JP2013020954A - 誘導結合プラズマ(icp)イオン源内において異なる処理ガスを迅速に切り替える方法および構造 - Google Patents
誘導結合プラズマ(icp)イオン源内において異なる処理ガスを迅速に切り替える方法および構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013020954A JP2013020954A JP2012131446A JP2012131446A JP2013020954A JP 2013020954 A JP2013020954 A JP 2013020954A JP 2012131446 A JP2012131446 A JP 2012131446A JP 2012131446 A JP2012131446 A JP 2012131446A JP 2013020954 A JP2013020954 A JP 2013020954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- plasma chamber
- ion source
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0822—Multiple sources
- H01J2237/0827—Multiple sources for producing different ions sequentially
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【解決手段】開閉式ガス通路は、荷電粒子ビーム・システムの誘導結合プラズマ源内の処理ガスまたは焼出しガスの迅速な排出を提供する。一般に源電極またはガス入口の一部に配置された弁は、プラズマ室を排気するために開いているときにガスの導通を増大させ、プラズマ源の動作中は閉じる。
【選択図】図3
Description
202 弁
204 プラズマ室
212 案内リング
214 可動構造物
216 源電極の上面
218 源電極
220 貫通穴
222 ガス流
Claims (19)
- プラズマを維持するプラズマ室と、
前記プラズマ室にガスを供給するガス導管と、
そこを通して前記プラズマ室からイオンが引き出されるアパーチャと、
前記プラズマ室からのガス・コンダクタンスを選択的に増大させる弁であり、動作中は第1の位置に置かれており、前記プラズマ室からガスをより迅速に除去するために第2の位置に置かれる弁と
を備える誘導結合プラズマ・イオン源。 - 前記弁が、前記源電極と同じ側の前記プラズマ室の端部に、開閉可能な開口を備える、請求項1に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 前記弁が、変位可能な部材によって覆うことができる前記源電極の開口を備える、請求項2に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 前記部材が、電場または磁場によって変位する、請求項3に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 前記電場が、プラズマ電極電圧源または引出し電極電圧源によって供給された電圧によって提供される、請求項4に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 前記弁が、前記ガス入口と同じ側の前記プラズマ室の端部に、開閉可能な開口を備える、請求項1に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 前記弁が、第1の位置ではシールを形成し、第2の位置では前記プラズマ室内へガスを通過させる可動構造物を含む、請求項6に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 前記プラズマ室に入るガスを調節する毛管をさらに備え、前記可動構造物が前記毛管を支持している、請求項7に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 前記ガス入口の一部分が、前記プラズマ室をシールしまたは前記プラズマ室のシールを解除するように変位可能である、請求項6に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- ガス圧の差が、バイアス力に逆らい打ち勝って動作している間、前記可動構造物をシールされた位置に維持する、請求項6に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 排気しているときに、前記弁を手動で移動させる必要なしに、前記バイアス力によって前記弁が開く、請求項10に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- ばねが前記バイアス力を提供する、請求項10または請求項11に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 前記弁がラビリンス・シールを含む、請求項10から12のいずれかに記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- 前記プラズマ室を排気しているときに、前記弁を自動的に開くバイアス手段をさらに備える、請求項1に記載の誘導結合プラズマ・イオン源。
- ICPイオン源システムから処理ガスを排出する方法であって、
排気可能なプラズマ室、
流量絞りを含むガス入口であり、前記プラズマ室にガスを供給するガス入口、
そこを通して前記プラズマ室からイオンが引き出されるアパーチャ、および
前記プラズマ室からの選択的な開閉式ガス通路であり、前記流量絞りおよび前記アパーチャ以外を通るガス通路
を有するICPイオン源システムを提供するステップと、
第1のガス源から前記プラズマ室内へ処理ガスを供給するステップと、
前記プラズマ室内でプラズマに点火するステップと、
源電極の前記アパーチャを通して前記プラズマ室からイオンを引き出すステップと、
前記プラズマ室内の前記プラズマを消火するステップと、
前記開閉式ガス通路を開くステップと、
前記開閉式通路を通して前記プラズマから前記ガスをポンピングするステップと
を含む方法。 - 前記開閉式通路を通して前記プラズマ室をポンピングする前記ステップの後に、
前記開閉式通路を閉じるステップと、
流量絞りを含む前記ガス入口を通して前記プラズマ室内へ第2の処理ガスを供給するステップと、
前記プラズマ室内でプラズマに点火するステップと
をさらに含む、請求項15に記載の方法。 - 前記開閉式ガス通路を開く前記ステップが、前記源アパーチャの穴を露出させるステップを含む、請求項15または請求項16に記載の方法。
- 前記開閉式ガス通路を開く前記ステップが、前記ガス入口を移動させて通路のシールを解除するステップを含む、請求項15または請求項16に記載の方法。
- 前記開閉式ガス通路を開く前記ステップが、前記ガス供給管路を通してガスを排出しているときに、前記ガス入口を自動的に開いて通路のシールを解除するステップを含む、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/182,187 US8633452B2 (en) | 2011-07-13 | 2011-07-13 | Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (ICP) ion source |
US13/182,187 | 2011-07-13 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013020954A true JP2013020954A (ja) | 2013-01-31 |
JP2013020954A5 JP2013020954A5 (ja) | 2015-07-23 |
JP6169327B2 JP6169327B2 (ja) | 2017-07-26 |
Family
ID=47010165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012131446A Active JP6169327B2 (ja) | 2011-07-13 | 2012-06-10 | プラズマ・イオン源内において異なる処理ガスを迅速に切り替える方法および構造 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8633452B2 (ja) |
EP (1) | EP2546863B1 (ja) |
JP (1) | JP6169327B2 (ja) |
CN (1) | CN102881546B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8633452B2 (en) * | 2011-07-13 | 2014-01-21 | Fei Company | Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (ICP) ion source |
US8716673B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-05-06 | Fei Company | Inductively coupled plasma source as an electron beam source for spectroscopic analysis |
US9053895B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-06-09 | Fei Company | System for attachment of an electrode into a plasma source |
US8822913B2 (en) | 2011-12-06 | 2014-09-02 | Fei Company | Inductively-coupled plasma ion source for use with a focused ion beam column with selectable ions |
US9275823B2 (en) | 2012-03-21 | 2016-03-01 | Fei Company | Multiple gas injection system |
US9105438B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-08-11 | Fei Company | Imaging and processing for plasma ion source |
US9224569B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-12-29 | Fei Company | Multi species ion source |
JP6126425B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-05-10 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置及びその制御方法 |
US10134557B2 (en) | 2013-06-12 | 2018-11-20 | General Plasma, Inc. | Linear anode layer slit ion source |
JP6584786B2 (ja) * | 2015-02-13 | 2019-10-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマイオン源および荷電粒子ビーム装置 |
JP6753678B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-09-09 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法 |
DE102016214146A1 (de) * | 2016-08-01 | 2018-02-01 | Kjellberg Stiftung | Plasmabrenner |
US9899181B1 (en) | 2017-01-12 | 2018-02-20 | Fei Company | Collision ionization ion source |
US9941094B1 (en) | 2017-02-01 | 2018-04-10 | Fei Company | Innovative source assembly for ion beam production |
US20230341341A1 (en) | 2022-04-25 | 2023-10-26 | Fei Company | Particle-induced x-ray emission (pixe) using hydrogen and multi-species focused ion beams |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05314940A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム応用装置のイオン源 |
JPH0660957U (ja) * | 1993-12-16 | 1994-08-23 | 日新ハイボルテージ株式会社 | 負イオン源 |
JPH07282993A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 電子ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生装置 |
WO2009147894A1 (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2581244B1 (fr) * | 1985-04-29 | 1987-07-10 | Centre Nat Rech Scient | Source d'ions du type triode a une seule chambre d'ionisation a excitation haute frequence et a confinement magnetique du type multipolaire |
JPH06101318B2 (ja) | 1985-10-16 | 1994-12-12 | 株式会社日立製作所 | イオンマイクロビ−ム装置 |
US5165954A (en) | 1986-09-02 | 1992-11-24 | Microbeam, Inc. | Method for repairing semiconductor masks & reticles |
US4737637A (en) | 1986-10-15 | 1988-04-12 | Hughes Aircraft Company | Mass separator for ionized cluster beam |
US4789787A (en) | 1987-05-27 | 1988-12-06 | Microbeam Inc. | Wien filter design |
US5188705A (en) | 1991-04-15 | 1993-02-23 | Fei Company | Method of semiconductor device manufacture |
US5438205A (en) * | 1994-04-08 | 1995-08-01 | National Electrostatics Corp. | Ion source gaseous discharge initiation impulse valve |
US6265717B1 (en) * | 1998-07-15 | 2001-07-24 | Agilent Technologies | Inductively coupled plasma mass spectrometer and method |
DE60041341D1 (de) | 1999-08-17 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung |
US6995079B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ion implantation method and method for manufacturing semiconductor device |
US7241361B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-07-10 | Fei Company | Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system |
JP5033314B2 (ja) | 2004-09-29 | 2012-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置及び加工方法 |
EP1807859A2 (en) * | 2004-10-25 | 2007-07-18 | TEL Epion Inc. | Ionizer and method for gas-cluster ion-beam formation |
EP2041756B1 (en) | 2006-07-14 | 2015-05-13 | FEI Company | A multi-source plasma focused ion beam system |
US8525419B2 (en) * | 2008-11-25 | 2013-09-03 | Oregon Physics, Llc | High voltage isolation and cooling for an inductively coupled plasma ion source |
US8253118B2 (en) * | 2009-10-14 | 2012-08-28 | Fei Company | Charged particle beam system having multiple user-selectable operating modes |
EP2341525B1 (en) | 2009-12-30 | 2013-10-23 | FEI Company | Plasma source for charged particle beam system |
JP5922125B2 (ja) | 2010-08-31 | 2016-05-24 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 低質量種と高質量種の両方を含むイオン源を使用した誘導および試料処理 |
US8633452B2 (en) * | 2011-07-13 | 2014-01-21 | Fei Company | Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (ICP) ion source |
-
2011
- 2011-07-13 US US13/182,187 patent/US8633452B2/en active Active
-
2012
- 2012-06-10 JP JP2012131446A patent/JP6169327B2/ja active Active
- 2012-06-28 EP EP12173972.6A patent/EP2546863B1/en active Active
- 2012-07-12 CN CN201210240654.2A patent/CN102881546B/zh active Active
-
2014
- 2014-01-20 US US14/159,227 patent/US9159534B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05314940A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム応用装置のイオン源 |
JPH0660957U (ja) * | 1993-12-16 | 1994-08-23 | 日新ハイボルテージ株式会社 | 負イオン源 |
JPH07282993A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 電子ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生装置 |
WO2009147894A1 (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102881546A (zh) | 2013-01-16 |
US8633452B2 (en) | 2014-01-21 |
US20140306607A1 (en) | 2014-10-16 |
CN102881546B (zh) | 2016-10-05 |
US20130015765A1 (en) | 2013-01-17 |
US9159534B2 (en) | 2015-10-13 |
EP2546863A1 (en) | 2013-01-16 |
EP2546863B1 (en) | 2014-01-08 |
JP6169327B2 (ja) | 2017-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6169327B2 (ja) | プラズマ・イオン源内において異なる処理ガスを迅速に切り替える方法および構造 | |
US7781743B2 (en) | Charged particle beam system and method for evacuation of the system | |
JP5178926B2 (ja) | 荷電粒子顕微鏡及びイオン顕微鏡 | |
JP5514472B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
EP1936653B1 (en) | Gas field ion source for multiple applications | |
EP2088613B1 (en) | Use of a dual mode gas field ion source | |
JP2007172862A (ja) | 荷電粒子線源用清浄化装置及びそれを用いた荷電粒子線装置 | |
JP2005539360A (ja) | 荷電粒子ビームシステム | |
JP2011034895A (ja) | 荷電粒子線装置及び試料汚染除去機構 | |
WO2017029742A1 (ja) | イオンビーム装置およびガス電界電離イオン源の洗浄方法 | |
KR20200018520A (ko) | 이온 빔 장치 | |
TWI748477B (zh) | 電子束裝置及電子束裝置之控制方法 | |
JP5530664B2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
JP4988905B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US10651005B2 (en) | Innovative source assembly for ion beam production | |
JP2010114082A (ja) | デュアルモードのガス電界イオン源 | |
WO2017134817A1 (ja) | 電界電離イオン源、イオンビーム装置、およびビーム照射方法 | |
JP2867389B2 (ja) | イオンビーム装置およびその使用方法 | |
JP6174054B2 (ja) | オービトロンポンプ、およびオービトロンポンプを備えた電子線装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150607 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170628 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6169327 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |