JP2014049644A - アンテナ構造体、データ受送信体及び通信機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】基材との密着性及び導電性の低下が抑制され、且つ薄層化された導電層を備えたアンテナ構造体、並びに前記アンテナ構造体を用いたデータ受送信体及び通信機器の提供。
【解決手段】基材２と、前記基材上に設けられた導電層４と、を備えたアンテナ構造体１であって、前記導電層４は、厚さが９μｍ未満で、且つ前記基材２と対向する面の表面粗さが０．３μｍ未満であり、ＪＩＳＫ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、２５／２５分類０を満たすことを特徴とするアンテナ構造体１；かかるアンテナ構造体１を用いたことを特徴とするデータ受送信体及び通信機器。
【選択図】図１
【解決手段】基材２と、前記基材上に設けられた導電層４と、を備えたアンテナ構造体１であって、前記導電層４は、厚さが９μｍ未満で、且つ前記基材２と対向する面の表面粗さが０．３μｍ未満であり、ＪＩＳＫ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、２５／２５分類０を満たすことを特徴とするアンテナ構造体１；かかるアンテナ構造体１を用いたことを特徴とするデータ受送信体及び通信機器。
【選択図】図１
Description
本発明は、アンテナ構造体、並びに前記アンテナ構造体を用いたデータ受送信体及び通信機器に関する。
近年、各種無線装置や移動体通信機器等の通信機器が普及し、その電波を送受信するためのアンテナ構造体も種々の形態のものが採用されるようになってきている。その一例としては、軽量化及び薄層化されたものとして、例えば、絶縁フィルム製の基材上にパターニングされた導体層を備え、その導体層の一部がアンテナ素子部に形成されたフィルムアンテナが知られている。また、これらのアンテナには、特に高周波用途において、信号の伝送損失の低減が求められるようになってきている。
このようなフィルムアンテナにおいて、基材及び導体層の積層構造は、一種の回路とみなすことができ、例えば、基材上に金属箔を積層し、ウェットエッチングにより金属箔をパターニングして、導体層を形成する方法で製造される。そしてこのときに、金属箔の基材との接触面の表面粗さを所定の範囲とすることで、基材及び導体層の密着性に優れ、導電性にも優れる回路が得られることが開示されている（特許文献１参照）。
しかし、特許文献１に記載の方法では、導体層として金属箔を用いるために、十分に薄層化された導電層を形成できないという問題点があった。この問題点により、通信機器のさらなる軽量化及び薄層化が困難になっている。薄層化された導電層を形成し得る方法として、金属銀が配合されてなる銀ペーストを用いる方法が知られているが、この方法で形成された導電層は、基材との密着性及び導電性が必ずしも十分ではない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基材との密着性及び導電性の低下が抑制され、且つ薄層化された導電層を備えたアンテナ構造体、並びに前記アンテナ構造体を用いたデータ受送信体及び通信機器を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、
本発明は、基材と、前記基材上に設けられた導電層と、を備えたアンテナ構造体であって、前記導電層は、厚さが９μｍ未満で、且つ前記基材と対向する面の表面粗さが０．３μｍ未満であり、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、２５／２５ 分類０を満たすことを特徴とするアンテナ構造体を提供する。
本発明は、基材と、前記基材上に設けられた導電層と、を備えたアンテナ構造体であって、前記導電層は、厚さが９μｍ未満で、且つ前記基材と対向する面の表面粗さが０．３μｍ未満であり、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、２５／２５ 分類０を満たすことを特徴とするアンテナ構造体を提供する。
本発明のアンテナ構造体は、前記基材及び導電層間に、さらに受容層を備え、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−４に準拠した、前記導電層の硬度試験において、鉛筆硬度＞５Ｈを満たすものが好ましい。
本発明のアンテナ構造体は、前記受容層が、下記一般式（３）で表される化合物を用いて形成されたものであることが好ましい。
本発明のアンテナ構造体は、前記受容層が、下記一般式（３）で表される化合物を用いて形成されたものであることが好ましい。
また、本発明は、上記本発明のアンテナ構造体を用いたことを特徴とするデータ受送信体を提供する。
また、本発明は、上記本発明のアンテナ構造体を用いたことを特徴とする通信機器を提供する。
また、本発明は、上記本発明のアンテナ構造体を用いたことを特徴とする通信機器を提供する。
本発明によれば、基材との密着性及び導電性の低下が抑制され、且つ薄層化された導電層を備えたアンテナ構造体、並びに前記アンテナ構造体を用いたデータ受送信体及び通信機器が提供される。
＜アンテナ構造体＞
本発明のアンテナ構造体は、基材と、前記基材上に設けられた導電層（アンテナ）と、を備えたアンテナ構造体であって、前記導電層は、厚さが９μｍ未満で、且つ前記基材と対向する面の表面粗さが０．３μｍ未満であり、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、２５／２５ 分類０を満たすことを特徴とする。
かかるアンテナ構造体は、導電層の基材との密着性が高いことにより、構造の安定性に優れ、また、導電性が高く、特に高周波用途において、信号の伝送損失が低減されるので、アンテナ性能にも優れる。
本発明のアンテナ構造体は、基材と、前記基材上に設けられた導電層（アンテナ）と、を備えたアンテナ構造体であって、前記導電層は、厚さが９μｍ未満で、且つ前記基材と対向する面の表面粗さが０．３μｍ未満であり、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、２５／２５ 分類０を満たすことを特徴とする。
かかるアンテナ構造体は、導電層の基材との密着性が高いことにより、構造の安定性に優れ、また、導電性が高く、特に高周波用途において、信号の伝送損失が低減されるので、アンテナ性能にも優れる。
図１は、本発明のアンテナ構造体を例示する概略断面図である。
ここに示すアンテナ構造体１は、基材２上に受容層３を介して導電層４を備える。すなわち、アンテナ構造体１は、基材２上に受容層３及び導電層４がこの順に積層されたものである。
ここに示すアンテナ構造体１は、基材２上に受容層３を介して導電層４を備える。すなわち、アンテナ構造体１は、基材２上に受容層３及び導電層４がこの順に積層されたものである。
［基材］
基材２は、公知のものでよく、特に限定されないが、絶縁性を有するものが好ましい。
基材２の好ましい材質としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ−Ｇ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂；ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のポリフッ化エチレン系樹脂；ナイロン６、ナイロン６，６等のポリアミド樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ビニロン等のビニル重合体；ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル等のポリ（メタ）アクリル樹脂；ポリスチレン；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリアリレート；ポリイミド；ガラスエポキシ樹脂；上質紙、薄葉紙、グラシン紙、硫酸紙等の紙類が例示できる。
基材２は、公知のものでよく、特に限定されないが、絶縁性を有するものが好ましい。
基材２の好ましい材質としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ−Ｇ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂；ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のポリフッ化エチレン系樹脂；ナイロン６、ナイロン６，６等のポリアミド樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ビニロン等のビニル重合体；ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル等のポリ（メタ）アクリル樹脂；ポリスチレン；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリアリレート；ポリイミド；ガラスエポキシ樹脂；上質紙、薄葉紙、グラシン紙、硫酸紙等の紙類が例示できる。
基材２の厚さは、目的に応じて適宜調節すればよいが、２〜５ｍｍであることが好ましく、５０〜２５０μｍであることがより好ましい。
基材２は、単層からなるものでもよいし、二層以上の複数層からなるものでもよい。基材２が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが異なっていてもよい。そして、複数層が互いに異なる場合、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。ここで、複数層が互いに異なるとは、各層の材質及び厚さの少なくとも一方が互いに異なることを意味する。
なお、基材２が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材２の厚さとなるようにするとよい。
なお、基材２が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材２の厚さとなるようにするとよい。
［導電層］
導電層４は、導電性を有していればよく、各種金属を導電性材料とするものが好ましく、銀（金属銀、Ａｇ）を導電性材料とするもの（以下、「銀層」と略記することがある）がより好ましい。
導電層４は、導電性を有していればよく、各種金属を導電性材料とするものが好ましく、銀（金属銀、Ａｇ）を導電性材料とするもの（以下、「銀層」と略記することがある）がより好ましい。
導電層４を上方から見下ろすように、積層体１を平面視したときの、導電層４の形状は、アンテナ構造体１に求められる性能を考慮して、任意に設定できる。
導電層４の厚さは９μｍ未満であり、２μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以下であることがより好ましい。導電層４の厚さの下限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、構造の安定性の点から、０．２μｍであることが好ましい。
導電層４は、基材２と対向する面４２の表面粗さが０．３μｍ未満であり、０．１μｍ以下であることが好ましく、０．０６μｍ以下であることがより好ましい。上限値以下とすることで、特に高周波用途において、信号の伝送損失が低減される。導電層４の基材２と対向する面４２の表面粗さの下限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、基材２との密着性がより向上する点から、０．０１μｍであることが好ましい。
なお、本明細書において「表面粗さ」とは、算術平均粗さ（Ｒａ）を意味し、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線の方向にＸ軸を、縦倍率の方向にＹ軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表したときに、以下の式によって求められた値をマイクロメートル（μｍ）単位で表示したものである。以下、この表面粗さを「表面粗さＲａ」と記載することがある。
導電層４が銀層である場合、前記銀層は、金属銀自体ではなく、金属銀を生成する化合物を含有する銀インク組成物を用いて形成されたものであることが好ましい。
前記銀インク組成物で好ましいものとしては、下記一般式（１）で表されるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）が配合されてなるものが例示できる。
Ｙはそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；
Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ６Ｏ−」、「Ｒ６Ｓ−」、「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ６は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
（β−ケトカルボン酸銀（１））
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」若しくは「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ−」で表される基である。
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」若しくは「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ−」で表される基である。
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜６であることが好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が例示できる。
Ｒにおける直鎖状又は分枝鎖状の前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
Ｒにおける前記アルケニル基としては、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ３）、２−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、３−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基が例示できる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が例示できる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が例示できる。
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が例示できる。また、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。
Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ６Ｈ５）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＹは、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」及び「ＣＹ３−」においては、それぞれ複数個のＹは、互いに同一でも異なっていてもよい。
ＲにおけるＲ１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ６Ｈ５−）であり、Ｒ１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ４及びＲ５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ４及びＲ５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、又はフェニル基であることが好ましい。
一般式（１）において、Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ６Ｈ５−ＣＨ２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ２Ｈ５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、又は一般式「Ｒ６Ｏ−」、「Ｒ６Ｓ−」、「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
Ｘにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
Ｘにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
Ｘにおけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘにおけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
ＸにおけるＲ６は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ４Ｈ３Ｓ−）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ６Ｈ５−Ｃ６Ｈ４−）である。Ｒ６における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。また、Ｒ６におけるフェニル基及びジフェニル基の前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ６がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘにおいて隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれでもよい。
Ｒ６がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘにおいて隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれでもよい。
一般式（１）において、２個のＸは、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては式「＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ４−ＮＯ２」で表される基が例示できる。
Ｘは、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、又はベンジル基であることが好ましく、少なくとも一方のＸが水素原子であることが好ましい。
β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はベンゾイル酢酸銀（Ｃ６Ｈ５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。これらβ−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表されるものの中でも、加熱（焼成）処理により形成された金属銀において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。
β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成する。
導電層４の形成に用いるβ−ケトカルボン酸銀（１）は、一種のみでもよいし二種以上でもよく、二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は特に限定されない。
［受容層］
アンテナ構造体１は、基材２と導電層４との間に、さらに受容層３を備える。受容層３は必ずしも備えていなくてもよいが、これを備えることで、基材２及び導電層４の密着性がより向上する。
アンテナ構造体１は、基材２と導電層４との間に、さらに受容層３を備える。受容層３は必ずしも備えていなくてもよいが、これを備えることで、基材２及び導電層４の密着性がより向上する。
基材２の導電層４と対向する面（受容層３が形成されている面）２１を上方から見下ろすように、積層体１を平面視したときの、受容層３の形状は、目的に応じて任意に設定でき、導電層４の形状を考慮して設定すればよい。例えば、基材２の前記面２１の全面に受容層３が設けられていてもよいし、基材２の前記面２１のうち、一部のみに受容層３が設けられていてもよく、この場合、受容層３はパターニングされていてもよい。
受容層３の厚さは、０．００１〜２０μｍであることが好ましく、０．００２〜５μｍであることがより好ましい。下限値以上であることで、基材２及び導電層４の密着性がより向上し、上限値以下であることで、受容層３の構造をより安定して保持できる。
受容層３は、下記一般式（３）で表される化合物（以下、「化合物（３）」と略記することがある）を用いて形成されたものが好ましい。
（化合物（３））
化合物（３）は、前記一般式（３）で表される。
式中、Ｒ１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基である。
Ｒ１１における前記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよい。
直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基が例示できる。
環状のアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基が例示できる。
Ｒ１１における前記アルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が１〜３であることが好ましい。
化合物（３）は、前記一般式（３）で表される。
式中、Ｒ１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基である。
Ｒ１１における前記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよい。
直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基が例示できる。
環状のアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基が例示できる。
Ｒ１１における前記アルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が１〜３であることが好ましい。
Ｒ１１における前記アルコキシアルキル基としては、これを構成するアルコキシ基が、Ｒ１１としての前記アルキル基が酸素原子に結合してなる１価の基であり、前記アルコキシ基が結合しているアルキレン基が、Ｒ１１としての前記アルキル基から１個の水素原子を除いてなる基であるものが例示できる。ただし、前記アルコキシ基及びアルキレン基の合計の炭素数（前記アルコキシアルキル基の炭素数）は２〜５である。
Ｒ１１における前記アルコキシアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が３以下であることが好ましく、メトキシメチル基又は２−メトキシエチル基であることがより好ましい。
Ｒ１１における前記アルコキシアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が３以下であることが好ましく、メトキシメチル基又は２−メトキシエチル基であることがより好ましい。
Ｒ１１における前記アルキルカルボニル基としては、Ｒ１１としての前記アルキル基がカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）の炭素原子に結合してなる１価の基が例示できる。ただし、カルボニル基の炭素原子に結合しているアルキル基の炭素数は１〜４（前記アルキルカルボニル基の炭素数は２〜５）である。
Ｒ１１における前記アルキルカルボニル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が３以下であることが好ましく、メチルカルボニル基（アセチル基）又はエチルカルボニル基であることがより好ましい。
Ｒ１１における前記アルキルカルボニル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が３以下であることが好ましく、メチルカルボニル基（アセチル基）又はエチルカルボニル基であることがより好ましい。
式中、Ｒ１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基である。
Ｒ１２における前記アルキル基としては、Ｒ１１における前記アルキル基と同じのものが例示でき、Ｒ１１と互いに同一でもよいし、異なっていてもよい。
Ｒ１２における前記アルキル基としては、Ｒ１１における前記アルキル基と同じのものが例示でき、Ｒ１１と互いに同一でもよいし、異なっていてもよい。
Ｒ１２における前記アリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−トルイル基、ｍ−トルイル基、ｐ−トルイル基、キシリル基（ジメチルフェニル基）等が例示できる。また、これらアリール基の、１個以上の水素原子がアルキル基及び／又はアルコキシ基で置換されたものでもよい。ここで、水素原子が置換される前記アルキル基としては、Ｒ１１における前記アルキル基と同じのものが例示でき、水素原子が置換される前記アルコキシ基としては、Ｒ１１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる１価の基が例示できる。そして、これらアルキル基及び／又はアルコキシ基で置換されている場合、前記アリール基は、これらアルキル基及び／又はアルコキシ基も含めて、炭素数が１２以下である。
Ｒ１２における前記アリール基は、単環状であることが好ましく、フェニル基であることがより好ましい。
Ｒ１２における前記アリール基は、単環状であることが好ましく、フェニル基であることがより好ましい。
式中、Ｒ１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり、本発明において前記「アルキレン基」は、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
Ｒ１３における前記アルキレン基としては、炭素数１〜１０のアルキル基から１個の水素原子を除いてなる２価の基が例示でき、かかるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
Ｒ１３における前記アルキレン基としては、炭素数１〜１０のアルキル基から１個の水素原子を除いてなる２価の基が例示でき、かかるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
Ｒ１３における前記アルキレン基は、炭素数が１〜７であることが好ましく、炭素数が１〜５であることがより好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基（メチルエチレン基）、トリメチレン基、テトラメチレン基、１−メチルトリメチレン基、２−メチルトリメチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、１−メチルテトラメチレン基、２−メチルテトラメチレン基、１，１−ジメチルトリメチレン基、１，２−ジメチルトリメチレン基、１，３−ジメチルトリメチレン基、１−エチルトリメチレン基、２−エチルトリメチレン基、１−メチル−２−エチルエチレン基、ｎ−プロピルエチレン基等が例示できる。
式中、Ｒ１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｒ１３における前記アルキレン基のうち、炭素数が１〜５のものと同じであり、炭素数が１〜３であることが好ましい。
また、Ｒ１４における前記アルキレン基は、メチレン基であるか、又はメチレン基が２〜５個連結して構成されるが、アルキレン基を構成するこれらメチレン基（−ＣＨ２−）のうちの１個以上は、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されるメチレン基の数は、前記アルキレン基中のメチレン基の総数に依存し、特に限定されず、例えば、Ｒ１４はカルボニル基のみで構成されていてもよいし、カルボニル基であってもよく、１個以上のアルキレン基と１個以上のカルボニル基とが混在したものでもよい。そして、通常は、Ｒ１４中のカルボニル基の数は、２個以下であることが好ましく、１個であることがより好ましい。
また、Ｒ１４における前記アルキレン基は、メチレン基であるか、又はメチレン基が２〜５個連結して構成されるが、アルキレン基を構成するこれらメチレン基（−ＣＨ２−）のうちの１個以上は、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されるメチレン基の数は、前記アルキレン基中のメチレン基の総数に依存し、特に限定されず、例えば、Ｒ１４はカルボニル基のみで構成されていてもよいし、カルボニル基であってもよく、１個以上のアルキレン基と１個以上のカルボニル基とが混在したものでもよい。そして、通常は、Ｒ１４中のカルボニル基の数は、２個以下であることが好ましく、１個であることがより好ましい。
式中、Ｚはアミノ基（−ＮＨ２）、メルカプト基（−ＳＨ）又は炭素数６〜１２のアリール基である。
Ｚにおける前記アリール基としては、Ｒ１２における前記アリール基と同じものが例示でき、Ｒ１２と互いに同一でもよいし、異なっていてもよい。
Ｚにおける前記アリール基としては、Ｒ１２における前記アリール基と同じものが例示でき、Ｒ１２と互いに同一でもよいし、異なっていてもよい。
式中、ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ１１は互いに同一でも異なっていてもよい。
また、ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１である。ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である（ｍ２及びｍ３が共に０になることはない）。
また、ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１である。ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である（ｍ２及びｍ３が共に０になることはない）。
特に好ましい化合物（３）としては、Ｒ１１及びＲ１２が炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｒ１３が炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｒ１４が炭素数１〜３のアルキレン基又はカルボニル基であり、Ｚがアミノ基、メルカプト基又はフェニル基であるものが例示できる。このような化合物（３）としては、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２）、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２）、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ２）、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨＣ６Ｈ５）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ）、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＣＨ２）３ＳＨ）が例示できる。
化合物（３）は、シランカップリング剤であり、市販品を用いてもよいし、公知の手法で合成したものを用いてもよい。
受容層３の形成に用いる化合物（３）は、一種のみでもよいし二種以上でもよく、二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は特に限定されない。
アンテナ構造体１は、上記構成を有することにより、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した、基材２及び導電層４の密着性試験において、２５／２５ 分類０を満たす。このように、優れた密着性を有するので、アンテナ構造体１は、構造の安定性に優れる。
また、アンテナ構造体１は、例えば、導電層４として、後述する銀インク組成物を用いて形成したもの等、その構成を選択することで、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−４に準拠した、導電層４の硬度試験において、鉛筆硬度＞５Ｈを満たすことも可能である。このように、導電層４が硬いことで、アンテナ構造体１は、構造の安定性により優れたものとなる。
本発明のアンテナ構造体は、図１に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、一部構成が適宜変更されたものでもよい。例えば、基材、受容層及び銀層以外に、その他の層が形成されていてもよい。前記その他の層としては、基材、受容層及び銀層のすべてが、これらの積層方向（図１においては、基材２から導電層４に向かう方向）において露出しないように、これらの積層構造を被覆する保護層が例示できる。
本発明のアンテナ構造体は、上記のように、導電層が薄層化されたものでありながら、基材との密着性が高く、導電性の低下が抑制されたものであり、実用性に優れる。
＜アンテナ構造体の製造方法＞
本発明のアンテナ構造体（アンテナ構造体１）は、例えば、前記受容層（受容層３）を備えたものである場合、前記基材（基材１）上に前記受容層（受容層３）を形成する工程（以下、「受容層形成工程」と略記することがある）と、前記受容層（受容層３）上に前記導電層（導電層４）を形成する工程（以下、「導電層形成工程」と略記することがある）と、を有する方法により、製造できる。受容層を備えていないアンテナ構造体は、受容層形成工程を省略して、同様に製造すればよい。
本発明のアンテナ構造体（アンテナ構造体１）は、例えば、前記受容層（受容層３）を備えたものである場合、前記基材（基材１）上に前記受容層（受容層３）を形成する工程（以下、「受容層形成工程」と略記することがある）と、前記受容層（受容層３）上に前記導電層（導電層４）を形成する工程（以下、「導電層形成工程」と略記することがある）と、を有する方法により、製造できる。受容層を備えていないアンテナ構造体は、受容層形成工程を省略して、同様に製造すればよい。
［受容層形成工程］
受容層形成工程においては、前記基材上に前記受容層を形成する。
前記受容層は、例えば、受容層を形成するための原料化合物が配合されてなる受容層形成用組成物を調製し、これを基材上に付着させて、加熱処理することで形成できる。受容層形成工程における前記原料化合物としては、化合物（３）が好ましい。
以下、化合物（３）を用いた場合を例に挙げて、本工程について説明するが、化合物（３）以外の原料化合物を用いた場合も、同様に行うことができる。
受容層形成工程においては、前記基材上に前記受容層を形成する。
前記受容層は、例えば、受容層を形成するための原料化合物が配合されてなる受容層形成用組成物を調製し、これを基材上に付着させて、加熱処理することで形成できる。受容層形成工程における前記原料化合物としては、化合物（３）が好ましい。
以下、化合物（３）を用いた場合を例に挙げて、本工程について説明するが、化合物（３）以外の原料化合物を用いた場合も、同様に行うことができる。
化合物（３）を用いる場合、受容層形成用組成物としては、化合物（３）及び溶媒が配合されてなる液状のものが例示できる。
受容層形成用組成物の調製に用いる前記溶媒は、化合物（３）を著しく劣化させない限り、特に限定されず、好ましいものとしては、エタノール、２−プロパノール（イソプロピルアルコール）等の炭素数が２以上のアルコールが例示できる。
前記溶媒は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
前記溶媒は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
受容層形成用組成物における化合物（３）の含有量は、１〜５０質量％であることが好ましく、３〜３０質量％であることがより好ましい。下限値以上であることで、受容層をより効率的に形成でき、上限値以下であることで、前記組成物の取り扱い性がより向上する。
受容層形成用組成物は、化合物（３）及び溶媒以外に、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
受容層形成用組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率（配合比）は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
受容層形成用組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率（配合比）は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
受容層形成用組成物中の成分は、すべて溶解していてもよいし、一部又はすべてが溶解していなくてもよいが、溶解していない成分は、均一に分散されていることが好ましい。
受容層形成用組成物は、化合物（３）、及び化合物（３）以外の成分を配合することで得られる。
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法、ミキサーを使用して混合する方法、超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法、ミキサーを使用して混合する方法、超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜３０℃であることが好ましい。
液状の受容層形成用組成物は、例えば、印刷法、塗布法、浸漬法等の公知の方法で基材上に付着させることができる。
前記印刷法としては、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法等が例示できる。
前記塗布法としては、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターや、ワイヤーバー等を用いる方法が例示できる。
前記印刷法としては、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法等が例示できる。
前記塗布法としては、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターや、ワイヤーバー等を用いる方法が例示できる。
受容層形成工程においては、基材に付着させる化合物（３）の量を調節することで、受容層の厚さを調節できる。この場合、基材に付着させる受容層形成用組成物の量、又は受容層形成用組成物の化合物（３）の含有量を調節すればよい。
基材上に付着させた受容層形成用組成物の加熱処理の条件は、前記組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよく、例えば、化合物（３）の反応と、溶媒の除去（乾燥）とが、円滑に進むように調節することが好ましい。通常は、加熱温度が５０〜１８０℃であることが好ましく、８０〜１６０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、３〜６０分間であることが好ましく、５〜３０分間であることがより好ましい。
受容層形成工程においては、受容層形成用組成物を付着させる前に、基材を加熱処理（アニール処理）してもよい。基材を加熱処理しておくことで、後述する導電層形成工程において、導電層形成用組成物を加熱（焼成）処理したときに、基材の収縮が抑制され、寸法安定性が向上することがある。
受容層形成用組成物を付着させる前の、基材の加熱処理の条件は、基材の種類に応じて適宜調節すればよく、特に限定されないが、６０〜２００℃で１０〜６０分間加熱処理することが好ましく、導電層形成工程での、後述する銀インク組成物の加熱（焼成）処理の条件と同じでもよい。
受容層形成用組成物を付着させる前の、基材の加熱処理の条件は、基材の種類に応じて適宜調節すればよく、特に限定されないが、６０〜２００℃で１０〜６０分間加熱処理することが好ましく、導電層形成工程での、後述する銀インク組成物の加熱（焼成）処理の条件と同じでもよい。
［導電層形成工程］
次いで、導電層形成工程においては、前記受容層上に前記導電層を形成する。
前記導電層は、例えば、導電層を形成するための原料化合物が配合されてなる導電層形成用組成物を調製し、これを受容層（基材）上に付着させて、加熱処理することで形成できる。
前記導電層が銀層である場合、導電層形成工程における前記原料化合物としては、金属銀を生成する化合物が好ましく、β−ケトカルボン酸銀（１）がより好ましい。
導電層形成用組成物としては、液状のものが好ましく、前記原料化合物が均一に溶解又は分散されたものが好ましい。
以下、β−ケトカルボン酸銀（１）が配合されてなる銀インク組成物を用いて、導電層として銀層を形成する場合を例に挙げて、本工程について説明するが、β−ケトカルボン酸銀（１）以外の原料化合物を用いた場合も、同様に導電層を形成できる。
次いで、導電層形成工程においては、前記受容層上に前記導電層を形成する。
前記導電層は、例えば、導電層を形成するための原料化合物が配合されてなる導電層形成用組成物を調製し、これを受容層（基材）上に付着させて、加熱処理することで形成できる。
前記導電層が銀層である場合、導電層形成工程における前記原料化合物としては、金属銀を生成する化合物が好ましく、β−ケトカルボン酸銀（１）がより好ましい。
導電層形成用組成物としては、液状のものが好ましく、前記原料化合物が均一に溶解又は分散されたものが好ましい。
以下、β−ケトカルボン酸銀（１）が配合されてなる銀インク組成物を用いて、導電層として銀層を形成する場合を例に挙げて、本工程について説明するが、β−ケトカルボン酸銀（１）以外の原料化合物を用いた場合も、同様に導電層を形成できる。
銀インク組成物において、β−ケトカルボン酸銀（１）中の銀の含有量は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましい。このような範囲であることで、後述する方法で形成された銀層は、品質により優れたものとなる。前記銀の含有量の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると２５質量％であることが好ましい。
（アミン化合物、アンモニウム塩）
前記銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）以外に、さらにアミン化合物及び／又はアンモニウム塩が配合されてなるものが好ましい。そして、前記アミン化合物及び／又はアンモニウム塩は、炭素数が２〜２５であることが好ましい。
前記銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）以外に、さらにアミン化合物及び／又はアンモニウム塩が配合されてなるものが好ましい。そして、前記アミン化合物及び／又はアンモニウム塩は、炭素数が２〜２５であることが好ましい。
炭素数２〜２５のアミン化合物は、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれでもよい。また、炭素数２〜２５のアンモニウム塩とは、かかる炭素数の第四級アンモニウム塩である。前記アミン化合物及びアンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン又はアンモニウム塩を形成している窒素原子の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。
前記第一級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が例示できる。
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示でき、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−オクタデシルアミン（ステアリルアミン）、シクロヘキシルアミンが例示でき、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミンがより好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−オクタデシルアミン（ステアリルアミン）、シクロヘキシルアミンが例示でき、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミンがより好ましい。
前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が例示でき、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子が例示できる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、フラニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、チエニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、フラニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、チエニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたものが例示できる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしてはエチレンジアミンが例示できる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしてはエチレンジアミンが例示できる。
前記第二級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が例示できる。
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミンが例示できる。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミンが例示できる。
前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記第三級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が例示できる。
前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
前記第四級アンモニウム塩としては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラドデシルアンモニウムブロミドが例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラドデシルアンモニウムブロミドが例示できる。
ここまでは、主に鎖状のアミン及びアンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及びアンモニウム塩は、アミン又はアンモニウム塩を形成している窒素原子が環骨格（複素環骨格）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン又はアンモニウム塩を形成する窒素原子を含む環）骨格は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンが例示できる。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンが例示できる。
前記第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及び第四級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン又はアンモニウム塩を形成している窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。
前記アミン化合物及びアンモニウム塩における前記置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等が例示できる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このようなモノアルキルアミンとして、具体的には、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。また、これらモノアルキルアミンが、さらに置換基としてハロゲン原子を有するものも好ましく、このようなモノアルキルアミンとしては、２−ブロモベンジルアミンが例示できる。
前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、かかるアリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基が好ましい。
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このようなジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンが例示できる。
前記アミン化合物は、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−プロピルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、シクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
本発明においては、アミン化合物のみを使用してもよいし、アンモニウム塩のみを使用してもよく、アミン化合物及びアンモニウム塩を併用してもよいが、アミン化合物のみを使用することが好ましい。
前記アミン化合物及びアンモニウム塩は、いずれも一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
銀インク組成物において、アミン化合物及びアンモニウム塩の総配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり１〜１０モルであることが好ましく、１．５〜７モルであることがより好ましい。下限値以上であることで、銀インク組成物の安定性がより向上し、上限値以下であることで、銀層の品質がより向上する。
（アルコール）
前記銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）以外に、さらにアルコールが配合されてなるものでもよい。
前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。
前記銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）以外に、さらにアルコールが配合されてなるものでもよい。
前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。
式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が例示でき、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ’及びＲ’’は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
好ましいアセチレンアルコール（２）としては、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オールが例示できる。
銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．０３〜０．７モルであることが好ましく、０．０５〜０．３モルであることがより好ましい。下限値以上であることで、銀インク組成物の安定性がより向上し、上限値以下であることで、銀層の品質がより向上する。
前記アルコールは、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）、アミン化合物及び／又はアンモニウム塩、並びにアルコール以外の、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
銀インク組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率（配合比）は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
銀インク組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率（配合比）は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
銀インク組成物中の成分は、すべて溶解していてもよいし、一部又はすべてが溶解していなくてもよいが、溶解していない成分は、均一に分散されていることが好ましい。
銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）、及びβ−ケトカルボン酸銀（１）以外の成分を配合することで得られる。
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法、ミキサーを使用して混合する方法、超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法、ミキサーを使用して混合する方法、超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜３０℃であることが好ましい。
銀インク組成物は、受容層形成用組成物と同様の方法で、受容層上に付着させればよい。
銀層形成工程においては、受容層に付着させるβ−ケトカルボン酸銀（１）の量を調節することで、銀層の厚さを調節できる。この場合、受容層に付着させる銀インク組成物の量、又は銀インク組成物のβ−ケトカルボン酸銀（１）の含有量を調節すればよい。
受容層上に付着させた銀インク組成物の加熱（焼成）処理の条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が６０〜２１０℃であることが好ましく、７０〜１８０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、０．２〜１２時間であることが好ましく、０．４〜１０時間であることがより好ましい。β−ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等のその他の金属銀形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、その他のものより極めて低温で金属銀を形成できる。
銀インク組成物の加熱処理の方法は特に限定されず、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱等で行うことができる。また、銀インク組成物の加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。そして、常圧下及び減圧下のいずれで行ってもよい。
銀インク組成物を用いて形成した銀層は、基材と対向する面に限らず、その表面の表面粗さＲａが０．３μｍ以下となり、滑らかな表面を有するので、特に高周波用途において、信号の伝送損失が低減される。そして、表面がこのように滑らかでも、基材との密着性が高い。
例えば、β−ケトカルボン酸銀（１）ではなく金属銀が配合されてなる、従来の銀ペーストを用いた場合、かかる銀ペーストには、金属銀以外にバインダーとして樹脂を配合することが必要となり、このような銀ペーストを用いて形成した銀層は、この樹脂に起因して導電性が低下することがある。これに対して、β−ケトカルボン酸銀（１）が配合されてなる銀インク組成物には、上記のような樹脂を配合する必要がないので、形成した銀層は、導電性が高い。
＜データ受送信体、通信機器＞
本発明のデータ受送信体は、上記本発明のアンテナ構造体を用いたことを特徴とし、かかるアンテナ構造体を用いたこと以外は、公知のデータ受送信体と同様の構成とすることができる。例えば、図１に示すアンテナ構造体１において、基材２又は受容層３上に、導電層４と電気的に接続されたＩＣチップを設けてアンテナ部とすることにより、非接触型データ受送信体を構成できる。
また、本発明の通信機器は、上記本発明のアンテナ構造体を用いたことを特徴とし、アンテナ部として前記アンテナ構造体を用いたこと以外は、公知の通信機器と同様の構成とすることができる。例えば、前記アンテナ構造体に加え、音声入力部、音声出力部、操作スイッチ、表示部等を組み合わせることにより、携帯電話機を構成できる。
本発明のデータ受送信体及び通信機器は、従来よりもさらなる軽量化及び薄層化が容易なものである。
本発明のデータ受送信体は、上記本発明のアンテナ構造体を用いたことを特徴とし、かかるアンテナ構造体を用いたこと以外は、公知のデータ受送信体と同様の構成とすることができる。例えば、図１に示すアンテナ構造体１において、基材２又は受容層３上に、導電層４と電気的に接続されたＩＣチップを設けてアンテナ部とすることにより、非接触型データ受送信体を構成できる。
また、本発明の通信機器は、上記本発明のアンテナ構造体を用いたことを特徴とし、アンテナ部として前記アンテナ構造体を用いたこと以外は、公知の通信機器と同様の構成とすることができる。例えば、前記アンテナ構造体に加え、音声入力部、音声出力部、操作スイッチ、表示部等を組み合わせることにより、携帯電話機を構成できる。
本発明のデータ受送信体及び通信機器は、従来よりもさらなる軽量化及び薄層化が容易なものである。
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
＜アンテナ構造体の製造＞
［実施例１］
（銀インク組成物の製造）
表１に示すように、２−メチルアセト酢酸銀、２−エチルヘキシルアミン、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」）を、配合成分の総量に占める配合量の比率（配合比）がそれぞれ２４．７質量％、７４．３質量％、１．０質量％となるように配合し、室温下（２５℃）で６０分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。銀インク組成物の粘度は１４．２mＰａ・ｓであった。
［実施例１］
（銀インク組成物の製造）
表１に示すように、２−メチルアセト酢酸銀、２−エチルヘキシルアミン、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」）を、配合成分の総量に占める配合量の比率（配合比）がそれぞれ２４．７質量％、７４．３質量％、１．０質量％となるように配合し、室温下（２５℃）で６０分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。銀インク組成物の粘度は１４．２mＰａ・ｓであった。
（アンテナ構造体の製造）
表１に示すように、化合物（３）としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２、信越シリコーン社製「ＫＢＭ６０３」）、２−プロパノールを、配合成分の総量に占める配合量の比率（配合比）がそれぞれ５質量％、９５質量％となるように配合し、室温下（２５℃）で６０分間撹拌することにより、受容層形成用組成物を得た。受容層形成用組成物の粘度は２〜３mＰａ・ｓであった。
次いで、ポリエチレンテレフタレート製の基材（厚さ１００μｍ）上に、スピンコータを用いてこの受容層形成用組成物を塗布し、オーブンを用いて１２０℃で１０分間加熱処理することにより、基材上に厚さ０．３μmの受容層を形成した。受容層の厚さは、ハイブリッド顕微鏡（キーエンス社製「ＶＮ−８０１０」）を用いて測定し、その平均値（平均膜厚）を算出して、その値を厚さとして採用した。
次いで、インクジェット装置を用いて、この受容層上に上記で得られた銀インク組成物をパターニングして塗布し、オーブンを用いて１２０℃で６０分間加熱処理することにより、受容層上に厚さ０．２μmの銀層を形成し、図１に示すアンテナ構造体を製造した。銀層の厚さは、ハイブリッド顕微鏡（キーエンス社製「ＶＮ−８０１０」）を用いて測定し、その平均値（平均膜厚）を算出して、その値を厚さとして採用した。
表１に示すように、化合物（３）としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２、信越シリコーン社製「ＫＢＭ６０３」）、２−プロパノールを、配合成分の総量に占める配合量の比率（配合比）がそれぞれ５質量％、９５質量％となるように配合し、室温下（２５℃）で６０分間撹拌することにより、受容層形成用組成物を得た。受容層形成用組成物の粘度は２〜３mＰａ・ｓであった。
次いで、ポリエチレンテレフタレート製の基材（厚さ１００μｍ）上に、スピンコータを用いてこの受容層形成用組成物を塗布し、オーブンを用いて１２０℃で１０分間加熱処理することにより、基材上に厚さ０．３μmの受容層を形成した。受容層の厚さは、ハイブリッド顕微鏡（キーエンス社製「ＶＮ−８０１０」）を用いて測定し、その平均値（平均膜厚）を算出して、その値を厚さとして採用した。
次いで、インクジェット装置を用いて、この受容層上に上記で得られた銀インク組成物をパターニングして塗布し、オーブンを用いて１２０℃で６０分間加熱処理することにより、受容層上に厚さ０．２μmの銀層を形成し、図１に示すアンテナ構造体を製造した。銀層の厚さは、ハイブリッド顕微鏡（キーエンス社製「ＶＮ−８０１０」）を用いて測定し、その平均値（平均膜厚）を算出して、その値を厚さとして採用した。
＜アンテナ構造体の評価＞
得られたアンテナ構造体について、ハイブリッド顕微鏡（キーエンス社製「ＶＮ−８０１０」）を用いて、銀層の基材と対向する面の表面粗さＲａを測定した結果、０．０２９μｍであった。
また、電気抵抗測定装置（三菱化学社製「ＭＣＰ−Ｔ６１０」）を用いて、銀層の表面抵抗値を測定し、この表面抵抗値に上記の銀層の厚さの値を乗じて、銀層の体積抵抗率を算出した結果、１０ｍΩ・ｃｍであった。
また、基材及び導電層について、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した密着性試験を行った結果、２５／２５ 分類０を満たすことが確認された。
また、銀層について、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した硬度試験を行った結果、６Ｂ〜６Ｈの１４段階に対して、鉛筆硬度＞５Ｈを満たすことが確認された。
アンテナ構造体のこれら評価結果を表２に示す。
得られたアンテナ構造体について、ハイブリッド顕微鏡（キーエンス社製「ＶＮ−８０１０」）を用いて、銀層の基材と対向する面の表面粗さＲａを測定した結果、０．０２９μｍであった。
また、電気抵抗測定装置（三菱化学社製「ＭＣＰ−Ｔ６１０」）を用いて、銀層の表面抵抗値を測定し、この表面抵抗値に上記の銀層の厚さの値を乗じて、銀層の体積抵抗率を算出した結果、１０ｍΩ・ｃｍであった。
また、基材及び導電層について、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した密着性試験を行った結果、２５／２５ 分類０を満たすことが確認された。
また、銀層について、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した硬度試験を行った結果、６Ｂ〜６Ｈの１４段階に対して、鉛筆硬度＞５Ｈを満たすことが確認された。
アンテナ構造体のこれら評価結果を表２に示す。
さらに、ＨＰ Ｅ４９９１Ａ ＲＦ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ／Ｍａｔｅｒｉａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＭｉｃｒｏＰｒｏｂｅ ＡＣＰ−４０を用いて、得られたアンテナ構造体について、周波数の変化に対するインピーダンス｜Ｚ｜及び位相角θｚの変化を測定した。インピーダンス｜Ｚ｜の変化の測定結果を図２に、位相角θｚの変化の測定結果を図３に、それぞれ示す。
［実施例２］
表１に示すように、化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にアンテナ構造体を製造し、評価を行った。評価結果を表２に示す。
表１に示すように、化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にアンテナ構造体を製造し、評価を行った。評価結果を表２に示す。
［比較例１］
受容層を設けず、さらに導電層として、銀インク組成物を用いて銀層を形成するのに代えて、従来法に従って銅箔（厚さ１８μｍ）を用いて銅層を形成したこと以外は、実施例１と同様にアンテナ構造体を製造し、評価を行った。銅層は、ウェットエッチングによりパターニングし、接着層を介して基材上に設けた。評価結果を表２に示す。
受容層を設けず、さらに導電層として、銀インク組成物を用いて銀層を形成するのに代えて、従来法に従って銅箔（厚さ１８μｍ）を用いて銅層を形成したこと以外は、実施例１と同様にアンテナ構造体を製造し、評価を行った。銅層は、ウェットエッチングによりパターニングし、接着層を介して基材上に設けた。評価結果を表２に示す。
［比較例２］
受容層を設けず、さらに導電層として、銀インク組成物を用いて銀層を形成するのに代えて、従来法に従ってアルミ箔（厚さ９μｍ）を用いてアルミニウム層を形成したこと以外は、実施例１と同様にアンテナ構造体を製造し、評価を行った。アルミニウム層は、ウェットエッチングによりパターニングし、接着層を介して基材上に設けた。評価結果を表２に示す。
受容層を設けず、さらに導電層として、銀インク組成物を用いて銀層を形成するのに代えて、従来法に従ってアルミ箔（厚さ９μｍ）を用いてアルミニウム層を形成したこと以外は、実施例１と同様にアンテナ構造体を製造し、評価を行った。アルミニウム層は、ウェットエッチングによりパターニングし、接着層を介して基材上に設けた。評価結果を表２に示す。
表１及び２に示すように、実施例１及び２のアンテナ構造体は、導電層が薄層化されたものでありながら、基材との密着性が高く、導電性の低下が抑制されていた。比較例１及び２のアンテナ構造体は、基材及び導電層の密着性、並びに導電層の硬度について、実施例１及び２と同じ方法での評価が困難であるため、未評価であるが、その構成から、実施例１及び２と同様の優れた特性を有していると推測される。しかし、導電層は金属箔から構成されているため、その薄層化は困難である。
また、実施例１のアンテナ構造体は、比較例１のアンテナ構造体と同様に、共振周波数ｆ０が目的とする値になっており、アンテナ性能に優れることを確認できた。
また、実施例１のアンテナ構造体は、比較例１のアンテナ構造体と同様に、共振周波数ｆ０が目的とする値になっており、アンテナ性能に優れることを確認できた。
本発明は、データ受送信体、又は携帯電話機等の通信機器に利用可能である。
１・・・アンテナ構造体、２・・・基材、２１・・・基材の導電層と対向する面、３・・・受容層、４・・・導電層、４２・・・導電層の基材と対向する面
Claims (5)
- 基材と、前記基材上に設けられた導電層と、を備えたアンテナ構造体であって、
前記導電層は、厚さが９μｍ未満で、且つ前記基材と対向する面の表面粗さが０．３μｍ未満であり、
ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、２５／２５ 分類０を満たすことを特徴とするアンテナ構造体。 - 前記基材及び導電層間に、さらに受容層を備え、
ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−４に準拠した、前記導電層の硬度試験において、鉛筆硬度＞５Ｈを満たすことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ構造体。 - 前記受容層が、下記一般式（３）で表される化合物を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項２に記載のアンテナ構造体。
- 請求項１〜３のいずれか一項に記載のアンテナ構造体を用いたことを特徴とするデータ受送信体。
- 請求項１〜３のいずれか一項に記載のアンテナ構造体を用いたことを特徴とする通信機器。
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| JP2012192150A JP2014049644A (ja) | 2012-08-31 | 2012-08-31 | アンテナ構造体、データ受送信体及び通信機器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2012-08-31 JP JP2012192150A patent/JP2014049644A/ja active Pending
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