at least in accordance with the description of FIG.
さらに他の例では、上記第２の端部を上記第４の端部と接続する上記工程は、１つ以上の結合材を用いて上記第２の端部を上記第４の端部と結合させる工程を備える。上記１つ以上の結合材は、第１の側およびその反対側の第２の側を有する。上記第１の側は上記第２の側と電気的にカップリングされる。上記第２の側は上記第４の端部と電気的にカップリングされる。上記１つ以上の結合材は、１０−１０Ω／□〜１０Ω／□の範囲のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴う。さらに他の例では、上記方法は、第５の端部およびその反対側の第６の端部をそれぞれ有する第３のナノワイヤーを形成する工程をさらに備える。上記第２の端部を上記第４の端部と電気的に接続する上記工程は、１つ以上の第１の結合材を用いて上記第２の端部を上記第５の端部と結合させる工程、および１つ以上の第２の結合材を用いて上記第４の端部を上記第６の端部と結合させる工程を備える。上記第３のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。 In yet another example, the step of connecting the second end to the fourth end includes coupling the second end to the fourth end using one or more binders. A step of causing The one or more binders have a first side and a second side opposite the first side. The first side is electrically coupled to the second side. The second side is electrically coupled to the fourth end. The one or more binders are accompanied by a sheet resistance in the range of 10 −10 Ω / □ to 10 Ω / □ and a third thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. In yet another example, the method further comprises forming third nanowires each having a fifth end and a sixth end opposite thereto. The step of electrically connecting the second end to the fourth end includes coupling the second end to the fifth end using one or more first binders. And a step of joining the fourth end to the sixth end using one or more second binding materials. All of the third nanowires are substantially parallel to each other.
さらに他の実施形態によれば、熱電素子を製造する方法は、基板の第１の側に関連付けられる第１のナノワイヤーを形成する工程、第１の電極構造を形成する工程、前記基板の第２の側に関連付けられる第２のワイヤーを形成する工程、および第２の電極構造を形成する工程を備える。上記第１のナノワイヤーの各々は、第１の端部およびその反対側の第２の端部を有する。上記第１の電極構造の形成は、第１の接触層を堆積させる工程、および第１のシャントを形成する工程を備え、前記第１の接触層は、少なくとも上記第１の端部のそれぞれを介して上記第１のナノワイヤーを電気的にカップリングさせ、前記第１のシャントは前記第１の接触層に電気的にカップリングされる。上記第２のナノワイヤーは上記第１のナノワイヤーと異なるナノワイヤーである。上記第２の側は上記第１の側の反対側である。上記第２のナノワイヤーの各々は、第３の端部およびその反対側の第４の端部を有する。上記第２の電極構造の形成は、第２の接触層を堆積させる工程、および第２のシャントを形成する工程を備え、前記第２の接触層は、少なくとも上記第３の端部のそれぞれを介して上記第２のナノワイヤーを電気的にカップリングさせ、前記第２のシャントは前記第２の接触層に電気的にカップリングされる。上記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第１の端部および上記第１の接触層の間の第１の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲である。上記第３の端部および上記第２の接触層の間の第２の仕事関数は０．８エレクトロンボルト未満である。上記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う。上記方法は例えば、少なくとも図１９の記載に応じて実行される。 According to yet another embodiment, a method for manufacturing a thermoelectric device includes: forming a first nanowire associated with a first side of a substrate; forming a first electrode structure; Forming a second wire associated with the second side, and forming a second electrode structure. Each of the first nanowires has a first end and a second end opposite thereto. The formation of the first electrode structure comprises a step of depositing a first contact layer and a step of forming a first shunt, wherein the first contact layer has at least each of the first ends. The first nanowire is electrically coupled to the first shunt, and the first shunt is electrically coupled to the first contact layer. The second nanowire is a nanowire different from the first nanowire. The second side is the opposite side of the first side. Each of the second nanowires has a third end and a fourth end opposite thereto. The formation of the second electrode structure comprises a step of depositing a second contact layer and a step of forming a second shunt, wherein the second contact layer has at least each of the third ends. The second nanowire is electrically coupled to the second shunt, and the second shunt is electrically coupled to the second contact layer. All of the first nanowires are substantially parallel to each other. All of the second nanowires are substantially parallel to each other. The first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts. The first contact layer has a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 . The second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts. The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The above method is executed, for example, according to at least the description of FIG.
本発明の特定の実施形態について説明を行ってきたが、当業者であれば、上に記載した実施形態と同等の他の実施形態があることを理解されるであろう。例えば、本発明の多様な実施形態および／または実施例を組み合わせることが可能である。したがって、本発明は、上で説明した特定の実施形態により限定されるのではなく、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。 While specific embodiments of the present invention have been described, those skilled in the art will appreciate that there are other embodiments that are equivalent to the embodiments described above. For example, various embodiments and / or examples of the present invention can be combined. Accordingly, the invention is not limited by the specific embodiments described above, but only by the scope of the appended claims.
Claims (51)
前記各ナノワイヤーにおける少なくとも前記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する接触層、および
前記接触層と電気的にカップリングされたシャントを備え、
前記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第１の端部および前記接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第１の端部および前記接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う熱電素子。 Nanowires each having a first end and a second end;
A contact layer electrically connecting the nanowires through at least the first end of each nanowire; and a shunt electrically coupled to the contact layer;
All of the nanowires are substantially parallel to each other,
The first contact resistivity between the first end and the contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A first work function between the first end and the contact layer is less than 0.8 electron volts;
The contact layer is a thermoelectric element with a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
前記１つ以上の充填材によって、上記ナノワイヤーは互いに相対的な位置に固定されることを特徴とする請求項１に記載の熱電素子。 Further comprising one or more fillers disposed between the nanowires;
The thermoelectric device according to claim 1, wherein the nanowires are fixed at positions relative to each other by the one or more fillers.
前記第２のセグメントは実質的に、上記１つ以上の充填材によって周囲を囲まれ、
前記第１のセグメントは上記１つ以上の充填材から突出し、
上記接触層は、少なくとも上記第１のセグメントのそれぞれを介して上記ナノワイヤーを電気的に接続することを特徴とする、請求項２に記載の熱電素子。 Each of the nanowires further comprises a first segment associated with the first end, and a second segment associated with the second end,
The second segment is substantially surrounded by the one or more fillers;
The first segment protrudes from the one or more fillers;
The thermoelectric element according to claim 2, wherein the contact layer electrically connects the nanowires through at least each of the first segments.
前記結合層は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項１に記載の熱電素子。 A bond layer connecting the contact layer with the shunt;
2. The bonding layer according to claim 1, wherein the bonding layer has a sheet resistance in the range of 10 −10 Ω per square to 10 Ω per square and a thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The thermoelectric element as described.
上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部とカップリンされる１つ以上の第１の接触材、および
前記１つ以上の第１の接触材を介して上記ナノワイヤーの各々を電気的に接続する１つ以上の第２の接触材を含み、
上記第１の端部および前記１つ以上の第１の接触材の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
上記第１の端部および前記１つ以上の第１の接触材の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記１つ以上の第１の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴い、
前記１つ以上の第２の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項１に記載の熱電素子。 The contact layer is
One or more first contact materials coupled to at least the first end of each nanowire, and each of the nanowires electrically via the one or more first contact materials Including one or more second contact materials to connect,
A second contact resistivity between the first end and the one or more first contact materials is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A second work function between the first end and the one or more first contact materials is less than 0.8 electron volts;
The one or more first contact materials are accompanied by a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
The thermoelectric element according to claim 1, wherein the one or more second contact materials are accompanied by a third thermal resistance in a range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
前記結合層は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲のシート抵抗、および、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項２４に記載の熱電素子。 A bonding layer connecting the one or more first contact materials with the one or more second contact materials;
The bonding layer is characterized by a sheet resistance in the range of 10 -10 Ω per square to 10 Ω per square and a thermal resistance in the range of 10 -2 K / W to 10 10 K / W. 25. The thermoelectric element according to 24.
上記各ナノワイヤーにおける少なくとも前記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層と、前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントとを備える第１の電極構造、および
上記各ナノワイヤーにおける少なくとも前記第２の端部を介して前記ナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層と、前記第２の接触層に電気的にカップリングされる第２のシャントとを備える第２の電極構造を備え、
前記ナノワイヤーの全ては、実質的に互いに並行であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴い、
前記第２の端部および前記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第２の端部および前記第２の接触層の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う熱電素子。 Nanowires each having a first end and a second end opposite thereto,
A first contact layer electrically connecting the nanowires through at least the first end of each nanowire; and a first shunt electrically coupled to the first contact layer; A first electrode structure comprising: a second contact layer that electrically connects the nanowires via at least the second end of each nanowire; and electrically connected to the second contact layer A second electrode structure comprising a second shunt to be coupled;
All of the nanowires are substantially parallel to each other,
A first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts;
The first contact layer is accompanied by a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
A second contact resistivity between the second end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A second work function between the second end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts;
The second contact layer is a thermoelectric element with a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
上記第２の接触を上記第２のシャントと接続する１つ以上の第２の結合材とをさらに備え、
前記１つ以上の第１の結合材は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲の第１のシート抵抗、および、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴い、
前記１つ以上の第２の結合材は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲の第２のシート抵抗、および、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第４の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項３１に記載の熱電素子。 One or more first binders connecting the first contact with the first shunt;
One or more second binding materials connecting the second contact with the second shunt;
The one or more first binders include a first sheet resistance in the range of 10 −10 Ω per square to 10 Ω per square, and a third in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. With a thermal resistance of
The one or more second binders include a second sheet resistance in the range of 10 −10 Ω per square to 10 Ω per square and a fourth in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The thermoelectric element according to claim 31, wherein the thermoelectric element is accompanied by a thermal resistance of
上記各ナノワイヤーの少なくとも上記第１の端部と電気的にカップリングされる１つ以上の第１の接触材、および
少なくとも前記１つ以上の接触材を介して上記ナノワイヤーの各々を電気的に接続する１つ以上の第２の接触材を含み、
上記第１の端部および前記１つ以上の第１の接触材の間の第３の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
上記第１の端部および前記１つ以上の第１の接触材の間の第３の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記１つ以上の第１の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴い、
前記１つ以上の第２の接触材は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第４の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項３１に記載の熱電素子。 The first contact layer is
One or more first contact materials electrically coupled to at least the first end of each nanowire; and each of the nanowires is electrically connected via at least the one or more contact materials. Including one or more second contact materials connected to
A third contact resistivity between the first end and the one or more first contact materials is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A third work function between the first end and the one or more first contact materials is less than 0.8 electron volts;
The one or more first contact materials are accompanied by a third thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
32. The thermoelectric element according to claim 31, wherein the one or more second contact materials are accompanied by a fourth thermal resistance in the range of 10 <-2 > K / W to 10 < 10 > K / W.
上記各第１のナノワイヤーにおける少なくとも前記第１の端部を介して該第１のナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層と、前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントとを備える第１の電極構造、
第３の端部およびその反対側の第４の端部をそれぞれ有し、前記第１のナノワイヤーと異なる第２のナノワイヤー、および
上記各第２のナノワイヤーにおける少なくとも前記第３の端部を介して該第２のナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層と、前記第２の接触層に電気的にカップリングされる第２のシャントとを備える第２の電極構造を備える熱電素子であって、
前記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴い、
前記第３の端部および前記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第３の端部および前記第２の接触層の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴い、
前記第２の端部は前記第４の端部と電気的にカップリングされる、熱電素子。 First nanowires each having a first end and a second end opposite thereto,
A first contact layer that electrically connects the first nanowires through at least the first end of each first nanowire, and is electrically coupled to the first contact layer. A first electrode structure comprising a first shunt
A second nanowire having a third end and a fourth end opposite to the third end and different from the first nanowire; and at least the third end of each second nanowire A second electrode structure comprising: a second contact layer electrically connecting the second nanowires via the second contact layer; and a second shunt electrically coupled to the second contact layer. A thermoelectric element,
All of the first nanowires are substantially parallel to each other;
All of the second nanowires are substantially parallel to each other;
A first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts;
The first contact layer is accompanied by a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts;
The second contact layer has a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
The thermoelectric element, wherein the second end is electrically coupled to the fourth end.
前記第１の側は前記第２の側と電気的にカップリングされ、
前記第２の側は上記第４の端部と電気的にカップリングされ、
前記１つ以上の結合材は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲のシート抵抗および１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項３６に記載の熱電素子。 One or more binders having a first side and a second side opposite thereto;
The first side is electrically coupled to the second side;
The second side is electrically coupled to the fourth end;
The one or more binders are accompanied by a sheet resistance in the range of 10 −10 Ω per square to 10 Ω per square and a third thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The thermoelectric element according to claim 36.
上記第２の接触を上記第２のシャントと接続する１つ以上の第２の結合材とをさらに備え、
前記１つ以上の第１の結合材は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲の第１のシート抵抗、および、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴い、
前記１つ以上の第２の結合材は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲の第２のシート抵抗、および、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第４の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項３６に記載の熱電素子。 One or more first binders connecting the first contact with the first shunt;
One or more second binding materials connecting the second contact with the second shunt;
The one or more first binders include a first sheet resistance in the range of 10 −10 Ω per square to 10 Ω per square, and a third in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. With a thermal resistance of
The one or more second binders include a second sheet resistance in the range of 10 −10 Ω per square to 10 Ω per square, and a fourth in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The thermoelectric element according to claim 36, wherein the thermoelectric element is accompanied by a thermal resistance of
上記各第１のナノワイヤーにおける少なくとも前記第１の端部を介して該第１のナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層と、前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントとを備える第１の電極構造、
第３の端部およびその反対側の第４の端部をそれぞれ有し、前記基板の前記第１の側の反対側の第２の側に関連付けられる、前記第１のナノワイヤーと異なる第２のナノワイヤー、および
上記各第２のナノワイヤーにおける少なくとも前記第３の端部を介して該第２のナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層と、前記第２の接触層に電気的に接続する第２のシャントとを備える第２の電極構造を備える熱電素子であって、
前記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴い、
前記第３の端部および前記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第３の端部および前記第２の接触層の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う、熱電素子。 A first nanowire, each having a first end and a second end opposite the first end, associated with the first side of the substrate;
A first contact layer that electrically connects the first nanowires through at least the first end of each first nanowire, and is electrically coupled to the first contact layer. A first electrode structure comprising a first shunt
A second, different from the first nanowire, each having a third end and a fourth end opposite the second end and associated with a second side opposite to the first side of the substrate. A second contact layer that electrically connects the second nanowire via at least the third end of each of the second nanowires, and the second contact layer is electrically connected to the second contact layer. A thermoelectric element comprising a second electrode structure comprising a second shunt that is connected electrically,
All of the first nanowires are substantially parallel to each other;
All of the second nanowires are substantially parallel to each other;
A first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts;
The first contact layer is accompanied by a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts;
The second contact layer is a thermoelectric element with a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
上記第２の接触を上記第２のシャントと接続する１つ以上の第２の結合材とをさらに備え、
前記１つ以上の第１の結合材は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲の第１のシート抵抗、および、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴い、
前記１つ以上の第２の結合材は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲の第２のシート抵抗、および、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第４の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項４０に記載の熱電素子。 One or more first binders connecting the first contact with the first shunt;
One or more second binding materials connecting the second contact with the second shunt;
The one or more first binders include a first sheet resistance in the range of 10 −10 Ω per square to 10 Ω per square, and a third in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. With a thermal resistance of
The one or more second binders include a second sheet resistance in the range of 10 −10 Ω per square to 10 Ω per square, and a fourth in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The thermoelectric element according to claim 40, wherein the thermoelectric element is accompanied by a thermal resistance of
上記各ナノワイヤーにおける少なくとも前記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する接触層を堆積させる工程、および
前記接触層に電気的にカップリングされるシャントを形成する工程を備える熱電素子の作製方法であって、
前記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第１の端部および前記接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第１の端部および前記接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記接触層は１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴う熱電素子の製造方法。 Forming nanowires each having a first end and a second end;
Depositing a contact layer electrically connecting the nanowires through at least the first end of each nanowire; and forming a shunt electrically coupled to the contact layer. A method for producing a thermoelectric device, comprising:
All of the nanowires are substantially parallel to each other,
The first contact resistivity between the first end and the contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A first work function between the first end and the contact layer is less than 0.8 electron volts;
The contact layer is a method for manufacturing a thermoelectric element with a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第１の端部の上に、１つ以上の第１の接触材を堆積させる工程、および
少なくとも前記１つ以上の第１の接触材を介して上記ナノワイヤーのそれぞれを電気的に接続する１つ以上の第２の接触材を堆積させる工程を備え、
前記第１の端部および前記１つ以上の第１の接触材の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第１の端部および前記１つ以上の第１の接触材の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記１つ以上の第１の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴い、
前記１つ以上の第２の接触材は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項４２に記載の熱電素子の製造方法。 Depositing the contact layer comprises:
Depositing one or more first contact materials on at least the first end of each nanowire; and each of the nanowires via at least the one or more first contact materials Depositing one or more second contact materials that electrically connect
A second contact resistivity between the first end and the one or more first contact materials is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A second work function between the first end and the one or more first contact materials is less than 0.8 electron volts;
The one or more first contact materials are accompanied by a second thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
43. The thermoelectric element manufacturing of claim 42, wherein the one or more second contact materials are accompanied by a third thermal resistance in the range of 10 <-2 > K / W to 10 < 10 > K / W. Method.
第１の電極構造を形成する工程であって、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも前記第１の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層を堆積させる工程と、前記第１の接触層に電気的にカップリングされる第１のシャントを形成する工程とを備える工程、および
第２の電極構造を形成する工程であって、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも前記第２の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層を堆積させる工程と、前記第２の接触層に電気的にカップリングされる第２のシャントを形成する工程とを備える工程を備える、熱電素子の製造方法であって、
前記ナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴い、
前記第２の端部および前記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第２の端部および前記第２の接触層の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う、熱電素子の製造方法。 Forming nanowires each having a first end and a second end opposite thereto;
Forming a first electrode structure, depositing a first contact layer electrically connecting the nanowires through at least the first end of each nanowire; and Forming a first shunt that is electrically coupled to one contact layer, and forming a second electrode structure, wherein at least the second end of each nanowire Depositing a second contact layer that electrically connects the nanowires via a portion, and forming a second shunt electrically coupled to the second contact layer A method for manufacturing a thermoelectric device comprising:
All of the nanowires are substantially parallel to each other,
A first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts;
The first contact layer is accompanied by a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
A second contact resistivity between the second end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A second work function between the second end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts;
The method for manufacturing a thermoelectric element, wherein the second contact layer has a second thermal resistance in a range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
第１の電極構造を形成する工程であって、上記第１のナノワイヤーにおける少なくとも前記第１の端部を介して該第１のナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層と、前記第１の接触層に電気的に接続される第１のシャントとを堆積させる工程とを備える工程、および
第３の端部およびその反対側の第４の端部をそれぞれ有する第２のナノワイヤーを形成する工程、
第２の電極構造を形成する工程であって、上記第２のナノワイヤーにおける少なくとも前記第３の端部を介して該第２のナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層を堆積させる工程と、前記第２の接触層に電気的に接続される第２のシャントを形成する工程とを備える工程、および
前記第２の端部を前記第４の端部と電気的に接続する工程を備える、熱電素子の製造方法であって、
前記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴い、
前記第３の端部および前記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第３の端部および前記第２の接触層の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う、熱電素子の製造方法。 Forming first nanowires each having a first end and a second end opposite thereto,
Forming a first electrode structure, wherein the first contact layer electrically connects the first nanowire through at least the first end of the first nanowire; and Depositing a first shunt electrically connected to the first contact layer, and a second nanowire having a third end and a fourth end opposite thereto, respectively. Forming a process,
Forming a second electrode structure, wherein a second contact layer that electrically connects the second nanowire through at least the third end of the second nanowire is deposited; And a step of forming a second shunt electrically connected to the second contact layer, and a step of electrically connecting the second end to the fourth end A method for manufacturing a thermoelectric device comprising:
All of the first nanowires are substantially parallel to each other;
All of the second nanowires are substantially parallel to each other;
A first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts;
The first contact layer is accompanied by a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts;
The method for manufacturing a thermoelectric element, wherein the second contact layer has a second thermal resistance in a range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
前記第１の側は上記第２の端部と電気的に接続され、
前記第２の側は上記第４の端部と電気的に接続され、
前記１つ以上の結合材は、１０−１０Ω毎平方〜１０Ω毎平方の範囲のシート抵抗、および、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第３の熱抵抗を伴うことを特徴とする、請求項４８に記載の熱電素子の製造方法。 The step of electrically connecting the second end to the fourth end includes the step of using the one or more binders having a first side and a second side opposite thereto. Joining the end of the second end with the fourth end,
The first side is electrically connected to the second end;
The second side is electrically connected to the fourth end;
The one or more binders are accompanied by a sheet resistance in the range of 10 −10 Ω per square to 10 Ω per square and a third thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W. The method for manufacturing a thermoelectric element according to claim 48, wherein:
上記第２の端部を上記第４の端部と電気的に接続する上記工程は、
１つ以上の第１の結合材を用いて上記第２の端部を前記第５の端部と結合させる工程、および
１つ以上の第２の結合材を用いて上記第４の端部を前記第６の端部と結合させる工程を備え、
前記第３のナノワイヤーの全ては、実質的に互いに並行であることを特徴とする、請求項４８に記載の熱電素子の製造方法。 Further comprising forming third nanowires each having a fifth end and a sixth end opposite thereto,
The step of electrically connecting the second end to the fourth end includes:
Joining the second end to the fifth end using one or more first binders; and connecting the fourth end using one or more second binders. Combining with the sixth end,
49. The method of manufacturing a thermoelectric element according to claim 48, wherein all of the third nanowires are substantially parallel to each other.
第１の電極構造を形成する工程であって、前記各第１のナノワイヤーにおける少なくとも前記第１の端部を介して該第１のナノワイヤーを電気的に接続する第１の接触層を堆積させる工程と、前記第１の接触層に電気的に接続される第１のシャントを形成する工程とを備える工程、
第３の端部およびその反対側の第４の端部をそれぞれ有し、前記基板の前記第１の側の反対側の第２の側に関連付けられる、前記第１のナノワイヤーと異なる第２のナノワイヤーを形成する工程、および
第２の電極構造を形成する工程であって、前記第２のナノワイヤーにおける少なくとも前記第３の端部を介して該第２のナノワイヤーを電気的に接続する第２の接触層を堆積させる工程と、前記第２の接触層に電気的に接続される第２のシャントを形成する工程とを備える工程、を備える熱電素子の製造方法であって、
前記第１のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第２のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第１の端部および前記第１の接触層の間の第１の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第１の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第１の熱抵抗を伴い、
前記第３の端部および前記第２の接触層の間の第２の接触抵抗率は、１０−１３Ω‐ｍ２〜１０−７Ω‐ｍ２の範囲であり、
前記第３の端部および前記第２の接触層の間の第２の仕事関数は、０．８エレクトロンボルト未満であり、
前記第２の接触層は、１０−２Ｋ／Ｗ〜１０１０Ｋ／Ｗの範囲の第２の熱抵抗を伴う、熱電素子の製造方法。 Forming a first nanowire, each having a first end and a second end opposite the first end, associated with the first side of the substrate;
Forming a first electrode structure, depositing a first contact layer electrically connecting the first nanowires through at least the first end of each first nanowire; And a step of forming a first shunt electrically connected to the first contact layer;
A second, different from the first nanowire, each having a third end and a fourth end opposite the second end and associated with a second side opposite to the first side of the substrate. Forming a second nanowire, and forming a second electrode structure, wherein the second nanowire is electrically connected via at least the third end of the second nanowire. A step of depositing a second contact layer, and a step of forming a second shunt electrically connected to the second contact layer.
All of the first nanowires are substantially parallel to each other;
All of the second nanowires are substantially parallel to each other;
A first contact resistivity between the first end and the first contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A first work function between the first end and the first contact layer is less than 0.8 electron volts;
The first contact layer is accompanied by a first thermal resistance in the range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W,
The second contact resistivity between the third end and the second contact layer is in the range of 10 −13 Ω-m 2 to 10 −7 Ω-m 2 ;
A second work function between the third end and the second contact layer is less than 0.8 electron volts;
The method for manufacturing a thermoelectric element, wherein the second contact layer has a second thermal resistance in a range of 10 −2 K / W to 10 10 K / W.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161438709P | 2011-02-02 | 2011-02-02 | |
| US61/438,709 | 2011-02-02 | ||
| US13/331,768 | 2011-12-20 | ||
| US13/331,768 US20120152295A1 (en) | 2010-12-21 | 2011-12-20 | Arrays of filled nanostructures with protruding segments and methods thereof |
| PCT/US2012/023425 WO2012161757A1 (en) | 2011-02-02 | 2012-02-01 | Electrode structures for arrays of nanostructures and methods thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014510396A true JP2014510396A (en) | 2014-04-24 |
| JP2014510396A5 JP2014510396A5 (en) | 2015-03-26 |
Family
ID=47217566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013552585A Pending JP2014510396A (en) | 2011-02-02 | 2012-02-01 | Electrode structure and method for nanostructure arrays |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2671255A4 (en) |
| JP (1) | JP2014510396A (en) |
| KR (1) | KR20140012073A (en) |
| CN (1) | CN103460387A (en) |
| BR (1) | BR112013019766A2 (en) |
| CA (1) | CA2825888A1 (en) |
| WO (1) | WO2012161757A1 (en) |
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- 2012-02-01 JP JP2013552585A patent/JP2014510396A/en active Pending
- 2012-02-01 CN CN2012800167545A patent/CN103460387A/en active Pending
- 2012-02-01 CA CA2825888A patent/CA2825888A1/en not_active Abandoned
- 2012-02-01 EP EP12790253.4A patent/EP2671255A4/en not_active Withdrawn
- 2012-02-01 KR KR1020137022698A patent/KR20140012073A/en not_active Application Discontinuation
- 2012-02-01 WO PCT/US2012/023425 patent/WO2012161757A1/en active Application Filing
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| EP2671255A1 (en) | 2013-12-11 |
| CA2825888A1 (en) | 2012-11-29 |
| BR112013019766A2 (en) | 2019-09-24 |
| CN103460387A (en) | 2013-12-18 |
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