JP2012064984A5 - 液浸リソグラフィ装置およびクリーニング方法 - Google Patents

Description

図３は、本発明の実施例の一部として、クリーニング・システムの代替の実施例を示す。この場合、クリーニング・システムは、所定の位置の近接部で部品を加熱するための、加熱システムを含んでいる。特に加熱システムは、クリーニングされる部品により吸収可能である波長を有するビームを提供するように構成されるレーザを含んでもよい。そのレーザは、クリーニングされる部品の表面に垂直に導かれるビーム、又は示されるように、その表面にある角度でアプローチするビームを提供することができる。所定の位置に存在する汚染物のタイプについて、特別な知識は不必要である。さらにこのレーザは、０．１ミリ秒より長いパルス、又はより具体的には、０．５ミリ秒より長いパルスを有するビームを提供するように構成されてもよい。この実施例は、０．１５マイクロ秒より短いパルス、又はより具体的には、０．１０マイクロ秒より短いパルスを有するビームを提供するように構成されるレーザを含んでいる。これは、０．１ミリ秒より長い、又は０．５ミリ秒より長いパルスを提供するレーザと同じレーザであってもよい。２つのレーザは、これらの要件を満たすように用いることができる。使用に際してはクリーニングされる部品は、局所的に、即ち所定の位置の少なくとも近接部で加熱される。このタイプのレーザ・ビームはクリーニングされる部品に単に吸収されるので、任意の波長が選択されてよい。汚染物がこのレーザ光を吸収するように、波長を微調整する必要はない。コストを低く抑えるために、赤外波長を有するビームを提供するように構成されたレーザが用いられてもよい。具体的には、波長約１０６４ｎｍが用いられたとき、酸化物粒子とレジスト粒子の双方を含む汚染物が、このクリーニング・システムを用いて、クリーニングすべき部品から取り除かれる。どんな理論に縛られるものでもないが、レジストは伝導により加熱されクリーニングすべき部品から蒸発し、一方金属及び酸化物粒子は、ウェハ・テーブルＷＴとこれらの粒子との間の熱膨張差に起因する高いＧ力によりクリーニングされる部品から解放されると思われる。この実施例の他の利点は、このシステムに用いることができる低コスト・レーザだけでなく、ファイバによる搬送による、必要とされる位置へのレーザ光の好都合な送達に関連する。

図６は、本発明の一実施例よるクリーニング方法を概略的に示す。この場合、所定の位置をクリーニングした後に、リソグラフィ装置の通常の動作が続き、再び所定の位置のクリーニングが続く。この実施例では、所定の位置は、各場所の汚染物の存在を検出することなく、予め決定されている。これは例えば、アライメント・マーカ及び／又はアライメント・マーカの下及び／又は周囲の位置が、所定の位置を、及びそれぞれ所定の位置の近接部を形成する場合である。高い精度要件を首尾一貫して満たすために、汚染物が検出されるのを最初に待つことなく、そのような位置を周期的にクリーニングすることが必要とされる可能性がある。これはアライメント・マーカのみに適用されるのではなく、ミラー表面のような、位置を決定するために使用される表面にも適用される可能性がある。同様にレンズの能力の決定の際は、汚染されていない表面が必要である。これらの表面は、上述の方法とクリーニング装置によりクリーニングすることができる。一般にこの装置は、少なくとも１つの光学部品及び／又は位置に敏感な部品をクリーニングするように構成することができる。この装置はさらに、基板テーブルのような、位置に敏感な部品をクリーニングするとき、その部品の両面がクリーニングすることができるように構成することができる。クリーニングすべき部品は、ミラー・ブロック（どちら側でも）、光学センサ、及び干渉計の反射素子を含むことができる。

Claims (8)

1. 基板を支持する基板テーブルと、
   前記基板の標的部分にパターン形成された放射ビームを投影する投影システムと、
   前記投影システムと前記基板との間の空間を満たす液体と、
   液浸リソグラフィ装置内の部品上の所定の位置をその場でクリーニングするためのクリーニング・システムであって、クリーニングすべき前記部品上の前記所定の位置の少なくとも近接部に局所的なクリーニング環境を提供し、前記所定の位置に存在する汚染物のタイプに実質的に無関係な前記局所的なクリーニング環境を提供するクリーニング・システムと、を含み、
   クリーニングすべき前記部品が、前記基板テーブルまたは光学要素を含み、
   汚染物の前記タイプが、レジスト粒子、金属粒子、酸化物粒子で構成されるグループから選択され、
   前記クリーニング・システムが、前記所定の位置の前記近接部でクリーニングすべき前記部品を加熱するための加熱システムを含む、液浸リソグラフィ装置。
2. 前記加熱システムが、クリーニングすべき前記部品により吸収可能である波長を有するビームを提供する、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
3. 前記加熱システムが、レーザを含む、請求項１または２に記載の液浸リソグラフィ装置。
4. 前記レーザが、０．１ミリ秒より長いパルスを有するビームを提供し、０．１５マイクロ秒より短いパルスを有するビームを提供する、請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
5. 液浸リソグラフィ装置内の部品上の所定の位置から汚染物をその場で取り除くためのクリーニング方法であって、前記液浸リソグラフィ装置が、基板を支持する基板テーブルと、前記基板の標的部分にパターン形成された放射ビームを投影する投影システムと、前記投影システムと前記基板との間の空間を満たす液体と、を含み、前記方法が、
   前記部品上の前記所定の位置の少なくとも近接部に、取り除かれる汚染物のタイプに実質的に無関係な局所的なクリーニング環境を生成するステップであって、汚染物の前記タイプが、レジスト粒子、金属粒子、酸化物粒子で構成されるグループから選択される、生成するステップと、
   前記部品から前記汚染物をその場で取り除くステップであって、前記部品が、前記基板テーブルまたは光学要素を含む、取り除くステップと、を含み、
   前記生成するステップが、前記所定の位置の前記近接部で前記部品を加熱するステップを含む、クリーニング方法。
6. 前記加熱するステップが、前記部品により吸収可能である波長を有するビームを提供するステップを含む、請求項５に記載のクリーニング方法。
7. 前記加熱するステップが、レーザビームを提供するステップを含む、請求項５または６に記載のクリーニング方法。
8. 前記レーザビームが、０．１ミリ秒より長いパルスを有する、請求項７に記載のクリーニング方法。