JP2013545305A - ゲートチャージが低減された横方向に拡散されたmosトランジスタ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 集積回路であって、
金属酸化物半導体(MOS)トランジスタのチャネル領域に近接する前記MOSトランジスタのドレイン領域内にドリフト領域を備えた、前記MOSトランジスタ、
を含み、
前記MOSトランジスタが、
前記ドレイン領域内の前記ドリフト領域とドレインコンタクト領域との間の前記ドレイン領域内のドレイン絶縁体であって、前記ドレイン領域が前記ドレイン絶縁体の下に延在するようになっている前記ドレイン絶縁体と、
ゲートと、
を含み、
前記ゲートが、
前記チャネル領域の上の第1のゲートセクションと、
前記ドレイン絶縁体の上の第2のゲートセクションと、
を含み、
前記ドリフト領域の少なくとも半分が前記ゲートにより覆われていないようになっている、
集積回路。 - 請求項1の集積回路であって、
前記MOSトランジスタが、前記第1のゲートセクションと前記第2のゲートセクションとの間にインプラントブロックセクションを更に含み、
前記インプラントブロックセクションが、前記第1のゲートセクション及び前記第2のゲートセクションの横方向表面上のゲート側壁材料で形成される、
集積回路。 - 請求項1の集積回路であって、前記第2のゲートセクションが前記ドリフト領域に重ならない、集積回路。
- 請求項1の集積回路であって、前記第1のゲートセクションが、前記ドリフト領域の上の如何なるゲート材料によっても前記第2のゲートセクションに接続されない、集積回路。
- 請求項1の集積回路であって、前記第1のゲートセクションと前記第2のゲートセクションとの間の前記ドリフト領域の一部が、前記第1のゲートセクション及び前記第2のゲートセクションの横方向表面上のゲート側壁材料により覆われていない、集積回路。
- 集積回路であって、
MOSトランジスタのチャネル領域に近接する前記MOSトランジスタのドレイン領域内にドリフト領域を備えた、前記MOSトランジスタ、
を含み、
前記ドレイン領域内の前記ドリフト領域とドレインコンタクト領域との間の前記ドレイン領域内のドレイン絶縁体であって、前記ドレイン絶縁体の下に延在するようになっている前記ドレイン領域と、
ゲートと、
を含み、
前記ゲートが、
前記チャネル領域の上であり且つ前記ドレイン領域に重なる第1のゲートセクション、
前記ドレイン絶縁体の上の第2のゲートセクション、及び
2つ又はそれ以上のゲート接続要素であって、前記第1のゲートセクション及び前記第2のゲートセクションと同じ材料で形成される前記ゲート接続要素、
を含み、
前記ドリフト領域の少なくとも半分が前記ゲートにより覆われておらず、前記ゲート接続要素が前記第1のゲートセクションを前記第2のゲートセクションに接続するようになっている、
集積回路。 - 請求項6の集積回路であって、
前記MOSトランジスタが、前記第1のゲートセクションと前記第2のゲートセクションとの間のインプラントブロックセクションを更に含み、
前記インプラントブロックセクションが、前記第1のゲートセクション及び前記第2のゲートセクションの横方向表面上のゲート側壁材料で形成される、
集積回路。 - 請求項6の集積回路であって、前記第1のゲートセクションと前記第2のゲートセクションとの間の前記ドリフト領域の一部が、前記第1のゲートセクション及び前記第2のゲートセクションの横方向表面上のゲート側壁材料により覆われていない、集積回路。
- 請求項6の集積回路であって、前記第2のゲートセクションが前記ドリフト領域に重ならない、集積回路。
- 集積回路を形成するプロセスであって、
前記MOSトランジスタのチャネル領域に近接する前記MOSトランジスタのドレイン領域内のドリフト領域を備えた、前記MOSトランジスタを形成することを含み、前記MOSトランジスタを形成することが、
基板を提供すること、
前記基板内の前記MOSトランジスタのドレイン領域を形成することであって、前記ドレイン領域が、前記ドレイン領域の1つの側のドリフト領域と前記ドレイン領域の反対側のドレインコンタクト領域とを含むこと、
前記ドリフト領域と前記ドレインコンタクト領域との間の前記ドレイン領域内にドレイン絶縁体を形成することであって、前記ドレイン領域がドレインフィールド酸化物領域下に延在するようにすること、
前記ドリフト領域及びチャネル領域の上で前記基板の上面上に前記MOSトランジスタのゲート誘電体層を形成することであって、前記チャネル領域が、前記ドリフト領域に近接する前記ドレイン領域の外側の前記基板内に位置すること、
ゲート酸化物層の上面及び前記ドレイン絶縁体の上面上にゲート層を形成すること、
前記MOSトランジスタのゲートを形成するため前記ゲート層から材料を取り除くようにゲートエッチングオペレーションを実行することであって、前記ゲートが第1のゲートセクション及び第2のゲートセクションを含み、前記第1のゲートセクションが、前記チャネル領域の上に位置し且つ前記ドレイン領域に重なり、前記第2のゲートセクションが前記フィールド酸化物要素の上に位置し、そのため、前記ドリフト領域の少なくとも半分が前記ゲートにより覆われていないようにすること、
前記MOSトランジスタのソース領域を露出させるようにソース/ドレイン・インプラントマスクを形成することであって、前記ソース領域が、前記ドリフト領域とは反対側の前記チャネル領域近傍に位置すること、及び
前記ソース領域内の前記基板にソース/ドレインドーパントがインプラントされるように、ソース/ドレインイオン注入オペレーションを実行することであって、前記ソース/ドレインドーパントの少なくとも90パーセントが、前記第1のゲートセクションと前記第2のゲートセクションとの間のギャップの下の前記ドリフト領域からブロックされるようにすること、
を含む、プロセスによる、
プロセス。 - 請求項10のプロセスであって、前記第1のゲートセクションが、如何なるゲート材料によっても前記第2のゲートセクションに接続されない、プロセス。
- 請求項10のプロセスであって、
前記ゲートが、2つ又はそれ以上のゲート接続要素を更に含み、
前記ゲート接続要素が、前記第1のゲートセクション及び前記第2のゲートセクションと同じ材料で形成されており、前記ゲート接続要素が、前記第1のゲートセクションを前記第2のゲートセクションに接続するようにする、
プロセス。 - 請求項10のプロセスであって、
前記ゲートエッチングオペレーションを実行する前記工程の後、前記集積回路の上に側壁材料のコンフォーマル層を形成すること、
前記ソース/ドレイン・インプラントマスクを形成する前記工程の前に、異方性側壁エッチングオペレーションを実行することであって、前記異方性側壁エッチングオペレーションが、前記側壁材料層の側壁材料を取り除いて、前記ゲートの横方向表面上にゲート側壁を形成し、更に、第1のゲートセクションと前記第2のゲートセクションとの間のギャップ内の側壁材料のインプラントブロックセクションを形成するようにする、
を更に含む、プロセス。
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