JP2014203467A - メモリシステム、制御システムおよび寿命予測方法 - Google Patents
メモリシステム、制御システムおよび寿命予測方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014203467A JP2014203467A JP2013075598A JP2013075598A JP2014203467A JP 2014203467 A JP2014203467 A JP 2014203467A JP 2013075598 A JP2013075598 A JP 2013075598A JP 2013075598 A JP2013075598 A JP 2013075598A JP 2014203467 A JP2014203467 A JP 2014203467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- nonvolatile memory
- mode
- write
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5628—Programming or writing circuits; Data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
- G11C16/3495—Circuits or methods to detect or delay wearout of nonvolatile EPROM or EEPROM memory devices, e.g. by counting numbers of erase or reprogram cycles, by using multiple memory areas serially or cyclically
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態にかかるメモリシステムは、記憶セルが2値または2値以上の多値の書き込みレベルを有する不揮発性メモリに対する書込/消去の動作時に前記不揮発性メモリの基板に流れた基板電流を検出し、検出された前記基板電流の積算値を所定の記録部に記録する基板電流積算部と、前記所定の記録部に記録された前記積算値に基づいて前記不揮発性メモリの残り寿命を予測する寿命予測部とを備える。
【選択図】図15
Description
Claims (13)
- 記憶セルが2値または2値以上の多値の書き込みレベルを有する不揮発性メモリに対する書込/消去の動作時に前記不揮発性メモリの基板に流れた基板電流を検出し、検出された前記基板電流の積算値を所定の記録部に記録する基板電流積算部と、
前記所定の記録部に記録された前記積算値に基づいて前記不揮発性メモリの残り寿命を予測する寿命予測部と
を備えるメモリシステム。 - 前記寿命予測部は、Qh,totalを前記不揮発メモリに対して書込/消去をする動作シーケンスに伴う正孔注入量の積算値と、nを正の整数とし、Jsubを基板に流れた電流密度とし、Tstを積算用のストレス時間パラメータとし、Tprg,nを書込動作におけるn番目のパルスのストレス時間とし、Vprg,nを書込動作におけるn番目のパルスのストレス電圧値とし、Terase,nを消去動作におけるn番目のパルスのストレス時間とし、Verase,nを消去動作におけるn番目のパルスのストレス電圧値とした場合、前記積算値と以下の式に基づいて前記不揮発メモリの残り寿命を予測する請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記不揮発性メモリに対する動作モードを2値の書込を行う第1モードと2値よりも大きい多値の書込を行う第2モードとのいずれかに切り替える制御部をさらに備え、
前記寿命予測部は、前記不揮発性メモリに対する書込/消去の動作ごとに前記所定の記録部に記録された前記積算値に基づいて前記不揮発性メモリの残り寿命を予測するとともに、前記制御部が前記動作モードを前記第1モードと前記第2モードとのうちのいずれか一方の動作モードから他方の動作モードに切り替える際に、切替後の前記他方の動作モードでの前記不揮発性メモリの残り寿命を前記所定の記録部に記録された前記積算値に基づいて予測する、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記不揮発性メモリは、互いに物理的に分離された複数のブロックを含み、
前記基板電流積算部は、前記ブロックごとに当該ブロックが形成された基板に流れる基板電流を検出し、検出された各ブロックの前記基板電流の積算値を各ブロックに対応づけて前記所定の記録部に記録し、
前記寿命予測部は、前記所定の記録部に記録された前記ブロックごとの前記積算値に基づいて前記ブロックごとに前記残り寿命を予測する
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記不揮発メモリは、複数のメモリセルと、1つ以上のモニタキャパシタとを含み、
前記基板電流積算部は、前記基板に形成された前記モニタキャパシタに流れた前記基板電流を検出し、検出された前記基板電流の積算値を前記所定の記録部に記録する
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記モニタキャパシタは、前記複数のメモリセルが形成された基板とは別の前記基板に形成され、前記メモリセルに対する書込/消去の動作時には前記メモリセルのトンネル膜に印加するストレス電圧と同じストレス電圧が印加される請求項5に記載のメモリシステム。
- 前記モニタキャパシタは、前記メモリセルが接続されたワードラインに接続され、前記メモリセルに対する書込/消去の動作時には前記メモリセルのトンネル膜に印加するストレス電圧と同じストレス電圧が印加される請求項5に記載のメモリシステム。
- 前記所定の記録部は、前記不揮発性メモリとは別に設けられたメモリと、前記不揮発性メモリの一部の領域とのうちいずれかであり、
前記寿命予測部は、前記所定の記録部に記録された前記積算値と、予め設定された前記不揮発性メモリの寿命とを比較して、前記残り寿命を予測する
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記制御部は、前記第1モードおよび前記第2モードのうち一方の動作モードでの書込/消去動作の結果として得られた前記基板電流の前記積算値が、予め設定された閾値に達した場合、動作モードを前記第1モードおよび前記第2モードのうち前記一方の動作モードとは別の他方の動作モードに切り替える請求項3に記載のメモリシステム。
- 記憶セルが2値または2値以上の多値の書き込みレベルを有する不揮発性メモリに対する書込/消去のサイクル回数を所定の記録部に記録するサイクル回数積算部と、
前記所定の記録部に記録された前記サイクル回数値に基づいて前記不揮発性メモリの残り寿命を予測する寿命予測部と
を備えるメモリシステム。 - 不揮発メモリに埋め込まれたモニタキャパシタと、
記憶セルが2値または2値以上の多値の書き込みレベルを有する前記不揮発性メモリに対する書込/消去の動作時に前記モニタキャパシタのSILC(Stress−Induced Leakage Current)を評価する評価部と、
前記評価部により評価された前記SILC値に基づいて前記不揮発性メモリの残り寿命を予測する寿命予測部と
を備えるメモリシステム。 - 記憶セルが2値または2値以上の多値の書き込みレベルを有する不揮発性メモリを制御するための制御システムであって、
前記不揮発性メモリに対する書込/消去の動作時に前記不揮発性メモリの基板に流れた基板電流を検出し、検出された前記基板電流の積算値を所定の記録部に記録する基板電流積算部と、
前記所定の記録部に記録された前記積算値に基づいて前記不揮発性メモリの残り寿命を予測する寿命予測部と
を備える制御システム。 - 記憶セルが2値または2値以上の多値の書き込みレベルを有する不揮発性メモリの寿命予測方法であって、
前記不揮発性メモリに対する書込/消去の動作時に前記不揮発性メモリの基板に流れた基板電流を検出し、
検出された前記基板電流の積算値を所定の記録部に記録し、
前記所定の記録部に記録された前記積算値に基づいて前記不揮発性メモリの残り寿命を予測する
ことを含む寿命予測方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013075598A JP6104676B2 (ja) | 2013-04-01 | 2013-04-01 | メモリシステム、制御システムおよび寿命予測方法 |
US14/187,668 US9424927B2 (en) | 2013-04-01 | 2014-02-24 | Memory system, control system and method of predicting lifetime |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013075598A JP6104676B2 (ja) | 2013-04-01 | 2013-04-01 | メモリシステム、制御システムおよび寿命予測方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014203467A true JP2014203467A (ja) | 2014-10-27 |
JP6104676B2 JP6104676B2 (ja) | 2017-03-29 |
Family
ID=51620717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013075598A Expired - Fee Related JP6104676B2 (ja) | 2013-04-01 | 2013-04-01 | メモリシステム、制御システムおよび寿命予測方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9424927B2 (ja) |
JP (1) | JP6104676B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016157227A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Jvcケンウッド | 不揮発性半導体記憶装置の評価システム、評価方法、及び評価プログラム |
JP2016157228A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Jvcケンウッド | 不揮発性半導体記憶装置の評価方法、評価システム、及び評価プログラム |
WO2017090176A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム |
US9852281B2 (en) | 2014-09-19 | 2017-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Authentication system, authentication device, and authentication method |
KR20180071903A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 삼성전자주식회사 | 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 잔여 수명 예측 방법 |
KR20180078112A (ko) | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 | 저장 장치의 수명 예측 장치 및 방법 |
JP2019179292A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | キヤノン株式会社 | 記録装置、その制御方法、及びプログラム |
US10824353B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-03 | Toshiba Memory Corporation | Memory system |
US20220130431A1 (en) * | 2019-02-05 | 2022-04-28 | Micron Technology, Inc. | Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102140512B1 (ko) | 2013-10-16 | 2020-08-03 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 불휘발성 메모리 시스템 및 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 |
TWI527037B (zh) * | 2014-04-10 | 2016-03-21 | 群聯電子股份有限公司 | 資料儲存方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 |
US9424129B2 (en) * | 2014-04-24 | 2016-08-23 | Seagate Technology Llc | Methods and systems including at least two types of non-volatile cells |
KR20160016421A (ko) * | 2014-08-05 | 2016-02-15 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 기반의 스토리지 장치의 최적화 방법 |
US20160041760A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | International Business Machines Corporation | Multi-Level Cell Flash Memory Control Mechanisms |
CN105843748B (zh) * | 2015-01-15 | 2019-06-11 | 华为技术有限公司 | 一种对内存中内存页的处理方法及装置 |
WO2018154669A1 (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム |
JP6805110B2 (ja) * | 2017-11-06 | 2020-12-23 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム及びその制御方法 |
JP7128088B2 (ja) | 2018-11-02 | 2022-08-30 | キオクシア株式会社 | メモリシステム |
KR102151198B1 (ko) * | 2019-11-14 | 2020-09-02 | 주식회사 유라코퍼레이션 | 영상 파일의 저장용량 추천 기능을 갖는 블랙박스 및 이를 이용한 영상 파일의 저장용량 추천방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09153600A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置の動作条件の設定方法 |
US6873932B1 (en) * | 2002-12-20 | 2005-03-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for predicting semiconductor device lifetime |
JP2006194875A (ja) * | 2005-01-10 | 2006-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | Misfetの寿命予測方法 |
JP2011222107A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-11-04 | Panasonic Corp | 不揮発性メモリコントローラ及び不揮発性記憶装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004023044A (ja) | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2009238279A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその書き込み方法 |
-
2013
- 2013-04-01 JP JP2013075598A patent/JP6104676B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-24 US US14/187,668 patent/US9424927B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09153600A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置の動作条件の設定方法 |
US6873932B1 (en) * | 2002-12-20 | 2005-03-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for predicting semiconductor device lifetime |
JP2006194875A (ja) * | 2005-01-10 | 2006-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | Misfetの寿命予測方法 |
JP2011222107A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-11-04 | Panasonic Corp | 不揮発性メモリコントローラ及び不揮発性記憶装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9852281B2 (en) | 2014-09-19 | 2017-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Authentication system, authentication device, and authentication method |
JP2016157228A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Jvcケンウッド | 不揮発性半導体記憶装置の評価方法、評価システム、及び評価プログラム |
JP2016157227A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Jvcケンウッド | 不揮発性半導体記憶装置の評価システム、評価方法、及び評価プログラム |
WO2017090176A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム |
JPWO2017090176A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2018-02-15 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム |
US10387062B2 (en) | 2015-11-27 | 2019-08-20 | Hitachi, Ltd. | Storage system with cells changeable between two different level cell modes based on predicted lifetime |
KR102610409B1 (ko) | 2016-12-20 | 2023-12-07 | 삼성전자주식회사 | 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 잔여 수명 예측 방법 |
KR20180071903A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 삼성전자주식회사 | 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 잔여 수명 예측 방법 |
KR20180078112A (ko) | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 | 저장 장치의 수명 예측 장치 및 방법 |
US10824353B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-03 | Toshiba Memory Corporation | Memory system |
US11733888B2 (en) | 2017-09-22 | 2023-08-22 | Kioxia Corporation | Memory system |
JP7039361B2 (ja) | 2018-03-30 | 2022-03-22 | キヤノン株式会社 | 記録装置 |
JP2019179292A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | キヤノン株式会社 | 記録装置、その制御方法、及びプログラム |
US20220130431A1 (en) * | 2019-02-05 | 2022-04-28 | Micron Technology, Inc. | Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device |
US11984187B2 (en) * | 2019-02-05 | 2024-05-14 | Micron Technology, Inc. | Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140293692A1 (en) | 2014-10-02 |
JP6104676B2 (ja) | 2017-03-29 |
US9424927B2 (en) | 2016-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6104676B2 (ja) | メモリシステム、制御システムおよび寿命予測方法 | |
US8248831B2 (en) | Rejuvenation of analog memory cells | |
KR101312887B1 (ko) | 메모리 디바이스에서의 다중 레벨 프로그램 검증 | |
US9070460B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory | |
US9564237B2 (en) | Nonvolatile memory device and read method thereof | |
US8473668B2 (en) | Memory device and wear leveling method | |
US20080175055A1 (en) | Non-volatile memory device and self-compensation method thereof | |
JP2000173279A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置とその消去検証方法 | |
US7468924B2 (en) | Non-volatile memory device capable of reducing threshold voltage distribution | |
JP2012230753A (ja) | 半導体装置及びその動作方法 | |
JP2004055110A (ja) | フラッシュメモリ素子のプログラム/消去電圧供給回路 | |
US20070268749A1 (en) | Method for operating non-volatile memory device | |
JP2006260753A (ja) | フラッシュメモリデバイスを動作させる方法 | |
JP2007184073A (ja) | 基準フェイルビットの確認回路及び不揮発性半導体メモリ装置 | |
JP2009301599A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US8000154B2 (en) | Non-volatile memory device and method of controlling a bulk voltage thereof | |
KR101029654B1 (ko) | 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법 | |
JP2007250133A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置のテスト方法 | |
KR101046743B1 (ko) | 비휘발성 메모리 소자 및 비휘발성 메모리 소자의 프로그램동작 구동 횟수 기록 방법 | |
TWI834164B (zh) | 藉由對記憶體單元進行分組及篩選來減少非揮發性記憶體中的隨機電報雜訊的方法 | |
Bu et al. | NAND flash service lifetime estimate with recovery effect and retention time relaxation | |
US20070159883A1 (en) | Method and Related Apparatus Capable of Improving Endurance of Memory | |
JP2005285191A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法 | |
Visconti | Flash memory reliability | |
JP2005135506A (ja) | 半導体集積回路装置およびその検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20151102 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170301 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6104676 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |