JP2014096122A - 不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014096122A JP2014096122A JP2012248831A JP2012248831A JP2014096122A JP 2014096122 A JP2014096122 A JP 2014096122A JP 2012248831 A JP2012248831 A JP 2012248831A JP 2012248831 A JP2012248831 A JP 2012248831A JP 2014096122 A JP2014096122 A JP 2014096122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- file
- data
- block
- erase
- erased
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
- G06F16/10—File systems; File servers
- G06F16/18—File system types
- G06F16/1847—File system types specifically adapted to static storage, e.g. adapted to flash memory or SSD
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0416—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and no select transistor, e.g. UV EPROM
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0466—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells with charge storage in an insulating layer, e.g. metal-nitride-oxide-silicon [MNOS], silicon-oxide-nitride-oxide-silicon [SONOS]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Databases & Information Systems (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】
一括してデータが消去される複数のメモリセルから構成される消去ブロックを複数有する不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法において、(a)1つの消去ブロックには1つのファイルのみを記録し、又は(b)消去対象のファイルを記録しているメモリセルのビットに対して所定のデータ又はランダムデータを上書きする。
【選択図】図6
Description
図1は、本発明に用いるB4フラッシュメモリのメモリセルの構成を示した断面図である。ここにB4フラッシュメモリとは、Nウェル中に形成され、窒化膜やフローティングゲートといった電荷蓄積領域を有するp型MOSトランジスタからなるメモリセルを有し、書き込み時の電圧の印加関係が、Vg、Vb>Vs>Vd(但し、ゲート電圧をVg、基板バイアスをVb、ソース電圧をVs、ドレイン電圧をVdとする。)であり、Vg−Vdが、バンド間トンネル電流の発生電圧以上となるものをいう。
上述したB4フラッシュメモリは、1〜4パッケージで1Gb〜8GbのメモリカードやUSBメモリといったストレージを構成する。このストレージはパーソナルコンピュータに接続され、パーソナルコンピュータのOSの管理の下、ユーザからは、HDDやSSDと同様のドライブとして認識される。
以下、ファイル記録方法1を図6、図7を参照して説明する。図6は3つのブロックに3つのファイルが順次記録される様子を示している。図6の(a)に示すとおり、OSからFile 0の書き込み指示がなされると、ブロックBL0にFile 0のデータが書き込まれる。続いて、OSからFile 1の書き込み指示がなされると、図6(b)に示すとおり、File 0のデータが既に書き込まれているブロックBL0ではなく、新たなブランクブロックであるところのブロックBL1にFile 1のデータが書き込まれる。さらに続いて、OSからの指示によりFile 2の書き込み指示がなされると、図6(c)に示すとおり、File 0、1のデータが既に書き込まれているブロックBL0、BL1ではなく、新たなブランクブロックであるところのブロックBL2にFile 2のデータが書き込まれる。このように、1つの消去ブロックには1つのファイルにかかるデータのみを記録する。
図8はファイル記録方法1において、OSから書き込みが指示されたファイルのデータ大きさが1つブロックに収容しきれず、複数のブロックに収容する必要がある場合を示している。図8(a)に示すとおり、File 0のデータの大きさが1つのブロックには収容しきれず、2つのブロックにまたがって収容する必要がある場合は、File 0−1がブロックBL0に、File 0−2がブロックBL1にそれぞれ書き込まれる。ここで、OSからFile 1の書き込み指示がなされると、図8(b)に示すとおり、File 0−2のデータが既に書き込まれているブロックBL1の残部ではなく、新たなブランクブロックであるところのブロックBL2にFile 1のデータが書き込まれる。さらに、OSからFile 0の消去が指示されると、ブロックBL0及びBL1が物理的に消去され、いずれもブランクブロックとなる。さらに、OSからFile 2の書き込みが指示されると、例えばBL0にFile 2のデータが書き込まれる。
図9はファイル記録方法1において、OSからファイルの上書き指示(同じファイル名のファイルに対して内容を変更して記録するという指示)がされた場合の例を示している。図9(a)に示すとおり、ブロックBL0にはFile 0のデータが書き込まれている。続いて、OSからFile 0のデータ内容を更新する指示があった場合は、次のブランクブロックであるBL1に更新されたファイルであるFile 0’のデータが書き込まれる。この動作とともに、ブロックBL0が物理的に消去され、ブランクブロックとなる。さらに、OSからFile 0’のデータ内容を更新する指示があった場合は、次のブランクブロックであるBL2に更新されたファイルであるFile 0’’のデータが書き込まれる。この動作とともに、ブロックBL1が物理的に消去され、ブランクブロックとなる。
以下、ファイル記録方法1の変形例を図10を用いて説明する。この例においては、ホスト側(コンピュータシステム、OS又はデバイスドライバ)は、従来と同様に1つの消去ブロックに複数のファイルを書き込むことを許容する通常書き込み(write)か、1つの消去ブロックに最大1つのファイルのみを記録するブロック毎書き込み(write*)かを個別に指示する。図10(a)に示すとおり、OSからFile 0のブロック毎書き込み指示がなされると、ブロックBL0にFile 0のデータが書き込まれる。続いて、OSからFile 1の通常書き込み指示がなされると、図10(b)に示すとおり、File 0のデータが既に書き込まれているブロックBL0ではなく、新たなブランクブロックであるところのブロックBL1にFile 1のデータが書き込まれる。さらに続いて、OSからの指示によりFile 2の通常書き込み指示がなされると、図10(b)に示すとおり、File 1のデータとともに、File 2のデータもBL1に書き込まれる。さらに、OSからFile 3のブロック毎書き込み指示がなされると、ブロックBL2にFile 3のデータが書き込まれる。このように、ホスト側からの指示により、通常書き込みとブロック毎書き込みとを選択して行うことが可能である。例えば、物理的な消去が必要な高いセキュリティ保護の必要のあるファイルについては、ブロック毎書き込みを、それ以外のファイルについて通常書き込みを選択する。
以下に説明する本発明のファイル記録方法においては、、消去対象のファイルを記録しているメモリセルのビットに対して所定のデータ又はランダムデータを上書きすることによって消去する。
以下、ファイル記録方法2を図11、図12を参照して説明する。図11(a)はBL0にFile 0のデータが、BL1にFile 1及びFile 2のデータがそれぞれ書き込まれた状態を示している。OSからFile 0の消去が指示されると、BL0のFile 0のデータが書き込まれた領域に、所定のデータが上書きされる。所定のデータの例としては、全てのビットが、メモリセルのしきい値分布において、消去状態から最も遠いしきい値分布に相当するビット(最大限に書き込み動作がなされた状態)になる場合、又は、ランダムなデータである。このように、所定のデータを上書きすることによって、消去対象のファイルのデータが破壊され、読み出すことができない状態になる。続いて適切なタイミングでBL0のデータを物理的に消去する。さらに、OSからFile 2の消去が指示されると、BL1のFile 2のデータが書き込まれた領域に、所定のデータが上書きされ、データが破壊される。この時点ではBL1のデータは消去されない(ここで消去してしまうと、File 1のデータも消去されてしまうからである。)。
図13は本発明のUSBメモリUSB_MEMの回路構成を示すブロック図である。上述したフラッシュメモリパッケージFlash0〜3と、USBコントローラ(USB Controller)及びフラッシュメモリの制御を行うMPUとをワンチップ化したコントローラチップ(図中点線で示された部分。)とで構成される。
図14においては、ホスト側にてブロック毎書き込み命令(write*)、ブロック消去命令(erase*)、上書消去命令(ow−erase)の各命令が追加されている例を示したが、このようにホスト側から直接明示される命令体型ではなく、このような命令が発行されたのと同様の処理をUSBメモリUSB_MEMにて行なってもよい。すなわち、図13のフラッシュメモリの制御を行うMPUのプログラムによって、ブロック毎書き込み命令(write*)、ブロック消去命令(erase*)、上書消去命令(ow−erase)の各命令の対象となるブロックを特定し、あたかも、このような命令が発行されたのと同様の処理を行う。具体的には、論理位置が固定されたファイル管理領域であるFAT(File Allocation Table)領域へのwrite命令を受信すると、write命令が発行される以前の状態との差分比較を行い、今回消去対象とすべきファイルの記録領域を特定することができる。そして、このように特定できれば、ブロック消去命令(erase*)、上書消去命令(ow−erase)と同様の処理をUSBメモリUSB_MEMにて実行することができる。
以上の説明においては、不揮発性半導体記憶装置としてB4フラッシュメモリを用いた例を示したが、ブロック消去が可能であれば、NAND型フラッシュメモリを用いた例であってもよい。また、インターフェースはUSBの例を示したが、記憶媒体と接続することが可能な、SATA等の他の種類のインターフェースであってもよい。また、デバイスドライバが種々の命令を発行する例を示したが、これをOSの機能としてもよい。
FILE1〜2 ファイル
Claims (6)
- 一括してデータが消去される複数のメモリセルから構成される消去ブロックを複数有する不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法において、1つの消去ブロックには最大1つのファイルのみを記録することを特徴とするファイルの記録方法。
- 請求項1記載のファイルの記録方法において、ホスト側の指示に基いて、1つの消去ブロックには最大1つのファイルのみを記録し又は1つの消去ブロックに複数のファイルを記録することを特徴とするファイルの記録方法。
- 一括してデータが消去される複数のメモリセルから構成される消去ブロックを複数有する不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法において、消去対象のファイルを記録しているメモリセルのビットに対して所定のデータ又はランダムデータを上書きすることを特徴とするファイルの記録方法。
- 請求項1ないし3いずれか記載のファイルの記録方法を実行する制御手段を有することを特徴とする記録媒体。
- 請求項1ないし3いずれか記載のファイルの記録方法を実行する制御信号を前記記録媒体に供給することを特徴とするコンピュータシステム。
- 請求項5記載の制御信号を生成することを特徴とするドライバーソフトウェア。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012248831A JP2014096122A (ja) | 2012-11-12 | 2012-11-12 | 不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法 |
US14/080,293 US20140136579A1 (en) | 2012-11-12 | 2013-11-14 | File storing method, and storage medium, computer system usable for the file storing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012248831A JP2014096122A (ja) | 2012-11-12 | 2012-11-12 | 不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014096122A true JP2014096122A (ja) | 2014-05-22 |
Family
ID=50682760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012248831A Pending JP2014096122A (ja) | 2012-11-12 | 2012-11-12 | 不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140136579A1 (ja) |
JP (1) | JP2014096122A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10658042B2 (en) | 2015-09-15 | 2020-05-19 | Sony Corporation | Semiconductor memory device and method of erasing data of partial page and overwriting partial page with predetermined data |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014044787A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-03-13 | Genusion:Kk | 不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体及びにこの記憶媒体を搭載した情報端末並びにこれに用いるファイルの消去方法 |
KR102603916B1 (ko) | 2018-04-25 | 2023-11-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 제어기를 포함하는 스토리지 장치 |
CN112464499B (zh) * | 2020-12-24 | 2023-05-26 | 芯天下技术股份有限公司 | 非易失芯片擦写数据检查方法、装置、存储介质和终端 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1069420A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-10 | Sony Corp | 情報記録装置、情報記録再生装置、情報記録方法および情報再生方法 |
JP2006099513A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Canon Inc | 画像処理装置および画像処理方法およびコンピュータが読み取り可能なプログラムを格納した記憶媒体およびプログラム |
JP2008112285A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリシステム |
JP2011027917A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Lemuria Holdings Ltd | デジタル貸金庫システム及びサーバ |
JP2012090231A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Hagiwara Solutions Co Ltd | 記憶装置及びセキュアイレース方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3580929B2 (ja) * | 1996-01-16 | 2004-10-27 | パナソニック コミュニケーションズ株式会社 | 記憶装置 |
US7953919B2 (en) * | 2007-12-21 | 2011-05-31 | Spansion Llc | Physical block addressing of electronic memory devices |
-
2012
- 2012-11-12 JP JP2012248831A patent/JP2014096122A/ja active Pending
-
2013
- 2013-11-14 US US14/080,293 patent/US20140136579A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1069420A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-10 | Sony Corp | 情報記録装置、情報記録再生装置、情報記録方法および情報再生方法 |
JP2006099513A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Canon Inc | 画像処理装置および画像処理方法およびコンピュータが読み取り可能なプログラムを格納した記憶媒体およびプログラム |
JP2008112285A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリシステム |
JP2011027917A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Lemuria Holdings Ltd | デジタル貸金庫システム及びサーバ |
JP2012090231A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Hagiwara Solutions Co Ltd | 記憶装置及びセキュアイレース方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10658042B2 (en) | 2015-09-15 | 2020-05-19 | Sony Corporation | Semiconductor memory device and method of erasing data of partial page and overwriting partial page with predetermined data |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140136579A1 (en) | 2014-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6193629B2 (ja) | 不揮発性メモリセルの物理的特性を利用して乱数を生成する方法 | |
US9075740B2 (en) | Memory system | |
US9418017B2 (en) | Hot memory block table in a solid state storage device | |
US9058900B2 (en) | System, semiconductor memory device and operating method thereof | |
KR102026177B1 (ko) | 셀 스트링의 선택 트랜지스터를 프로그램함으로 데이터를 보호하는 플래시 메모리 장치 및 그것을 포함하는 데이터 저장 장치 | |
JPH065823A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその使用方法 | |
KR20110098119A (ko) | 메모리 셀 어레이의 셀 스트링 | |
KR20150103932A (ko) | 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 | |
KR20150025495A (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 | |
JP2005108273A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR20140020057A (ko) | 키 제어 로직을 포함하는 플래시 메모리 장치 및 그것의 암호화 키 저장 방법 | |
US20200401328A1 (en) | Storage device and method of operating the same | |
US8335967B2 (en) | Memory system | |
JP5204069B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2014096122A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法 | |
CN109754842B (zh) | 用于修复有缺陷的串的方法和非易失性存储器器件 | |
JP2014044788A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体及び情報端末 | |
US11373708B2 (en) | Memory device and method of operating the same | |
KR20220010212A (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 그 동작 방법 | |
KR102618315B1 (ko) | 반도체 장치, 메모리 시스템 및 그 동작 방법 | |
US11348647B2 (en) | Memory device and method of operating the same | |
US20220076750A1 (en) | Memory device and method of operating memory device | |
JP2014044787A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体及びにこの記憶媒体を搭載した情報端末並びにこれに用いるファイルの消去方法 | |
US20240170069A1 (en) | Execution of prologue sub-operations of a programming operation during data loading | |
WO2024066033A1 (en) | Memory device, operating method thereof, and memory system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160927 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170328 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170823 |