JP2012062243A - シリコン細棒の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン細棒(1)の製造方法であって、a)多結晶シリコン製のロッドを準備して、これから前記多結晶シリコン製のロッドに対して縮小された断面積を有する少なくとも2つの細棒(11,12)を分離する工程;b)前記分離された少なくとも2つの細棒(11,12)を、材料侵食性液状媒体での処理によって清浄化する工程;c)前記清浄化された少なくとも2つの細棒(11,12)を溶接して、1つのより長い細棒(1)とする工程;d)前記のより長い細棒(1)をチューブラフィルム(100)中にパッケージングする工程を含む前記製造方法によって解決される。
【選択図】なし
Description
a)多結晶シリコン製のロッドを準備して、これから前記多結晶シリコン製のロッドに対して縮小された断面積を有する少なくとも2つの細棒(11,12)を分離する工程;
b)前記分離された少なくとも2つの細棒(11,12)を、材料侵食性(material−eroding)液状媒体での処理によって清浄化する工程;
c)前記清浄化された少なくとも2つの細棒(11,12)を溶接して、1つのより長い細棒(1)とする工程;
d)前記のより長い細棒(1)をチューブラフィルム(100)中にパッケージングする工程
を含む前記製造方法によって解決される。
− 溶接箇所の付加的な汚染、及び
− 空気(窒素及び酸素)との化学反応
に結びつく。
実施例1においては、第二の清浄化工程の場合の1μm未満でのエッチング侵食は、比較的少ない。
実施例2においては、第二の清浄化工程での約30μmでのエッチング侵食は、実施例1におけるよりも明らかに高い。より高いエッチング侵食のその成果に対する影響を、その際より詳細に調査されるべきである。
Claims (10)
- シリコン細棒(1)の製造方法であって、
a)多結晶シリコン製のロッドを準備して、これから前記多結晶シリコン製のロッドに対して縮小された断面積を有する少なくとも2つの細棒(11,12)を分離する工程;
b)前記分離された少なくとも2つの細棒(11,12)を、材料侵食性液状媒体での処理によって清浄化する工程;
c)前記清浄化された少なくとも2つの細棒(11,12)を溶接して、1つのより長い細棒(1)とする工程;
d)前記のより長い細棒(1)をチューブラフィルム(100)中にパッケージングする工程
を含む前記製造方法。 - 少なくとも2つの細棒(11,12)を溶接して1つのより長い細棒(1)とした後で、かつそれをパッケージングする前に、前記のより長い細棒(1)を材料侵食性液状媒体で処理する第二の清浄化を行う、請求項1に記載の方法。
- 工程b)による細棒(11,12)の処理のための液状媒体と前記のより長い細棒(1)の第二の清浄化での液状媒体が、HF及びHNO3を含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 工程b)による清浄化後の細棒(11,12)の親水性化と第二の清浄化後の前記のより長い細棒(1)の親水性化を、オゾンによって行う、請求項2又は3に記載の方法。
- 前記のより長い細棒(1)を材料侵食性液状媒体で処理した場合に材料侵食が10μm未満である、請求項2から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 工程b)に従って材料侵食性液状媒体で処理することによって細棒(11,12)を清浄化した場合に材料侵食がそれぞれ少なくとも10μmである、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記のより長い細棒(1)の第二の清浄化を、材料侵食性液状媒体を含有する、両方の側面にそれぞれ1つの開口部(51)及び(52)を有するタンク(5)中で行い、前記のより長い細棒(1)は、その清浄化のために前記開口部に徐々に導通され、その際、前記開口部(51)及び(52)を介して前記のより長い細棒(1)に沿って流れ去る材料侵食性液状媒体は、タンク(5)の下方に配置されたトラフ(7)で受け止められ、そして再び前記タンク(5)へと圧送される、請求項2から6までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記のより長い細棒(1)をタンク(5)に通過させ、そして前記のより長い細棒(1)を乾燥させた後に、その細棒をチューブラフィルム(100)中に導入し、パッケージングする、請求項7に記載の方法。
- 少なくとも2つの分離された細棒(11,12)を溶接して1つのより長い細棒(1)とすることは、不活性雰囲気中で誘導溶接によって行われる、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 石英で取り囲まれた炭素製の管(4)の上方に配置された誘導コイル(3)は、前記細棒(11)及び(12)のそれぞれ一方の端部をシリコンの溶融温度超で加熱し、それによって液状シリコンからなる滴が形成し、数分後に誘導コイル(3)を停止させ、その際、前記細棒(11)及び(12)は癒合してより長い細棒(1)となる、請求項9に記載の方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014148455A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-21 | Yutaka Kamaike | シリコン結晶の製造方法 |
JP2015030628A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンロッドの製造方法 |
JP2016521239A (ja) * | 2013-04-11 | 2016-07-21 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG | Cvd製造空間の清掃 |
JP2019104917A (ja) * | 2019-01-23 | 2019-06-27 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊 |
EP3725741A1 (en) | 2019-04-19 | 2020-10-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon core wire |
JP2020172646A (ja) * | 2020-06-17 | 2020-10-22 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊 |
WO2021024889A1 (ja) | 2019-08-02 | 2021-02-11 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン析出用シリコン芯線及びその製造方法 |
WO2021039569A1 (ja) * | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッドおよびその製造方法 |
US11230796B2 (en) | 2015-09-15 | 2022-01-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resin material, vinyl bag, polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon mass |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5516326B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2014-06-11 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコンシード製造装置及び製造方法 |
DE102011089479A1 (de) | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Silicium |
DE102012200992A1 (de) | 2012-01-24 | 2013-07-25 | Wacker Chemie Ag | Dotierstoffarmes polykristallines Siliciumstück |
DE102012218748B4 (de) | 2012-10-15 | 2014-02-13 | Wacker Chemie Ag | Trocknen von Polysilicium |
DE102013201608A1 (de) * | 2013-01-31 | 2014-07-31 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
DE102013206339A1 (de) | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Ausbau von polykristallinen Siliciumstäben aus einem Reaktor |
DE102013221826A1 (de) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
DE102013225146A1 (de) | 2013-12-06 | 2014-04-24 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Dünnstabs |
KR101611053B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2016-04-11 | 오씨아이 주식회사 | 폴리실리콘 절편을 이용한 폴리실리콘 필라멘트 접합장치 |
CN109850903B (zh) * | 2019-04-10 | 2020-07-28 | 亚洲硅业(青海)股份有限公司 | 一种多晶硅硅芯焊接***及其使用方法 |
CN114599972B (zh) * | 2020-07-21 | 2024-03-08 | 瓦克化学股份公司 | 用于测定硅中痕量金属的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11168076A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-06-22 | Wacker Chemie Gmbh | 多結晶シリコン |
JPH11179565A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-06 | Komatsu Ltd | 半導体材料の溶接方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1105396B (de) | 1957-05-29 | 1961-04-27 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Reinstsilicium |
NL211056A (ja) | 1955-11-02 | |||
US3017251A (en) * | 1958-08-19 | 1962-01-16 | Du Pont | Process for the production of silicon |
NL277330A (ja) * | 1961-04-22 | |||
BE758436A (fr) * | 1969-06-06 | 1971-04-16 | Angelini S | Procede et appareillage pour le chromage continu en epaisseur de barres, fils et tubes a l'exterieur ou a l'interieur |
JPS63242339A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Osaka Titanium Seizo Kk | 半導体材料の製造方法 |
JPH05121390A (ja) | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Koujiyundo Silicon Kk | 酸の除去方法 |
DE19529518A1 (de) | 1994-08-10 | 1996-02-15 | Tokuyama Corp | Polykristallines Silizium und Verfahren zu dessen Herstellung |
US5714203A (en) * | 1995-08-23 | 1998-02-03 | Ictop Entwicklungs Gmbh | Procedure for the drying of silicon |
DE19780520B4 (de) * | 1996-05-21 | 2007-03-08 | Tokuyama Corp., Tokuya | Stab aus polykristallinem Silicium und Herstellungsverfahren hierfür |
JP2000301345A (ja) | 1999-04-23 | 2000-10-31 | Komatsu Ltd | Si系材料の溶接方法 |
JP3496021B2 (ja) | 2000-09-01 | 2004-02-09 | 住友チタニウム株式会社 | 多結晶シリコンの輸送方法 |
US6284997B1 (en) | 2000-11-08 | 2001-09-04 | Integrated Materials, Inc. | Crack free welding of silicon |
DE102006035081A1 (de) | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von klassiertem polykristallinen Siliciumbruch in hoher Reinheit |
DE102007023041A1 (de) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Wacker Chemie Ag | Polykristalliner Siliciumstab für das Zonenziehen und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102007039638A1 (de) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zum Reinigen von polykristallinem Silicium |
JP4941415B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2012-05-30 | 三菱マテリアル株式会社 | クリーンベンチ |
DE102009013186B4 (de) * | 2008-12-19 | 2015-05-28 | Senvion Se | Turm einer Windenergieanlage |
-
2010
- 2010-09-15 DE DE102010040836A patent/DE102010040836A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-08-31 CA CA2751228A patent/CA2751228C/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-09 US US13/229,098 patent/US20120060562A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-12 EP EP11180861.4A patent/EP2431329B1/de not_active Not-in-force
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- 2011-09-14 KR KR1020110092582A patent/KR101296756B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-09-15 CN CN201110274307.7A patent/CN102432018B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11168076A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-06-22 | Wacker Chemie Gmbh | 多結晶シリコン |
JPH11179565A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-06 | Komatsu Ltd | 半導体材料の溶接方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014148455A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-21 | Yutaka Kamaike | シリコン結晶の製造方法 |
JP2016521239A (ja) * | 2013-04-11 | 2016-07-21 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG | Cvd製造空間の清掃 |
JP2015030628A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンロッドの製造方法 |
US11230796B2 (en) | 2015-09-15 | 2022-01-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resin material, vinyl bag, polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon mass |
JP2019104917A (ja) * | 2019-01-23 | 2019-06-27 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊 |
EP3725741A1 (en) | 2019-04-19 | 2020-10-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon core wire |
US11565939B2 (en) | 2019-04-19 | 2023-01-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon core wire |
WO2021024889A1 (ja) | 2019-08-02 | 2021-02-11 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン析出用シリコン芯線及びその製造方法 |
JPWO2021024889A1 (ja) * | 2019-08-02 | 2021-09-13 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン析出用シリコン芯線及びその製造方法 |
WO2021039569A1 (ja) * | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッドおよびその製造方法 |
JP2020172646A (ja) * | 2020-06-17 | 2020-10-22 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊 |
JP7023325B2 (ja) | 2020-06-17 | 2022-02-21 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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