JP2014216554A - Imaging device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、撮像部と低誘電率材料層を含む回路部とが形成された撮像素子チップを具備する撮像装置に関する。 The present invention relates to an imaging device including an imaging element chip in which an imaging unit and a circuit unit including a low dielectric constant material layer are formed.
CMOS撮像素子等からなる撮像部が主面に形成された撮像素子チップを具備するチップサイズパッケージ型の撮像装置は、小径であることから内視鏡等に用いられている。半導体技術により作製された微細パターンからなる撮像部と、信号ケーブル等が接続される大きな接合電極との整合性を取るために、撮像素子チップには導体層と絶縁層とからなる再配線回路が不可欠である。近年、撮像装置の高性能化のために、再配線回路の絶縁層として酸化シリコンよりも低誘電率の材料、いわゆるLow−k材料を用いることが検討されている。 2. Description of the Related Art A chip size package type image pickup apparatus including an image pickup element chip in which an image pickup unit made of a CMOS image pickup element or the like is formed on a main surface is used for an endoscope or the like because of its small diameter. In order to ensure consistency between the imaging unit consisting of a fine pattern manufactured by semiconductor technology and a large junction electrode to which a signal cable or the like is connected, the imaging device chip has a rewiring circuit consisting of a conductor layer and an insulating layer. It is essential. In recent years, use of a material having a lower dielectric constant than silicon oxide, a so-called Low-k material, has been studied as an insulating layer of a rewiring circuit in order to improve the performance of an imaging device.
しかし、Low−k材料は、耐湿性、すなわち水蒸気の浸透性が従来の絶縁層材料よりも劣っている。Low−k材料を絶縁層とするチップサイズパッケージ型の撮像装置は、Low−k材料が外周部に露出しているため、信頼性が十分ではないおそれがあった。すなわち、Low−k材料からなる絶縁層に水が浸透すると、比誘電率が上昇し寄生容量が増加し信号遅延が生じるため動作不良が生じたり、金属配線の腐食が生じたりするおそれがあった。 However, the Low-k material is inferior to conventional insulating layer materials in moisture resistance, that is, water vapor permeability. In a chip size package type imaging device using a low-k material as an insulating layer, the low-k material is exposed to the outer peripheral portion, and thus there is a possibility that the reliability is not sufficient. That is, when water penetrates into an insulating layer made of a low-k material, the relative permittivity increases, parasitic capacitance increases, and signal delay occurs, which may cause malfunction and corrosion of metal wiring. .
特開2008−78382号公報には、半導体素子チップの低誘電率絶縁層を含む再配線回路の側面を、低誘電率絶縁材料よりも耐湿性に優れたアンダーフィル材で覆って封止した半導体装置が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-78382 discloses a semiconductor in which a side surface of a rewiring circuit including a low dielectric constant insulating layer of a semiconductor element chip is covered and sealed with an underfill material superior in moisture resistance to a low dielectric constant insulating material. An apparatus is disclosed.
しかし、上記公報記載の半導体装置の平面視寸法は、アンダーフィル材のフレット長の分だけ半導体素子チップよりも大きくなっていた。 However, the planar size of the semiconductor device described in the above publication is larger than that of the semiconductor element chip by the fret length of the underfill material.
本発明の実施形態は、小径で信頼性の高い撮像装置を提供することを目的とする。 An object of an embodiment of the present invention is to provide an imaging apparatus having a small diameter and high reliability.
実施形態の撮像装置は、撮像部と、前記撮像部と信号を送受信する、比誘電率が酸化シリコンより低い低誘電率材料からなる絶縁層を含む複数の層を有する回路部と、前記回路部と接続された電極パッドと、前記撮像部と前記回路部と前記電極パッドとを取り囲む、前記回路部の前記複数の層の材料のうち前記低誘電率材料よりも耐湿性に優れた材料から選択された1以上の材料からなるガードリングとが、第1の主面に形成され、貫通配線を介して前記電極パッドと接続された接合端子が第2の主面に形成されている撮像素子チップと、前記撮像素子チップの前記第1の主面に接着層を介して接着された、前記撮像素子チップと同じ平面視寸法のカバーガラスと、前記ガードリングの全周と前記透明部材との間に配設されており、前記接着層の材料よりも耐湿性に優れた材料からなるポストリングと、を具備する。 An imaging apparatus according to an embodiment includes an imaging unit, a circuit unit having a plurality of layers including an insulating layer made of a low dielectric constant material having a relative dielectric constant lower than that of silicon oxide, which transmits and receives signals to and from the imaging unit, and the circuit unit Selected from materials having higher moisture resistance than the low-dielectric constant material among the materials of the plurality of layers of the circuit unit surrounding the imaging unit, the circuit unit, and the electrode pad. An image sensor chip in which a guard ring made of at least one material is formed on the first main surface, and a junction terminal connected to the electrode pad via a through wiring is formed on the second main surface And a cover glass having the same planar view size as that of the image sensor chip, which is bonded to the first main surface of the image sensor chip via an adhesive layer, and between the entire circumference of the guard ring and the transparent member Arranged in the adhesive Than the material comprising the post ring of a material excellent in moisture resistance, a.
別の実施形態の撮像装置は、撮像部と、前記撮像部と信号を送受信する、比誘電率が酸化シリコンより低い低誘電率材料からなる絶縁層を含む複数の層を有する回路部と、前記回路部と接続された電極パッドと、前記撮像部と前記回路部と前記電極パッドとを取り囲む、前記低誘電率材料よりも耐湿性に優れた材料からなるガードリングとが、第1の主面に形成され、貫通配線を介して前記電極パッドと接続された接合端子が第2の主面に形成されている撮像素子チップと、前記撮像素子チップの前記第1の主面に接着層を介して接着された、前記ガードリングの外縁よりも内側の領域を覆う透明部材と、を具備する。 An imaging apparatus according to another embodiment includes an imaging unit, a circuit unit including a plurality of layers including an insulating layer made of a low dielectric constant material having a relative dielectric constant lower than that of silicon oxide, which transmits and receives signals to and from the imaging unit, An electrode pad connected to the circuit unit, and a guard ring that surrounds the imaging unit, the circuit unit, and the electrode pad and is made of a material that is superior in moisture resistance to the low dielectric constant material. An imaging element chip formed on the second main surface with a junction terminal connected to the electrode pad via a through-wiring, and an adhesive layer on the first main surface of the imaging element chip And a transparent member that covers the region inside the outer edge of the guard ring, which is bonded to the outer periphery of the guard ring.
別の実施形態の撮像装置は、撮像部と、前記撮像部と信号を送受信する比誘電率が酸化シリコンより低い低誘電率材料からなる絶縁層を含む複数の層を有する回路部と、前記回路部と接続された接合電極と、前記撮像部と前記回路部と前記接合電極とを取り囲む、前記低誘電率材料よりも耐湿性に優れた材料からなるガードリングとが、第1の主面に形成されている撮像素子チップと、前記接合電極と接合された導線と、前記接合電極と前記導線との接合部を封止する封止部材と、前記封止部材で覆われていない前記ガードリングを覆うように、前記撮像素子チップの前記第1の主面に接着層を介して接着されている透明部材と、を具備する。 An imaging apparatus according to another embodiment includes an imaging unit, a circuit unit including a plurality of layers including an insulating layer made of a low dielectric constant material having a relative dielectric constant lower than that of silicon oxide for transmitting and receiving signals to and from the imaging unit, and the circuit And a guard ring made of a material having higher moisture resistance than the low dielectric constant material, which surrounds the imaging unit, the circuit unit, and the bonding electrode, on the first main surface. The imaging element chip that is formed, a conducting wire joined to the joining electrode, a sealing member that seals a joining portion between the joining electrode and the conducting wire, and the guard ring that is not covered by the sealing member And a transparent member bonded to the first main surface of the image pickup device chip via an adhesive layer.
本発明によれば、小径で信頼性の高い撮像装置を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide an imaging apparatus having a small diameter and high reliability.
<第1実施形態>
図1〜図3に示すように、第1実施形態の撮像装置1は、撮像素子チップ10と、透明部材であるカバーガラス30と、撮像素子チップ10とカバーガラス30とを接着している接着層20と、を具備する。
<First Embodiment>
As shown in FIGS. 1 to 3, the
積層膜12が主面に配設された半導体基板11からなる撮像素子チップ10は、ウエハレベルチップサイズパッケージ型のチップであり、撮像素子チップ10とカバーガラス30とは平面視寸法が同じである。すなわち、複数の撮像素子チップ10が形成された撮像素子ウエハと、ガラスウエハとが接着された接合ウエハを、切断し個片化することにより撮像装置1は製造されている。撮像素子チップ10は一括して大量生産できるため生産性に優れている。
The image
撮像素子チップ10の第1の主面10SAには、撮像部13と、回路部14と、複数の電極パッド15と、ガードリング16と、が形成されている。一方、撮像素子チップ10の第2の主面10SBには、それぞれの貫通配線17を介して、それぞれの電極パッド15と接続された複数の接合端子18が形成されている。
On the first main surface 10SA of the
COMS撮像素子等からなる撮像部13は、シリコン等からなる半導体基板11の主面に公知の半導体製造技術により形成されている。
The
回路部14は撮像部13へ信号等を送受信するための再配線機能等を有する。回路部14は撮像部13の信号を処理する半導体回路を含んでいても良い。このとき、半導体回路は撮像部13と同様に、シリコン等からなる半導体基板11の主面に公知の半導体製造技術により形成されている。回路部14は、複数の導体層12Aと複数の絶縁層12B、12Cとを有する積層膜12の一部でもある。なお、図3には複数の層の一部を模式的に図示している。
The
そして、回路部14の少なくとも1つの絶縁層12Cは、低誘電率材料(Low−k材料)からなる。電極パッド15は、回路部14を介して撮像部13と接続されている。
At least one
なお、複数の導体層12Aの導電性材料は異なる材料で構成されていてもよい。また、複数の絶縁層12Bの絶縁材料は異なる材料で構成されていてもよい。そして、少なくとも1つの絶縁層12Cは、低誘電率材料(Low−k材料)からなる。
Note that the conductive materials of the plurality of
低誘電率材料とは、酸化シリコン(k=4.0)よりも比誘電率kが低い材料であり、好ましくは比誘電率kが3.0以下の材料である。低誘電率材料の比誘電率kの下限値は、技術的限界により、2.0以上、好ましくは1.5以上である。 The low dielectric constant material is a material having a relative dielectric constant k lower than that of silicon oxide (k = 4.0), and preferably a material having a relative dielectric constant k of 3.0 or less. The lower limit of the relative dielectric constant k of the low dielectric constant material is 2.0 or more, preferably 1.5 or more, due to technical limitations.
撮像装置1では、絶縁層12Cの低誘電率材料は、ポーラスSiOC(k=2.7)である。ポーラスSiOCは、主にSi−CH3基を多く含むメチル含有ポリシロキサンであり、CH3の存在により分子構造内に間隙を生じるために多孔質であり、比誘電率kが低い。
In the
絶縁層12Cの材料としては、SiOF若しくはSiOCHベースのポーラス材料、Nano Clustering Silica膜などのポーラスシリカ系材料、ポーラスHSQと呼ばれるH含有ポリシロキサン、又は、有機ポリマー若しくは有機ポリマーのポーラス材料等も使用可能である。
As the material of the
撮像部13、回路部14及び電極パッド15を取り囲んでいるガードリング16は、ガードリング16の内縁よりも内側の領域への水の浸透を遮断するリング状の防湿壁である。すでに説明したように、低誘電率材料からなる絶縁層12Cは、耐湿性が十分ではない。ガードリング16は、絶縁層12Cの低誘電率材料よりも耐湿性に優れた材料からなり、ガードリング16の内側の低誘電率材料への水の浸透を遮断している。
The
ガードリング16の材料は、低誘電率材料よりも耐湿性に優れた材料から、製造工程と撮像装置1の仕様とに応じて選択される。撮像装置1では、ガードリング16及び回路部14は、共に積層膜12の一部であり、ガードリング16は、半導体基板11に回路部14を形成するときに、同時に形成される。すなわち、ガードリング16は、複数の層を有する回路部14の形成工程に準じて、複数の層が積層されることにより形成されたリング状の積層膜からなる。
The material of the
回路部14に絶縁層12Cが積層されるときには、ガードリング16に絶縁層12Cと同じ低誘電率材料層は積層されない。例えば、ガードリング16は回路部14を形成するときに絶縁層12Cを除いた層を積層することで形成されていてもよい。一方、回路部14が、複数の導体層12Aと複数の絶縁層12Cとだけから構成されている場合には、ガードリング16は複数の導体層12Aにより形成される。
When the insulating
また、ガードリング16の一部は、回路部14の構成層と一体の層により構成されていてもよい。例えば、回路部14の絶縁層12Bの延設部がガードリング16の1つの層を構成していてもよい。
Further, a part of the
ガードリング16は、回路部14を構成する複数の材料から選択された1以上の材料からなる。例えば、回路部14の導体層12Aは、銅等の金属からなるため、耐湿性が優れている。そして、複数の導体層12Aの形成時に、同時に銅層が積層されたガードリング16が形成される。
The
また、回路部14の絶縁層12Bが、酸化シリコン又は窒化シリコン等からなる場合には、複数の絶縁層12Bの形成時に、同時に酸化シリコン層等が積層されたガードリング16が形成される。
When the insulating layer 12B of the
また、ガードリング16は、例えば、銅層及び酸化シリコン層の積層膜であってもよい。すなわち、ガードリング16は、複数の異なる材料からなる複数の層で構成されていてもよい。
The
絶縁層12Cを構成する低誘電率材料からなる層はガードリング16の外側にはないことが好ましいが、あってもよい。ガードリング16の内部への水の浸透は防止されるためである。
The layer made of a low dielectric constant material constituting the insulating
ガードリングは、回路部14(積層膜12)を形成後に配設されてもよい。例えば、積層膜12を形成するときにガードリング配設部として溝部を設けておいて、カバーガラス接着前に、溝部にガードリングとして、Oリングをはめ込んでもよい。また、ガードリングは、内側リングと外側リングとからなる2重構造であってもよい。
The guard ring may be disposed after the circuit portion 14 (laminated film 12) is formed. For example, a groove portion may be provided as a guard ring arrangement portion when forming the
そして、接着層20を介して撮像素子チップ10の第1の主面10SAに接着されている透明部材であるカバーガラス30は、平面視寸法が撮像素子チップ10と同じである。このため、カバーガラス30は、ガードリング16の外縁よりも内側の領域を覆っている。透明部材は、撮像部13が受光する光の波長領域において透過率が高い材料であれば、樹脂等から構成されていてもよい。厚さが十分に厚いカバーガラス30は、上部から回路部14等への水の浸透を遮断している。
The
接着層20は、絶縁層12Cの低誘電率材料よりも耐湿性に優れた、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等の透明樹脂からなる。
The
撮像装置1の第1の主面10SAに形成された、撮像部13、回路部14及び電極パッド15等は、側面からの水の浸透はガードリング16により遮断され、上面からの水の浸透はカバーガラス30により遮断されている。このため、撮像装置1は平面視寸法が小さく生産性に優れたチップサイズパッケージであるが信頼性が高い。
The
撮像装置1は、例えば、85℃、湿度85%の高温多湿環境に1000時間放置しても特性が劣化することがなかった。
The
更に、撮像装置1では、ガードリング16は、積層膜12の一部である回路部14を形成するときに、積層膜12の別の一部として同時に形成されるため、生産性がよい。
Furthermore, in the
<第2実施形態>
次に、第2実施形態の撮像装置1Aについて説明する。撮像装置1Aは撮像装置1と類似しているので同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
Second Embodiment
Next, an
撮像装置1では撮像部13等は、ガードリング16により側面からの水の浸透が防止されている。しかし、撮像装置1の側面には撮像部13等が形成されている中央領域まで挿通している接着層20の端面が露出している。接着層20の耐湿性は悪くはない。しかし、撮像装置の仕様によっては、接着層20には高い光透過率が要求されるため、耐湿性が十分に高い材料を用いることが容易ではない場合もある。このため、使用環境によっては接着層20を介して撮像部13等に水が浸透するおそれがあった。
In the
これに対して、図4及び図5に示すように、撮像装置1Aでは、ポストリング31が、ガードリング16とカバーガラス30とに挟持されている。ポストリング31は、ガードリング16の上面に沿って切れ目無くつながっているリング形状である。ガードリング16の上面とカバーガラス30との間にポストリング31が配設されているため、接着層20は、ポストリング31により中央部と外周部とに完全に分断されている。
On the other hand, as shown in FIGS. 4 and 5, in the
ポストリング31は、低誘電率材料よりも耐湿性に優れた接着層20の材料よりも更に耐湿性に優れた材料からなる。例えば、ポストリング31は、銅、ニッケル、アルミニウム等の金属、又は、酸化シリコン等の無機物からなる。
The
ポストリング31は、カバーガラス30と撮像素子チップ10Aとを接着する前に、カバーガラス30に形成しておくことが好ましい。例えば、カバーガラス30に金属膜を蒸着法により成膜し、パターニングすることにより、所望の厚さのリング形状のポストリング31を形成される。
The
撮像装置1Aは、撮像装置1の効果を有し、更に接着層20を介しての水の浸透がポストリング31により防止されているため、より信頼性が高い。
The
なお、撮像装置1Aでは、撮像素子チップ10Aの撮像部13の上に、カラーフィルタ13F、マイクロレンズ13Lが配設されている。
In the
<第2実施形態の変形例>
図6に示す第2実施形態の変形例の撮像装置1Bでは、カバーガラス30の平面視寸法が撮像素子チップ10の平面視寸法よりも大きい。
<Modification of Second Embodiment>
In the
すなわち、カバーガラス30が、ガードリング16の外縁よりも内側の領域を覆っていれば、内側の領域に形成された回路部14への水の浸透を防止できる。すなわち、カバーガラスは、平面視寸法がガードリング16の外縁の平面視寸法よりも大きければ、平面視寸法が撮像素子チップ10の平面視寸法より大きくても小さくても、撮像装置1と同様の効果を有する。
That is, if the
なお、マイクロレンズ13Lとカバーガラス30との間には接着層20Bは配設されていない。このため、マイクロレンズ13Lの集光効率が上がり、感度が高い。なお、接着層20Bは撮像部13の上側には配設されていないので、透明である必要はなく、遮光機能を有する樹脂等であってもよい。
The adhesive layer 20B is not disposed between the
<第3実施形態>
次に、第3実施形態の撮像装置1Cについて説明する。撮像装置1Cは撮像装置1、1A、1Bと類似しているので同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
<Third Embodiment>
Next, an
図7及び図8に示すように、撮像装置1Cでは撮像素子チップ10Cの第1の主面10SAには、回路部14と接続された、バンプである接合電極15Cが形成されている。接合電極15Cには撮像部13への入出力信号を伝達する信号取り出し導線50が接合されている。
As shown in FIGS. 7 and 8, in the
そして、接着層20Cを介してカバーガラス30Cで覆われていない領域は、封止樹脂40で封止されている。封止樹脂40は、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等の耐湿性に優れた樹脂から選択される。なお、図7等では封止樹脂40を透明材料として図示しているが、封止樹脂40は遮光性材料であってもよい。
A region that is not covered with the
撮像装置1Cは、カバーガラス30Cに替えて直角プリズム等を配設してもよい。
The
ガードリング16は、撮像部13と回路部14と接合電極15Cとを取り囲んでいる。ガードリング16の上面は、一部がカバーガラス30Cで覆われ、カバーガラス30Cで覆われていない部分は封止樹脂40で覆われている。
The
このため、撮像装置1Cは、撮像装置1等と同様の効果を有する。そして、撮像装置1Cは貫通配線等を形成する必要がないので撮像装置1等よりも製造が容易である。
For this reason, 1 C of imaging devices have the same effect as the
次に、図9に第3実施形態の変形例の撮像装置1Dを示す。撮像装置1Dは撮像装置1Cと類似しているが、撮像素子チップ10Cの第1の主面10SAの撮像部13の外周部が、カバーガラス30Dで覆われていない。
すなわち、接合電極15Cが形成された領域以外の外周部も、カバーガラス30Dで覆われていない。しかし、カバーガラス30Cで覆われていない外周部においても、接合電極15Cが形成された領域と同じように、ガードリング16の上面は、封止樹脂40で覆われている。
Next, FIG. 9 shows an
That is, the outer peripheral portion other than the region where the
撮像装置1Dは、撮像装置1Cと同様に、ガードリング16の上面は、一部がカバーガラス30Dで覆われ、カバーガラス30Dで覆われていない部分は、封止樹脂40で覆われている。
In the
ガードリング16の外縁よりも内側の領域が、カバーガラス30Dと封止樹脂40とによって、完全に覆われている撮像装置1Dは、撮像装置1等と同様の効果を有する。更に、撮像装置1Dは、カバーガラス30Dの寸法及び形状等の自由度が高く、デザイン設計及び構造設計が容易である。
The
なお、撮像装置1Dでは、矩形の撮像部13を中心とする4方向の外周部領域のうち、接合電極15Cが形成された領域、及び接合電極15Cが形成された領域と撮像部13をはさんで対向する領域の2つの領域が、カバーガラス30Dで覆われていない。しかし、4方向の外周部領域のうち、接合電極形成領域を含む2領域、3領域、又は4領域が、カバーガラス30Dで覆われていなくても、その領域のガードリング16の上面が封止樹脂40で覆われていれば、撮像装置1Dと同様の効果を有することは、いうまでもない。
Note that in the
本発明は上述した実施形態、又は変形例等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment or modification, and various changes and modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
1、1A〜1D…撮像装置、10…撮像素子チップ、10SA…第1の主面、10SB…第2の主面、11…半導体基板、12…積層膜、12A…導体層、12B…絶縁層、12C…絶縁層、13…撮像部、13F…カラーフィルタ、13L…マイクロレンズ、14…回路部、15…電極パッド、15C…接合電極、16、16B…ガードリング、17…貫通配線、18…接合端子、20…接着層、30…カバーガラス、31…ポストリング、40…封止樹脂、50…信号取り出し導線
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記撮像素子チップの前記第1の主面に接着層を介して接着された、前記撮像素子チップと同じ平面視寸法のカバーガラスと、
前記ガードリングの全周と前記透明部材との間に配設されており、前記接着層の材料よりも耐湿性に優れた材料からなるポストリングと、を具備することを特徴とする撮像装置。 An imaging unit, a circuit unit having a plurality of layers including an insulating layer made of a low dielectric constant material having a relative dielectric constant lower than that of silicon oxide, which transmits and receives signals to and from the imaging unit, and an electrode pad connected to the circuit unit The material of the plurality of layers of the circuit unit that surrounds the imaging unit, the circuit unit, and the electrode pad is selected from one or more materials selected from materials having higher moisture resistance than the low dielectric constant material. An imaging element chip in which a junction ring formed on the first main surface and connected to the electrode pad via a through-wiring is formed on the second main surface;
A cover glass having the same planar view size as that of the image sensor chip, which is bonded to the first main surface of the image sensor chip via an adhesive layer;
An image pickup apparatus comprising: a post ring that is disposed between the entire circumference of the guard ring and the transparent member, and is made of a material having higher moisture resistance than the material of the adhesive layer.
前記撮像素子チップの前記第1の主面に接着層を介して接着された、前記ガードリングの外縁よりも内側の領域を覆う透明部材と、を具備することを特徴とする撮像装置。 An imaging unit, a circuit unit having a plurality of layers including an insulating layer made of a low dielectric constant material having a relative dielectric constant lower than that of silicon oxide, which transmits and receives signals to and from the imaging unit, and an electrode pad connected to the circuit unit A guard ring made of a material having higher moisture resistance than the low-dielectric constant material surrounding the imaging unit, the circuit unit, and the electrode pad is formed on the first main surface via a through-wiring An imaging device chip in which a junction terminal connected to the electrode pad is formed on the second main surface;
An imaging apparatus comprising: a transparent member that is bonded to the first main surface of the imaging element chip via an adhesive layer and covers a region inside the outer edge of the guard ring.
前記接合電極と接合された導線と、
前記接合電極と前記導線との接合部を封止する封止部材と、
前記封止部材で覆われていない前記ガードリングを覆うように、前記撮像素子チップの前記第1の主面に接着層を介して接着されている透明部材と、を具備することを特徴とする撮像装置。 An imaging unit, a circuit unit that transmits and receives signals to and from the imaging unit, and includes a plurality of layers including an insulating layer made of a low dielectric constant material having a relative dielectric constant lower than that of silicon oxide; and a junction electrode connected to the circuit unit A guard ring made of a material having higher moisture resistance than the low dielectric constant material surrounding the imaging unit, the circuit unit, and the bonding electrode; and an imaging element chip formed on a first main surface; ,
A conducting wire joined to the joining electrode;
A sealing member for sealing a joint portion between the joint electrode and the conductive wire;
A transparent member bonded to the first main surface of the imaging element chip via an adhesive layer so as to cover the guard ring that is not covered with the sealing member. Imaging device.
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