JP2012248448A - Plasma display panel manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
ここに開示された技術は、表示デバイスなどに用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。 The technology disclosed herein relates to a method of manufacturing a plasma display panel used for a display device or the like.
プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称する)は、前面板と背面板とで構成される。前面板は、ガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成された表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム(MgO)からなる保護層とで構成されている。一方、背面板は、ガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたデータ電極と、データ電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。 A plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) includes a front plate and a back plate. The front plate includes a glass substrate, a display electrode formed on one main surface of the glass substrate, a dielectric layer that covers the display electrode and functions as a capacitor, and magnesium oxide formed on the dielectric layer It is comprised with the protective layer which consists of (MgO). On the other hand, the back plate includes a glass substrate, a data electrode formed on one main surface of the glass substrate, a base dielectric layer covering the data electrode, a partition formed on the base dielectric layer, and each partition It is comprised with the fluorescent substance layer which light-emits each in red, green, and blue formed in between.
保護層には、主に2つの機能がある。1つ目は、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護することである。2つ目は、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することである。イオン衝撃から誘電体層が保護されることにより、放電電圧の上昇が抑制される。初期電子放出数が増加することにより、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスが低減される。初期電子放出数を増加させるために、MgOに不純物を添加する技術や、MgO粒子をMgO膜上に形成する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。 The protective layer mainly has two functions. The first is to protect the dielectric layer from ion bombardment due to discharge. The second is to emit initial electrons for generating an address discharge. By protecting the dielectric layer from ion bombardment, an increase in discharge voltage is suppressed. By increasing the number of initial electron emissions, address discharge errors that cause image flickering are reduced. In order to increase the initial electron emission number, a technique for adding impurities to MgO and a technique for forming MgO particles on an MgO film are known (see, for example, Patent Document 1).
近年、テレビは高精細化が進んでおり、市場では低コスト・低消費電力・高輝度のフルHD(ハイ・ディフィニション)(1920×1080画素:プログレッシブ表示)PDPが要求されている。保護層からの電子放出特性はPDPの画質を決定するため、電子放出特性を制御することが非常に重要である。 In recent years, high definition has been advanced in televisions, and a low-cost, low-power-consumption, high-brightness full HD (high definition) (1920 × 1080 pixels: progressive display) PDP is required in the market. Since the electron emission characteristics from the protective layer determine the image quality of the PDP, it is very important to control the electron emission characteristics.
このようにPDPの高精細化や低消費電力化を進めるにあたっては、放電電圧が高くならないようにすることと、さらに、点灯不良を低減して画質を向上させることを、同時に実現させなければならないという課題があった。 As described above, in order to advance the high definition and low power consumption of the PDP, it is necessary to simultaneously realize that the discharge voltage is not increased and that the image quality is improved by reducing defective lighting. There was a problem.
本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、高輝度の表示性能を備え、かつ低電圧駆動が可能なPDPを実現することを目的としている。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to realize a PDP having high luminance display performance and capable of being driven at a low voltage.
上記課題を解決するため、本発明のPDPの製造方法は、電極、誘電体、および保護層を形成した前面板と、背面板とを、放電空間を形成して対向配置し、封着材にて封着し前記放電空間内のガスを排気する、封着排気工程を有するPDPの製造方法において、前記封着排気工程では、前記前面板と前記背面板とを封着する期間、または封着した後に、前記放電空間内のガスを排気するステップと、前記放電空間に還元性有機ガスを導入するステップと、前記還元性有機ガスを排気するステップと、前記放電空間に酸化性ガスを導入するステップと、前記酸化性ガスを排気するステップと、前記放電空間に放電ガスを封入するステップとを有することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a method for manufacturing a PDP according to the present invention includes a front plate on which an electrode, a dielectric, and a protective layer are formed, and a back plate, which are arranged to face each other while forming a discharge space. In the method of manufacturing a PDP having a sealing exhaust process for sealing and exhausting the gas in the discharge space, in the sealing exhaust process, a period for sealing the front plate and the back plate, or sealing Then, exhausting the gas in the discharge space, introducing the reducing organic gas into the discharge space, exhausting the reducing organic gas, and introducing the oxidizing gas into the discharge space And a step of exhausting the oxidizing gas and a step of enclosing the discharge gas in the discharge space.
本発明によれば、保護層における電子放出特性を向上させ、維持放電電圧を低減することが可能で、高精細画像でも高輝度で低電圧駆動が可能な表示特性に優れたPDPを実現することができる。 According to the present invention, it is possible to improve the electron emission characteristics in the protective layer, reduce the sustain discharge voltage, and realize a PDP excellent in display characteristics that can be driven with high brightness and low voltage even in high-definition images. Can do.
[1.PDP1の構造]
PDPの基本構造は、一般的な交流面放電型PDPである。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置されている。前面板2と背面板10とは、外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、ネオン(Ne)およびキセノン(Xe)などの放電ガスが53kPa〜80kPaの圧力で封入されている。
[1. Structure of PDP1]
The basic structure of the PDP is a general AC surface discharge type PDP. As shown in FIG. 1, the PDP 1 has a
前面ガラス基板3上には、走査電極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6とブラックストライプ7が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板3上には表示電極6とブラックストライプ7とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成される。さらに誘電体層8の表面に酸化マグネシウム(MgO)などからなる保護層9が形成されている。なお、保護層9については、後に詳細に述べる。
On the
走査電極4および維持電極5は、それぞれインジウム錫酸化物(ITO)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)などの導電性金属酸化物からなる透明電極上にAgからなるバス電極が積層されている。
背面ガラス基板11上には、表示電極6と直交する方向に、銀(Ag)を主成分とする導電性材料からなる複数のデータ電極12が、互いに平行に配置されている。データ電極12は、下地誘電体層13に被覆されている。さらに、データ電極12間の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝には、データ電極12毎に、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層15、緑色に発光する蛍光体層15および青色に発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。表示電極6とデータ電極12とが交差する位置に放電セルが形成されている。表示電極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。
On the
なお、本実施の形態において、放電空間16に封入する放電ガスは、10体積%以上30体積%以下のXeを含む。
In the present embodiment, the discharge gas sealed in the
[2.PDP1の製造方法]
図2に示すように、本実施の形態に係るPDP1の製造方法は、前面板作製工程A1、背面板作製工程B1、フリット塗布工程B2、封着工程C1、還元性ガス導入工程C2、排気工程C3および放電ガス供給工程C4を有する。
[2. Manufacturing method of PDP1]
As shown in FIG. 2, the manufacturing method of
[2−1.前面板作製工程A1]
前面板作製工程A1においては、フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5とブラックストライプ7とが形成される。走査電極4および維持電極5は、導電性を確保するための銀(Ag)を含む金属バス電極を有する。また、走査電極4および維持電極5は、透明電極を有する。金属バス電極は、透明電極に積層される。
[2-1. Front plate manufacturing process A1]
In front plate manufacturing step A1,
透明電極の材料には、透明度と電気伝導度を確保するためインジウム錫酸化物(ITO)などが用いられる。まず、スパッタ法などによって、ITO薄膜が前面ガラス基板3上に形成される。次にリソグラフィ法によって所定のパターンの透明電極が形成される。
As a material for the transparent electrode, indium tin oxide (ITO) or the like is used to ensure transparency and electric conductivity. First, an ITO thin film is formed on the
金属バス電極の材料には、銀(Ag)と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、前面ガラス基板3上に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。
As a material for the metal bus electrode, an electrode paste containing silver (Ag), a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used. First, an electrode paste is applied on the
次に、電極ペーストが現像され、金属バス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、金属バス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、金属バス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、金属バス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、金属バス電極が形成される。 Next, the electrode paste is developed to form a metal bus electrode pattern. Finally, the metal bus electrode pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the metal bus electrode pattern is removed. Further, the glass frit in the metal bus electrode pattern is melted. The molten glass frit is vitrified after firing. A metal bus electrode is formed by the above process.
ブラックストライプ7は、黒色顔料を含む材料により、形成される。次に、誘電体層8が形成される。誘電体層8の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで走査電極4、維持電極5およびブラックストライプ7を覆うように前面ガラス基板3上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、誘電体層8が形成される。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。
The
誘電体層8の材料は、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種と、酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングステン(WO3)、酸化セリウム(CeO2)、二酸化マンガン(MnO2)から選ばれる少なくとも1種とを含む。バインダ成分は、エチルセルロース、またはアクリル樹脂1重量%〜20重量%を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノール(Kaoコーポレーション社製品名)、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加してペーストとして印刷特性を向上させてもよい。
The material of the
そして、保護層9は、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、及び酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成する。これらの金属酸化物は、保護層9のX線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する。
The
本実施の形態では保護層9は電子ビーム蒸着法によって形成した。上述したように誘電体層8までを形成した前面ガラス基板3を、真空チャンバーに設置する。到達真空度は1.0×10-4Pa程度とし、前面ガラス基板3を180℃〜320℃程度まで加熱する。蒸着雰囲気は4.0×10-3Pa程度となるように、真空チャンバー内に流入する。
In this embodiment, the
蒸着材料は上記の2つ以上の金属酸化物によって形成される。本実施の形態では、それぞれ金属酸化物を粉末にして混合し、これを高温・高圧によって直径約5mm、厚さ約2mmのタブレット形状に加工したものを使用した。これに限らず、それぞれの金属酸化物の結晶体を10mm〜15mm程度に粉砕し、これらを混合してもよい。そして、銅製あるいは炭素製であって冷却された容器(ハース)を真空チャンバー内に設置し、ここに蒸着材料を入れる。 The vapor deposition material is formed of two or more metal oxides as described above. In this embodiment, metal oxides are mixed in powder form and processed into a tablet shape having a diameter of about 5 mm and a thickness of about 2 mm by high temperature and high pressure. Not limited to this, each metal oxide crystal may be pulverized to about 10 mm to 15 mm and mixed. Then, a cooled vessel (hearth) made of copper or carbon is placed in a vacuum chamber, and a vapor deposition material is put therein.
電子ビームを発生する電子銃としてはピアス式電子銃を用い、発生した電子ビームを偏向コイルなどによって、上記ハースへ誘導し蒸着材料へ照射する。 A pierce-type electron gun is used as an electron gun for generating an electron beam, and the generated electron beam is guided to the hearth by a deflection coil or the like and irradiated onto the deposition material.
保護層9の成膜レートは水晶振動子等によってモニターし、膜厚500nm〜1000nm程度とする。前面ガラス基板3は固定式であっても搬送式であってもよい。
The film forming rate of the
なお、保護層9には上記膜上に、気相合成法などによって形成した酸化マグネシウム結晶粒子を付着させても良い。
Note that magnesium oxide crystal particles formed by vapor phase synthesis or the like may be attached to the
以上の工程により前面ガラス基板3上に走査電極4、維持電極5、ブラックストライプ7、誘電体層8、保護層9が形成され、前面板2が完成する。
Through the above steps, the
[2−2.背面板作製工程B1]
まず、フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板11上に、データ電極12が形成される。データ電極12の材料には、導電性を確保するための銀(Ag)と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むデータ電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、データ電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板11上に塗布される。次に、乾燥炉によって、データ電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、データ電極ペーストが露光される。次に、データ電極ペーストが現像され、データ電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、データ電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、データ電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、データ電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、データ電極12が形成される。ここで、データ電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
[2-2. Back plate manufacturing process B1]
First, the
次に、下地誘電体層13が形成される。下地誘電体層13の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでデータ電極12が形成された背面ガラス基板11上にデータ電極12を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層13が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。
Next, the
次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁14が形成される。隔壁14の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層13上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、隔壁14が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。
Next, the
次に、蛍光体層15が形成される。蛍光体層15の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層15が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。
Next, the
以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。
Through the above steps, the
[2−3.フリット塗布工程B2]
次に、背面板作製工程B1により作製した背面板10の画像表示領域外に封着部材であるガラスフリットを塗布する。その後、ガラスフリットの樹脂成分等を除去するために350℃程度の温度で仮焼成するフリット塗布工程B2を行う。
[2-3. Frit application process B2]
Next, the glass frit which is a sealing member is apply | coated outside the image display area | region of the
ここで、封着部材としては、酸化ビスマスや酸化バナジウムを主成分としたフリットが望ましい。この酸化ビスマスを主成分とするフリットとしては、例えば、Bi2O3−B2O3−RO−MO系(ここでRは、Ba、Sr、Ca、Mgのいずれかであり、Mは、Cu、Sb、Feのいずれかである。)のガラス材料に、Al2O3、SiO2、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。また、酸化バナジウムを主成分とするフリットとしては、例えば、V2O5−BaO−TeO−WO系のガラス材料に、Al2O3、SiO2、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。 Here, the sealing member is preferably a frit mainly composed of bismuth oxide or vanadium oxide. Examples of the frit containing bismuth oxide as a main component include, for example, a Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —RO—MO system (where R is any one of Ba, Sr, Ca, and Mg, and M is Any of Cu, Sb, and Fe)) and a filler made of an oxide such as Al 2 O 3 , SiO 2 , and cordierite can be used. In addition, as a frit containing vanadium oxide as a main component, for example, a filler made of an oxide such as Al 2 O 3 , SiO 2 , cordierite is added to a V 2 O 5 —BaO—TeO—WO glass material. Things can be used.
[2−4.封着工程C1から放電ガス供給工程C4まで]
次に、前面板2とフリット塗布工程B2を経た背面板10とが対向配置されて周辺部が封着部材により封着される。その後、放電空間内のガスが排気される。この後放電空間に放電ガスが封入される。上述したように本実施の形態では、前面板2と背面板10とを封着する期間、または封着した後に、放電空間内のガスを排気するステップと、放電空間に還元性有機ガスを曝すステップと、還元性有機ガスを排気するステップと、を有する。すなわち以下のような工程となる。
[2-4. From sealing process C1 to discharge gas supply process C4]
Next, the
本実施の形態に係る封着工程C1、還元性ガス導入工程C2、排気工程C3および放電ガス供給工程C4は、同一の装置において、図3〜図7に示す温度・圧力プロファイルの処理を行う。各図(a)が温度プロファイルを示し、各図(b)がPDP1内圧力プロファイルを示す。そして本実施の形態では、封着工程C1完了後、あるいはその工程中においてPDP1の放電空間内のガスを排気する一次排気工程E1が実施される。
The sealing process C1, the reducing gas introduction process C2, the exhaust process C3, and the discharge gas supply process C4 according to the present embodiment perform the processing of the temperature / pressure profile shown in FIGS. Each figure (a) shows a temperature profile, and each figure (b) shows a pressure profile in PDP1. In the present embodiment, the primary exhaust process E1 for exhausting the gas in the discharge space of the
同図における封着温度とは、前面板2と背面板10とが封着部材であるフリットにより封着されるときの温度である。本実施の形態における封着温度は、例えば約490℃である。また、同図における排気温度とは、PDP1内に放電ガスを入れるためにPDP1内のガスを排気する時の温度である。本実施の形態における排気温度は、例えば約400℃である。
The sealing temperature in the figure is a temperature at which the
[2−4−1.第1のプロファイル例]
図3に本実施の形態における第1のプロファイル例を示す。同図に示すように、まず温度は、室温から封着温度まで上昇する。次に、温度は、期間a−bで封着温度に維持される。次に温度は時間bから、封着温度から排気温度に下降する。ここまでを封着工程C1とする。
[2-4-1. First profile example]
FIG. 3 shows a first profile example in the present embodiment. As shown in the figure, first, the temperature rises from room temperature to the sealing temperature. The temperature is then maintained at the sealing temperature during period ab. Next, from time b, the temperature falls from the sealing temperature to the exhaust temperature. This is the sealing step C1.
そして時間eまでの期間排気温度に維持される。そして、時間fの期間まで降温される。 The exhaust temperature is maintained for a period up to time e. Then, the temperature is lowered until the period of time f.
封着は、封着工程C1において温度が上昇すると共に上述した封着部材が軟化し、前面板2と背面板10とが封着部材で接着し、PDP1の内部が気密化され、内部と外部とで気体が通過しなくなった状態で完了すると考えられる。発明者等が検討した結果、これは封着部材の転移点T℃に対して、T+150℃程度で完了する。本実施の形態では、上述した封着部材を使用し、この温度は450℃〜500℃の範囲であった。
For sealing, the temperature rises in the sealing step C1 and the sealing member described above is softened, the
本実施の形態では、この封着が完了した温度から、一次排気工程E1を行う。これは背面板10に設けた排気管より放電空間16内を排気し真空状態にする。これによって後に行う還元性ガス導入工程C2において、還元性有機ガスがPDP1内部全域に均等に行き渡り、還元性ガスによる保護層9への効果がPDP1面内均一になる。
In the present embodiment, the primary exhaust process E1 is performed from the temperature at which the sealing is completed. This discharges the inside of the
また、本実施の形態では保護層9として酸化マグネシウム単一成分ではなく、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、及び酸化バリウム(BaO)のうち複数成分を含んだ保護層としている。このような保護層は、周辺雰囲気の影響を受け変質しやすく、水酸化、炭酸化が容易に生じる。特に炭酸化が生じた場合には、PDP1として放電開始電圧が高くなってしまう課題が生じてしまう。そこで、本実施の形態のように還元性ガス導入工程C2の前に一次排気工程E1を行うことによって、保護層9の炭酸化を防止することができる。
In the present embodiment, the
この一次排気工程E1の処理時間は長い方が望ましいが、生産効率を考慮する必要があるため、到達真空度が1.0×10-4Paの状態で最短でも10min〜20min保持することが望ましい。なお、上記の到達真空度は排気装置側にて測定した数値であり、PDP1内の到達真空度は上記数値に対して一桁以上高くなる。
Although it is desirable that the processing time of the primary exhaust process E1 is long, it is necessary to consider production efficiency. Therefore, it is desirable to maintain the minimum vacuum for 10 min to 20 min in a state where the ultimate vacuum is 1.0 × 10 −4 Pa. . The ultimate vacuum is a numerical value measured on the exhaust device side, and the ultimate vacuum in the
この一次排気工程E1が終了した後、還元性ガス導入工程C2を行う。この工程において、温度は、c−dの期間、排気温度に維持される。そして、c−dの期間に放電空間内に還元性有機ガスを含むガスが導入される。c−dの期間に保護層9は、還元性有機ガスを含むガスに曝される。還元性ガス導入工程C2においても、還元性有機ガスへの曝露時間はより長い方が好ましいが、生産効率を考慮し、20min〜60min程度としている。また、発明者等が検討した結果、この期間におけるPDP1内の還元性有機ガスの到達圧力が高い方が、より効果が高くなることが判明した。これは保護層9と接する還元性有機ガスの絶対量が多いことで、保護層9の反応絶対量が増加することに起因していると考えられる。同様に還元性有機ガスの濃度が高くても、より効果が高くなる。
After the primary exhaust process E1 is completed, a reducing gas introduction process C2 is performed. In this step, the temperature is maintained at the exhaust temperature for a period of cd. Then, a gas containing a reducing organic gas is introduced into the discharge space during the period cd. The
本実施の形態において、導入するガスは、還元性有機ガス(ガス種は後述する)を1.5%〜6.5%含有し、当該還元性有機ガス以外のガス(ベースガス)としてNeなどを用い、全体の圧力を80kPa〜大気圧程度としている。ここでベースガスとしてNeを例に挙げたが、ベースガスをPDP1内に封入する放電ガスの一成分を用いることが望ましい。これによって、たとえ導入したガスが放電空間内に残留したとしてもPDPの放電特性に影響を与えないようにすることができる。
In the present embodiment, the gas to be introduced contains 1.5% to 6.5% of a reducing organic gas (gas species will be described later), and Ne or the like as a gas (base gas) other than the reducing organic gas The overall pressure is about 80 kPa to atmospheric pressure. Here, Ne is taken as an example of the base gas, but it is desirable to use one component of the discharge gas that encloses the base gas in the
その後、排気工程C3(図3(b)ではE2で示す)において、温度は所定の期間、排気温度に維持される。その後、温度は、室温程度まで下降する。d−eの期間において、放電空間内が排気されることにより、還元性有機ガスを含むガスが排出される。 Thereafter, in the exhaust process C3 (indicated by E2 in FIG. 3B), the temperature is maintained at the exhaust temperature for a predetermined period. Thereafter, the temperature drops to about room temperature. In the period d-e, the gas containing the reducing organic gas is discharged by exhausting the inside of the discharge space.
次に、放電ガス供給工程C4において、放電空間内に放電ガスが導入される。つまり、温度が室温程度に下がったe以降の期間に放電ガスが導入される。 Next, in the discharge gas supply process C4, a discharge gas is introduced into the discharge space. That is, the discharge gas is introduced in a period after e when the temperature drops to about room temperature.
なお、本実施の形態では、一次排気期間E1を期間a−b以前に開始しているが、これに限らず、温度保持期間であるa−bの途中で開始しても構わない。 In the present embodiment, the primary exhaust period E1 is started before the period ab. However, the present invention is not limited to this, and it may be started in the middle of the temperature holding period ab.
また、本実施の形態では、還元性ガス導入工程C2を排気温度に降温した直後に開始しているが、これに限らず、排気温度保持期間d−eの途中で開始しても構わない。 In the present embodiment, the reducing gas introduction step C2 is started immediately after the temperature is lowered to the exhaust temperature. However, the present invention is not limited to this, and may be started in the middle of the exhaust temperature holding period de.
[2−4−2.第2のプロファイル例]
第2のプロファイル例としては、図4に示すようになる。第2のプロファイル例において、第1のプロファイル例と異なる点は、還元性ガス導入工程C2(期間c−d)が、封着温度保持期間a−dに行われる点である。
[2-4-2. Second profile example]
A second profile example is as shown in FIG. The second profile example is different from the first profile example in that the reducing gas introduction step C2 (period cd) is performed in the sealing temperature holding period ad.
これによって、還元性ガス導入工程C2がより高温で行われるため、還元性有機ガスによる放電電圧を低下させる効果がより大きくなる。還元性ガス導入工程C2の後に排気工程C3が行われる。その他の工程については第1のプロファイル例と同じ工程となる。 Thereby, since the reducing gas introduction process C2 is performed at a higher temperature, the effect of reducing the discharge voltage by the reducing organic gas is further increased. The exhaust process C3 is performed after the reducing gas introduction process C2. Other steps are the same as those in the first profile example.
[2−4−3.第3のプロファイル例]
第3のプロファイル例を、図5に示す。第3のプロファイル例において、第1のプロファイル例と異なる点は、一次排気工程E1の開始時である。
[2-4-3. Third profile example]
A third profile example is shown in FIG. The third profile example is different from the first profile example at the start of the primary exhaust process E1.
第1のプロファイル例では、前面板2と背面板10との封着が完了した時点で、一次排気工程E1を開始していた。これに対し第3のプロファイル例においては、両者の封着が完了する前に一次排気工程E1を開始する。
In the first profile example, the primary exhaust process E1 is started when the sealing of the
第1のプロファイル例では、PDP1の温度が450℃〜490℃にて一次排気工程E1を開始していたが、この温度では少量ではあるが保護層9の炭酸化は開始している。そこで第3のプロファイル例では保護層9の炭酸化が全く生じていない温度から一次排気工程E1を開始するようにしている。本実施の形態では150℃〜400℃にて開始するようにした。これによって、保護層9の炭酸化を抑制する効果がより大きくなる。
In the first profile example, the primary exhaust process E1 is started when the temperature of the
なお、上述したように第3のプロファイル例においては、前面板2と背面板10との封着が完了していないため、一次排気工程E1開始時においてPDP1外の気体を排気することになるが、一次排気工程E1での到達真空度を第1のプロファイル例と同等にすることによって、PDP1面内を均一にする効果を奏することが可能である。
As described above, in the third profile example, since the sealing between the
[2−4−4.第4のプロファイル例]
第4のプロファイル例を、図6に示す。第4のプロファイル例において、第1のプロファイル例と異なる点は、還元性有機ガスを導入する還元性ガス導入工程C2の圧力である。第4のプロファイル例では、還元性ガス導入工程C2の圧力を大気圧以上としている。
[2-4-4. Fourth profile example]
A fourth profile example is shown in FIG. The fourth profile example is different from the first profile example in the pressure of the reducing gas introduction process C2 for introducing the reducing organic gas. In the fourth profile example, the pressure in the reducing gas introduction step C2 is set to atmospheric pressure or higher.
これによって、還元性ガス導入工程C2において、還元性ガスをPDP1の面内中央部まで確実に到達させることができる。結果としてPDP1の保護層9全域において、均一に還元性ガスを曝すことができ、放電電圧を低下させる効果がより均一になる。
Thereby, in the reducing gas introduction process C2, the reducing gas can surely reach the in-plane central portion of the
本実施の形態においては、還元性ガス導入工程C2の圧力を110kPa〜120kPaとしている。 In the present embodiment, the pressure in the reducing gas introduction step C2 is set to 110 kPa to 120 kPa.
なお、第4のプロファイル例では還元性ガス導入工程C2の全期間において、PDP1内における還元性ガスの圧力を大気圧以上としているが、これに限らず図7に示すように、PDP1内の圧力を瞬間的に大気圧以上としてもよい。PDP1はその後、前面板2および背面板10の形状の回復によりPDP1内の圧力は大気圧程度となる。この方法においても第4のプロファイル例と同等の効果が得られ、さらに内部を大気圧以上とすることによってPDP1を破壊してしまうリスクを低減することができる。
In the fourth profile example, the pressure of the reducing gas in the
[2−4−5.第5のプロファイル例]
第5のプロファイル例としては、図8に示すようになる。第5のプロファイル例において、第1のプロファイル例と異なる点は、還元性ガス導入工程C2において、還元性ガスが導入される時の温度である。
[2-4-5. Fifth profile example]
A fifth profile example is as shown in FIG. The fifth profile example is different from the first profile example in the temperature at which reducing gas is introduced in the reducing gas introduction step C2.
一般に前面板・背面板が封着されたPDP内にガスを導入する場合、排気管などからガスを導入する必要があるため、PDP内の全領域の保護層・蛍光体層は同時にガスに曝されるわけではなく、排気管に近い領域から順次ガスに曝されることになる。 In general, when gas is introduced into a PDP with a front plate and a rear plate sealed, it is necessary to introduce gas from an exhaust pipe or the like, so that the protective layer and phosphor layer in all regions in the PDP are exposed to the gas at the same time. Instead, the gas is sequentially exposed from the area close to the exhaust pipe.
このため、還元性ガスをPDP1内に導入する際においても、還元性ガスが保護層と反応する温度以上であった場合、還元性ガスが保護層に接した領域から順次反応が開始されてしまう。この結果、PDP面内において保護層と還元性ガスとの反応程度に依存したムラが生じ、同様にPDP面内で放電電圧が低下する効果の程度にも差が生じる。
For this reason, even when introducing the reducing gas into the
そこで、第5のプロファイル例では、還元性ガス導入工程C2の還元性ガスが導入される際のPDP1の温度を、還元性ガスと保護層とが反応を開始する温度よりも低くしている。同図に示すようにこの還元性ガスが導入される際の温度をT1としている。これによって、PDP1内では曝された領域から還元性ガスと保護層とが反応する現象とならず、PDP1内全体に還元性ガスが行き渡るようになる。またこのように温度を下げることによって、還元性ガス導入前におけるPDP1内の真空度がさらに良化する。つまり、前述の第1のプロファイル例における還元性ガス導入前のPDP1内の真空度P1(Pa)に対し、本プロファイル例おける還元性ガス導入前のPDP1内の真空度P2(Pa)は、P2<P1となる。
Therefore, in the fifth profile example, the temperature of the
そして、PDP1内全体に還元性ガスが行き渡る時間(42インチサイズPDPで10min程度)保持した後、再度PDP1の温度を、還元性ガスと保護層とが反応する温度以上まで昇温する。これによりPDP1の面内でほぼ同時に還元性ガスと保護層とが反応を開始すると共に、均一に反応が進行し、同様にPDP面内で均一に放電電圧が低下する効果が得られる。
And after hold | maintaining the time (about 10 minutes with 42-inch size PDP) that reducing gas spreads throughout the inside of PDP1, the temperature of PDP1 is raised again more than the temperature which a reducing gas and a protective layer react. As a result, the reducing gas and the protective layer start reacting almost simultaneously in the plane of the
ここで、第5のプロファイル例では、還元性ガスと保護層との反応が開始しない温度として温度T1としたが、これは使用する還元性ガス種によって異なる。後述する還元性有機ガス種の検討にて使用したガスでは、PDP1の温度を300℃以下とすることで、当該還元性ガスと保護層との反応を防止することができる。
Here, in the fifth profile example, the temperature T1 is set as the temperature at which the reaction between the reducing gas and the protective layer does not start, but this differs depending on the reducing gas type used. In the gas used in the examination of the reducing organic gas species described later, the reaction between the reducing gas and the protective layer can be prevented by setting the temperature of the
また、第5のプロファイル例では、温度T1を低くすることによって、還元性ガスと保護層との反応を防止する効果は得られるが、一方で温度T1を低くしすぎることで弊害も発生することが判明した。温度T1が低い場合、表面積が大きい蛍光体層や隔壁などに還元性ガスが吸着してしまい、後に昇温したとしても、還元性ガスと保護層との反応が生じない領域が存在することが明らかとなった。発明者等の実験の結果、後述する還元性有機ガス種においては、温度T1の下限値を50℃〜100℃とすることによって、還元性ガスの蛍光体層への吸着を防止することができる。 Further, in the fifth profile example, an effect of preventing the reaction between the reducing gas and the protective layer can be obtained by lowering the temperature T1, but on the other hand, an adverse effect is also caused by making the temperature T1 too low. There was found. When the temperature T1 is low, the reducing gas is adsorbed on the phosphor layer or the partition wall having a large surface area, and there may be a region where the reaction between the reducing gas and the protective layer does not occur even if the temperature is raised later. It became clear. As a result of experiments by the inventors, in the reducing organic gas species described later, adsorption of the reducing gas to the phosphor layer can be prevented by setting the lower limit value of the temperature T1 to 50 ° C. to 100 ° C. .
このような結果から、第5のプロファイル例では、還元性ガス導入工程C2のガスを導入する際にPDP1の温度T1を300℃以下、100℃以上としている。これによって還元性ガスと保護層との反応をPDP面内均一に行うことができ、放電電圧のPDP1面内ムラを抑制する効果が得られる。
From these results, in the fifth profile example, the temperature T1 of the
[2−4−6.第6のプロファイル例]
第6のプロファイル例を、図9に示す。第6のプロファイル例において、第1のプロファイル例と異なる点は、還元性有機ガスを導入する還元性ガス導入工程C2の後であって、排気工程C3の前に、PDP1内に酸化性ガスを導入する工程を有する点である。
[2-4-6. Sixth profile example]
A sixth profile example is shown in FIG. In the sixth profile example, the difference from the first profile example is after the reducing gas introduction step C2 for introducing the reducing organic gas, and before the exhausting step C3, the oxidizing gas is introduced into the
このように還元性ガス導入工程C2の後に、PDP1内に酸化性ガスを導入し、酸素雰囲気に保護層9を曝すことによって次の効果が得られる。
Thus, after the reducing gas introduction step C2, the following effect is obtained by introducing the oxidizing gas into the
還元性有機ガスを保護層9に曝すことによる電子放出特性が向上する機構としては、還元性有機ガスが金属酸化物からなる保護層9を還元することで、保護層結晶に酸素欠損が生成され、電子放出特性が向上するためと考えられる。
The mechanism for improving the electron emission characteristics by exposing the reducing organic gas to the
しかしながら、還元性有機ガスを導入する工程において、PDP1内のガスを排出するための排気装置から、保護層9までの排気コンダクタンスが大きい場合、還元性有機ガスが短時間で到達するのに対して、排気コンダクタンスが小さい場合は、還元性有機ガスが到達するまでに時間がかかる。
However, in the step of introducing the reducing organic gas, when the exhaust conductance from the exhaust device for discharging the gas in the
すなわち、還元性有機ガスを導入する工程において、上記排気コンダクタンスが大きい領域にある保護層9は、上記排気コンダクタンスが小さい領域にある保護層9に比べて、還元性有機ガスが作用している時間が長くなる。
That is, in the step of introducing the reducing organic gas, the
還元性有機ガスが保護層に作用している時間が長いと、還元性有機ガスが保護層表面に過剰に酸素欠損を生成してしまい、上記還元性有機ガスの効果が、PDP1内の表示領域全面に渡って均一にならない。
If the reducing organic gas is acting on the protective layer for a long time, the reducing organic gas excessively generates oxygen vacancies on the surface of the protective layer, and the effect of the reducing organic gas is exerted on the display area in the
これに対して、第6のプロファイル例に示すように、還元性ガス導入工程C2よりも後に酸化性ガスを導入することで、過剰に生成された酸素欠損が中和され、上記還元性有機ガスの作用が表示領域全面にわたって均一になり、維持放電電圧を表示領域全面にわたって均一に低下させることができる。 On the other hand, as shown in the sixth profile example, by introducing the oxidizing gas after the reducing gas introduction step C2, excess oxygen deficiency is neutralized, and the reducing organic gas Can be made uniform over the entire display area, and the sustain discharge voltage can be reduced uniformly over the entire display area.
酸化性ガス導入工程の時間、圧力などの諸条件は、還元性ガス導入工程の条件と同様で構わない。 Various conditions such as time and pressure in the oxidizing gas introduction step may be the same as the conditions in the reducing gas introduction step.
酸化性ガスとしては、酸素ガスを希ガスや窒素ガスに混合して作製したガスや、アルコール類やエーテル類などの、酸素原子が分子構造に含まれる有機化合物を希ガスや窒素ガスに混合して作製したガスを用いることができる。 Oxidizing gases include gases prepared by mixing oxygen gas with rare gas and nitrogen gas, and organic compounds containing oxygen atoms in the molecular structure, such as alcohols and ethers, mixed with rare gas and nitrogen gas. The gas produced in this way can be used.
[2−4−7.還元性有機ガスの詳細]
表1に示すように、還元性有機ガスとしては、分子量が58以下の還元力の大きいCH系有機ガスが望ましい。種々の還元性有機ガスの中から選ばれる少なくとも一つが希ガスや窒素ガスなどに混合されることにより、還元性有機ガスを含むガスが製造される。
[2-4-7. Details of reducing organic gas]
As shown in Table 1, the reducing organic gas is preferably a CH-based organic gas having a molecular weight of 58 or less and a large reducing power. When at least one selected from various reducing organic gases is mixed with a rare gas or nitrogen gas, a gas containing the reducing organic gas is produced.
表1において、Cの列は、有機ガスの一分子に含まれる炭素原子数を意味する。Hの列は、有機ガスの一分子に含まれる水素原子数を意味する。 In Table 1, column C means the number of carbon atoms contained in one molecule of organic gas. The column of H means the number of hydrogen atoms contained in one molecule of the organic gas.
表1に示すように、蒸気圧の列において、0℃での蒸気圧が100kPa以上のガスには、「A」が付されている。さらに、0℃での蒸気圧が100kPaより小さいガスには、「C」が付されている。沸点の列において、1気圧での沸点が0℃以下のガスには、「A」が付されている。さらに、1気圧での沸点が0℃より大きいガスには、「C」が付されている。分解しやすさの列において、分解しやすいガスには、「A」が付されている。分解しやすさが普通のガスには、「B」が付されている。還元力の列において、還元力が十分であるガスには、「A」が付されている。 As shown in Table 1, “A” is given to a gas having a vapor pressure of 100 kPa or higher at 0 ° C. in the vapor pressure column. Furthermore, “C” is given to the gas whose vapor pressure at 0 ° C. is smaller than 100 kPa. In the boiling point column, a gas having a boiling point of 0 ° C. or less at 1 atm is marked with “A”. Furthermore, “C” is attached to a gas having a boiling point of greater than 0 ° C. at 1 atmosphere. In the column for easy decomposition, “A” is given to the gas that is easily decomposed. “B” is attached to a gas that is easily decomposed. In the column of reducing power, “A” is given to the gas having sufficient reducing power.
表1において、「A」は良い特性であることを意味する。「B」は普通の特性であることを意味する。「C」は不十分な特性であることを意味する。 In Table 1, “A” means good characteristics. “B” means normal characteristics. “C” means insufficient properties.
PDPの製造工程における有機ガスの取扱い易さの観点から考えると、ガスボンベに入れて供給できる還元性有機ガスが望ましい。また、PDPの製造工程における取扱い易さから考えると、0℃での蒸気圧が100kPa以上の還元性有機ガス、または沸点が0℃以下の還元性有機ガス、または分子量が小さい還元性有機ガスが望ましい。 From the viewpoint of easy handling of organic gas in the manufacturing process of PDP, a reducing organic gas that can be supplied in a gas cylinder is desirable. Also, considering the ease of handling in the manufacturing process of PDP, a reducing organic gas having a vapor pressure at 100 ° C. of 100 kPa or higher, a reducing organic gas having a boiling point of 0 ° C. or lower, or a reducing organic gas having a low molecular weight is present. desirable.
さらに、排気工程C3の後にも還元性有機ガスを含むガスの一部が放電空間内に残留する可能性がある。よって、還元性有機ガスは、分解しやすい特性を有することが望ましい。 Furthermore, part of the gas containing the reducing organic gas may remain in the discharge space even after the exhaust process C3. Therefore, it is desirable that the reducing organic gas has a characteristic that it is easily decomposed.
還元性有機ガスは、製造工程上での取扱い易さや、分解しやすい特性などの点を考慮して、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレンおよびシクロプロパンの中から選ばれる酸素を含まない炭化水素系ガスが望ましい。これらの還元性有機ガスの中から選ばれる少なくとも一種を希ガスや窒素ガスに混合して用いればよい。 Reducing organic gas is a carbon that does not contain oxygen selected from acetylene, ethylene, methylacetylene, propadiene, propylene and cyclopropane, taking into consideration the ease of handling in the manufacturing process and the property of being easily decomposed. Hydrogen gas is desirable. At least one selected from these reducing organic gases may be mixed with a rare gas or nitrogen gas.
本発明者らが実験した結果では、例えば化学式でC3H6であるプロピレンガス、シクロプロパンガスを使用した場合は、維持電圧を約10V低下させることができた。また、化学式でC2H2であるアセチレンガスを使用した場合は、維持電圧を約20V低下させることができることが分かった。 As a result of experiments conducted by the present inventors, for example, when propylene gas or cyclopropane gas having a chemical formula of C 3 H 6 was used, the sustain voltage could be reduced by about 10V. Further, it was found that when the acetylene gas having a chemical formula of C 2 H 2 is used, the sustain voltage can be reduced by about 20V.
なお、希ガスや窒素ガスと還元性有機ガスの混合比率は、使用する還元性有機ガスの燃焼割合に応じて下限が決定される。上限は、数体積%程度である。還元性有機ガスの混合比率が高すぎると、有機成分が重合して高分子となりやすい。この場合、高分子が放電空間に残留し、PDPの特性に影響を与えてしまう。よって、使用する還元性有機ガスの成分に応じて、混合比率を適宜調整することが好ましい。 The lower limit of the mixing ratio of the rare gas or nitrogen gas and the reducing organic gas is determined according to the combustion ratio of the reducing organic gas to be used. The upper limit is about several volume%. If the mixing ratio of the reducing organic gas is too high, the organic component is likely to be polymerized to become a polymer. In this case, the polymer remains in the discharge space and affects the characteristics of the PDP. Therefore, it is preferable to appropriately adjust the mixing ratio according to the component of the reducing organic gas to be used.
[3.まとめ]
本実施の形態に開示されたPDP1の製造方法は、以下の工程を備える。還元性有機ガスを含むガスを放電空間に導入することにより、保護層9を還元性有機ガスに曝す。次に、還元性有機ガスを放電空間から排出する。次に、放電ガスを放電空間に封入する。
[3. Summary]
The method for manufacturing
還元性有機ガスに曝された保護層9には、酸素欠損が生じる。酸素欠損が生じることにより、保護層の二次電子放出能力が向上すると考えられる。したがって、本実施の形態に係る製造方法で製造されたPDP1は、維持電圧を低減することができる。
In the
さらに、還元性有機ガスは、酸素を含まない炭化水素系ガスであることが好ましい。酸素を含まないことによって、還元能力が高まるからである。 Furthermore, the reducing organic gas is preferably a hydrocarbon-based gas that does not contain oxygen. This is because the reduction ability is enhanced by not containing oxygen.
さらに、還元性有機ガスは、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレン、シクロプロパン、プロパンおよびブタンの中から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。上記の還元性有機ガスは、製造工程上での取扱いが容易だからである。さらに、上記の還元性有機ガスは、分解が容易だからである。 Further, the reducing organic gas is preferably at least one selected from acetylene, ethylene, methylacetylene, propadiene, propylene, cyclopropane, propane and butane. This is because the reducing organic gas is easy to handle in the manufacturing process. Furthermore, it is because said reducing organic gas is easy to decompose | disassemble.
なお、本実施の形態においては、放電空間を排気した後、還元性有機ガスを含むガスを放電空間に導入する製造方法が例示された。しかし、放電空間を排気することなく、放電空間に還元性有機ガスを含むガスを連続的に供給することによって、還元性有機ガスを含むガスを放電空間に導入することもできる。 In the present embodiment, a manufacturing method in which a gas containing a reducing organic gas is introduced into the discharge space after the discharge space is exhausted is exemplified. However, the gas containing the reducing organic gas can be introduced into the discharge space by continuously supplying the gas containing the reducing organic gas to the discharge space without exhausting the discharge space.
なお、以上の説明では、下地層として、MgO膜を例に挙げた。しかし、下地層に要求される性能はあくまでイオン衝撃から誘電体を守るための高い耐スパッタ性能を有することである。すなわち、電荷保持能力や電子放出性能が高くなくてもよい。従来のPDPでは、一定以上の電子放出性能と耐スパッタ性能という二つを両立させるため、MgOを主成分とした保護層を形成する場合が非常に多かった。しかし、電子放出性能が金属酸化物の結晶粒子によって支配的に制御される構成を取る場合、下地層はMgOである必要は全くない。下地層に、Al2O3等の耐衝撃性に優れる他の材料を用いても全く構わない。 In the above description, an MgO film is taken as an example of the base layer. However, the performance required for the underlayer is to have high spatter resistance for protecting the dielectric from ion bombardment. That is, the charge holding ability and the electron emission performance need not be high. In conventional PDPs, a protective layer composed mainly of MgO is very often formed in order to achieve both the electron emission performance above a certain level and the sputter resistance. However, when the electron emission performance is controlled predominantly by the metal oxide crystal particles, the underlying layer does not need to be MgO at all. For the underlayer, other materials having excellent impact resistance such as Al 2 O 3 may be used.
また、本実施の形態では、金属酸化物の結晶粒子としてMgOが例示された。しかし、この他の単結晶粒子でも、MgO同様に高い電子放出性能を持つSr、Ca、Ba、Alなどの金属酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができる。よって、金属酸化物の結晶粒子としてはMgOに限定されるものではない。 Moreover, in this Embodiment, MgO was illustrated as a metal oxide crystal particle. However, even with other single crystal particles, similar effects can be obtained by using crystal particles made of metal oxides such as Sr, Ca, Ba, Al, etc., which have high electron emission performance like MgO. Thus, the metal oxide crystal particles are not limited to MgO.
以上のように本実施の形態に開示された技術は、高画質の表示性能を備え、かつ低消費電力のPDPを実現する上で有用である。 As described above, the technique disclosed in the present embodiment is useful for realizing a PDP having high image quality display performance and low power consumption.
1 PDP
2 前面板
3 前面ガラス基板
4 走査電極
5 維持電極
6 表示電極
7 ブラックストライプ
8 誘電体層
9 保護層
10 背面板
11 背面ガラス基板
12 データ電極
13 下地誘電体層
14 隔壁
15 蛍光体層
16 放電空間
1 PDP
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記封着排気工程では、
前記前面板と前記背面板とを封着する期間、または封着した後に、前記放電空間内のガスを排気するステップと、
前記放電空間に還元性有機ガスを導入するステップと、
前記還元性有機ガスを排気するステップと、
前記放電空間に酸化性ガスを導入するステップと、
前記酸化性ガスを排気するステップと、
前記放電空間に放電ガスを封入するステップと、を有する、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。 A front plate on which an electrode, a dielectric, and a protective layer are formed, and a back plate are disposed opposite to each other so as to form a discharge space, sealed with a sealing material, and exhausted in the discharge space. In the method of manufacturing a plasma display panel having an exhaust process,
In the sealing exhaust process,
Exhausting the gas in the discharge space after sealing the front plate and the back plate, or after sealing;
Introducing a reducing organic gas into the discharge space;
Exhausting the reducing organic gas;
Introducing an oxidizing gas into the discharge space;
Exhausting the oxidizing gas;
Enclosing a discharge gas in the discharge space,
A method for manufacturing a plasma display panel.
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